JPH06314011A - 画像形成プロセス条件の制御方法及び制御装置 - Google Patents

画像形成プロセス条件の制御方法及び制御装置

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JPH06314011A
JPH06314011A JP5125396A JP12539693A JPH06314011A JP H06314011 A JPH06314011 A JP H06314011A JP 5125396 A JP5125396 A JP 5125396A JP 12539693 A JP12539693 A JP 12539693A JP H06314011 A JPH06314011 A JP H06314011A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 迅速、かつ、精度の高い制御を行なうことが
できる画像形成プロセス条件の制御方法及び制御装置を
提供する。 【構成】 感光体ドラム1上の明部電位VLの第1制御
工程で、該VLの検出結果が広めに設定された200±
20V内に入るように、露光ランプ電圧VLPの設定値を
1V単位で調節し、次の第2制御工程で、該VLの検出
結果が狭めに設定された200±10V内に入るよう
に、該VLPの設定値を0.5V単位で調節する。また、
暗部電位VDの第1制御工程で、該VDの検出結果が広め
に設定された800±20V内に入るように、帯電グリ
ッド電圧VGの設定値を30V単位で調節し、次の第2
制御工程で、該VDの検出結果が狭めに設定された80
0±10V内に入るように、該VGの設定値を15V単
位で調節する。ここで、VL/VLP=30、及びVD/V
G=1に設定する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、複写機、ファクシミ
リ、プリンター等の画像形成装置に採用される画像形成
プロセス条件の制御方法及び制御装置に係り、詳しく
は、像担持体の表面電位等の画像形成プロセスの制御パ
ラメータの検出結果に基づいて、帯電条件、露光条件等
の画像形成プロセス条件を調節する画像形成プロセス条
件の制御方法及び制御装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来この種の画像形成プロセス条件の制
御方法としては、例えば、像担持体上に形成された潜像
の表面電位(明部電位又は暗部電位)を検出し、この検
出結果に基づいて帯電条件、露光条件等の画像形成プロ
セス条件を調節することにより、該像担持体の表面電位
を目標値で安定させる方法が知られている(例えば、特
開昭64−78268号公報、特開平2−52368号
公報、特開昭平3−136072号公報参照)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
画像形成プロセス条件の制御方法においては、画像形成
プロセス条件の最小制御量に対する表面電位等の変化量
を大きく、即ち、制御分解能を低く設定するほど、制御
開始から表面電位が目標電位に近づくまでの時間(以
下、制御時間という)は短縮されるが、制御後における
表面電位が目標電位に近づいている度合い(以下、制御
精度という)は低下してしまう。また、画像形成プロセ
ス条件の最小制御量に対する表面電位等の変化量を小さ
く、即ち、制御分解能を高く設定するほど制御精度は高
くなるが、制御時間が長くなってしまうという難点があ
る。例えば、制御精度を高めるために制御目標値の公差
幅を狭く設定した場合には、制御目標値付近での画像形
成プロセス条件の制御量のシフトアップ・シフトダウン
を行なう際に、制御パラメータである表面電位が振動し
て収束しないということがないように、制御分解能を高
く設定する必要がある。この結果、制御時間が長くなっ
てしまう。
【0004】本発明は以上の問題点に鑑みなされたもの
であり、その目的とするところは、迅速、かつ、精度の
高い制御を行なうことができる画像形成プロセス条件の
制御方法及び制御装置を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項1の発明は、画像形成プロセスの制御パラ
メータの検出結果に基づいて、画像形成プロセス条件を
制御する画像形成プロセス条件の制御方法において、該
制御パラメータの検出値が、制御目標値の所定の第1公
差幅内に入るように、該画像形成プロセス条件を調節す
る第1制御工程と、該第1制御工程の後、該制御パラメ
ータの検出値が、制御目標値の該第1公差幅より狭く設
定された第2公差幅内に入るように、該画像形成プロセ
ス条件を調節する第2制御工程とを有することを特徴と
するものである。
【0006】また、請求項2の発明は、画像形成プロセ
スの制御パラメータを検出する検出手段と、該検出手段
による検出結果に基づいて画像形成プロセス条件を調節
する制御手段とを備えた画像形成プロセス条件の制御装
置において、該制御手段を、該制御パラメータの検出値
が、制御目標値の所定の第1公差幅内に入るように、該
画像形成プロセス条件を調節する第1制御手段と、該制
御パラメータの検出値が、制御目標値の該第1公差幅よ
り狭く設定された第2公差幅内に入るように、該画像形
成プロセス条件を調節する第2制御手段とで構成したこ
とを特徴とするものである。
【0007】また、請求項3の発明は、請求項1の画像
形成プロセス条件の制御方法において、上記制御パラメ
ータとして、像担持体上に形成された潜像の明部電位を
用い、上記画像プロセス条件として、露光装置の光源へ
の印加電圧を用いたことを特徴とするものである。
【0008】また、請求項4の発明は、請求項1の画像
形成プロセス条件の制御方法において、上記制御パラメ
ータとして、像担持体上に形成された潜像の暗部電位を
用い、上記画像プロセス条件として、帯電装置への印加
電圧を用いたことを特徴とするものである。
【0009】また、請求項5の発明は、請求項1の画像
形成プロセス条件の制御方法において、上記第2制御工
程における制御分解能を、上記第1制御工程における制
御分解能より大きい値に設定したことを特徴とするもの
である。
【0010】また、請求項6の発明は、請求項1の画像
形成プロセス条件の制御方法において、上記第1制御工
程及び上記第2制御工程における各制御分解能を、それ
ぞれ上記第1公差幅及び上記第2公差幅よりも小さくな
るように設定したことを特徴とするものである。
【0011】
【作用】請求項1又は2の発明においては、上記第1制
御工程において、又は上記第1制御手段によって、像担
持体の表面電位(明部電位、暗部電位等)、像担持体上
のトナー付着量等の画像形成プロセスの制御パラメータ
の検出結果が、制御目標値の所定の第1公差幅内に入る
ように、帯電装置への印加電圧、露光装置の光源への印
加電圧等の画像プロセス条件を調節することにより、充
分に短い制御時間で該制御パラメータの検出結果が該第
1公差幅内に入り、次の高精度の制御に備えている。そ
の後、上記第2制御工程において、又は上記第2制御手
段によって、該制御パラメータの検出結果が、上記制御
目標値の該第1公差幅より狭めに設定された第2公差幅
内に入るように、該画像プロセス条件を調節することに
より、該制御パラメータの検出結果が最終的な制御精度
を得るための該第2公差幅内に入る。
【0012】請求項3の発明においては、上記像担持体
上に形成された潜像の明部電位の検出値が上記制御目標
値の第2公差幅内に迅速に入るように、上記露光装置の
光源への印加電圧を調整することにより、像担持体の感
度の劣化や、露光装置の光学レンズ及びミラーの汚れ等
が発生して該明部電位が変動しても、潜像の暗部電位に
影響を与えることなく、該明部電位が迅速に所定範囲内
に戻される。
【0013】請求項4の発明においては、上記像担持体
上に形成された潜像の暗部電位の検出値が上記制御目標
値の第2公差幅内に迅速に入るように、上記帯電装置へ
の印加電圧、例えばグリッド電極に印加する電圧を調整
することにより、像担持体の経時劣化等が発生して該暗
部電位が変動しても、潜像の明部電位に影響を与えるこ
となく、該暗部電位が迅速に所定範囲内に戻る。
【0014】請求項5の発明においては、上記第1制御
工程における制御分解能を大きい値に設定することによ
り、上記制御パラメータの検出値がより早く上記制御目
標値に近づくようになり、また、上記第2制御工程にお
ける制御分解能を小さい値に設定することにより、該制
御パラメータの検出値がより精度よく該制御目標値に近
づく。
【0015】請求項6の発明においては、上記第1制御
工程及び上記第2制御工程における各制御分解能を、そ
れぞれ上記第1公差幅及び上記第2公差幅よりも小さく
なるように設定することにより、上記制御パラメータの
検出値が確実に上記制御目標値に近づく。
【0016】
【実施例】以下、本発明を画像形成装置である電子写真
複写機(以下、複写機という)に適用した一実施例につ
いて説明する。図1は、本実施例に係る複写機の概略構
成図である。像担持体である感光体が表面に設けられた
感光体ドラム1の周囲には、帯電チャージャ2、イレー
サ3、電位センサ4、現像装置5、転写前除電器6、転
写ベルト7、クリーニング装置8、除電ランプ9等が配
設されている。また、複写機の上部には原稿載置用のコ
ンタクトガラス10が設けられ、このコンタクトガラス
10の下方に、光源としての露光ランプ11、反射ミラ
ー12(一部不図示)等からなる露光装置が設けられて
いる。
【0017】以上の構成において、コンタクトガラス1
0上に原稿13をセットし、図示しない操作部のコピー
スタートボタンを押下すると、露光ランプ11の光が原
稿13に照射され、その反射光Lが反射ミラー12等を
介して感光体ドラム1上に結像される。この感光体ドラ
ム1の表面は帯電チャージャ2で一様帯電されており、
この表面電位が原稿13からの反射光Lで選択的に減衰
されて、静電潜像が形成される。そして、イレーサ3に
より画像領域の周囲の表面電位が減衰され、感光体ドラ
ム1の回転により現像装置5との対向部を通過し、この
現像装置5により静電潜像が顕像化され、感光体ドラム
1上に原稿の画像に応じたトナー像が形成される。この
トナー像が形成された感光体ドラム1の表面の電位は、
転写前除電器6により減衰され、転写ベルト7上に搬送
されてきた転写紙(不図示)にトナー像が転写される。
トナー像が転写紙に転写された後の感光体ドラム1の表
面は、クリーニング装置8により残留トナーが除去さ
れ、除電ランプにより残留電荷が除去されて、次のコピ
ー動作に備えられる。
【0018】また、本実施例では、画像形成プロセスの
制御パラメータである感光体ドラム1上の暗部電位VD
及び明部電位VLが所定範囲内に入るように、画像形成
プロセス条件である帯電チャージャ2のグリッド電極へ
の印加電圧(以下、帯電グリッド電圧VGという)及び
露光ランプ11への印加電圧(以下、露光ランプ電圧V
LPという)を調節する画像形成プロセス条件の制御を行
なっている。上記明部電位及びVL暗部電位VDは、それ
ぞれコンタクトガラス10上に取り付けられている明部
電位制御用原稿17及び暗部電位制御用原稿18を用い
て形成される。
【0019】この画像形成プロセス条件の制御を行なう
制御手段としては、図1に示すように、CPU,記憶部
(RAM,ROM),I/O部等から構成されたメイン
制御部14、メイン制御部14からの制御信号に基づい
て露光ランプ電圧VLPを変化させる露光制御部15、及
び帯電チャージャ2の帯電グリッド電圧VGを変化させ
る帯電制御部等16を設けている。また、感光体ドラム
1上の表面電位(暗部電位VD、明部電位VL)は電位セ
ンサ4で検知され、メイン制御部14に入力されて、デ
ータ処理される。また、上記制御に用いる制御目標値
(VL0,VD0)、公差幅等(ΔVL1,ΔVL2,ΔVD1
ΔVD2)は、メイン制御部14の記憶部に記憶されてい
る。この制御目標値、公差幅等の設定値を必要に応じて
変更できるように構成してもよい。
【0020】まず、図2(a)及び(b)のフローチャ
ートに基づいて、感光体ドラム1上の明部電位VLが制
御目標値VL0±公差幅ΔVL2で示される所定範囲内に入
るように、露光ランプ電圧VLPを調節する画像形成プロ
セス条件の制御について説明する。本画像形成プロセス
条件の制御の第1制御工程では、ある値(通常は前回の
制御値)の帯電グリッド電圧VG及び露光ランプ電圧VL
Pをそれぞれ印加した帯電チャージャ2及び露光ランプ
11をONした状態で、明部電位制御用原稿17の画像
に対応した静電潜像を感光体ドラム1上に形成し(ステ
ップ1)、該静電潜像の明部電位VLを電位センサ4で
検出する(ステップ2)。そして、電位センサ4で検出
した明部電位VLが第1目標範囲である制御目標値VL0
±第1公差幅ΔVL1(200±20V)の範囲内に入っ
ているかどうかを判断し(ステップ3)、入っていない
場合には、露光ランプ電圧VLPのシフト回数が上限(1
0回)未満であることを確認した後、上記第1目標範囲
の下限(180V)未満であるかどうかを判断し(ステ
ップ4)、YESの場合には露光ランプ電圧VLPを1.
0Vだけシフトダウンし(ステップ6)、NOの場合に
は露光ランプ電圧VLPを1.0Vだけシフトアップし
(ステップ7)、そのシフトした露光ランプ電圧VLPを
新しい画像形成プロセス条件とし、VLPシフト回数を1
カウントだけ増やして(ステップ8)、再度ステップ1
へ戻る。
【0021】ここで、露光ランプ電圧VLPの変化量ΔV
LPと明部電位VLの変化量ΔVLとの間には、ΔVL/Δ
VLP=30の関係があり、露光ランプ電圧VLPを1.0
Vシフトアップ(シフトダウン)させると、明部電位V
Lは30Vだけ低下(上昇)する。つまり、制御分解能
は、30Vであり、明部電位VLが上記第1目標範囲に
短時間ではいるように、充分大きく設定され、また、制
御が振動しないように、第1公差幅ΔVL1(±20=4
0V)より小さく設定されている。
【0022】上記制御ループが繰り返され、露光ランプ
電圧VLPのシフト回数が10回以上になった場合には
(上記ステップ4でNO)、VL制御異常と判断して、
前回制御時の画像形成プロセス条件(VG,VLP)を今
回の画像形成プロセス条件として設定する(ステップ
9)。
【0023】また、上記ステップ3において電位センサ
4で検出した明部電位VLが上記第1目標範囲内に入っ
た場合の第2制御工程(図2(b)のA以下のフロー)
では、明部電位VLが第2目標範囲である制御目標値VL
0±第2公差幅ΔVL2(200±10V)の範囲内に入
っているかどうかを判断し(ステップ10)、入ってい
る場合には、その時の露光ランプ電圧VLPを制御により
設定された画像形成プロセス条件として用いる(ステッ
プ14)。また、上記ステップ10で、上記第2目標範
囲に入っていない場合には、明部電位VLが上記第2目
標範囲の下限(190V)未満かどうかを判断し(ステ
ップ11)、YESの場合には露光ランプ電圧VLPを
0.5Vだけシフトダウンし(ステップ12)、NOの
場合には露光ランプを0.5Vだけシフトアップし(ス
テップ13)、そのシフトした露光ランプ電圧VLPを新
しい画像形成プロセス条件として設定する。
【0024】ここで、上記ΔVL/ΔVLP=30の関係
より、露光ランプ電圧VLPを0.5Vシフトアップ(シ
フトダウン)させると、明部電位VLは15Vだけ低下
(上昇)する。つまり、制御分解能は15Vであり、明
部電位VLが上記第1目標範囲内で上記第2目標範囲外
であるとき、露光ランプ電圧VLPを0.5Vシフトさせ
ることで、明部電位VLは確実に制御目標値VL0(20
0V)に近づく。
【0025】次に、図3(a)及び(b)のフローチャ
ートに基づいて、感光体ドラム1上の暗部電位VDが制
御目標値VD0±公差幅ΔVD2で示される所定範囲内に入
るように、帯電グリッド電圧VGを調節する画像形成プ
ロセス条件の制御について説明する。本画像形成プロセ
ス条件の制御の第1の制御工程では、ある値(通常は前
回の制御値)の帯電グリッド電圧VG及び上記VL制御で
設定された露光ランプ電圧VLPをそれぞれ印加した帯電
チャージャ2及び露光ランプ11をONした状態で、暗
部電位制御用原稿18の画像に対応した静電潜像を感光
体ドラム1上に形成し(ステップ1及びステップ
1’)、該静電潜像の暗部電位VDを電位センサ4で検
出する(ステップ2)。そして、電位センサ4で検出し
た暗部電位VDが第1目標範囲である制御目標値VL0±
第1公差幅ΔVD1(800±20V)の範囲内に入って
いるかどうかを判断し(ステップ3)、入っていない場
合には、帯電グリッド電圧VGのシフト回数が上限(1
0回)未満であることを確認した後、上記第1目標範囲
の下限(780V)未満であるかどうかを判断し(ステ
ップ4)、YESの場合には帯電グリッド電圧VGを3
0Vだけシフトダウンし(ステップ6)、NOの場合に
は帯電グリッド電圧VGを30Vだけシフトアップし
(ステップ7)、そのシフトした帯電グリッド電圧VG
を新しい画像形成プロセス条件とし、VGシフト回数を
1カウントだけ増やして(ステップ8)、再度ステップ
1へ戻る。
【0026】ここで、帯電グリッド電圧VGの変化量Δ
VGと暗部電位VDの変化量ΔVDとの間には、ΔVD=Δ
VGの関係があり、帯電グリッド電圧VGを30Vシフト
アップ(シフトダウン)させると、暗部電位VDは30
Vだけ低下(上昇)する。つまり、制御分解能は、30
Vであり、暗部電位VDが上記第1目標範囲に短時間で
はいるように、充分大きく設定され、また、制御が振動
しないように、第1公差幅ΔVD1(±20=40V)よ
り小さく設定されている。
【0027】上記制御ループが繰り返され、帯電グリッ
ド電圧VGのシフト回数が10回以上になった場合には
(上記ステップ4でNO)、VD制御異常と判断して、
前回制御時の画像形成プロセス条件(VG,VLP)を今
回の画像形成プロセス条件として設定する(ステップ
9)。
【0028】また、上記ステップ3において電位センサ
4で検出した暗部電位VDが上記第1目標範囲内に入っ
た場合の第2制御工程(図3(b)の符号B以下のフロ
ー)では、暗部電位VDが第2目標範囲である制御目標
値VD0±第2公差幅ΔVD2(800±10V)の範囲内
に入っているかどうかを判断し(ステップ10)、入っ
ている場合には、その時の帯電グリッド電圧VGを制御
により設定された画像形成プロセス条件として用いる
(ステップ14)。また、上記ステップ10で、上記第
2目標範囲に入っていない場合には、暗部電位VDが上
記第2目標範囲の下限(790V)未満かどうかを判断
し(ステップ11)、YESの場合には帯電グリッド電
圧VGを15Vだけシフトダウンし(ステップ12)、
NOの場合には露光ランプを15Vだけシフトアップし
(ステップ13)、そのシフトした帯電グリッド電圧V
Gを新しい画像形成プロセス条件として設定する。
【0029】ここで、上記ΔVD=ΔVGの関係により、
帯電グリッド電圧VGを15Vシフトアップ(シフトダ
ウン)させると、暗部電位VDは15Vだけ低下(上
昇)する。つまり、制御分解能は15Vであり、暗部電
位VDが上記第1目標範囲内で上記第2目標範囲外であ
るとき、帯電グリッド電圧VGを15Vシフトさせるこ
とで、暗部電位VDは確実に制御目標値VD0(800
V)に近づく。
【0030】以上、本実施例によれば、感光体ドラム1
上の明部電位VL及び暗部電位VDの検出結果が、上記制
御目標値(VL0=200V,VD0=800V)の広い第
1公差幅(±ΔVL1,±ΔVD1=20V)内に短い制御
時間で入り、その後に、明部電位VL及び暗部電位VDの
検出結果が、最終的な制御精度を得るための該制御目標
値の狭い第2公差幅(±ΔVL2,±ΔVD2=10V)内
に入るように、それぞれ上記露光ランプ電圧VLP及び上
記帯電グリッド電圧VGの設定値を調節するように制御
しているので、全体として迅速、かつ、精度高い画像形
成プロセス条件の制御を行なうことができるようにな
る。
【0031】また、本実施例によれば、感光体ドラム1
上の明部電位VLの検出値が上記制御目標値(VL0=2
00V)の第2公差幅(±ΔVL2=±10V)内に迅速
に入るように、上記露光ランプ電圧VLPを調整すること
により、感光体の感度の劣化や、露光装置の光学レンズ
及びミラーの汚れ等が発生して明部電位VLが変動して
も、感光体ドラム1上の暗部電位VDに影響を与えるこ
となく、明部電位VLが迅速に所定範囲内に戻されるの
で、画像上の地汚れの発生を防止できるようになる。
【0032】また、本実施例によれば、感光体ドラム1
上の暗部電位VDの検出値が上記制御目標値(VD0=8
00V)の第2公差幅(±ΔVD2=±10V)内に迅速
に入るように、上記帯電グリッド電圧VGを調整するこ
とにより、感光体の経時劣化等が発生して暗部電位VD
が変動しても、静電潜像の明部電位VLに影響を与える
ことなく、暗部電位VDが迅速に所定範囲内に戻される
ので、ベタ画像の画像濃度の低下を防止できるようにな
る。
【0033】また、本実施例によれば、上記第1制御工
程における制御分解能を大きい値(30V)に設定する
ことにより、上記明部電位VL及び暗部電位VDの検出値
が、それぞれより早く上記制御目標値(VL0,VD0)に
近づくようになり、また、上記第2制御工程における制
御分解能を小さい値(15V)に設定することにより、
明部電位VL及び暗部電位VDの検出値がより精度よく該
制御目標値に近づくようになるので、更に迅速で、か
つ、精度高い画像形成プロセス条件の制御を行なうこと
ができるようになる。
【0034】また、本実施例によれば、上記第1制御工
程における各制御分解能(30V)を上記第1公差幅
(40V)より小さく設定し、上記第2制御工程におけ
る各制御分解能(15V)を上記第2公差幅(20V)
よりも小さく設定することにより、明部電位VL及び暗
部電位VDの検出値がそれぞれ確実に上記制御目標値
(VL0=200V,VD0=800V)に近づくので、明
部電位VL及び暗部電位VDの検出値が該制御目標値付近
で振動して収束しないという不具合や、収束するまでに
長時間を要するという不具合の発生を防止できるように
なる。
【0035】なお、本実施例においては、画像形成プロ
セス条件として露光ランプ電圧VLP及び帯電グリッド電
圧VGの設定値を調節するように制御しているが、それ
に代え、帯電チャージャ2のコロナワイヤに印加する電
圧等の設定値を調節するように制御してもよい。
【0036】また、本実施例においては、画像形成プロ
セスの制御パラメータとして、感光体ドラム1上の静電
潜像の明部電位VL及び暗部電位VDを用いているが、そ
れに代え、感光体ドラム1上のトナー像の画像濃度、例
えば感光体ドラム1上に形成した基準濃度パターンのト
ナー像におけるトナー付着量を用い、このトナー付着量
を光学的又は電気的方法等で検出し、その検出値が所定
範囲内に入るように画像形成プロセス条件(例えば、ト
ナー濃度、現像バイアス電圧等)の設定値を調節するよ
うに制御してもよい。
【0037】また、本実施例においては、画像形成プロ
セスの制御パラメータである感光体ドラム1上の静電潜
像の明部電位VL及び暗部電位VDを検出し、該検出値が
所定範囲内に入るように、画像形成プロセス条件として
の露光ランプ電圧VLP及び帯電グリッド電圧VGの設定
値を調節するように制御しているが、検出する制御パラ
メータに直結する画像プロセス条件ではなく、最終画像
が所定画像になるように、現像装置5の現像ローラに印
加する現像バイアス電圧、転写装置に印加するバイアス
電圧等の画像形成プロセス条件の設定値を調節するよう
に制御してもよい。
【0038】
【発明の効果】請求項1又は2の発明によれば、上記像
担持体の表面電位(明部電位、暗部電位)等の制御パラ
メータの検出結果が、上記制御目標値の広い第1公差幅
内に短い制御時間で入り、その後に、該制御パラメータ
の検出結果が、最終的な制御精度を得るための上記制御
目標値の狭い第2公差幅内に入るように、帯電装置への
印加電圧、露光装置の光源への印加電圧等の画像プロセ
ス条件の設定値を調節するように制御しているので、全
体として迅速、かつ、精度高い画像形成プロセス条件の
制御を行なうことができるという効果がある。
【0039】請求項3の発明によれば、上記像担持体上
に形成された潜像の明部電位の検出値が上記制御目標値
の第2公差幅内に迅速に入るように、上記露光装置の光
源への印加電圧を調整することにより、像担持体の感度
の劣化や、露光装置の光学レンズ及びミラーの汚れ等が
発生して該明部電位が変動しても、潜像の暗部電位に影
響を与えることなく、該明部電位が迅速に所定範囲内に
戻されるので、画像上の地汚れの発生を防止できるとい
う効果がある。
【0040】請求項4の発明によれば、上記像担持体上
に形成された潜像の暗部電位の検出値が上記制御目標値
の第2公差幅内に迅速に入るように、上記帯電装置への
印加電圧、例えばグリッド電極に印加する電圧を調整す
ることにより、像担持体の経時劣化等が発生して該暗部
電位が変動しても、潜像の明部電位に影響を与えること
なく、該暗部電位が迅速に所定範囲内に戻されるので、
ベタ画像の画像濃度の低下を防止できるという効果があ
る。
【0041】請求項5の発明によれば、上記第1制御工
程における制御分解能を大きい値に設定することによ
り、上記制御パラメータの検出値がより早く上記制御目
標値に近づくようになり、また、上記第2制御工程にお
ける制御分解能を小さい値に設定することにより、該制
御パラメータの検出値がより精度よく該制御目標値に近
づくようになるので、更に迅速で、かつ、精度高い画像
形成プロセス条件の制御を行なうことができるという効
果がある。
【0042】請求項6の発明によれば、上記第1制御工
程及び上記第2制御工程における各制御分解能を、それ
ぞれ上記第1公差幅及び上記第2公差幅よりも小さくな
るように設定することにより、上記制御パラメータの検
出値が確実に上記制御目標値に近づくので、該制御パラ
メータの検出値が該制御目標値付近で振動して収束しな
いという不具合や、収束するまでに長時間を要するとい
う不具合の発生を防止できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例に係る複写機の概略構成図。
【図2】(a)及び(b)は、明部電位VLが所定範囲
内に入るように露光ランプ電圧VLPを調節する画像形成
プロセス条件の制御のフローチャート。
【図3】(a)及び(b)は、暗部電位VDが所定範囲
内に入るように帯電グリッド電圧VGを調節する画像形
成プロセス条件の制御のフローチャート。
【符号の説明】
1 感光体ドラム 2 帯電チャージャ 4 電位センサ 11 露光ランプ 14 メイン制御部 15 露光制御部 16 帯電制御部 17 明部電位制御用原稿 18 暗部電位制御用原稿

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】画像形成プロセスの制御パラメータの検出
    結果に基づいて、画像形成プロセス条件を制御する画像
    形成プロセス条件の制御方法において、 該制御パラメータの検出値が、制御目標値の所定の第1
    公差幅内に入るように、該画像形成プロセス条件を調節
    する第1制御工程と、 該第1制御工程の後、該制御パラメータの検出値が、制
    御目標値の該第1公差幅より狭く設定された第2公差幅
    内に入るように、該画像形成プロセス条件を調節する第
    2制御工程とを有することを特徴とする画像形成プロセ
    ス条件の制御方法。
  2. 【請求項2】画像形成プロセスの制御パラメータを検出
    する検出手段と、該検出手段による検出結果に基づいて
    画像形成プロセス条件を調節する制御手段とを備えた画
    像形成プロセス条件の制御装置において、 該制御手段を、 該制御パラメータの検出値が、制御目標値の所定の第1
    公差幅内に入るように、該画像形成プロセス条件を調節
    する第1制御手段と、 該制御パラメータの検出値が、制御目標値の該第1公差
    幅より狭く設定された第2公差幅内に入るように、該画
    像形成プロセス条件を調節する第2制御手段とで構成し
    たことを特徴とする画像形成プロセス条件の制御装置。
  3. 【請求項3】上記制御パラメータとして、像担持体上に
    形成された潜像の明部電位を用い、 上記画像プロセス条件として、露光装置の光源への印加
    電圧を用いたことを特徴とする請求項1の画像形成プロ
    セス条件の制御方法。
  4. 【請求項4】上記制御パラメータとして、像担持体上に
    形成された潜像の暗部電位を用い、 上記画像プロセス条件として、帯電装置への印加電圧を
    用いたことを特徴とする請求項1の画像形成プロセス条
    件の制御方法。
  5. 【請求項5】上記第2制御工程における制御分解能を、
    上記第1制御工程における制御分解能より大きい値に設
    定したことを特徴とする請求項1の画像形成プロセス条
    件の制御方法。
  6. 【請求項6】上記第1制御工程及び上記第2制御工程に
    おける各制御分解能を、それぞれ上記第1公差幅及び上
    記第2公差幅よりも小さくなるように設定したことを特
    徴とする請求項1の画像形成プロセス条件の制御方法。
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