JP3362068B2 - 画像形成プロセスにおける電位形成条件制御方法 - Google Patents
画像形成プロセスにおける電位形成条件制御方法Info
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- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/50—Machine control of apparatus for electrographic processes using a charge pattern, e.g. regulating differents parts of the machine, multimode copiers, microprocessor control
- G03G15/5033—Machine control of apparatus for electrographic processes using a charge pattern, e.g. regulating differents parts of the machine, multimode copiers, microprocessor control by measuring the photoconductor characteristics, e.g. temperature, or the characteristics of an image on the photoconductor
- G03G15/5037—Machine control of apparatus for electrographic processes using a charge pattern, e.g. regulating differents parts of the machine, multimode copiers, microprocessor control by measuring the photoconductor characteristics, e.g. temperature, or the characteristics of an image on the photoconductor the characteristics being an electrical parameter, e.g. voltage
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- G03G15/02—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for laying down a uniform charge, e.g. for sensitising; Corona discharge devices
- G03G15/0266—Arrangements for controlling the amount of charge
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- G03G15/04—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for exposing, i.e. imagewise exposure by optically projecting the original image on a photoconductive recording material
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複写機、ファクシミ
リ、プリンター等の画像形成装置に採用される画像形成
プロセスにおける電位形成条件制御方法に係り、詳しく
は、像担持体の表面電位等の画像形成プロセスの制御パ
ラメータの検出結果に基づいて、帯電条件、露光条件等
の電位形成条件を調節する画像形成プロセスにおける電
位形成条件制御方法に関するものである。
リ、プリンター等の画像形成装置に採用される画像形成
プロセスにおける電位形成条件制御方法に係り、詳しく
は、像担持体の表面電位等の画像形成プロセスの制御パ
ラメータの検出結果に基づいて、帯電条件、露光条件等
の電位形成条件を調節する画像形成プロセスにおける電
位形成条件制御方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来この種の画像形成プロセス条件の制
御方法としては、例えば、像担持体上に形成された潜像
の表面電位（明部電位又は暗部電位）を検出し、この検
出結果に基づいて帯電条件、露光条件等の画像形成プロ
セス条件を調節することにより、該像担持体の表面電位
を目標値で安定させる方法が知られている（例えば、特
開昭６４−７８２６８号公報、特開平２−５２３６８号
公報、特開昭平３−１３６０７２号公報参照）。
御方法としては、例えば、像担持体上に形成された潜像
の表面電位（明部電位又は暗部電位）を検出し、この検
出結果に基づいて帯電条件、露光条件等の画像形成プロ
セス条件を調節することにより、該像担持体の表面電位
を目標値で安定させる方法が知られている（例えば、特
開昭６４−７８２６８号公報、特開平２−５２３６８号
公報、特開昭平３−１３６０７２号公報参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
画像形成プロセス条件の制御方法においては、画像形成
プロセス条件の最小制御量に対する表面電位等の変化量
を大きく、即ち、制御分解能を低く設定するほど、制御
開始から表面電位が目標電位に近づくまでの時間（以
下、制御時間という）は短縮されるが、制御後における
表面電位が目標電位に近づいている度合い（以下、制御
精度という）は低下してしまう。また、画像形成プロセ
ス条件の最小制御量に対する表面電位等の変化量を小さ
く、即ち、制御分解能を高く設定するほど制御精度は高
くなるが、制御時間が長くなってしまうという難点があ
る。例えば、制御精度を高めるために制御目標値の公差
幅を狭く設定した場合には、制御目標値付近での画像形
成プロセス条件の制御量のシフトアップ・シフトダウン
を行なう際に、制御パラメータである表面電位が振動し
て収束しないということがないように、制御分解能を高
く設定する必要がある。この結果、制御時間が長くなっ
てしまう。
画像形成プロセス条件の制御方法においては、画像形成
プロセス条件の最小制御量に対する表面電位等の変化量
を大きく、即ち、制御分解能を低く設定するほど、制御
開始から表面電位が目標電位に近づくまでの時間（以
下、制御時間という）は短縮されるが、制御後における
表面電位が目標電位に近づいている度合い（以下、制御
精度という）は低下してしまう。また、画像形成プロセ
ス条件の最小制御量に対する表面電位等の変化量を小さ
く、即ち、制御分解能を高く設定するほど制御精度は高
くなるが、制御時間が長くなってしまうという難点があ
る。例えば、制御精度を高めるために制御目標値の公差
幅を狭く設定した場合には、制御目標値付近での画像形
成プロセス条件の制御量のシフトアップ・シフトダウン
を行なう際に、制御パラメータである表面電位が振動し
て収束しないということがないように、制御分解能を高
く設定する必要がある。この結果、制御時間が長くなっ
てしまう。
【０００４】本発明は以上の問題点に鑑みなされたもの
であり、その目的とするところは、迅速、かつ、精度の
高い制御を行なうことができる画像形成プロセスにおけ
る電位形成条件制御方法を提供することである。
であり、その目的とするところは、迅速、かつ、精度の
高い制御を行なうことができる画像形成プロセスにおけ
る電位形成条件制御方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、請求項１の発明は、像担持体上に形成された潜像
電位の検出結果に基づいて、該像担持体上の電位形成条
件を制御する画像形成プロセスにおける電位形成条件制
御方法において、該潜像電位の検出値が、制御目標値の
所定の第１公差幅内に入るように、該電位形成条件を調
節する第１制御工程と、該潜像電位の検出値が該制御目
標値の第１公差幅内に入ったときに該制御目標値の公差
幅を該第１公差幅より狭い第２公差幅に切り替え、該第
１制御工程における該潜像電位の最終検出値が該制御目
標値の該第２公差幅内に入っているか否かを判断し、そ
の判断の結果に基づいて該電位形成条件を設定する第２
制御工程とを、連続的に実行することを特徴とするもの
である。
めに、請求項１の発明は、像担持体上に形成された潜像
電位の検出結果に基づいて、該像担持体上の電位形成条
件を制御する画像形成プロセスにおける電位形成条件制
御方法において、該潜像電位の検出値が、制御目標値の
所定の第１公差幅内に入るように、該電位形成条件を調
節する第１制御工程と、該潜像電位の検出値が該制御目
標値の第１公差幅内に入ったときに該制御目標値の公差
幅を該第１公差幅より狭い第２公差幅に切り替え、該第
１制御工程における該潜像電位の最終検出値が該制御目
標値の該第２公差幅内に入っているか否かを判断し、そ
の判断の結果に基づいて該電位形成条件を設定する第２
制御工程とを、連続的に実行することを特徴とするもの
である。
【０００６】
【０００７】また、請求項２の発明は、請求項１の画像
形成プロセスにおける電位形成条件制御方法において、
上記電位形成条件の調整回数が所定回数以上になった場
合には、該電位形成条件を前回の値に設定することを特
徴とするものである。
形成プロセスにおける電位形成条件制御方法において、
上記電位形成条件の調整回数が所定回数以上になった場
合には、該電位形成条件を前回の値に設定することを特
徴とするものである。
【０００８】
【０００９】また、請求項３の発明は、請求項１の画像
形成プロセスにおける電位形成条件制御方法において、
上記第２制御工程における制御分解能を、上記第１制御
工程における制御分解能より大きい値に設定したことを
特徴とするものである。
形成プロセスにおける電位形成条件制御方法において、
上記第２制御工程における制御分解能を、上記第１制御
工程における制御分解能より大きい値に設定したことを
特徴とするものである。
【００１０】また、請求項４の発明は、請求項１の画像
形成プロセスにおける電位形成条件制御方法において、
上記第１制御工程及び上記第２制御工程における各制御
分解能を、それぞれ上記第１公差幅及び上記第２公差幅
よりも小さくなるように設定したことを特徴とするもの
である。
形成プロセスにおける電位形成条件制御方法において、
上記第１制御工程及び上記第２制御工程における各制御
分解能を、それぞれ上記第１公差幅及び上記第２公差幅
よりも小さくなるように設定したことを特徴とするもの
である。
【００１１】
【作用】請求項１の発明においては、第１制御工程によ
り、前回の像担持体の表面電位（明部電位、暗部電位
等）等の電位形成条件の制御値を初期値として、像担持
体上に形成された潜像電位を検出する。この潜像電位の
検出結果が、制御目標値の所定の第１公差幅内に入るよ
うに、帯電装置への印加電圧、露光装置の光源への印加
電圧等の電位形成条件を調節することにより、充分に短
い制御時間で潜像電位の検出結果が該第１公差幅内に入
り、次の高精度の制御に備える。そして、上記第１の制
御工程の後に連続的に実行される第２の制御工程で、第
１の制御工程において潜像電位の検出値が制御目標値の
第１公差幅内に入ったときに制御目標値の公差幅を第１
公差幅より狭い最終的な制御精度を得るための第２公差
幅に切り替え、第１制御工程における潜像電位の最終検
出値が制御目標値の第２公差幅内に入っているか否かを
判断する。この判断結果に基づいて電位形成条件を設定
することにより、全体として迅速、かつ精度の高い電位
形成条件の制御が可能となる。特に、上記像担持体上に
形成された潜像の明部電位の検出値が上記制御目標値の
第２公差幅内に迅速に入るように、露光装置の光源への
印加電圧を調整する場合は、像担持体の感度の劣化や、
露光装置の光学レンズ及びミラーの汚れ等が発生して明
部電位が変動しても、潜像の暗部電位に影響を与えるこ
となく、明部電位が迅速に所定範囲内に戻される。ま
た、上記像担持体上に形成された潜像の暗部電位の検出
値が上記制御目標値の第２公差幅内に迅速に入るよう
に、上記帯電装置への印加電圧、例えばグリッド電極に
印加する電圧を調整する場合は、像担持体の経時劣化等
が発生して暗部電位が変動しても、潜像の明部電位に影
響を与えることなく、暗部電位が迅速に所定範囲内に戻
る。
り、前回の像担持体の表面電位（明部電位、暗部電位
等）等の電位形成条件の制御値を初期値として、像担持
体上に形成された潜像電位を検出する。この潜像電位の
検出結果が、制御目標値の所定の第１公差幅内に入るよ
うに、帯電装置への印加電圧、露光装置の光源への印加
電圧等の電位形成条件を調節することにより、充分に短
い制御時間で潜像電位の検出結果が該第１公差幅内に入
り、次の高精度の制御に備える。そして、上記第１の制
御工程の後に連続的に実行される第２の制御工程で、第
１の制御工程において潜像電位の検出値が制御目標値の
第１公差幅内に入ったときに制御目標値の公差幅を第１
公差幅より狭い最終的な制御精度を得るための第２公差
幅に切り替え、第１制御工程における潜像電位の最終検
出値が制御目標値の第２公差幅内に入っているか否かを
判断する。この判断結果に基づいて電位形成条件を設定
することにより、全体として迅速、かつ精度の高い電位
形成条件の制御が可能となる。特に、上記像担持体上に
形成された潜像の明部電位の検出値が上記制御目標値の
第２公差幅内に迅速に入るように、露光装置の光源への
印加電圧を調整する場合は、像担持体の感度の劣化や、
露光装置の光学レンズ及びミラーの汚れ等が発生して明
部電位が変動しても、潜像の暗部電位に影響を与えるこ
となく、明部電位が迅速に所定範囲内に戻される。ま
た、上記像担持体上に形成された潜像の暗部電位の検出
値が上記制御目標値の第２公差幅内に迅速に入るよう
に、上記帯電装置への印加電圧、例えばグリッド電極に
印加する電圧を調整する場合は、像担持体の経時劣化等
が発生して暗部電位が変動しても、潜像の明部電位に影
響を与えることなく、暗部電位が迅速に所定範囲内に戻
る。
【００１２】請求項２の発明においては、上記電位形成
条件の調整回数が所定回数以上になった場合には、制御
異常と判断し、電位形成条件を前回の値に設定する。
条件の調整回数が所定回数以上になった場合には、制御
異常と判断し、電位形成条件を前回の値に設定する。
【００１３】
【００１４】請求項３の発明においては、上記第１制御
工程における制御分解能を大きい値に設定することによ
り、上記像担持体上の潜像電位の検出値がより早く上記
制御目標値に近づくようになり、また、上記第２制御工
程における制御分解能を小さい値に設定することによ
り、上記像担持体上の潜像電位の検出値がより精度よく
該制御目標値に近づく。
工程における制御分解能を大きい値に設定することによ
り、上記像担持体上の潜像電位の検出値がより早く上記
制御目標値に近づくようになり、また、上記第２制御工
程における制御分解能を小さい値に設定することによ
り、上記像担持体上の潜像電位の検出値がより精度よく
該制御目標値に近づく。
【００１５】請求項４の発明においては、上記第１制御
工程及び上記第２制御工程における各制御分解能を、そ
れぞれ上記第１公差幅及び上記第２公差幅よりも小さく
なるように設定することにより、上記像担持体上の潜像
電位の検出値が確実に上記制御目標値に近づく。
工程及び上記第２制御工程における各制御分解能を、そ
れぞれ上記第１公差幅及び上記第２公差幅よりも小さく
なるように設定することにより、上記像担持体上の潜像
電位の検出値が確実に上記制御目標値に近づく。
【００１６】
【実施例】以下、本発明を画像形成装置である電子写真
複写機（以下、複写機という）に適用した一実施例につ
いて説明する。図１は、本実施例に係る複写機の概略構
成図である。像担持体である感光体が表面に設けられた
感光体ドラム１の周囲には、帯電チャージャ２、イレー
サ３、電位センサ４、現像装置５、転写前除電器６、転
写ベルト７、クリーニング装置８、除電ランプ９等が配
設されている。また、複写機の上部には原稿載置用のコ
ンタクトガラス１０が設けられ、このコンタクトガラス
１０の下方に、光源としての露光ランプ１１、反射ミラ
ー１２（一部不図示）等からなる露光装置が設けられて
いる。
複写機（以下、複写機という）に適用した一実施例につ
いて説明する。図１は、本実施例に係る複写機の概略構
成図である。像担持体である感光体が表面に設けられた
感光体ドラム１の周囲には、帯電チャージャ２、イレー
サ３、電位センサ４、現像装置５、転写前除電器６、転
写ベルト７、クリーニング装置８、除電ランプ９等が配
設されている。また、複写機の上部には原稿載置用のコ
ンタクトガラス１０が設けられ、このコンタクトガラス
１０の下方に、光源としての露光ランプ１１、反射ミラ
ー１２（一部不図示）等からなる露光装置が設けられて
いる。
【００１７】以上の構成において、コンタクトガラス１
０上に原稿１３をセットし、図示しない操作部のコピー
スタートボタンを押下すると、露光ランプ１１の光が原
稿１３に照射され、その反射光Ｌが反射ミラー１２等を
介して感光体ドラム１上に結像される。この感光体ドラ
ム１の表面は帯電チャージャ２で一様帯電されており、
この表面電位が原稿１３からの反射光Ｌで選択的に減衰
されて、静電潜像が形成される。そして、イレーサ３に
より画像領域の周囲の表面電位が減衰され、感光体ドラ
ム１の回転により現像装置５との対向部を通過し、この
現像装置５により静電潜像が顕像化され、感光体ドラム
１上に原稿の画像に応じたトナー像が形成される。この
トナー像が形成された感光体ドラム１の表面の電位は、
転写前除電器６により減衰され、転写ベルト７上に搬送
されてきた転写紙（不図示）にトナー像が転写される。
トナー像が転写紙に転写された後の感光体ドラム１の表
面は、クリーニング装置８により残留トナーが除去さ
れ、除電ランプにより残留電荷が除去されて、次のコピ
ー動作に備えられる。
０上に原稿１３をセットし、図示しない操作部のコピー
スタートボタンを押下すると、露光ランプ１１の光が原
稿１３に照射され、その反射光Ｌが反射ミラー１２等を
介して感光体ドラム１上に結像される。この感光体ドラ
ム１の表面は帯電チャージャ２で一様帯電されており、
この表面電位が原稿１３からの反射光Ｌで選択的に減衰
されて、静電潜像が形成される。そして、イレーサ３に
より画像領域の周囲の表面電位が減衰され、感光体ドラ
ム１の回転により現像装置５との対向部を通過し、この
現像装置５により静電潜像が顕像化され、感光体ドラム
１上に原稿の画像に応じたトナー像が形成される。この
トナー像が形成された感光体ドラム１の表面の電位は、
転写前除電器６により減衰され、転写ベルト７上に搬送
されてきた転写紙（不図示）にトナー像が転写される。
トナー像が転写紙に転写された後の感光体ドラム１の表
面は、クリーニング装置８により残留トナーが除去さ
れ、除電ランプにより残留電荷が除去されて、次のコピ
ー動作に備えられる。
【００１８】また、本実施例では、画像形成プロセスの
制御パラメータである感光体ドラム１上の暗部電位ＶD
及び明部電位ＶLが所定範囲内に入るように、画像形成
プロセス条件である帯電チャージャ２のグリッド電極へ
の印加電圧（以下、帯電グリッド電圧ＶGという）及び
露光ランプ１１への印加電圧（以下、露光ランプ電圧Ｖ
LPという）を調節する画像形成プロセス条件の制御を行
なっている。上記明部電位及びＶL暗部電位ＶDは、それ
ぞれコンタクトガラス１０上に取り付けられている明部
電位制御用原稿１７及び暗部電位制御用原稿１８を用い
て形成される。
制御パラメータである感光体ドラム１上の暗部電位ＶD
及び明部電位ＶLが所定範囲内に入るように、画像形成
プロセス条件である帯電チャージャ２のグリッド電極へ
の印加電圧（以下、帯電グリッド電圧ＶGという）及び
露光ランプ１１への印加電圧（以下、露光ランプ電圧Ｖ
LPという）を調節する画像形成プロセス条件の制御を行
なっている。上記明部電位及びＶL暗部電位ＶDは、それ
ぞれコンタクトガラス１０上に取り付けられている明部
電位制御用原稿１７及び暗部電位制御用原稿１８を用い
て形成される。
【００１９】この画像形成プロセス条件の制御を行なう
制御手段としては、図１に示すように、ＣＰＵ，記憶部
（ＲＡＭ，ＲＯＭ），Ｉ／Ｏ部等から構成されたメイン
制御部１４、メイン制御部１４からの制御信号に基づい
て露光ランプ電圧ＶLPを変化させる露光制御部１５、及
び帯電チャージャ２の帯電グリッド電圧ＶGを変化させ
る帯電制御部等１６を設けている。また、感光体ドラム
１上の表面電位（暗部電位ＶD、明部電位ＶL）は電位セ
ンサ４で検知され、メイン制御部１４に入力されて、デ
ータ処理される。また、上記制御に用いる制御目標値
（ＶL0，ＶD0）、公差幅等（ΔＶL1，ΔＶL2，ΔＶD1，
ΔＶD2）は、メイン制御部１４の記憶部に記憶されてい
る。この制御目標値、公差幅等の設定値を必要に応じて
変更できるように構成してもよい。
制御手段としては、図１に示すように、ＣＰＵ，記憶部
（ＲＡＭ，ＲＯＭ），Ｉ／Ｏ部等から構成されたメイン
制御部１４、メイン制御部１４からの制御信号に基づい
て露光ランプ電圧ＶLPを変化させる露光制御部１５、及
び帯電チャージャ２の帯電グリッド電圧ＶGを変化させ
る帯電制御部等１６を設けている。また、感光体ドラム
１上の表面電位（暗部電位ＶD、明部電位ＶL）は電位セ
ンサ４で検知され、メイン制御部１４に入力されて、デ
ータ処理される。また、上記制御に用いる制御目標値
（ＶL0，ＶD0）、公差幅等（ΔＶL1，ΔＶL2，ΔＶD1，
ΔＶD2）は、メイン制御部１４の記憶部に記憶されてい
る。この制御目標値、公差幅等の設定値を必要に応じて
変更できるように構成してもよい。
【００２０】まず、図２（ａ）及び（ｂ）のフローチャ
ートに基づいて、感光体ドラム１上の明部電位ＶLが制
御目標値ＶL0±公差幅ΔＶL2で示される所定範囲内に入
るように、露光ランプ電圧ＶLPを調節する画像形成プロ
セス条件の制御について説明する。本画像形成プロセス
条件の制御の第１制御工程では、ある値（通常は前回の
制御値）の帯電グリッド電圧ＶG及び露光ランプ電圧ＶL
Pをそれぞれ印加した帯電チャージャ２及び露光ランプ
１１をＯＮした状態で、明部電位制御用原稿１７の画像
に対応した静電潜像を感光体ドラム１上に形成し（ステ
ップ１）、該静電潜像の明部電位ＶLを電位センサ４で
検出する（ステップ２）。そして、電位センサ４で検出
した明部電位ＶLが第１目標範囲である制御目標値ＶL0
±第１公差幅ΔＶL1（２００±２０Ｖ）の範囲内に入っ
ているかどうかを判断し（ステップ３）、入っていない
場合には、露光ランプ電圧ＶLPのシフト回数が上限（１
０回）未満であることを確認した後、上記第１目標範囲
の下限（１８０Ｖ）未満であるかどうかを判断し（ステ
ップ４）、ＹＥＳの場合には露光ランプ電圧ＶLPを１．
０Ｖだけシフトダウンし（ステップ６）、ＮＯの場合に
は露光ランプ電圧ＶLPを１．０Ｖだけシフトアップし
（ステップ７）、そのシフトした露光ランプ電圧ＶLPを
新しい画像形成プロセス条件とし、ＶLPシフト回数を１
カウントだけ増やして（ステップ８）、再度ステップ１
へ戻る。
ートに基づいて、感光体ドラム１上の明部電位ＶLが制
御目標値ＶL0±公差幅ΔＶL2で示される所定範囲内に入
るように、露光ランプ電圧ＶLPを調節する画像形成プロ
セス条件の制御について説明する。本画像形成プロセス
条件の制御の第１制御工程では、ある値（通常は前回の
制御値）の帯電グリッド電圧ＶG及び露光ランプ電圧ＶL
Pをそれぞれ印加した帯電チャージャ２及び露光ランプ
１１をＯＮした状態で、明部電位制御用原稿１７の画像
に対応した静電潜像を感光体ドラム１上に形成し（ステ
ップ１）、該静電潜像の明部電位ＶLを電位センサ４で
検出する（ステップ２）。そして、電位センサ４で検出
した明部電位ＶLが第１目標範囲である制御目標値ＶL0
±第１公差幅ΔＶL1（２００±２０Ｖ）の範囲内に入っ
ているかどうかを判断し（ステップ３）、入っていない
場合には、露光ランプ電圧ＶLPのシフト回数が上限（１
０回）未満であることを確認した後、上記第１目標範囲
の下限（１８０Ｖ）未満であるかどうかを判断し（ステ
ップ４）、ＹＥＳの場合には露光ランプ電圧ＶLPを１．
０Ｖだけシフトダウンし（ステップ６）、ＮＯの場合に
は露光ランプ電圧ＶLPを１．０Ｖだけシフトアップし
（ステップ７）、そのシフトした露光ランプ電圧ＶLPを
新しい画像形成プロセス条件とし、ＶLPシフト回数を１
カウントだけ増やして（ステップ８）、再度ステップ１
へ戻る。
【００２１】ここで、露光ランプ電圧ＶLPの変化量ΔＶ
LPと明部電位ＶLの変化量ΔＶLとの間には、ΔＶL／Δ
ＶLP＝−３０の関係があり、露光ランプ電圧ＶLPを１．
０Ｖシフトアップ（シフトダウン）させると、明部電位
ＶLは３０Ｖだけ低下（上昇）する。つまり、制御分解
能は、３０Ｖであり、明部電位ＶLが上記第１目標範囲
に短時間ではいるように、充分大きく設定され、また、
制御が振動しないように、第１公差幅ΔＶL1（±２０＝
４０Ｖ）より小さく設定されている。
LPと明部電位ＶLの変化量ΔＶLとの間には、ΔＶL／Δ
ＶLP＝−３０の関係があり、露光ランプ電圧ＶLPを１．
０Ｖシフトアップ（シフトダウン）させると、明部電位
ＶLは３０Ｖだけ低下（上昇）する。つまり、制御分解
能は、３０Ｖであり、明部電位ＶLが上記第１目標範囲
に短時間ではいるように、充分大きく設定され、また、
制御が振動しないように、第１公差幅ΔＶL1（±２０＝
４０Ｖ）より小さく設定されている。
【００２２】上記制御ループが繰り返され、露光ランプ
電圧ＶLPのシフト回数が１０回以上になった場合には
（上記ステップ４でＮＯ）、ＶL制御異常と判断して、
前回制御時の画像形成プロセス条件（ＶG，ＶLP）を今
回の画像形成プロセス条件として設定する（ステップ
９）。
電圧ＶLPのシフト回数が１０回以上になった場合には
（上記ステップ４でＮＯ）、ＶL制御異常と判断して、
前回制御時の画像形成プロセス条件（ＶG，ＶLP）を今
回の画像形成プロセス条件として設定する（ステップ
９）。
【００２３】また、上記ステップ３において電位センサ
４で検出した明部電位ＶLが上記第１目標範囲内に入っ
た場合の第２制御工程（図２（ｂ）のＡ以下のフロー）
では、明部電位ＶLが第２目標範囲である制御目標値ＶL
0±第２公差幅ΔＶL2（２００±１０Ｖ）の範囲内に入
っているかどうかを判断し（ステップ１０）、入ってい
る場合には、その時の露光ランプ電圧ＶLPを制御により
設定された画像形成プロセス条件として用いる（ステッ
プ１４）。また、上記ステップ１０で、上記第２目標範
囲に入っていない場合には、明部電位ＶLが上記第２目
標範囲の下限（１９０Ｖ）未満かどうかを判断し（ステ
ップ１１）、ＹＥＳの場合には露光ランプ電圧ＶLPを
０．５Ｖだけシフトダウンし（ステップ１２）、ＮＯの
場合には露光ランプを０．５Ｖだけシフトアップし（ス
テップ１３）、そのシフトした露光ランプ電圧ＶLPを新
しい画像形成プロセス条件として設定する。
４で検出した明部電位ＶLが上記第１目標範囲内に入っ
た場合の第２制御工程（図２（ｂ）のＡ以下のフロー）
では、明部電位ＶLが第２目標範囲である制御目標値ＶL
0±第２公差幅ΔＶL2（２００±１０Ｖ）の範囲内に入
っているかどうかを判断し（ステップ１０）、入ってい
る場合には、その時の露光ランプ電圧ＶLPを制御により
設定された画像形成プロセス条件として用いる（ステッ
プ１４）。また、上記ステップ１０で、上記第２目標範
囲に入っていない場合には、明部電位ＶLが上記第２目
標範囲の下限（１９０Ｖ）未満かどうかを判断し（ステ
ップ１１）、ＹＥＳの場合には露光ランプ電圧ＶLPを
０．５Ｖだけシフトダウンし（ステップ１２）、ＮＯの
場合には露光ランプを０．５Ｖだけシフトアップし（ス
テップ１３）、そのシフトした露光ランプ電圧ＶLPを新
しい画像形成プロセス条件として設定する。
【００２４】ここで、上記ΔＶL／ΔＶLP＝−３０の関
係より、露光ランプ電圧ＶLPを０．５Ｖシフトアップ
（シフトダウン）させると、明部電位ＶLは１５Ｖだけ
低下（上昇）する。つまり、制御分解能は１５Ｖであ
り、明部電位ＶLが上記第１目標範囲内で上記第２目標
範囲外であるとき、露光ランプ電圧ＶLPを０．５Ｖシフ
トさせることで、明部電位ＶLは確実に制御目標値ＶL0
（２００Ｖ）に近づく。
係より、露光ランプ電圧ＶLPを０．５Ｖシフトアップ
（シフトダウン）させると、明部電位ＶLは１５Ｖだけ
低下（上昇）する。つまり、制御分解能は１５Ｖであ
り、明部電位ＶLが上記第１目標範囲内で上記第２目標
範囲外であるとき、露光ランプ電圧ＶLPを０．５Ｖシフ
トさせることで、明部電位ＶLは確実に制御目標値ＶL0
（２００Ｖ）に近づく。
【００２５】次に、図３（ａ）及び（ｂ）のフローチャ
ートに基づいて、感光体ドラム１上の暗部電位ＶDが制
御目標値ＶD0±公差幅ΔＶD2で示される所定範囲内に入
るように、帯電グリッド電圧ＶGを調節する画像形成プ
ロセス条件の制御について説明する。本画像形成プロセ
ス条件の制御の第１の制御工程では、ある値（通常は前
回の制御値）の帯電グリッド電圧ＶG及び上記ＶL制御で
設定された露光ランプ電圧ＶLPをそれぞれ印加した帯電
チャージャ２及び露光ランプ１１をＯＮした状態で、暗
部電位制御用原稿１８の画像に対応した静電潜像を感光
体ドラム１上に形成し（ステップ１及びステップ
１'）、該静電潜像の暗部電位ＶDを電位センサ４で検出
する（ステップ２）。そして、電位センサ４で検出した
暗部電位ＶDが第１目標範囲である制御目標値ＶL0±第
１公差幅ΔＶD1（８００±２０Ｖ）の範囲内に入ってい
るかどうかを判断し（ステップ３）、入っていない場合
には、帯電グリッド電圧ＶGのシフト回数が上限（１０
回）未満であることを確認した後、上記第１目標範囲の
下限（７８０Ｖ）未満であるかどうかを判断し（ステッ
プ４）、ＹＥＳの場合には帯電グリッド電圧ＶGを３０
Ｖだけシフトアップし（ステップ６）、ＮＯの場合には
帯電グリッド電圧ＶGを３０Ｖだけシフトダウンし（ス
テップ７）、そのシフトした帯電グリッド電圧ＶGを新
しい画像形成プロセス条件とし、ＶGシフト回数を１カ
ウントだけ増やして（ステップ８）、再度ステップ１へ
戻る。
ートに基づいて、感光体ドラム１上の暗部電位ＶDが制
御目標値ＶD0±公差幅ΔＶD2で示される所定範囲内に入
るように、帯電グリッド電圧ＶGを調節する画像形成プ
ロセス条件の制御について説明する。本画像形成プロセ
ス条件の制御の第１の制御工程では、ある値（通常は前
回の制御値）の帯電グリッド電圧ＶG及び上記ＶL制御で
設定された露光ランプ電圧ＶLPをそれぞれ印加した帯電
チャージャ２及び露光ランプ１１をＯＮした状態で、暗
部電位制御用原稿１８の画像に対応した静電潜像を感光
体ドラム１上に形成し（ステップ１及びステップ
１'）、該静電潜像の暗部電位ＶDを電位センサ４で検出
する（ステップ２）。そして、電位センサ４で検出した
暗部電位ＶDが第１目標範囲である制御目標値ＶL0±第
１公差幅ΔＶD1（８００±２０Ｖ）の範囲内に入ってい
るかどうかを判断し（ステップ３）、入っていない場合
には、帯電グリッド電圧ＶGのシフト回数が上限（１０
回）未満であることを確認した後、上記第１目標範囲の
下限（７８０Ｖ）未満であるかどうかを判断し（ステッ
プ４）、ＹＥＳの場合には帯電グリッド電圧ＶGを３０
Ｖだけシフトアップし（ステップ６）、ＮＯの場合には
帯電グリッド電圧ＶGを３０Ｖだけシフトダウンし（ス
テップ７）、そのシフトした帯電グリッド電圧ＶGを新
しい画像形成プロセス条件とし、ＶGシフト回数を１カ
ウントだけ増やして（ステップ８）、再度ステップ１へ
戻る。
【００２６】ここで、帯電グリッド電圧ＶGの変化量Δ
ＶGと暗部電位ＶDの変化量ΔＶDとの間には、ΔＶD＝Δ
ＶGの関係があり、帯電グリッド電圧ＶGを３０Ｖシフト
アップ（シフトダウン）させると、暗部電位ＶDは３０
Ｖだけ上昇（低下）する。つまり、制御分解能は、３０
Ｖであり、暗部電位ＶDが上記第１目標範囲に短時間で
はいるように、充分大きく設定され、また、制御が振動
しないように、第１公差幅ΔＶD1（±２０＝４０Ｖ）よ
り小さく設定されている。
ＶGと暗部電位ＶDの変化量ΔＶDとの間には、ΔＶD＝Δ
ＶGの関係があり、帯電グリッド電圧ＶGを３０Ｖシフト
アップ（シフトダウン）させると、暗部電位ＶDは３０
Ｖだけ上昇（低下）する。つまり、制御分解能は、３０
Ｖであり、暗部電位ＶDが上記第１目標範囲に短時間で
はいるように、充分大きく設定され、また、制御が振動
しないように、第１公差幅ΔＶD1（±２０＝４０Ｖ）よ
り小さく設定されている。
【００２７】上記制御ループが繰り返され、帯電グリッ
ド電圧ＶGのシフト回数が１０回以上になった場合には
（上記ステップ４でＮＯ）、ＶD制御異常と判断して、
前回制御時の画像形成プロセス条件（ＶG，ＶLP）を今
回の画像形成プロセス条件として設定する（ステップ
９）。
ド電圧ＶGのシフト回数が１０回以上になった場合には
（上記ステップ４でＮＯ）、ＶD制御異常と判断して、
前回制御時の画像形成プロセス条件（ＶG，ＶLP）を今
回の画像形成プロセス条件として設定する（ステップ
９）。
【００２８】また、上記ステップ３において電位センサ
４で検出した暗部電位ＶDが上記第１目標範囲内に入っ
た場合の第２制御工程（図３（ｂ）の符号Ｂ以下のフロ
ー）では、暗部電位ＶDが第２目標範囲である制御目標
値ＶD0±第２公差幅ΔＶD2（８００±１０Ｖ）の範囲内
に入っているかどうかを判断し（ステップ１０）、入っ
ている場合には、その時の帯電グリッド電圧ＶGを制御
により設定された画像形成プロセス条件として用いる
（ステップ１４）。また、上記ステップ１０で、上記第
２目標範囲に入っていない場合には、暗部電位ＶDが上
記第２目標範囲の下限（７９０Ｖ）未満かどうかを判断
し（ステップ１１）、ＹＥＳの場合には帯電グリッド電
圧ＶGを１５Ｖだけシフトアップし（ステップ１２）、
ＮＯの場合には帯電グリッド電圧ＶGを１５Ｖだけシフ
トダウンし（ステップ１３）、そのシフトした帯電グリ
ッド電圧ＶGを新しい画像形成プロセス条件として設定
する。
４で検出した暗部電位ＶDが上記第１目標範囲内に入っ
た場合の第２制御工程（図３（ｂ）の符号Ｂ以下のフロ
ー）では、暗部電位ＶDが第２目標範囲である制御目標
値ＶD0±第２公差幅ΔＶD2（８００±１０Ｖ）の範囲内
に入っているかどうかを判断し（ステップ１０）、入っ
ている場合には、その時の帯電グリッド電圧ＶGを制御
により設定された画像形成プロセス条件として用いる
（ステップ１４）。また、上記ステップ１０で、上記第
２目標範囲に入っていない場合には、暗部電位ＶDが上
記第２目標範囲の下限（７９０Ｖ）未満かどうかを判断
し（ステップ１１）、ＹＥＳの場合には帯電グリッド電
圧ＶGを１５Ｖだけシフトアップし（ステップ１２）、
ＮＯの場合には帯電グリッド電圧ＶGを１５Ｖだけシフ
トダウンし（ステップ１３）、そのシフトした帯電グリ
ッド電圧ＶGを新しい画像形成プロセス条件として設定
する。
【００２９】ここで、上記ΔＶD＝ΔＶGの関係により、
帯電グリッド電圧ＶGを１５Ｖシフトアップ（シフトダ
ウン）させると、暗部電位ＶDは１５Ｖだけ上昇（低
下）する。つまり、制御分解能は１５Ｖであり、暗部電
位ＶDが上記第１目標範囲内で上記第２目標範囲外であ
るとき、帯電グリッド電圧ＶGを１５Ｖシフトさせるこ
とで、暗部電位ＶDは確実に制御目標値ＶD0（８００
Ｖ）に近づく。
帯電グリッド電圧ＶGを１５Ｖシフトアップ（シフトダ
ウン）させると、暗部電位ＶDは１５Ｖだけ上昇（低
下）する。つまり、制御分解能は１５Ｖであり、暗部電
位ＶDが上記第１目標範囲内で上記第２目標範囲外であ
るとき、帯電グリッド電圧ＶGを１５Ｖシフトさせるこ
とで、暗部電位ＶDは確実に制御目標値ＶD0（８００
Ｖ）に近づく。
【００３０】以上、本実施例によれば、感光体ドラム１
上の明部電位ＶL及び暗部電位ＶDの検出結果が、上記制
御目標値（ＶL0＝２００Ｖ，ＶD0＝８００Ｖ）の広い第
１公差幅（±ΔＶL1，±ΔＶD1＝２０Ｖ）内に短い制御
時間で入り、その後に、明部電位ＶL及び暗部電位ＶDの
検出結果が、最終的な制御精度を得るための該制御目標
値の狭い第２公差幅（±ΔＶL2，±ΔＶD2＝１０Ｖ）内
に入るように、それぞれ上記露光ランプ電圧ＶLP及び上
記帯電グリッド電圧ＶGの設定値を調節するように制御
しているので、全体として迅速、かつ、精度高い画像形
成プロセス条件の制御を行なうことができるようにな
る。
上の明部電位ＶL及び暗部電位ＶDの検出結果が、上記制
御目標値（ＶL0＝２００Ｖ，ＶD0＝８００Ｖ）の広い第
１公差幅（±ΔＶL1，±ΔＶD1＝２０Ｖ）内に短い制御
時間で入り、その後に、明部電位ＶL及び暗部電位ＶDの
検出結果が、最終的な制御精度を得るための該制御目標
値の狭い第２公差幅（±ΔＶL2，±ΔＶD2＝１０Ｖ）内
に入るように、それぞれ上記露光ランプ電圧ＶLP及び上
記帯電グリッド電圧ＶGの設定値を調節するように制御
しているので、全体として迅速、かつ、精度高い画像形
成プロセス条件の制御を行なうことができるようにな
る。
【００３１】また、本実施例によれば、感光体ドラム１
上の明部電位ＶLの検出値が上記制御目標値（ＶL0＝２
００Ｖ）の第２公差幅（±ΔＶL2＝±１０Ｖ）内に迅速
に入るように、上記露光ランプ電圧ＶLPを調整すること
により、感光体の感度の劣化や、露光装置の光学レンズ
及びミラーの汚れ等が発生して明部電位ＶLが変動して
も、感光体ドラム１上の暗部電位ＶDに影響を与えるこ
となく、明部電位ＶLが迅速に所定範囲内に戻されるの
で、画像上の地汚れの発生を防止できるようになる。
上の明部電位ＶLの検出値が上記制御目標値（ＶL0＝２
００Ｖ）の第２公差幅（±ΔＶL2＝±１０Ｖ）内に迅速
に入るように、上記露光ランプ電圧ＶLPを調整すること
により、感光体の感度の劣化や、露光装置の光学レンズ
及びミラーの汚れ等が発生して明部電位ＶLが変動して
も、感光体ドラム１上の暗部電位ＶDに影響を与えるこ
となく、明部電位ＶLが迅速に所定範囲内に戻されるの
で、画像上の地汚れの発生を防止できるようになる。
【００３２】また、本実施例によれば、感光体ドラム１
上の暗部電位ＶDの検出値が上記制御目標値（ＶD0＝８
００Ｖ）の第２公差幅（±ΔＶD2＝±１０Ｖ）内に迅速
に入るように、上記帯電グリッド電圧ＶGを調整するこ
とにより、感光体の経時劣化等が発生して暗部電位ＶD
が変動しても、静電潜像の明部電位ＶLに影響を与える
ことなく、暗部電位ＶDが迅速に所定範囲内に戻される
ので、ベタ画像の画像濃度の低下を防止できるようにな
る。
上の暗部電位ＶDの検出値が上記制御目標値（ＶD0＝８
００Ｖ）の第２公差幅（±ΔＶD2＝±１０Ｖ）内に迅速
に入るように、上記帯電グリッド電圧ＶGを調整するこ
とにより、感光体の経時劣化等が発生して暗部電位ＶD
が変動しても、静電潜像の明部電位ＶLに影響を与える
ことなく、暗部電位ＶDが迅速に所定範囲内に戻される
ので、ベタ画像の画像濃度の低下を防止できるようにな
る。
【００３３】また、本実施例によれば、上記第１制御工
程における制御分解能を大きい値（３０Ｖ）に設定する
ことにより、上記明部電位ＶL及び暗部電位ＶDの検出値
が、それぞれより早く上記制御目標値（ＶL0，ＶD0）に
近づくようになり、また、上記第２制御工程における制
御分解能を小さい値（１５Ｖ）に設定することにより、
明部電位ＶL及び暗部電位ＶDの検出値がより精度よく該
制御目標値に近づくようになるので、更に迅速で、か
つ、精度高い画像形成プロセス条件の制御を行なうこと
ができるようになる。
程における制御分解能を大きい値（３０Ｖ）に設定する
ことにより、上記明部電位ＶL及び暗部電位ＶDの検出値
が、それぞれより早く上記制御目標値（ＶL0，ＶD0）に
近づくようになり、また、上記第２制御工程における制
御分解能を小さい値（１５Ｖ）に設定することにより、
明部電位ＶL及び暗部電位ＶDの検出値がより精度よく該
制御目標値に近づくようになるので、更に迅速で、か
つ、精度高い画像形成プロセス条件の制御を行なうこと
ができるようになる。
【００３４】また、本実施例によれば、上記第１制御工
程における各制御分解能（３０Ｖ）を上記第１公差幅
（４０Ｖ）より小さく設定し、上記第２制御工程におけ
る各制御分解能（１５Ｖ）を上記第２公差幅（２０Ｖ）
よりも小さく設定することにより、明部電位ＶL及び暗
部電位ＶDの検出値がそれぞれ確実に上記制御目標値
（ＶL0＝２００Ｖ，ＶD0＝８００Ｖ）に近づくので、明
部電位ＶL及び暗部電位ＶDの検出値が該制御目標値付近
で振動して収束しないという不具合や、収束するまでに
長時間を要するという不具合の発生を防止できるように
なる。
程における各制御分解能（３０Ｖ）を上記第１公差幅
（４０Ｖ）より小さく設定し、上記第２制御工程におけ
る各制御分解能（１５Ｖ）を上記第２公差幅（２０Ｖ）
よりも小さく設定することにより、明部電位ＶL及び暗
部電位ＶDの検出値がそれぞれ確実に上記制御目標値
（ＶL0＝２００Ｖ，ＶD0＝８００Ｖ）に近づくので、明
部電位ＶL及び暗部電位ＶDの検出値が該制御目標値付近
で振動して収束しないという不具合や、収束するまでに
長時間を要するという不具合の発生を防止できるように
なる。
【００３５】なお、本実施例においては、画像形成プロ
セス条件として露光ランプ電圧ＶLP及び帯電グリッド電
圧ＶGの設定値を調節するように制御しているが、それ
に代え、帯電チャージャ２のコロナワイヤに印加する電
圧等の設定値を調節するように制御してもよい。
セス条件として露光ランプ電圧ＶLP及び帯電グリッド電
圧ＶGの設定値を調節するように制御しているが、それ
に代え、帯電チャージャ２のコロナワイヤに印加する電
圧等の設定値を調節するように制御してもよい。
【００３６】
【００３７】
【００３８】
【発明の効果】請求項１の発明によれば、上記像担持体
の表面電位（明部電位、暗部電位）等の潜像電位の検出
値が、上記制御目標値の広い第１公差幅内に短い制御時
間で入り、その後に、該潜像電位の検出値が、最終的な
制御精度を得るための上記制御目標値の狭い第２公差幅
内に入っているか否かを判断し、その判断結果に基づい
て、帯電装置への印加電圧、露光装置の光源への印加電
圧等の電位形成条件を設定するように制御しているの
で、全体として迅速、かつ、精度の高い電位形成条件制
御を行なうことができるという効果がある。特に、上記
像担持体上に形成された潜像の明部電位の検出値が上記
制御目標値の第２公差幅内に迅速に入るように、露光装
置の光源への印加電圧を調整する場合は、像担持体の感
度の劣化や、露光装置の光学レンズ及びミラーの汚れ等
が発生して明部電位が変動しても、潜像の暗部電位に影
響を与えることなく、明部電位が迅速に所定範囲内に戻
されるので、画像上の地汚れの発生を防止できるという
効果がある。また、上記像担持体上に形成された潜像の
暗部電位の検出値が上記制御目標値の第２公差幅内に迅
速に入るように、上記帯電装置への印加電圧、例えばグ
リッド電極に印加する電圧を調整する場合は、像担持体
の経時劣化等が発生して暗部電位が変動しても、潜像の
明部電位に影響を与えることなく、暗部電位が迅速に所
定範囲内に戻されるので、ベタ画像の画像濃度の低下を
防止できるという効果がある。
の表面電位（明部電位、暗部電位）等の潜像電位の検出
値が、上記制御目標値の広い第１公差幅内に短い制御時
間で入り、その後に、該潜像電位の検出値が、最終的な
制御精度を得るための上記制御目標値の狭い第２公差幅
内に入っているか否かを判断し、その判断結果に基づい
て、帯電装置への印加電圧、露光装置の光源への印加電
圧等の電位形成条件を設定するように制御しているの
で、全体として迅速、かつ、精度の高い電位形成条件制
御を行なうことができるという効果がある。特に、上記
像担持体上に形成された潜像の明部電位の検出値が上記
制御目標値の第２公差幅内に迅速に入るように、露光装
置の光源への印加電圧を調整する場合は、像担持体の感
度の劣化や、露光装置の光学レンズ及びミラーの汚れ等
が発生して明部電位が変動しても、潜像の暗部電位に影
響を与えることなく、明部電位が迅速に所定範囲内に戻
されるので、画像上の地汚れの発生を防止できるという
効果がある。また、上記像担持体上に形成された潜像の
暗部電位の検出値が上記制御目標値の第２公差幅内に迅
速に入るように、上記帯電装置への印加電圧、例えばグ
リッド電極に印加する電圧を調整する場合は、像担持体
の経時劣化等が発生して暗部電位が変動しても、潜像の
明部電位に影響を与えることなく、暗部電位が迅速に所
定範囲内に戻されるので、ベタ画像の画像濃度の低下を
防止できるという効果がある。
【００３９】請求項２の発明によれば、異常制御を判断
して電位形成条件を制御できるという効果がある。
して電位形成条件を制御できるという効果がある。
【００４０】
【００４１】請求項３の発明によれば、上記第１制御工
程における制御分解能を大きい値に設定することによ
り、上記潜像電位の検出値がより早く上記制御目標値に
近づくようになり、また、上記第２制御工程における制
御分解能を小さい値に設定することにより、該潜像電位
の検出値がより精度よく該制御目標値に近づくようにな
るので、更に迅速で、かつ、精度高い電位形成条件制御
を行なうことができるという効果がある。
程における制御分解能を大きい値に設定することによ
り、上記潜像電位の検出値がより早く上記制御目標値に
近づくようになり、また、上記第２制御工程における制
御分解能を小さい値に設定することにより、該潜像電位
の検出値がより精度よく該制御目標値に近づくようにな
るので、更に迅速で、かつ、精度高い電位形成条件制御
を行なうことができるという効果がある。
【００４２】請求項４の発明によれば、上記第１制御工
程及び上記第２制御工程における各制御分解能を、それ
ぞれ上記第１公差幅及び上記第２公差幅よりも小さくな
るように設定することにより、上記潜像電位の検出値が
確実に上記制御目標値に近づくので、該潜像電位の検出
値が該制御目標値付近で振動して収束しないという不具
合や、収束するまでに長時間を要するという不具合の発
生を防止できるという効果がある。
程及び上記第２制御工程における各制御分解能を、それ
ぞれ上記第１公差幅及び上記第２公差幅よりも小さくな
るように設定することにより、上記潜像電位の検出値が
確実に上記制御目標値に近づくので、該潜像電位の検出
値が該制御目標値付近で振動して収束しないという不具
合や、収束するまでに長時間を要するという不具合の発
生を防止できるという効果がある。
【図１】実施例に係る複写機の概略構成図。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、明部電位ＶLが所定範囲
内に入るように露光ランプ電圧ＶLPを調節する画像形成
プロセス条件の制御のフローチャート。
内に入るように露光ランプ電圧ＶLPを調節する画像形成
プロセス条件の制御のフローチャート。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、暗部電位ＶDが所定範囲
内に入るように帯電グリッド電圧ＶGを調節する画像形
成プロセス条件の制御のフローチャート。
内に入るように帯電グリッド電圧ＶGを調節する画像形
成プロセス条件の制御のフローチャート。
１ 感光体ドラム
２ 帯電チャージャ
４ 電位センサ
１１ 露光ランプ
１４ メイン制御部
１５ 露光制御部
１６ 帯電制御部
１７ 明部電位制御用原稿
１８ 暗部電位制御用原稿
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平１−187574（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−11645（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−27971（ＪＰ，Ａ)
特開 昭64−94865（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−291370（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−96076（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03G 15/00
G03G 15/02
G03G 15/04
G03G 21/00
Claims (4)
- 【請求項１】像担持体上に形成された潜像電位の検出結
果に基づいて、該像担持体上の電位形成条件を制御する
画像形成プロセスにおける電位形成条件制御方法におい
て、該潜像電位 の検出値が、制御目標値の所定の第１公差幅
内に入るように、該電位形成条件を調節する第１制御工
程と、 該潜像電位の検出値が該制御目標値の第１公差幅内に入
ったときに該制御目標値の公差幅を該第１公差幅より狭
い第２公差幅に切り替え、該第１制御工程における該潜
像電位の最終検出値が該制御目標値の該第２公差幅内に
入っているか否かを判断し、その判断の結果に基づいて
該電位形成条件を設定する第２制御工程とを、連続的に
実行することを特徴とする画像形成プロセスにおける電
位形成条件制御方法。 - 【請求項２】上記電位形成条件の調整回数が所定回数以
上になった場合には、該電位形成条件を前回の値に設定
することを特徴とする請求項１の画像形成プロセスにお
ける電位形成条件制御方法。 - 【請求項３】上記第２制御工程における制御分解能を、
上記第１制御工程における制御分解能より大きい値に設
定したことを特徴とする請求項１の画像形成プロセスに
おける電位形成条件制御方法。 - 【請求項４】上記第１制御工程及び上記第２制御工程に
おける各制御分解能を、それぞれ上記第１公差幅及び上
記第２公差幅よりも小さくなるように設定したことを特
徴とする請求項１の画像形成プロセスにおける電位形成
条件制御方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12539693A JP3362068B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 画像形成プロセスにおける電位形成条件制御方法 |
| US08/233,925 US5508787A (en) | 1993-04-28 | 1994-04-28 | Method and apparatus for controlling process condition for image formation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12539693A JP3362068B2 (ja) | 1993-04-28 | 1993-04-28 | 画像形成プロセスにおける電位形成条件制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06314011A JPH06314011A (ja) | 1994-11-08 |
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