JPH06334052A - 光半導体素子収納用パッケージ - Google Patents
光半導体素子収納用パッケージInfo
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- JPH06334052A JPH06334052A JP5125621A JP12562193A JPH06334052A JP H06334052 A JPH06334052 A JP H06334052A JP 5125621 A JP5125621 A JP 5125621A JP 12562193 A JP12562193 A JP 12562193A JP H06334052 A JPH06334052 A JP H06334052A
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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Abstract
(57)【要約】
【目的】光ファイバーを金属枠体に強固に固定し、内部
に収容する光半導体素子と外部との光信号の授受を良好
に行うことができる光半導体素子収納用パッケージを提
供することにある。 【構成】上面に光半導体素子４が載置される載置部１ａ
を有する金属基体１と、前記金属基体１上に光半導体素
子載置部１ａを囲繞するようにして接合され、側部に光
ファイバー１０を溶接固定する溶接面９ａを有する固定
部材９が配された金属枠体２と、前記金属枠体２の上面
に取着され、光半導体素子４を気密に封止する金属蓋体
３とから成る光半導体素子収納用パッケージであって、
前記金属基体１及び金属枠体２の露出する表面にニッケ
ルから成る第１メッキ層Ａと金から成る第２メッキ層Ｂ
が順次被着され、且つ固定部材９の溶接面９ａにニッケ
ルから成る第１メッキ層Ａが被着されている。
に収容する光半導体素子と外部との光信号の授受を良好
に行うことができる光半導体素子収納用パッケージを提
供することにある。 【構成】上面に光半導体素子４が載置される載置部１ａ
を有する金属基体１と、前記金属基体１上に光半導体素
子載置部１ａを囲繞するようにして接合され、側部に光
ファイバー１０を溶接固定する溶接面９ａを有する固定
部材９が配された金属枠体２と、前記金属枠体２の上面
に取着され、光半導体素子４を気密に封止する金属蓋体
３とから成る光半導体素子収納用パッケージであって、
前記金属基体１及び金属枠体２の露出する表面にニッケ
ルから成る第１メッキ層Ａと金から成る第２メッキ層Ｂ
が順次被着され、且つ固定部材９の溶接面９ａにニッケ
ルから成る第１メッキ層Ａが被着されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光半導体素子を収容す
る光半導体素子収納用パッケージに関し、より詳細には
光半導体素子を気密に封止し、且つ光半導体素子と光信
号の授受を行うための光ファイバーを固定可能な光半導
体素子収納用パッケージに関する。
る光半導体素子収納用パッケージに関し、より詳細には
光半導体素子を気密に封止し、且つ光半導体素子と光信
号の授受を行うための光ファイバーを固定可能な光半導
体素子収納用パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光半導体素子を収容するための光
半導体素子収納用パッケージは、鉄−ニッケル−コバル
ト合金や銅−タングステン合金等の金属から成り、上面
中央部に光半導体素子を搭載する載置部を有し、該載置
部周辺に複数の外部リード端子が絶縁部材を介し上面か
ら下面に貫通するようして固定された金属基体と、前記
載置部を囲繞するようにして金属基体上に銀ロウ等のロ
ウ材を介して接合され、側部に光半導体素子と外部との
光信号の授受を行う光ファイバーが貫通固定される固定
部材が配された金属枠体と、前記金属枠体の上面に接合
され、光半導体素子を気密に封止する金属蓋体とから構
成され、前記金属基体の載置部に光半導体素子を接着固
定するとともに該光半導体素子の各電極をボンディング
ワイヤを介して外部リード端子に電気的に接続し、次に
前記金属枠体上面に金属蓋体を接合させ、金属基体と金
属枠体と金属蓋体とから成る容器の内部に光半導体素子
を気密に収容し、最後に金属枠体の固定部材に光ファイ
バーをレーザー溶接により溶接固定することによって製
品としての光半導体装置となる。
半導体素子収納用パッケージは、鉄−ニッケル−コバル
ト合金や銅−タングステン合金等の金属から成り、上面
中央部に光半導体素子を搭載する載置部を有し、該載置
部周辺に複数の外部リード端子が絶縁部材を介し上面か
ら下面に貫通するようして固定された金属基体と、前記
載置部を囲繞するようにして金属基体上に銀ロウ等のロ
ウ材を介して接合され、側部に光半導体素子と外部との
光信号の授受を行う光ファイバーが貫通固定される固定
部材が配された金属枠体と、前記金属枠体の上面に接合
され、光半導体素子を気密に封止する金属蓋体とから構
成され、前記金属基体の載置部に光半導体素子を接着固
定するとともに該光半導体素子の各電極をボンディング
ワイヤを介して外部リード端子に電気的に接続し、次に
前記金属枠体上面に金属蓋体を接合させ、金属基体と金
属枠体と金属蓋体とから成る容器の内部に光半導体素子
を気密に収容し、最後に金属枠体の固定部材に光ファイ
バーをレーザー溶接により溶接固定することによって製
品としての光半導体装置となる。
【０００３】かかる光半導体装置は外部電気回路から供
給される駆動信号によって光半導体素子に光を励起さ
せ、該励起させた光を光ファイバーを介して外部に伝達
することによって高速光通信等に使用される光半導体装
置として機能する。
給される駆動信号によって光半導体素子に光を励起さ
せ、該励起させた光を光ファイバーを介して外部に伝達
することによって高速光通信等に使用される光半導体装
置として機能する。
【０００４】尚、前記光半導体素子収納用パッケージは
金属基体及び金属枠体の表面にニッケルから成る第１メ
ッキ層及び金から成る第２メッキ層がこの順に所定厚み
に被着されており、前記ニッケルから成る第１メッキ層
及び金から成る第２メッキ層により金属基体及び金属枠
体が酸化腐食するのを有効に防止するとともに金属基体
の載置部に光半導体素子が強固に接着固定されるように
なっている。
金属基体及び金属枠体の表面にニッケルから成る第１メ
ッキ層及び金から成る第２メッキ層がこの順に所定厚み
に被着されており、前記ニッケルから成る第１メッキ層
及び金から成る第２メッキ層により金属基体及び金属枠
体が酸化腐食するのを有効に防止するとともに金属基体
の載置部に光半導体素子が強固に接着固定されるように
なっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の光半導体素子収納用パッケージによれば金属基体及
び金属枠体表面に被着された金から成る第２メッキ層が
レーザー光線を反射させ易いことから、光ファイバーを
レーザー光線の照射により金属枠体の固定部材に固定す
る際、レーザー光線が固定部材に被着されている金メッ
キにより反射を受けて光ファイバーを固定部材に強固に
溶接することができず、その結果、光ファイバーの金属
枠体への固定が不安定となって内部に収容する光半導体
素子と外部との光信号の授受を良好に行うことができな
いという欠点を有していた。
来の光半導体素子収納用パッケージによれば金属基体及
び金属枠体表面に被着された金から成る第２メッキ層が
レーザー光線を反射させ易いことから、光ファイバーを
レーザー光線の照射により金属枠体の固定部材に固定す
る際、レーザー光線が固定部材に被着されている金メッ
キにより反射を受けて光ファイバーを固定部材に強固に
溶接することができず、その結果、光ファイバーの金属
枠体への固定が不安定となって内部に収容する光半導体
素子と外部との光信号の授受を良好に行うことができな
いという欠点を有していた。
【０００６】
【発明の目的】本発明は上記欠点に鑑み案出されたもの
であり、その目的は光ファイバーをパッケージ本体に強
固に固定し、内部に収容する光半導体素子と外部との光
信号の授受を良好に行うことができる光半導体素子収納
用パッケージを提供することにある。
であり、その目的は光ファイバーをパッケージ本体に強
固に固定し、内部に収容する光半導体素子と外部との光
信号の授受を良好に行うことができる光半導体素子収納
用パッケージを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上面に光半導
体素子が載置される載置部を有する金属基体と、前記金
属基体上に光半導体素子載置部を囲繞するようにして接
合され、側部に光ファイバーを溶接固定する溶接面を有
する固定部材が配された金属枠体と、前記金属枠体の上
面に取着され、光半導体素子を気密に封止する金属蓋体
とから成る光半導体素子収納用パッケージにおいて、前
記金属基体及び金属枠体の露出する表面にニッケルから
成る第１メッキ層と金から成る第２メッキ層が順次被着
され、且つ固定部材の溶接面にニッケルから成る第１メ
ッキ層が被着されていることを特徴とするものである。
体素子が載置される載置部を有する金属基体と、前記金
属基体上に光半導体素子載置部を囲繞するようにして接
合され、側部に光ファイバーを溶接固定する溶接面を有
する固定部材が配された金属枠体と、前記金属枠体の上
面に取着され、光半導体素子を気密に封止する金属蓋体
とから成る光半導体素子収納用パッケージにおいて、前
記金属基体及び金属枠体の露出する表面にニッケルから
成る第１メッキ層と金から成る第２メッキ層が順次被着
され、且つ固定部材の溶接面にニッケルから成る第１メ
ッキ層が被着されていることを特徴とするものである。
【０００８】
【作用】本発明の光半導体素子収納用パッケージによれ
ば、固定部材の溶接面にレーザー光線を反射させ易い金
メッキ層を被着させておらず、その結果、固定部材の溶
接面でレーザー光線を反射させることなく光ファイバー
をレーザー光線の照射による溶接により固定部材に強固
に固定することができる。
ば、固定部材の溶接面にレーザー光線を反射させ易い金
メッキ層を被着させておらず、その結果、固定部材の溶
接面でレーザー光線を反射させることなく光ファイバー
をレーザー光線の照射による溶接により固定部材に強固
に固定することができる。
【０００９】
【実施例】次に本発明を添付の図面に基づき詳細に説明
する。
する。
【００１０】図１は本発明の光半導体素子収納用パッケ
ージの一実施例を示す断面図であり、１は金属基体、２
は金属枠体、３は金属蓋体である。
ージの一実施例を示す断面図であり、１は金属基体、２
は金属枠体、３は金属蓋体である。
【００１１】前記金属基体１は、例えば鉄−ニッケル−
コバルト合金や銅−タングステン合金等の金属から成る
略矩形状の平板であり、その上面中央部に光半導体素子
４を載置するための載置部１ａが形成されており、該載
置部１ａには光半導体素子４が間にペルチェ素子５等を
挟んで金−シリコンロウ材等の接着材により接着固定さ
れる。
コバルト合金や銅−タングステン合金等の金属から成る
略矩形状の平板であり、その上面中央部に光半導体素子
４を載置するための載置部１ａが形成されており、該載
置部１ａには光半導体素子４が間にペルチェ素子５等を
挟んで金−シリコンロウ材等の接着材により接着固定さ
れる。
【００１２】前記金属基体１はその外表面にニッケルか
ら成る第１メッキ層Ａ及び金から成る第２メッキ層Ｂが
順次所定厚み被着されており、これによって金属基体１
が酸化腐食するのを有効に防止するとともに載置部１ａ
に半導体素子４が強固に固着されるようになっている。
ら成る第１メッキ層Ａ及び金から成る第２メッキ層Ｂが
順次所定厚み被着されており、これによって金属基体１
が酸化腐食するのを有効に防止するとともに載置部１ａ
に半導体素子４が強固に固着されるようになっている。
【００１３】尚、前記金属基体１に被着されたニッケル
から成る第１メッキ層Ａは金属基体１が酸化腐食するの
を有効に防止するとともに金から成る第２メッキ層Ｂの
金属基体１への被着を強固とするための下地金属として
作用し、また前記金属基体１に被着される金から成る第
２メッキ層Ｂは半導体素子４の載置部１ａへの取着を強
固と為すとともに金属基体１が酸化腐食するのを更に有
効に防止する作用を為す。
から成る第１メッキ層Ａは金属基体１が酸化腐食するの
を有効に防止するとともに金から成る第２メッキ層Ｂの
金属基体１への被着を強固とするための下地金属として
作用し、また前記金属基体１に被着される金から成る第
２メッキ層Ｂは半導体素子４の載置部１ａへの取着を強
固と為すとともに金属基体１が酸化腐食するのを更に有
効に防止する作用を為す。
【００１４】また前記金属基体１は、載置部１ａの周辺
に該金属基体１を貫通する複数個の外部リード端子６が
ガラス等の絶縁部材７を介して固定されている。
に該金属基体１を貫通する複数個の外部リード端子６が
ガラス等の絶縁部材７を介して固定されている。
【００１５】前記外部リード端子６は、例えば鉄−ニッ
ケル−コバルト合金、鉄−ニッケル合金等の金属から成
る円柱状の棒材であり、光半導体素子４の各電極を外部
の電気回路に電気的に接続する作用を為し、その一端に
光半導体素子４の電極がボンディングワイヤ８を介して
接続され、また他端側は外部電気回路に半田等のロウ材
を介して接続される。
ケル−コバルト合金、鉄−ニッケル合金等の金属から成
る円柱状の棒材であり、光半導体素子４の各電極を外部
の電気回路に電気的に接続する作用を為し、その一端に
光半導体素子４の電極がボンディングワイヤ８を介して
接続され、また他端側は外部電気回路に半田等のロウ材
を介して接続される。
【００１６】前記外部リード端子６の金属基体１への固
定は、金属基体１に外部リード端子６より若干大きな径
の孔をあけておき、この孔にリング状のガラスからなる
絶縁部材７と外部リード端子６を挿通させ、しかる後、
前記ガラスから成る絶縁部材７を加熱溶融させることに
よって行われる。
定は、金属基体１に外部リード端子６より若干大きな径
の孔をあけておき、この孔にリング状のガラスからなる
絶縁部材７と外部リード端子６を挿通させ、しかる後、
前記ガラスから成る絶縁部材７を加熱溶融させることに
よって行われる。
【００１７】尚、前記外部リード端子６はその表面にニ
ッケルメッキ層、金メッキ層等の耐食性に優れロウ材と
濡れ性に優れるメッキ金属層を１．０乃至２０．０μｍ
の厚みに層着させておくと外部リード端子６の酸化腐食
が有効に防止されるとともに外部リード端子６とボンデ
ィングワイヤ８との接続を強固なものとなすことができ
る。従って、前記外部リード端子６にはその表面にニッ
ケルメッキ層、金メッキ層等の耐食性に優れロウ材と濡
れ性に優れるメッキ金属層を１．０乃至２０．０μｍの
厚みに層着させておくことが好ましい。
ッケルメッキ層、金メッキ層等の耐食性に優れロウ材と
濡れ性に優れるメッキ金属層を１．０乃至２０．０μｍ
の厚みに層着させておくと外部リード端子６の酸化腐食
が有効に防止されるとともに外部リード端子６とボンデ
ィングワイヤ８との接続を強固なものとなすことができ
る。従って、前記外部リード端子６にはその表面にニッ
ケルメッキ層、金メッキ層等の耐食性に優れロウ材と濡
れ性に優れるメッキ金属層を１．０乃至２０．０μｍの
厚みに層着させておくことが好ましい。
【００１８】更に前記金属基体１の上面には、載置部１
ａを囲繞するようにして筒状の金属枠体２が接合されて
おり、これにより内部に光半導体素子４を収容するため
の空所が形成される。
ａを囲繞するようにして筒状の金属枠体２が接合されて
おり、これにより内部に光半導体素子４を収容するため
の空所が形成される。
【００１９】前記金属枠体２は、例えば鉄−ニッケル−
コバルト合金、鉄−ニッケル合金等の金属から成り、金
属基体１への接合は銀ロウ等のロウ材を介してロウ付け
することによって行われる。
コバルト合金、鉄−ニッケル合金等の金属から成り、金
属基体１への接合は銀ロウ等のロウ材を介してロウ付け
することによって行われる。
【００２０】また前記金属枠体２はその外表面にニッケ
ルから成る第１メッキ層Ａ及び金から成る第２メッキ層
Ｂが順次被着されており、これによって金属枠体２の酸
化腐食が有効に防止されている。
ルから成る第１メッキ層Ａ及び金から成る第２メッキ層
Ｂが順次被着されており、これによって金属枠体２の酸
化腐食が有効に防止されている。
【００２１】尚、前記金属枠体１に被着されたニッケル
から成る第１メッキ層Ａは金属枠体２が酸化腐食するの
を有効に防止するとともに金から成る第２メッキ層Ｂの
金属枠体２への被着を強固とするための下地金属として
作用し、また前記金属枠体２に被着される金から成る第
２メッキ層Ｂは金属枠体２が酸化腐食するのを更に有効
に防止する作用を為す。
から成る第１メッキ層Ａは金属枠体２が酸化腐食するの
を有効に防止するとともに金から成る第２メッキ層Ｂの
金属枠体２への被着を強固とするための下地金属として
作用し、また前記金属枠体２に被着される金から成る第
２メッキ層Ｂは金属枠体２が酸化腐食するのを更に有効
に防止する作用を為す。
【００２２】また、前記金属枠体２には内部に収容する
光半導体素子４との間で光信号を授受するための光ファ
イバー１０が接続固定される固定部材９が該金属枠体２
を貫通して設けられている。
光半導体素子４との間で光信号を授受するための光ファ
イバー１０が接続固定される固定部材９が該金属枠体２
を貫通して設けられている。
【００２３】前記固定部材９は例えば鉄−ニッケル−コ
バルト合金、鉄−ニッケル合金等の金属から成る円筒状
部材であり、金属枠体２に設けた貫通孔２ａに挿入され
るとともに該金属枠体２に銀ロウ等のロウ材を介して接
合されている。
バルト合金、鉄−ニッケル合金等の金属から成る円筒状
部材であり、金属枠体２に設けた貫通孔２ａに挿入され
るとともに該金属枠体２に銀ロウ等のロウ材を介して接
合されている。
【００２４】前記固定部材９は、その外端面が光ファイ
バー１０を固定するための溶接面９ａを形成しており、
該溶接面９ａには光ファイバー１０に予め取着されたフ
ランジ１１がレーザー光線の照射により溶接固定され、
これにより該光ファイバー１０を介して内部に収容する
光半導体素子４と外部との光信号の授受が可能となる。
バー１０を固定するための溶接面９ａを形成しており、
該溶接面９ａには光ファイバー１０に予め取着されたフ
ランジ１１がレーザー光線の照射により溶接固定され、
これにより該光ファイバー１０を介して内部に収容する
光半導体素子４と外部との光信号の授受が可能となる。
【００２５】前記固定部材９はまたその表面にニッケル
から成る第１メッキ層Ａが被着され、更に溶接面９ａを
除く表面に金から成る第２メッキ層Ｂが順次被着されて
おり、これによって固定部材９の酸化腐食を有効に防止
している。
から成る第１メッキ層Ａが被着され、更に溶接面９ａを
除く表面に金から成る第２メッキ層Ｂが順次被着されて
おり、これによって固定部材９の酸化腐食を有効に防止
している。
【００２６】また前記固定部材９に被着されたニッケル
から成る第１メッキ層Ａは固定部材９が酸化腐食するの
を有効に防止するとともに金から成る第２メッキ層Ｂの
固定部材２への被着を強固とするための下地金属として
作用し、また前記固定部材９の溶接面９ａを除く表面に
被着される金から成る第２メッキ層Ｂは固定部材９が酸
化腐食するのを更に有効に防止する作用を為す。
から成る第１メッキ層Ａは固定部材９が酸化腐食するの
を有効に防止するとともに金から成る第２メッキ層Ｂの
固定部材２への被着を強固とするための下地金属として
作用し、また前記固定部材９の溶接面９ａを除く表面に
被着される金から成る第２メッキ層Ｂは固定部材９が酸
化腐食するのを更に有効に防止する作用を為す。
【００２７】更に前記固定部材９はその溶接面９ａにレ
ーザー光線を反射させ易い金メッキ層が被着されていな
いので光ファイバー１０のフランジ１１をレーザー溶接
により固定部材９に強固に固定することができ、その結
果、内部に収容する光半導体素子４と外部との光信号の
授受を良好に行うことができる。
ーザー光線を反射させ易い金メッキ層が被着されていな
いので光ファイバー１０のフランジ１１をレーザー溶接
により固定部材９に強固に固定することができ、その結
果、内部に収容する光半導体素子４と外部との光信号の
授受を良好に行うことができる。
【００２８】尚、前記金属固定部材９表面へのニッケル
から成る第１メッキ層Ａ及び金から成る第２メッキ層Ｂ
の被着は金属基体１及び金属枠体２の表面にニッケルか
ら成る第１メッキ層Ａ及び金から成る第２メッキ層Ｂを
被着させるのと同時に所定厚みに行われ、具体的には先
ず従来周知の電解メッキ法や無電解メッキ法を用いて金
属基体１、金属枠体２及び固定部材９の表面全面にニッ
ケルから成る第１メッキ層Ａを被着させ、次に前記固定
部材９の溶接面９ａに例えばマスキングテープ等のマス
ク材を密着させるとともに従来周知の電解メッキや無電
解メッキ法を採用して金属基体１、金属枠体２の表面及
び溶接面９ａを除く固定部材９の表面に金から成る第２
メッキ層Ｂを被着させ、しかる後、前記固定部材９の溶
接面９ａからマスク材を剥離させることによって行われ
る。
から成る第１メッキ層Ａ及び金から成る第２メッキ層Ｂ
の被着は金属基体１及び金属枠体２の表面にニッケルか
ら成る第１メッキ層Ａ及び金から成る第２メッキ層Ｂを
被着させるのと同時に所定厚みに行われ、具体的には先
ず従来周知の電解メッキ法や無電解メッキ法を用いて金
属基体１、金属枠体２及び固定部材９の表面全面にニッ
ケルから成る第１メッキ層Ａを被着させ、次に前記固定
部材９の溶接面９ａに例えばマスキングテープ等のマス
ク材を密着させるとともに従来周知の電解メッキや無電
解メッキ法を採用して金属基体１、金属枠体２の表面及
び溶接面９ａを除く固定部材９の表面に金から成る第２
メッキ層Ｂを被着させ、しかる後、前記固定部材９の溶
接面９ａからマスク材を剥離させることによって行われ
る。
【００２９】また更に前記金属枠体２の上面には、例え
ば鉄−ニッケル−コバルト合金、鉄−ニッケル合金等の
金属から成る略矩形平板状の金属蓋体３が接合され、こ
れにより金属基体１と金属枠体２と金属蓋体３とから成
る容器の内部に光半導体素子４が気密に封止されること
となる。
ば鉄−ニッケル−コバルト合金、鉄−ニッケル合金等の
金属から成る略矩形平板状の金属蓋体３が接合され、こ
れにより金属基体１と金属枠体２と金属蓋体３とから成
る容器の内部に光半導体素子４が気密に封止されること
となる。
【００３０】前記金属蓋体３の金属枠体２上面への接合
は例えばシームウエルド法等の溶接によって行われる。
は例えばシームウエルド法等の溶接によって行われる。
【００３１】かくして本発明の光半導体素子収納用パッ
ケージによれば金属基体１の載置部１ａに光半導体素子
４を接着固定するとともに光半導体素子４の各電極をボ
ンディングワイヤ８を介して外部リード端子６に電気的
に接続し、次に金属枠体２の上面に金属蓋体３を接合さ
せ、金属基体１と金属枠体２と金属蓋体３とから成る容
器内部に光半導体素子４を収容し、最後に金属枠体２の
固定部材９に光ファイバー１０のフランジ１１をレーザ
ー溶接によって接合させ、光ファイバー１０を金属枠体
２に固定することによって最終製品としての光半導体装
置として機能し、光ファイバー１０を介して内部に収容
する光半導体素子４と外部との光信号の授受が可能とな
る。
ケージによれば金属基体１の載置部１ａに光半導体素子
４を接着固定するとともに光半導体素子４の各電極をボ
ンディングワイヤ８を介して外部リード端子６に電気的
に接続し、次に金属枠体２の上面に金属蓋体３を接合さ
せ、金属基体１と金属枠体２と金属蓋体３とから成る容
器内部に光半導体素子４を収容し、最後に金属枠体２の
固定部材９に光ファイバー１０のフランジ１１をレーザ
ー溶接によって接合させ、光ファイバー１０を金属枠体
２に固定することによって最終製品としての光半導体装
置として機能し、光ファイバー１０を介して内部に収容
する光半導体素子４と外部との光信号の授受が可能とな
る。
【００３２】尚、本発明は上述の実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能である。
のではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種
々の変更は可能である。
【００３３】
【発明の効果】本発明の光半導体素子収納用パッケージ
によれば、固定部材の溶接面にはレーザー光線を反射さ
せ易い金メッキ層が被着されていないことから、固定部
材に光ファイバーをレーザー溶接により強固に接合させ
ることが可能となり、その結果、光ファイバーの金属枠
体への固定が安定となって内部に収容する光半導体素子
と外部との光信号の授受を良好に行うことができる。
によれば、固定部材の溶接面にはレーザー光線を反射さ
せ易い金メッキ層が被着されていないことから、固定部
材に光ファイバーをレーザー溶接により強固に接合させ
ることが可能となり、その結果、光ファイバーの金属枠
体への固定が安定となって内部に収容する光半導体素子
と外部との光信号の授受を良好に行うことができる。
【図１】本発明の光半導体素子収納用パッケージの一実
施例を示す断面図である。
施例を示す断面図である。
１・・・金属基体 ２・・・金属枠体 ３・・・金属蓋体 ４・・・光半導体素子 ９・・・固定部材 ９ａ・・溶接面 １０・・・光ファイバー
Claims (1)
- 【請求項１】上面に光半導体素子が載置される載置部を
有する金属基体と、前記金属基体上に光半導体素子載置
部を囲繞するようにして接合され、側部に光ファイバー
を溶接固定する溶接面を有する固定部材が配された金属
枠体と、前記金属枠体の上面に取着され、光半導体素子
を気密に封止する金属蓋体とから成る光半導体素子収納
用パッケージにおいて、前記金属基体及び金属枠体の露
出する表面にニッケルから成る第１メッキ層と金から成
る第２メッキ層が順次被着され、且つ固定部材の溶接面
にニッケルから成る第１メッキ層が被着されていること
を特徴とする光半導体素子収納用パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5125621A JP2750258B2 (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | 光半導体素子収納用パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5125621A JP2750258B2 (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | 光半導体素子収納用パッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06334052A true JPH06334052A (ja) | 1994-12-02 |
| JP2750258B2 JP2750258B2 (ja) | 1998-05-13 |
Family
ID=14914605
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5125621A Expired - Lifetime JP2750258B2 (ja) | 1993-05-27 | 1993-05-27 | 光半導体素子収納用パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2750258B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0513369A1 (en) * | 1990-11-08 | 1992-11-19 | Fanuc Ltd. | Numerically controlled device with working simulation function |
-
1993
- 1993-05-27 JP JP5125621A patent/JP2750258B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0513369A1 (en) * | 1990-11-08 | 1992-11-19 | Fanuc Ltd. | Numerically controlled device with working simulation function |
| EP0513369B1 (en) * | 1990-11-08 | 1996-06-12 | Fanuc Ltd. | Numerically controlled device with working simulation function |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2750258B2 (ja) | 1998-05-13 |
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