JPH06294953A - 液晶デバイスの製造方法 - Google Patents

液晶デバイスの製造方法

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JPH06294953A
JPH06294953A JP5080634A JP8063493A JPH06294953A JP H06294953 A JPH06294953 A JP H06294953A JP 5080634 A JP5080634 A JP 5080634A JP 8063493 A JP8063493 A JP 8063493A JP H06294953 A JPH06294953 A JP H06294953A
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JP
Japan
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liquid crystal
crystal device
diffusing
control layer
active
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JP5080634A
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English (en)
Inventor
Noburu Fujisawa
宣 藤沢
Hiroshi Ogawa
洋 小川
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DIC Corp
Original Assignee
Dainippon Ink and Chemicals Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 電極層を有する少なくとも一方が透明な2枚
の基板間に、液晶材料、光重合性組成物を含有する調光
層形成材料を介在させた後、活性光線を照射して前記光
重合性組成物を重合させることにより、液晶材料と透明
性高分子物質から成る調光層を形成してなる液晶デバイ
スの製造方法において、活性光線を拡散させる手段を介
して前記光重合性組成物に活性光線を照射する液晶デバ
イスの製造方法。 【効果】 本発明の製造方法によれば、セル基板表面に
アクティブ素子及びブラックマトリクスなどの活性光線
を遮蔽するものであっても照射する活性光線を従来に比
べて有効に利用することができるので、均一な三次元網
目状構造の透明性高分子物質を形成することができ、こ
れによりコントラストが高く、優れた液晶デバイスを得
ることが可能である。また、従来の照射光源装置を簡単
な改良で利用できるので、製造コストの面でも有用であ
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、大面積になし得る液晶
デバイスの製造方法に関し、更に詳しくは、視野の遮
断、開放及び明かりもしくは照明光の透過制限、遮断、
透過を電気的に操作し得るものであって、建物の窓やシ
ョーウインドウなどで視野遮断のスクリーンや、採光コ
ントロールのカーテンに利用されると共に、文字や図形
を表示し、高速応答性を以って電気的に表示を切り換え
ることによって、OA機器のディスプレイやプロジェク
ション用デバイス等のハイインフォーメーション表示体
や広告板、案内板、装飾表示板等として利用される液晶
デバイスの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶デバイスの実用化に要求される重要
な特性である低電圧駆動特性、高コントラスト、時分割
駆動を可能にするために、特開平1−198725号公
報及び特開平2−85822号公報には、液晶材料が連
続層を形成し、この連続層中に、三次元網目状の高分子
物質を形成して成る調光層を有する液晶デバイスが開示
されている。
【0003】このような液晶デバイスは、電極層を有す
る透明な2枚の基板間に、液晶材料、光重合性組成物及
び光重合開始剤を含有する調光層形成材料を介在させ、
調光層形成材料を等方性液体状態に保持した状態におい
て光を照射し、前記光重合性組成物を重合させることに
よって、前述のような液晶材料と透明性高分子物質から
成る調光層を有する液晶デバイスを製造することができ
るものであり、通常、活性光線を照射する場合、調光層
形成材料を介在させた基板を非反射体上に配置してい
た。
【0004】また、特開平3−91718号公報には、
基板の両面に照射装置を設置して光を照射する方法が開
示されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
方法では拡散光を照射していないため照射強度分布があ
り基板面方向において均一な三次元網目状構造を形成す
ることは困難であり、特性的にも好ましいとはいえない
場合があった。
【0006】また、例えば、アクティブ駆動用パネルに
おいては、基板上にアクティブ素子やブラックマトリク
ス等が形成されている場合、活性光線を照射しても光線
が遮られ、前記重合性組成物の重合が不十分となり、均
一な三次元網目状構造又は、均一な液滴分散構造を形成
することは困難な問題となっていた。
【0007】それらの問題を解決する方法としては、例
えば、前述の如く基板の両面から活性光線を照射する方
法が開示されているが、2台の照射装置を必要とするた
め、装置が大型であり、しかも高価なものとなり問題点
を有していた。又、調光層形成材料を介在させた基板
を、活性光線を反射可能な反射面上に配置して、活性光
線を照射する方法も特願平4−205082号として出
願しているが、アクティブ駆動用パネル基板上にアクテ
ィブ素子やブラックマトリクス等が形成されている場合
は活性光線が効果的に照射されない部分が多く残ってい
た。
【0008】本発明が解決しようとする課題は、活性光
線を有効に利用でき、調光層中に均一な三次元網目状構
造、又は、均一な液滴分散構造を有する透明性高分子物
質を形成し、更には、ブラックマトリクス等の活性光線
を遮蔽する部分も効率的に活性光線を照射することがで
きる液晶デバイスの製造方法を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決するために鋭意検討した結果、本発明を完成する
に至った。
【0010】即ち、本発明は上記課題を解決するため
に、電極層を有する少なくとも一方が透明な2枚の基板
間に、液晶材料、光重合性組成物を含有する調光層形成
材料を介在させた後、活性光線を照射して前記光重合性
組成物を重合させることにより、液晶材料と透明性高分
子物質から成る調光層を形成してなる液晶デバイスの製
造方法において、活性光線を拡散させる手段を介して前
記光重合性組成物に活性光線を照射することを特徴とす
る液晶デバイスの製造方法を提供する。
【0011】本発明の製造方法によれば、拡散手段によ
って活性光線照射強度分布が均一化され反射手段により
反射光も有効に利用することができるので、均一な三次
元網目状構造又は液晶適分散構造を効率良く形成するこ
とができる。一般に用いられている凹面鏡反射板付き光
源による活性光線照射方法では、アクティブ駆動用パネ
ル基板上にアクティブ素子やブラックマトリクス等が形
成されており活性光線を遮蔽する部分が発生するが、本
発明の製造方法では、拡散光を照射するため、この遮蔽
部分が大幅に減少させることが可能になり、十分な活性
光線照射強度で光重合性組成物を重合させることができ
る。
【0012】本発明で使用する基板は、堅固な材料、例
えば、ガラス、金属等であってもよく、柔軟性を有する
材料、例えば、プラスチックフィルムの如きものであっ
ても良い。そして、基板は2枚が対向して適当な間隔を
隔て得るものであり、2枚の基板は透明性を有し、その
2枚の間に挟持される液晶層及び透明性高分子物質を有
する層から成る調光層を外界から視覚させるものでなけ
ればならない。
【0013】この基板には、目的に応じて透明、不透明
の適宜な電極が、その全面又は部分的に配置される。
【0014】尚、2枚の基板間には、液晶材料及び透明
性高分子物質から成る調光層が介在されるが、この2枚
の基板間には、通常、周知の液晶デバイスと同様、間隔
保持用のスペーサーを介在させることもできる。
【0015】スペーサーとしては、例えば、マイラー、
アルミナ、ポリマービーズ等種々の液晶セル用のものを
用いることができる。
【0016】本発明で使用する液晶材料は、単一の液晶
化合物であることを要しないのは勿論であり、2種以上
の液晶化合物や液晶化合物以外の物質を含んだ混合物で
あってもよく、通常この技術分野で液晶材料として認識
されるものであればよく、そのうちの正の誘電率異方性
を有するものが好ましい。用いる液晶としては、ネマチ
ック液晶、スメクチック液晶、コレステリック液晶が好
ましく、ネマチック液晶が特に好ましい。その性能を改
善するために、コレステリック液晶、キラルネマチック
液晶、キラルスメクチック液晶やキラル化合物や2色性
色素等が適宜含まれていてもよい。
【0017】本発明で使用する液晶材料は、以下に示し
た化合物群から選ばれる1種以上の化合物から成る配合
組成物が好ましく、液晶材料の特性、即ち、等方性液体
と液晶の相転移温度、融点、粘度、屈折率異方性(Δ
n)、誘電率異方性(Δε)、及び重合性組成物との溶
解性等を考慮して、適宜選択、配合して用いることがで
きる。
【0018】液晶材料としては、例えば、4−置換安息
香酸4′−置換フェニルエステル、4−置換シクロヘキ
サンカルボン酸4′−置換フェニルエステル、4−置換
シクロヘキサンカルボン酸4′−置換ビフェニルエステ
ル、4−(4−置換シクロヘキサンカルボニルオキシ)
安息香酸4′−置換フェニルエステル、4−(4−置換
シクロヘキシル)安息香酸4′−置換フェニルエステ
ル、4−(4−置換シクロヘキシル)安息香酸4′−置
換シクロヘキシルエステル、4−置換4′−置換ビフェ
ニル、4−置換フェニル4′−置換シクロヘキサン、4
−置換4″−置換ターフェニル、4−置換ビフェニル
4′−置換シクロヘキサン、2−(4−置換フェニル)
−5−置換ピリミジンなどを挙げることができる。
【0019】調光層形成材料中の液晶材料、重合性組成
物の含有量は、重量比で60:40〜95:5の範囲が
好ましく、75:25〜85:15の範囲が特に好まし
い。これは液晶材料が多すぎたり少なすぎる場合、液晶
材料と透明性高分子物質の分散状態が均一にならないの
で、光散乱による調光機能が発現しなくなり、好ましく
ない。
【0020】前記調光層中に形成される透明性高分子物
質は、ポリマー中に液晶材料が液滴状となって分散する
ものでもよいが、三次元網目状構造を有するものがより
好ましい。
【0021】この透明性高分子物質の三次元網目状部分
には、液晶材料が充填され、且つ、液晶材料が連続層を
形成することが好ましく、液晶材料の無秩序な状態を形
成することにより、光学的境界面を形成し、光の散乱を
発現させる上で必須である。
【0022】調光層形成材料を2枚の基板間に介在させ
るには、調光層形成材料を基板間に注入しても良いが、
これに限らず、一方の基板に適当な溶液塗布機やスピン
コーター等を用いて均一に塗布し、次いで他方の基板を
重ね合わせて圧着させてもよい。
【0023】また、一方の基板上に調光層形成材料を均
一な厚さに塗布し、光重合性組成物を重合し、硬化させ
た調光層を形成した後、他方の基板を貼り合わせる液晶
デバイスの製造方法も有効である。
【0024】本発明の透明性高分子物質としては、光硬
化性の合成樹脂が好適である。三次元網目状構造を与え
るものとしては、高分子形成性モノマー若しくはオリゴ
マーを重合させて得られる光硬化型樹脂が好ましい。
【0025】基板間に形成される透明性高分子物質が三
次元網目状構造を形成する方法としては、セル中に封入
された調光層形成材料を等方性液体状態に保持しながら
活性光線を照射し、光重合性組成物を重合させる方法が
挙げられる。
【0026】透明性高分子物質を形成する高分子形成性
モノマーとしては、例えば、スチレン、クロロスチレ
ン、α−メチルスチレン、ジビニルベンゼン:置換基と
しては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、アミル、
2−エチルヘキシル、オクチル、ノニル、ドデシル、ヘ
キサデシル、オクタデシル、シクロヘキシル、ベンジ
ル、メトキシエチル、ブトキシエチル、フェノキシエチ
ル、アルリル、メタリル、グリシジル、2−ヒドロキシ
エチル、2−ヒドロキシプロピル、3−クロロ−2−ヒ
ドロキシプロピル、ジメチルアミノエチル、ジエチルア
ミノエチル等のごとき基を有するアクリレート、メタク
リレート又はフマレート;エチレングリコール、ポリエ
チレングリコール、プロピレングリコール、ポリプロピ
レングリコール、1,3−ブチレングリコール、テトラ
メチレングリコール、ヘキサメチレングリコール、ネオ
ペンチルグリコール、トリメチロールプロパン、グリセ
リン及びペンタエリスリトール等のモノ(メタ)アクリ
レート又はポリ(メタ)アクリレート;酢酸ビニル、酪
酸ビニル又は安息香酸ビニル、アクリロニトリル、セチ
ルビニルエーテル、リモネン、シクロヘキセン、ジアリ
ルフタレート、ジアリルイソフタレート、2−、3−又
は4−ビニルピリジン、アクリル酸、メタクリル酸、ア
クリルアミド、メタクリルアミド、N−ヒドロキシメチ
ルアクリルアミド又はN−ヒドロキシエチルメタクリル
アミド及びそれらのアルキルエーテル化合物、トリメチ
ロールプロパン、1モルに3モル以上のエチレンオキサ
イド若しくはプロピレンオキサイドを付加して得たトリ
オールのジ又はトリ(メタ)アクリレート、ネオペンチ
ルグリコール1モルに2モル以上のエチレンオキサイド
若しくはプロピレンオキサイドを付加して得たジオール
のジ(メタ)アクリレート、2−ヒドロキシエチル(メ
タ)アクリレート1モルとフェニルイソシアネート若し
くはn−ブチルイソシアネート1モルとの反応生成物、
ジペンタエリスリトールのポリ(メタ)アクリレート、
トリス−(ヒドロキシエチル)−イソシアヌル酸のポリ
(メタ)アクリレート、トリス−(ヒドロキシエチル)
−リン酸のポリ(メタ)アクリレート、ジ−(ヒドロキ
シエチル)−ジシクロペンタジエンのモノ(メタ)アク
リレート又はジ(メタ)アクリレート、ピバリン酸ネオ
ペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、カプロラ
クトン変性ヒドロキシピバリン酸ネオペンチルグリコー
ルジ(メタ)アクリレート、直鎖脂肪族ジ(メタ)アク
リレート、ポリオレフィン変性ネオペンチルグリコール
ジ(メタ)アクリレート等を挙げることができる。
【0027】高分子形成性オリゴマーとしては、例え
ば、エポキシ(メタ)アクリレート、ポリエステル(メ
タ)アクリレート、ポリウレタン(メタ)アクリレー
ト、ポリエーテル(メタ)アクリレート等を用いること
ができる。
【0028】重合開始剤としては、例えば、2−ヒドロ
キシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン
(メルク社製「ダロキュア1173」)、1−ヒドロキ
シシクロヘキシルフェニルケトン(チバ・ガイギー社製
「イルガキュア184」)、1−(4−イソプロピルフ
ェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチルプロパン−1−
オン(メルク社製「ダロキュア1116」)、ベンジル
ジメチルケタール(チバ・ガイギー社製「イルガキュア
651」)、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フ
ェニル]−2−モルホリノプロパノン−1(チバ・ガイ
ギー社製「イルガキュア907」)、2,4−ジエチル
チオキサントン(日本化薬社製「カヤキュアDET
X」)とp−ジメチルアミノ安息香酸エチル(日本化薬
社製「カヤキュアEPA」)との混合物、イソプロピル
チオキサントン(ワードプレキンソップ社製「カンタキ
ュアITX」)とp−ジメチルアミノ安息香酸エチルと
の混合物等が挙げられる。
【0029】活性光線としては紫外線、可視光線、電子
線、レザー光線等を用いることができるが、汎用性の点
からは特に紫外線が好ましく、例えば、高圧水銀ラン
プ、超高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、キセノ
ンランプ等の装置を用いることができる。
【0030】活性光線照射光の拡散手段としては、活性
光線を拡散する拡散板であれば特に制限されることなく
用いることができ、拡散手段の設置場所は、光源と調光
層形成材料を介在させた基板との間が好ましく、この拡
散手段により拡散光源を形成することが可能であれば良
く、完全拡散面光源であればより好ましい。例えば、紫
外線、可視光線等の活性光線を拡散するオパールガラス
や活性光線透過性基板の表面が凹凸であり活性光線を拡
散させる拡散板が挙げられる。反射手段は、反射率が一
定の拡散面であれば良く反射面が凹凸であっても良い。
反射手段が完全拡散反射面であればより好ましい。例え
ば、酸化カルシウムや酸化マグネシウムを塗布した反射
板が挙げられる。又、必要に応じて反射板の表面が鏡面
であってもよい。
【0031】反射手段は拡散された活性光線を効率良く
反射して照射強度を高めることや、照射強度分布を均一
にすることを目的として、必要に応じて使用する。更
に、この反射手段は活性光線発生源の反射用、又は集光
用に使用しても良い。設置場所は、被照射基板の設置場
所を中心に活性光線発生源と反対側に設置しても良い。
また、被照射基板にブラックマトリクス等の活性光線を
遮蔽するものが部分的に存在する場合、活性光線を斜方
より入射させて活性光線遮蔽部分の面積を減少させるた
めに、上記反射板を設けても良い。活性光線を斜方より
入射させる方法として、例えば、光線を拡散可能な塗料
を塗布した積分球内壁を反射面として用いる方法や、照
射面裏面側に上記反射板を設置する方法、照射面や照射
裏面の側面に上記反射板を設置して斜方入射させる方法
等が挙げられる。積分球は、半球または球状のものを必
要に応じて使用することができる。
【0032】表面が鏡面の反射板を使用する場合は活性
光線を拡散させる手段と組み合わせて使用することがよ
り好ましい。
【0033】本発明で得られる液晶デバイスの調光層の
厚みは、5〜50μmの範囲が好ましく、8〜25μm
の範囲が特に好ましい。
【0034】
【実施例】以下、本発明の実施例を示し、本発明を更に
具体的に説明する。しかしながら、本発明はこれらの実
施例に限定されるものではない。
【0035】以下の実施例において、「%」は『重量
%』を表わす。また、評価特性の各々は以下の記号及び
内容を意味する。又、電気光学特性の測定に於いてはf
4.5のレンズを使用した。
【0036】(1)T0:白濁度;印加電圧0の時の光
透過率(%) (2)T100:透明度;印加電圧を増加さていき、光透
過率がほとんど増加しなくなった時の光透過率(%) (3)V10:しきい値電圧;T0を0%、T100を100
%としたとき光透過率が10%となる印加電圧
(Vrms) (4)V90:飽和電圧;同上光透過率が90%となる印
加電圧(Vrms) (5)CR:コントラスト=T100/T0 (6)γ:急峻性=V90/V10
【0037】(実施例1)使用するセルは、一方の基板
が、Cd−Se半導体による薄膜トランジスタ(TF
T)のアクティブ素子と接続されたITO画素電極とブ
ラックマトリックス付きの基板で構成されている。(開
口率60%)また、共通電極はITO電極を形成した透
明基板を使用した。スペーサーとして10ミクロンの
「ミクロパールSP210」(積水ファインケミカル社
製ポリマービーズ)を共通電極側に散布し、他方の基板
の周縁部分に「DSA−001」(ロディック社製シー
ル剤)を塗布し、この2枚の基板を貼り合わせて焼成硬
化し、10cm×10cm角、セル厚10.2μmの空セル
を作製した。
【0038】次に、液晶材料として「PN−008」
(ロディック社製)82%、光重合性組成物として「カ
ヤラッド(KAYARAD)−HX−220」(日本化
薬社製カプロラクトン変性ヒドロキシピバリン酸エステ
ルネオペンチルグリコールジアクリレート)5.8%、
「アロニクスM−117」(東亜合成社製プロピレンオ
キシド変性4ーノニルフェノキシアクリレート)12.
0%及び光重合開始剤として「イルガキュア651」
(チバガイギー社製ベンジルジメチルケタ−ル)0.2
%から成る調光層形成材料を調製し、50℃に保ちなが
ら上記空セル中に真空注入法を用いて注入した。
【0039】この調光層形成材料を注入したセルを、3
0℃に保った状態で酸化カルシウムを塗布した光拡散反
射層を有する反射板上に配置し、セルの照射面における
照度が40mW/cm2となるように紫外線を30秒間照射
して液晶デバイスを得た。又、光源側に光拡散反射層を
有する反射板を使用した。光源はメタルハライドランプ
を使用した。
【0040】得られた液晶デバイスの調光層を走査型電
子顕微鏡で観察したところ、三次元網目状の高分子物質
を確認できた。
【0041】得られた液晶デバイスの印加電圧と光透過
率の関係を測定したところ、以下の通りであった。
【0042】T0=1.2%、T100=53.9%、CR
=44.1、V10=3.0Vrms、V90=5.7Vrms
【0043】(比較例1)実施例1において、アルミニ
ウム鏡面層を有する反射板を配置して、実施例1と同様
にして、液晶デバイスを得た。
【0044】得られた液晶デバイスの調光層を走査型電
子顕微鏡で観察したところ、三次元網目状の透明性高分
子物質を確認できた。
【0045】得られた液晶デバイスの印加電圧と光透過
率の関係を測定したところ、以下の通りであった。
【0046】T0=2.7%、T100=53.6%、CR
=20、V10=3.0Vrms、V90=5.8Vrms
【0047】このように、本発明の実施例1の液晶デバ
イスは、後記する比較例1と比べ白濁度及びコントラス
トが向上し、急峻性に優れていることが明らかである。
【0048】(実施例2)液晶材料として「PN−00
5」(ロディック社製)80.0%、重合性組成物とし
て「カヤラッド(KAYARAD)−HX−620」
(日本化薬社製カプロラクトン変性ヒドロキシピバリン
酸エステルネオペンチルグリコールジアクリレート)1
9.6%及び重合開始剤として「ダロキュア1173」
(メルク社製1−フェニル−2−ヒドロキシ−2−メチ
ルプロパン−1−オン)0.4%から成る調光層形成材
料を、12.0ミクロンのガラスファイバー製スペーサ
ーが塗布され、片側にブラックマトリクスが印刷されて
いる(開口率55%)ITO電極ガラス基板間に挟み込
み、調光層形成材料が等方性液体状態となるように基板
全体を38℃に保ちながら、この基板を実施例1と同様
に光拡散層を有する反射板上に配置し、瞬間点灯式の超
高圧水銀ランプを用いて紫外線を30秒間照射して、調
光層の厚みが12.3ミクロンの液晶デバイスを得た。
【0049】得られた液晶デバイスの調光層を走査型電
子顕微鏡で観察したところ、三次元網目状の透明性高分
子物質を確認できた。
【0050】得られた液晶デバイスの特性を測定したと
ころ、以下の通りであった。 T0=1.2%、T100=47.2%、CR=39.3、
10=7.0Vrms、V90=13.2Vrms
【0051】このように、本発明の実施例2の液晶デバ
イスは、白濁度及びコントラストが向上し、急峻性に優
れるていることが明らかである。
【0052】(比較例2)実施例2において、反射板を
配置せずに黒色板を配置した以外は実施例2と同様にし
て、液晶デバイスを得た。
【0053】この液晶デバイスの特性を測定したとこ
ろ、以下の通りであった。 T0=3.7%、T100=51.7%、CR=14、V10
=4.3Vrms、V90=12.1Vrms
【0054】このように、比較例の液晶デバイスは、白
濁度及びコントラストが低く劣っていることが明らかで
ある。
【0055】(実施例3)次に、液晶材料として「PN
−008」82%、光重合性組成物として「カヤラッド
(KAYARAD)−HX−220」5.8%、「アロ
ニクスM−117」12.0%及び光重合開始剤として
「イルガキュア651」0.2%から成る調光層形成材
料を調製し、50℃に保ちながら上記空セル中に真空注
入法を用いて注入した。使用したセルは、(5x5cm)
Cd−Se半導体による薄膜トランジスタ(TFT)の
アクティブ素子とブラックマトリックス付きの基板で構
成されている。(開口率60%)
【0056】この基板を実施例1と同様に調光形成材料
を注入したセルを、30℃に保った状態で積分球内中央
に設置して、セルの照射面における照度が40mW/cm2
となるように照射強度を調整して紫外線を30秒間照射
し、液晶デバイスを得た。
【0057】使用した積分球は、半径30cmのステンレ
ス製の半球を二個組み合わせて一つの積分球を構成す
る。反射面として半球の内側に酸化マグネシウムを塗布
し、半球の側面5箇所に直径約1cmの穴を開け紫外線光
源を設置した。光源からの直射光が試料に照射されない
ように光源取り付け箇所と試料との間の直線状に酸化マ
グネシウムを塗布した遮光板を設置した。石英ガラスの
ガラスファイバーを用いて高圧水銀ランプの光源と積分
球を接続した。
【0058】得られた液晶デバイスの調光層を走査型電
子顕微鏡で観察したところ、三次元網目状の高分子物質
を確認できた。
【0059】得られた液晶デバイスの印加電圧と光透過
率の関係を測定したところ、以下の通りであった。 T0=1.1%、T100=54%、CR=49.1、V10
=3.1Vrms、V90=5.6Vrms
【0060】このように、本発明の液晶デバイスは、白
濁度及びコントラストが向上し、優れるていることが明
らかである。
【0061】
【発明の効果】本発明の製造方法によれば、セル基板表
面にアクティブ素子及びブラックマトリクスなどの活性
光線を遮蔽するものであっても照射する活性光線を従来
に比べて有効に利用することができるので、均一な三次
元網目状構造の透明性高分子物質を形成することがで
き、これによりコントラストが高く、優れた液晶デバイ
スを得ることが可能である。また、従来の照射光源装置
を簡単な改良で利用できるので、製造コストの面でも有
用である。
【0062】本発明の製造方法は、コンピューター端末
の表示装置、プロジェクション用の光シャッター等の液
晶デバイスの製造方法として有用である。

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電極層を有する少なくとも一方が透明な
    2枚の基板間に、液晶材料、光重合性組成物を含有する
    調光層形成材料を介在させた後、活性光線を照射して前
    記光重合性組成物を重合させることにより、液晶材料と
    透明性高分子物質から成る調光層を形成してなる液晶デ
    バイスの製造方法において、活性光線を拡散させる手段
    を介して前記光重合性組成物に活性光線を照射すること
    を特徴とする液晶デバイスの製造方法。
  2. 【請求項2】 調光層が液晶材料の連続層中に透明性高
    分子物質が三次元網目状となって形成されていること特
    徴とする請求項1記載の液晶デバイスの製造方法。
  3. 【請求項3】 活性光線を拡散させる手段と活性光線を
    反射させる手段を介して光重合性組成物に活性光線を照
    射することを特徴とする請求項1及び2記載の液晶デバ
    イスの製造方法。
  4. 【請求項4】 調光層形成材料から成る層の両面に活性
    光線を照射することを特徴とする請求項1、2、及び3
    記載の液晶デバイスの製造方法。
  5. 【請求項5】 活性光線を拡散させる手段が拡散板であ
    ることを特徴とする請求項1、2、3及び4記載の液晶
    デバイスの製造方法
  6. 【請求項6】 活性光線の反射手段が一様な反射率を持
    った拡散反射面であることを特徴とする請求項1、2、
    3及び4記載の液晶デバイスの製造方法
  7. 【請求項7】 活性光線を拡散させる反射手段が積分球
    であることを特徴とする請求項1、2、3、4及び6記
    載の液晶デバイスの製造方法
  8. 【請求項8】 反射手段を調光層形成材料から成る層の
    活性光線照射面に対し反対側に設置することを特徴とす
    る請求項1、2、3、4、5、6及び7記載の液晶デバ
    イスの製造方法
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100432639B1 (ko) * 2001-03-23 2004-05-22 한주테크놀로지 주식회사 유전층 직접부착형 정전 척의 제조방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0391718A (ja) * 1989-09-04 1991-04-17 Dainippon Ink & Chem Inc 液晶デバイスの製造方法
JPH0534926A (ja) * 1991-07-30 1993-02-12 Sanee Giken Kk 露光装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0391718A (ja) * 1989-09-04 1991-04-17 Dainippon Ink & Chem Inc 液晶デバイスの製造方法
JPH0534926A (ja) * 1991-07-30 1993-02-12 Sanee Giken Kk 露光装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100432639B1 (ko) * 2001-03-23 2004-05-22 한주테크놀로지 주식회사 유전층 직접부착형 정전 척의 제조방법

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