JPH06327243A - パワーコンバータ - Google Patents
パワーコンバータInfo
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Abstract
スがスイッチング期間全体で導通するようにして効率を
改善する。 【構成】 パワーコンバータは、DC電圧を受ける入力
と、一次巻線および二次巻線を有するパワー変成器10
2と、入力を一次巻線に周期的に接続するパワースイッ
チ101と、電圧を加えるべき負荷に接続される出力3
51と、パワーコンバータの周期のある指定間隔の間二
次巻線の両端の電圧を制限するクランプ手段322、3
21と、二次巻線を出力に接続する整流回路と、指定間
隔の間のクランプ手段の動作中に二次巻線から出力へ導
通するように接続された同期整流デバイス105と、指
定間隔以外の間隔の間二次巻線を出力へ導通するように
接続された低順電圧降下バイポーラダイオード323と
からなる。
Description
コンバータに関し、特に、クランプモード構造を有する
フォワードコンバータおよびフライバックコンバータに
関する。
力の整流を行うために、その変成器の巻線の電圧によっ
て駆動される制御端子を有するMOSFET整流デバイ
スを使用した整流器をいう。しかし、バック式コンバー
タ(すなわち、フォワード型およびフライバック型の構
造を含むバック型、バックブースト型、ブースト型コン
バータ)におけるそのような整流器が非効率的であるこ
と、および、フォワードコンバータの変成器リセット電
圧が変動してしまうことにより、同期整流器の使用は制
限されている。
動可能性は、MOSFET整流器の導通時間を制限し、
整流器の効果および効率を低下させる。これは、整流デ
バイスがスイッチング期間全体では導通せず、整流器の
ゲート駆動エネルギーが散逸してしまうためである。
ランプモードのバック式パワーコンバータと組み合わせ
ることにより上記の課題は解決される。
ー変成器を有する従来技術のフォワード構成が、自己同
期整流器と組み合わされている。このような整流器で
は、制御されるデバイスはパワー変成器の出力巻線によ
って駆動される制御端子とともに使用される。
は、 MOSFETパワースイッチ101によって、パ
ワー変成器の一次巻線110と接続されている。二次巻
線102は、出力フィルタインダクタ104ならびにM
OSFET整流デバイス105および106を含む同期
整流器を通して出力リード103に接続されている。各
整流デバイスはそれぞれダイオード108および107
を含む。
電圧が一次巻線110の両端にかかる。二次巻線102
の極性は、一次側電圧に応答して、電流が、インダクタ
104を通り、出力リード103に接続された負荷を通
り、MOSFET整流器16を通って二次巻線102に
戻るようになっている。パワースイッチ101が非導通
の場合、インダクタ104の電流の連続性は、MOSF
ET105の導通によって与えられる電流パスによって
維持される。出力フィルタキャパシタ111は、コンバ
ータの出力をシャントする。
02の両端に現れる電圧によって与えられるゲート駆動
信号によって制御される。この電圧を図2の電圧波形2
01に図示する。パワースイッチ101の導通間隔T1
の間は、二次巻線電圧Vns1はMOSFET106のゲ
ートを充電し、全間隔T1の間このゲートを導通状態に
バイアスする。MOSFET105は間隔T1の間非導
通状態にバイアスされる。導通しているMOSFET整
流デバイス106は、間隔T1の間、出力へエネルギー
を伝達する電流パスを提供する。MOSFET整流器1
06のゲートは、入力電圧Vinに応答して充電される。
この電圧によるすべてのゲート駆動エネルギーは散逸す
る。
になると、二次巻線102の両端の電圧Vns1は、時間
間隔T2が始まると同時に極性を反転する。この電圧反
転は、変成器磁化インダクタンスのリセットを開始し、
共鳴してMOSFET整流器106のゲートを放電し、
MOSFET整流器104のゲートの充電を開始する。
図2の電圧波形に示されるように、二次巻線102の両
端の電圧は一定値ではなく、可変電圧であって、その後
の時間間隔T3では0になる。これは、パワースイッチ
101の次の導通間隔の前に起こる。この電圧は、実際
には時間間隔T2の一部のみで整流器105を導通状態
に駆動するように作用する。この部分は、図2の波形2
01の斜線領域202で示されている。これは、整流器
105の低損失整流器デバイスとしての性能を大きく減
退させる。このことは、整流器105のダイオード10
8が大きな順電圧降下を有するため効率的に負荷電流を
伝送することができないということによってさらに悪化
する。
ータの全体の効率を制限し、達成可能なパワー密度に悪
影響を与える。同期整流器105は全スイッチング期間
にわたって連続的に導通しないため、従来は、負荷電流
を伝送することができる整流器ダイオード(例えば、整
流器105にシャント接続されるもの)がMOSFET
整流器105の他に必要とされている。この非効率は、
MOSFET整流器106に付随するゲート駆動エネル
ギー散逸によってさらに悪化する。このゲート駆動損失
は、高いスイッチング周波数(例えば、300kHz以
上)では、MOSFET整流器106の導通損失を超え
ることもある。
率は、本発明によれば、クランプ回路配置を使用してリ
セット電圧を制限し、整流回路に低い順電圧降下ダイオ
ードを使用することによって、大きく改善される。この
ような配置を図3の概略図に示す。このフォワードパワ
ーコンバータでは、パワーMOSFETデバイス101
はクランプキャパシタ321とMOSFETスイッチデ
バイス322の直列接続によってシャントされる。パワ
ースイッチ101およびMOSFETデバイス322の
導通間隔は相互に排他的である。パワースイッチ101
のデューティサイクルはDであり、MOSFETデバイ
ス322のデューティサイクルは1−Dである。キャパ
シタ321の電圧慣性によって、MOSFETパワース
イッチ101の非導通間隔中に磁化インダクタンスの両
端に現れるリセット電圧の振幅が制限される。
示されているように、図1のMOSFETデバイス10
6を置き換えている。ゲート駆動エネルギーの散逸によ
って、図1のMOSFET整流器106の全寄与は制限
される。クランプ回路のクランプ作用によって、二次巻
線102の両端の、期間T2における電圧波形401に
示されるように、一定の電圧レベル402が生じる。M
OSFET整流器105のゲート駆動にかかるこの定電
圧は、T2のリセット間隔全体の間導通状態に駆動す
る。この配置では、MOSFET105をシャントする
ダイオードは不要である。クランプモードコンバータの
利点は、ダイオード323にかかるピーク逆電圧が、図
1で同じ位置にあるMOSFETデバイスにかかる電圧
よりもずっと低いことである。従って、ダイオード32
3は、非常に効率の良い定電圧ダイオードとなり、通常
は整流目的には適さないと考えられる低電圧ダイオード
によって実装することも可能となる。
作時には、MOSFETパワースイッチをオンにする直
前にMOSFETスイッチ322はオフになる。MOS
FETスイッチングデバイス101および322の寄生
キャパシタンスに蓄積されるエネルギーは、パワー変成
器の漏洩インダクタンスに転換され、このキャパシタン
スをゼロ電圧へと放電する。図4に示した時間間隔T3
の間に、一次巻線の両端の電圧はこの漏洩インダクタン
スによって支持される。二次巻線102の両端の電圧
は、図4に示されているように、0へと降下する。二次
巻線がこのゼロ電圧レベルになると、出力インダクタは
共鳴してMOSFET整流デバイス105のゲートキャ
パシタンスを放電し、最終的に、バイポーラダイオード
323を順バイアスする。遅延時間T3は一定の設計パ
ラメータであり、パワースイッチ101および322を
制御する因子である。これらのパワースイッチは、ソフ
トな波形に適応するようにスイッチすることが可能であ
る。図3のこの同期整流回路は、図1の回路の配置に欠
けていた所望の効率を備えている。
322の導通の制御は、出力端子電圧を検知するように
コンバータの出力端子103にリード351によって接
続された制御回路350によってなされる。制御回路3
50は、リード353および354によってパワースイ
ッチ101および322の駆動端子に接続される。駆動
信号は、出力端子における出力電圧を調整するように制
御される。所望の調整を実現するための、制御回路の詳
細な設計は、当業者に周知であるのでここでは説明しな
い。この制御回路350は、図5、図6、図7、および
図8のコンバータへの応用に適したものである。
示す。図5のコンバータは、2つのゲート同期整流デバ
イス105および106を有するクランプモードフォワ
ードコンバータである。この同期整流器の実施例では、
同期される整流デバイス106は、低い動作周波数でコ
ンバータの効率に悪影響を与えずに使用可能である。
オードを使用するという点で図3の回路と類似の整流器
を有するクランプモードフォワードコンバータである。
二次巻線は分岐し、2つの二次巻線セグメント603お
よび602を形成している。
で動作する。このフライバック動作に適応するために、
バイポーラ整流デバイスと同期整流デバイスは図3の接
続とは逆の接続になっている。
駆動信号を加えることにより、ゲートの定格を越える電
圧スパイクが生じることがある。小信号MOSFETデ
バイス813が、ゲート駆動をMOSFET整流デバイ
ス105に結合するように接続される。このデバイス
は、制御駆動リード815によって制御されて、整流器
105のゲートにかかるピーク電圧を制限することが可
能である。この場合、MOSFET同期整流器は、MO
SFETデバイス813のダイオードを通じて放電され
る。
ワーコンバータのMOSFET整流デバイスがスイッチ
ング期間全体で導通し、その効率が改善される。
ータの図である。
形の図である。
ランプモードフォワードコンバータの図である。
形の図である。
もう1つの型のクランプモードフォワードコンバータの
図である。
プ二次巻線とを有する、もう1つの型のクランプモード
フォワードコンバータの図である。
クランプモードフライバックコンバータの図である。
プ二次巻線とを有する、もう1つの型のクランプモード
フォワードコンバータの図である。
Claims (3)
- 【請求項1】 DC電圧を受ける入力と、 一次巻線および二次巻線を有するパワー変成器(10
2)と、 前記入力を前記一次巻線に周期的に接続するパワースイ
ッチ(101)と、 電圧を加えるべき負荷に接続される出力(351)と、 パワーコンバータの周期のある指定された間隔の間前記
二次巻線の両端の電圧を制限するクランプ手段(32
2、321)と、 前記二次巻線を前記出力に接続する整流回路と、 前記指定された間隔の間の前記クランプ手段の動作中に
前記二次巻線から前記出力へ導通するように接続された
同期整流デバイス(105)と、 前記指定された間隔以外の間隔の間前記二次巻線を前記
出力へ導通するように接続された低順電圧降下バイポー
ラダイオード(323)とからなることを特徴とするパ
ワーコンバータ。 - 【請求項2】 前記パワーコンバータがフォワード型コ
ンバータとして動作するように接続されていることを特
徴とする請求項1のパワーコンバータ。 - 【請求項3】 前記パワーコンバータがフライバック型
コンバータとして動作するように接続されていることを
特徴とする請求項1のパワーコンバータ。
Applications Claiming Priority (3)
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