JPH05222059A - β−シアノアルキルシラン類の製造方法 - Google Patents
β−シアノアルキルシラン類の製造方法Info
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/12—Organo silicon halides
- C07F7/14—Preparation thereof from optionally substituted halogenated silanes and hydrocarbons hydrosilylation reactions
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 新しい触媒を用いてβ−シアノアルキルシラ
ンを製造する方法を提供する。 【構成】 ジアミンと銅金属、塩化銅(II)、酸化銅
(II)、硫酸銅、シアン化銅化合物、チオシアン化銅
(I)又は銅クロム化合物とを含む触媒を用いて、ケイ
素水素化物とα,β−不飽和オレフィン性ニトリルとを
反応させて次式で示されるβ−シアノアルキルシラン類
を製造する。 Rは独立に1価の炭化水素基、1価の置換炭化水素基、
アルコキシ基又はアリロキシ基;Xはハロゲン原子;各
Yは独立に水素又は炭素原子数1〜8の低級アルキル
基;n=1,2又は3;a=0,1又は2;b=1,2
又は3;a+b=1,2又は3である。
ンを製造する方法を提供する。 【構成】 ジアミンと銅金属、塩化銅(II)、酸化銅
(II)、硫酸銅、シアン化銅化合物、チオシアン化銅
(I)又は銅クロム化合物とを含む触媒を用いて、ケイ
素水素化物とα,β−不飽和オレフィン性ニトリルとを
反応させて次式で示されるβ−シアノアルキルシラン類
を製造する。 Rは独立に1価の炭化水素基、1価の置換炭化水素基、
アルコキシ基又はアリロキシ基;Xはハロゲン原子;各
Yは独立に水素又は炭素原子数1〜8の低級アルキル
基;n=1,2又は3;a=0,1又は2;b=1,2
又は3;a+b=1,2又は3である。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は加水分解性のβ−シアノ
アルキルシランの調製方法に関する。より詳しくは、本
発明は、α,β−不飽和オレフィン性ニトリルにケイ素
水素化物を接触付加してβ−シアノアルキルシランを形
成する方法に関する。本発明方法はジアミン及び非活性
化銅又は銅含有化合物を含む新しい触媒を用いる。
アルキルシランの調製方法に関する。より詳しくは、本
発明は、α,β−不飽和オレフィン性ニトリルにケイ素
水素化物を接触付加してβ−シアノアルキルシランを形
成する方法に関する。本発明方法はジアミン及び非活性
化銅又は銅含有化合物を含む新しい触媒を用いる。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】加水分
解性β−シアノアルキルシランは、β−シアノアルキル
置換基を含むポリオルガノシロキサンの製造に有用であ
る。ケイ素に結合したβ−シアノアルキル基熱い湿度の
高い条件下で加水分解及び開裂に対して非常に抵抗性が
ある。従ってβ−シアノアルキルシラン類には、熱い湿
度の高い条件にさらさねばならないポリオルガノシロキ
サンに特別な用途が開けている。ポリオルガノシロキサ
ン上に置換されてケイ素に結合したβ−シアノアルキル
基が存在すると、液体炭化水素により引起こされる膨潤
に対してポリオルガノシロキサン類を安定化させる傾向
もある。
解性β−シアノアルキルシランは、β−シアノアルキル
置換基を含むポリオルガノシロキサンの製造に有用であ
る。ケイ素に結合したβ−シアノアルキル基熱い湿度の
高い条件下で加水分解及び開裂に対して非常に抵抗性が
ある。従ってβ−シアノアルキルシラン類には、熱い湿
度の高い条件にさらさねばならないポリオルガノシロキ
サンに特別な用途が開けている。ポリオルガノシロキサ
ン上に置換されてケイ素に結合したβ−シアノアルキル
基が存在すると、液体炭化水素により引起こされる膨潤
に対してポリオルガノシロキサン類を安定化させる傾向
もある。
【0003】本発明方法はジアミン及び非活性化銅又は
ある種の選択された銅化合物を含む新しい触媒を用い、
これは不飽和オレフィン性ニトリルのケイ素水素化物に
よるβ−ヒドロシリル化(β−hydrosilylation )を促
進する。
ある種の選択された銅化合物を含む新しい触媒を用い、
これは不飽和オレフィン性ニトリルのケイ素水素化物に
よるβ−ヒドロシリル化(β−hydrosilylation )を促
進する。
【0004】本発明は、次式で示されるβ−シアノアル
キルシラン類の製造方法である。
キルシラン類の製造方法である。
【0005】
【化3】
【0006】本発明方法は式R1 R2 NR3 NR
2 2(4)で示されるジアミン及び不活性化銅、ある種の
選択された無機銅化合物、又は2配位の(di−coordina
te)有機銅化合物を含む触媒の存在下に、式RaHbS
iX4-a-b (2)で示されるケイ素水素化物を式YCH
=C(Y)CN(3)で示される不飽和オレフィン性ニ
トリルと接触させることを含む方法である。
2 2(4)で示されるジアミン及び不活性化銅、ある種の
選択された無機銅化合物、又は2配位の(di−coordina
te)有機銅化合物を含む触媒の存在下に、式RaHbS
iX4-a-b (2)で示されるケイ素水素化物を式YCH
=C(Y)CN(3)で示される不飽和オレフィン性ニ
トリルと接触させることを含む方法である。
【0007】但し、ここに各Rは独立に1価の炭化水素
基、1価の置換炭化水素基、アルコキシ基及びアリロキ
シ基からなる群から選ばれ;R1 は低級アルキル基であ
り;R2 は、水素、低級アルキル基、アミノアルキル
基、アルキルアミノアルキル基、ジアルキルアミノアル
キル基及びそれらの混合物からなる群から選ばれ;R3
は、炭素原子数9未満のアルケニレン類及びアルキレン
類からなる群から選ばれる不飽和の2価の基であり;X
はハロゲン原子であり;各Yは独立に水素及び炭素原子
数1〜8の低級アルキル基でからなる群から選ばれ;n
=1,2又は3であり;a=0,1又は2であり;b=
1,2又は3であり;a+b=1,2又は3である。
基、1価の置換炭化水素基、アルコキシ基及びアリロキ
シ基からなる群から選ばれ;R1 は低級アルキル基であ
り;R2 は、水素、低級アルキル基、アミノアルキル
基、アルキルアミノアルキル基、ジアルキルアミノアル
キル基及びそれらの混合物からなる群から選ばれ;R3
は、炭素原子数9未満のアルケニレン類及びアルキレン
類からなる群から選ばれる不飽和の2価の基であり;X
はハロゲン原子であり;各Yは独立に水素及び炭素原子
数1〜8の低級アルキル基でからなる群から選ばれ;n
=1,2又は3であり;a=0,1又は2であり;b=
1,2又は3であり;a+b=1,2又は3である。
【0008】本発明を実施するにあたり、不飽和オレフ
ィン性ニトリル、ケイ素水素化物及び触媒混合物は適当
な反応容器中で接触させる。反応容器の種類は臨界的で
ない。反応はバッチ法でも連続法でも運転できる。好ま
しい方法は、連続流圧力コイル(a continuous flow pr
essure coil )中で均質な条件下で反応を行なうことで
ある。
ィン性ニトリル、ケイ素水素化物及び触媒混合物は適当
な反応容器中で接触させる。反応容器の種類は臨界的で
ない。反応はバッチ法でも連続法でも運転できる。好ま
しい方法は、連続流圧力コイル(a continuous flow pr
essure coil )中で均質な条件下で反応を行なうことで
ある。
【0009】反応を実施するのに必要な時間は、用いら
れる特定の反応体、特定の触媒混合物及び反応温度いか
んにより変わる。一般に0.2〜18時間の反応時間が
有用であることが見出されている。約0.5〜3時間の
反応時間が好ましい。
れる特定の反応体、特定の触媒混合物及び反応温度いか
んにより変わる。一般に0.2〜18時間の反応時間が
有用であることが見出されている。約0.5〜3時間の
反応時間が好ましい。
【0010】この方法を行なう温度は約0℃〜約200
℃でありうる。この温度は約50℃〜約150℃である
ことが好ましい。一般に、比較的高い温度では、比較的
低い銅濃度の触媒混合物が使用できる。しかし、150
℃より高い温度では望ましくない副生物が生ずることが
ある。
℃でありうる。この温度は約50℃〜約150℃である
ことが好ましい。一般に、比較的高い温度では、比較的
低い銅濃度の触媒混合物が使用できる。しかし、150
℃より高い温度では望ましくない副生物が生ずることが
ある。
【0011】本発明で用いる式(2)のケイ素水素化物
は、1〜3個のケイ素に結合した水素と1〜3個のケイ
素に結合したハロゲン原子を含みうる。ハロゲン原子X
はフッ素、塩素、臭素及びヨウ素からなる群から選びう
る。好ましいハロゲン原子は塩素である。
は、1〜3個のケイ素に結合した水素と1〜3個のケイ
素に結合したハロゲン原子を含みうる。ハロゲン原子X
はフッ素、塩素、臭素及びヨウ素からなる群から選びう
る。好ましいハロゲン原子は塩素である。
【0012】このケイ素水素化物は、1価の炭化水素
基、アルコキシ基、アリーロキシ基及び1価の置換炭化
水素基を含む群から選ばれる2つまでのR基を含みう
る。ここにRは付加反応に関して不活性である。このR
基は、例えばアルキル基、例えばメチル、エチル、ブチ
ル、オクチル及びオクタデシルでありうる。好ましいア
ルキルは、Rが1〜8の炭素原子を含む低級アルキルで
あるときである。R基は例えばアリール基、例えばフェ
ニル、ナフチル、ジフェニル、トリル、キシリル又はエ
チルフェニルでありうる。好ましいアリール基はフェニ
ル基である。
基、アルコキシ基、アリーロキシ基及び1価の置換炭化
水素基を含む群から選ばれる2つまでのR基を含みう
る。ここにRは付加反応に関して不活性である。このR
基は、例えばアルキル基、例えばメチル、エチル、ブチ
ル、オクチル及びオクタデシルでありうる。好ましいア
ルキルは、Rが1〜8の炭素原子を含む低級アルキルで
あるときである。R基は例えばアリール基、例えばフェ
ニル、ナフチル、ジフェニル、トリル、キシリル又はエ
チルフェニルでありうる。好ましいアリール基はフェニ
ル基である。
【0013】R基は、例えばアラルキル、例えばベンジ
ルもしくはフェニルエチル;ハロアルキル、例えばクロ
ロフェニル、ジブロモフェニルもしくはクロロナフチ
ル;シアノアルキル、例えばβ−シアノエチル、β−シ
アノプロピルもしくはβ−シアノブチル;シクロアルキ
ル、例えばシクロヘキシルもしくはクロヘプチル;アル
ケニル、例えばビニルもしくはアリル;置換アルキル、
例えば3,3,3−トリフルオロプロピル;アルコキ
シ、例えばメトキシ、エトキシもしくはプロポキシ;又
はアリーロキシ、例えばフェノキシでありうる。最も好
ましいラジカルRはメチルである。好ましいケイ素水素
化物は、メチルジクロロシラン及びトリクロロシランか
らなる群から選ばれる。
ルもしくはフェニルエチル;ハロアルキル、例えばクロ
ロフェニル、ジブロモフェニルもしくはクロロナフチ
ル;シアノアルキル、例えばβ−シアノエチル、β−シ
アノプロピルもしくはβ−シアノブチル;シクロアルキ
ル、例えばシクロヘキシルもしくはクロヘプチル;アル
ケニル、例えばビニルもしくはアリル;置換アルキル、
例えば3,3,3−トリフルオロプロピル;アルコキ
シ、例えばメトキシ、エトキシもしくはプロポキシ;又
はアリーロキシ、例えばフェノキシでありうる。最も好
ましいラジカルRはメチルである。好ましいケイ素水素
化物は、メチルジクロロシラン及びトリクロロシランか
らなる群から選ばれる。
【0014】ケイ素水素化物は式(3)で示され、置換
基Yを含むα,β−不飽和オレフィン性ニトリルと接触
させる。ここに各Yは独立に水素及び低級アルキル基か
らなる群から選ばれる。「低級アルキル基」とは炭素原
子数1〜8のアルキル基をいう。不飽和オレフィン性ニ
トリルは、例えば、アクリロニトリル、メタクリロニト
リル、クロトノニトリル、エチルアクリロニトリル、1
−シアノブテン−1又は2−シアノオクテン−1であり
うる。
基Yを含むα,β−不飽和オレフィン性ニトリルと接触
させる。ここに各Yは独立に水素及び低級アルキル基か
らなる群から選ばれる。「低級アルキル基」とは炭素原
子数1〜8のアルキル基をいう。不飽和オレフィン性ニ
トリルは、例えば、アクリロニトリル、メタクリロニト
リル、クロトノニトリル、エチルアクリロニトリル、1
−シアノブテン−1又は2−シアノオクテン−1であり
うる。
【0015】触媒は、ジアミンと非活性化銅金属、ハロ
ゲン化銅(II)、酸化銅(II);硫酸銅、硫化銅及びシ
アン化銅化合物;チオシアン化銅(I);並びに銅クロ
ム化合物からなる群から選ばれる非活性化銅又は無機銅
化合物とからなりうる。
ゲン化銅(II)、酸化銅(II);硫酸銅、硫化銅及びシ
アン化銅化合物;チオシアン化銅(I);並びに銅クロ
ム化合物からなる群から選ばれる非活性化銅又は無機銅
化合物とからなりうる。
【0016】ハロゲン化銅(II)は、例えば、塩化銅
(II)、臭化銅(II)、ヨウ化銅(II)又はフッ化銅
(II)でありうる。硫酸銅は、例えば、硫酸第1銅又は
硫酸第2銅でありうる。硫化銅は、例えば硫化第1銅又
は硫化第2銅でありうる。シアン化銅化合物は、例えば
シアン化第1銅又はシアン化第2銅でありうる。銅クロ
ム化合物は、例えばクロム酸銅(II)、例えばCu Cr
O4 ・2Cu O・2H2 O;重クロム酸銅(II)、例え
ばCu Cr2O7 ・2H2 O;又は亜クロム酸銅(I)、
例えばCu2Cr2O4 (2Cu OCr2O3 )でありうる。
(II)、臭化銅(II)、ヨウ化銅(II)又はフッ化銅
(II)でありうる。硫酸銅は、例えば、硫酸第1銅又は
硫酸第2銅でありうる。硫化銅は、例えば硫化第1銅又
は硫化第2銅でありうる。シアン化銅化合物は、例えば
シアン化第1銅又はシアン化第2銅でありうる。銅クロ
ム化合物は、例えばクロム酸銅(II)、例えばCu Cr
O4 ・2Cu O・2H2 O;重クロム酸銅(II)、例え
ばCu Cr2O7 ・2H2 O;又は亜クロム酸銅(I)、
例えばCu2Cr2O4 (2Cu OCr2O3 )でありうる。
【0017】触媒はジアミン及び2配位の有機銅化合物
を含みうる。「2配位の有機銅化合物」は一般式C
u (R4)2 で示される化合物をいう。ここにR4 は次
式:−OR 5 ,−OOCR5 ,
を含みうる。「2配位の有機銅化合物」は一般式C
u (R4)2 で示される化合物をいう。ここにR4 は次
式:−OR 5 ,−OOCR5 ,
【0018】
【化4】
【0019】又はアリールであり;ここにR5 は炭素原
子数25末端のアルキル、アルケニル及びアリール基か
らなる群から選ばれ、R6 は水素及び炭素原子数7未満
の炭化水素基からなる群から選ばれる。
子数25末端のアルキル、アルケニル及びアリール基か
らなる群から選ばれ、R6 は水素及び炭素原子数7未満
の炭化水素基からなる群から選ばれる。
【0020】2配位の有機銅化合物は、例えばCu (I
I)メトキサイド、Cu (II)エトキサイド、Cu (I
I)アリルオキサイド、Cu (II)アセテート、Cu (I
I)ステアレート、Cu (II)テトラメチルヘプタンジ
オネート、Cu (II)アセチルアセトネート、Cu (I
I)ナプタネート(napthanate)及びCu (II)フェニ
レートでありうる。
I)メトキサイド、Cu (II)エトキサイド、Cu (I
I)アリルオキサイド、Cu (II)アセテート、Cu (I
I)ステアレート、Cu (II)テトラメチルヘプタンジ
オネート、Cu (II)アセチルアセトネート、Cu (I
I)ナプタネート(napthanate)及びCu (II)フェニ
レートでありうる。
【0021】ジアミンは式4で示され、ここにR1 は炭
素原子数1〜8の低級アルキル基であり;R2 は水素、
炭素原子数1〜8の低級アルキル基、アミノアルキル
基、アルキルアミノアルキル基、ジアルキルアミノアル
キル基及びこれらの混合物からなる群から選ばれ;そし
てR3 は炭素原子数9未満のアルケニレン及びアルキレ
ンからなる群から選ばれる非置換2価の基でありうる。
素原子数1〜8の低級アルキル基であり;R2 は水素、
炭素原子数1〜8の低級アルキル基、アミノアルキル
基、アルキルアミノアルキル基、ジアルキルアミノアル
キル基及びこれらの混合物からなる群から選ばれ;そし
てR3 は炭素原子数9未満のアルケニレン及びアルキレ
ンからなる群から選ばれる非置換2価の基でありうる。
【0022】ジアミンは、例えば、N,N,N′,N′
−テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N′,N′
−テトラエチルエチレンジアミン、N,N,N′−トリ
メチルエチレンジアミン、N,N−ジメチル−N′,
N′−ジエチルエチレンジアミン、N,N−ジメチルエ
チレンジアミン、N−メチル−N,N′,N′−トリエ
チルエチレンジアミン、N,N,N′,N″,N″−ペ
ンタメチルジエチレントリアミン、N,N,N′−トリ
メチル−N′−エチルエチレンジアミン、N,N,
N′,N′−テトラメチルメチレンジアミン、N,
N′,N″,N″−テトラメチルジエチレントリアミ
ン、N,N,N′,N′−テトラメチルジエチレントリ
アミン及びN−メチルヘキサンメチレンジアミンであり
うる。好ましいジアミンは、N,N,N′,N′−テト
ラメチルエチレンジアミンである。
−テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N′,N′
−テトラエチルエチレンジアミン、N,N,N′−トリ
メチルエチレンジアミン、N,N−ジメチル−N′,
N′−ジエチルエチレンジアミン、N,N−ジメチルエ
チレンジアミン、N−メチル−N,N′,N′−トリエ
チルエチレンジアミン、N,N,N′,N″,N″−ペ
ンタメチルジエチレントリアミン、N,N,N′−トリ
メチル−N′−エチルエチレンジアミン、N,N,
N′,N′−テトラメチルメチレンジアミン、N,
N′,N″,N″−テトラメチルジエチレントリアミ
ン、N,N,N′,N′−テトラメチルジエチレントリ
アミン及びN−メチルヘキサンメチレンジアミンであり
うる。好ましいジアミンは、N,N,N′,N′−テト
ラメチルエチレンジアミンである。
【0023】触媒は、ジアミンと非活性化銅、ある種の
選択された無機銅化合物又は2配位の有機銅化合物との
混合物を含む。この混合物は予め形成して反応器に加え
てもよいし、ジアミンと元素状銅化合物を反応器に別々
に加えてもよい。
選択された無機銅化合物又は2配位の有機銅化合物との
混合物を含む。この混合物は予め形成して反応器に加え
てもよいし、ジアミンと元素状銅化合物を反応器に別々
に加えてもよい。
【0024】非活性化銅金属は粒子状として、例えば粉
末として加えてもよい。「非活性化」とは銅粒子が還元
剤で予備処理されたものではなく、銅化合物の還元によ
って製造されたものでもないという意味である。好まし
い非活性化銅は商業的に入手可能な粉砕された銅粉末で
ある。非活性化銅の粒度は臨界的ではないが、約325
メッシュより小さい粒度を持ったものが好ましい。非活
性化銅が約100メッシュより少ない粒度を持っている
方がより好ましい。
末として加えてもよい。「非活性化」とは銅粒子が還元
剤で予備処理されたものではなく、銅化合物の還元によ
って製造されたものでもないという意味である。好まし
い非活性化銅は商業的に入手可能な粉砕された銅粉末で
ある。非活性化銅の粒度は臨界的ではないが、約325
メッシュより小さい粒度を持ったものが好ましい。非活
性化銅が約100メッシュより少ない粒度を持っている
方がより好ましい。
【0025】存在するケイ素水素化物、不飽和オレフィ
ン性ニトリル及びジアミンいかんによって反応混合物に
溶解性であったり不溶性であったりする。所望ならばト
ルエンのような有機溶媒をこの過程に加えうる。しかし
ながら有機溶媒を加えると製品の収率が下がることがあ
る。
ン性ニトリル及びジアミンいかんによって反応混合物に
溶解性であったり不溶性であったりする。所望ならばト
ルエンのような有機溶媒をこの過程に加えうる。しかし
ながら有機溶媒を加えると製品の収率が下がることがあ
る。
【0026】必ずしも必要ではないが、本発明方法を実
施中に反応器内容物を混合してもよい。反応器内容物の
混合は、触媒が粒状又は不溶性状態にあるとき、特に重
要である。混合は標準的な方法、例えば機械的攪拌、還
流、超音波照射、攪流によって行いうる。
施中に反応器内容物を混合してもよい。反応器内容物の
混合は、触媒が粒状又は不溶性状態にあるとき、特に重
要である。混合は標準的な方法、例えば機械的攪拌、還
流、超音波照射、攪流によって行いうる。
【0027】触媒は、モルベースで銅/モルあたりジア
ミン約0.1〜20モル含みうる。ここに銅は、非活性
化銅又は銅化合物として存在する。一般に、この過程の
温度が高くなるにつれて銅に対するジアミンの比の低い
ことが必要となる。銅に対するジアミンの好ましいモル
比は約0.2〜2.0である。
ミン約0.1〜20モル含みうる。ここに銅は、非活性
化銅又は銅化合物として存在する。一般に、この過程の
温度が高くなるにつれて銅に対するジアミンの比の低い
ことが必要となる。銅に対するジアミンの好ましいモル
比は約0.2〜2.0である。
【0028】不飽和オレフィン性ニトリルの量に対して
用いられる触媒量は、非常に広い限度内で変化しうる。
しかし、不飽和オレフィン性ニトリルに対する銅のモル
比が約0.01〜1.0の範囲内の条件でこの過程を運
転するのが好ましい。不飽和オレフィン性ニトリルに対
する銅のより好ましい比は約0.08〜0.5の範囲に
ある。
用いられる触媒量は、非常に広い限度内で変化しうる。
しかし、不飽和オレフィン性ニトリルに対する銅のモル
比が約0.01〜1.0の範囲内の条件でこの過程を運
転するのが好ましい。不飽和オレフィン性ニトリルに対
する銅のより好ましい比は約0.08〜0.5の範囲に
ある。
【0029】不飽和オレフィン性ニトリルに対する加水
分解性ケイ素水素化物の比は広い限度内で変化しうる。
しかしながら、好ましい過程では、不飽和オレフィン性
ニトリル1モルに対してケイ素水素化物1モルを加える
ことを含むので、この発明の好ましい態様においてはこ
れら反応物を等モル量を用いる。より好ましいのは、不
飽和オレフィン性ニトリルに対してケイ素水素化物が約
10モル%過剰に存在する場合である。これら2つの反
応体のいずれか他のモル過剰で用いることを除外するも
のではないが、特別な利益が出て来る訳ではない。
分解性ケイ素水素化物の比は広い限度内で変化しうる。
しかしながら、好ましい過程では、不飽和オレフィン性
ニトリル1モルに対してケイ素水素化物1モルを加える
ことを含むので、この発明の好ましい態様においてはこ
れら反応物を等モル量を用いる。より好ましいのは、不
飽和オレフィン性ニトリルに対してケイ素水素化物が約
10モル%過剰に存在する場合である。これら2つの反
応体のいずれか他のモル過剰で用いることを除外するも
のではないが、特別な利益が出て来る訳ではない。
【0030】上記方法は式(1)に記述したβ−シアノ
アルキルシラン類の製造に適用できる。式(1)の範囲
内の好ましいβ−シアノアルキルシランは、β−シアノ
エチルメチルジクロロシランである。しかしながら、本
発明は1モルを越える不飽和オレフィン性ニトリルに対
しても1モルのシリコン2−又は3−水素化物の添加に
よって、1より多い、ケイ素に結したβ−シアノアルキ
ル基を含む加水分解性シラン、例えばビス−(β−シア
ノエチル)ジクロロシラン又はトリス−(β−シアノエ
チル)クロロシランにも適用できる。
アルキルシラン類の製造に適用できる。式(1)の範囲
内の好ましいβ−シアノアルキルシランは、β−シアノ
エチルメチルジクロロシランである。しかしながら、本
発明は1モルを越える不飽和オレフィン性ニトリルに対
しても1モルのシリコン2−又は3−水素化物の添加に
よって、1より多い、ケイ素に結したβ−シアノアルキ
ル基を含む加水分解性シラン、例えばビス−(β−シア
ノエチル)ジクロロシラン又はトリス−(β−シアノエ
チル)クロロシランにも適用できる。
【0031】本発明方法により作りうる式(1)の範囲
に属するβ−シアノアルキルシランの他の例としては、
β−シアノエチルトリクロロシラン、β−シアノエチル
メチルジクロロシラン、β−シアノエチルエチルジクロ
ロシラン、β−シアノプロピルトリクロロシラン、β−
シアノブチルオクチルジクロロシラン、β−シアノエチ
ルフェニルジクロロシラン、β−シアノエチルジフェニ
ルクロロシラン、β−シアノエチルメチルフェニルクロ
ロシラン、β−シアノエチルシクロヘキシルアイオドク
ロロシラン、α−エチル−β−シアノエチルメチルジク
ロロシラン、β−シアノエチルビニルジクロロシラン及
びβ−シアノエチルジメチルクロロシランがある。
に属するβ−シアノアルキルシランの他の例としては、
β−シアノエチルトリクロロシラン、β−シアノエチル
メチルジクロロシラン、β−シアノエチルエチルジクロ
ロシラン、β−シアノプロピルトリクロロシラン、β−
シアノブチルオクチルジクロロシラン、β−シアノエチ
ルフェニルジクロロシラン、β−シアノエチルジフェニ
ルクロロシラン、β−シアノエチルメチルフェニルクロ
ロシラン、β−シアノエチルシクロヘキシルアイオドク
ロロシラン、α−エチル−β−シアノエチルメチルジク
ロロシラン、β−シアノエチルビニルジクロロシラン及
びβ−シアノエチルジメチルクロロシランがある。
【0032】(例1)テトラメチルエチレンジアミン
(TMEDA)及びある種の選択された銅化合物を含む
触媒がメチルジクロロシランをアクリロニトリルに付加
してβ−シアノエチルメチルジクロロシランを形成する
能力を比較検討した。このプロセスはシールした管内で
100℃で行なった。この検討の結果を表1に示す。こ
のプロセスは各管に0.012モルのメチルジクロロシ
ラン及び0.01モルのアクリロニトリルを入れて実施
した。アクリロニトリルに対する銅化合物のモル比(C
u/AN)及び銅化合物に対するTMEDAのモル比
(TMEDA/Cu )を表1に示す。表1に示した時間
に個々の管の内容物を、水素炎イオン化形分析計(GL
C−FID)を用いてガス液クロマトグラフィーにより
分析した。
(TMEDA)及びある種の選択された銅化合物を含む
触媒がメチルジクロロシランをアクリロニトリルに付加
してβ−シアノエチルメチルジクロロシランを形成する
能力を比較検討した。このプロセスはシールした管内で
100℃で行なった。この検討の結果を表1に示す。こ
のプロセスは各管に0.012モルのメチルジクロロシ
ラン及び0.01モルのアクリロニトリルを入れて実施
した。アクリロニトリルに対する銅化合物のモル比(C
u/AN)及び銅化合物に対するTMEDAのモル比
(TMEDA/Cu )を表1に示す。表1に示した時間
に個々の管の内容物を、水素炎イオン化形分析計(GL
C−FID)を用いてガス液クロマトグラフィーにより
分析した。
【0033】結果は、存在するβ−シアノエチルメチル
ジクロロシランの標準化面積%(normalized area perc
ent )(%β−CEMDS)で表わし応答因子に対して
補正しなかった。この結果の標準化(normalization )
は、TMEDA及び高沸点物質に帰せられるGLC−F
ID読み出しグラフの面積をGLC−FID読み出しグ
ラフの全面積から差し引き、存在するβ−シアノエチル
メチルジクロロシランを読み出しグラフの残りの面積の
%として表わすことにより行なった。
ジクロロシランの標準化面積%(normalized area perc
ent )(%β−CEMDS)で表わし応答因子に対して
補正しなかった。この結果の標準化(normalization )
は、TMEDA及び高沸点物質に帰せられるGLC−F
ID読み出しグラフの面積をGLC−FID読み出しグ
ラフの全面積から差し引き、存在するβ−シアノエチル
メチルジクロロシランを読み出しグラフの残りの面積の
%として表わすことにより行なった。
【0034】
【表1】
【0035】(例2)テトラメチルエチレンジアミン
(TMEDA)及びある種の選択された銅化合物がトリ
クロロシランをアクリロニトリルに付加してβ−シアノ
エチルトリクロロシラン(β−CETS)を形成する能
力を比較検討した。このプロセスはシールしたガラス管
中で、100℃の温度で3時間行なった。各管に約0.
012モルのトリクロロシラン及び0.01モルのアク
リロニトリルを加えた。Cu /ANのモル比が0.12
となるように充分な銅化合物を加えた。TMEDA/C
uのモル比が1.47となるように各管に充分なTME
DAを加えた。各管の内容物は熱伝導度(TC)検出器
を用いてGLCにより分析し、先に述べたようにして標
準化した。その結果を表2に示す。表2の見出しは先に
述べたのと同様である。
(TMEDA)及びある種の選択された銅化合物がトリ
クロロシランをアクリロニトリルに付加してβ−シアノ
エチルトリクロロシラン(β−CETS)を形成する能
力を比較検討した。このプロセスはシールしたガラス管
中で、100℃の温度で3時間行なった。各管に約0.
012モルのトリクロロシラン及び0.01モルのアク
リロニトリルを加えた。Cu /ANのモル比が0.12
となるように充分な銅化合物を加えた。TMEDA/C
uのモル比が1.47となるように各管に充分なTME
DAを加えた。各管の内容物は熱伝導度(TC)検出器
を用いてGLCにより分析し、先に述べたようにして標
準化した。その結果を表2に示す。表2の見出しは先に
述べたのと同様である。
【0036】
【表2】
【0037】(例3)テトラメチルエチレンジアミン
(TMEDA)及び非活性化銅金属を含む触媒がメチル
ジクロロシランをアクリロニトリルに付加してβ−シア
ノエチルメチルジクロロシラン(β−CEMDS)を形
成する能力を評価した。標準的な商業的に入手可能な粉
砕した銅粉を用いた。このプロセスはシールした管中
で、100℃で行なった。この検討の結果を表3に示
す。このプロセスは各管に0.012モルのメチルジク
ロロシラン及び0.01モルのアクリロニトリルを入れ
て実施した。アクリロニトリルに対する銅のモル比(C
u /AN)及びTMEDAの銅化合物に対するモル比を
表3に示す。表3に示す時間に個々の管の内容物をGL
C−FIDで分析し、その結果を先に述べたのと同様に
して標準化した。その結果を表3に示す。
(TMEDA)及び非活性化銅金属を含む触媒がメチル
ジクロロシランをアクリロニトリルに付加してβ−シア
ノエチルメチルジクロロシラン(β−CEMDS)を形
成する能力を評価した。標準的な商業的に入手可能な粉
砕した銅粉を用いた。このプロセスはシールした管中
で、100℃で行なった。この検討の結果を表3に示
す。このプロセスは各管に0.012モルのメチルジク
ロロシラン及び0.01モルのアクリロニトリルを入れ
て実施した。アクリロニトリルに対する銅のモル比(C
u /AN)及びTMEDAの銅化合物に対するモル比を
表3に示す。表3に示す時間に個々の管の内容物をGL
C−FIDで分析し、その結果を先に述べたのと同様に
して標準化した。その結果を表3に示す。
【0038】
【表3】
【0039】
【発明の効果】本発明によれば、ケイ素水素化物による
不飽和オレフィン性ニトリルのβ−ヒドロシリル化を新
しい触媒で促進することができる。
不飽和オレフィン性ニトリルのβ−ヒドロシリル化を新
しい触媒で促進することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // C07B 61/00 300
Claims (2)
- 【請求項1】 次式で示されるβ−シアノアルキルシラ
ン類の製造方法であって、 【化1】 式R1 R2 NR3 NR2 2で示されるジアミン並びに銅金
属、塩化銅(II)、酸化銅(II);硫酸銅、硫化銅及び
シアン化銅化合物;チオシアン化銅(I);並びに銅ク
ロム化合物からなる群から選ばれる非活性化銅又は銅化
合物を含む触媒の存在下に、約0〜200℃の温度で、
式RaHbSiX4-a-b で示されるケイ素水素化物及び
式YCH=C(Y)CNで示される不飽和オレフィン性
ニトリルとを接触させることを含む方法。但し、ここに
各Rは独立に1価の炭化水素基、1価の置換炭化水素
基、アルコキシ基及びアリロキシ基からなる群から選ば
れ;R 1 は低級アルキル基であり;R2 は、水素、低級
アルキル基、アミノアルキル基、アルキルアミノアルキ
ル基、ジアルキルアミノアルキル基及びそれらの混合物
からなる群から選ばれ;R3 は、炭素原子数9未満のア
ルケニレン類及びアルキレン類からなる群から選ばれる
不飽和の2価の基であり;Xはハロゲン原子であり;各
Yは独立に水素及び炭素原子数1〜8の低級アルキル基
からなる群から選ばれ;n=1,2又は3であり;a=
0,1又は2であり;b=1,2又は3であり;a+b
=1,2又は3である。 - 【請求項2】 次式で示されるβ−シアノアルキルシラ
ン類の製造方法であって、 【化2】 式R1 R2 NR3 NR2 2で示されるジアミン有機銅化合
物を含む触媒の存在下に、約0〜200℃の温度で、式
RaHbSiX4-a-b で示されるケイ素水素化物及び式
YCH=C(Y)CNで示される不飽和オレフィン性ニ
トリルとを接触させることを含む方法。但し、ここに各
Rは独立に1価の炭化水素基、1価の置換炭化水素基、
アルコキシ基及びアリロキシ基からなる群から選ばれ;
R1 は低級アルキル基であり;R2 は、水素、低級アル
キル基、アミノアルキル基、アルキルアミノアルキル
基、ジアルキルアミノアルキル基及びそれらの混合物か
らなる群から選ばれ;R3 は、炭素原子数9未満のアル
ケニレン類及びアルキレン類からなる群から選ばれる不
飽和の2価の基であり;Xはハロゲン原子であり;各Y
は独立に水素及び炭素原子数1〜8の低級アルキル基で
からなる群から選ばれ;n=1,2又は3であり;a=
0,1又は2であり;b=1,2又は3であり;a+b
=1,2又は3である。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US737294 | 1991-07-29 | ||
US07/737,294 US5126468A (en) | 1991-07-29 | 1991-07-29 | Catalysts for addition of siicon hydrides to α,β-unsaturated olefinic nitriles |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05222059A true JPH05222059A (ja) | 1993-08-31 |
Family
ID=24963343
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4189627A Pending JPH05222059A (ja) | 1991-07-29 | 1992-07-16 | β−シアノアルキルシラン類の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5126468A (ja) |
EP (1) | EP0525997B1 (ja) |
JP (1) | JPH05222059A (ja) |
CA (1) | CA2071789A1 (ja) |
DE (1) | DE69212929T2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100765342B1 (ko) * | 2006-05-19 | 2007-10-09 | 제이에스아이실리콘주식회사 | 시아노아세톡시기가 치환된 실리콘 결합제의 제조방법과 그 제조물 |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5262554A (en) * | 1992-12-30 | 1993-11-16 | Dow Corning Corporation | Process for preparation of beta-cyanoalkylsilanes |
US5247110A (en) * | 1992-12-30 | 1993-09-21 | Dow Corning Corporation | Phosphinoaliphaticsilane catalysts for preparation of β-cyanoalkylsilanes |
US5247109A (en) * | 1992-12-30 | 1993-09-21 | Dow Corning Corporation | Process for preparation of beta-cyanoalkylsilanes |
US5248802A (en) * | 1993-02-16 | 1993-09-28 | Dow Corning Corporation | Ruthenim catalyzed process for preparation of β-cyanoalkylsilanes |
US5312945A (en) * | 1993-03-29 | 1994-05-17 | Dow Corning Corporation | Process for preparation of β-cyanoalkylsilanes using ruthenium catalyst |
US5283348A (en) * | 1993-07-09 | 1994-02-01 | Dow Corning Corporation | Process for preparation of β-cyanoalkylsilanes |
US5332848A (en) * | 1993-11-23 | 1994-07-26 | Dow Corning Corporation | β-cyanoalkylsilane preparation using tetraalkylammonium halide supported on silica gel as catalyst |
US5374756A (en) * | 1993-11-23 | 1994-12-20 | Dow Corning Corporation | β-cyanoalkylsilane preparation using amino ion exchange resin as catalyst |
US5326894A (en) * | 1993-11-23 | 1994-07-05 | Dow Corning Corporation | β-cyanoalkylsilane preparation using divinylbenzene/4-vinylpyridine copolymer resin as catalyst |
CN106795183A (zh) * | 2014-08-27 | 2017-05-31 | 阿科玛股份有限公司 | 氟硅腈化合物 |
CN106632448B (zh) * | 2016-11-16 | 2019-03-26 | 广州天赐高新材料股份有限公司 | 一种含氰基氯硅烷的合成方法 |
CN109698327B (zh) * | 2017-10-20 | 2021-07-27 | 超能高新材料股份有限公司 | 锂离子电池负极材料 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2906764A (en) * | 1955-12-23 | 1959-09-29 | Union Carbide Corp | Process for producing cyanoalkylsilanes employing a diarylamine catalyst |
US2860153A (en) * | 1957-04-25 | 1958-11-11 | Dow Corning | Method of preparing beta-cyanoethyltrichlorosilane |
US2971970A (en) * | 1958-12-29 | 1961-02-14 | Gen Electric | Organosilicon process |
US2971972A (en) * | 1959-03-30 | 1961-02-14 | Gen Electric | Addition reaction |
US5126469A (en) * | 1991-06-24 | 1992-06-30 | Dow Corning Corporation | Supported catalysts for addition of silicon hydrides to α,β-unsaturated olefinic nitriles |
US5103033A (en) * | 1991-06-24 | 1992-04-07 | Dow Corning Corporation | Process for preparation of β-cyanoalkylsilanes |
CA2070053A1 (en) * | 1991-06-24 | 1992-12-25 | Howard Marvin Bank | Process for preparation of beta-cyanoalkylsilanes |
-
1991
- 1991-07-29 US US07/737,294 patent/US5126468A/en not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-06-22 CA CA002071789A patent/CA2071789A1/en not_active Abandoned
- 1992-07-01 DE DE69212929T patent/DE69212929T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1992-07-01 EP EP92306066A patent/EP0525997B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-07-16 JP JP4189627A patent/JPH05222059A/ja active Pending
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100765342B1 (ko) * | 2006-05-19 | 2007-10-09 | 제이에스아이실리콘주식회사 | 시아노아세톡시기가 치환된 실리콘 결합제의 제조방법과 그 제조물 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69212929D1 (de) | 1996-09-26 |
EP0525997A1 (en) | 1993-02-03 |
EP0525997B1 (en) | 1996-08-21 |
US5126468A (en) | 1992-06-30 |
CA2071789A1 (en) | 1993-01-30 |
DE69212929T2 (de) | 1997-03-13 |
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