JPH04110865A - 画像形成装置の画質制御方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、複写機、プリンタ、ファクシミリ等の電子写
真画像形成装置の画質制御方法に関するものである。

〔従来技術〕

電子写真複写機において、所定のオリジナルによって形
成された感光体の静電潜像の電位を検出して帯電量と露
光量を制御すると共に光学系の自動清掃又は清掃すべき
表示をすること等により複写条件を初期状態に維持又は
修正することが例えば特開昭６０−３５７５７号公報に
より知られている。

斯かる従来の方法では定期点検時期より前に露光量不足
状態になり地汚れが発生する確率が高くなる。このよう
に地汚れが発生した場合に光学系に清掃機構を設けて清
掃することが提案されているが装置が複雑になり、コス
ト高になり、故障が生じたり、誤動作が生ずる危険率が
高いという問題があった。

［発明が解決しようとする課題］ 本発明は、上記の従来の問題点を解消し、清掃機構を設
けることなく長期間適正画像を維持できる画像形成装置
の画質制御方法を提供することを課題としている。

〔課題を解決するための手段〕

本発明は、上記の課題を、帯電工程を経て帯電した感光
体上に基準濃度パターンを露光して基準パターンの静電
潜像を形成し、該静電潜像を現像して得たトナー顕像の
濃度を像濃度検出手段により検知し、その検知出力に応
して作像条件を制御する画像形成装置の画質制御方法に
おいて、前記検知出力に基づいて露光量を制御し、該露
光量が予め定めた上限と下限の少なくとも一方を趙えて
制御する必要があるときに他の作像条件を制御する事を
特徴とする画像形成装置の画質制御方法により解決した
。

〔作用］ 本発明により、感光体を帯電して後幕１！濃度パターン
を露光して基準パターンの静電潜像を形成し、現像後の
トナー顕像の濃度を濃度検知手段により検知する。検知
出力に基づいて感光体に対する露光量を制御し、露光量
が予め定めた上限又は下限又は上限下限の両方を超えて
制御する必要が生じたときは他の作像条件、例えば現像
材担持体のバイアスを制御する。更にバイアス電圧の予
め定めた上限又は下限又は上限下限の両方を超えて制御
する必要があるときは帯電電位を制御する。

濃度検知は感光体の表面電位により検知することもでき
る。

〔実施例〕

本発明の詳細を図に示す実施例に基づいて説明する。

第１図において原稿台１例えばコンクタクトガラスに形
成された基準パターン２を潜像形成手段３により帯電露
光して感光体４の表面に基準パターンの静電潜像を形成
する。

基準パターン２はコピー上に地肌汚れが薄く発生するレ
ベルの薄い濃度、例えば反射濃度で０．２〜０．５程度
の濃度のパターンとして形成される。

基準パターン２の静電潜像は現像装置５により現像され
てトナー顕像が形成される。

トナー顕像の濃度が像濃度検出素子（以下Ｐセンサと称
す）６により検出され、検出出力ｖｓｒを、比較演算回
路７において、トナーの付着していない状態でのＰセン
サ６による検知出力ＶＳＧと比較し、Ｖ　ｓｃ／　Ｖ　
ｓｒの値に応してコピー画像形成時の潜像形成手段であ
る露光ランプの電圧■Ｌを露光ランプ電圧制御手段８に
より制御する。

露光ランプ電圧の下限がＶＬ）１１Ｎ％上限がＶ　ＬＭ
ＡＸと予め設定されティルト、ｖＬ、１１Ｎ≦ｖＬ≦ｖ
Ｌ、ｌＡ、Ｉでは地汚れがないか非常に少ない、地汚れ
がなく、又は非常に少なく、原稿の低濃度部がコピー上
で消えすぎる、つまり露光オーバーで低濃度部の再現性
が不足である事が判断されると、露光ランプ電圧の制御
のみを行う。ＶＬ　−ｖｔＨ＋ｓでも露光オーバーと判
断された場合には、ＶＬ　＝ＶＬＭＩＮに選定した状態
で現像バイアス電圧を現像バイアス制御手段９により適
宜低減するか、帯電電位を帯電電位制御手段９により適
宜上げるという制御をいずれか片方か両方について行う
。

ｖ、　＝ＶＬＭＡＸでも露光不足と判断された場合には
、ＶＬ　−Ｖ　Ｌ）ＩＡＸに選定した状態で現像バイア
ス電圧を適宜上げるか、帯電電位を適宜下げるかの制御
の一方又は両方を行う。

露光量の過不足状態に対し優先的に露光量制御を行ない
、極力最高濃度部の電位を現像バイアスの電位差変動を
緩慢にすることにより現像剤の現像能力、つまり現像部
で作用する現像電界により感光体に付着するトナーの付
着特性が変動しない限り、最高濃度変動を少なくするこ
とができる。

現像剤の現像能力維持手段は、公知の現像能力検知手段
やトナー濃度検知手段を利用して行う。

第１図の例に対し、第２図においては、現像装置５によ
る現像の前に静電潜像を形成した感光体の表面電位を表
面電位計１０により検知し、検知出力■、のレベルによ
ってコピー画像形成時の露光ランプ電圧■、を制御手段
８により優先的に上記の場合と同様に制御する。

ＶＬＭＩＮ≦■１≦Ｖ　Ｌ）ＩＡＸを満足する制御で露
光の過不足が生してないと、比較演算回路７により判断
した場合は露光ランプ電圧のみ制御するか、過不足が生
している場合は上記と同様に現像バイアス制御、帯電電
位制御を行う。

第１図による制御を示すと第３図のフローチャートに示
す如くになり、第２図による制御を示すと第４図のフロ
ーチャートに示す如くになる。フローチャートの説明は
上記の説明に含まれるので省略する。

第３図及び第４図で■、。は補正前の露光時ランプ電圧
、△■、はＰセンサチエツクにより求められた必要なラ
ンプ補正電圧差、■、。は補正前の画像形成時の現像バ
イアス、八ＶＢはＰセンサチエツクにより求めた現像バ
イアス補正量、■、。は補正前の画像形成時の帯電電位
、△■、はＰセンサチエツクにより求められた帯電電位
補正量を示す。

（効果〕 本発明により、Ｐセンサ検知出力を用いて低濃度部再現
性を維持するように作像条件を補正制御する際、高濃度
部の画像濃度変動を極力防止することが可能になった。

表面電位検知手段を用いて低濃度部再現性を維持するよ
うに作像条件を補正制御する際、高濃度部の画像濃度変
動を極力防止することができる。

本発明により現像剤のキャリア付着を極力防止する効果
が得られた。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は本発明に係る画質制御方法の夫々側
の例の説明図、第３図は第１図による制御のフローチャ
ート、第４図は第２図による制御のフローチャートであ
る。 １・・・原稿台　　　　２・・・基準パターン３・・・
潜像形成手段　４・・・感光体５・・・現像装置　　　
６・・・濃度検知素子８・・・露光ランプ電圧制御手段 ９・・・帯電電位又は現像バイアス制御手段１０・・・
表面電位計

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. （１）帯電工程を経て帯電した感光体上に基準濃度パタ
   ーンを露光して基準パターンの静電潜像を形成し、該静
   電潜像を現像して得たトナー顕像の濃度を像濃度検出手
   段により検知し、その検知出力に応じて作像条件を制御
   する画像形成装置の画質制御方法において、 前記検知出力に基づいて露光量を制御し、該露光量が予
   め定めた上限と下限の少なくとも一方を超えて制御する
   必要があるときに他の作像条件を制御する事を特徴とす
   る画像形成装置の画質制御方法。
2. （２）前記濃度検知手段による検知が感光体の表面電位
   の検知であることを特徴とする請求項１に記載の画像形
   成装置の画質制御方法。
3. （３）前記他の作像条件が帯電電位と現像材担持体に印
   加するバイアス電圧の少なくとも一方であることを特徴
   とする請求項１又は２に記載の画像形成装置の画質制御
   方法。
4. （４）前記露光量の上限と下限の少なくとも一方を超え
   る制御のときは現像バイアス電圧を制御し、該現像バイ
   アス電圧の予め定めた上限と下限の少なくとも一方を超
   える制御のときに帯電電位制御を行うことを特徴とする
   請求項３に記載の画像形成装置の画質制御方法。