JPS5842925B2 - 近接スイッチ - Google Patents

近接スイッチ

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JPS5842925B2
JPS5842925B2 JP11151478A JP11151478A JPS5842925B2 JP S5842925 B2 JPS5842925 B2 JP S5842925B2 JP 11151478 A JP11151478 A JP 11151478A JP 11151478 A JP11151478 A JP 11151478A JP S5842925 B2 JPS5842925 B2 JP S5842925B2
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JP
Japan
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circuit
current
transistor
oscillator
proximity switch
Prior art date
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JP11151478A
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JPS5539109A (en
Inventor
敞行 宮本
建治 上田
文男 神谷
久敏 野寺
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Omron Corp
Original Assignee
Omron Tateisi Electronics Co
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、高周波発振形近接スイッチに関する。
高周波発振形の近接スイッチは、検出コイルに近接体(
鉄等の磁性金属や一般金属)が接近すると、主にうず電
流積によって検出コイルを含む共振回路の損失が増加す
ることを利用している。
すなわち、検出コイルを含んで発振器を形成しておけば
、その発振器の構成要素である増巾器の利得が一定なら
ば、共振回路の損失が増加することによって発振不能と
なって発振が停止する。
このような近接体の検出コイルに対する接近に応じて変
化する発振器の発振振巾を検出すれば、近接体の検出が
可能となるわけである。
そして通常の近接スイッチでは、近接体が接近して検出
信号がオンとなる時の動作距離(近接体から検出コイル
までの距離)と、この近接体が離脱して行って検出信号
がオフとなる時の動作距離に差を設けて(応差を設けて
)おり、動作距離にヒステリシスを設けている。
通常の他の形式のスイッチ自体としては、前記応差は機
能上半さいほど良いとされているが、近接スイッチの場
合小さくしすぎると検出動作の安定性が損なわれ、さら
に雑音やサージなどに対する耐力が落ちて好ましくない
したがって通常近接スイッチでは、動作距離のlo%前
後(5miでオンするものは5.5n前後でオフする)
の応差を設けるようにしている。
第1図は、従来のバイポーラモノリシックICなどを利
用してIC化した近接スイッチの概略を示すブロック図
である。
この図で検出コイル2とコンデンサ3とで並列共振回路
が構成され発振器4を構成する。
発振器4の出力は電圧比較器5において第1の基準電圧
と比較され、その後積分回路6を経てさらに第2の電圧
比較器7において第2の基準電圧と比較される。
この電圧比較器7における比較結果として得られた信号
が検出信号となり、出力回路8により外部に出力される
とともに前記のヒステリシスを設けるため発振器4に帰
還されている。
なお電源回路9は各内路に所定の直流電圧を供給するた
めのものである。
そして、2点鎖線で示す部分がIC化され、この発振器
4にIC回路の外部に抵抗を外付けできるように端子4
a、4bが設けられており、IC回路の外部において、
発振器4の構成要素である増巾器の帰還電流を調整する
ための抵抗Reを、IC回路の0■端子との間に接続で
きるようにしている。
そして、この抵抗Reの値が出力回路8からの検出信号
の有無に応じて変わるように抵抗Reを2個に分割して
接続できるように2つの端子4a。
4bが設けられ、そして検出信号の有無に応じて、一方
の抵抗を短絡できるようにしている。
こうして帰還調整抵抗ReをRel 2. Re2(R
et<Re2)の2つの値に選べるようにしている。
発振器4において、検出コイル2とコンデンサ3との並
列共振回路に定電流源42から一定の電流I。
が供給されており、電圧e。が発生したとするとレベル
シフト回路43によって電圧e1 にシフトされトラン
ジスタ41のベースに加えられる。
トランジスタ41は増巾器を構成しておりその出力電流
■。
1はエミッタに接続された抵抗Reによって決まる。
(ただし、e1/hFH−Reが■。
に比して小さいとき)。トランジスタ41のコレクタに
流れる電流■。
1は電流帰還回路44により帰還されて電流■。
2(例えば■。1=I02とする)として前記並列共振
回路に流される。
通常の(近接体1が検出コイル2に接近していない)状
態では並列共振回路の損失は小さい(つまり共振回路の
コンダクタンスGは小さい)ので発振している。
近接体1が検出コイル2に近づくと損失が増大(Gの増
大)して、抵抗Reによってきまる一定値を超えると発
振条件が成立しなくなって発振停止する。
つまり抵抗Reが大きいと電流帰還率が低くなるので、
損失(G)の増大が比較的小さくても発振停止し、動作
距離は長くなる。
一般に、帰還調整抵抗Reの値と動作距離との関係は、
第2図に示すようになっており、同一の動作距離では帰
還調整抵抗Reを大きくすると発振は停止する。
したがって、近接体1が検出コイル2に接近していない
通常時に、より小さな値の帰還調整抵抗Re、1として
おけば、第3図に示すように動作距離がDlにならなげ
れば発振振巾は小さくならず、そして一旦発振振巾が小
さくなって検出レベルLよりも小さくなると検出信号が
生じるので、帰還調整抵抗Reは、より大きな値Re2
に変更される。
そして近接体1が検出コイル2に接近した後、離れてい
く場合には、より長い動作距離D2で検出信号がオフす
ることになる。
こうして動作距離にヒテリシスを与えているのである。
しかしながら、この第1図の回路ではIC回路の端子と
して発振器4より2つの端子を出して、この端子に2つ
の抵抗をそれぞれ外付けする必要がある。
そして動作距離を調整するために帰還調整抵抗Reの値
を調整しなければならないが、そうすると動作距離で1
0%のヒステリシスを得るため2つの抵抗の両方の値を
変えなければならない。
このように両抵抗の値は相互に関連しているため、2つ
の抵抗の値の調整はかなり煩雑なものとなる。
本発明は上記に鑑み、IC回路の外部に導かれる端子や
外付は抵抗を必要とすることなく、所定のヒステリシス
を得ることができ、しかもこのヒステリシスが帰還調整
抵抗Reの値を変えて使用する場合でも影響されること
のない、IC化に適した回路構成の近接スイッチを提供
することを目的とする。
以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明
する。
第4図は第1の実施例を示す。
この図で定電流源42からの一定の電流■。
が検出コイル2とコンデンサ3の並列共振回路に供給さ
れ、この並列共振回路に生じた電圧e。
がレベルシフト回路43によってレベルシフトされ電圧
e1となって、増幅器を構成するトランジスタ41のベ
ースに加えられる。
トランジスタ41のコレクタ・エミッタパスおよび抵抗
Reに流れる出力電流■。
1に応じて動作する電流ミラー回路が、トランジスタ5
1.52.・・・y5nおよびトランジスタ45で構成
される。
トランジスタ45はベース電流分を補償するためのバー
チカルPNP形トランジスタであるが、トランジスタ5
1のベース、コレクタを接続し、トランジスタ51をダ
イオードとして使用する通常の電流ミラー回路でもよい
トランジスタ5L52.・・・、5nは第4図ではn個
のPNP形トランジスタでなり、そのベース、エミッタ
を共通接続して使用しているが、バイポーラモノリシッ
クICで通常行われるマルチコレクタ方式あるいは面積
比方式で同様の回、賂構成を実現するようにしてもよい
帰還電流■。2は電流■。1の(n−1)倍となってい
る。
トランジスタ52のコレクタにはトランジスタ46が接
続され、このトランジスタ46は検出信号に応じてオン
またはオフするようになっている。
そしてトランジスタ52のコレクタとトランジスタ53
のコレクタとの間にダイオード47が接続されているの
で、トランジスタ46がオンのときトランジスタ52の
コレクタに流れる電流は並列共振回路に供給されず、ト
ランジスタ46を経て接地されてしまう。
したがってトランジスタ46がオンのとき、帰還電流■
2は■。1x (n 2 )の電流となる。このよう
に並列接続された電流ミラー回路の個数に比例した帰還
電流■。
2が得られるため、検出コイル2に近接体が接近して並
列共振回路のコンダクタンスGが増大して検出信号が生
じた時、帰還電流のループゲインを数饅低下させること
ができる。
一般に動作距離で10幅のヒステリシスは並列共振回路
のコンダクタンスGの数φに当る(勿論、検出コイルの
構造によってはそうでない場合もあるが、近接スイッチ
の検出コイルとして実用となるコイルについては、はぼ
全てについてこの事が該当する)。
そのため第4図に示す回路で帰還ループのゲインを数饅
変えてやることで、動作距離の10俤のヒステリシスが
得られる。
このヒステリシスは並列共振回路のコンダクタンスGの
絶対値が変わっても(つまり抵抗Reの絶対値が変わっ
ても)常に確保され、そのため検出コイルのバラツキや
別種類の検出コイルを用いるものでもヒステリシスの調
整は不要である。
第5図は第2の実施例を示している。
この図では電流ミラー回路を構成するトランジスタ51
〜53のそれぞれのエミッタに抵抗61〜63を接続し
ている。
そして各トランジスタ52.53のそれぞれのコレクタ
電流のトランジスタ51のコレクタ電流に対する比が、
抵抗61に対する抵抗62.63の比に依存することを
利用して、トランジスタ52.53のそれぞれのコレク
タから所望の電流を得るようにしている。
このように構成することで第4図のようには多数の電流
ミラー回路を構成せず、少くなくとも2個の電流ミラー
回路を構成しておけば、トランジスタ46のオン、オフ
による帰還電流■。
2の変化率を所望のものとすることが可能である。
第5図では電流ミラー回路の帰還側には2つのトランジ
スタ52,53を使用しているが、もちろん3個以上で
あってもよい。
またトランジスタ51はベース、コレクタを接続してダ
イオードとして構成しているが、第4図に示すようにバ
ーチカルPNP形トランジスタ45を接続するようにし
てもよい。
第4図および第5図の回路は電源を入れ換え、NPN形
トランジスタとPNP形トランジスタとを置換して構成
する双対回路としても同様に機能し、同様の効果を得る
ことができる。
以上、実施例について説明したように本発明によれば発
振器の帰還電流を検出信号の有無に応じて変えるように
し、帰還ループの利得を一定比率で変えるようようにし
ているため、どのような検出コイルを用いても、あるい
はどのような動作距離としても(どのような帰還調整抵
抗Reの値でも)必ず動作距離で一定の比率のヒステリ
シスが得られる。
そのため帰還調整抵抗Reを2個に分割して接続するた
めのIC回路の端子を設ける必要がなく、しかも検出コ
イルや動作距離(帰還調整抵抗Reの値)に応じて前記
2個の抵抗の調整をする手間を省くことができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例を示すブロック図、第2図は第1図の回
路における抵抗Reの値と動作距離との関係を示すグラ
フ、第3図は抵抗Reの値を変えた時の動作距離と発振
振幅との関係を表わすグラフ、第4図および第5図は本
発明の第1および第2の実施例をそれぞれ示す回路図で
ある。 1・・・・−・近接体、2・・・・・・検出コイル、3
・・・・・・コンデンサ、4・・・・・・発振器、5,
7・・・・・・電圧比較器、6・・・・・−積分回路、
8・・・・・・出力回路、9・・・・・・電源回路。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 検出コイルとコンデンサとの並列共振回路を含んで
    発振器を構成し、この発振器の発振振幅の変化を検出し
    て検出信号を得る近接スイッチにおいて、前記発振器は
    増幅器と、この増幅器の出力電流を前記並列共振回路に
    電流帰還する電流ミラー回路と、前記検出信号に応じて
    スイッチングし前記電流ミラー回路からの帰還電流の一
    部を他へ流すスイッチング回路とからなることを特徴と
    する近接スイッチ。
JP11151478A 1978-09-11 1978-09-11 近接スイッチ Expired JPS5842925B2 (ja)

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JPS5539109A JPS5539109A (en) 1980-03-18
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JPS57132423A (en) * 1981-02-10 1982-08-16 Mitsubishi Electric Corp Oscillating circuit by proximity switch
US8432169B2 (en) 2007-09-20 2013-04-30 Panasonic Corporation Proximity sensor
JP4981745B2 (ja) * 2008-05-12 2012-07-25 パナソニック株式会社 近接センサ

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