JP2011521006A - 直線状や環状トリシラアルカンの製造方法 - Google Patents
直線状や環状トリシラアルカンの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011521006A JP2011521006A JP2011511502A JP2011511502A JP2011521006A JP 2011521006 A JP2011521006 A JP 2011521006A JP 2011511502 A JP2011511502 A JP 2011511502A JP 2011511502 A JP2011511502 A JP 2011511502A JP 2011521006 A JP2011521006 A JP 2011521006A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- represented
- group
- carbon atoms
- general formula
- chloride
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 title claims abstract description 22
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 44
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical class Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 12
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 39
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 29
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 22
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 15
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 10
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 10
- 150000004714 phosphonium salts Chemical class 0.000 claims description 10
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 claims description 9
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 9
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 claims description 8
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 6
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims description 5
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000002009 alkene group Chemical group 0.000 claims description 4
- NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N anhydrous methyl chloride Natural products ClC NEHMKBQYUWJMIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000001721 carbon Chemical group 0.000 claims description 3
- 229940050176 methyl chloride Drugs 0.000 claims description 3
- 125000006539 C12 alkyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 125000001930 alkyl chloride group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 2
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 claims description 2
- 229910021432 inorganic complex Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 2
- 125000002029 aromatic hydrocarbon group Chemical group 0.000 claims 3
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims 1
- -1 phosphonium salt compound Chemical class 0.000 abstract description 18
- 239000002243 precursor Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 229920003257 polycarbosilane Polymers 0.000 abstract description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- RNRQKQHZWFHUHS-UHFFFAOYSA-N trichloro-[[dichloro(trichlorosilylmethyl)silyl]methyl]silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C[Si](Cl)(Cl)C[Si](Cl)(Cl)Cl RNRQKQHZWFHUHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 36
- NLTXADBUSYWFIA-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3,5,5-hexachloro-1,3,5-trisilinane Chemical compound Cl[Si]1(Cl)C[Si](Cl)(Cl)C[Si](Cl)(Cl)C1 NLTXADBUSYWFIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- IBWGNZVCJVLSHB-UHFFFAOYSA-M tetrabutylphosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].CCCC[P+](CCCC)(CCCC)CCCC IBWGNZVCJVLSHB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 28
- ZTNLXKSEJCGJRH-UHFFFAOYSA-N trichloro(dichlorosilylmethyl)silane Chemical compound Cl[SiH](Cl)C[Si](Cl)(Cl)Cl ZTNLXKSEJCGJRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 19
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 19
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 15
- 239000000047 product Substances 0.000 description 15
- ILZIHGWXTARXAO-UHFFFAOYSA-N dichloro(dichlorosilylmethyl)silane Chemical compound Cl[SiH](Cl)C[SiH](Cl)Cl ILZIHGWXTARXAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 11
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 10
- 150000001348 alkyl chlorides Chemical class 0.000 description 9
- KCXMKQUNVWSEMD-UHFFFAOYSA-N benzyl chloride Chemical compound ClCC1=CC=CC=C1 KCXMKQUNVWSEMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229940073608 benzyl chloride Drugs 0.000 description 9
- GONOPSZTUGRENK-UHFFFAOYSA-N benzyl(trichloro)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)CC1=CC=CC=C1 GONOPSZTUGRENK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 8
- ABDDAHLAEXNYRC-UHFFFAOYSA-N trichloro(trichlorosilylmethyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C[Si](Cl)(Cl)Cl ABDDAHLAEXNYRC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 5
- LISDBLOKKWTHNH-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-Trisilacyclohexan Natural products C1[SiH2]C[SiH2]C[SiH2]1 LISDBLOKKWTHNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- NHBMXLXMVPLQAX-UHFFFAOYSA-N 1,3-disiletane Chemical compound C1[SiH2]C[SiH2]1 NHBMXLXMVPLQAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OSDWBNJEKMUWAV-UHFFFAOYSA-N Allyl chloride Chemical compound ClCC=C OSDWBNJEKMUWAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- JAYBZWYBCUJLNQ-UHFFFAOYSA-N dichloro-(chloromethyl)-methylsilane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)CCl JAYBZWYBCUJLNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 3
- SYSHGEHAYJKOLC-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3-tetrachloro-1,3-disiletane Chemical compound Cl[Si]1(Cl)C[Si](Cl)(Cl)C1 SYSHGEHAYJKOLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PASYEMKYRSIVTP-UHFFFAOYSA-N 1,1-dichlorosiletane Chemical compound Cl[Si]1(Cl)CCC1 PASYEMKYRSIVTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YHRUOJUYPBUZOS-UHFFFAOYSA-N 1,3-dichloropropane Chemical compound ClCCCCl YHRUOJUYPBUZOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MOHYOXXOKFQHDC-UHFFFAOYSA-N 1-(chloromethyl)-4-methoxybenzene Chemical compound COC1=CC=C(CCl)C=C1 MOHYOXXOKFQHDC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JQZAEUFPPSRDOP-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-4-(chloromethyl)benzene Chemical compound ClCC1=CC=C(Cl)C=C1 JQZAEUFPPSRDOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MLRVZFYXUZQSRU-UHFFFAOYSA-N 1-chlorohexane Chemical compound CCCCCCCl MLRVZFYXUZQSRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WCHPXAFAEZGCMB-UHFFFAOYSA-M benzyl(tributyl)phosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].CCCC[P+](CCCC)(CCCC)CC1=CC=CC=C1 WCHPXAFAEZGCMB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- USFRYJRPHFMVBZ-UHFFFAOYSA-M benzyl(triphenyl)phosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].C=1C=CC=CC=1[P+](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)CC1=CC=CC=C1 USFRYJRPHFMVBZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- HGPNUESOTANCNF-UHFFFAOYSA-N dichloro(1-dichlorosilylethyl)silane Chemical compound Cl[SiH](Cl)C(C)[SiH](Cl)Cl HGPNUESOTANCNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000543 intermediate Substances 0.000 description 2
- ULYZAYCEDJDHCC-UHFFFAOYSA-N isopropyl chloride Chemical compound CC(C)Cl ULYZAYCEDJDHCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 2
- 238000007142 ring opening reaction Methods 0.000 description 2
- FBOJNMRAZJRCNS-UHFFFAOYSA-M tetraethylphosphanium;chloride Chemical compound [Cl-].CC[P+](CC)(CC)CC FBOJNMRAZJRCNS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- WAGFXJQAIZNSEQ-UHFFFAOYSA-M tetraphenylphosphonium chloride Chemical compound [Cl-].C1=CC=CC=C1[P+](C=1C=CC=CC=1)(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WAGFXJQAIZNSEQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-O tributylphosphanium Chemical compound CCCC[PH+](CCCC)CCCC TUQOTMZNTHZOKS-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- LFXJGGDONSCPOF-UHFFFAOYSA-N trichloro(hexyl)silane Chemical compound CCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl LFXJGGDONSCPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GPWLZOISJZHVHX-UHFFFAOYSA-N trichloro(propan-2-yl)silane Chemical compound CC(C)[Si](Cl)(Cl)Cl GPWLZOISJZHVHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CQHJBQDGWRDUML-UHFFFAOYSA-N trichloro-[(4-chlorophenyl)methyl]silane Chemical compound ClC1=CC=C(C[Si](Cl)(Cl)Cl)C=C1 CQHJBQDGWRDUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDVJPOXUZPVGOJ-UHFFFAOYSA-N trichloro-[(4-methoxyphenyl)methyl]silane Chemical compound COC1=CC=C(C[Si](Cl)(Cl)Cl)C=C1 CDVJPOXUZPVGOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ABVUXBPCPLBFHM-UHFFFAOYSA-N trichloro-[[dichloro(methyl)silyl]methyl]silane Chemical compound C[Si](Cl)(Cl)C[Si](Cl)(Cl)Cl ABVUXBPCPLBFHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005047 Allyltrichlorosilane Substances 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- KSBGKOHSBWCTOP-UHFFFAOYSA-N bis(silylmethyl)silane Chemical compound [SiH3]C[SiH2]C[SiH3] KSBGKOHSBWCTOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- 125000004218 chloromethyl group Chemical group [H]C([H])(Cl)* 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007033 dehydrochlorination reaction Methods 0.000 description 1
- KTQYJQFGNYHXMB-UHFFFAOYSA-N dichloro(methyl)silicon Chemical compound C[Si](Cl)Cl KTQYJQFGNYHXMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KUPOWNGKHPKAEM-UHFFFAOYSA-N dichloro(silylmethyl)silane Chemical compound Cl[SiH](C[SiH3])Cl KUPOWNGKHPKAEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical group Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006471 dimerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000003100 immobilizing effect Effects 0.000 description 1
- POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N methoxy(trimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)C POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005048 methyldichlorosilane Substances 0.000 description 1
- 230000000269 nucleophilic effect Effects 0.000 description 1
- 238000007344 nucleophilic reaction Methods 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 1
- 239000012048 reactive intermediate Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- KSNFJZGSDIMSME-UHFFFAOYSA-N trichloro(2-trichlorosilylpropan-2-yl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)C(C)(C)[Si](Cl)(Cl)Cl KSNFJZGSDIMSME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HKFSBKQQYCMCKO-UHFFFAOYSA-N trichloro(prop-2-enyl)silane Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)CC=C HKFSBKQQYCMCKO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DOEHJNBEOVLHGL-UHFFFAOYSA-N trichloro(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](Cl)(Cl)Cl DOEHJNBEOVLHGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPDADIYYMSXQJK-UHFFFAOYSA-N trichlorosilicon Chemical group Cl[Si](Cl)Cl PPDADIYYMSXQJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/12—Organo silicon halides
- C07F7/14—Preparation thereof from optionally substituted halogenated silanes and hydrocarbons hydrosilylation reactions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/12—Organo silicon halides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/12—Organo silicon halides
- C07F7/121—Preparation or treatment not provided for in C07F7/14, C07F7/16 or C07F7/20
- C07F7/122—Preparation or treatment not provided for in C07F7/14, C07F7/16 or C07F7/20 by reactions involving the formation of Si-C linkages
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
【課題】本発明は、ポリカルボシランやシリコンカーバイド前駆物質の製造に有用な物質の直線状や環状トリシラアルカンの製造方法に関する。
【解決手段】本発明によると、４次有機ホスホニウム塩化合物を触媒として用いてＳｉ-Ｈ結合を有するビスクロロシリルメタンを単独で、又は、有機塩化物と共に反応させて直線状や環状トリシラアルカンと有機トリクロロシラン誘導体を高収率で同時に合成することができ、又、触媒の使用後に回収が可能であり、非常に経済的であるので、有機無機ハイブリッド物質の前駆物質の大量生産に効果的である。
【選択図】なし
【解決手段】本発明によると、４次有機ホスホニウム塩化合物を触媒として用いてＳｉ-Ｈ結合を有するビスクロロシリルメタンを単独で、又は、有機塩化物と共に反応させて直線状や環状トリシラアルカンと有機トリクロロシラン誘導体を高収率で同時に合成することができ、又、触媒の使用後に回収が可能であり、非常に経済的であるので、有機無機ハイブリッド物質の前駆物質の大量生産に効果的である。
【選択図】なし
Description
本発明は、直線状や環状トリシラアルカン(Ｌｉｎｅａｒ ａｎｄ ｃｙｃｌｉｃ ｔｒｉｓｉｌａａｌｋａｎｅｓ)の製造方法に関し、特に４次有機ホスホニウム塩化合物を触媒として用いてＳｉ-Ｈ結合を有するビスクロロシリルメタンを単独で反応させることにより、環状および直線状トリシラアルカンを得ることができ、又は、有機塩化物と共に反応させることにより、有機トリクロロシラン誘導体を同時に製造できる方法に関する。
近年、本発明者らは、テトラアルキルホスホニウムクロリド化合物を触媒として用いてＣ-Ｃｌ結合を有するアルキルクロリドとＳｉ-Ｈ結合を有するトリクロロシラン(ＨＳｉＣｌ３)を反応させてアルキルクロリドから塩素を、トリクロロシランから水素を取り出して塩化水素を作って除去し、ケイ素と炭素結合(Ｓｉ-Ｃ)を形成させて様々な有機ケイ素化合物を合成する方法を報告した(Ｙ. Ｓ. Ｃｈｏ;Ｓ-Ｈ. Ｋａｎｇ;Ｊ. Ｓ. Ｈａｎ;Ｂ. Ｒ. Ｙｏｏ;Ｉl Ｎａｍ Ｊｕｎｇ;Ｊ. Ａｍ. Ｃｈｅｍ. Ｓｏｃ.、１２３、２００１、５５８３;Ｉ. Ｎ. Ｊｕｎｇ ｅｔ ａｌ,Ｕ.Ｓ. Ｐａｔ. Ｎｏ. ６,３９２,０７７)。この脱塩化水素反応は、ケイ素と炭素との結合を形成させる新しい方法であって、様々な新しい有機ケイ素化合物の合成に非常に有用なものである。
前記アルキルクロリドのような有機塩化物は、ベンジルクロリドやアリルクロリドのように活性の大きい炭素に塩素が結合されたアルキルクロリドだけでなく、活性の大きくないアルキルクロリド、環状アルキルクロリド、および３次アルキルクロリドを反応させても高い収率で有機ケイ素塩化物を合成することができる。また、前記トリクロロシラン(ＨＳｉＣｌ３)の代わりにメチルジクロロシラン(ＭｅＨＳｉＣｌ２)を用いても収率は劣るものの、ケイ素と炭素結合(Ｓｉ-Ｃ)を形成させる反応を起こすことで知られている。
尚、テトラアルキルホスホニウムクロリド化合物触媒を用い、アルキルクロリドの代りに炭素と炭素との二重結合を有するアルケンに適用すると、二重結合の両側の炭素にトリクロロシリル基が含まれる二重ケイ素化反応が起きると報告されているため、これは、前記反応の反応経路がトリクロロシラン(ＨＳｉＣｌ３)から塩化水素を除去して生成されるジクロロシリレン(:ＳｉＣｌ２)の中間体が炭素と炭素との二重結合に付加されるためであることで知られている。
一方、本発明者らは、クロロメチル基を有した様々な有機化合物を塩化水素と混合して金属ケイ素と反応させると、Ｓｉ-Ｈ結合を有しながら１つの炭素に２つのシランが置換されたビスシリルメタンが得られることを知った。また、炭素と塩素の結合を２つ有しているメチレンクロリドと塩化水素を混合し銅触媒を用いてケイ素と反応させると、ビス(ジクロロシリル)メタンと(ジクロロシリル)(トリクロロシリル)メタンが得られる。
一方、従来、１,３-ジシラシクロブタンのような環状有機ケイ素化合物の製造は、ジクロロシラシクロブタンを６９０℃の高い温度で熱分解させると、中間体のジクロロシラン(ＣＨ２＝ＳｉＣｌ２)が生成され、これが二重化(ｄｉｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ)されて１,１,３,３-テトラクロロ-１,３-ジシラシクロブタンが生成されると報告されている(Ｎ. Ａｕｎｅｒ ａｎｄ Ｊ. Ｇｒｏｂｅ,Ｊ. Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌ.Ｃｈｅｍ. １９８０、１８８、１５１;２００、１２９)。しかしながら、原料のジクロロシラシクロブタンを製造するためにはクリニャール法を用いなければならなく、一般的にこのような高い温度で熱分解させる反応は収率が良くない。
又、メチレンクロリドを直接法で金属ケイ素と反応させると、１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンが副産物として得られると報告されている。しかしながら、メチレンクロリドと金属ケイ素との反応は、３００℃の高い反応温度でメチレンクロリドが分解されて生成された炭素によって金属ケイ素と銅触媒の活性が急激に低下するという問題点と、メチレンクロリドと金属ケイ素とが反応して生成される高分子のカルボシランによる反応物質の活性低下により活用されていない。
本発明者らは、ポリカルボシランや有機無機ハイブリッド物質の製造に有用な前駆物質の直線状や環状トリシラアルカンを高効率で製造し、従来技術の問題点を解決するために本発明を完成するに至った。
そのため、本発明によると、４次有機ホスホニウム塩化合物を触媒として用いてＳｉ-Ｈ結合を有するビスクロロシリルメタンを単独で反応させることにより、直線状や環状トリシラアルカンを製造することができる。また、前記反応時にさらに有機塩化物を添加すると有機トリクロロシラン誘導体も同時に製造することが可能となった。
したがって本発明の目的は、直線状および環状トリシラアルカン化合物の製造方法を提供することにある。
本発明は、４次有機ホスホニウム塩化合物を触媒として用いてＳｉ-Ｈ結合を有するビスクロロシリルメタンを単独で、若しくは、有機塩化物と共に反応させてポリカルボシランや有機無機ハイブリッド物質の製造に有用な前駆物質の環状や線状トリシラアルカンを新しい合成方法により高収率で同時に合成することができる。また、触媒の使用後に回収が可能であり、非常に経済的であるので、有機無機ハイブリッド物質の前駆物質の大量生産に効果的である。
上記のような目的を達成するために、本発明は、４次有機ホスホニウム塩触媒下で次の一般式(１)で表されるＳｉ-Ｈ結合を有するビスクロロシリルメタンを単独で反応させることにより、一般式(２)で表される環状や一般式(３)で表される直線状トリシラアルカンを製造することを特徴とする。
式中、Ｒ１は水素、ハロゲン原子又はアルキル基である。
式中、ｍは０又は１である。
以下、本発明をより詳しく説明する。
本発明に係る環状や直線状トリシラアルカンは、それぞれ前記一般式(２)と(３)で表され、前記一般式(１)で表されるビスクロロシリルメタンを４次有機ホスホニウム塩化合物触媒の存在下で反応させることにより得ることができる。
前記一般式(１)で表されるビスクロロシリルメタン化合物の具体的な例としては、(ジクロロシリルメチル)ジクロロシラン、(トリクロロシリルメチル)ジクロロシラン、(クロロメチル)メチルジクロロシランおよび(メチルジクロロシリルメチル)ジクロロシランからなる群より選ばれる１種以上である。前記ビスクロロシリルメタンはＳｉ-Ｈ結合を有し、２つ以上のクロロシリル基を有するものであって、これを単独で反応させることにより前記環状や直線状トリシラアルカンを製造することができる。
本発明の環状や直線状トリシラアルカンの製造に用いられる触媒の４次有機ホスホニウム塩は次の一般式(４ａ)又は(４ｂ)で表することができる。
式(４ａ)と(４ｂ)中、Ｘはハロゲン原子を示し、Ｒ３はそれぞれ互いに同じでも異なっていてもよく、Ｃ１〜Ｃ１２のアルキル基又は-(ＣＨ２)ｎ-Ｃ６Ｈ５(ここで、ｎは０又は１〜６)を示し、２つのＲ３が互いに共有結合して４原子又は８原子環を形成でき、ＹはＣ１〜Ｃ１２のアルキレン基を示す。
前記４次有機ホスホニウム塩触媒は、前記一般式(１)で表されるＳｉ-Ｈ結合を有するビスクロロシリルメタン１モルに対し０.０５〜０.５モルを用いることが望ましい。
又、本発明に係る４次有機ホスホニウム塩触媒は、前記一般式(４ａ)又は(４ｂ)で表される４次有機ホスホニウム塩化合物を直接用いたり、又はシリコンレジン、シリカ、無機錯体、および有機高分子からなる群より選ばれる１種以上の担体に固定化して用いることもできる。例えば、シリコンレジンの場合は、(Ｃｌ−Ｂｕ３Ｐ＋(ＣＨ２)３-ＳｉＯ３/２)ｎの構造のようにシリコンレジンに触媒活性を有するホスホニウム塩を含む構造を持ち、前記他の担体の場合も類似の構造で高分子の担体に触媒活性を有するホスホニウム塩が固定化された構造を持つ。
前記触媒を様々な担体に固定化させる技術は、特に限定されなく、通常の触媒固定化方法に従い、その詳細な説明は省略する。
又、本発明に係る前記反応は１０〜２５０℃の温度範囲で行われることが望ましい。又、前記反応は反応溶媒が存在しない状態で反応させることが望ましいが、必要に応じて選択的にベンゼン、トルエン、およびキシレンからなる群より選ばれる１種以上の芳香族炭化水素溶媒の存在下で行うこともできる。
上述のように一般式(１)で表されるＳｉ-Ｈ結合を有するビスクロロシリルメタンを触媒存在下で単独で反応させると、前記一般式(２)で表される環状トリシラアルカンと前記一般式(３)で表される直線状トリシラアルカンとを同時に得ることができる。
一方、前記反応時に選択的に次の一般式(５)で表される有機塩化物を共に反応させると、前記一般式(２)で表される環状トリシラアルカンと、一般式(３)で表される直線状のトリシラアルカンの他にも、次の一般式(６)で表される有機トリクロロシラン誘導体を同時に得ることができる。
式中、Ｒ２は、ハロゲン元素;炭素数１〜６の直線状又は環状アルキル基;-ＳｉＣｌ３、-ＳｉＭｅＣｌ２、-ＳｉＨＣｌ２、-ＳｉＭｅ２Ｃｌおよび-ＳｉＭｅ３からなる群より選ばれるシラン誘導体の残基;不飽和結合を含有する炭素数２〜５のアルケン基;-Ａｒ(Ｒ')ｑで表される芳香族基(ここで、Ａｒは炭素数６〜１４の芳香族炭化水素、Ｒ'は炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン、アルコキシ、又はビニル基であり、ｑは０〜５の整数である。);-(ＣＨ２)ｐＣｌで表される塩化アルキル基(ここで、ｐは１〜９の整数である。);又は-Ａｒ(ＣＨ２)Ｃｌで表される塩化メチル芳香族基(ここで、Ａｒは炭素数６〜１４の芳香族炭化水素である。)の中から選ばれるものであり、Ｒ３は、水素原子;ハロゲン原子;炭素数１〜６の直線状又は環状アルキル基;又は-Ａｒ(Ｒ')ｑで表される芳香族基(ここで、Ａｒは炭素数６〜１４の芳香族炭化水素、Ｒ'は炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン、アルコキシ、又はビニル基であり、ｑは０〜５の整数である。)の中から選ばれるものである。
前記一般式(５)で表される有機塩化物としては、脂肪族と芳香族有機基が置換された１次あるいは２次アルキルクロリドやシリル基が置換されたメチルクロリドなどが挙げられるが、これに限定されるものではない。
式中、Ｒ３は、水素原子;炭素数１〜６の直線状又は環状アルキル基;又は-Ａｒ(Ｒ')ｑで表される芳香族基(ここで、Ａｒは炭素数６〜１４の芳香族炭化水素、Ｒ'は炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン、アルコキシ、又はビニル基であり、ｑは０〜５の整数である。)の中から選ばれるものであり、Ｒ４は、炭素数１〜６の直線状又は環状アルキル基;-ＳｉＣｌ３、-ＳｉＭｅＣｌ２、-ＳｉＨＣｌ２、-ＳｉＭｅ２Ｃｌおよび-ＳｉＭｅ３からなる群より選ばれるシラン誘導体残基;不飽和結合を含有する炭素数２〜５のアルケン基;-Ａｒ(Ｒ')ｑで表される芳香族基(ここで、Ａｒは炭素数６〜１４の芳香族炭化水素、Ｒ'は炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン、アルコキシ、又はビニル基、ｑは０〜５の整数である。);および前記一般式(５)のＲ２が-(ＣＨ２)ｐＣｌ、-Ａｒ(ＣＨ２)Ｃｌの場合、前記一般式(６)のＲ４はそれぞれ-(ＣＨ２)ｐＳｉＣｌ３、-Ａｒ(ＣＨ２)ＳｉＣｌ３である。
前記一般式(１)で表されるＳｉ-Ｈ結合を有し、２つ以上のクロロシリル基を有するビスクロロシリルメタンを４次有機ホスホニウム塩化合物を触媒として用いて反応させると、前記一般式(２)で表される環状トリシラアルカンや、前記一般式(３)で表される直線状トリシラアルカンが得られ、この反応でさらに一般式(５)で表されるＣ-Ｃｌ結合を有する有機塩化物と共に反応させると、環状や直線状トリシラアルカンの他に前記一般式(６)で表される有機トリクロロシラン誘導体を同時に合成することができる。
この反応で前記一般式(６)で表される有機トリクロロシラン誘導体は、前記一般式(１)で表されるビスクロロシリルメタンが分解されて出たトリクロロシランがアルキルクロリドと反応して生成されたものである。
すなわち、ビスクロロシリルメタンが分解されてトリクロロシランを生成し、その他はジクロロシラン(ＣＨ２＝ＳｉＣｌ２)を生成させる。このジクロロシランは非常に反応性の高い中間体であるので、アルコール、アミン、トリメチルメトキシシランのような求核反応を起こす化合物があればこれらと容易に反応し、前記求核反応物質がなければ二重化(ｄｉｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ)して１,１,３,３-テトラクロロ-１,３-ジシラシクロブタンを形成する。
しかしながら、本発明ではビスクロロシリルメタンが分解されて生成されたジクロロシランの二重化生成物の１,３-ジシラシクロブタンは得られなかったが、直線状や環状トリシラアルカンが生成された。
これは、１,３-ジシラシクロブタンが、次の反応式(１)のように反応条件で他の１モルのジクロロシラン(ＣＨ２＝ＳｉＣｌ２)がさらに付加されて環状三重体の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンを形成するか、あるいはトリクロロシランとの開環反応により直線状１,３,５-トリシラペンタンを形成すると推定される。
［反応式１］
［反応式１］
一方、本発明では、前記一般式(５)で表される有機塩化物は、前記一般式(１)で表されるＳｉ-Ｈ結合を有するビスクロロシリルメタン１モルに対し０.５〜８モルの範囲で反応させることが望ましい。
本発明で４次有機ホスホニウム塩化合物触媒を用いて前記一般式(１)で表されるビスクロロシリルメタンを単独で反応させても直線状や環状有機シラン化合物を得ることができるが、反応で副産されるトリクロロシランが環状有機シラン化合物の 開環反応を起こし、環状有機シラン化合物の収率は低くなった。
これにより、トリクロロシランと反応する前記一般式(５)で表される有機塩化物を共に反応させると、直線状トリシラペンタンの形成を抑制させ、高収率の環状有機シラン化合物を得ることができる。
次の実施例により本発明をより詳しく説明するが、本発明の範囲がこれらの実施例により限定されるものではない。
(実施例)
〈実施例１:(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランの反応(触媒:テトラブチルホスホニウムクロリド)〉
オーブンで乾燥した２５ｍｌのステンレススチール管からなる反応槽を、乾燥した窒素気体下で冷却させた後に１２.４ｇ(０.０５０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシラン、１.５ｇ(０.００５ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れた。反応槽の入口を栓で密封し、１８０℃で３時間反応させた後、気体クロマトグラフィーにより出発物質の消耗と生成物が確認でき、反応物の減圧蒸留により２.８ｇ(収率４９.６％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、１.４ｇ(収率１４.１％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンを得ることができた。
〈実施例１:(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランの反応(触媒:テトラブチルホスホニウムクロリド)〉
オーブンで乾燥した２５ｍｌのステンレススチール管からなる反応槽を、乾燥した窒素気体下で冷却させた後に１２.４ｇ(０.０５０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシラン、１.５ｇ(０.００５ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れた。反応槽の入口を栓で密封し、１８０℃で３時間反応させた後、気体クロマトグラフィーにより出発物質の消耗と生成物が確認でき、反応物の減圧蒸留により２.８ｇ(収率４９.６％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、１.４ｇ(収率１４.１％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンを得ることができた。
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
〈実施例２:(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランの反応(触媒:テトラエチルホスホニウムクロリド)〉
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に１２.４ｇ(０.０５０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシラン、０.９ｇ(０.００５ｍｏｌ)のテトラエチルホスホニウムクロリドを入れて１８０℃で３時間反応させ、反応物の減圧蒸留により２.５ｇ(収率４４.２％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、１.１ｇ(収率１１.１％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンを得ることができた。
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に１２.４ｇ(０.０５０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシラン、０.９ｇ(０.００５ｍｏｌ)のテトラエチルホスホニウムクロリドを入れて１８０℃で３時間反応させ、反応物の減圧蒸留により２.５ｇ(収率４４.２％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、１.１ｇ(収率１１.１％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンを得ることができた。
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
〈実施例３:ベンジルクロリドと(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランとの反応(触媒:テトラブチルホスホニウムクロリド)〉
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に３.８ｇ(０.０３０ｍｏｌ)のベンジルクロリド、７.５ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと０.９ｇ(０.００３ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１３０℃で２時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.２ｇ(収率３５.４％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、０.９ｇ(収率１５.２％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと０.７ｇ(収率１０.３％)のベンジルトリクロロシランを得ることができた。
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に３.８ｇ(０.０３０ｍｏｌ)のベンジルクロリド、７.５ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと０.９ｇ(０.００３ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１３０℃で２時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.２ｇ(収率３５.４％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、０.９ｇ(収率１５.２％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと０.７ｇ(収率１０.３％)のベンジルトリクロロシランを得ることができた。
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、ベンジルトリクロロシランは、δ２.９２ｐｐｍ(ｓ、２Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃ、δ７.３１ｐｐｍ(ｍ、５Ｈ)でＡｒ-Ｈのピークを確認した。１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
〈実施例４:ベンジルクロリドと(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランとの反応(触媒:テトラフェニルホスホニウムクロリドＦｗ３７４.８４)〉
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に３.８ｇ(０.０３０ｍｏｌ)のベンジルクロリド、７.５ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと１.１ｇ(０.００３ｍｏｌ)のテトラフェニルホスホニウムクロリドを入れて１８０℃で６時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.３ｇ(収率３８.３％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、１.０ｇ(収率１６.８％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと０.７ｇ(収率１０.３％)のベンジルトリクロロシランを得ることができた。
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に３.８ｇ(０.０３０ｍｏｌ)のベンジルクロリド、７.５ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと１.１ｇ(０.００３ｍｏｌ)のテトラフェニルホスホニウムクロリドを入れて１８０℃で６時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.３ｇ(収率３８.３％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、１.０ｇ(収率１６.８％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと０.７ｇ(収率１０.３％)のベンジルトリクロロシランを得ることができた。
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、ベンジルトリクロロシランは、δ２.９２ｐｐｍ(ｓ、２Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃ、δ７.３１ｐｐｍ(ｍ、５Ｈ)でＡｒ-Ｈのピークを確認した。１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
〈実施例５:メチレンクロリドと(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランとの反応(触媒:テトラブチルホスホニウムクロリド)〉
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に２.２ｇ(０.０２６ｍｏｌ)のメチレンクロリド、１２.４ｇ(０.０５０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと１.５ｇ(０.００５ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１８０℃で２時間反応させ、反応物の減圧蒸留により３.７ｇ(収率６５.５％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、１.４ｇ(収率１４.１％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと３.３ｇ(収率４４.８％)のビス(トリクロロシリル)メタンを得ることができた。
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に２.２ｇ(０.０２６ｍｏｌ)のメチレンクロリド、１２.４ｇ(０.０５０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと１.５ｇ(０.００５ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１８０℃で２時間反応させ、反応物の減圧蒸留により３.７ｇ(収率６５.５％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、１.４ｇ(収率１４.１％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと３.３ｇ(収率４４.８％)のビス(トリクロロシリル)メタンを得ることができた。
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、ビス(トリクロロシリル)メタンは、δ１.８６ｐｐｍ(ｓ、２Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
〈実施例６:メチレンクロリドと(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランとの反応(触媒:ベンジルトリフェニルホスホニウムクロリド)〉
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に２.２ｇ(０.０２６ｍｏｌ)のメチレンクロリド、１２.４ｇ(０.０５０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと１.９ｇ(０.００５ｍｏｌ)のベンジルトリフェニルホスホニウムクロリドを入れて１８０℃で３時間反応させ、反応物の減圧蒸留により３.５ｇ(収率６１.９％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、１.２ｇ(収率１２.１％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと２.８ｇ(収率３８.０％)のビス(トリクロロシリル)メタンを得ることができた。
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に２.２ｇ(０.０２６ｍｏｌ)のメチレンクロリド、１２.４ｇ(０.０５０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと１.９ｇ(０.００５ｍｏｌ)のベンジルトリフェニルホスホニウムクロリドを入れて１８０℃で３時間反応させ、反応物の減圧蒸留により３.５ｇ(収率６１.９％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、１.２ｇ(収率１２.１％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと２.８ｇ(収率３８.０％)のビス(トリクロロシリル)メタンを得ることができた。
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、ビス(トリクロロシリル)メタンは、δ１.８６ｐｐｍ(ｓ、２Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
〈実施例７:(ジクロロシリルメチル)ジクロロシランの反応(触媒:テトラブチルホスホニウムクロリド)〉
実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に６.８ｇ(０.０３２ｍｏｌ)の(ジクロロシリルメチル)ジクロロシランと０.９ｇ(０.００３ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１８０℃で３時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.４ｇ(収率３８.７％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、０.１ｇ(収率１.６％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンを得ることができた。
実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に６.８ｇ(０.０３２ｍｏｌ)の(ジクロロシリルメチル)ジクロロシランと０.９ｇ(０.００３ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１８０℃で３時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.４ｇ(収率３８.７％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、０.１ｇ(収率１.６％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンを得ることができた。
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
〈実施例８:(ジクロロシリルメチル)ジクロロシランの反応(触媒:ベンジルトリブチルホスホニウムクロリド)〉
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に６.８ｇ(０.０３２ｍｏｌ)の(ジクロロシリルメチル)ジクロロシランと１.０ｇ(０.００３ｍｏｌ)のベンジルトリブチルホスホニウムクロリドを入れて１８０℃で４時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.４ｇ(収率３８.７％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、０.１ｇ(収率１.６％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンを得ることができた。
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に６.８ｇ(０.０３２ｍｏｌ)の(ジクロロシリルメチル)ジクロロシランと１.０ｇ(０.００３ｍｏｌ)のベンジルトリブチルホスホニウムクロリドを入れて１８０℃で４時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.４ｇ(収率３８.７％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、０.１ｇ(収率１.６％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンを得ることができた。
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
〈実施例９:ベンジルクロリドと(ジクロロシリルメチル)ジクロロシランとの反応(触媒:テトラブチルホスホニウムクロリド)〉
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に３.８ｇ(０.０３０ｍｏｌ)のベンジルクロリド、７.５ｇ(０.０３５ｍｏｌ)の(ジクロロシリルメチル)ジクロロシランと０.９ｇ(０.００３ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１８０℃で３時間反応させ、反応物の減圧蒸留により０.９ｇ(収率２７.８％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、０.３ｇ(収率４.６％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと２.８ｇ(収率４１.７％)のベンジルトリクロロシランを得ることができた。
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に３.８ｇ(０.０３０ｍｏｌ)のベンジルクロリド、７.５ｇ(０.０３５ｍｏｌ)の(ジクロロシリルメチル)ジクロロシランと０.９ｇ(０.００３ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１８０℃で３時間反応させ、反応物の減圧蒸留により０.９ｇ(収率２７.８％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、０.３ｇ(収率４.６％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと２.８ｇ(収率４１.７％)のベンジルトリクロロシランを得ることができた。
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、ベンジルトリクロロシランはδ２.９２ｐｐｍ(ｓ、２Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃ、δ７.３１ｐｐｍ(ｍ、５Ｈ)でＡｒ-Ｈのピークを確認した。１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
〈実施例１０:ベンジルクロリドと(ジクロロシリルメチル)ジクロロシランとの反応(触媒:３-(トリブチルホスホニウム)プロピル}クロリドをシリコンレジン担体に固定化させた触媒)〉
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に３.８ｇ(０.０３０ｍｏｌ)のベンジルクロリド、７.５ｇ(０.０３５ｍｏｌ)の(ジクロロシリルメチル)ジクロロシランと１.５ｇのシリコンレジン[(ＲＳｉＯ３/２)ｎ、Ｒ＝{３-(トリブチルホスホニウム)プロピル}クロリド]を入れて１８０℃で１２時間反応させ、反応物の減圧蒸留により０.９ｇ(収率２５.５％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、０.２ｇ(収率４.０％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと２.７ｇ(収率３９.３％)のベンジルトリクロロシランを得ることができた。
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に３.８ｇ(０.０３０ｍｏｌ)のベンジルクロリド、７.５ｇ(０.０３５ｍｏｌ)の(ジクロロシリルメチル)ジクロロシランと１.５ｇのシリコンレジン[(ＲＳｉＯ３/２)ｎ、Ｒ＝{３-(トリブチルホスホニウム)プロピル}クロリド]を入れて１８０℃で１２時間反応させ、反応物の減圧蒸留により０.９ｇ(収率２５.５％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、０.２ｇ(収率４.０％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと２.７ｇ(収率３９.３％)のベンジルトリクロロシランを得ることができた。
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、ベンジルトリクロロシランは、δ２.９２ｐｐｍ(ｓ、２Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃ、δ７.３１ｐｐｍ(ｍ、５Ｈ)でＡｒ-Ｈのピークを確認した。１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
〈実施例１１:メチレンクロリドと(ジクロロシリルメチル)ジクロロシランとの反応(触媒:テトラブチルホスホニウムクロリド)〉
実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に２.０ｇ(０.０２４ｍｏｌ)のメチレンクロリド、８.６ｇ(０.０４０ｍｏｌ)の(ジクロロシリルメチル)ジクロロシランと１.２ｇ(０.００４ ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１８０℃で２時間反応させ、反応物の減圧蒸留により３.２ｇ(収率７０.１％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、１.０ｇ(収率１３.０％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと２.３ｇ(収率４０.６％)のビス(トリクロロシリル)メタンを得ることができた。
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、ビス(トリクロロシリル)メタンは、δ１.８６ｐｐｍ(ｓ、２Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
〈実施例１２:(メチルジクロロシリルメチル)ジクロロシランの反応(触媒:テトラブチルホスホニウムクロリド)〉
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に１１.４ｇ(０.０４３ｍｏｌ)の(メチルジクロロシリルメチル)ジクロロシランと１.２６ｇ(０.００４ ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１８０℃で３時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.５６ｇ(収率３２.０％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、０.５ｇ(収率６.０％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンを得ることができた。
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に１１.４ｇ(０.０４３ｍｏｌ)の(メチルジクロロシリルメチル)ジクロロシランと１.２６ｇ(０.００４ ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１８０℃で３時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.５６ｇ(収率３２.０％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、０.５ｇ(収率６.０％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンを得ることができた。
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
〈実施例１３:１-クロロヘキサンと(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランとの反応(触媒:テトラブチルホスホニウムクロリド)〉
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に３.８ｇ(０.０３２ｍｏｌ)の１-クロロヘキサン、７.５ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと０.９ｇ(０.００３ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１７０℃で２時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.８ｇ(収率５３.０％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、１.０g(収率１７.３％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと３.２ｇ(収率４８.２％)のｎ-ヘキシルトリクロロシランを得ることができた。
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に３.８ｇ(０.０３２ｍｏｌ)の１-クロロヘキサン、７.５ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと０.９ｇ(０.００３ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１７０℃で２時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.８ｇ(収率５３.０％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、１.０g(収率１７.３％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと３.２ｇ(収率４８.２％)のｎ-ヘキシルトリクロロシランを得ることができた。
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、ｎ-ヘキシルトリクロロシランは、δ０.９１ｐｐｍ(ｍ、３Ｈ)で-ＣＨ２-ＣＨ３、δ１.３０-１.４５(ｍ、８Ｈ)で-(ＣＨ２)４、δ１.６１(ｍ、２Ｈ)でＣｌ３Ｓｉ-ＣＨ２のピークを確認し、１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
〈実施例１４：(クロロメチル)メチルジクロロシランと(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランとの反応(触媒:テトラブチルホスホニウムクロリド)〉
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に４.９ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の(クロロメチル)メチルジクロロシラン、７.５ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと０.９ｇ(０.００３ ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１５０℃で２時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.５ｇ(収率４５.５％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、１.０ｇ(収率１６.３％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと２.８ｇ(収率３５.４％)の１,１,１,３,３-ペンタクロロ-１,３-ジシラブタンを得ることができた。
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に４.９ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の(クロロメチル)メチルジクロロシラン、７.５ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと０.９ｇ(０.００３ ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１５０℃で２時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.５ｇ(収率４５.５％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、１.０ｇ(収率１６.３％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと２.８ｇ(収率３５.４％)の１,１,１,３,３-ペンタクロロ-１,３-ジシラブタンを得ることができた。
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、１,１,１,３,３-ペンタクロロ-１,３-ジシラブタンは、δ０.９４ｐｐｍ(ｓ、３Ｈ)でＣｌ３Ｓｉ-ＣＨ３、δ１.５８ｐｐｍ(ｓ、２Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２のピークを確認し、１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
〈実施例１５：アリルクロリドと(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランとの反応(触媒:テトラブチルホスホニウムクロリド)〉
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に２.３ｇ(０.０３０ｍｏｌ)のアリルクロリド、７.５ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと０.９ｇ(０.００３ ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１５０℃で２時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.８ｇ(収率５４.４％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、０.７ｇ(収率１２.３％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと２.０ｇ(収率３８.３％)のアリルトリクロロシランを得ることができた。
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に２.３ｇ(０.０３０ｍｏｌ)のアリルクロリド、７.５ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと０.９ｇ(０.００３ ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１５０℃で２時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.８ｇ(収率５４.４％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、０.７ｇ(収率１２.３％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと２.０ｇ(収率３８.３％)のアリルトリクロロシランを得ることができた。
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、アリルトリクロロシランは、δ２.３６ｐｐｍ(ｄ、２Ｈ)でＣ-ＣＨ２-Ｓｉ、δ５.２２ｐｐｍ(ｍ、２Ｈ)でＣＨ２=、δ５.８０ｐｐｍ(ｍ、１Ｈ)でＣＨ=のピークを確認した。１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
〈実施例１６：４-クロロベンジルクロリドと(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランとの反応(触媒:テトラブチルホスホニウムクロリド)〉
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に５.３ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の４-クロロベンジルクロリド、７.５ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと０.９ｇ(０.００３ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１３０℃で４時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.８ｇ(収率５２.８％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、０.７ｇ(収率１２.３％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと３.３ｇ(収率４２.３％)の(４-クロロベンジル)トリクロロシランを得ることができた。
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に５.３ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の４-クロロベンジルクロリド、７.５ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと０.９ｇ(０.００３ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１３０℃で４時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.８ｇ(収率５２.８％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、０.７ｇ(収率１２.３％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと３.３ｇ(収率４２.３％)の(４-クロロベンジル)トリクロロシランを得ることができた。
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、(４-クロロベンジル)トリクロロシランは、δ２.９３ｐｐｍ(ｓ、２Ｈ)でＣ-ＣＨ２-Ｓｉ、δ７.３７ｐｐｍ(ｍ、４Ｈ)でＡｒ-Ｈのピークを確認した。１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
〈実施例１７：イソプロピルクロリドと(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランとの反応(触媒:テトラブチルホスホニウムクロリド)〉
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に２.４ｇ(０.０３０ｍｏｌ)のイソプロピルクロリド、７.５ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと０.９ｇ(０.００３ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１８０℃で１３時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.４ｇ(収率４２.４％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、１.０ｇ(収率１６.３％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと１.８ｇ(収率３３.３％)のイソプロピルトリクロロシランを得ることができた。
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に２.４ｇ(０.０３０ｍｏｌ)のイソプロピルクロリド、７.５ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと０.９ｇ(０.００３ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１８０℃で１３時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.４ｇ(収率４２.４％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、１.０ｇ(収率１６.３％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと１.８ｇ(収率３３.３％)のイソプロピルトリクロロシランを得ることができた。
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析結果、イソプロピルトリクロロシランは、δ１.１８ｐｐｍ(ｄ、６ｈ)でＣＨ-(ＣＨ３)２、δ１.５２ｐｐｍ(ｍ、１Ｈ)でＳｉ-ＣＨ-(ＣＨ３)２のピークを確認した。１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
〈実施例１８:１,３-ジクロロプロパンと(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランとの反応(触媒:テトラブチルホスホニウムクロリド)〉
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に１.７ｇ(０.０１５ｍｏｌ)の１,３-ジクロロプロパン、７.５ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと０.９ｇ(０.００３ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１５０℃の１０時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.６ｇ(収率４７.２％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、０.７ｇ(収率１１.８％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタン、２.５ｇ(収率５４.２％)のビス(トリクロロシリル)プロパンと０.４ｇ(収率１２.２％)の３-(クロロプロピル)トリクロロシランを得ることができた。
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に１.７ｇ(０.０１５ｍｏｌ)の１,３-ジクロロプロパン、７.５ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと０.９ｇ(０.００３ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１５０℃の１０時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.６ｇ(収率４７.２％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、０.７ｇ(収率１１.８％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタン、２.５ｇ(収率５４.２％)のビス(トリクロロシリル)プロパンと０.４ｇ(収率１２.２％)の３-(クロロプロピル)トリクロロシランを得ることができた。
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、１.３-ビス(トリクロロシリル)プロパンは、δ１.５６ｐｐｍ(ｍ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-、δ１.９２ｐｐｍ(ｍ、２Ｈ)でＣ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。３-(クロロプロピル)トリクロロシランは、δ１.５８ｐｐｍ(ｍ、２Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２、δ２.０６ｐｐｍ(ｍ、２Ｈ)でＣ-ＣＨ２-Ｃ、δ３.６１ｐｐｍ(ｔ、２Ｈ)でＣＨ２Ｃｌのピークを確認した。１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｍ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
〈実施例１９:４-メトキシベンジルクロリドと(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランとの反応(触媒:テトラブチルホスホニウムクロリド)〉
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に４.７ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の４-メトキシベンジルクロリド、７.５ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと０.９ｇ(０.００３ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１５０℃で４時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.９ｇ(収率５４.７％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、０.６４ｇ(収率１０.８％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと３.３ｇ(収率４２.４％)の(４-メトキシベンジル)トリクロロシランを得ることができた。
前記実施例１のような方法で、２５ｍｌのステンレススチール管に４.７ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の４-メトキシベンジルクロリド、７.５ｇ(０.０３０ｍｏｌ)の(トリクロロシリルメチル)ジクロロシランと０.９ｇ(０.００３ｍｏｌ)のテトラブチルホスホニウムクロリドを入れて１５０℃で４時間反応させ、反応物の減圧蒸留により１.９ｇ(収率５４.７％)の１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサン、０.６４ｇ(収率１０.８％)の１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンと３.３ｇ(収率４２.４％)の(４-メトキシベンジル)トリクロロシランを得ることができた。
得られた生成物は、３００ＭＨｚの水素核磁気共鳴分析の結果、(４-メトキシベンジル)トリクロロシランは、δ２.８８ｐｐｍ(ｓ、２Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃ、δ３.８３ｐｐｍで-Ｏ-ＣＨ３、δ７.１５ｐｐｍ(ｄ、２Ｈ)とδ６.９０ｐｐｍ(ｄ、２Ｈ)でＡｒ-Ｈのピークを確認した。１,１,３,３,５,５-ヘキサクロロ-１,３,５-トリシラシクロヘキサンは、δ１.４６ｐｐｍ(ｓ、６Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｓｉのピークを確認した。１,１,１,３,３,５,５,５-オクタクロロ-１,３,５-トリシラペンタンは、δ１.７１ｐｐｍ(ｓ、４Ｈ)でＳｉ-ＣＨ２-Ｃのピークを確認した。
Claims (9)
- ４次有機ホスホニウム塩触媒下で次の一般式(１)で表されるＳｉ-Ｈ結合を有するビスクロロシリルメタンを単独で反応させることにより、一般式(２)で表される環状または一般式(３)で表される直線状トリシラアルカンを製造する方法。
- 前記４次有機ホスホニウム塩触媒は次の一般式(４ａ)および(４ｂ)で表されることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
- 前記４次有機ホスホニウム塩触媒は、シリコンレジン、シリカ、無機錯体、および有機高分子からなる群より選ばれる１種以上の担体上に固定化された構造を持つことを特徴とする請求項１または２に記載の製造方法。
- 前記４次有機ホスホニウム塩触媒は、前記一般式(１)で表されるＳｉ-Ｈ結合を有するビスクロロシリルメタン１モルに対し０.０５〜０.５モルの範囲で含まれることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の製造方法。
- 前記反応は１０〜２５０℃の温度範囲で行われることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の製造方法。
- 前記反応は、反応溶媒が存在しない状態、又は芳香族炭化水素溶媒の存在下で行われることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の製造方法。
- 次の一般式(５)で表される有機塩化物をさらに含むことを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の製造方法。
Ｒ３は、水素原子;ハロゲン原子;炭素数１〜６の直線状又は環状アルキル基;又は-Ａｒ(Ｒ')ｑで表される芳香族基(ここで、Ａｒは炭素数６〜１４の芳香族炭化水素、Ｒ'は炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン、アルコキシ、又はビニル基であり、ｑは０〜５の整数である。)の中から選ばれるものである。 - 次の一般式(６)で表される有機トリクロロシラン誘導体がさらに得られることを特徴とする請求項７に記載の製造方法。
Ｒ４は、炭素数１〜６の直線状又は環状アルキル基;-ＳｉＣｌ３、-ＳｉＭｅＣｌ２、-ＳｉＨＣｌ２、-ＳｉＭｅ２Ｃｌおよび-ＳｉＭｅ３からなる群より選ばれるシラン誘導体残基;不飽和結合を含有する炭素数２〜５のアルケン基;-Ａｒ(Ｒ')ｑで表される芳香族基(ここで、Ａｒは炭素数６〜１４の芳香族炭化水素、Ｒ'は炭素数１〜４のアルキル基、ハロゲン、アルコキシ、又はビニル基であり、ｑは０〜５の整数である。);および前記一般式(５)のＲ２が-(ＣＨ２)ｐＣｌ、-Ａｒ(ＣＨ２)Ｃｌの場合、前記一般式(６)のＲ４はそれぞれ-(ＣＨ２)ｐＳｉＣｌ３、-Ａｒ(ＣＨ２)ＳｉＣｌ３である。 - 前記一般式(５)で表される有機塩化物は、前記一般式(１)で表されるＳｉ-Ｈ結合を有するビスクロロシリルメタン１モルに対し０.５〜８モルの範囲で反応させることを特徴とする請求項７または８に記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020080048681A KR100928942B1 (ko) | 2008-05-26 | 2008-05-26 | 직선형이나 고리형의 트리실라알칸의 제조방법 |
| KR10-2008-0048681 | 2008-05-26 | ||
| PCT/KR2009/002696 WO2009145523A2 (ko) | 2008-05-26 | 2009-05-22 | 직선형이나 고리형의 트리실라알칸의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2011521006A true JP2011521006A (ja) | 2011-07-21 |
| JP5474945B2 JP5474945B2 (ja) | 2014-04-16 |
Family
ID=41377750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2011511502A Expired - Fee Related JP5474945B2 (ja) | 2008-05-26 | 2009-05-22 | 直線状や環状トリシラアルカンの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8450515B2 (ja) |
| JP (1) | JP5474945B2 (ja) |
| KR (1) | KR100928942B1 (ja) |
| CN (1) | CN102076700A (ja) |
| WO (1) | WO2009145523A2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017503797A (ja) * | 2014-01-09 | 2017-02-02 | サノフイ | インスリンアスパルトの安定化された医薬製剤 |
| JP2020143105A (ja) * | 2014-01-09 | 2020-09-10 | サノフイＳａｎｏｆｉ | インスリンアスパルトの安定化された医薬製剤 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20180033614A1 (en) * | 2016-07-27 | 2018-02-01 | Versum Materials Us, Llc | Compositions and Methods Using Same for Carbon Doped Silicon Containing Films |
| WO2023220650A1 (en) * | 2022-05-13 | 2023-11-16 | Versum Materials Us, Llc | Compositions and methods using same for carbon doped silicon containing films |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2381000A (en) * | 1942-03-04 | 1945-08-07 | Gen Electric | Halogenated organosilicon compounds |
| JPH05202069A (ja) * | 1991-06-14 | 1993-08-10 | Korea Advanced Inst Of Sci Technol | １，３−ジシラシクロブタン誘導体及びその製造方法 |
| JPH06340676A (ja) * | 1991-01-22 | 1994-12-13 | Korea Advanced Inst Of Sci Technol | シラアルカン類の製造方法 |
| JP2000297091A (ja) * | 1999-04-13 | 2000-10-24 | Korea Advanced Inst Of Sci Technol | 有機ケイ素化合物の製造方法 |
| JP2002167391A (ja) * | 2000-11-01 | 2002-06-11 | Korea Inst Of Science & Technology | 有機シランの製造方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02145590A (ja) | 1988-11-26 | 1990-06-05 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 新規ジシラシクロヘキサン化合物及びその製造方法 |
| KR940010291B1 (ko) * | 1992-01-23 | 1994-10-22 | 한국과학기술연구원 | 비스실릴알칸 및 그들의 제조방법 |
| US5998649A (en) * | 1999-05-17 | 1999-12-07 | Jung; Il Nam | Organosilicon compounds and method for preparation |
| US6392077B1 (en) * | 2000-11-01 | 2002-05-21 | Korea Institute Of Science And Technology | Process for preparing organochlorosilanes by dehydrohalogenative coupling reaction of alkyl halides with chlorosilanes |
-
2008
- 2008-05-26 KR KR1020080048681A patent/KR100928942B1/ko active IP Right Grant
-
2009
- 2009-05-22 WO PCT/KR2009/002696 patent/WO2009145523A2/ko active Application Filing
- 2009-05-22 CN CN2009801246773A patent/CN102076700A/zh active Pending
- 2009-05-22 US US12/994,818 patent/US8450515B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-05-22 JP JP2011511502A patent/JP5474945B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2381000A (en) * | 1942-03-04 | 1945-08-07 | Gen Electric | Halogenated organosilicon compounds |
| JPH06340676A (ja) * | 1991-01-22 | 1994-12-13 | Korea Advanced Inst Of Sci Technol | シラアルカン類の製造方法 |
| JPH05202069A (ja) * | 1991-06-14 | 1993-08-10 | Korea Advanced Inst Of Sci Technol | １，３−ジシラシクロブタン誘導体及びその製造方法 |
| JP2000297091A (ja) * | 1999-04-13 | 2000-10-24 | Korea Advanced Inst Of Sci Technol | 有機ケイ素化合物の製造方法 |
| JP2002167391A (ja) * | 2000-11-01 | 2002-06-11 | Korea Inst Of Science & Technology | 有機シランの製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2017503797A (ja) * | 2014-01-09 | 2017-02-02 | サノフイ | インスリンアスパルトの安定化された医薬製剤 |
| JP2020143105A (ja) * | 2014-01-09 | 2020-09-10 | サノフイＳａｎｏｆｉ | インスリンアスパルトの安定化された医薬製剤 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8450515B2 (en) | 2013-05-28 |
| WO2009145523A3 (ko) | 2010-02-25 |
| KR100928942B1 (ko) | 2009-11-30 |
| US20110077420A1 (en) | 2011-03-31 |
| CN102076700A (zh) | 2011-05-25 |
| WO2009145523A2 (ko) | 2009-12-03 |
| JP5474945B2 (ja) | 2014-04-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101263789B1 (ko) | 유기 클로로하이드로실란과 이의 제조방법 | |
| KR101362903B1 (ko) | 아미노실란 및 이를 제조하는 방법 | |
| JP6349246B2 (ja) | 環状シラン中性錯体の製造方法および環状水素化シランもしくは環状有機シランの製造方法 | |
| JP5474945B2 (ja) | 直線状や環状トリシラアルカンの製造方法 | |
| WO2015093592A1 (ja) | 環状シラン中性錯体、その製造方法および環状水素化シランもしくは環状有機シランの製造方法 | |
| US8415494B2 (en) | Silyl substituted 1,4-disilacyclohexane derivatives and preparation method thereof | |
| US6392077B1 (en) | Process for preparing organochlorosilanes by dehydrohalogenative coupling reaction of alkyl halides with chlorosilanes | |
| JP4336674B2 (ja) | （有機チオメチル）クロロシラン誘導体およびその製造方法 | |
| KR20140093946A (ko) | 다이오가노다이할로실란의 제조 방법 | |
| CN1298725C (zh) | 制备苯基有机硅中间体的方法 | |
| JP6906424B2 (ja) | アミノシラン類の製造方法 | |
| JP3612504B2 (ja) | 有機シランの製造方法 | |
| US11261202B2 (en) | Catalytic reduction of halogenated carbosilanes and halogenated carbodisilanes | |
| JPH0662645B2 (ja) | メチルクロロシランの製法 | |
| KR100491960B1 (ko) | 이중 규소화반응에 의한 유기 규소화합물의 제조방법 | |
| KR20200015644A (ko) | 폴리실릴알칸의 제조방법 | |
| KR100923775B1 (ko) | 폴리염화카보실란의 제조방법 | |
| JP4001282B2 (ja) | 共役ジエン類のシリル化反応による有機ケイ素化合物の製造方法 | |
| US5550269A (en) | Method for redistribution of trichlorosilane | |
| KR20150101288A (ko) | 폴리실릴알칸의 제조방법 | |
| Jung et al. | Si–C coupling reaction of polychloromethanes with HSiCl3 in the presence of Bu4PCl: Convenient synthetic method for bis (chlorosilyl) methanes | |
| KR20160036020A (ko) | 폴리실릴알칸의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120410 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130829 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130903 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131203 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140107 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140205 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |