JPH03227585A - レ−ザ光源ユニット - Google Patents

レ−ザ光源ユニット

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JPH03227585A
JPH03227585A JP1283627A JP28362789A JPH03227585A JP H03227585 A JPH03227585 A JP H03227585A JP 1283627 A JP1283627 A JP 1283627A JP 28362789 A JP28362789 A JP 28362789A JP H03227585 A JPH03227585 A JP H03227585A
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JP
Japan
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high frequency
frequency generation
light source
conductive
generation circuit
Prior art date
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Pending
Application number
JP1283627A
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English (en)
Inventor
Shinobu Hidaka
忍 日高
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Minolta Co Ltd
Original Assignee
Minolta Co Ltd
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Publication date
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/04Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0428Electrical excitation ; Circuits therefor for applying pulses to the laser
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/02Structural details or components not essential to laser action
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00Semiconductor lasers
    • H01S5/06Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、半導体レーザに関し、詳しくは、半導体レー
ザを光源として用いるレーザ光源ユニットに関する。
従来の技術 レーザ光源として利用するレーザダイオード(以下、L
Dと略す)の発光を安定させるために種々の方法が提案
されている。その中でも一般に、LDへの駆動電流とし
て直流電流に高周波成分を重畳したものを用いる方法が
利用されている。
ところが、上記方法を採用した装置においては、高周波
成分を発生させ、高周波成分を直流電流に重畳する高周
波発生回路を流れる電流から高周波成分が電磁波となっ
て発生しやすい。電磁波が発生すると、例えば、レーザ
光源の発光を制御している制御部に電磁波がノイズとな
って進入し、LDの発光が正確に制御できなくなるとい
った障害が発生する。
そのため、従来では、高周波発生回路の存在する基板全
体および高周波成分を含む電流が流れる部分全体を導電
性のケースで覆うことが行われていた。
呻 発令が解決しようとする課題 tころで、高周波発生回路は、回路外に存在する電源、
制御部等と接続するための配線が必要である。配線のた
めに開孔を導電性のケースに設けると、前記開孔から高
周波が漏れるため、配線後再び導電性の物質でふさぐ必
要があり、非常に工数がかかりめんどうなものであった
さらに、この導電性のケースは、高周波発生回路を含む
回路基板及び高周波電流の流れる部分全体を覆うため、
大きなものとならざるをえない。
しt;がって、116の大型化につながり、設置スペー
ス、コストアップ等の問題が生じていた。
本発明では、駆動回路から発生する高周波の電磁波が外
部に影響を与えないようにし、しかも小型で安価に作成
できるレーザ光源ユニットを提供することにある。
課題を解決するための手段 導電性の支持体と導電性のカバーとの間に、レーザダイ
オードと、高周波発生素子を含むレーザダイオード駆動
用の高周波発生回路を有する回路基板とを組込んでなる
レーザ光源ユニットであって、前記高周波発生回路の周
囲の回路基盤上に形成された接地パターンと、前記回路
基板上の高周波発生回路外に設けられたコネクタポスト
とを有する。
作用 前記回路基板上の高周波発生回路を導電性支持体と導電
性カバーとで挟み込み、前記接地パターンと導電性支持
体、及び導電性カバーとを電気的に結合させることによ
り、前記高周波発生回路で発生した電磁波のユニット外
への漏出を防止する。
実施例 本発明に係る一実施例を図面を参照しながら説明する。
この実施例で示すレーザ光源ユニットは、レーザビーム
プリンタ用のレーザ光源に使用されるユニットであり、
外部から画像信号が入力され、入力された画像信号に応
じてLDが光強度変調を含む0N−OFF制御によって
制御される。LDから発せられたレーザ光は、ポリゴン
ミラーによって反射され受光面を走査する。
第1図及び第2図は、レーザ光源ユニットの分解斜視図
であり、M1図はレーザ光源の後背部側から見た図であ
り、第2図はレーザ光源の正面側から見た分解斜視図で
ある。
レーザ光源ユニットは、LD取付はフレームIOと、駆
動回路基板20と、カバー30とから構成されている。
J4とが形成されている。第2凹部14は、第】凹部1
2の第1底面13に階段状に形成さ゛れている。LDl
lは、第2凹部14の第2底面15に、第11第2の凹
部側へピン16が突出する向きに取付けられている。
いる。
駆動回路基板20の第1面lこは、第1図に示すように
、LDIIを駆動させるだめの高周波発生回路22を構
成する高周波発生用IC26、抵抗、コンデンサ等が取
付けられている。また、LDIIを高周波発生回路22
に接続するため、ピン16と接続する接続端子25が設
けられている。この高周波発生回路22で、LDを駆動
するため、直流電流に高周波成分を重畳させて駆動電流
を合成している。ざらIこ、高周波発生回路22の周囲
には、接地パターン21(斜線部分)が高周波発生回路
22を取囲む形で形成されている。また、駆動回路基板
20上で高周波発生回路22の外側には、外部の電源、
データ供給部と接続するためのコネクタポスト24が設
けられている。なお、このコネクタポスト24にはグラ
ンドピンが設けられており、グランドピンを介して前記
接地パターン2.21が外部の導電路に接続されるよう
になっている。即ち、LD取付はフレーム10と後述の
導電性のカバー30とは、接地パターン2.21及びコ
ネクタポスト24とを介して確実に接地されるようにな
っている。
方、駆動回路20の第2面側には、第2図に示すように
回路パターン部29が形成されており、高周波発生回路
22上の各素子を接続している。また、回路パターン部
29の周囲には、回路パターン部29を取囲む形状で第
1面側と同様に接地パターン2が形成されている。また
、接地パターン21と接地パターン2は、電気的に一体
となるよう接続されている。また、回路パターン部29
は、駆動回路基板20と、LD取付はフレームlOとを
嵌合した状態で、第1底而13と接触することがないよ
うに形成されており、逆に、接地パターン2は、駆動回
路基板20とLD取付はフレームとを嵌合した状態で第
1底面I3と当接し電気的に接続されるように形成され
ている。
カバー30は、導電性のアルミ合金で作製されており、
高周波発生回路22の外殻よりやや大きく略相似形の開
孔部34が形成されている。開孔部34を覆う形でフー
ド32が取付けられ、開孔部34の周囲には縁部31が
形成されている。縁部31は、接地パターン21と当接
する当接面35を有し、前記当接面35は、LD取付は
フレームIOに対し駆動回路基板20及びカバ一部材3
0を嵌合した状態で、接地バタン21と略一致する形状
に形成されている。
上述したカバー30の形状により、コネクタボスト24
は、LD駆動回路22をカバー30で覆ったときも、カ
バー30の外側に突出している。コネクタポスト24か
カバー30の外部に突出しているため、コネクタポスト
24から高周波成分の電磁波が発生しないように、コネ
クタポスト24の直前でかつ高周波発生回路22内にノ
イズフィルタ28が設けられ、高周波成分が回路からコ
ネクタボスト24側に流れないように構成されている。
ネジ36によって、LD取付はフレーム10、駆動回路
基板20、及びカバー30を一体化して固定するため、
ネジ穴18.23及び33がそれぞれLD取付はフレー
ムlO1駆動回路基板20及びカバー30に形成されて
いる。
第3図は、LD取付はフレーム10に対し駆動回路基板
20及びカバー30を取付け、一体化したレーザ光源ユ
ニットlの断面図を示す。
取付はフレーム10に第1、第2の2つの凹部を設ける
ことにより、LD取付はフレームlOに形成された突出
部19は、電磁波の漏れを防止するのみならず、駆動回
路基板20.カバ一部材30を取付ける際、ガイドの役
割をはたし、非常に有益である。
LD取付はフレーム10の第1底面13と接地パターン
2、及びカバ一部材30の当接面35と接地パターン2
1が当接することから、LD取付はフレーム10、カバ
ー30及び接地パターン2.21が電気的に体化され、
高周波発生回路22又は回路パターン29で発生した電
磁波は、確実にシールドされる。
本実施例では、接地パターン2及び21共にそれぞれの
回路部分全周を取囲む形で形成した。全周を取囲んだ方
が良いのはもちろんであるが、必ずしも全周を取囲む必
要はなく、相当量の接地パターンを設ければよい。また
、必ずしも接地パタン2及び21を電気的に一体化する
必要はない。
また、LDを駆動する回路全体をシールドしてもよいが
、本実施例のように、少なくとも高周波成分を含む回路
部分のみをシールドする方が、他の素子に与える影響が
少なく好ましい。
発明の効果 以上のように本発明によれば、高周波発生回路から発生
する高周波の電磁波を確実にシールドすることかできる
。そして、レーザ光源ユニット全体を覆うのではなく高
周波発生回路のみをシールドするため非常にコンパクト
に作成することができ、また、高周波発生回路とレーザ
光源ユニット外との配線を終えた後、穴埋めをする必要
がない
【図面の簡単な説明】
1図と異なった方向から見たレーザ光源ユニットの分解
斜視図であり、第3図は一体化したレーザ光源ユニット
の断面図である。 IO・・・半導体レーザ取付はフレーム、24・・・コ
ネクタポスト、 26・・・高周波発生用tC。 30・・・カバー

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】  導電性の支持体と導電性のカバーとの間に、レーザダ
    イオードと、高周波発生素子を含むレーザダイオード駆
    動用の高周波発生回路を有する回路基板とを組込んでな
    るレーザ光源ユニットであって、 前記高周波発生回路の周囲の回路基板上に形成された接
    地パターンと、 前記回路基板上の高周波発生回路外に設けられたコネク
    タポストを有し、 前記高周波発生回路を導電性支持体と導電性カバーとで
    挟み込み、前記接地パターンと導電性支持体、及び導電
    性カバーとを電気的に結合させることにより、前記高周
    波発生回路で発生した電磁波のユニット外への漏出を防
    止したことを特徴とするレーザ光源ユニット。
JP1283627A 1989-10-30 1989-10-30 レ−ザ光源ユニット Pending JPH03227585A (ja)

Priority Applications (2)

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JP1283627A JPH03227585A (ja) 1989-10-30 1989-10-30 レ−ザ光源ユニット
US07/605,994 US5051815A (en) 1989-10-30 1990-10-29 Laser beam emitting unit with high frequency noise shutoff

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JP1283627A JPH03227585A (ja) 1989-10-30 1989-10-30 レ−ザ光源ユニット

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JPH03227585A true JPH03227585A (ja) 1991-10-08

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US5051815A (en) 1991-09-24

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