JPH06305891A - 酸化物超電導体薄膜の作製方法およびその方法に使用するターゲット - Google Patents
酸化物超電導体薄膜の作製方法およびその方法に使用するターゲットInfo
- Publication number
- JPH06305891A JPH06305891A JP5090201A JP9020193A JPH06305891A JP H06305891 A JPH06305891 A JP H06305891A JP 5090201 A JP5090201 A JP 5090201A JP 9020193 A JP9020193 A JP 9020193A JP H06305891 A JPH06305891 A JP H06305891A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- thin film
- oxide superconductor
- producing
- superconductor thin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 48
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims abstract description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 22
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 41
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 3
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 2
- 229910002367 SrTiO Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009203 Y-Ba-Cu-O Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 238000004549 pulsed laser deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000008685 targeting Effects 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/45—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides
- C04B35/4504—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on copper oxide or solid solutions thereof with other oxides containing rare earth oxides
- C04B35/4508—Type 1-2-3
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/653—Processes involving a melting step
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/087—Oxides of copper or solid solutions thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/225—Complex oxides based on rare earth copper oxides, e.g. high T-superconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0521—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers by pulsed laser deposition, e.g. laser sputtering
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/725—Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
- Y10S505/729—Growing single crystal, e.g. epitaxy, bulk
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/725—Process of making or treating high tc, above 30 k, superconducting shaped material, article, or device
- Y10S505/73—Vacuum treating or coating
- Y10S505/732—Evaporative coating with superconducting material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】パルスレーザ堆積法で酸化物超電導体薄膜を作
製する際に、超電導特性を劣化させることなく、パーテ
ィクルの発生密度を減少させて、薄膜表面を平滑にす
る。 【構成】アモルファス粉末の成形体を部分溶融した後徐
冷して得られた見掛け密度９５％以上の実質的にＹ
１±αＢａ２±βＣｕ３±γＯ7-δの組成を有する酸化
物材料をターゲットとしてパルスレーザ照射し、基板上
にＹ１±αＢａ２±βＣｕ３±γＯ7-δの酸化物超電導
体薄膜を製造する。
製する際に、超電導特性を劣化させることなく、パーテ
ィクルの発生密度を減少させて、薄膜表面を平滑にす
る。 【構成】アモルファス粉末の成形体を部分溶融した後徐
冷して得られた見掛け密度９５％以上の実質的にＹ
１±αＢａ２±βＣｕ３±γＯ7-δの組成を有する酸化
物材料をターゲットとしてパルスレーザ照射し、基板上
にＹ１±αＢａ２±βＣｕ３±γＯ7-δの酸化物超電導
体薄膜を製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、表面状態が優れた酸化
物超電導薄膜の作製方法に関する。
物超電導薄膜の作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】高Tc酸化物超電導体の発明以降、酸化物
薄膜作製方法の研究が大幅に進展している。このなかで
酸化物材料のターゲットにレーザ光を照射し、その際蒸
発する物質を基板に堆積し、基板上に酸化物薄膜を形成
する方法が広く用いられるようになってきた。この方法
は、酸素分圧が高い状態でも薄膜が作製でき、このた
め、酸素を充分薄膜に取り込め、かつターゲット組成に
近い組成の膜を簡便に実現でき、そのままで超電導膜を
形成できる利点を持っている。しかし、この方法は、高
い照射パワー密度を必要とするため、ターゲットの劣化
が起きやすい。加えて、他の薄膜形成法、スパッタ法あ
るいは真空蒸着法により作製された膜に比べ、表面上に
パーティクルと呼ばれる粒径１μｍ程度の粒が多数観測
され、表面のモホロジーを著しく悪くしていた。これら
の粒は、膜上に膜を形成する多層膜あるいは積層型接合
を作成する場合には、界面を不均質とし、このため特性
評価を困難とした。このようなことから、これらの粒を
減少させる試みが多くなされている。しかし、パーティ
クルの発生密度を減少させると、その膜は超電導特性が
劣化してしまい、超電導特性を劣化させることなく表面
を平滑にする方法はいまだ提案されていない。
薄膜作製方法の研究が大幅に進展している。このなかで
酸化物材料のターゲットにレーザ光を照射し、その際蒸
発する物質を基板に堆積し、基板上に酸化物薄膜を形成
する方法が広く用いられるようになってきた。この方法
は、酸素分圧が高い状態でも薄膜が作製でき、このた
め、酸素を充分薄膜に取り込め、かつターゲット組成に
近い組成の膜を簡便に実現でき、そのままで超電導膜を
形成できる利点を持っている。しかし、この方法は、高
い照射パワー密度を必要とするため、ターゲットの劣化
が起きやすい。加えて、他の薄膜形成法、スパッタ法あ
るいは真空蒸着法により作製された膜に比べ、表面上に
パーティクルと呼ばれる粒径１μｍ程度の粒が多数観測
され、表面のモホロジーを著しく悪くしていた。これら
の粒は、膜上に膜を形成する多層膜あるいは積層型接合
を作成する場合には、界面を不均質とし、このため特性
評価を困難とした。このようなことから、これらの粒を
減少させる試みが多くなされている。しかし、パーティ
クルの発生密度を減少させると、その膜は超電導特性が
劣化してしまい、超電導特性を劣化させることなく表面
を平滑にする方法はいまだ提案されていない。
【０００３】そこで、本発明者は、従来方法でパーティ
クルが生じる原因を調査、研究した結果、ターゲットに
問題があることを見出だした。従来のターゲットは、微
細な粒径の原料粉末を焼結して製造されるため、空隙が
多数あり（見掛け密度、９０％程度）かつ結晶粒子径が
極めて小さい（１０μｍ程度）。このため、従来のター
ゲットにレーザ光を照射すると、レーザ光のビーム径よ
りも結晶粒径が小さく、このためレーザ光は空隙内部や
結晶粒界に照射される。この結果、ターゲットの温度が
急激に上昇してターゲットが溶融する前後にターゲット
から微細粉末が飛び散り、これがパーティクルの原因に
なると推定した。
クルが生じる原因を調査、研究した結果、ターゲットに
問題があることを見出だした。従来のターゲットは、微
細な粒径の原料粉末を焼結して製造されるため、空隙が
多数あり（見掛け密度、９０％程度）かつ結晶粒子径が
極めて小さい（１０μｍ程度）。このため、従来のター
ゲットにレーザ光を照射すると、レーザ光のビーム径よ
りも結晶粒径が小さく、このためレーザ光は空隙内部や
結晶粒界に照射される。この結果、ターゲットの温度が
急激に上昇してターゲットが溶融する前後にターゲット
から微細粉末が飛び散り、これがパーティクルの原因に
なると推定した。
【０００４】このような知見に基づき、本発明者は、タ
ーゲットの見掛け密度を高めて、レーザ光が空隙内部に
照射されないようにし、かつターゲットの機械強度を低
下させることなく、結晶粒度をレーザ光のビーム径より
も大きくすることにより、従来方法によるパーティクル
の問題を解消すべく鋭意研究を行った結果、本発明を完
成するに至った。
ーゲットの見掛け密度を高めて、レーザ光が空隙内部に
照射されないようにし、かつターゲットの機械強度を低
下させることなく、結晶粒度をレーザ光のビーム径より
も大きくすることにより、従来方法によるパーティクル
の問題を解消すべく鋭意研究を行った結果、本発明を完
成するに至った。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】すなわち、本発明の目
的は、超電導特性を劣化させることなく、パーティクル
の発生密度を減少させて、薄膜表面を平滑にする酸化物
超電導体薄膜の作製方法およびその方法に使用するター
ゲットを提供することにある。
的は、超電導特性を劣化させることなく、パーティクル
の発生密度を減少させて、薄膜表面を平滑にする酸化物
超電導体薄膜の作製方法およびその方法に使用するター
ゲットを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、アモルファス粉末の成形体を部分溶融し
た後徐冷して得られた見掛け密度９５％以上の実質的に
Ｙ１±αＢａ２±βＣｕ３±γＯ7-δ（α≦0.8 、β≦
0.4 、γ≦0.4 、−２≦δ≦１）の組成を有するターゲ
ットを用意する工程と、このターゲットにパルスレーザ
を照射して基板上に実質的にＹ１±αＢａ２±βＣｕ
３±γＯ7-δ（α≦0.8 、β≦0.4 、γ≦0.4 、−２≦
δ≦１）の組成を有する薄膜を作製する工程とを備えた
酸化物超電導体薄膜の作製方法およびこの方法に使用す
るターゲットである。
に、本発明は、アモルファス粉末の成形体を部分溶融し
た後徐冷して得られた見掛け密度９５％以上の実質的に
Ｙ１±αＢａ２±βＣｕ３±γＯ7-δ（α≦0.8 、β≦
0.4 、γ≦0.4 、−２≦δ≦１）の組成を有するターゲ
ットを用意する工程と、このターゲットにパルスレーザ
を照射して基板上に実質的にＹ１±αＢａ２±βＣｕ
３±γＯ7-δ（α≦0.8 、β≦0.4 、γ≦0.4 、−２≦
δ≦１）の組成を有する薄膜を作製する工程とを備えた
酸化物超電導体薄膜の作製方法およびこの方法に使用す
るターゲットである。
【０００７】ここで、α、β、γ、δの範囲を限定した
理由は、この範囲の組成が酸化物超電導体の特性を有す
るためである。また、本発明では、ターゲットの強度を
持たせるために、ターゲットの結晶粒にＹ2 ＢａＣｕＯ
5 相を分散する場合は、析出粒子径が１μｍ以下で、タ
ーゲットの結晶粒中に４０％以下含まれるのが望まし
い。
理由は、この範囲の組成が酸化物超電導体の特性を有す
るためである。また、本発明では、ターゲットの強度を
持たせるために、ターゲットの結晶粒にＹ2 ＢａＣｕＯ
5 相を分散する場合は、析出粒子径が１μｍ以下で、タ
ーゲットの結晶粒中に４０％以下含まれるのが望まし
い。
【０００８】ここで、上記ターゲットは、例えば、特開
平４−１１９９６８号公開公報に記載された方法により
得られる。この公報に開示された方法の一例を簡単に述
べれば、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体を生成す
るための原料粉あるいは通常の焼結法で作製した材料
を、部分的に液相を呈するように高温に加熱し、ついで
加熱された材料を冷却して凝固させ、凝固した材料を粉
砕し混合して組織を均一に分散させる。そして、この粉
砕混合粉所定の形状に成形し、この成形体を部分的に液
相を呈するように再加熱して超電導体を成長させること
によりターゲットとして使用可能なバルクを得ることが
できる（以下この方法をＭＰＭＧ法と称する）。
平４−１１９９６８号公開公報に記載された方法により
得られる。この公報に開示された方法の一例を簡単に述
べれば、Ｙ−Ｂａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超電導体を生成す
るための原料粉あるいは通常の焼結法で作製した材料
を、部分的に液相を呈するように高温に加熱し、ついで
加熱された材料を冷却して凝固させ、凝固した材料を粉
砕し混合して組織を均一に分散させる。そして、この粉
砕混合粉所定の形状に成形し、この成形体を部分的に液
相を呈するように再加熱して超電導体を成長させること
によりターゲットとして使用可能なバルクを得ることが
できる（以下この方法をＭＰＭＧ法と称する）。
【０００９】この方法によれば、得られるバルクとし
て、見掛密度９５％以上、結晶粒子径が１ｍｍ以上とす
ることができる。さらに、結晶粒中に粒径が１μｍ以下
のＹ2ＢａＣｕＯ5 相を４０％以下分散して含有させる
ことができる。そして、このようにして得られるバルク
の機械強度は、Ｙ2 ＢａＣｕＯ5 相を結晶粒中に分散さ
せているので、破壊靫性値Ｋｃで１．６−２．１ＭＰａ
ｍ1/2 の値とし、ビッカース硬度Ｈｖを７ＧＰａまたは
それ以上の値とすることができる。
て、見掛密度９５％以上、結晶粒子径が１ｍｍ以上とす
ることができる。さらに、結晶粒中に粒径が１μｍ以下
のＹ2ＢａＣｕＯ5 相を４０％以下分散して含有させる
ことができる。そして、このようにして得られるバルク
の機械強度は、Ｙ2 ＢａＣｕＯ5 相を結晶粒中に分散さ
せているので、破壊靫性値Ｋｃで１．６−２．１ＭＰａ
ｍ1/2 の値とし、ビッカース硬度Ｈｖを７ＧＰａまたは
それ以上の値とすることができる。
【００１０】また、引上げ法によれば、見掛け密度１０
０％の単結晶のターゲットを得ることができる。
０％の単結晶のターゲットを得ることができる。
【００１１】次にこれらのバルクをターゲットとしてパ
ルスレーザを照射し、飛散したターゲットの酸化物材料
を基板上に蒸着させる。照射するパルスレーザの種類
は、例えば、ＫｒＦエキシマ，ＡｒＦエキシマ，ＹＡＧ
レーザーで、好適な光量は３Ｊ／ｃｍ2 〜８Ｊ／ｃ
ｍ2 、好適なビーム径は0.5 ×0.5 mm〜4.0 ×4.0 mmで
ある。特に、ビーム径、およびその領域を結晶粒度より
も小さくすることにより、実質的に単結晶のバルク（タ
ーゲット）に対してビームを照射するのと同様の働きを
する。基板の材質は、例えばＭｇＯ、ＳｒＴｉＯ5 、Ｌ
ａＡｌＯ3 などである。基板に蒸着される薄膜の厚さ
は、通常５０nm〜１μｍが好適である。この薄膜は、そ
のままで、超電導体としての特性を有する。
ルスレーザを照射し、飛散したターゲットの酸化物材料
を基板上に蒸着させる。照射するパルスレーザの種類
は、例えば、ＫｒＦエキシマ，ＡｒＦエキシマ，ＹＡＧ
レーザーで、好適な光量は３Ｊ／ｃｍ2 〜８Ｊ／ｃ
ｍ2 、好適なビーム径は0.5 ×0.5 mm〜4.0 ×4.0 mmで
ある。特に、ビーム径、およびその領域を結晶粒度より
も小さくすることにより、実質的に単結晶のバルク（タ
ーゲット）に対してビームを照射するのと同様の働きを
する。基板の材質は、例えばＭｇＯ、ＳｒＴｉＯ5 、Ｌ
ａＡｌＯ3 などである。基板に蒸着される薄膜の厚さ
は、通常５０nm〜１μｍが好適である。この薄膜は、そ
のままで、超電導体としての特性を有する。
【００１２】
実施例１ ＭＰＭＧ法で作製したターゲット（Ｙ１±αＢａ２±β
Ｃｕ３±γＯ7-δ、６０ｍｏｌ％＋Ｙ2 ＢａＣｕＯ5 、
４０ｍｏｌ％；α＝0.05、β＝0.1 、γ＝0.05、δ＝0.
05、見掛密度95％、最小結晶粒径１mm、結晶粒中に粒径
１μｍ以下のＹ2 ＢａＣｕＯ5 相が４０％分散してい
る）に５Ｊ／ｃｍ2 の光量、ビーム径１×２mmのＫｒ−
Ｆエキシマレーザ（λ＝２４８ｎｍ）を５Ｈｚ程度の割
合で照射して、ＭｇＯ（１００）基板上に膜厚２００ｎ
ｍの薄膜を作製した。酸素圧力は４０Ｐａ、基板温度は
７５０℃とした。比較のため、ホットプレス法で作製し
た従来ターゲットを用いて同一条件で薄膜を作製した。
実施例の薄膜と比較例の薄膜とを光学顕微鏡により表面
を観測すると、実施例の薄膜のパーティクルの数は、従
来の薄膜に比べ、１桁以上少ない１０4 個／ｍｍ2 とな
っていた。また、この実施例により得られた薄膜の固有
抵抗および臨界電流密度の温度依存性を調べ、その結果
を図１および図２に示す。これらの結果から、この実施
例の薄膜は、良好な表面状態をもち、充分の超電導特性
が実現していることがわかる。
Ｃｕ３±γＯ7-δ、６０ｍｏｌ％＋Ｙ2 ＢａＣｕＯ5 、
４０ｍｏｌ％；α＝0.05、β＝0.1 、γ＝0.05、δ＝0.
05、見掛密度95％、最小結晶粒径１mm、結晶粒中に粒径
１μｍ以下のＹ2 ＢａＣｕＯ5 相が４０％分散してい
る）に５Ｊ／ｃｍ2 の光量、ビーム径１×２mmのＫｒ−
Ｆエキシマレーザ（λ＝２４８ｎｍ）を５Ｈｚ程度の割
合で照射して、ＭｇＯ（１００）基板上に膜厚２００ｎ
ｍの薄膜を作製した。酸素圧力は４０Ｐａ、基板温度は
７５０℃とした。比較のため、ホットプレス法で作製し
た従来ターゲットを用いて同一条件で薄膜を作製した。
実施例の薄膜と比較例の薄膜とを光学顕微鏡により表面
を観測すると、実施例の薄膜のパーティクルの数は、従
来の薄膜に比べ、１桁以上少ない１０4 個／ｍｍ2 とな
っていた。また、この実施例により得られた薄膜の固有
抵抗および臨界電流密度の温度依存性を調べ、その結果
を図１および図２に示す。これらの結果から、この実施
例の薄膜は、良好な表面状態をもち、充分の超電導特性
が実現していることがわかる。
【００１３】実施例２ ＭＰＭＧ法で作製したターゲット（Ｙ１±αＢａ２±β
Ｃｕ３±γＯ7-δ；α＝0.05、β＝0.1 、γ＝0.05、δ
＝0.05、見掛密度９５％、最小結晶粒径１ｍｍ、結晶粒
中に平均粒径１μｍのＹ2 ＢａＣｕＯ5 相が４０％分散
している）を用いて、実施例１と同様の条件で薄膜を作
成した。光学顕微鏡により表面を観測すると、従来のタ
ーゲットを用いて作製した薄膜に比べ、パーティクルの
数は１桁以上少なくなっている。但し、ｃ軸配向領域に
加えて、ａｂ軸配向領域の成長が１部観測された。ま
た、本発明により得られた薄膜の固有抵抗および臨界電
流密度の温度依存性は実施例１と同程度であり、いずれ
の特性も充分の超電導特性を示していることがわかっ
た。
Ｃｕ３±γＯ7-δ；α＝0.05、β＝0.1 、γ＝0.05、δ
＝0.05、見掛密度９５％、最小結晶粒径１ｍｍ、結晶粒
中に平均粒径１μｍのＹ2 ＢａＣｕＯ5 相が４０％分散
している）を用いて、実施例１と同様の条件で薄膜を作
成した。光学顕微鏡により表面を観測すると、従来のタ
ーゲットを用いて作製した薄膜に比べ、パーティクルの
数は１桁以上少なくなっている。但し、ｃ軸配向領域に
加えて、ａｂ軸配向領域の成長が１部観測された。ま
た、本発明により得られた薄膜の固有抵抗および臨界電
流密度の温度依存性は実施例１と同程度であり、いずれ
の特性も充分の超電導特性を示していることがわかっ
た。
【００１４】実施例３ 次に、ターゲットの組成（原子比）、結晶粒径、見掛け
密度を変えて、基板上に薄膜を形成した。そして、えら
れた薄膜のＴｃ及びパーティクル数を測定した。その結
果を表１に示す。また、比較のため、本発明の範囲から
外れるものについても同様の実験を行い、その結果を比
較例、従来例として表１に併記する。なお、成膜条件
は、レーザ波長２４８ｎｍ、出力５Ｊ／ｃｍ２、ビーム
径1.0 mm×1.0 mm、領域 5mm× 5mmと、ビーム径1.5 mm
×2.5 mm、領域50mm×50mmである。実施例3-2 ，3-6
は、結晶粒径が５mmであるのに対して、ビーム径1.0 mm
×1.0mm、領域 5mm× 5mmであるので、照射時にターゲ
ットが実質的に単結晶として働く。
密度を変えて、基板上に薄膜を形成した。そして、えら
れた薄膜のＴｃ及びパーティクル数を測定した。その結
果を表１に示す。また、比較のため、本発明の範囲から
外れるものについても同様の実験を行い、その結果を比
較例、従来例として表１に併記する。なお、成膜条件
は、レーザ波長２４８ｎｍ、出力５Ｊ／ｃｍ２、ビーム
径1.0 mm×1.0 mm、領域 5mm× 5mmと、ビーム径1.5 mm
×2.5 mm、領域50mm×50mmである。実施例3-2 ，3-6
は、結晶粒径が５mmであるのに対して、ビーム径1.0 mm
×1.0mm、領域 5mm× 5mmであるので、照射時にターゲ
ットが実質的に単結晶として働く。
【００１５】表１から、見掛け密度を９５％以上とする
ことにより、特に、結晶粒子径を１ｍｍ以上とすること
により、パーティクル数を少なくするできる。さらに、
結晶粒子径をビーム径よりも格段に大きくすることによ
り、実質的に単結晶にビームを照射するようにしたこと
により、パーティクル数を顕著に少なくすることができ
る。
ことにより、特に、結晶粒子径を１ｍｍ以上とすること
により、パーティクル数を少なくするできる。さらに、
結晶粒子径をビーム径よりも格段に大きくすることによ
り、実質的に単結晶にビームを照射するようにしたこと
により、パーティクル数を顕著に少なくすることができ
る。
【００１６】実施例４ 引上げ法で作製されたＹ１±αＢａ２±βＣｕ３±γＯ
7-δ単結晶（α＝0.05、β＝0.1 、γ＝0.05、δ＝0.0
5、見掛密度１００％）をターゲットとし、５Ｊ／ｃｍ
2 の光量のビーム径１×２mmのＫｒ−Ｆエキシマレーザ
（λ＝２４８ｎｍ）を１０Ｈｚ程度の速度で照射して、
ＭｇＯ（１００）基板上に膜厚２０ｎｍの薄膜を作製し
た。酸素圧力は２０Ｐａ、基板温度は７５０℃とした。
光学顕微鏡により表面を観測すると、従来のターゲット
を用いて作製した薄膜膜に比べ、パーティクルの数は１
桁以上少なくなっている。また、実施例３で得られた薄
膜の固有抵抗および臨界電流密度の温度依存性は実施例
１と同程度であり、いずれの特性も良好な表面状態をも
つ薄膜で充分の超電導特性を示していることがわかっ
た。
7-δ単結晶（α＝0.05、β＝0.1 、γ＝0.05、δ＝0.0
5、見掛密度１００％）をターゲットとし、５Ｊ／ｃｍ
2 の光量のビーム径１×２mmのＫｒ−Ｆエキシマレーザ
（λ＝２４８ｎｍ）を１０Ｈｚ程度の速度で照射して、
ＭｇＯ（１００）基板上に膜厚２０ｎｍの薄膜を作製し
た。酸素圧力は２０Ｐａ、基板温度は７５０℃とした。
光学顕微鏡により表面を観測すると、従来のターゲット
を用いて作製した薄膜膜に比べ、パーティクルの数は１
桁以上少なくなっている。また、実施例３で得られた薄
膜の固有抵抗および臨界電流密度の温度依存性は実施例
１と同程度であり、いずれの特性も良好な表面状態をも
つ薄膜で充分の超電導特性を示していることがわかっ
た。
【００１７】
【発明の効果】本発明のパルスレーザ堆積法による酸化
物薄膜作製方法によれば、見掛け密度が高く、また好ま
しくはレーザのビーム径に対して実質的に単結晶として
働き得る結晶粒度のターゲットを使用することにより、
さらに単結晶のターゲットを使用することにより、表面
にパーティクルを持たないきれいな薄膜を作成すること
ができ、もって積層型のトンネル接合、多層膜等を簡便
に実現することができる。
物薄膜作製方法によれば、見掛け密度が高く、また好ま
しくはレーザのビーム径に対して実質的に単結晶として
働き得る結晶粒度のターゲットを使用することにより、
さらに単結晶のターゲットを使用することにより、表面
にパーティクルを持たないきれいな薄膜を作成すること
ができ、もって積層型のトンネル接合、多層膜等を簡便
に実現することができる。
【００１８】
【表１】
【図１】実施例１の方法で得られた薄膜の固有抵抗の温
度依存性を示す図。
度依存性を示す図。
【図２】実施例１の方法で得られた薄膜の臨界電流密度
Ｊｃの温度依存性を示す図。
Ｊｃの温度依存性を示す図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 39/24 ＺＡＡ Ｂ 9276−4Ｍ // Ｈ０１Ｂ 12/06 ＺＡＡ 7244−5Ｇ (72)発明者 藤野 修一 東京都江東区東雲一丁目14番３号 財団法 人国際超電導産業技術研究センター内 (72)発明者 田中 昭二 東京都江東区東雲一丁目14番３号 財団法 人国際超電導産業技術研究センター内 (72)発明者 榎本 陽一 東京都江東区東雲一丁目14番３号 財団法 人国際超電導産業技術研究センター内
Claims (12)
- 【請求項１】 アモルファス粉末の成形体を部分溶融し
た後徐冷して得られた見掛け密度９５％以上の実質的に
Ｙ１±αＢａ２±βＣｕ３±γＯ7-δ（α≦0.8 、β≦
0.4 、γ≦0.4 、−２≦δ≦１）の組成を有するターゲ
ットを用意する工程と、このターゲットにパルスレーザ
を照射して基板上に実質的にＹ１±αＢａ２±βＣｕ
３±γＯ7-δ（α≦0.8 、β≦0.4 、γ≦0.4 、−２≦
δ≦１）の組成を有する薄膜を作製する工程とを備えた
酸化物超電導体薄膜の作製方法。 - 【請求項２】 ターゲットは、結晶粒子径が少なくとも
１ｍｍ以上である請求項１に記載の酸化物超電導体薄膜
の作製方法。 - 【請求項３】 ターゲットは、パルスレーザのビーム径
に関して実質的に単結晶である請求項１又は２に記載の
酸化物超電導体薄膜の作製方法。 - 【請求項４】 ターゲットの結晶粒は、Ｙ2 ＢａＣｕＯ
5 相を析出分散し、その析出粒子径が１μｍ以下で、タ
ーゲットの結晶粒中に４０％以下含まれている請求項１
乃至３のいずれかに記載の酸化物超電導体薄膜の作製方
法。 - 【請求項５】 アモルファス粉末の成形体を部分溶融し
た後徐冷して得られた見掛け密度９５％以上の実質的に
Ｙ１±αＢａ２±βＣｕ３±γＯ7-δ（α≦0.8 、β≦
0.4 、γ≦0.4 、−２≦δ≦１）の組成を有する酸化物
超電導体薄膜作製用ターゲット。 - 【請求項６】 ターゲットは、結晶粒子径が少なくとも
１ｍｍ以上である請求項５に記載の酸化物超電導体薄膜
の作製方法。 - 【請求項７】 ターゲットは、パルスレーザのビーム径
に関して実質的に単結晶である請求項５又は６に記載の
酸化物超電導体薄膜の作製方法。 - 【請求項８】 ターゲットの結晶粒は、Ｙ2 ＢａＣｕＯ
5 相を分散し、その析出粒子径が１μｍ以下で、ターゲ
ットの結晶粒中に４０％以下含まれる請求項５乃至７の
いずれかに記載の酸化物超電導体薄膜の作製方法。 - 【請求項９】 Ｙ１±αＢａ２±βＣｕ３±γＯ
7-δ（α≦0.8 、β≦0.4、γ≦0.4 、−２≦δ≦１）
の組成を有する単結晶ターゲットを用意する工程と、こ
のターゲットにパルスレーザを照射して基板上に実質的
にＹ１±αＢａ２± βＣｕ３±γＯ7-δ（α≦0.8 、β
≦0.4 、γ≦0.4 、−２≦δ≦１）の組成を有する薄膜
を作製する工程とを備えた酸化物超電導体薄膜の作製方
法。 - 【請求項１０】 ターゲットは、結晶中に分散析出相を
含んでいない請求項９に記載の酸化物超電導体薄膜の作
製方法。 - 【請求項１１】 Ｙ１±αＢａ２±βＣｕ３±γＯ7-δ
（α≦0.8 、β≦0.4 、γ≦0.4 、−２≦δ≦１）の組
成を有する単結晶の酸化物超電導体薄膜作製用ターゲッ
ト。 - 【請求項１２】 ターゲットは、結晶中に析出分散粒子
を含んでいない請求項１１に記載の酸化物超電導体薄膜
の作製方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5090201A JP2815280B2 (ja) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | 酸化物超電導体薄膜の作製方法およびその方法に使用するターゲット |
| US08/227,004 US5413988A (en) | 1993-04-16 | 1994-04-13 | Method for manufacturing an oxide superconductor thin film and a target for use in the method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5090201A JP2815280B2 (ja) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | 酸化物超電導体薄膜の作製方法およびその方法に使用するターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06305891A true JPH06305891A (ja) | 1994-11-01 |
| JP2815280B2 JP2815280B2 (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=13991880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5090201A Expired - Fee Related JP2815280B2 (ja) | 1993-04-16 | 1993-04-16 | 酸化物超電導体薄膜の作製方法およびその方法に使用するターゲット |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5413988A (ja) |
| JP (1) | JP2815280B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6690957B2 (en) | 2001-10-12 | 2004-02-10 | Fujitsu Limited | High temperature superconductor film, method for forming the same and superconductor element |
| WO2007026530A1 (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-08 | Dowa Mining Co., Ltd. | レーザーアブレージョン用ターゲットおよびその製造方法 |
| EP2096091A2 (en) | 2008-02-27 | 2009-09-02 | Fujikura, Ltd. | Oxide superconductive target for laser vapor deposition and method of manufacturing the same |
| JP2013136815A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-11 | Fujikura Ltd | レーザーアブレーション用ターゲットとそれを用いた酸化物超電導線材の製造方法および酸化物超電導線材 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3188358B2 (ja) * | 1994-03-25 | 2001-07-16 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | 酸化物超電導体薄膜の製造方法 |
| JPH09100193A (ja) * | 1995-10-06 | 1997-04-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 酸化物結晶の作製方法 |
| JP4240423B2 (ja) * | 1998-04-24 | 2009-03-18 | 中部キレスト株式会社 | 金属酸化物薄膜形成用ターゲット材およびその製造方法、並びに該ターゲット材を使用した金属酸化物薄膜の形成法 |
| JP2009029940A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Fujifilm Corp | 有機無機複合組成物とその成形体および光学部品 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0377073A3 (en) * | 1988-12-07 | 1990-11-07 | Mitsubishi Materials Corporation | Sputtering target used for forming quinary superconductive oxide |
| JPH0751463B2 (ja) * | 1989-11-02 | 1995-06-05 | 財団法人国際超電導産業技術研究センター | 酸化物超電導体の製造方法 |
-
1993
- 1993-04-16 JP JP5090201A patent/JP2815280B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-04-13 US US08/227,004 patent/US5413988A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6690957B2 (en) | 2001-10-12 | 2004-02-10 | Fujitsu Limited | High temperature superconductor film, method for forming the same and superconductor element |
| WO2007026530A1 (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-08 | Dowa Mining Co., Ltd. | レーザーアブレージョン用ターゲットおよびその製造方法 |
| JP2007063631A (ja) * | 2005-08-31 | 2007-03-15 | Dowa Holdings Co Ltd | レーザーアブレージョン用ターゲットおよびその製造方法 |
| EP2096091A2 (en) | 2008-02-27 | 2009-09-02 | Fujikura, Ltd. | Oxide superconductive target for laser vapor deposition and method of manufacturing the same |
| JP2013136815A (ja) * | 2011-12-28 | 2013-07-11 | Fujikura Ltd | レーザーアブレーション用ターゲットとそれを用いた酸化物超電導線材の製造方法および酸化物超電導線材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2815280B2 (ja) | 1998-10-27 |
| US5413988A (en) | 1995-05-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6599346B2 (en) | Biaxially textured articles formed by powder metallurgy | |
| KR100418279B1 (ko) | 2축 배향조직을 가진 제품 및 그의 제조방법 | |
| JPH06305891A (ja) | 酸化物超電導体薄膜の作製方法およびその方法に使用するターゲット | |
| US6605569B2 (en) | Mg-doped high-temperature superconductor having low superconducting anisotropy and method for producing the superconductor | |
| DE3854493T2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Dünnschichtsupraleiters. | |
| DE68925239T2 (de) | Dünne Supraleiterschicht und Verfahren zu ihrer Abscheidung | |
| JP4809700B2 (ja) | Ｙｂｃｏ系高温超電導体成膜用基材およびｙｂｃｏ系高温超電導体膜の作製方法 | |
| JP2006176396A (ja) | Ｂｉ系酸化物超伝導体用の前駆材料および該材料を調製する方法 | |
| US5104850A (en) | Preparation of high temperature superconducting coated wires by dipping and post annealing | |
| JPH02252618A (ja) | Ｂｉ系超電導薄膜の製造方法 | |
| JP2567416B2 (ja) | 超電導薄膜の作製方法 | |
| JPH03275504A (ja) | 酸化物超伝導体薄膜およびその製造方法 | |
| JP2557446B2 (ja) | 複合酸化物系超電導薄膜の製造方法 | |
| JP2545423B2 (ja) | 複合酸化物超電導薄膜とその作製方法 | |
| US5206212A (en) | Fabrication of superconducting oxide films by laser ablation | |
| JP3122765B2 (ja) | 酸化物超電導体厚膜テープ材料の製造方法 | |
| JP2953776B2 (ja) | 酸化物超電導体薄膜の製造方法 | |
| JP2525842B2 (ja) | 超電導線材とその製造方法 | |
| JP2765138B2 (ja) | 高品質酸化物超電導薄膜の作製方法 | |
| JPH05254834A (ja) | 酸化物超電導体及びその製造方法 | |
| JPH042181A (ja) | 薄膜超電導体およびその製造方法 | |
| Su et al. | The effect of starting material composition on the growth of Bi-based ribbon-like thin films | |
| JPH0437609A (ja) | 酸化物超伝導薄膜およびその製造方法 | |
| JPH08245297A (ja) | 酸化物超電導体 | |
| JPH03265523A (ja) | ビスマス系酸化物超電導体およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080814 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090814 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090814 Year of fee payment: 11 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090814 Year of fee payment: 11 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090814 Year of fee payment: 11 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090814 Year of fee payment: 11 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090814 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100814 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |