JP2819244B2 - 半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法 - Google Patents
半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＯＥＩＣ、ＨＥＭＴ、
イオン注入型ＦＥＴなどの電子デバイスに用いる半絶縁
性化合物半導体の製造方法に関し、特に熱処理により半
絶縁性化を図る技術に関する。
イオン注入型ＦＥＴなどの電子デバイスに用いる半絶縁
性化合物半導体の製造方法に関し、特に熱処理により半
絶縁性化を図る技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】III −V 族化合物半導体を抵抗率が１０
6 Ω・cm以上に高抵抗化（即ち、半絶縁性化）するにあ
たり、浅いドナーとなるＳｉやＳを含む結晶では、深い
アクセプタとなるＦｅ、ＣｏまたはＣｒ等を添加する方
法が工業的に用いられている。この半絶縁性化は、浅い
ドナーを深いアクセプタで補償するという機構によるも
のである。従って、深いアクセプタとなる元素を、結晶
中に含有されている浅いドナーの濃度よりも多くなるよ
うに添加しなければ、半絶縁性化することはできないと
されている。
6 Ω・cm以上に高抵抗化（即ち、半絶縁性化）するにあ
たり、浅いドナーとなるＳｉやＳを含む結晶では、深い
アクセプタとなるＦｅ、ＣｏまたはＣｒ等を添加する方
法が工業的に用いられている。この半絶縁性化は、浅い
ドナーを深いアクセプタで補償するという機構によるも
のである。従って、深いアクセプタとなる元素を、結晶
中に含有されている浅いドナーの濃度よりも多くなるよ
うに添加しなければ、半絶縁性化することはできないと
されている。
【０００３】ところが、Ｆｅ、ＣｏまたはＣｒ等をドー
プして半絶縁性化する場合、これらの含有濃度はできる
だけ少ないことが望ましい。なぜならば、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｃｒ等は、深いアクセプタとして作用するため、イオン
注入型の電子デバイス（ＦＥＴなど）においてはイオン
注入した浅いドナー型不純物の活性化率を低下させた
り、また高周波で動作させるデバイス（ＯＥＩＣやＨＥ
ＭＴなど）においてはエピタキシャル成長膜中にこれら
の元素が拡散し、トラップとして作用して高周波かつ高
速化を妨げてしまうからである。さらに、これらＦｅ等
の元素は偏析し易く、結晶の上下でＦｅ等の濃度が異な
り上記の活性化率が不均一となり、歩留りが低くなって
しまう。
プして半絶縁性化する場合、これらの含有濃度はできる
だけ少ないことが望ましい。なぜならば、Ｆｅ、Ｃｏ、
Ｃｒ等は、深いアクセプタとして作用するため、イオン
注入型の電子デバイス（ＦＥＴなど）においてはイオン
注入した浅いドナー型不純物の活性化率を低下させた
り、また高周波で動作させるデバイス（ＯＥＩＣやＨＥ
ＭＴなど）においてはエピタキシャル成長膜中にこれら
の元素が拡散し、トラップとして作用して高周波かつ高
速化を妨げてしまうからである。さらに、これらＦｅ等
の元素は偏析し易く、結晶の上下でＦｅ等の濃度が異な
り上記の活性化率が不均一となり、歩留りが低くなって
しまう。
【０００４】従来、例えば半絶縁性のＩｎＰとしてはＦ
ｅドープＩｎＰが主として用いられている。しかし、Ｆ
ｅ等の含有濃度が０．２ppmw未満であると、抵抗率が１
０6Ω・cmより低くなってしまい、半絶縁性が低下して
しまう。これを半絶縁性結晶とするためには、Ｆｅ等の
含有濃度を一定濃度（０．２ppmw）以上にしなければな
らなかった。一般に、III −V 族化合物半導体でＦｅ、
Ｃｒ等の含有濃度が低くなると抵抗率が下がってしまう
のは、浅いドナーとなる不純物元素がその水準まで残留
不純物として結晶中に存在するためと考えられていた。
ところが、本発明者は、ＩｎＰ単結晶の半絶縁性化の機
構は、浅いドナーと深いアクセプタによる補償のみでな
く、さらに電気的に活性な点欠陥も関与していると考
え、鋭意研究の結果、結晶を熱処理して点欠陥の濃度を
制御することにより、深いアクセプタの不純物元素濃度
が従来に比して格段に低くても半絶縁性のIII −V 族化
合物半導体を得ることができることを見い出した。
ｅドープＩｎＰが主として用いられている。しかし、Ｆ
ｅ等の含有濃度が０．２ppmw未満であると、抵抗率が１
０6Ω・cmより低くなってしまい、半絶縁性が低下して
しまう。これを半絶縁性結晶とするためには、Ｆｅ等の
含有濃度を一定濃度（０．２ppmw）以上にしなければな
らなかった。一般に、III −V 族化合物半導体でＦｅ、
Ｃｒ等の含有濃度が低くなると抵抗率が下がってしまう
のは、浅いドナーとなる不純物元素がその水準まで残留
不純物として結晶中に存在するためと考えられていた。
ところが、本発明者は、ＩｎＰ単結晶の半絶縁性化の機
構は、浅いドナーと深いアクセプタによる補償のみでな
く、さらに電気的に活性な点欠陥も関与していると考
え、鋭意研究の結果、結晶を熱処理して点欠陥の濃度を
制御することにより、深いアクセプタの不純物元素濃度
が従来に比して格段に低くても半絶縁性のIII −V 族化
合物半導体を得ることができることを見い出した。
【０００５】これにより本発明者は先に、Ｆｅ、Ｃｏま
たはＣｒの何れか１種以上の含有濃度の合計が０．２pp
mw以下でありかつ抵抗率が１０7 Ω・cm以上である化合
物半導体の製造技術を提案した（特公平５−２９６３９
号）。これは、同時に複数のウェハを処理するために、
治具を用い各ウェハを略等しい間隔を開けて整列させ、
石英アンプル内に配置する方法を応用して、Ｆｅ、Ｃｏ
またはＣｒを０．２ppmw以下含有する例えば融液成長法
で作製した単結晶より切り出したＩｎＰウェハ（化合物
半導体）を石英アンプル内に真空封入するとともに、石
英アンプル内に例えば赤リンを配置してアンプル内のリ
ン分圧をＩｎＰの解離圧以上となる圧力とし、石英アン
プルを４００〜６４０℃で加熱するというものである。
この先願発明にあっては、その後の我々の研究により、
アンドープまたはＦｅ、ＣｏまたはＣｒの何れか１種以
上の不純物元素の含有濃度が０．０５ppmw以下のＩｎＰ
単結晶を熱処理しても、半絶縁性化しないことが分かっ
た。
たはＣｒの何れか１種以上の含有濃度の合計が０．２pp
mw以下でありかつ抵抗率が１０7 Ω・cm以上である化合
物半導体の製造技術を提案した（特公平５−２９６３９
号）。これは、同時に複数のウェハを処理するために、
治具を用い各ウェハを略等しい間隔を開けて整列させ、
石英アンプル内に配置する方法を応用して、Ｆｅ、Ｃｏ
またはＣｒを０．２ppmw以下含有する例えば融液成長法
で作製した単結晶より切り出したＩｎＰウェハ（化合物
半導体）を石英アンプル内に真空封入するとともに、石
英アンプル内に例えば赤リンを配置してアンプル内のリ
ン分圧をＩｎＰの解離圧以上となる圧力とし、石英アン
プルを４００〜６４０℃で加熱するというものである。
この先願発明にあっては、その後の我々の研究により、
アンドープまたはＦｅ、ＣｏまたはＣｒの何れか１種以
上の不純物元素の含有濃度が０．０５ppmw以下のＩｎＰ
単結晶を熱処理しても、半絶縁性化しないことが分かっ
た。
【０００６】そこで、本発明者はさらに研究を重ね、そ
の改良案として先に、石英アンプル内に赤リンととも
に、故意に不純物を添加することなく、かつ残留不純物
として存在するＦｅ、ＣｏまたはＣｒの何れか１種以上
の含有濃度の合計が０．０５ppmw以下であるＩｎＰウェ
ハを、６kg／cm2 を超えるリン分圧を有する雰囲気で熱
処理する方法により、それら不純物元素の含有濃度の合
計が０．０５ppmw以下であり、かつ３００Ｋでの抵抗率
が１０6 Ω・cm以上で、移動度が３０００cm2 ／V・sを
超える半絶縁性のIII −V 族化合物半導体（ＩｎＰ）を
製造する技術を提案した（特開平３−２７９２９９号、
「半絶縁性ＩｎＰ単結晶及びその製造方法」）。これよ
り得られる半絶縁性のIII −V 族化合物半導体（Ｉｎ
Ｐ）は、結晶中に含有する不純物、特にＦｅ、Ｃｏまた
はＣｒの何れか１種以上の含有濃度の合計を０．０５pp
mw以下とすることで、含有不純物による移動度の低下を
抑え、移動度を所望の値以上としたものである。
の改良案として先に、石英アンプル内に赤リンととも
に、故意に不純物を添加することなく、かつ残留不純物
として存在するＦｅ、ＣｏまたはＣｒの何れか１種以上
の含有濃度の合計が０．０５ppmw以下であるＩｎＰウェ
ハを、６kg／cm2 を超えるリン分圧を有する雰囲気で熱
処理する方法により、それら不純物元素の含有濃度の合
計が０．０５ppmw以下であり、かつ３００Ｋでの抵抗率
が１０6 Ω・cm以上で、移動度が３０００cm2 ／V・sを
超える半絶縁性のIII −V 族化合物半導体（ＩｎＰ）を
製造する技術を提案した（特開平３−２７９２９９号、
「半絶縁性ＩｎＰ単結晶及びその製造方法」）。これよ
り得られる半絶縁性のIII −V 族化合物半導体（Ｉｎ
Ｐ）は、結晶中に含有する不純物、特にＦｅ、Ｃｏまた
はＣｒの何れか１種以上の含有濃度の合計を０．０５pp
mw以下とすることで、含有不純物による移動度の低下を
抑え、移動度を所望の値以上としたものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、その後の我々
の研究により特開平３−２７９２９９号において提案し
た発明にあっては、高抵抗率でかつ高移動度のＩｎＰ単
結晶を得ることができるが、複数枚のウェハを同時に熱
処理すると、高抵抗化かつ高移動度化しないウェハが発
生することがあり、高抵抗率でかつ高移動度のＩｎＰ単
結晶を必ずしも安定して得られるとは限らなかった。
の研究により特開平３−２７９２９９号において提案し
た発明にあっては、高抵抗率でかつ高移動度のＩｎＰ単
結晶を得ることができるが、複数枚のウェハを同時に熱
処理すると、高抵抗化かつ高移動度化しないウェハが発
生することがあり、高抵抗率でかつ高移動度のＩｎＰ単
結晶を必ずしも安定して得られるとは限らなかった。
【０００８】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところは、高抵抗率でかつ高移動度
のＩｎＰ単結晶を安定して得ることのできる半絶縁性Ｉ
ｎＰ単結晶の製造方法を提供することにある。
で、その目的とするところは、高抵抗率でかつ高移動度
のＩｎＰ単結晶を安定して得ることのできる半絶縁性Ｉ
ｎＰ単結晶の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、鋭意研究を重ねた結果、アンドープのＩｎＰ単結晶
を６kg／cm2 を超える高リン蒸気圧雰囲気で熱処理した
後に、４００〜６４０℃でもって熱処理すると、高抵抗
率でかつ高移動度のＩｎＰ単結晶を安定して得ることが
できることを見い出した。
に、鋭意研究を重ねた結果、アンドープのＩｎＰ単結晶
を６kg／cm2 を超える高リン蒸気圧雰囲気で熱処理した
後に、４００〜６４０℃でもって熱処理すると、高抵抗
率でかつ高移動度のＩｎＰ単結晶を安定して得ることが
できることを見い出した。
【００１０】本発明は、上記知見に基づきなされたもの
で、故意に不純物を添加することなく、かつ残留不純物
として存在するＦｅ、ＣｏまたはＣｒのいずれか１種以
上の含有濃度の合計が０．０５ppmw以下であるＩｎＰ単
結晶を、６kg／cm2 を超えるリン蒸気圧雰囲気で熱処理
する第１の熱処理工程の後、該ＩｎＰ単結晶の解離圧以
上のリン蒸気圧雰囲気で４００〜６４０℃の範囲の温度
でもって熱処理する第２の熱処理工程を行なうことを特
徴とする。
で、故意に不純物を添加することなく、かつ残留不純物
として存在するＦｅ、ＣｏまたはＣｒのいずれか１種以
上の含有濃度の合計が０．０５ppmw以下であるＩｎＰ単
結晶を、６kg／cm2 を超えるリン蒸気圧雰囲気で熱処理
する第１の熱処理工程の後、該ＩｎＰ単結晶の解離圧以
上のリン蒸気圧雰囲気で４００〜６４０℃の範囲の温度
でもって熱処理する第２の熱処理工程を行なうことを特
徴とする。
【００１１】この発明において、前記第１の熱処理の温
度は９００〜１０２０℃の範囲の温度であることをも特
徴とする。
度は９００〜１０２０℃の範囲の温度であることをも特
徴とする。
【００１２】
【作用】上記した手段によれば、ＩｎＰ単結晶を、６kg
／cm2 を超えるリン蒸気圧雰囲気で熱処理した後、該Ｉ
ｎＰ単結晶の解離圧以上のリン蒸気圧雰囲気で４００〜
６４０℃の範囲の温度でもって熱処理するようにしたた
め、高抵抗率でかつ高移動度のＩｎＰ単結晶を安定して
得ることができる。なお、高抵抗率でかつ高移動度のＩ
ｎＰ単結晶が得られる原因については不明であるが、本
発明者は、単結晶中の不純物以外の点欠陥が関与してい
ることが原因であると推測している。
／cm2 を超えるリン蒸気圧雰囲気で熱処理した後、該Ｉ
ｎＰ単結晶の解離圧以上のリン蒸気圧雰囲気で４００〜
６４０℃の範囲の温度でもって熱処理するようにしたた
め、高抵抗率でかつ高移動度のＩｎＰ単結晶を安定して
得ることができる。なお、高抵抗率でかつ高移動度のＩ
ｎＰ単結晶が得られる原因については不明であるが、本
発明者は、単結晶中の不純物以外の点欠陥が関与してい
ることが原因であると推測している。
【００１３】
【実施例】以下に、実施例及び比較例を挙げて、本発明
の特徴とするところを明らかとするが、本発明は以下の
実施例によって何ら制限されるものではない。
の特徴とするところを明らかとするが、本発明は以下の
実施例によって何ら制限されるものではない。
【００１４】（実施例）ＩｎＰの原料多結晶から液体封
止チョクラルスキー（ＬＥＣ）法で引き上げたＦｅ、Ｃ
ｏ、Ｃｒの含有濃度がいずれも分析検出下限（０．００
２ppmw）以下である単結晶より切り出した厚さ０．５mm
のＩｎＰウェハ（薄板）１，１，…を、図１に示すよう
に、石英アンプル２内にスペーサとなる石英製治具４を
用いて間隔を開けて複数並べた。続いて、純度が６Ｎの
赤リン３を石英アンプル２内に配置し、石英アンプル２
内を１×１０-6Torrまで真空排気した後、酸水素バーナ
ーにより石英アンプル２の開口部を封止した。この際、
赤リン３の量は、特開平３−２７９２９９号に提案され
た発明に従い、リン（Ｐ4 ）分圧が６Kg／cm2 （約６at
m ）以上となるように、例えば石英アンプル２内のリン
分圧が熱処理温度で２５atm となるように調整した。
止チョクラルスキー（ＬＥＣ）法で引き上げたＦｅ、Ｃ
ｏ、Ｃｒの含有濃度がいずれも分析検出下限（０．００
２ppmw）以下である単結晶より切り出した厚さ０．５mm
のＩｎＰウェハ（薄板）１，１，…を、図１に示すよう
に、石英アンプル２内にスペーサとなる石英製治具４を
用いて間隔を開けて複数並べた。続いて、純度が６Ｎの
赤リン３を石英アンプル２内に配置し、石英アンプル２
内を１×１０-6Torrまで真空排気した後、酸水素バーナ
ーにより石英アンプル２の開口部を封止した。この際、
赤リン３の量は、特開平３−２７９２９９号に提案され
た発明に従い、リン（Ｐ4 ）分圧が６Kg／cm2 （約６at
m ）以上となるように、例えば石英アンプル２内のリン
分圧が熱処理温度で２５atm となるように調整した。
【００１５】次に、この石英アンプル２を横型加熱炉６
内に設置し、ヒータ５により熱処理温度９８５℃で４０
時間加熱保持した（第１の熱処理工程）。この熱処理工
程における熱処理温度は、９００〜１０２０℃の範囲の
温度であるのが適当である。その理由は、熱処理温度が
上記下限に満たないと十分な半絶縁性化の効果が得られ
ず、一方、上記上限を超えるとＩｎＰ単結晶が分解して
しまうからである。
内に設置し、ヒータ５により熱処理温度９８５℃で４０
時間加熱保持した（第１の熱処理工程）。この熱処理工
程における熱処理温度は、９００〜１０２０℃の範囲の
温度であるのが適当である。その理由は、熱処理温度が
上記下限に満たないと十分な半絶縁性化の効果が得られ
ず、一方、上記上限を超えるとＩｎＰ単結晶が分解して
しまうからである。
【００１６】続いて、約３０℃／分の降温速度で６２０
℃まで冷却し、その温度でもって５時間保持した（第２
の熱処理工程）。この熱処理工程においては、石英アン
プル２内のリン分圧はその熱処理温度でＩｎＰの解離圧
以上、具体的には１７．７atm であった。また、熱処理
温度は、４００〜６４０℃の範囲の温度であるのが適当
である。その理由は、熱処理温度が上記下限に満たない
と十分な半絶縁性化の効果が得られず、一方、上記上限
を超えると移動度が低くなるからである。
℃まで冷却し、その温度でもって５時間保持した（第２
の熱処理工程）。この熱処理工程においては、石英アン
プル２内のリン分圧はその熱処理温度でＩｎＰの解離圧
以上、具体的には１７．７atm であった。また、熱処理
温度は、４００〜６４０℃の範囲の温度であるのが適当
である。その理由は、熱処理温度が上記下限に満たない
と十分な半絶縁性化の効果が得られず、一方、上記上限
を超えると移動度が低くなるからである。
【００１７】しかる後、約２０℃／分の降温速度で冷却
し、石英アンプル２からＩｎＰウェハ１，１，…を取り
出した。
し、石英アンプル２からＩｎＰウェハ１，１，…を取り
出した。
【００１８】なお、上記横型加熱炉６は密閉型で１００
kg／cm2 の圧力まで加圧できるものを使用し、昇降温時
に、その温度に対応するリン分圧に見合う圧力のアルゴ
ンガスを加熱炉内に導入して、石英アンプル２の内外の
圧力のバランスを保ち、石英アンプル２の破壊を防止し
た。
kg／cm2 の圧力まで加圧できるものを使用し、昇降温時
に、その温度に対応するリン分圧に見合う圧力のアルゴ
ンガスを加熱炉内に導入して、石英アンプル２の内外の
圧力のバランスを保ち、石英アンプル２の破壊を防止し
た。
【００１９】（比較例）比較のために、上記第１の熱処
理工程のみを上記実施例と同一条件で行ない、上記第２
の熱処理工程を行なわなかった。その他の条件は、上記
実施例１と同じであった。
理工程のみを上記実施例と同一条件で行ない、上記第２
の熱処理工程を行なわなかった。その他の条件は、上記
実施例１と同じであった。
【００２０】上記実施例及び比較例で得られたウェハに
ついて、ウェハの抵抗率と移動度をホール測定により調
べた。その結果、抵抗率が１０6 Ω・cm以上でかつ移動
度が３０００cm2 ／V・sを超えるウェハの歩留まりは、
上記実施例の場合には９５％、上記比較例の場合には７
０％であった。従って、本発明の製造方法によれば半絶
縁性のＩｎＰ単結晶を安定して歩留まりよく製造できる
ことがわかった。
ついて、ウェハの抵抗率と移動度をホール測定により調
べた。その結果、抵抗率が１０6 Ω・cm以上でかつ移動
度が３０００cm2 ／V・sを超えるウェハの歩留まりは、
上記実施例の場合には９５％、上記比較例の場合には７
０％であった。従って、本発明の製造方法によれば半絶
縁性のＩｎＰ単結晶を安定して歩留まりよく製造できる
ことがわかった。
【００２１】なお、上記実施例では、第１の熱処理工程
から第２の熱処理工程に移行する際に、第１の熱処理工
程の処理温度（９８５℃）から第２の熱処理工程の処理
温度（６２０℃）まで冷却してそのままその温度に保持
したが、一旦第２の熱処理工程の処理温度よりも低温、
例えば室温まで冷却してから再び加熱して第２の熱処理
工程の処理温度に保持するようにしてもよい。
から第２の熱処理工程に移行する際に、第１の熱処理工
程の処理温度（９８５℃）から第２の熱処理工程の処理
温度（６２０℃）まで冷却してそのままその温度に保持
したが、一旦第２の熱処理工程の処理温度よりも低温、
例えば室温まで冷却してから再び加熱して第２の熱処理
工程の処理温度に保持するようにしてもよい。
【００２２】また、上記実施例では、第１の熱処理工程
から第２の熱処理工程に移行する際に、同一の石英アン
プル内にウェハを封入したまま直接移行したが、第１の
熱処理後、一旦石英アンプルからウェハを取り出し、そ
の取り出したウェハを別の石英アンプル内に上記実施例
と同様にして真空封入し、それを横型加熱炉内に設置し
て第２の熱処理工程を開始するようにしてもよい。その
際には、新たな石英アンプル内にウェハとともに、その
石英アンプル内のリン分圧が第２の熱処理工程の熱処理
温度でＩｎＰの解離圧以上、例えば１atm となるように
量を調整した赤リン（例えば、純度６Ｎ）を封入する。
から第２の熱処理工程に移行する際に、同一の石英アン
プル内にウェハを封入したまま直接移行したが、第１の
熱処理後、一旦石英アンプルからウェハを取り出し、そ
の取り出したウェハを別の石英アンプル内に上記実施例
と同様にして真空封入し、それを横型加熱炉内に設置し
て第２の熱処理工程を開始するようにしてもよい。その
際には、新たな石英アンプル内にウェハとともに、その
石英アンプル内のリン分圧が第２の熱処理工程の熱処理
温度でＩｎＰの解離圧以上、例えば１atm となるように
量を調整した赤リン（例えば、純度６Ｎ）を封入する。
【００２３】
【発明の効果】本発明に係る半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製
造方法によれば、故意に不純物を添加することなく、か
つ残留不純物として存在するＦｅ、ＣｏまたはＣｒのい
ずれか１種以上の含有濃度の合計が０．０５ppmw以下で
あるＩｎＰ単結晶を、６kg／cm2 を超えるリン蒸気圧雰
囲気で熱処理する第１の熱処理工程の後、該ＩｎＰ単結
晶の解離圧以上のリン蒸気圧雰囲気で４００〜６４０℃
の範囲の温度でもって熱処理する第２の熱処理工程を行
なうようにしたため、例えば１０6 Ω・cm以上の高抵抗
率でかつ３０００cm2 ／V・sを超える高移動度のＩｎＰ
単結晶を安定して歩留まりよく製造することができる。
造方法によれば、故意に不純物を添加することなく、か
つ残留不純物として存在するＦｅ、ＣｏまたはＣｒのい
ずれか１種以上の含有濃度の合計が０．０５ppmw以下で
あるＩｎＰ単結晶を、６kg／cm2 を超えるリン蒸気圧雰
囲気で熱処理する第１の熱処理工程の後、該ＩｎＰ単結
晶の解離圧以上のリン蒸気圧雰囲気で４００〜６４０℃
の範囲の温度でもって熱処理する第２の熱処理工程を行
なうようにしたため、例えば１０6 Ω・cm以上の高抵抗
率でかつ３０００cm2 ／V・sを超える高移動度のＩｎＰ
単結晶を安定して歩留まりよく製造することができる。
【図１】半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造に使用される加熱
炉内にウェハを設置した状態の概略図である。
炉内にウェハを設置した状態の概略図である。
１ ウェハ（ＩｎＰ単結晶） ２ 石英アンプル ３ 赤リン ４ 石英製治具 ５ ヒータ ６ 横型加熱炉
Claims (2)
- 【請求項１】 故意に不純物を添加することなく、かつ
残留不純物として存在するＦｅ、ＣｏまたはＣｒのいず
れか１種以上の含有濃度の合計が０．０５ppmw以下であ
るＩｎＰ単結晶を、６kg／cm2 を超えるリン蒸気圧雰囲
気で熱処理する第１の熱処理工程の後、該ＩｎＰ単結晶
の解離圧以上のリン蒸気圧雰囲気で４００〜６４０℃の
範囲の温度でもって熱処理する第２の熱処理工程を行な
うことを特徴とする半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法。 - 【請求項２】 前記第１の熱処理の温度は９００〜１０
２０℃の範囲の温度であることを特徴とする請求項１記
載の半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24416694A JP2819244B2 (ja) | 1994-10-07 | 1994-10-07 | 半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24416694A JP2819244B2 (ja) | 1994-10-07 | 1994-10-07 | 半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08109100A JPH08109100A (ja) | 1996-04-30 |
| JP2819244B2 true JP2819244B2 (ja) | 1998-10-30 |
Family
ID=17114758
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24416694A Expired - Lifetime JP2819244B2 (ja) | 1994-10-07 | 1994-10-07 | 半絶縁性ＩｎＰ単結晶の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2819244B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6056817A (en) * | 1996-03-28 | 2000-05-02 | Japan Energy Corporation | Process for producing semi-insulating InP single crystal and semi-insulating InP single crystal substrate |
| CN115424921B (zh) * | 2022-11-07 | 2023-03-24 | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 | 一种生长半绝缘掺铁InP外延层的方法 |
-
1994
- 1994-10-07 JP JP24416694A patent/JP2819244B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08109100A (ja) | 1996-04-30 |
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