JPH06318856A

JPH06318856A - 誘導式近接スイッチ

Info

Publication number: JPH06318856A
Application number: JP3173249A
Authority: JP
Inventors: Franz Hoedlmayr; ヘードルマイルフランツ; Michael Lenz; レンツミヒアエル
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1990-06-19
Filing date: 1991-06-17
Publication date: 1994-11-15
Also published as: DE59010177D1; ATE135145T1; EP0463188A1; EP0463188B1; US5119044A

Abstract

(57)【要約】【目的】スイッチング間隔の温度依存性を著しく小さ
くし、また大幅にモノリシックに集積可能にする。【構成】存在検出器１０を構成する電子回路Ｔ１、Ｔ
２、Ｔ３、Ｔ１０、ＲＡ、Ｒ３、Ｉ、Ｔ２２、Ｔ２３、
ＲＤ、Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ１３、Ｔ１４、Ｒ１１、Ｒ１
４、Ｔ２２、Ｔ２１を設け、この電子回路の温度依存性
が振動回路のＱの温度依存性に起因する誘導式近接スイ
ッチのスイッチング点の温度依存性を補償するようにな
っている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、設定可能なスイッチン
グヒステリシスを有する誘導式近接スイッチに関する。

【０００２】

【従来の技術】振動回路および発振器増幅器を有する発
振器を含んでいる存在検出器と、存在検出器の後に接続
されているスイッチング増幅器と、存在検出器からスイ
ッチング増幅器を介して制御可能な電子スイッチと、発
振器に対応付けられている復調器とを有する誘導式近接
スイッチは原理的に知られており、またなかんずくドイ
ツ特許出願公開第 3722335号明細書およびそこにあげら
れている文献に記載されている。

【０００３】これらの公知の誘導式近接スイッチではス
イッチング間隔が発振器の共振回路のＱに関係してい
る。フェライトコアを有するコイルおよびキャパシタン
スから成る共振回路のＱはなかんずくコイル損失係数に
関係している。シーメンス社のデータブック１９９０／
９１“フェライトおよび付属品”、特に第３５頁に記載
されているように、コイル損失係数は温度依存性を有す
る。誘導式近接スイッチに使用可能なシーメンス社の材
料Ｎ４８に対して、関連する損失係数は誘導式近接スイ
ッチに対して関心のある作動温度範囲内で１つの極小値
を有する。すなわち、特定の温度の上側および下側で関
連する損失係数は増大する。公知の誘導式近接スイッチ
ではスイッチング間隔の温度依存性がたとえばＰＴＣサ
ーミスタ、ＮＴＣサーミスタ、ダイオードまたは抵抗の
ような付加の構成要素により部分的に補償される。この
ような補償対策は、少なくともモノリシック集積による
できるかぎり簡単な回路構成を顧慮して高価であり、ま
た温度依存性の得られる改善が比較的わずかである。こ
のような公知の対策により約１００°の温度範囲にわた
って約±１０％のスイッチング間隔の偏差が達成され得
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、設定
可能なスイッチングヒステリシスと、発振器を含んでい
る存在検出器とを有する誘導式近接スイッチであって、
そのスイッチング間隔の温度依存性が顕著に小さく、ま
た大幅にモノリシックに集積可能である誘導式近接スイ
ッチを提供することである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
め、本発明においては、振動回路および発振器増幅器を
有する発振器を含んでいる存在検出器と、存在検出器の
後に接続されているスイッチング増幅器と、存在検出器
からスイッチング増幅器を介して制御可能な電子スイッ
チと、発振器に対応付けられている復調器とを有し、設
定可能なスイッチングヒステリシスを有する誘導式近接
スイッチにおいて、存在検出器を構成する電子回路が設
けられ、この電子回路の温度依存性が振動回路のＱの温
度依存性に起因する誘導式近接スイッチのスイッチング
点の温度依存性を補償するようになっている。本発明の
他の構成は請求項２以下に記載されている。

【０００６】本発明の核心は、誘導式近接スイッチのな
かに、発振器／復調器回路を使用し、その温度特性を、
発振器／復調器回路に接続されており、使用されるフェ
ライトコアの温度挙動に関係する振動回路の温度特性を
補償するように構成することである。このことは、発振
器／復調器回路の温度特性が銅線によりフェライトコア
の上に巻かれたコイルの温度特性のほぼ軸線対称の経過
で現れることにより達成される。このために必要な回路
技術的対策は発振器増幅器内もしくは復調器内で、また
は発振器増幅器内でも復調器内でも行われ得る。誘導式
近接スイッチのスイッチング点、すなわち金属部分と存
在検出器のコイルとの間の間隔は振動回路のＱ、発振器
増幅器回路のディメンジョニングおよび復調器回路の構
成に関係しており、しかし振動回路のＱの温度依存性は
選択されたフェライトによりほとんど決定されているの
で、本発明により、発振器増幅器回路によりかつ（また
は）復調器回路により与えられているスイッチング点の
温度依存性のマッチングにより、振動回路により与えら
れているスイッチング点の温度依存性が反対作用される
べきである。

【０００７】ヨーロッパ特許出願公開第A1-0172393号明
細書およびヨーロッパ特許出願公開第A1-0207372号明細
書から誘導式近接スイッチに対する発振器／復調器回路
装置は公知である。以下にはこの公知の発振器／復調器
回路装置の本発明による変形を説明する。もちろん当業
者は、本発明による誘導式近接スイッチを実現するため
に、他の発振器および（または）復調器回路をも変形す
る可能性を有する。

【０００８】

【実施例】以下、図面により本発明を一層詳細に説明す
る。

【０００９】図４にブロック回路図で示されている誘導
式近接スイッチ１は無接触で動作する。すなわち、それ
は近接する図示されていない金属部分に応答し、また図
示されている実施例では外部導体２を介して作動電圧源
４の一方の極３に、また別の外部導体５を介してのみ負
荷７の一方の端子６に接続されており、負荷７の他方の
端子８は作動電圧源４の他方の極９に接続されている。
すなわち、図示されている誘導式近接スイッチ１は公知
の仕方で全体でただ２つの外部導体２、５を介して一方
では作動電圧源４に、また他方では負荷７に接続されて
いる。もちろん、その供給電圧の準備のために並列に負
荷７に第３の導体を介して作動電圧源４の他方の極９に
接続されている誘導式近接スイッチ１も知られている。

【００１０】図４に示されているように、図示されてい
る誘導式近接スイッチ１はその基本構成として、外部か
ら影響可能な存在検出器１０、この場合には対応付けら
れている復調器を有する発振器と、存在検出器１０の後
に設けられているスイッチング増幅器１１と、存在検出
器１０からスイッチング増幅器１１を介して制御可能な
電子スイッチ１２、たとえばサイリスタまたはトランジ
スタと、存在検出器１０およびスイッチング増幅器１１
に対する供給電圧を準備するための給電回路１３と、ス
イッチオンパルスを阻止する遅延回路１４とから成って
いる。作動電圧源４が交流電圧源である場合には、入力
側に整流器ブリッジ１５も設けられている。

【００１１】本発明は、図面に詳細に示されていないか
ぎり、スイッチング増幅器１１、制御可能な電子スイッ
チ１２、給電回路１３、遅延回路１４および整流器ブリ
ッジ１５の構成に限定されない。誘導式近接スイッチ１
に対してこれらの回路部分の可能な好ましい構成は、ド
イツ特許出願公開第 3722335号明細書およびそこにあげ
られている文献、シーメンス社のデータブック（１９８
９／９０）“工業用ＩＣ”、第７９８〜８１２頁および
そこに記載されている集積モジュールＴＣＡ２０５、Ｔ
ＣＡ３０５およびＴＣＡ３５５から明らかである。

【００１２】図１に示されている回路は、トランジスタ
Ｔ２１、Ｔ２２およびＴ２３ならびに抵抗ＲＤを別とし
て、ヨーロッパ特許出願公開第A1-0172393号および第A1
-0207372号明細書から公知の発振器／復調器回路にほぼ
相当する。この発振器／復調器回路は供給電位Ｖ_CCと回
路節点ａとの間に接続されている定電流源Ｉを含んでい
る。供給電位Ｖ_CCはさらに抵抗Ｒ３を介してトランジス
タＴ３のエミッタ端子に接続されており、直接にトラン
ジスタＴ２のエミッタ端子に、また直接にトランジスタ
Ｔ１３のエミッタ端子に接続されており、またさらに抵
抗Ｒ１４を介してトランジスタＴ１４のエミッタ端子に
接続されている。トランジスタＴ２のベース端子および
トランジスタＴ３のベース端子は共通にトランジスタＴ
２のコレクタ端子に、またさらにトランジスタＴ１のコ
レクタ端子に接続されている。トランジスタＴ１３のベ
ース端子およびトランジスタＴ１４のベース端子は共通
にトランジスタＴ１３のコレクタ端子に、またトランジ
スタＴ１１のコレクタ端子に接続されている。トランジ
スタＴ１４のコレクタ端子はトランジスタＴ１２のコレ
クタ端子と共通に回路節点ｂを形成している。回路節点
ａにはトランジスタＴ１０のコレクタ端子およびベース
端子、トランジスタＴ３のコレクタ端子、トランジスタ
Ｔ１のベース端子、トランジスタＴ１１のベース端子お
よびトランジスタＴ１２のベース端子が接続されてい
る。トランジスタＴ１０のエミッタ端子はインダクタン
スＬおよびキャパシタンスＣの並列回路を介して基準電
位（接地電位）に接続されている。トランジスタＴ１の
エミッタ端子は抵抗ＲＡを介して同じく基準電位（接地
電位）に接続されている。トランジスタＴ１１のエミッ
タ端子およびトランジスタＴ１２のエミッタ端子は共通
に抵抗Ｒ１１を介して基準電位に接続されている。この
既に説明された発振器／復調器回路の機能の仕方は詳細
に前記の特許出願公開明細書に記載されている。トラン
ジスタＴ１およびトランジスタＴ３はそれぞれ発振器に
対してエミッタ接地で作動し、また発振器回路の能動的
要素を形成しており、その際にこれらのエミッタ回路の
各々は振動式の位相条件を満足するために１８０°の１
つの成分を供給する。この際にトランジスタＴ１とトラ
ンジスタＴ３との間の正結合はダイオードとして接続さ
れているトランジスタＴ２およびトランジスタＴ３によ
り形成される電流ミラー回路により実現される。トラン
ジスタＴ１のベース端子には、従ってまた回路節点ａに
は、ダイオードとして接続されているトランジスタＴ１
０を介して周波数決定要素としてインダクタンスＬおよ
びキャパシタンスＣから形成された並列振動回路が接続
されている。ダイオードとして用いられているトランジ
スタＴ１０はこの際に、直接に基準電位（接地電位）に
接続されている並列振動回路において発振器の発振が可
能であることを保証するために、単にレベルシフト回路
として設けられている。トランジスタＴ１１およびＴ１
２はそれらのベース端子でそれぞれトランジスタＴ１と
等しい信号により駆動される。トランジスタＴ１１はダ
イオードとして接続されているトランジスタＴ１３に流
れる電流を定め、この電流はトランジスタＴ１３および
Ｔ１４のエミッタ面積比の変換比により電流ミラー回路
の結果としてトランジスタＴ１４にも流れる。図１中の
発振器／復調器回路の出力信号は回路節点ｂにトランジ
スタＴ１４のコレクタおよびトランジスタＴ１２のコレ
クタから与えられ、電流ミラートランジスタＴ１３およ
びＴ１４のエミッタ面積の適切な変換比により、また抵
抗Ｒ１４およびＲ１１の適切な大きさにより、回路節点
ａにおいて振動振幅が特定の値を上回るときには回路節
点ｂに低い電位が生じ、また回路節点ａにそのような高
い振動振幅が存在しないときには、高い電位が回路節点
ｂに生ずることが達成され得る。

【００１３】公知の発振器／復調器回路を越えて、図１
には、コレクタ端子で回路節点ｂに接続されており、ま
たエミッタ端子で基準電位（接地電位）に接続されてい
るトランジスタＴ２１が示されている。このトランジス
タＴ２１のベース端子はトランジスタＴ２２のエミッタ
端子と接続されており、トランジスタＴ２２のコレクタ
端子は供給電位Ｖ_CCに接続されており、またトランジス
タＴ２２のベース端子は回路節点ａに接続されている。
トランジスタＴ２１およびＴ２２は一種のダーリントン
回路を形成している。ただし両トランジスタのコレクタ
端子は等しい電位に接続されていない。トランジスタＴ
２２はベース側でトランジスタＴ１、Ｔ１１およびＴ１
２と等しい信号により駆動され、ただしそのエミッタ電
位はトランジスタＴ２１のベース・エミッタ電圧だけ基
準電位（接地電位）よりも高い。それにより、トランジ
スタＴ２１およびＴ２２により形成されるダーリントン
回路が回路節点ａにおける特定の電位を上回る際に初め
て有効になることが保証されている。トランジスタＴ１
３およびＴ１４により定められる電流の選定により、抵
抗Ｒ１１およびＲ１４の抵抗値の選定により、またトラ
ンジスタＴ２１のベース‐エミッタ間電圧の選定によ
り、場合によっては別のレベルシフト回路の助けのもと
に、変更され得るトランジスタＴ１１、Ｔ１２およびト
ランジスタＴ２２のエミッタ電位の合致により、トラン
ジスタＴ２１およびＴ２２により実現されるダーリント
ン回路が有効になる電圧レベルが設定され得る。

【００１４】さらに図１には別のトランジスタＴ２３が
示されており、そのコレクタ端子はトランジスタＴ３お
よびＴ２のベース端子、トランジスタＴ２のコレクタ端
子およびトランジスタＴ１のコレクタ端子から形成され
る回路節点に接続されており、またそのエミッタ端子は
抵抗ＲＤを介して基準電位（接地電位）に接続されてい
る。このトランジスタＴ２３のベース端子は、トランジ
スタＴ２１のベース端子と同じく、トランジスタＴ２２
のエミッタ端子と接続されており、したがってトランジ
スタＴ２１と等しい仕方でトランジスタＴ２２と共にダ
ーリントン回路を形成している。このダーリントン回路
も、回路節点ａにおける電位が特定のレベルを上回ると
きに初めて有効になる。トランジスタＴ２２およびトラ
ンジスタＴ２３から形成されるダーリントン回路が有効
になると、トランジスタＴ１、Ｔ２およびＴ３から形成
される発振器はダンピングされる。トランジスタＴ２３
およびＴ２２から形成されるダーリントン回路による発
振器回路の影響の度合いは抵抗ＲＤの選定により変更可
能である。トランジスタＴ２２およびＴ２３から形成さ
れるダーリントン回路が有効になる回路節点ａにおける
電位値に関しては、トランジスタＴ２１およびＴ２２か
ら形成されるダーリントン回路の実施例が相応に当ては
まる。

【００１５】電流ミラー回路の出力電流、すなわちたと
えば復調器段のなかのトランジスタＴ１４のコレクタ電
流または発振器回路のなかのトランジスタＴ３のコレク
タ電流は温度の上昇と共に上昇する。トランジスタＴ１
３およびＴ１４により形成される電流ミラー回路は電流
の増大と共により大きい出力信号を供給するので、前記
の復調器回路の温度特性は、フェライトコアを有するコ
イルの温度特性をこのコイルのＱの極大の下の温度に対
して補償するのに適している。同じことが、発振器回路
に関して、トランジスタＴ２およびＴ３から形成される
電流ミラー回路に対しても当てはまる。誘導式近接スイ
ッチに対して適しているコイルのＱの極大は約２５°Ｃ
ないし５０°Ｃに位置している。

【００１６】トランジスタＴ２１およびＴ２２から形成
されるダーリントン回路の温度特性もトランジスタＴ２
３およびＴ２２から形成されるダーリントン回路の温度
特性も、温度の上昇と共にダーリントン回路の導通制御
のために必要なベース‐エミッタ間電圧が小さくなるよ
うな温度特性である。従って、トランジスタＴ２１およ
びＴ２２またはトランジスタＴ２２およびＴ２３から形
成されるこのダーリントン回路の温度特性はフェライト
コアを有するコイルの温度特性をこのコイルのＱが極大
である温度の上の温度に対して補償するのに適してい
る。図１による本発明による回路が、トランジスタＴ２
１およびＴ２２またはトランジスタＴ２２およびＴ２３
から成るダーリントン回路がフェライトコアを有するコ
イルのＱが極大である温度の範囲内で復調器のスイッチ
ング点で始動するように構成されていれば、復調器回
路、特にトランジスタＴ１３およびＴ１４、ならびに発
振器回路の温度特性と、トランジスタＴ２１およびＴ２
２から形成されるダーリントン回路ならびにトランジス
タＴ２２およびＴ２３から形成されるダーリントン回路
の温度特性との重畳は、ダーリントン回路の始動以後、
フェライトコアを有するコイルのＱの温度特性を補償す
るのに適している全温度特性に通ずる。この際に個々の
ダーリントン回路の電流増幅率の適切な選定および抵抗
ＲＤの変更により温度特性が適当な仕方で合致させられ
得る。

【００１７】トランジスタＴ２２はできるかぎり復調器
段の出力信号が高いレベルと低いレベルとの間を切換わ
る回路節点ａにおける電位値に到達の際に、すなわち特
にフェライトコアを有するコイルが最大のＱを有する温
度において導通状態になるべきであろう。トランジスタ
Ｔ２２が遮断状態になると、トランジスタＴ２１も遮断
状態になり、従って回路節点ｂに対して、従ってまた発
振器／復調器回路の信号出力端に対して作用しない。発
振器／復調器回路の出力信号の論理状態はその後は、ト
ランジスタＴ１４のコレクタ電流がトランジスタＴ１２
のコレクタ電流よりも大きいか小さいか、または回路節
点ａにおける電位に関係してトランジスタＴ１３および
Ｔ１４のエミッタ面積比により生ずる増幅率が、抵抗Ｒ
１４により生じ電流ミラー回路の電流の増大と共に大き
くなるトランジスタＴ１４のエミッタにおける電位低下
よりも大きいか否かのみに関係する。トランジスタＴ２
２が導通すると、回路節点ｂからトランジスタＴ２１の
コレクタ端子を介して、トランジスタＴ２２のエミッタ
電流およびトランジスタＴ２１の電流増幅率により決定
されている電流が取り出される。この電流は回路節点ｂ
に関してトランジスタＴ１２のコレクタ電流と等しい符
号またはトランジスタＴ１４のコレクタ電流と反対の符
号を有する。それにより、発振器／復調器回路により決
定されるスイッチング点がシフトされる。トランジスタ
Ｔ２１と同時にトランジスタＴ２３もトランジスタＴ２
２により制御される。トランジスタＴ２３が遮断状態に
なると、それは増幅に対して、従ってまた発振器段の信
号振幅に対して有効でなくなる。トランジスタＴ２３が
発振器の振動回路ＬＣのＱが極大を有する温度範囲内で
スイッチング点で導通し始めると、そのコレクタ電流が
トランジスタＴ２のなかの電流を高め、また電流ミラー
回路の結果としてトランジスタＴ３のなかの電流をも高
める。それにより生ずるトランジスタＴ３の付加のコレ
クタ電流はダイオードＴ１０を経て振動回路ＬＣのコイ
ルＬに流れ、またこうして近接スイッチのスイッチング
点をシフトする。スイッチング点のこのシフトは、フェ
ライトコアを有するコイルのＱが極大を有する温度の上
側で、フェライトコアを有するコイルのＱの温度依存性
に起因するスイッチング点の温度依存性のシフトに反対
作用する。

【００１８】図１で、発振器増幅器回路も復調器回路
も、近接スイッチのスイッチング点へのそれらの温度依
存性の作用が発振器の振動回路のＱの温度依存性に起因
する近接スイッチのスイッチング点の温度依存性に反対
作用するように適合された回路変形例が示されている。
しかし、発振器増幅器もしくは復調器が相応に適合され
ても十分であろう。

【００１９】図２には、特にインダクタンスＬおよびこ
れに対して並列に接続されているキャパシタンスＣから
成り、基準電位（接地電位）に接続されている振動回路
ＦＥを有する発振器増幅器回路ＯＡがブロック図で示さ
れている。発振器増幅器回路ＯＡは回路節点ａに接続さ
れており、この回路節点ａはさらにトランジスタＴ１
１、トランジスタＴ１２およびトランジスタＴ２２のベ
ース端子と一括接続されている。トランジスタＴ１１お
よびＴ１２のエミッタ端子は共通に抵抗Ｒ１１を介して
基準電位（接地電位）に接続されている。トランジスタ
Ｔ２２のエミッタ端子はトランジスタＴ２１のベース端
子に接続されており、そのエミッタ端子は基準電位（接
地電位）に接続されている。トランジスタＴ１１のコレ
クタ端子はトランジスタＴ１３のコレクタ端子およびベ
ース端子と、またさらにトランジスタＴ１４のベース端
子と接続されている。トランジスタＴ１３はこの際ダイ
オードとして接続されており、またトランジスタＴ１４
となかんずくエミッタ面積が異なっている。トランジス
タＴ１３のエミッタ端子およびトランジスタＴ２２のコ
レクタ端子は直接に供給電位Ｖ_CCに接続されている。ト
ランジスタＴ１４のエミッタ端子は抵抗Ｒ１４を介して
供給電位Ｖ_CCに接続されている。トランジスタＴ１２の
コレクタ端子、トランジスタＴ１４のコレクタ端子およ
びトランジスタＴ２１のコレクタ端子は、前記の復調器
回路の信号出力端をなす回路節点ｂを形成している。図
２で説明される復調器回路の回路構成は図２に示されて
いる復調器回路の回路構成と異なっていない。機能の仕
方も同一である。

【００２０】この図２に示されている復調器回路は、公
知の発振器増幅器ＯＡと結び付いて、振動回路ＦＥのＱ
の温度特性に起因する、それによって実現される誘導式
近接スイッチのスイッチング点の温度依存性を補償する
のに適している。

【００２１】図３には、供給電位Ｖ_CCと回路節点ａとの
間に配置されている電流源Ｉを含んでいる図１で説明さ
れた発振器回路が示されている。回路節点ａには任意の
復調器回路Ｄが接続されている。さらに回路節点ａはト
ランジスタＴ１０のコレクタ端子およびベース端子、ト
ランジスタＴ３のコレクタ端子、トランジスタＴ１のベ
ース端子およびトランジスタＴ２２のベース端子を互い
に接続する。トランジスタＴ１のエミッタ端子は抵抗Ｒ
Ａを介して基準電位（接地電位）に接続されている。ダ
イオードとして接続されているトランジスタＴ１０のエ
ミッタ端子はコンデンサＣおよびインダクタンスＬの並
列回路を介して基準電位（接地電位）に接続されてい
る。トランジスタＴ１のコレクタ端子はトランジスタＴ
３のコレクタ端子およびトランジスタＴ２１のコレクタ
端子と一括接続されており、またさらにトランジスタＴ
２のベース端子およびトランジスタＴ３のベース端子と
接続されている。トランジスタＴ２およびＴ３はこうし
て電流ミラー回路を形成しており、その際トランジスタ
Ｔ２のエミッタ端子は直接に供給電位Ｖ_CCに接続されて
おり、またトランジスタＴ３のエミッタ端子は抵抗Ｒ３
を介してこの供給電位Ｖ_CCに接続されている。トランジ
スタＴ２３のベース端子はトランジスタＴ２２のエミッ
タ端子と一括接続されており、またこれと共にダーリン
トン段を形成している。トランジスタＴ２３のエミッタ
端子は抵抗ＲＤを介して基準電位（接地電位）に接続さ
れている。抵抗ＲＤはこの際回路の機能の仕方に対して
必要でない。しかし、この抵抗ＲＤの変更（場合によっ
ては０Ω）により、ダーリントン段Ｔ２２、Ｔ２３に起
因する近接スイッチのスイッチング点の温度依存性が、
振動回路に起因するスイッチング点の温度依存性に個々
に適合され得る。トランジスタＴ２２のコレクタ端子は
供給電位Ｖ_CCに接続されている。

【００２２】特に温度補償に関するこのような発振器回
路の機能の仕方は先に図１の説明の際に説明されてい
る。この回路も、振動回路ＬＣのＱに起因する、それに
よって実現される誘導式近接スイッチのスイッチング点
の温度依存性を補償するのに適している。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の接続図である。

【図２】本発明の別の実施例の接続図である。

【図３】本発明のさらに異なる実施例の接続図である。

【図４】従来の誘導式近接スイッチのブロック接続図で
ある。

【符号の説明】

１誘導式近接スイッチ２外部導体３極４作動電圧源５外部導体６端子７、８負荷１０存在検出器１１スイッチング増幅器１２遅延回路１３給電回路１４遅延回路１５整流器ブリッジ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】振動回路および発振器増幅器を有する発
振器を含んでいる存在検出器と、存在検出器の後に接続
されているスイッチング増幅器と、存在検出器からスイ
ッチング増幅器を介して制御可能な電子スイッチと、発
振器に対応付けられている復調器とを有し、設定可能な
スイッチングヒステリシスを有する誘導式近接スイッチ
において、存在検出器（１０）を構成する電子回路（Ｔ
１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ１０、ＲＡ、Ｒ３、Ｉ、Ｔ２２、Ｔ
２３、ＲＤ；Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ１３、Ｔ１４、Ｒ１
１、Ｒ１４、Ｔ２２、Ｔ２１）が設けられ、この電子回
路の温度依存性が振動回路のＱの温度依存性に起因する
誘導式近接スイッチ（１）のスイッチング点の温度依存
性を補償するようになっていることを特徴とする誘導式
近接スイッチ。
【請求項２】存在検出器（１０）が電子発振器回路
（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ１０、ＲＡ、Ｒ３、Ｉ、Ｔ２
２、Ｔ２３、ＲＤ）を含んでおり、この電子発振器回路
の温度依存性が振動回路のＱの温度依存性に起因する誘
導式近接スイッチ（１）のスイッチング点の温度依存性
を補償するようになっていることを特徴とする請求項１
記載の誘導式近接スイッチ。
【請求項３】存在検出器（１０）が電子復調器回路
（Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ１３、Ｔ１４、Ｒ１１、Ｒ１４、
Ｔ２２、Ｔ２１）を含んでおり、この電子復調器回路の
温度依存性が振動回路のＱの温度依存性に起因する誘導
式近接スイッチ（１）のスイッチング点の温度依存性を
補償するようになっていることを特徴とする請求項１記
載の誘導式近接スイッチ。
【請求項４】復調器回路（Ｄ；Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ１
３、Ｔ１４、Ｔ２１、Ｔ２２、Ｒ１１、Ｒ１４）が電流
ミラー回路（Ｔ１３、Ｔ１４）と、特定の温度の上側で
初めて誘導式近接スイッチ（１）のスイッチング点で応
答し、またその応答の場合に電流ミラー回路（Ｔ１３、
Ｔ１４）に反対作用するダーリントン段（Ｔ２２、Ｔ２
１）とを有することを特徴とする請求項１ないし３の１
つに記載の誘導式近接スイッチ。
【請求項５】発振器増幅器回路が電流ミラー回路（Ｔ
２、Ｔ３）と、特定の温度の上側で初めて誘導式近接ス
イッチ（１）のスイッチング点で応答するダーリントン
段（Ｔ２２、Ｔ２３）とを有することを特徴とする請求
項１または２記載の誘導式近接スイッチ。