JPH0632699A - 半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法 - Google Patents
半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法Info
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- JPH0632699A JPH0632699A JP20862892A JP20862892A JPH0632699A JP H0632699 A JPH0632699 A JP H0632699A JP 20862892 A JP20862892 A JP 20862892A JP 20862892 A JP20862892 A JP 20862892A JP H0632699 A JPH0632699 A JP H0632699A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 故意に添加した不純物の濃度の総量が０．０
５ｐｐｍｗ以下でありかつその他の残留不純物の濃度の
総量が０．０５ｐｐｍｗ以下である、あるいは無添加で
残留不純物の濃度の総量が０．０５ｐｐｍｗ以下である
ＩｎＰ単結晶をリン圧印加熱処理による半絶縁性化する
工程において、ＩｎＰ単結晶を石英アンプル中に真空封
入する前に、ＩｎＰ単結晶を石英アンプルに挿入した状
態で真空ベ−キング処理をすることを特徴とする。上記
の真空ベ−キング処理の温度が２５０℃以上３５０℃以
下であることを特徴とする。 【効果】 抵抗率のバラツキが低減され、半絶縁性Ｉｎ
Ｐ単結晶基板の製造工程において、再現性・量産性が大
幅に改善される。
５ｐｐｍｗ以下でありかつその他の残留不純物の濃度の
総量が０．０５ｐｐｍｗ以下である、あるいは無添加で
残留不純物の濃度の総量が０．０５ｐｐｍｗ以下である
ＩｎＰ単結晶をリン圧印加熱処理による半絶縁性化する
工程において、ＩｎＰ単結晶を石英アンプル中に真空封
入する前に、ＩｎＰ単結晶を石英アンプルに挿入した状
態で真空ベ−キング処理をすることを特徴とする。上記
の真空ベ−キング処理の温度が２５０℃以上３５０℃以
下であることを特徴とする。 【効果】 抵抗率のバラツキが低減され、半絶縁性Ｉｎ
Ｐ単結晶基板の製造工程において、再現性・量産性が大
幅に改善される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半絶縁性ＩｎＰ単結晶
の製造方法に関し、特にイオン注入型ＦＥＴ、ヘテロ接
合型ＦＥＴ、光電子複合回路（ＯＥＩＣ）等の電子デバ
イスの作製に適する半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法に
関する。
の製造方法に関し、特にイオン注入型ＦＥＴ、ヘテロ接
合型ＦＥＴ、光電子複合回路（ＯＥＩＣ）等の電子デバ
イスの作製に適する半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半絶縁性ＩｎＰ単結晶基板は、イオン注
入型ＦＥＴ、ヘテロ接合型ＦＥＴ、光電子複合回路（Ｏ
ＥＩＣ）等の電子デバイスの作製に応用され、従来工業
的には、半導体の禁制帯の中央部にエネルギ−準位を作
る深いアクセプタ型不純物を添加する方法で作製されて
いる。上記の深いアクセプタ型不純物として、遷移金属
である鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、あるいはクロム
（Ｃｒ）等が利用されている。上記の深いアクセプタ型
不純物を、半導体中に残留している浅い準位をつくるド
ナ−型不純物の濃度以上に添加し補償することにより半
絶縁性化される。
入型ＦＥＴ、ヘテロ接合型ＦＥＴ、光電子複合回路（Ｏ
ＥＩＣ）等の電子デバイスの作製に応用され、従来工業
的には、半導体の禁制帯の中央部にエネルギ−準位を作
る深いアクセプタ型不純物を添加する方法で作製されて
いる。上記の深いアクセプタ型不純物として、遷移金属
である鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、あるいはクロム
（Ｃｒ）等が利用されている。上記の深いアクセプタ型
不純物を、半導体中に残留している浅い準位をつくるド
ナ−型不純物の濃度以上に添加し補償することにより半
絶縁性化される。
【０００３】ＩｎＰには無添加の半絶縁性ＧａＡｓ単結
晶に見られる内因性の深い準位が無いため、深いアクセ
プタ型不純物を補償のため添加するが、添加する量が多
いと、例えば、ヘテロ接合型ＦＥＴ、ＯＥＩＣ等を作製
する工程で、半絶縁性ＩｎＰ単結晶基板上にエピタキシ
ャル成長をする際、エピタキシャル膜に基板より上記の
Ｆｅ等の深いアクセプタ型不純物が外部拡散する。ヘテ
ロ接合型ＦＥＴ、ＯＥＩＣ等の動作領域に上記のＦｅ等
の深いアクセプタ型不純物が拡散すると、電子のトラッ
プとして働くため、デバイスの高速動作の妨げになる。
また、イオン注入型ＦＥＴの作製に応用した場合、浅い
準位をつくるドナ−型不純物のイオン注入量を、添加さ
れた深いアクセプタ型不純物の量以上にする必要があ
り、注入量が多くなり、イオン注入に際しできた結晶損
傷の熱処理による回復及び注入した不純物の電気的活性
化が充分に行なえずデバイスの特性の低下の要因とな
る。ＩｎＰ単結晶中に存在する深いアクセプタ型不純物
（例えば、Ｆｅ等の遷移金属）の濃度の総量を０．０５
ｐｐｍｗ以下に抑えることにより、上述の深いアクセプ
タ型不純物の影響を除くことができる。
晶に見られる内因性の深い準位が無いため、深いアクセ
プタ型不純物を補償のため添加するが、添加する量が多
いと、例えば、ヘテロ接合型ＦＥＴ、ＯＥＩＣ等を作製
する工程で、半絶縁性ＩｎＰ単結晶基板上にエピタキシ
ャル成長をする際、エピタキシャル膜に基板より上記の
Ｆｅ等の深いアクセプタ型不純物が外部拡散する。ヘテ
ロ接合型ＦＥＴ、ＯＥＩＣ等の動作領域に上記のＦｅ等
の深いアクセプタ型不純物が拡散すると、電子のトラッ
プとして働くため、デバイスの高速動作の妨げになる。
また、イオン注入型ＦＥＴの作製に応用した場合、浅い
準位をつくるドナ−型不純物のイオン注入量を、添加さ
れた深いアクセプタ型不純物の量以上にする必要があ
り、注入量が多くなり、イオン注入に際しできた結晶損
傷の熱処理による回復及び注入した不純物の電気的活性
化が充分に行なえずデバイスの特性の低下の要因とな
る。ＩｎＰ単結晶中に存在する深いアクセプタ型不純物
（例えば、Ｆｅ等の遷移金属）の濃度の総量を０．０５
ｐｐｍｗ以下に抑えることにより、上述の深いアクセプ
タ型不純物の影響を除くことができる。
【０００４】本発明者は、上述の従来の製造方法の欠点
を改善する手法として、半絶縁性ＩｎＰの深いアクセプ
タ型不純物添加量を低減する手法を、特開平３−２７９
２９９にて提示した。
を改善する手法として、半絶縁性ＩｎＰの深いアクセプ
タ型不純物添加量を低減する手法を、特開平３−２７９
２９９にて提示した。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述の特開平３−２７
９２９９に提示した手法では、深いアクセプタ型不純物
を意図的に添加すること無く、含有する不純物濃度の合
計が０．０５ｐｐｍｗ以下であるＩｎＰ単結晶を６Ｋｇ
／ｃｍ2を超える所定のリン蒸気圧を印加し熱処理する
ことにより、抵抗率が１０6Ω・ｃｍ以上で、３００Ｋ
での移動度が３０００ｃｍ2／Ｖ・ｓ以上である半絶縁
性ＩｎＰ単結晶を得ている。しかし、前記先願の発明の
手法の効果により、無添加のＩｎＰ単結晶の高抵抗化は
図れるが、一部に抵抗率が所定の１０6Ω・ｃｍ以上に
達しない「不良品」がみられ、半絶縁性化の再現性は充
分ではなかった。
９２９９に提示した手法では、深いアクセプタ型不純物
を意図的に添加すること無く、含有する不純物濃度の合
計が０．０５ｐｐｍｗ以下であるＩｎＰ単結晶を６Ｋｇ
／ｃｍ2を超える所定のリン蒸気圧を印加し熱処理する
ことにより、抵抗率が１０6Ω・ｃｍ以上で、３００Ｋ
での移動度が３０００ｃｍ2／Ｖ・ｓ以上である半絶縁
性ＩｎＰ単結晶を得ている。しかし、前記先願の発明の
手法の効果により、無添加のＩｎＰ単結晶の高抵抗化は
図れるが、一部に抵抗率が所定の１０6Ω・ｃｍ以上に
達しない「不良品」がみられ、半絶縁性化の再現性は充
分ではなかった。
【０００６】本発明は上記の課題を解決したもので、本
発明の目的は再現性のすぐれた半絶縁性ＩｎＰ単結晶の
製造方法を提供することにある。
発明の目的は再現性のすぐれた半絶縁性ＩｎＰ単結晶の
製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明による半絶縁性Ｉ
ｎＰ単結晶の製造方法は、故意に添加した不純物の濃度
の総量が０．０５ｐｐｍｗ以下でありかつその他の残留
不純物の濃度の総量が０．０５ｐｐｍｗ以下である、あ
るいは不純物を故意に添加することなくかつ残留不純物
の濃度の総量が０．０５ｐｐｍｗ以下であるＩｎＰ単結
晶を石英アンプル中に真空封入し、６Ｋｇ／ｃｍ2を超
える所定のリン蒸気圧を印加し熱処理し半絶縁性化する
工程において、前記ＩｎＰ単結晶を前記石英アンプル中
にリン蒸気圧印加用の赤リンと共に真空封入する前に、
前記ＩｎＰ単結晶を前記石英アンプルに挿入した状態で
所定の温度で真空ベ−キング処理をすることを特徴とし
ている。
ｎＰ単結晶の製造方法は、故意に添加した不純物の濃度
の総量が０．０５ｐｐｍｗ以下でありかつその他の残留
不純物の濃度の総量が０．０５ｐｐｍｗ以下である、あ
るいは不純物を故意に添加することなくかつ残留不純物
の濃度の総量が０．０５ｐｐｍｗ以下であるＩｎＰ単結
晶を石英アンプル中に真空封入し、６Ｋｇ／ｃｍ2を超
える所定のリン蒸気圧を印加し熱処理し半絶縁性化する
工程において、前記ＩｎＰ単結晶を前記石英アンプル中
にリン蒸気圧印加用の赤リンと共に真空封入する前に、
前記ＩｎＰ単結晶を前記石英アンプルに挿入した状態で
所定の温度で真空ベ−キング処理をすることを特徴とし
ている。
【０００８】本発明による半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造
方法においては、前記ＩｎＰ単結晶および前記石英アン
プルの真空ベ−キング処理の温度が２５０℃以上３５０
℃以下であることを特徴としている。
方法においては、前記ＩｎＰ単結晶および前記石英アン
プルの真空ベ−キング処理の温度が２５０℃以上３５０
℃以下であることを特徴としている。
【０００９】
【作用】本発明者は、前記先願の発明の手法の効果によ
り高抵抗化は図れたが、一部に抵抗率が所定の１０6Ω
・ｃｍ以上に達しない「不良品」を詳細に調べ、部分的
に厚さ方向の平均抵抗率が他の部分より低いことを見出
した。基板内で抵抗率のバラツキのある場所では、抵抗
率が表面近くと内部で違いがあることを見出した。表面
の抵抗率の比較的低い領域では、他の部分と比較し浅い
準位をつくるドナ−型不純物の濃度が高く、表面から拡
散により内部に侵入したと判断された。
り高抵抗化は図れたが、一部に抵抗率が所定の１０6Ω
・ｃｍ以上に達しない「不良品」を詳細に調べ、部分的
に厚さ方向の平均抵抗率が他の部分より低いことを見出
した。基板内で抵抗率のバラツキのある場所では、抵抗
率が表面近くと内部で違いがあることを見出した。表面
の抵抗率の比較的低い領域では、他の部分と比較し浅い
準位をつくるドナ−型不純物の濃度が高く、表面から拡
散により内部に侵入したと判断された。
【００１０】従来、先願発明の手法で行なわれる熱処理
の前に、ＩｎＰ単結晶の表面に付着している不純物の除
去のため、化学的エッチングにより浄化は実施している
が、エッチング後再付着した不純物による表面の汚染
が、上記の「不良品」の発生の原因であると予想され
た。不純物の再付着を完全に防止することは困難で、半
絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造の工程の再現性の低下の原因
となっていた。
の前に、ＩｎＰ単結晶の表面に付着している不純物の除
去のため、化学的エッチングにより浄化は実施している
が、エッチング後再付着した不純物による表面の汚染
が、上記の「不良品」の発生の原因であると予想され
た。不純物の再付着を完全に防止することは困難で、半
絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造の工程の再現性の低下の原因
となっていた。
【００１１】本発明の提供する手段により、予め化学的
エッチングにより浄化した単結晶を熱処理用の石英アン
プルに挿入後、真空ベ−キングの処理を施すことによ
り、エッチング後再付着した不純物を気化し除去するこ
と、あるいは石英アンプル表面の揮発性の不純物の除去
ができる。その結果、浅い準位をつくるドナ−型不純物
の外部から拡散による侵入を抑制・防止でき、抵抗率が
所定の１０6Ω・ｃｍ以上に達しない「不良品」の発生
を防止できる。
エッチングにより浄化した単結晶を熱処理用の石英アン
プルに挿入後、真空ベ−キングの処理を施すことによ
り、エッチング後再付着した不純物を気化し除去するこ
と、あるいは石英アンプル表面の揮発性の不純物の除去
ができる。その結果、浅い準位をつくるドナ−型不純物
の外部から拡散による侵入を抑制・防止でき、抵抗率が
所定の１０6Ω・ｃｍ以上に達しない「不良品」の発生
を防止できる。
【００１２】同時に、真空ベ−キングの温度をリン圧を
印加しない場合にＩｎＰの解離による表面からのリンの
解離が生じない３５０℃以下であり、ＩｎＰ単結晶の表
面あるいは石英アンプル表面に化学吸着している不純物
の迅速な除去が可能な２５０℃以上の温度を選択するこ
とにより、真空ベ−キング処理後尚かつ残留する不純物
を極力減ずることができる。物理吸着している不純物、
例えば水（Ｈ2Ｏ）は１００℃以上の温度で揮発除去さ
れるが、表面に化学吸着している水は少なくとも２５０
℃以上の温度でないと充分に揮発せず、以後の半絶縁性
化の熱処理工程において酸化膜の形成によるリン蒸気圧
を印加されない領域での高抵抗化の不足等のバラツキの
発生の要因になる。真空ベ−キング温度を２５０℃以上
の温度にすることで、ＩｎＰ単結晶の表面のみでなく石
英アンプル表面に化学吸着している水をも短い時間で完
全に除去でき、液相エピタキシャル成長で指摘されてい
る石英（ＳｉＯ2）と水（Ｈ2Ｏ）との反応により生成す
る揮発性のＳｉＯによる汚染をも抑制・防止できる。
印加しない場合にＩｎＰの解離による表面からのリンの
解離が生じない３５０℃以下であり、ＩｎＰ単結晶の表
面あるいは石英アンプル表面に化学吸着している不純物
の迅速な除去が可能な２５０℃以上の温度を選択するこ
とにより、真空ベ−キング処理後尚かつ残留する不純物
を極力減ずることができる。物理吸着している不純物、
例えば水（Ｈ2Ｏ）は１００℃以上の温度で揮発除去さ
れるが、表面に化学吸着している水は少なくとも２５０
℃以上の温度でないと充分に揮発せず、以後の半絶縁性
化の熱処理工程において酸化膜の形成によるリン蒸気圧
を印加されない領域での高抵抗化の不足等のバラツキの
発生の要因になる。真空ベ−キング温度を２５０℃以上
の温度にすることで、ＩｎＰ単結晶の表面のみでなく石
英アンプル表面に化学吸着している水をも短い時間で完
全に除去でき、液相エピタキシャル成長で指摘されてい
る石英（ＳｉＯ2）と水（Ｈ2Ｏ）との反応により生成す
る揮発性のＳｉＯによる汚染をも抑制・防止できる。
【００１３】
【実施例】本発明による半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方
法を以下に工程を追って説明する。残留キャリア濃度３
×１０15／ｃｍ3であって、Ｆｅ、Ｃｏ、及びＣｒ不純
物の濃度の総量が０．０５ｐｐｍｗ以下である無添加Ｉ
ｎＰ単結晶を厚さ０．５ｍｍに切断したウエハ状の試料
を、予め燐酸系のエッチャントにより切断時に表面に付
着している不純物を化学的エッチング除去した。熱処理
用石英アンプルは、フッ化水素酸（ＨＦ）水溶液にて表
面を洗浄し乾燥した。リン蒸気圧印加用の赤リン所定量
と共に、エッチング済の無添加ＩｎＰ単結晶を熱処理用
石英アンプル内に収納し、アンプル内の真空度１×１０
-6Ｔｏｒｒ以上に排気しつつ、前記石英アンプル及びＩ
ｎＰ単結晶を２５０〜３５０℃にて１時間真空ベ−キン
グ処理の後、アンプルの開口部を酸・水素バ−ナ−にて
気密封入した。
法を以下に工程を追って説明する。残留キャリア濃度３
×１０15／ｃｍ3であって、Ｆｅ、Ｃｏ、及びＣｒ不純
物の濃度の総量が０．０５ｐｐｍｗ以下である無添加Ｉ
ｎＰ単結晶を厚さ０．５ｍｍに切断したウエハ状の試料
を、予め燐酸系のエッチャントにより切断時に表面に付
着している不純物を化学的エッチング除去した。熱処理
用石英アンプルは、フッ化水素酸（ＨＦ）水溶液にて表
面を洗浄し乾燥した。リン蒸気圧印加用の赤リン所定量
と共に、エッチング済の無添加ＩｎＰ単結晶を熱処理用
石英アンプル内に収納し、アンプル内の真空度１×１０
-6Ｔｏｒｒ以上に排気しつつ、前記石英アンプル及びＩ
ｎＰ単結晶を２５０〜３５０℃にて１時間真空ベ−キン
グ処理の後、アンプルの開口部を酸・水素バ−ナ−にて
気密封入した。
【００１４】以下、熱処理の工程は、熱処理時に印加す
るリン蒸気圧を、先願の発明 特開平３−２７９２９９
に提示した６Ｋｇ／ｃｍ2以上の範囲である１５Ｋｇ
／ｃｍ2とし、熱処理温度を９００℃、２０時間加熱し
た後、冷却した。熱処理に用いた加熱炉は横型・密閉型
であり、熱処理の際、石英アンプル内のリン蒸気圧に均
衡する圧で不活性ガスアルゴン（Ａｒ）で炉内を加圧し
て、アンプルの破壊を防止した。
るリン蒸気圧を、先願の発明 特開平３−２７９２９９
に提示した６Ｋｇ／ｃｍ2以上の範囲である１５Ｋｇ
／ｃｍ2とし、熱処理温度を９００℃、２０時間加熱し
た後、冷却した。熱処理に用いた加熱炉は横型・密閉型
であり、熱処理の際、石英アンプル内のリン蒸気圧に均
衡する圧で不活性ガスアルゴン（Ａｒ）で炉内を加圧し
て、アンプルの破壊を防止した。
【００１５】比較例とし、実施例と同一のＩｎＰ単結晶
から切断したウエハ状の試料を用い、上述の真空ベ−キ
ング処理の工程のみを省略し（従来法）、以下実施例と
同じ熱処理の工程を行なった。熱処理工程終了後、石英
アンプルから取り出したウエハ状のＩｎＰ単結晶は、最
表面５０μｍをラッピング除去し、Ｖａｎ ｄｅｒＰａ
ｕｗ法にて抵抗率を測定し、同時にＨａｌｌ測定により
移動度（３００Ｋ）の評価を行なった。本発明による手
法の効果を確認するため、本発明による手法と従来法に
よりそれぞれ石英アンプルに真空封入したＩｎＰ単結晶
を同時に熱処理工程を実施した結果のうち代表的な３回
の結果を、表１に対比して示す。本発明による実施例に
おいては抵抗率は、所定の１０6Ω・ｃｍ以上に達して
おり、かつ毎回のバラツキも小さい。一方、比較例（従
来法）では、抵抗率が所定の１０6Ω・ｃｍ以上に達し
ない「不良品」の発生が見られ、またバラツキも大き
い。
から切断したウエハ状の試料を用い、上述の真空ベ−キ
ング処理の工程のみを省略し（従来法）、以下実施例と
同じ熱処理の工程を行なった。熱処理工程終了後、石英
アンプルから取り出したウエハ状のＩｎＰ単結晶は、最
表面５０μｍをラッピング除去し、Ｖａｎ ｄｅｒＰａ
ｕｗ法にて抵抗率を測定し、同時にＨａｌｌ測定により
移動度（３００Ｋ）の評価を行なった。本発明による手
法の効果を確認するため、本発明による手法と従来法に
よりそれぞれ石英アンプルに真空封入したＩｎＰ単結晶
を同時に熱処理工程を実施した結果のうち代表的な３回
の結果を、表１に対比して示す。本発明による実施例に
おいては抵抗率は、所定の１０6Ω・ｃｍ以上に達して
おり、かつ毎回のバラツキも小さい。一方、比較例（従
来法）では、抵抗率が所定の１０6Ω・ｃｍ以上に達し
ない「不良品」の発生が見られ、またバラツキも大き
い。
【表１】
【００１６】表１に記した２、３回目の実施例と比較例
では抵抗率が異なるが、移動度は差違が無く、抵抗率の
低下は残留キャリア濃度の違いによっている。上記の作
用に記したように、真空ベ−キング処理の工程におい
て、ＩｎＰ単結晶の表面あるいは石英アンプル表面に化
学吸着している不純物の迅速な除去がなされた結果と判
断される。
では抵抗率が異なるが、移動度は差違が無く、抵抗率の
低下は残留キャリア濃度の違いによっている。上記の作
用に記したように、真空ベ−キング処理の工程におい
て、ＩｎＰ単結晶の表面あるいは石英アンプル表面に化
学吸着している不純物の迅速な除去がなされた結果と判
断される。
【００１７】上記の無添加ＩｎＰ単結晶を用いた例の他
に、Ｆｅの含有濃度が０．０５ｐｐｍｗ以下となるよう
に極く低濃度添加したＩｎＰ単結晶に関しても、同様の
工程による熱処理を施すことにより、再現性良く半絶縁
性ＩｎＰ単結晶を製造できることを確認した。また、含
有するＦｅ等の深いアクセプタ型不純物の濃度が低いの
で、得られた半絶縁性ＩｎＰ単結晶基板上にエピタキシ
ャル成長したＩｎＰ膜中には、拡散によるＦｅ等の深い
アクセプタ型不純物の混入は分析法の検出限界以下であ
った。
に、Ｆｅの含有濃度が０．０５ｐｐｍｗ以下となるよう
に極く低濃度添加したＩｎＰ単結晶に関しても、同様の
工程による熱処理を施すことにより、再現性良く半絶縁
性ＩｎＰ単結晶を製造できることを確認した。また、含
有するＦｅ等の深いアクセプタ型不純物の濃度が低いの
で、得られた半絶縁性ＩｎＰ単結晶基板上にエピタキシ
ャル成長したＩｎＰ膜中には、拡散によるＦｅ等の深い
アクセプタ型不純物の混入は分析法の検出限界以下であ
った。
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明による半絶
縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法により、結晶中に含有され
る外因性の深いアクセプタ型不純物（例えば、Ｆｅ等の
遷移金属）の濃度の総量が０．０５ｐｐｍｗ以下であ
り、かつ抵抗率が１０6Ω・ｃｍ以上で、３００Ｋでの
移動度が３０００ｃｍ2／Ｖ・ｓ以上である半絶縁性Ｉ
ｎＰ単結晶の製造工程において、所定の抵抗率に達しな
い不良品の発生を抑制できるので、再現性・量産性が大
幅に改善される。また、抵抗率のバラツキが低減される
ため、本発明による製造方法で作製した半絶縁性ＩｎＰ
単結晶基板を応用し作製する電子デバイスも特性のバラ
ツキが低減でき、大幅に歩留まりを改善することが可能
となる。
縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法により、結晶中に含有され
る外因性の深いアクセプタ型不純物（例えば、Ｆｅ等の
遷移金属）の濃度の総量が０．０５ｐｐｍｗ以下であ
り、かつ抵抗率が１０6Ω・ｃｍ以上で、３００Ｋでの
移動度が３０００ｃｍ2／Ｖ・ｓ以上である半絶縁性Ｉ
ｎＰ単結晶の製造工程において、所定の抵抗率に達しな
い不良品の発生を抑制できるので、再現性・量産性が大
幅に改善される。また、抵抗率のバラツキが低減される
ため、本発明による製造方法で作製した半絶縁性ＩｎＰ
単結晶基板を応用し作製する電子デバイスも特性のバラ
ツキが低減でき、大幅に歩留まりを改善することが可能
となる。
Claims (2)
- 【請求項１】故意に添加した不純物の濃度の総量が０．
０５ｐｐｍｗ以下でありかつその他の残留不純物の濃度
の総量が０．０５ｐｐｍｗ以下である、あるいは不純物
を故意に添加することなくかつ残留不純物の濃度の総量
が０．０５ｐｐｍｗ以下であるＩｎＰ単結晶を石英アン
プル中に真空封入し、６Ｋｇ／ｃｍ2を超える所定のリ
ン蒸気圧を印加し熱処理し半絶縁性化する工程におい
て、前記ＩｎＰ単結晶を前記石英アンプル中にリン蒸気
圧印加用の赤リンと共に真空封入する前に、前記ＩｎＰ
単結晶を前記石英アンプルに挿入した状態で所定の温度
で真空ベ−キング処理をすることを特徴とする半絶縁性
ＩｎＰ単結晶の製造方法。 - 【請求項２】前記の真空ベ−キング処理の温度が２５０
℃以上３５０℃以下であることを特徴とする前記請求項
（１）に記載の半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20862892A JPH0632699A (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20862892A JPH0632699A (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0632699A true JPH0632699A (ja) | 1994-02-08 |
Family
ID=16559379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20862892A Pending JPH0632699A (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0632699A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100387761C (zh) * | 2005-09-22 | 2008-05-14 | 中国科学院半导体研究所 | InP单晶锭退火处理方法 |
| JP2008201672A (ja) * | 2003-03-13 | 2008-09-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ＩｎＰ基板及びその製造方法 |
| WO2008123242A1 (ja) * | 2007-03-27 | 2008-10-16 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | エピタキシャル成長用基板及びエピタキシャル成長方法 |
| CN109576776A (zh) * | 2018-12-29 | 2019-04-05 | 珠海鼎泰芯源晶体有限公司 | 一种晶体生长方法 |
-
1992
- 1992-07-14 JP JP20862892A patent/JPH0632699A/ja active Pending
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