JPH06329775A - 全芳香族液晶性ポリエステル - Google Patents
全芳香族液晶性ポリエステルInfo
- Publication number
- JPH06329775A JPH06329775A JP11981793A JP11981793A JPH06329775A JP H06329775 A JPH06329775 A JP H06329775A JP 11981793 A JP11981793 A JP 11981793A JP 11981793 A JP11981793 A JP 11981793A JP H06329775 A JPH06329775 A JP H06329775A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- hydroxy
- group
- structural unit
- units
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Polyesters Or Polycarbonates (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 ビフェニル残基〔Ｉ〕、ハイドロキノン残基
〔II〕、芳香族ジカルボン酸残基〔III〕および芳香族
ヒドロキシカルボン酸残基〔IＶ〕より構成され、各構
成単位は、互いにエステル結合で連結され、構造単位
（〔Ｉ〕＋〔II〕）と構造単位〔III〕は実質的に当量
であり、構造単位〔Ｉ〕のモル数と構造単位〔II〕のモ
ル数との比が５／９５〜１００／０、構造単位〔IＶ〕
が全構成モノマーに対して０.１〜９０モル％であり、
溶融温度が２００℃以上である全芳香族液晶性ポリエス
テル。 【効果】 優れた耐熱性、機械的性質と成形加工性があ
るので、三次元成形品、フィルム、繊維、容器などに加
工することが可能である。また、他の熱可塑性樹脂と混
合することによってポリマーアロイ化することもでき
る。
〔II〕、芳香族ジカルボン酸残基〔III〕および芳香族
ヒドロキシカルボン酸残基〔IＶ〕より構成され、各構
成単位は、互いにエステル結合で連結され、構造単位
（〔Ｉ〕＋〔II〕）と構造単位〔III〕は実質的に当量
であり、構造単位〔Ｉ〕のモル数と構造単位〔II〕のモ
ル数との比が５／９５〜１００／０、構造単位〔IＶ〕
が全構成モノマーに対して０.１〜９０モル％であり、
溶融温度が２００℃以上である全芳香族液晶性ポリエス
テル。 【効果】 優れた耐熱性、機械的性質と成形加工性があ
るので、三次元成形品、フィルム、繊維、容器などに加
工することが可能である。また、他の熱可塑性樹脂と混
合することによってポリマーアロイ化することもでき
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、新規な全芳香族液晶性
ポリエステルに関するものである。さらに詳しくは本発
明は、耐熱性に優れ、かつ溶融時に光学的異方性を示
し、成形加工性に優れた全芳香族液晶性ポリエステルに
関するものである。ている。
ポリエステルに関するものである。さらに詳しくは本発
明は、耐熱性に優れ、かつ溶融時に光学的異方性を示
し、成形加工性に優れた全芳香族液晶性ポリエステルに
関するものである。ている。
【０００２】
【従来の技術】近年、電気、電子分野、自動車分野の発
展に伴い、プラスチックスに対しても高性能化の要求が
高まり、数多くのプラスチックスが開発され、市場に提
供されている。中でも、溶融時に光学的異方性を示し、
分子鎖が平行に配列する一群の高分子化合物は、サーモ
トロピック液晶性ポリマーと呼ばれ、成形加工性に優れ
ると共に、成形体の機械的性質が向上することから注目
を集めている。液晶性ポリエステルとしては、ｐ−ヒド
ロキシ安息香酸、４,４'−ビフェノールおよびテレフタ
ル酸より得られるポリエステル（特公昭４７−４７８７
０号公報）、ｐ−ヒドロキシ安息香酸およびヒドロキシ
ナフトエ酸より得られるポリエステル（特開昭５４−７
７６９１号公報）、ポリエチレンテレフタレート単位と
ｐ−ヒドロキシ安息香酸単位とのエステル結合のみから
なる共重合ポリエステル（Ｗ.Ｊ.Ｊacksonら、Ｊ.Ｐoly
m．Ｓci．Ｐolym．Ｃhem.ＥＤ．）１４巻、２０４３頁
（１９７６）、米国特許第３８０４８０５号、特開昭５
１−８３９５号公報等）などが知られている。しかしな
がら、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、４,４'−ビフェノール
およびテレフタル酸より得られるポリエステルは、液晶
開始温度が高く、成形加工性に問題があり、ｐ−ヒドロ
キシ安息香酸およびヒドロキシナフトエ酸より得られる
ポリエステル、および、ポリエチレンテレフタレートと
ｐ−アセトキシ安息香酸により得られるポリエステル
は、熱変形温度が低く、耐熱性の低いものであった。
展に伴い、プラスチックスに対しても高性能化の要求が
高まり、数多くのプラスチックスが開発され、市場に提
供されている。中でも、溶融時に光学的異方性を示し、
分子鎖が平行に配列する一群の高分子化合物は、サーモ
トロピック液晶性ポリマーと呼ばれ、成形加工性に優れ
ると共に、成形体の機械的性質が向上することから注目
を集めている。液晶性ポリエステルとしては、ｐ−ヒド
ロキシ安息香酸、４,４'−ビフェノールおよびテレフタ
ル酸より得られるポリエステル（特公昭４７−４７８７
０号公報）、ｐ−ヒドロキシ安息香酸およびヒドロキシ
ナフトエ酸より得られるポリエステル（特開昭５４−７
７６９１号公報）、ポリエチレンテレフタレート単位と
ｐ−ヒドロキシ安息香酸単位とのエステル結合のみから
なる共重合ポリエステル（Ｗ.Ｊ.Ｊacksonら、Ｊ.Ｐoly
m．Ｓci．Ｐolym．Ｃhem.ＥＤ．）１４巻、２０４３頁
（１９７６）、米国特許第３８０４８０５号、特開昭５
１−８３９５号公報等）などが知られている。しかしな
がら、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、４,４'−ビフェノール
およびテレフタル酸より得られるポリエステルは、液晶
開始温度が高く、成形加工性に問題があり、ｐ−ヒドロ
キシ安息香酸およびヒドロキシナフトエ酸より得られる
ポリエステル、および、ポリエチレンテレフタレートと
ｐ−アセトキシ安息香酸により得られるポリエステル
は、熱変形温度が低く、耐熱性の低いものであった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、液晶
性ポリマーの上記の問題点を解決し、成形加工性と耐熱
性のバランスに優れた、新規の全芳香族液晶性ポリエス
テルを提供することである。
性ポリマーの上記の問題点を解決し、成形加工性と耐熱
性のバランスに優れた、新規の全芳香族液晶性ポリエス
テルを提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、下記
構造単位〔Ｉ〕、〔II〕、〔III〕および〔IＶ〕より構
成され（但し、各構成単位は、互いにエステル結合で連
結されている）、構造単位（〔Ｉ〕＋〔II〕）と構造単
位〔III〕は実質的に当量であり、構造単位〔Ｉ〕のモ
ル数と構造単位〔II〕のモル数との比が５／９５〜１０
０／０、構造単位〔IＶ〕が全構成モノマーにたいして
０.１〜９０モル％であり、溶融温度が２００℃以上で
ある全芳香族液晶性ポリエステルを提供するものであ
る。
構造単位〔Ｉ〕、〔II〕、〔III〕および〔IＶ〕より構
成され（但し、各構成単位は、互いにエステル結合で連
結されている）、構造単位（〔Ｉ〕＋〔II〕）と構造単
位〔III〕は実質的に当量であり、構造単位〔Ｉ〕のモ
ル数と構造単位〔II〕のモル数との比が５／９５〜１０
０／０、構造単位〔IＶ〕が全構成モノマーにたいして
０.１〜９０モル％であり、溶融温度が２００℃以上で
ある全芳香族液晶性ポリエステルを提供するものであ
る。
【０００５】
【化２】
【０００６】式中、Ａr1、Ａr2およびＡr3はそれぞれ独
立に炭素数６から１８の２価の置換基を有していてもよ
い芳香族基であり、例えば、フェニレン基、ナフチレン
基、ビフェニレン基、アントリレン基、ターフェニレン
基などが挙げられ、これらはアルキル基、アルコキシ
基、フェニル基、ハロゲン原子などの置換基を有してい
てもよい。以下に本発明をさらに詳細に説明する。
立に炭素数６から１８の２価の置換基を有していてもよ
い芳香族基であり、例えば、フェニレン基、ナフチレン
基、ビフェニレン基、アントリレン基、ターフェニレン
基などが挙げられ、これらはアルキル基、アルコキシ
基、フェニル基、ハロゲン原子などの置換基を有してい
てもよい。以下に本発明をさらに詳細に説明する。
【０００７】（全芳香族液晶性ポリエステルの構造）本
発明において、全芳香族ポリエステルとは、以下に述べ
る各構造単位が実質上すべて芳香族（但し、側鎖を有し
ていてもよい）であり、これらがエステル結合で連結さ
れているものをいう。構造単位〔Ｉ〕は、２,２',３,
３',５,５'−ヘキサメチル−１,１'−ビフェニル−４,
４'−ジオールから、水酸基の水素原子を除いた残基で
ある。構造単位〔II〕は、芳香族ジオールより水酸基の
水素原子を除いた残基である。具体的には、ハイドロキ
ノン残基、ジヒドロキシナフタレン残基、ジヒドロキシ
ビフェニル残基などが挙げられる。これらはアルキル
基、アルコキシル基、フェニル基、ハロゲン原子などの
置換基を有していてもよい。水酸基の結合位置は、パラ
位、メタ位が好ましいが、特にパラ位が好ましい。構造
単位〔III〕は、芳香族ジカルボン酸化合物より水酸基
を除いた残基である。具体的には、テレフタル酸残基、
イソフタル酸残基、ナフタレンジカルボン酸残基、ビフ
ェニルジカルボン酸残基、アントラセンジカルボン酸残
基などが挙げられる。これらは、アルキル基、アルコキ
シル基、アリール基、ハロゲン原子で置換されていても
よい。カルボン酸基の結合位置は、パラ位、メタ位が好
ましいが、特にパラ位が好ましい。構造単位〔IＶ〕
は、芳香族ヒドロキシカルボン酸化合物より水酸基の水
素原子を、カルボン酸基の水酸基を除いた残基である。
芳香族ヒドロキシカルボン酸化合物のヒドロキシ基の位
置は、メタ、パラのいずれでもよいが、特に好ましくは
パラ位である。その具体例としては、４−ヒドロキシ安
息香酸残基、３−ヒドロキシ安息香酸残基、２−ヒドロ
キシ−６−ナフトエ酸残基、２−ヒドロキシ−７−ナフ
トエ酸残基、２−ヒドロキシ−４−ナフトエ酸残基、１
−ヒドロキシ−４−ナフトエ酸残基、４−ヒドロキシ−
４'−ビフェニルカルボン酸残基、３−ヒドロキシ−４'
−ビフェニルカルボン酸残基、２−ヒドロキシ−４'−
ビフェニルカルボン酸残基、１−ヒドロキシ−４'−ビ
フェニルカルボン酸残基、４−ヒドロキシ−４''−ター
フェニルカルボン酸残基などが挙げられる。また、これ
らは、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、ハロ
ゲン原子で置換されていてもよい。
発明において、全芳香族ポリエステルとは、以下に述べ
る各構造単位が実質上すべて芳香族（但し、側鎖を有し
ていてもよい）であり、これらがエステル結合で連結さ
れているものをいう。構造単位〔Ｉ〕は、２,２',３,
３',５,５'−ヘキサメチル−１,１'−ビフェニル−４,
４'−ジオールから、水酸基の水素原子を除いた残基で
ある。構造単位〔II〕は、芳香族ジオールより水酸基の
水素原子を除いた残基である。具体的には、ハイドロキ
ノン残基、ジヒドロキシナフタレン残基、ジヒドロキシ
ビフェニル残基などが挙げられる。これらはアルキル
基、アルコキシル基、フェニル基、ハロゲン原子などの
置換基を有していてもよい。水酸基の結合位置は、パラ
位、メタ位が好ましいが、特にパラ位が好ましい。構造
単位〔III〕は、芳香族ジカルボン酸化合物より水酸基
を除いた残基である。具体的には、テレフタル酸残基、
イソフタル酸残基、ナフタレンジカルボン酸残基、ビフ
ェニルジカルボン酸残基、アントラセンジカルボン酸残
基などが挙げられる。これらは、アルキル基、アルコキ
シル基、アリール基、ハロゲン原子で置換されていても
よい。カルボン酸基の結合位置は、パラ位、メタ位が好
ましいが、特にパラ位が好ましい。構造単位〔IＶ〕
は、芳香族ヒドロキシカルボン酸化合物より水酸基の水
素原子を、カルボン酸基の水酸基を除いた残基である。
芳香族ヒドロキシカルボン酸化合物のヒドロキシ基の位
置は、メタ、パラのいずれでもよいが、特に好ましくは
パラ位である。その具体例としては、４−ヒドロキシ安
息香酸残基、３−ヒドロキシ安息香酸残基、２−ヒドロ
キシ−６−ナフトエ酸残基、２−ヒドロキシ−７−ナフ
トエ酸残基、２−ヒドロキシ−４−ナフトエ酸残基、１
−ヒドロキシ−４−ナフトエ酸残基、４−ヒドロキシ−
４'−ビフェニルカルボン酸残基、３−ヒドロキシ−４'
−ビフェニルカルボン酸残基、２−ヒドロキシ−４'−
ビフェニルカルボン酸残基、１−ヒドロキシ−４'−ビ
フェニルカルボン酸残基、４−ヒドロキシ−４''−ター
フェニルカルボン酸残基などが挙げられる。また、これ
らは、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、ハロ
ゲン原子で置換されていてもよい。
【０００８】本発明の全芳香族ポリエステルは、構造単
位（〔Ｉ〕＋〔II〕）と構造単位〔III〕とは実質的に
当量である。実質的の当量であるとは、構造単位
（〔Ｉ〕＋〔II〕）と構造単位〔III〕とのモル比
（〔Ｉ〕＋〔II〕）／〔III〕が、０.９〜１.１、好ま
しくは、０.９５〜１.０５である。このことは、必ずし
もこの全芳香族ポリエステルが、構造単位〔Ｉ〕と〔II
I〕とからなるポリエステルブロックと構造単位〔II〕
と〔III〕とからなるポリエステルブロックとのブロッ
クコポリエステルであることを意味するものではない。
即ち、このようなブロックコポリエステルの他に各構造
単位が無作為に結合しているランダムコポリエステル
（無作為といっても、各構造単位がエステル結合で連結
していることにより、それらの配列には自ら制限がある
ことには言うまでもない）を包含するものである。本発
明の全芳香族ポリエステルは、十分に分子量の大きいも
のであるべきであり、その溶融温度が２００℃以上のも
のである。また、対数粘度が０.３以上、好ましくは０.
５以上である。本発明の全芳香族液晶性ポリエステルは
典型的には次のような構造として例示することができ
る。
位（〔Ｉ〕＋〔II〕）と構造単位〔III〕とは実質的に
当量である。実質的の当量であるとは、構造単位
（〔Ｉ〕＋〔II〕）と構造単位〔III〕とのモル比
（〔Ｉ〕＋〔II〕）／〔III〕が、０.９〜１.１、好ま
しくは、０.９５〜１.０５である。このことは、必ずし
もこの全芳香族ポリエステルが、構造単位〔Ｉ〕と〔II
I〕とからなるポリエステルブロックと構造単位〔II〕
と〔III〕とからなるポリエステルブロックとのブロッ
クコポリエステルであることを意味するものではない。
即ち、このようなブロックコポリエステルの他に各構造
単位が無作為に結合しているランダムコポリエステル
（無作為といっても、各構造単位がエステル結合で連結
していることにより、それらの配列には自ら制限がある
ことには言うまでもない）を包含するものである。本発
明の全芳香族ポリエステルは、十分に分子量の大きいも
のであるべきであり、その溶融温度が２００℃以上のも
のである。また、対数粘度が０.３以上、好ましくは０.
５以上である。本発明の全芳香族液晶性ポリエステルは
典型的には次のような構造として例示することができ
る。
【０００９】
【化３】
【００１０】（全芳香族液晶性ポリエステルの製造）一般的説明 本発明の全芳香族液晶性ポリエステルは、エステル結合
形成に関して、合目的な任意の方法によって製造するこ
とができる。この全芳香族液晶性ポリエステルがビフェ
ノール化合物（〔Ｉ〕に対応）と芳香族ジヒドロキシ化
合物（〔II〕に対応）と芳香族ジカルボン酸化合物
（〔III〕に対応）と芳香族ヒドロキシカルボン酸化合
物（〔IＶ〕に対応）とのコポリマーに相当するもので
あることからすれば、これらの化合物をエステル形成条
件下に反応させる方法が典型であるといえる。この場合
の「エステル形成条件下」とは、直接エステル化（縮合
により生成する水を加熱／共沸等によって除去する場
合、または、適当な縮合剤を使用する場合を含む）する
他に、原料化合物の反応基の少なくとも一方をその機能
誘導体の形で反応させる場合、例えば、芳香族カルボン
酸を酸ハライド（例えば酸クロライド）や酸無水物（特
に、混合酸無水物）とし、ジオールと反応させる場合、
ヒドロキシル基をそのアシル誘導体の形で芳香族カルボ
ン酸と反応させる場合、及び、芳香族カルボン酸をエス
テル誘導体の形で反応させる場合、その他を包含するも
のである。
形成に関して、合目的な任意の方法によって製造するこ
とができる。この全芳香族液晶性ポリエステルがビフェ
ノール化合物（〔Ｉ〕に対応）と芳香族ジヒドロキシ化
合物（〔II〕に対応）と芳香族ジカルボン酸化合物
（〔III〕に対応）と芳香族ヒドロキシカルボン酸化合
物（〔IＶ〕に対応）とのコポリマーに相当するもので
あることからすれば、これらの化合物をエステル形成条
件下に反応させる方法が典型であるといえる。この場合
の「エステル形成条件下」とは、直接エステル化（縮合
により生成する水を加熱／共沸等によって除去する場
合、または、適当な縮合剤を使用する場合を含む）する
他に、原料化合物の反応基の少なくとも一方をその機能
誘導体の形で反応させる場合、例えば、芳香族カルボン
酸を酸ハライド（例えば酸クロライド）や酸無水物（特
に、混合酸無水物）とし、ジオールと反応させる場合、
ヒドロキシル基をそのアシル誘導体の形で芳香族カルボ
ン酸と反応させる場合、及び、芳香族カルボン酸をエス
テル誘導体の形で反応させる場合、その他を包含するも
のである。
【００１１】具体的な製造方法 本発明の全芳香族ポリエステルの具体的な製造方法の一
つは、下記一般式で示される化合物〔Ｖ〕、〔ＶI〕、
〔ＶII〕、〔ＶIII〕より、化合物〔IＸ〕を脱離させる
ことからなるものである。
つは、下記一般式で示される化合物〔Ｖ〕、〔ＶI〕、
〔ＶII〕、〔ＶIII〕より、化合物〔IＸ〕を脱離させる
ことからなるものである。
【００１２】
【化４】
【００１３】（式中、Ａr1、Ａr2およびＡr3はそれぞれ
独立に炭素数６から１８の２価の置換基を有していても
よい芳香族基である。Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4およびＹ
5は、同一または異種のＨ−、Ｒ1−ＣＯ−であり、Ｒ1
は炭素数１〜６の炭化水素基である。Ｚ1、Ｚ2およびＺ
3は、同一または異種のＨＯ−、Ｒ2Ｏ−であり、Ｒ2は
炭素数１〜８の炭化水素基である。Ｙi及びＺjは、式
〔Ｖ〕〜〔IＸ〕で使用されたＹ1〜Ｙ5のいずれかなら
びにＺ1〜Ｚ3のいずれかをそれぞれ示す。）化合物
〔Ｖ〕〜〔ＶIII〕の反応によって脱離する式〔IＸ〕の
化合物は、ＹiおよびＺjがそれぞれ化合物〔Ｖ〕〜〔Ｖ
III〕で使用したＹ1〜Ｙ5およびＺ1〜Ｚ3に対応する化
合物である。
独立に炭素数６から１８の２価の置換基を有していても
よい芳香族基である。Ｙ1、Ｙ2、Ｙ3、Ｙ4およびＹ
5は、同一または異種のＨ−、Ｒ1−ＣＯ−であり、Ｒ1
は炭素数１〜６の炭化水素基である。Ｚ1、Ｚ2およびＺ
3は、同一または異種のＨＯ−、Ｒ2Ｏ−であり、Ｒ2は
炭素数１〜８の炭化水素基である。Ｙi及びＺjは、式
〔Ｖ〕〜〔IＸ〕で使用されたＹ1〜Ｙ5のいずれかなら
びにＺ1〜Ｚ3のいずれかをそれぞれ示す。）化合物
〔Ｖ〕〜〔ＶIII〕の反応によって脱離する式〔IＸ〕の
化合物は、ＹiおよびＺjがそれぞれ化合物〔Ｖ〕〜〔Ｖ
III〕で使用したＹ1〜Ｙ5およびＺ1〜Ｚ3に対応する化
合物である。
【００１４】重縮合反応が直接エステル化の場合、Ｙ1
〜Ｙ5が水素原子、Ｚ1〜Ｚ3が水酸基である。機能誘導
体による例えば脱モノカルボン酸重縮合反応の場合は、
例えばＹ1〜Ｙ5がＲ1−ＣＯ−、Ｚ1〜Ｚ3が水酸基であ
って、脱離する化合物はもちろんＲ1−ＣＯＯＨであ
り、脱アルコール重縮合反応の場合は、例えばＹ1〜Ｙ5
が水素原子、Ｚ1〜Ｚ3がＲ2Ｏ−であって、脱離する化
合物は勿論Ｒ2ＯＨである。なお、式〔Ｖ〕〜〔ＶIII〕
の化合物で使用されたＹ1〜Ｙ5およびＺ1〜Ｚ3がそれぞ
れ２種類以上である場合は、式〔IＸ〕の脱離化合物も
理論上はそれらの順列組合わせに相当する数だけ存在す
ることになる。
〜Ｙ5が水素原子、Ｚ1〜Ｚ3が水酸基である。機能誘導
体による例えば脱モノカルボン酸重縮合反応の場合は、
例えばＹ1〜Ｙ5がＲ1−ＣＯ−、Ｚ1〜Ｚ3が水酸基であ
って、脱離する化合物はもちろんＲ1−ＣＯＯＨであ
り、脱アルコール重縮合反応の場合は、例えばＹ1〜Ｙ5
が水素原子、Ｚ1〜Ｚ3がＲ2Ｏ−であって、脱離する化
合物は勿論Ｒ2ＯＨである。なお、式〔Ｖ〕〜〔ＶIII〕
の化合物で使用されたＹ1〜Ｙ5およびＺ1〜Ｚ3がそれぞ
れ２種類以上である場合は、式〔IＸ〕の脱離化合物も
理論上はそれらの順列組合わせに相当する数だけ存在す
ることになる。
【００１５】一般式〔Ｖ〕のＹ1、Ｙ2は、水素原子およ
びＲ1−ＣＯ−であり、Ｒ1は炭素数１〜６の炭化水素基
である。Ｒ1の具体的な例としては、メチル、エチル、
ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチ
ル、ｎ−アミル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロ
ヘキシル、フェニル基等を挙げることができる。特に好
ましくは水素原子、および、Ｒ1−ＣＯ−で示される基
で、Ｒ1がメチル、エチル、フェニル基である。
びＲ1−ＣＯ−であり、Ｒ1は炭素数１〜６の炭化水素基
である。Ｒ1の具体的な例としては、メチル、エチル、
ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチ
ル、ｎ−アミル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロ
ヘキシル、フェニル基等を挙げることができる。特に好
ましくは水素原子、および、Ｒ1−ＣＯ−で示される基
で、Ｒ1がメチル、エチル、フェニル基である。
【００１６】一般式〔ＶI〕のＹ3、Ｙ4は、水素原子お
よびＲ1−ＣＯ−であり、Ｒ1は炭素数１〜６の炭化水素
基である。Ｒ1の具体的な例としては、メチル、エチ
ル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブ
チル、ｎ−アミル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、シク
ロヘキシル、フェニル基等を挙げることができる。特に
好ましくは、水素原子、および、Ｒ1−ＣＯ−で示され
る基で、Ｒ1がメチル、エチル、フェニル基である。
よびＲ1−ＣＯ−であり、Ｒ1は炭素数１〜６の炭化水素
基である。Ｒ1の具体的な例としては、メチル、エチ
ル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブ
チル、ｎ−アミル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、シク
ロヘキシル、フェニル基等を挙げることができる。特に
好ましくは、水素原子、および、Ｒ1−ＣＯ−で示され
る基で、Ｒ1がメチル、エチル、フェニル基である。
【００１７】一般式〔ＶII〕のＺ1、Ｚ2は、水酸基およ
びＲ2−Ｏ−であり、Ｒ2は炭素数１〜６の炭化水素基で
ある。Ｒ1の具体的な例としては、メチル、エチル、ｎ
−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、
ｎ−アミル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキ
シル、フェニル基等を挙げることができる。特に好まし
くは、水酸基、および、Ｒ2−Ｏ−で示される基で、Ｒ2
がフェニル基、メチル、エチルである。
びＲ2−Ｏ−であり、Ｒ2は炭素数１〜６の炭化水素基で
ある。Ｒ1の具体的な例としては、メチル、エチル、ｎ
−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、
ｎ−アミル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキ
シル、フェニル基等を挙げることができる。特に好まし
くは、水酸基、および、Ｒ2−Ｏ−で示される基で、Ｒ2
がフェニル基、メチル、エチルである。
【００１８】一般式〔ＶIII〕のＹ5は、水素原子および
Ｒ1−ＣＯ−であり、Ｒ1は炭素数１〜６の炭化水素基で
ある。Ｒ1の具体的な例としては、メチル、エチル、ｎ
−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、
ｎ−アミル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキ
シル、フェニル基等を挙げることができる。特に好まし
くは、水素原子、および、Ｒ1−ＣＯ−で示される基
で、Ｒ1がメチル、エチル、フェニル基である。Ｚ3は、
水酸基およびＲ2−Ｏ−であり、Ｒ2は炭素数１〜６の炭
化水素基である。Ｒ1の具体的な例としては、メチル、
エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔ
−ブチル、ｎ−アミル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、
シクロヘキシル、フェニル基等を挙げることができる。
特に好ましくは、水酸基、および、Ｒ2−Ｏ−で示され
る基で、Ｒ2がフェニル基、メチル、エチルである。
Ｒ1−ＣＯ−であり、Ｒ1は炭素数１〜６の炭化水素基で
ある。Ｒ1の具体的な例としては、メチル、エチル、ｎ
−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔ−ブチル、
ｎ−アミル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、シクロヘキ
シル、フェニル基等を挙げることができる。特に好まし
くは、水素原子、および、Ｒ1−ＣＯ−で示される基
で、Ｒ1がメチル、エチル、フェニル基である。Ｚ3は、
水酸基およびＲ2−Ｏ−であり、Ｒ2は炭素数１〜６の炭
化水素基である。Ｒ1の具体的な例としては、メチル、
エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｔ
−ブチル、ｎ−アミル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、
シクロヘキシル、フェニル基等を挙げることができる。
特に好ましくは、水酸基、および、Ｒ2−Ｏ−で示され
る基で、Ｒ2がフェニル基、メチル、エチルである。
【００１９】本発明の全芳香族液晶性ポリエステルは、
前記の〔Ｖ〕〜〔ＶIII〕の化合物から、例えば、次の
方法によって製造することができる。 ジアシロキシモノマー〔Ｖ〕、〔ＶI〕とジカルボン
酸モノマー〔ＶII〕とアシロキシルカルボン酸モノマー
〔ＶIII〕から脱モノカルボン酸による重縮合反応によ
って製造する方法。 ジヒドロキシモノマー〔Ｖ〕、〔ＶI〕とジカルボン
酸ジエステルモノマー〔ＶII〕とヒドロキシカルボン酸
エステルモノマー〔ＶIII〕から脱モノアルコールによ
る重縮合反応によって製造する方法。 この他にも〔Ｖ〕〜〔ＶI〕の構成モノマーのＹ1〜Ｙ
5およびＺ1〜Ｚ3の種類によっては、脱水や脱エステル
等が起こることもある。 の方法の脱モノカルボン酸重縮合反応においては、脱
離するモノカルボン酸が酢酸である場合が主に用いられ
る。の方法の脱モノアルコール重縮合反応において
は、フェノールが脱離成分である場合が主に用いられ
る。の方法の脱モノカルボン酸重縮合反応は、無触媒
で進行するため好適な方法である。の方法の脱モノア
ルコール重縮合反応の触媒としては、酢酸第１スズ、酸
化アンチモン、テトラブチルチタネート、酢酸鉛、酢酸
ナトリウムなどの金属触媒が用いられる。
前記の〔Ｖ〕〜〔ＶIII〕の化合物から、例えば、次の
方法によって製造することができる。 ジアシロキシモノマー〔Ｖ〕、〔ＶI〕とジカルボン
酸モノマー〔ＶII〕とアシロキシルカルボン酸モノマー
〔ＶIII〕から脱モノカルボン酸による重縮合反応によ
って製造する方法。 ジヒドロキシモノマー〔Ｖ〕、〔ＶI〕とジカルボン
酸ジエステルモノマー〔ＶII〕とヒドロキシカルボン酸
エステルモノマー〔ＶIII〕から脱モノアルコールによ
る重縮合反応によって製造する方法。 この他にも〔Ｖ〕〜〔ＶI〕の構成モノマーのＹ1〜Ｙ
5およびＺ1〜Ｚ3の種類によっては、脱水や脱エステル
等が起こることもある。 の方法の脱モノカルボン酸重縮合反応においては、脱
離するモノカルボン酸が酢酸である場合が主に用いられ
る。の方法の脱モノアルコール重縮合反応において
は、フェノールが脱離成分である場合が主に用いられ
る。の方法の脱モノカルボン酸重縮合反応は、無触媒
で進行するため好適な方法である。の方法の脱モノア
ルコール重縮合反応の触媒としては、酢酸第１スズ、酸
化アンチモン、テトラブチルチタネート、酢酸鉛、酢酸
ナトリウムなどの金属触媒が用いられる。
【００２０】重縮合反応において、温度、加熱時間、圧
力などの重合条件は、使用する反応物および所望する重
合度に依存して変化させることができるが、一般的に
は、不活性ガス下で約４００℃までの加熱により酢酸あ
るいはフェノールを留出させながら重合を行うのが普通
である。また、一般に、重合終期には反応系内を減圧状
態にして、反応を完結させることが好ましい。また、重
縮合反応を途中で止めて反応物を取り出し、続いて固相
にて重合させ最終製品とすることもできる。
力などの重合条件は、使用する反応物および所望する重
合度に依存して変化させることができるが、一般的に
は、不活性ガス下で約４００℃までの加熱により酢酸あ
るいはフェノールを留出させながら重合を行うのが普通
である。また、一般に、重合終期には反応系内を減圧状
態にして、反応を完結させることが好ましい。また、重
縮合反応を途中で止めて反応物を取り出し、続いて固相
にて重合させ最終製品とすることもできる。
【００２１】（全芳香族液晶性ポリエステルの製造に使
用される化合物の例）本発明による一般式〔Ｖ〕は、
２,２',３,３',５,５'−ヘキサメチル−１,１'−ビフェ
ニル−４,４'−ジオールおよびその機能誘導体である
４,４'−ジアセトキシ−２,２',３,３',５,５'−ヘキサ
メチル−１,１'−ビフェニル、４,４'−ジプロポキシ−
２,２',３,３',５,５'−ヘキサメチル−１,１'−ビフェ
ニルなどである。
用される化合物の例）本発明による一般式〔Ｖ〕は、
２,２',３,３',５,５'−ヘキサメチル−１,１'−ビフェ
ニル−４,４'−ジオールおよびその機能誘導体である
４,４'−ジアセトキシ−２,２',３,３',５,５'−ヘキサ
メチル−１,１'−ビフェニル、４,４'−ジプロポキシ−
２,２',３,３',５,５'−ヘキサメチル−１,１'−ビフェ
ニルなどである。
【００２２】本発明による一般式〔ＶI〕で示される化
合物としては、ハイドロキノン、メチルハイドロキノ
ン、エチルハイドロキノン、ｎ−プロピルハイドロキノ
ン、イソプロピルハイドロキノン、ｎ−ブチルハイドロ
キノン、イソブチルハイドロキノン、ｔ−ブチルハイド
ロキノン、シクロヘキシルハイドロキノン、フェニルハ
イドロキノン、クロロハイドロキノン、ブロモハイドロ
キノン、ヨードハイドロキノン、４,４'−ビフェノー
ル、２,２',５,５'−テトラメチル−１,１'−ビフェニ
ル−４,４'−ジオールおよびそれらの機能誘導体である
ジアセトキシ−ハイドロキノン、ジアセトキシ−メチル
ハイドロキノン、ジアセトキシ−エチルハイドロキノ
ン、ジアセトキシ−ｎ−プロピルハイドロキノン、ジア
セトキシ−イソプロピルハイドロキノン、ジアセトキシ
−ｎ−ブチルハイドロキノン、ジアセトキシ−イソブチ
ルハイドロキノン、ジアセトキシ−ｔ−ブチルハイドロ
キノン、ジアセトキシ−シクロヘキシルハイドロキノ
ン、ジアセトキシ−フェニルハイドロキノン、ジアセト
キシ−クロロハイドロキノン、ジアセトキシ−ブロモハ
イドロキノン、ジアセトキシ−ヨードハイドロキノン、
４,４'−ジアセトキシ−ビフェニル、４,４'−ジアセト
キシ−２,２',５,５'−テトラメチル−１,１'−ビフェ
ニルなどである。
合物としては、ハイドロキノン、メチルハイドロキノ
ン、エチルハイドロキノン、ｎ−プロピルハイドロキノ
ン、イソプロピルハイドロキノン、ｎ−ブチルハイドロ
キノン、イソブチルハイドロキノン、ｔ−ブチルハイド
ロキノン、シクロヘキシルハイドロキノン、フェニルハ
イドロキノン、クロロハイドロキノン、ブロモハイドロ
キノン、ヨードハイドロキノン、４,４'−ビフェノー
ル、２,２',５,５'−テトラメチル−１,１'−ビフェニ
ル−４,４'−ジオールおよびそれらの機能誘導体である
ジアセトキシ−ハイドロキノン、ジアセトキシ−メチル
ハイドロキノン、ジアセトキシ−エチルハイドロキノ
ン、ジアセトキシ−ｎ−プロピルハイドロキノン、ジア
セトキシ−イソプロピルハイドロキノン、ジアセトキシ
−ｎ−ブチルハイドロキノン、ジアセトキシ−イソブチ
ルハイドロキノン、ジアセトキシ−ｔ−ブチルハイドロ
キノン、ジアセトキシ−シクロヘキシルハイドロキノ
ン、ジアセトキシ−フェニルハイドロキノン、ジアセト
キシ−クロロハイドロキノン、ジアセトキシ−ブロモハ
イドロキノン、ジアセトキシ−ヨードハイドロキノン、
４,４'−ジアセトキシ−ビフェニル、４,４'−ジアセト
キシ−２,２',５,５'−テトラメチル−１,１'−ビフェ
ニルなどである。
【００２３】本発明に用いられる一般式〔ＶII〕で示さ
れる化合物としては、テレフタル酸、イソフタル酸、
４,４'−ビフェニルジカルボン酸、２,６−ナフタレン
ジカルボン酸、ブロモテレフタル酸、およびそれらの機
能誘導体であるテレフタル酸モノメチル、テレフタル酸
モノエチル、テレフタル酸モノプロピル、テレフタル酸
モノフェニル、イソフタル酸モノメチル、イソフタル酸
モノエチル、イソフタル酸モノプロピル、イソフタル酸
モノフェニル、２,６−ナフタレン酸モノメチル、２,６
−ナフタレンジ酸モノエチル、２,６−ナフタレン酸モ
ノプロピル、２,６−ナフタレン酸モノフェニル、４,
４'−ビフェニルジカルボン酸酸モノメチル、４,４'−
ビフェニルジカルボン酸酸モノエチル、４,４'−ビフェ
ニルジカルボン酸モノプロピル、４,４'−ビフェニルジ
カルボン酸モノフェニルなどのモノエステル類、テレフ
タル酸ジメチル、テレフタル酸ジエチル、テレフタル酸
ジプロピル、テレフタル酸ジフェニル、イソフタル酸ジ
メチル、イソフタル酸ジエチル、イソフタル酸ジプロピ
ル、イソフタル酸ジフェニル、２,６−ナフタレン酸ジ
メチル、２,６−ナフタレン酸ジエチル、２,６−ナフタ
レン酸ジプロピル、２,６−ナフタレン酸ジフェニル、
４,４'−ビフェニルジカルボン酸酸ジメチル、４,４'−
ビフェニルジカルボン酸酸ジエチル、４,４'−ビフェニ
ルジカルボン酸ジプロピル、４,４'−ビフェニルジカル
ボン酸ジフェニルなどのジエステル類などを挙げること
ができる。これらの中でも、テレフタル酸、イソフタル
酸、２,６−ナフタレンジカルボン酸、４,４'−ビフェ
ニルジカルボン酸、テレフタル酸ジメチルエステル、イ
ソフタル酸ジメチルエステル、２,６−ナフタレンジカ
ルボン酸ジメチルエステル、４,４'−ビフェニルジカル
ボン酸ジメチルエステル、テレフタル酸ジフェニルエス
テル、イソフタル酸ジフェニルエステル、２,６−ナフ
タレンジカルボン酸ジフェニルエステル、４,４'−ビフ
ェニルジカルボン酸ジフェニルエステルなどが好まし
い。また、これらの芳香族ジカルボン酸化合物類は、ア
ルキル基、アルコキシル基、アリール基、ハロゲン原子
で置換されていてもよい。
れる化合物としては、テレフタル酸、イソフタル酸、
４,４'−ビフェニルジカルボン酸、２,６−ナフタレン
ジカルボン酸、ブロモテレフタル酸、およびそれらの機
能誘導体であるテレフタル酸モノメチル、テレフタル酸
モノエチル、テレフタル酸モノプロピル、テレフタル酸
モノフェニル、イソフタル酸モノメチル、イソフタル酸
モノエチル、イソフタル酸モノプロピル、イソフタル酸
モノフェニル、２,６−ナフタレン酸モノメチル、２,６
−ナフタレンジ酸モノエチル、２,６−ナフタレン酸モ
ノプロピル、２,６−ナフタレン酸モノフェニル、４,
４'−ビフェニルジカルボン酸酸モノメチル、４,４'−
ビフェニルジカルボン酸酸モノエチル、４,４'−ビフェ
ニルジカルボン酸モノプロピル、４,４'−ビフェニルジ
カルボン酸モノフェニルなどのモノエステル類、テレフ
タル酸ジメチル、テレフタル酸ジエチル、テレフタル酸
ジプロピル、テレフタル酸ジフェニル、イソフタル酸ジ
メチル、イソフタル酸ジエチル、イソフタル酸ジプロピ
ル、イソフタル酸ジフェニル、２,６−ナフタレン酸ジ
メチル、２,６−ナフタレン酸ジエチル、２,６−ナフタ
レン酸ジプロピル、２,６−ナフタレン酸ジフェニル、
４,４'−ビフェニルジカルボン酸酸ジメチル、４,４'−
ビフェニルジカルボン酸酸ジエチル、４,４'−ビフェニ
ルジカルボン酸ジプロピル、４,４'−ビフェニルジカル
ボン酸ジフェニルなどのジエステル類などを挙げること
ができる。これらの中でも、テレフタル酸、イソフタル
酸、２,６−ナフタレンジカルボン酸、４,４'−ビフェ
ニルジカルボン酸、テレフタル酸ジメチルエステル、イ
ソフタル酸ジメチルエステル、２,６−ナフタレンジカ
ルボン酸ジメチルエステル、４,４'−ビフェニルジカル
ボン酸ジメチルエステル、テレフタル酸ジフェニルエス
テル、イソフタル酸ジフェニルエステル、２,６−ナフ
タレンジカルボン酸ジフェニルエステル、４,４'−ビフ
ェニルジカルボン酸ジフェニルエステルなどが好まし
い。また、これらの芳香族ジカルボン酸化合物類は、ア
ルキル基、アルコキシル基、アリール基、ハロゲン原子
で置換されていてもよい。
【００２４】本発明に用いられる一般式〔ＶIII〕で示
される化合物としては、置換基の位置は、メタ、パラの
いずれでもよいが、特に好ましくはパラ位である。その
具体例としては、４−ヒドロキシ安息香酸、３−ヒドロ
キシ安息香酸、２−ヒドロキシ−６−ナフトエ酸、２−
ヒドロキシ−７−ナフトエ酸、２−ヒドロキシ−４−ナ
フトエ酸、１−ヒドロキシ−４−ナフトエ酸、４−ヒド
ロキシ−４'−ビフェニルカルボン酸、３−ヒドロキシ
−４'−ビフェニルカルボン酸、２−ヒドロキシ−４'−
ビフェニルカルボン酸、１−ヒドロキシ−４'−ビフェ
ニルカルボン酸、４−ヒドロキシ−４''−ターフェニル
カルボン酸、４−アセトキシ安息香酸、３−アセトキシ
安息香酸、２−アセトキシ−６−ナフトエ酸、２−アセ
トキシ−７−ナフトエ酸、２−アセトキシ−４−ナフト
エ酸、１−アセトキシ−４−ナフトエ酸、４−アセトキ
シ−４'−ビフェニルカルボン酸、３−アセトキシ−４'
−ビフェニルカルボン酸、２−アセトキシ−４'−ビフ
ェニルカルボン酸、１−アセトキシ−４'−ビフェニル
カルボン酸、４−アセトキシ−４''−ターフェニルカル
ボン酸、４−プロポキシ安息香酸、３−プロポキシ安息
香酸、２−プロポキシ−６−ナフトエ酸、２−プロポキ
シ−７−ナフトエ酸、２−プロポキシ−４−ナフトエ
酸、１−プロポキシ−４−ナフトエ酸、４−プロポキシ
−４'−ビフェニルカルボン酸、３−プロポキシ−４'−
ビフェニルカルボン酸、２−プロポキシ−４'−ビフェ
ニルカルボン酸、１−プロポキシ−４'−ビフェニルカ
ルボン酸、４−プロポキシ−４''−ターフェニルカルボ
ン酸、４−ヒドロキシ安息香酸メチル、３−ヒドロキシ
安息香酸メチル、２−ヒドロキシ−６−ナフトエ酸メチ
ル、２−ヒドロキシ−７−ナフトエ酸メチル、２−ヒド
ロキシ−４−ナフトエ酸メチル、１−ヒドロキシ−４−
ナフトエ酸メチル、４−ヒドロキシ−４'−ビフェニル
カルボン酸メチル、３−ヒドロキシ−４'−ビフェニル
カルボン酸メチル、２−ヒドロキシ−４'−ビフェニル
カルボン酸メチル、１−ヒドロキシ−４'−ビフェニル
カルボン酸メチル、４−ヒドロキシ−４''−ターフェニ
ルカルボン酸メチル、４−ヒドロキシ安息香酸フェニ
ル、３−ヒドロキシ安息香酸フェニル、２−ヒドロキシ
−６−ナフトエ酸フェニル、２−ヒドロキシ−７−ナフ
トエ酸フェニル、２−ヒドロキシ−４−ナフトエ酸フェ
ニル、１−ヒドロキシ−４−ナフトエ酸フェニル、４−
ヒドロキシ−４'−ビフェニルカルボン酸フェニル、３
−ヒドロキシ−４'−ビフェニルカルボン酸フェニル、
２−ヒドロキシ−４'−ビフェニルカルボン酸フェニ
ル、１−ヒドロキシ−４'−ビフェニルカルボン酸フェ
ニル、４−ヒドロキシ−４''−ターフェニルカルボン酸
フェニルなどが挙げられる。メチル、フェニルエステル
の他、エチル、プロピルエステル、イソプロピルエステ
ル、ブチルエステルなどの高級脂肪族エステルを用いる
ことができる。また、これらの芳香族ヒドロキシカルボ
ン酸化合物類は、アルキル基、アルコキシ基、アリール
基、ハロゲン原子で置換されていてもよい。
される化合物としては、置換基の位置は、メタ、パラの
いずれでもよいが、特に好ましくはパラ位である。その
具体例としては、４−ヒドロキシ安息香酸、３−ヒドロ
キシ安息香酸、２−ヒドロキシ−６−ナフトエ酸、２−
ヒドロキシ−７−ナフトエ酸、２−ヒドロキシ−４−ナ
フトエ酸、１−ヒドロキシ−４−ナフトエ酸、４−ヒド
ロキシ−４'−ビフェニルカルボン酸、３−ヒドロキシ
−４'−ビフェニルカルボン酸、２−ヒドロキシ−４'−
ビフェニルカルボン酸、１−ヒドロキシ−４'−ビフェ
ニルカルボン酸、４−ヒドロキシ−４''−ターフェニル
カルボン酸、４−アセトキシ安息香酸、３−アセトキシ
安息香酸、２−アセトキシ−６−ナフトエ酸、２−アセ
トキシ−７−ナフトエ酸、２−アセトキシ−４−ナフト
エ酸、１−アセトキシ−４−ナフトエ酸、４−アセトキ
シ−４'−ビフェニルカルボン酸、３−アセトキシ−４'
−ビフェニルカルボン酸、２−アセトキシ−４'−ビフ
ェニルカルボン酸、１−アセトキシ−４'−ビフェニル
カルボン酸、４−アセトキシ−４''−ターフェニルカル
ボン酸、４−プロポキシ安息香酸、３−プロポキシ安息
香酸、２−プロポキシ−６−ナフトエ酸、２−プロポキ
シ−７−ナフトエ酸、２−プロポキシ−４−ナフトエ
酸、１−プロポキシ−４−ナフトエ酸、４−プロポキシ
−４'−ビフェニルカルボン酸、３−プロポキシ−４'−
ビフェニルカルボン酸、２−プロポキシ−４'−ビフェ
ニルカルボン酸、１−プロポキシ−４'−ビフェニルカ
ルボン酸、４−プロポキシ−４''−ターフェニルカルボ
ン酸、４−ヒドロキシ安息香酸メチル、３−ヒドロキシ
安息香酸メチル、２−ヒドロキシ−６−ナフトエ酸メチ
ル、２−ヒドロキシ−７−ナフトエ酸メチル、２−ヒド
ロキシ−４−ナフトエ酸メチル、１−ヒドロキシ−４−
ナフトエ酸メチル、４−ヒドロキシ−４'−ビフェニル
カルボン酸メチル、３−ヒドロキシ−４'−ビフェニル
カルボン酸メチル、２−ヒドロキシ−４'−ビフェニル
カルボン酸メチル、１−ヒドロキシ−４'−ビフェニル
カルボン酸メチル、４−ヒドロキシ−４''−ターフェニ
ルカルボン酸メチル、４−ヒドロキシ安息香酸フェニ
ル、３−ヒドロキシ安息香酸フェニル、２−ヒドロキシ
−６−ナフトエ酸フェニル、２−ヒドロキシ−７−ナフ
トエ酸フェニル、２−ヒドロキシ−４−ナフトエ酸フェ
ニル、１−ヒドロキシ−４−ナフトエ酸フェニル、４−
ヒドロキシ−４'−ビフェニルカルボン酸フェニル、３
−ヒドロキシ−４'−ビフェニルカルボン酸フェニル、
２−ヒドロキシ−４'−ビフェニルカルボン酸フェニ
ル、１−ヒドロキシ−４'−ビフェニルカルボン酸フェ
ニル、４−ヒドロキシ−４''−ターフェニルカルボン酸
フェニルなどが挙げられる。メチル、フェニルエステル
の他、エチル、プロピルエステル、イソプロピルエステ
ル、ブチルエステルなどの高級脂肪族エステルを用いる
ことができる。また、これらの芳香族ヒドロキシカルボ
ン酸化合物類は、アルキル基、アルコキシ基、アリール
基、ハロゲン原子で置換されていてもよい。
【００２５】（全芳香族液晶性ポリエステルの利用）本
発明の全芳香族液晶性ポリエステルは、射出成形、押出
成形、圧縮成形、ブロー成形などの通常の溶融成形に供
することができ、三次元成形品、フィルム、繊維、容器
などに加工することが可能である。また、他の熱可塑性
樹脂と混合することによってポリマーアロイとすること
もできる。尚、成形時には本発明の全芳香族液晶性ポリ
エステルに、ガラス繊維、炭素繊維などの強化剤、充填
剤、酸化防止剤、安定剤、可塑剤、離形剤などの添加剤
を添加して、成形品に所望の特性を付与することができ
る。
発明の全芳香族液晶性ポリエステルは、射出成形、押出
成形、圧縮成形、ブロー成形などの通常の溶融成形に供
することができ、三次元成形品、フィルム、繊維、容器
などに加工することが可能である。また、他の熱可塑性
樹脂と混合することによってポリマーアロイとすること
もできる。尚、成形時には本発明の全芳香族液晶性ポリ
エステルに、ガラス繊維、炭素繊維などの強化剤、充填
剤、酸化防止剤、安定剤、可塑剤、離形剤などの添加剤
を添加して、成形品に所望の特性を付与することができ
る。
【００２６】
【実施例】次に、実施例によって、本発明を更に具体的
に説明する。実施例 １ 撹拌装置、窒素導入管、蒸留凝縮器、温度計を備えた重
合管中に４,４'−ジアセトキシ−２,２'−３,３'−５,
５'−ヘキサメチルビフェニル（化合物Ｖ）１.４１８ｇ
（４.０ミリモル）、フェニルハイドロキノンジアセテ
ート（化合物ＶI）１.０８１ｇ（４.０ミリモル）、テ
レフタル酸（化合物ＶII）１.３２９ｇ（８.０ミリモ
ル）、アセトキシ安息香酸（化合物ＶIII）０.３６０ｇ
（２.０ミリモル）を投入した（これより得られる反応
生成物の各構造単位のモル比は〔Ｉ〕／〔II〕／〔II
I〕／〔IＶ〕＝４／４／８／２である）。この反応系に
減圧、窒素導入を３回繰り返し、反応系内の雰囲気を窒
素に置換した。窒素気流下、２４０℃で２０分間加熱撹
拌し、続いて２８０℃で２０分間反応させた。この段階
で、酢酸が早く流出した。続いて３００℃で４０分間、
３２０℃で２０分間加熱撹拌を続け、３５０℃に昇温
し、３００Ｔorrに減圧して１０分間反応させ、更に３
５０℃で０.５Ｔorrで２０分間反応させ、重合を完結さ
せた。反応系内を窒素で常圧に戻し、重合物を取り出し
た。この重合物の液晶開始温度は、４１７℃であり、良
好な光学異方性を示した。その他の物性を含め、結果を
表１に示す。
に説明する。実施例 １ 撹拌装置、窒素導入管、蒸留凝縮器、温度計を備えた重
合管中に４,４'−ジアセトキシ−２,２'−３,３'−５,
５'−ヘキサメチルビフェニル（化合物Ｖ）１.４１８ｇ
（４.０ミリモル）、フェニルハイドロキノンジアセテ
ート（化合物ＶI）１.０８１ｇ（４.０ミリモル）、テ
レフタル酸（化合物ＶII）１.３２９ｇ（８.０ミリモ
ル）、アセトキシ安息香酸（化合物ＶIII）０.３６０ｇ
（２.０ミリモル）を投入した（これより得られる反応
生成物の各構造単位のモル比は〔Ｉ〕／〔II〕／〔II
I〕／〔IＶ〕＝４／４／８／２である）。この反応系に
減圧、窒素導入を３回繰り返し、反応系内の雰囲気を窒
素に置換した。窒素気流下、２４０℃で２０分間加熱撹
拌し、続いて２８０℃で２０分間反応させた。この段階
で、酢酸が早く流出した。続いて３００℃で４０分間、
３２０℃で２０分間加熱撹拌を続け、３５０℃に昇温
し、３００Ｔorrに減圧して１０分間反応させ、更に３
５０℃で０.５Ｔorrで２０分間反応させ、重合を完結さ
せた。反応系内を窒素で常圧に戻し、重合物を取り出し
た。この重合物の液晶開始温度は、４１７℃であり、良
好な光学異方性を示した。その他の物性を含め、結果を
表１に示す。
【００２７】実施例 ２〜６ 実施例１において、原料モル比を表１に記載のとおりに
変化させた以外は、実施例１と同様に反応を行った。結
果を表１に示す。
変化させた以外は、実施例１と同様に反応を行った。結
果を表１に示す。
【００２８】比較例 １ 実施例１において、アセトキシ安息香酸を用いなかった
以外は、実施例１と同様にして反応を行った。結果を表
１に示す。比較例 ２ 実施例４においてアセトキシ安息香酸を用いなかった以
外は、実施例４と同様にして反応を行った。結果を表１
に示す。１部のポリマーでは液晶性を発現しなかった。
以外は、実施例１と同様にして反応を行った。結果を表
１に示す。比較例 ２ 実施例４においてアセトキシ安息香酸を用いなかった以
外は、実施例４と同様にして反応を行った。結果を表１
に示す。１部のポリマーでは液晶性を発現しなかった。
【００２９】実施例 ７〜９ 実施例１のフェニルハイドロキノンジアセテートをクロ
ロハイドロキノンに変更し、原料のモル比を表２に記載
のようにした以外は、実施例１と同様にして反応を行っ
た。結果を表２に示す。
ロハイドロキノンに変更し、原料のモル比を表２に記載
のようにした以外は、実施例１と同様にして反応を行っ
た。結果を表２に示す。
【００３０】比較例 ３ 実施例７において、アセトキシ安息香酸を用いなかった
以外は実施例７と同様に反応を行った。結果を表２に示
す。 注）ηinh：対数粘度 ０.１ｇ／ｄｌ、３０℃、ウベロ
ーデ粘度計 溶媒；フェノール／ｐ−クロロフェノール／１,１,２,
２−テトラクロロエタン（Ｗ／Ｗ／Ｗ＝２５／４０／２
５）中で測定 Ｔｇ：ガラス転移温度 ＤＳＣ測定（２０℃／分、窒素
中） Ｔｍ：液晶開始温度（液晶性を示さない場合は溶融温
度） ＤＳＣ測定（２０℃／分、窒素中） Ｔｄ：重量減少開始温度ＤＳＣ測定（２０℃／分、窒素
中）
以外は実施例７と同様に反応を行った。結果を表２に示
す。 注）ηinh：対数粘度 ０.１ｇ／ｄｌ、３０℃、ウベロ
ーデ粘度計 溶媒；フェノール／ｐ−クロロフェノール／１,１,２,
２−テトラクロロエタン（Ｗ／Ｗ／Ｗ＝２５／４０／２
５）中で測定 Ｔｇ：ガラス転移温度 ＤＳＣ測定（２０℃／分、窒素
中） Ｔｍ：液晶開始温度（液晶性を示さない場合は溶融温
度） ＤＳＣ測定（２０℃／分、窒素中） Ｔｄ：重量減少開始温度ＤＳＣ測定（２０℃／分、窒素
中）
【００３１】
【表１】
【００３２】
【表２】
【００３３】
【発明の効果】本発明の全芳香族液晶性ポリエステル
は、溶融温度が２００〜４２０℃であり、また、優れた
成形加工性があるので、射出成形、押出成形、圧縮成
形、ブロー成形などの通常の溶融成形に供することがで
き、三次元成形品、フィルム、繊維、容器などに加工す
ることが可能である。また、他の熱可塑性樹脂と混合す
ることによってポリマーアロイ化することもできる。得
られた成形品は、優れた機械的性質を示し、また、成形
時には本発明の全芳香族液晶性ポリエステルに、ガラス
繊維、炭素繊維、などの強化剤、充填剤、酸化防止剤、
可塑剤、離形材などの添加物を添加して、成形品に所望
の特性を付与することができるので、広範な応用分野に
使用することができる。
は、溶融温度が２００〜４２０℃であり、また、優れた
成形加工性があるので、射出成形、押出成形、圧縮成
形、ブロー成形などの通常の溶融成形に供することがで
き、三次元成形品、フィルム、繊維、容器などに加工す
ることが可能である。また、他の熱可塑性樹脂と混合す
ることによってポリマーアロイ化することもできる。得
られた成形品は、優れた機械的性質を示し、また、成形
時には本発明の全芳香族液晶性ポリエステルに、ガラス
繊維、炭素繊維、などの強化剤、充填剤、酸化防止剤、
可塑剤、離形材などの添加物を添加して、成形品に所望
の特性を付与することができるので、広範な応用分野に
使用することができる。
Claims (1)
- 【請求項１】 下記構造単位〔Ｉ〕、〔II〕、〔III〕
および〔IＶ〕より構成され（但し、各構成単位は、互
いにエステル結合で連結されている）、構造単位
（〔Ｉ〕＋〔II〕）と構造単位〔III〕は実質的に当量
であり、構造単位〔Ｉ〕のモル数と構造単位〔II〕のモ
ル数との比が５／９５〜１００／０、構造単位〔IＶ〕
が全構成モノマーにたいして０.１〜９０モル％であ
り、溶融温度が２００℃以上である全芳香族液晶性ポリ
エステル。 【化１】 （式中、Ａr1、Ａr2およびＡr3はそれぞれ独立に炭素数
６から１８の２価の置換基を有していてもよい芳香族基
である。）
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11981793A JPH06329775A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 全芳香族液晶性ポリエステル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11981793A JPH06329775A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 全芳香族液晶性ポリエステル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06329775A true JPH06329775A (ja) | 1994-11-29 |
Family
ID=14770984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11981793A Pending JPH06329775A (ja) | 1993-05-21 | 1993-05-21 | 全芳香族液晶性ポリエステル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06329775A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005033177A1 (ja) * | 2003-10-02 | 2005-04-14 | Kabushiki Kaisha Ueno Seiyaku Oyo Kenkyujo | 液晶ポリエステル樹脂 |
| US7238769B2 (en) | 2004-05-11 | 2007-07-03 | Kabushiki Kaisha Ueno Seiyaku Oyo Kenkyujo | Method for joining liquid-crystalline polyester resin composition parts and jointed article made of liquid-crystalline polyester resin composition |
-
1993
- 1993-05-21 JP JP11981793A patent/JPH06329775A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005033177A1 (ja) * | 2003-10-02 | 2005-04-14 | Kabushiki Kaisha Ueno Seiyaku Oyo Kenkyujo | 液晶ポリエステル樹脂 |
| CN100443524C (zh) * | 2003-10-02 | 2008-12-17 | 上野制药株式会社 | 液晶聚酯树脂 |
| US7238769B2 (en) | 2004-05-11 | 2007-07-03 | Kabushiki Kaisha Ueno Seiyaku Oyo Kenkyujo | Method for joining liquid-crystalline polyester resin composition parts and jointed article made of liquid-crystalline polyester resin composition |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4684712A (en) | Process for producing wholly aromatic polyesters | |
| EP0520428A2 (en) | Method of producing thermotropic liquid crystalline polyester | |
| EP0220041B1 (en) | Copolyester | |
| JPH02226A (ja) | サーモトロピック液晶芳香族エステル類 | |
| JPS62132923A (ja) | 新規な全芳香族ポリエステルカルバミド及びその製法 | |
| JPH02214720A (ja) | 新規な熱互変性ポリエステル、その製造方法及び成形品、フイラメント、短繊維及びフイルムの製造のためのそれらの使用 | |
| JPH06329775A (ja) | 全芳香族液晶性ポリエステル | |
| EP0289802A2 (en) | Optically anisotropic melt forming aromatic copolyesters based on t-butyl-4-hydroxybenzoic acid | |
| JPH04337320A (ja) | 全芳香族ポリエステル | |
| JP3311360B2 (ja) | 液晶ポリ（エステル―アミド） | |
| JPH05331267A (ja) | 全芳香族ポリエステル | |
| JP3326263B2 (ja) | 液晶性ポリエステル | |
| JPH0297522A (ja) | 熱互変性芳香族ポリエステル、その製造方法ならびにその成形品、フイラメント、繊維およびフイルム製造用の使用 | |
| JP3185414B2 (ja) | 芳香族コポリエステルイミド | |
| CA1307072C (en) | Thermotropic liquid-cristalline aromatic polyesters | |
| JP2657083B2 (ja) | 芳香族コポリエステル | |
| JPH02208317A (ja) | 共重合ポリエステル | |
| US4978735A (en) | Thermotropic liquid crystalline aromatic polyester from 3,3'-diphenyl-4,4'-d | |
| JP2003055446A (ja) | 全芳香族ポリエステルの製造方法 | |
| JP3136703B2 (ja) | サーモトロピック液晶性ポリエステルの製造方法 | |
| JPH07304862A (ja) | 液晶性ポリエステルの製造方法 | |
| JPH06279578A (ja) | 液晶性ポリエーテルエステル | |
| JPH07309936A (ja) | 液晶性ポリエステルの製造方法 | |
| JP3267029B2 (ja) | 芳香族コポリエステル | |
| JP3077833B2 (ja) | 芳香族コポリエステル |