JPH06340676A - シラアルカン類の製造方法 - Google Patents
シラアルカン類の製造方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/12—Organo silicon halides
- C07F7/121—Preparation or treatment not provided for in C07F7/14, C07F7/16 or C07F7/20
- C07F7/123—Preparation or treatment not provided for in C07F7/14, C07F7/16 or C07F7/20 by reactions involving the formation of Si-halogen linkages
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- C07F7/16—Preparation thereof from silicon and halogenated hydrocarbons direct synthesis
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 式(I)で表す2,4,6−トリシラヘプタ
ン類と式(II)で表す1,3−ジシラブタン類を、ケイ素
とクロロメチルシラン類から銅触媒単独又は助触媒(カ
ドミウム粉末)の存在下で反応させることにより収率よ
く製造する方法。 【化3】 【効果】 この方法により得られるシラアルカン類は、
シリコンポリマーの主要原料として有用である。
ン類と式(II)で表す1,3−ジシラブタン類を、ケイ素
とクロロメチルシラン類から銅触媒単独又は助触媒(カ
ドミウム粉末)の存在下で反応させることにより収率よ
く製造する方法。 【化3】 【効果】 この方法により得られるシラアルカン類は、
シリコンポリマーの主要原料として有用である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコンポリマーの主
要な原料であるシラアルカン、すなわち後記式(I)で
示される2,4,6−トリシラヘプタン類と後記式(II)
で示される1,3−ジシラブタン類の製造方法に関す
る。
要な原料であるシラアルカン、すなわち後記式(I)で
示される2,4,6−トリシラヘプタン類と後記式(II)
で示される1,3−ジシラブタン類の製造方法に関す
る。
【0002】
【従来の技術】シラアルカン類を得る一般的方法として
は、クロロメチル基を有するシラン化合物とケイ素を銅
触媒の存在下に加熱反応させる方法が米国特許第2,3
80,995号明細書に開示されている。触媒として使
用する銅は、ケイ素とη状のCu3 Siのケイ素結合を
形成し、このCu3 Siを有機塩化物と反応させること
が知られている。
は、クロロメチル基を有するシラン化合物とケイ素を銅
触媒の存在下に加熱反応させる方法が米国特許第2,3
80,995号明細書に開示されている。触媒として使
用する銅は、ケイ素とη状のCu3 Siのケイ素結合を
形成し、このCu3 Siを有機塩化物と反応させること
が知られている。
【0003】ピー・トランボーゼ(P.Trambouze) らは、
(J.Chim.Phys.51,505(1954))において、このη状のCu
3 Siを形成させる方法として、不活性気体中で銅とケ
イ素を800〜1000℃に加熱する物理的方法を報告
している。又アール・ジェー・ビー・ヴォーボーブ(R.
J.B.Voorboeve) らは、(J.Catalysis.4,129(1965)) に
おいて、塩化第一銅とケイ素を反応させる化学的方法を
報告している。
(J.Chim.Phys.51,505(1954))において、このη状のCu
3 Siを形成させる方法として、不活性気体中で銅とケ
イ素を800〜1000℃に加熱する物理的方法を報告
している。又アール・ジェー・ビー・ヴォーボーブ(R.
J.B.Voorboeve) らは、(J.Catalysis.4,129(1965)) に
おいて、塩化第一銅とケイ素を反応させる化学的方法を
報告している。
【0004】エー・ディー・ペトロフ(A.D.Petrov)ら
は、(J.Gen.Chem.U.S.S.R.26,1413(1956))において、ク
ロロメチル(メチル)ジクロロシランを360〜370
℃でケイ素と直接反応させれば、1,1,1,3,3−
ペンタクロロ−1,3−ジシラブタンと2,2,4,
4,6,6−ヘキサクロロ−2,4,6−トリシラヘプ
タンをそれぞれ28.7%及び16.7%で得たことを
報告している。又、ヴィ・エフ・ミロノフ(V.F.Mirono
v) らは、(Zh.Obshch. Khim.,42.1362(1972))におい
て、クロロメチル(ジメチル)クロロシランを370〜
390℃で反応させた場合は、2,2,4,4,6,6
−ヘキサクロロ−2,4,6−トリシラヘプタンと1,
1,1,3−テトラクロロ−1,3−ジシラブタンが少
量しか得られないが、400〜500℃で亜鉛あるいは
カドミウムを助触媒として使用すれば反応性と収率が増
加することを報告している。
は、(J.Gen.Chem.U.S.S.R.26,1413(1956))において、ク
ロロメチル(メチル)ジクロロシランを360〜370
℃でケイ素と直接反応させれば、1,1,1,3,3−
ペンタクロロ−1,3−ジシラブタンと2,2,4,
4,6,6−ヘキサクロロ−2,4,6−トリシラヘプ
タンをそれぞれ28.7%及び16.7%で得たことを
報告している。又、ヴィ・エフ・ミロノフ(V.F.Mirono
v) らは、(Zh.Obshch. Khim.,42.1362(1972))におい
て、クロロメチル(ジメチル)クロロシランを370〜
390℃で反応させた場合は、2,2,4,4,6,6
−ヘキサクロロ−2,4,6−トリシラヘプタンと1,
1,1,3−テトラクロロ−1,3−ジシラブタンが少
量しか得られないが、400〜500℃で亜鉛あるいは
カドミウムを助触媒として使用すれば反応性と収率が増
加することを報告している。
【0005】上記の反応においては、4塩化ケイ素ある
いはメチルトリクロロシランが約20%も生成してお
り、反応物シラン化合物のクロロメチル基が目的生成物
を生成するよりも分解する量が多いことを示している。
この様に出発原料が分解すれば生成した炭素がケイ素の
表面に付着し、ケイ素の反応性を急激に低下させる。
いはメチルトリクロロシランが約20%も生成してお
り、反応物シラン化合物のクロロメチル基が目的生成物
を生成するよりも分解する量が多いことを示している。
この様に出発原料が分解すれば生成した炭素がケイ素の
表面に付着し、ケイ素の反応性を急激に低下させる。
【0006】出発原料の分解を少なくするための反応温
度コントロール及びケイ素表面への炭素の付着を防ぐた
め、上記反応を行う反応槽について種々の工夫が行われ
ている。上記反応に使用される反応槽としては、固定
型、かきまぜ型及び流動型反応槽などが知られている。
かきまぜ型反応槽は、固定型反応槽より反応温度コント
ロールが容易であること又、かきまぜることにより触媒
などの粒子が互いにぶつかり合うため表面が新しくなる
などの効果があり、ケイ素の反応性が上昇する好ましい
反応槽である。上記反応で、触媒として使用する銅は、
反応物質であるケイ素よりもその密度が約3倍高く、銅
とケイ素を反応槽中で効果的に混合するのは非常にむづ
かしい。
度コントロール及びケイ素表面への炭素の付着を防ぐた
め、上記反応を行う反応槽について種々の工夫が行われ
ている。上記反応に使用される反応槽としては、固定
型、かきまぜ型及び流動型反応槽などが知られている。
かきまぜ型反応槽は、固定型反応槽より反応温度コント
ロールが容易であること又、かきまぜることにより触媒
などの粒子が互いにぶつかり合うため表面が新しくなる
などの効果があり、ケイ素の反応性が上昇する好ましい
反応槽である。上記反応で、触媒として使用する銅は、
反応物質であるケイ素よりもその密度が約3倍高く、銅
とケイ素を反応槽中で効果的に混合するのは非常にむづ
かしい。
【0007】米国特許第2,449,821号明細書に
は、銅とケイ素を効果的に混合する方法として、らせん
型かきまぜ器を使用し、反応槽下部にある固体を上に汲
み上げながら、気体状態の有機塩化物を反応槽の下部か
ら導入反応させる方法が記載されている。しかし、この
方法は、腐食性の強い有機塩化物を高温で反応させる必
要から、耐腐食性かきまぜ器を必要とする欠点がある。
米国特許第2,887,502号明細書には、この様な
欠点を改良した方法として、気体状態の有機塩化物を反
応槽の下部から導入し、ケイ素と銅触媒を流動化させな
がら反応させる流動型反応槽が記載されている。
は、銅とケイ素を効果的に混合する方法として、らせん
型かきまぜ器を使用し、反応槽下部にある固体を上に汲
み上げながら、気体状態の有機塩化物を反応槽の下部か
ら導入反応させる方法が記載されている。しかし、この
方法は、腐食性の強い有機塩化物を高温で反応させる必
要から、耐腐食性かきまぜ器を必要とする欠点がある。
米国特許第2,887,502号明細書には、この様な
欠点を改良した方法として、気体状態の有機塩化物を反
応槽の下部から導入し、ケイ素と銅触媒を流動化させな
がら反応させる流動型反応槽が記載されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、産業上高
い価値をもつシリコンポリマーの原料となるトリシラア
ルカン類の有利な製造法を見出すよう研究を重ねた結
果、本発明を完成した。
い価値をもつシリコンポリマーの原料となるトリシラア
ルカン類の有利な製造法を見出すよう研究を重ねた結
果、本発明を完成した。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、ケイ素と下記
式(III) で示されるクロロメチルシランを銅触媒単独又
は銅触媒と助触媒との存在下で反応させることにより、
下記式(I)で示される2,4,6−トリシラヘプタン
類及び下記式(II)で示される1,3−ジシラブタン類を
製造する方法である。
式(III) で示されるクロロメチルシランを銅触媒単独又
は銅触媒と助触媒との存在下で反応させることにより、
下記式(I)で示される2,4,6−トリシラヘプタン
類及び下記式(II)で示される1,3−ジシラブタン類を
製造する方法である。
【0010】
【化2】 (式、(I)、(II)及び(III) において、Rは同一又は
異なり、メチル基又は塩素原子を表す)
異なり、メチル基又は塩素原子を表す)
【0011】本発明において、使用できる銅触媒は、ケ
イ素と塩化メチルとの反応において通常使用されている
銅触媒及び塩化第一銅などであり、その使用量は全反応
物に対し重量%基準(以下%は重量%である)で、10
〜15%である。上記触媒に加えて、助触媒としては金
属亜鉛あるいは金属カドミウム粉末などが用いられるが
金属カドミウム粉末を好適に使用することができ、その
添加量は全反応物に対し0.1〜5%である。
イ素と塩化メチルとの反応において通常使用されている
銅触媒及び塩化第一銅などであり、その使用量は全反応
物に対し重量%基準(以下%は重量%である)で、10
〜15%である。上記触媒に加えて、助触媒としては金
属亜鉛あるいは金属カドミウム粉末などが用いられるが
金属カドミウム粉末を好適に使用することができ、その
添加量は全反応物に対し0.1〜5%である。
【0012】本発明の反応温度は250〜350℃が好
ましく、250℃未満では反応がスムーズに進行しない
場合があり、又350℃を超えると目的化合物の収率が
低下したり副生物の生成が増大することがある。
ましく、250℃未満では反応がスムーズに進行しない
場合があり、又350℃を超えると目的化合物の収率が
低下したり副生物の生成が増大することがある。
【0013】反応槽は、反応がスムーズに進行するもの
ならば、特にその型は限定されないが、流動型反応槽又
はらせん型かきまぜ器を有するかきまぜ型反応槽が好ま
しい。
ならば、特にその型は限定されないが、流動型反応槽又
はらせん型かきまぜ器を有するかきまぜ型反応槽が好ま
しい。
【0014】出発原料である式(III) で示されるクロロ
メチルシランは、沸点が比較的高く、気体状態でも粘度
が比較的高く、出発原料だけでは反応槽中で流動しない
場合がある。このような場合には、窒素ガスを共に使用
すれば、原料の流動を助けると共に、沸点の高い生成物
を反応槽外へ導出しやすくするので有利に反応を進める
ことができる。
メチルシランは、沸点が比較的高く、気体状態でも粘度
が比較的高く、出発原料だけでは反応槽中で流動しない
場合がある。このような場合には、窒素ガスを共に使用
すれば、原料の流動を助けると共に、沸点の高い生成物
を反応槽外へ導出しやすくするので有利に反応を進める
ことができる。
【0015】又、この流動を助けるために、ケイ素の使
用量に対し、5〜50%、好ましくは5〜10%の球型
の微細粉末の酸性白土を使用すれば、流動性がよくなり
ケイ素の反応性と選択性にもよい結果を与える。
用量に対し、5〜50%、好ましくは5〜10%の球型
の微細粉末の酸性白土を使用すれば、流動性がよくなり
ケイ素の反応性と選択性にもよい結果を与える。
【0016】本発明では、らせん型のかきまぜ器を有す
るかきまぜ型反応槽を用いた場合において、ケイ素と銅
を反応槽の下部から汲み上げながらよく混合し、一方原
料クロロメチルシラン(III) を窒素と共に上部から反応
槽中へ導入することで、沸点の高い生成物を全部気化さ
せることなく反応槽下部へ導くことにより、ケイ素表面
の炭素の付着を防止し、ケイ素の活性を高く維持し、流
動型反応槽を使用する場合と同様の効果が得られること
を見出した。
るかきまぜ型反応槽を用いた場合において、ケイ素と銅
を反応槽の下部から汲み上げながらよく混合し、一方原
料クロロメチルシラン(III) を窒素と共に上部から反応
槽中へ導入することで、沸点の高い生成物を全部気化さ
せることなく反応槽下部へ導くことにより、ケイ素表面
の炭素の付着を防止し、ケイ素の活性を高く維持し、流
動型反応槽を使用する場合と同様の効果が得られること
を見出した。
【0017】らせん型かきまぜ器を有する反応槽を使用
する方法は、流動型反応槽を使用する場合には使用する
ことのできない微細粉末の触媒を使用することができる
ので有利である。
する方法は、流動型反応槽を使用する場合には使用する
ことのできない微細粉末の触媒を使用することができる
ので有利である。
【0018】
【実施例】次に、実施例及び参考例をあげて本発明の方
法をさらに詳しく説明するが、これらは本発明の方法を
何ら限定するものではない。なお、実施例において特に
ことわらない限り、反応槽はらせん型かきまぜ器をもつ
反応槽を使用し、原料のクロロメチルシラン(III) は反
応槽の上部から導入し、生成物は下部から導出した。実
施例1〜13までの結果を整理して表1、表2に示し
た。
法をさらに詳しく説明するが、これらは本発明の方法を
何ら限定するものではない。なお、実施例において特に
ことわらない限り、反応槽はらせん型かきまぜ器をもつ
反応槽を使用し、原料のクロロメチルシラン(III) は反
応槽の上部から導入し、生成物は下部から導出した。実
施例1〜13までの結果を整理して表1、表2に示し
た。
【0019】参考例 Si/Cu接触混合物の調製 ケイ素99g(325−60メッシュ)と塩化第一銅1
7.3g(ケイ素に対し10%の銅)をよく混合したの
ち、反応槽に入れ、乾燥した窒素ガスを徐々に導入しな
がら、かきまぜ器を毎分60回転させてケイ素及び塩化
第一銅を上下に混合しながら、反応槽を180〜200
℃に2時間の間保ち、ケイ素及び塩化第一銅を乾燥し
た。次いで反応槽の温度を370℃とし、ケイ素と塩化
第一銅を反応させ、形成されたSi−Cuη状から同時
に生成した四塩化ケイ素を分離し、乾燥し、Si/Cu
接触混合物とした。塩化第一銅にかえて銅粉末を用いる
場合は、ケイ素に対し、銅が10%となるように混合し
たのち、水素又は塩化メチルを導入しながら、反応槽を
350℃に2時間の間保ち活性化したのちに使用した。
7.3g(ケイ素に対し10%の銅)をよく混合したの
ち、反応槽に入れ、乾燥した窒素ガスを徐々に導入しな
がら、かきまぜ器を毎分60回転させてケイ素及び塩化
第一銅を上下に混合しながら、反応槽を180〜200
℃に2時間の間保ち、ケイ素及び塩化第一銅を乾燥し
た。次いで反応槽の温度を370℃とし、ケイ素と塩化
第一銅を反応させ、形成されたSi−Cuη状から同時
に生成した四塩化ケイ素を分離し、乾燥し、Si/Cu
接触混合物とした。塩化第一銅にかえて銅粉末を用いる
場合は、ケイ素に対し、銅が10%となるように混合し
たのち、水素又は塩化メチルを導入しながら、反応槽を
350℃に2時間の間保ち活性化したのちに使用した。
【0020】実施例1 ケイ素と塩化第一銅から調製したSi/Cu接触混合物
100gをかきまぜ型反応槽に入れ、かきまぜながら3
20℃に昇温したのち、反応槽の上部に設置した滴下漏
斗から189gのクロロメチル(ジメチル)クロロシラ
ンを、60ml/分の割合の乾燥窒素ガスと共に滴下し
た。滴下開始5分後に発熱反応による温度上昇が観察さ
れ、粘度の高い反応生成物が受けフラスコの壁を伝って
流れはじめた。上記の反応条件を維持継続しながら、一
時間毎に生成物を導出した。18.5時間の反応により
198.6gの生成物を得た。反応生成物は、ガスクロ
マトグラフィー(キャピラリーカラム:SE−54、1
2m、又は充填カラム:SE−30、1/8″×4.2
5m OD.SS)を用いて分析し、分別蒸留により各
成分を分離し、構造を決定した。反応生成物の一部を、
リチウムアルミニウムハイドライドによりSi−Cl結
合をSi−H結合に還元したのち、赤外線スペクトロス
コピー、核磁気共鳴スペクトロスコピーおよび質量分析
などにより構造を確認した。 2,4,4,6−テトラクロロ−2,6−ジメチル−
2,4,6−トリシラヘプタン bp94〜95℃(1.5トール) NMR(CCl4):0.66(S,12H:CH3) 、1.05(S,4H:CH2) 1,1,1,3−テトラクロロ−3−メチル−1,3−
ジシラブタン bp169.5〜170℃ NMR(CCl4):0.66(S,6H:CH3)、1.30(S,2H:CH2) 副生成物33.1%中には、13%のトリメチルクロロ
シラン及び20%の構造未確認物質を認めた。
100gをかきまぜ型反応槽に入れ、かきまぜながら3
20℃に昇温したのち、反応槽の上部に設置した滴下漏
斗から189gのクロロメチル(ジメチル)クロロシラ
ンを、60ml/分の割合の乾燥窒素ガスと共に滴下し
た。滴下開始5分後に発熱反応による温度上昇が観察さ
れ、粘度の高い反応生成物が受けフラスコの壁を伝って
流れはじめた。上記の反応条件を維持継続しながら、一
時間毎に生成物を導出した。18.5時間の反応により
198.6gの生成物を得た。反応生成物は、ガスクロ
マトグラフィー(キャピラリーカラム:SE−54、1
2m、又は充填カラム:SE−30、1/8″×4.2
5m OD.SS)を用いて分析し、分別蒸留により各
成分を分離し、構造を決定した。反応生成物の一部を、
リチウムアルミニウムハイドライドによりSi−Cl結
合をSi−H結合に還元したのち、赤外線スペクトロス
コピー、核磁気共鳴スペクトロスコピーおよび質量分析
などにより構造を確認した。 2,4,4,6−テトラクロロ−2,6−ジメチル−
2,4,6−トリシラヘプタン bp94〜95℃(1.5トール) NMR(CCl4):0.66(S,12H:CH3) 、1.05(S,4H:CH2) 1,1,1,3−テトラクロロ−3−メチル−1,3−
ジシラブタン bp169.5〜170℃ NMR(CCl4):0.66(S,6H:CH3)、1.30(S,2H:CH2) 副生成物33.1%中には、13%のトリメチルクロロ
シラン及び20%の構造未確認物質を認めた。
【0021】実施例2 実施例1と同様の反応槽を使用し、実施例1と同様の反
応条件で反応させた。本実施例では、ケイ素と銅から調
製したSi/Cu接触混合物を使用した。
応条件で反応させた。本実施例では、ケイ素と銅から調
製したSi/Cu接触混合物を使用した。
【0022】実施例3 実施例1と同様の反応槽を使用し、実施例1と同様の反
応条件で反応させた。本実施例では、ケイ素と銅から調
製したSi/Cu接触混合物に、助触媒として0.5%
の金属亜鉛粉末を加えて触媒とした。
応条件で反応させた。本実施例では、ケイ素と銅から調
製したSi/Cu接触混合物に、助触媒として0.5%
の金属亜鉛粉末を加えて触媒とした。
【0023】実施例4 実施例1と同様の反応槽を使用し、実施例1と同様の反
応条件で反応させた。本実施例では、ケイ素と銅から調
製したSi/Cu接触混合物に、助触媒として0.5%
の金属カドミウム粉末を加えて触媒とした。
応条件で反応させた。本実施例では、ケイ素と銅から調
製したSi/Cu接触混合物に、助触媒として0.5%
の金属カドミウム粉末を加えて触媒とした。
【0024】実施例5 実施例1と同様の反応条件で反応させた。本実施例で
は、ケイ素と銅から調製したSi/Cu接触混合物30
0gと微細粉末型酸性白土15gを触媒とし、かきまぜ
型反応槽にかえて、流動型反応槽を使用し、原料のクロ
ロメチルシランを乾燥窒素ガスと共に反応槽へ導入し
た。
は、ケイ素と銅から調製したSi/Cu接触混合物30
0gと微細粉末型酸性白土15gを触媒とし、かきまぜ
型反応槽にかえて、流動型反応槽を使用し、原料のクロ
ロメチルシランを乾燥窒素ガスと共に反応槽へ導入し
た。
【0025】実施例6 クロロメチル(メチル)ジクロロシランを出発原料と
し、実施例1と同様の反応条件で反応させ、実施例1と
同様の方法で生成物の構造を確認した。 2,2,4,4,6−ヘキサクロロ−2,4,6−トリ
シラヘプタン bp97〜97.5℃(1.5トール) NMR(CCl4):0.91(S,6H:CH3)、1.33(S、4H:CH2) 1,1,1,3,3−ペンタクロロ−1,3−ジシラブ
タン bp181.5〜182℃ NMR(CCl4):0.92(S,3H:CH3)、1.53(S,2H:CH2)
し、実施例1と同様の反応条件で反応させ、実施例1と
同様の方法で生成物の構造を確認した。 2,2,4,4,6−ヘキサクロロ−2,4,6−トリ
シラヘプタン bp97〜97.5℃(1.5トール) NMR(CCl4):0.91(S,6H:CH3)、1.33(S、4H:CH2) 1,1,1,3,3−ペンタクロロ−1,3−ジシラブ
タン bp181.5〜182℃ NMR(CCl4):0.92(S,3H:CH3)、1.53(S,2H:CH2)
【0026】実施例7 クロロメチル(メチル)ジクロロシランを出発原料と
し、実施例2と同様の反応条件で反応させた。
し、実施例2と同様の反応条件で反応させた。
【0027】実施例8 クロロメチル(メチル)ジクロロシランを出発原料と
し、実施例4と同様の反応条件で反応させた。
し、実施例4と同様の反応条件で反応させた。
【0028】実施例9 クロロメチル(トリメチル)シランを出発原料とし、実
施例1と同様の反応条件で反応させ、実施例1と同様の
方法で生成物の構造を確認した。 2,2,6,6−テトラメチル−4,4−ジクロロ−
2,4,6−トリシラヘプタン bp112〜115℃(9トール) NMR(CCl4):0.55(S,4H:CH2)、0.20(S,18H:CH3) 1,1,1−トリクロロ−3,3−ジメチル−1,3−
ジシラブタン bp173〜174℃ NMR(CCl4):0.25(S,9H:CH3)、0.85(S,2H:CH2)
施例1と同様の反応条件で反応させ、実施例1と同様の
方法で生成物の構造を確認した。 2,2,6,6−テトラメチル−4,4−ジクロロ−
2,4,6−トリシラヘプタン bp112〜115℃(9トール) NMR(CCl4):0.55(S,4H:CH2)、0.20(S,18H:CH3) 1,1,1−トリクロロ−3,3−ジメチル−1,3−
ジシラブタン bp173〜174℃ NMR(CCl4):0.25(S,9H:CH3)、0.85(S,2H:CH2)
【0029】実施例10 クロロメチル(トリメチル)シランを出発原料とし、実
施例2と同様の反応条件で反応させた。
施例2と同様の反応条件で反応させた。
【0030】実施例11 クロロメチル(トリメチル)シランを出発原料とし、実
施例3と同様の反応条件で反応させた。本実施例では、
ケイ素と銅から調製したSi/Cu接触混合物11gに
金属カドミウム粉末0.6gを加えて使用した。
施例3と同様の反応条件で反応させた。本実施例では、
ケイ素と銅から調製したSi/Cu接触混合物11gに
金属カドミウム粉末0.6gを加えて使用した。
【0031】実施例12 クロロメチル(トリメチル)シランを出発原料とし、実
施例1と同様の反応条件で反応させた。本実施例では、
原料は反応槽下部から導入し、生成物は上部から導出し
た。
施例1と同様の反応条件で反応させた。本実施例では、
原料は反応槽下部から導入し、生成物は上部から導出し
た。
【0032】実施例13 クロロメチル(ジメチル)クロロシランを出発原料と
し、実施例4と同様の反応条件で反応させた。本実施例
では、実施例4の触媒にさらに球型の微細粉末の酸性白
土5gを加えて触媒とした。酸性白土を加えた場合は、
加えない場合と比較して反応槽のかきまぜをスムーズに
行うことができた。
し、実施例4と同様の反応条件で反応させた。本実施例
では、実施例4の触媒にさらに球型の微細粉末の酸性白
土5gを加えて触媒とした。酸性白土を加えた場合は、
加えない場合と比較して反応槽のかきまぜをスムーズに
行うことができた。
【0033】
【表1】
【0034】
【表2】
【0035】実施例14 クロロメチル(ジメチル)クロロシランを出発原料と
し、実施例1と同様の反応条件で反応させた。本実施例
では、Si/Cu接触混合物100gに対し、助触媒と
して金属カドミウム粉末0.6gと金属亜鉛粉末0.6
gを加えて使用した。4時間の反応で40.5gの生成
物を得た。1,3,3,5−テトラクロロ−3,5−ジ
メチル−2,4,6−トリシラヘプタン 6.3g
(15.5%)、1,1,1,3−テトラクロロ−3−
メチル−1,3−ジシラブタン 14.5g(35.
8%)、副生成物48.7g(トリメチルクロロシラン
(7.8%)、ジメチルジクロシラン(5.6%)を含
む)、及び原料1.7%を回収した。
し、実施例1と同様の反応条件で反応させた。本実施例
では、Si/Cu接触混合物100gに対し、助触媒と
して金属カドミウム粉末0.6gと金属亜鉛粉末0.6
gを加えて使用した。4時間の反応で40.5gの生成
物を得た。1,3,3,5−テトラクロロ−3,5−ジ
メチル−2,4,6−トリシラヘプタン 6.3g
(15.5%)、1,1,1,3−テトラクロロ−3−
メチル−1,3−ジシラブタン 14.5g(35.
8%)、副生成物48.7g(トリメチルクロロシラン
(7.8%)、ジメチルジクロシラン(5.6%)を含
む)、及び原料1.7%を回収した。
【0036】実施例15 クロロメチル(ジメチル)クロロシランを出発原料と
し、実施例1と同様の反応条件で反応させた。本実施例
では、反応温度を340℃とし、13時間の反応で13
9.6gの生成物を得た。2,4,4,6−テトラクロ
ロ−2,6−ジメチル−2,4,6−トリシラヘプタン
(20.1%) 1,1,1,3−テトラクロロ−3−メチル−1,3−
ジシラブタン(15.2%)、及び35.7%の原料を
回収した。
し、実施例1と同様の反応条件で反応させた。本実施例
では、反応温度を340℃とし、13時間の反応で13
9.6gの生成物を得た。2,4,4,6−テトラクロ
ロ−2,6−ジメチル−2,4,6−トリシラヘプタン
(20.1%) 1,1,1,3−テトラクロロ−3−メチル−1,3−
ジシラブタン(15.2%)、及び35.7%の原料を
回収した。
【0037】実施例16 クロロメチル(ジメチル)クロロシランを出発原料と
し、実施例1と同様の反応条件で反応させた。本実施例
では、反応温度を300℃とし、12時間の反応で12
9.4gの生成物を得た。2,4,4,6−テトラクロ
ロ−2,6−ジメチル−2,4,6−トリシラヘプタン
(32.7%)、1,1,1,3−テトラクロロ−3−
メチルジシラブタン(19.2%)、及び22.8%の
原料を回収した。
し、実施例1と同様の反応条件で反応させた。本実施例
では、反応温度を300℃とし、12時間の反応で12
9.4gの生成物を得た。2,4,4,6−テトラクロ
ロ−2,6−ジメチル−2,4,6−トリシラヘプタン
(32.7%)、1,1,1,3−テトラクロロ−3−
メチルジシラブタン(19.2%)、及び22.8%の
原料を回収した。
【0038】実施例17 クロロメチル(ジメチル)クロロシランを出発原料と
し、実施例1と同様の反応条件で反応させた。本実施例
では、反応温度を280℃とし、13時間の反応で14
5.7gの生成物を得た。2,4,4,6−テトラクロ
ロ−2,6−ジメチル−2,4,6−トリシラヘプタン
(32.7%)、1,1,1,3−テトラクロロ−3−
メチル−1,3−ジシラブタン(26.6%)、及び1
2.6%の原料を回収した。
し、実施例1と同様の反応条件で反応させた。本実施例
では、反応温度を280℃とし、13時間の反応で14
5.7gの生成物を得た。2,4,4,6−テトラクロ
ロ−2,6−ジメチル−2,4,6−トリシラヘプタン
(32.7%)、1,1,1,3−テトラクロロ−3−
メチル−1,3−ジシラブタン(26.6%)、及び1
2.6%の原料を回収した。
【0039】
【発明の効果】本発明の方法は、実施例の記載からも明
らかなようにクロロメチルシラン類から収率よく2,
4,6−トリシラヘプタン類及び1,3−ジシラブタン
類を得ることができるためシリコンポリマーの原料製造
方法として有用である。
らかなようにクロロメチルシラン類から収率よく2,
4,6−トリシラヘプタン類及び1,3−ジシラブタン
類を得ることができるためシリコンポリマーの原料製造
方法として有用である。
フロントページの続き (72)発明者 延 昇 浩 大韓民国京畿道▲み▼金市坪内洞103−2 三昌アパート106−503 (72)発明者 石 美 ▲よん▼ 大韓民国ソウル特別市道峰区水踰5洞519 −59
Claims (4)
- 【請求項1】 ケイ素と下記式(III) で示されるクロロ
メチルシラン類とを、銅触媒単独又は銅触媒と助触媒と
の存在下で、反応させることを特徴とする下記式(I)
で示される2,4,6−トリシラヘプタン類及び下記式
(II)で示される1,3−ジシラブタン類の製造方法。 【化1】 (式(I)、(II)及び(III) において、Rは同一又は異
なり、メチル基又は塩素原子を表す) - 【請求項2】 銅触媒として、銅又は塩化第1銅を全反
応物に対し10〜15重量%を使用する請求項1の製造
方法。 - 【請求項3】 助触媒として、カドミウム粉末を全反応
物に対し0.1〜5重量%を使用する請求項1の製造方
法。 - 【請求項4】 酸性白土粉末を、ケイ素に対し5〜50
重量%存在下に反応させる請求項1の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR91001055A KR940007416B1 (en) | 1991-01-22 | 1991-01-22 | Process for the preparation of silaalkane |
KR1055/1991 | 1991-01-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06340676A true JPH06340676A (ja) | 1994-12-13 |
JPH0819140B2 JPH0819140B2 (ja) | 1996-02-28 |
Family
ID=19310168
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3262501A Expired - Fee Related JPH0819140B2 (ja) | 1991-01-22 | 1991-09-17 | シラアルカン類の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5075477A (ja) |
JP (1) | JPH0819140B2 (ja) |
KR (1) | KR940007416B1 (ja) |
DE (1) | DE4111822C1 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005076031A (ja) * | 2003-09-01 | 2005-03-24 | Samsung Electronics Co Ltd | 新規のシロキサン樹脂及びこれを用いた半導体層間絶縁膜 |
JP2008060117A (ja) * | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法 |
JP2011521006A (ja) * | 2008-05-26 | 2011-07-21 | サムソン ファイン ケミカルズ カンパニー リミテッド | 直線状や環状トリシラアルカンの製造方法 |
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---|---|---|---|---|
KR940010290B1 (ko) * | 1991-12-24 | 1994-10-22 | 한국과학기술연구원 | 비스실릴메탄 및 그들의 제조방법 |
KR940010291B1 (ko) * | 1992-01-23 | 1994-10-22 | 한국과학기술연구원 | 비스실릴알칸 및 그들의 제조방법 |
KR950002860B1 (ko) * | 1992-06-13 | 1995-03-27 | 한국과학기술연구원 | 클로로알켄닐실란들과그제조방법 |
US5296624A (en) * | 1992-11-25 | 1994-03-22 | Huls America, Inc. | Preparation of sterically-hindered organosilanes |
KR950011359B1 (ko) * | 1993-02-18 | 1995-10-02 | 한국과학기술연구원 | I-아릴-i-[알파-(트리아졸릴)알킬]-i-실라시클로알칸 및 이들의 제조방법 |
KR0141464B1 (ko) * | 1993-12-01 | 1998-07-01 | 김은영 | 알릴알킬실란 화합물 및 그의 제조방법 |
KR970010592B1 (ko) * | 1993-12-01 | 1997-06-28 | 한국과학기술연구원 | 2-아릴프로필히드로겐폴리실록산 형태의 실리콘 오일 및 그의 제조방법 |
KR970010593B1 (ko) * | 1993-12-01 | 1997-06-28 | 한국과학기술연구원 | 2-아릴프로필알킬폴리실록산 형태의 실리콘 오일 및 그의 제조방법 |
KR0134564B1 (ko) * | 1993-12-07 | 1998-04-20 | 김은영 | 알릴알킬실록산과 디오르가노실록산 공중합 형태의 실리콘 오일 및 그 제조 방법 |
US5399740A (en) * | 1993-12-10 | 1995-03-21 | Korea Institute Of Science And Technology | Tris(silyl)methanes and their preparation methods |
US5527938A (en) * | 1994-07-19 | 1996-06-18 | Korea Institute Of Science And Technology | (2-arylpropyl)silanes and preparation methods thereof |
US6730802B2 (en) | 2002-07-09 | 2004-05-04 | Starfire Systems, Inc. | Silicon carbide precursor |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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