JPH06291117A - 配線構造およびその製造方法 - Google Patents
配線構造およびその製造方法Info
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- JPH06291117A JPH06291117A JP5098721A JP9872193A JPH06291117A JP H06291117 A JPH06291117 A JP H06291117A JP 5098721 A JP5098721 A JP 5098721A JP 9872193 A JP9872193 A JP 9872193A JP H06291117 A JPH06291117 A JP H06291117A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B69/00—Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B41/00 - H10B63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices
Landscapes
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、紫外線の透過率の高いプラズマ窒
化シリコン膜をオーバコート膜として用いる配線構造で
あって、プラズマ窒化シリコン膜をほぼ平坦な面に形成
することで、配線に加わる応力を低減して配線構造の信
頼性を高める。 【構成】 基板１１上に配線１２，１３を形成し、その
高さとほぼ同等の高さの埋め込み層１４を基板１１上に
形成し、さらに配線１２，１３上を覆う緩和層１５を埋
め込み層１４上に形成し、その緩和層１５の上面に紫外
線の透過率に優れたプラズマ窒化シリコン層１６を形成
したものである。
化シリコン膜をオーバコート膜として用いる配線構造で
あって、プラズマ窒化シリコン膜をほぼ平坦な面に形成
することで、配線に加わる応力を低減して配線構造の信
頼性を高める。 【構成】 基板１１上に配線１２，１３を形成し、その
高さとほぼ同等の高さの埋め込み層１４を基板１１上に
形成し、さらに配線１２，１３上を覆う緩和層１５を埋
め込み層１４上に形成し、その緩和層１５の上面に紫外
線の透過率に優れたプラズマ窒化シリコン層１６を形成
したものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置として、例
えば不揮発性記憶装置のアルミニウム系金属配線を形成
するのに利用される配線構造およびその製造方法に関す
るものである。
えば不揮発性記憶装置のアルミニウム系金属配線を形成
するのに利用される配線構造およびその製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の不揮発性記憶装置における配線構
造を、図７の概略構成断面図により説明する。図に示す
ように、基板７１上には、アルミニウム系金属配線７
２，７３が形成されている。このアルミニウム系金属配
線７２，７３を覆う状態に、リンシリケートガラス（Ｐ
ＳＧ）またはホウ素リンシリケートガラス（ＢＰＳＧ）
等の酸化シリコン系材料よりなる絶縁膜７４が形成され
ている。さらに上記絶縁膜７４の上面には、紫外線の透
過率が高くなるようにシラン（ＳｉＨ4 ）の流量を少な
くしたプラズマＣＶＤ法によってプラズマ窒化シリコン
膜７５が形成されている。
造を、図７の概略構成断面図により説明する。図に示す
ように、基板７１上には、アルミニウム系金属配線７
２，７３が形成されている。このアルミニウム系金属配
線７２，７３を覆う状態に、リンシリケートガラス（Ｐ
ＳＧ）またはホウ素リンシリケートガラス（ＢＰＳＧ）
等の酸化シリコン系材料よりなる絶縁膜７４が形成され
ている。さらに上記絶縁膜７４の上面には、紫外線の透
過率が高くなるようにシラン（ＳｉＨ4 ）の流量を少な
くしたプラズマＣＶＤ法によってプラズマ窒化シリコン
膜７５が形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記配
線構造では、紫外線の透過率が高くなるようにシラン
（ＳｉＨ4 ）の流量を少なくしたプラズマＣＶＤ法によ
って形成したプラズマ窒化シリコン膜は、非常に大きな
応力を有している。またプラズマ窒化シリコン膜が絶縁
膜を介してアルミニウム系金属配線の側壁およびその上
部を囲む状態に形成されているため、プラズマ窒化シリ
コン膜より発生する応力がアルミニウム系金属配線に加
わる。それによって、アルミニウム系金属配線にボイド
が発生して、当該アルミニウム系金属配線が細るまたは
断線するという課題を生じる。
線構造では、紫外線の透過率が高くなるようにシラン
（ＳｉＨ4 ）の流量を少なくしたプラズマＣＶＤ法によ
って形成したプラズマ窒化シリコン膜は、非常に大きな
応力を有している。またプラズマ窒化シリコン膜が絶縁
膜を介してアルミニウム系金属配線の側壁およびその上
部を囲む状態に形成されているため、プラズマ窒化シリ
コン膜より発生する応力がアルミニウム系金属配線に加
わる。それによって、アルミニウム系金属配線にボイド
が発生して、当該アルミニウム系金属配線が細るまたは
断線するという課題を生じる。
【０００４】一方、プラズマＣＶＤ法におけるシラン
（ＳｉＨ4 ）の流量を多くしてプラズマ窒化シリコン膜
を成膜した場合には、プラズマ窒化シリコン膜に生じる
応力は低減できるが、その紫外線の透過率は大幅に低下
する。このため、このようなプラズマ窒化シリコン膜
は、紫外線消去型の不揮発性記憶装置のオーバコート膜
に適用することができない。このように、紫外線の透過
率を高めることと、発生する応力を低減することとは相
反する関係にある。
（ＳｉＨ4 ）の流量を多くしてプラズマ窒化シリコン膜
を成膜した場合には、プラズマ窒化シリコン膜に生じる
応力は低減できるが、その紫外線の透過率は大幅に低下
する。このため、このようなプラズマ窒化シリコン膜
は、紫外線消去型の不揮発性記憶装置のオーバコート膜
に適用することができない。このように、紫外線の透過
率を高めることと、発生する応力を低減することとは相
反する関係にある。
【０００５】本発明は、紫外線の透過率が高くかつ配線
にかかる応力が小さい配線構造およびその製造方法を提
供することを目的とする。
にかかる応力が小さい配線構造およびその製造方法を提
供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされた配線構造およびその製造方法であ
る。配線構造としては、基板上に形成した配線と、その
配線の高さとほぼ同等の高さのもので基板上に形成した
埋め込み層と、配線を覆う状態にして埋め込み層上に形
成した緩和層と、その上面に形成したプラズマ窒化シリ
コン層とよりなるものである。または上記配線構造にお
いて、埋め込み層は、配線を覆う状態にかつ表面を平坦
な状態に形成されているものである。さらには上記配線
において、埋め込み層と緩和層とは一体に形成されてい
るものである。
成するためになされた配線構造およびその製造方法であ
る。配線構造としては、基板上に形成した配線と、その
配線の高さとほぼ同等の高さのもので基板上に形成した
埋め込み層と、配線を覆う状態にして埋め込み層上に形
成した緩和層と、その上面に形成したプラズマ窒化シリ
コン層とよりなるものである。または上記配線構造にお
いて、埋め込み層は、配線を覆う状態にかつ表面を平坦
な状態に形成されているものである。さらには上記配線
において、埋め込み層と緩和層とは一体に形成されてい
るものである。
【０００７】また上記配線構造の製造方法は、第１の工
程で、基板上に配線を形成する。次いで第２の工程で、
基板上に、配線の高さとほぼ同等の高さの埋め込み層を
形成する。続いて第３の工程で、埋め込み層上に、配線
を覆う状態の緩和層を形成する。その後第４の工程で、
緩和層上にプラズマ窒化シリコン層を形成する。また上
記第１の工程を行った後、第２の工程で、基板上に、配
線を覆うもので表面が平坦な埋め込み層を形成する。続
いて第３の工程で、埋め込み層上に緩和層を形成する。
その後上記第４の工程を行う。あるいは上記第１の工程
を行った後、第２の工程で、基板上に、配線を覆うもの
で表面が平坦な状態に、埋め込み層と緩和層とを一体に
形成する。その後第３の工程で、緩和層を一体に形成し
た埋め込み層上にプラズマ窒化シリコン層を形成する。
程で、基板上に配線を形成する。次いで第２の工程で、
基板上に、配線の高さとほぼ同等の高さの埋め込み層を
形成する。続いて第３の工程で、埋め込み層上に、配線
を覆う状態の緩和層を形成する。その後第４の工程で、
緩和層上にプラズマ窒化シリコン層を形成する。また上
記第１の工程を行った後、第２の工程で、基板上に、配
線を覆うもので表面が平坦な埋め込み層を形成する。続
いて第３の工程で、埋め込み層上に緩和層を形成する。
その後上記第４の工程を行う。あるいは上記第１の工程
を行った後、第２の工程で、基板上に、配線を覆うもの
で表面が平坦な状態に、埋め込み層と緩和層とを一体に
形成する。その後第３の工程で、緩和層を一体に形成し
た埋め込み層上にプラズマ窒化シリコン層を形成する。
【０００８】
【作用】上記配線構造では、基板上に形成した配線の高
さとほぼ同等の高さのもので埋め込み層が形成され、そ
の上に配線を覆う状態の緩和層が形成され、さらにその
上面にプラズマ窒化シリコン層が形成されていることに
より、プラズマ窒化シリコン層はほぼ平坦な面に形成さ
れる。このため、プラズマ窒化シリコン層の応力は配線
に加わり難くなる。また緩和層を設けたことにより、プ
ラズマ窒化シリコン層の応力の一部分は緩和層に吸収さ
れ、配線に加わる応力が低減される。さらに埋め込み層
と緩和層とを一体に形成したことにより、配線構造が簡
単化される。
さとほぼ同等の高さのもので埋め込み層が形成され、そ
の上に配線を覆う状態の緩和層が形成され、さらにその
上面にプラズマ窒化シリコン層が形成されていることに
より、プラズマ窒化シリコン層はほぼ平坦な面に形成さ
れる。このため、プラズマ窒化シリコン層の応力は配線
に加わり難くなる。また緩和層を設けたことにより、プ
ラズマ窒化シリコン層の応力の一部分は緩和層に吸収さ
れ、配線に加わる応力が低減される。さらに埋め込み層
と緩和層とを一体に形成したことにより、配線構造が簡
単化される。
【０００９】上記配線構造の製造方法では、基板上に配
線とほぼ同等の高さの埋め込み層を形成したことによ
り、緩和層とプラズマ窒化シリコン層とはほぼ平坦な面
上に形成される。このため、配線にはプラズマ窒化シリ
コン層に発生する応力がほとんど加わらない。また表面
が平坦でかつ配線を覆う状態に上記埋め込み層を形成し
た後、緩和層とプラズマ窒化シリコン層とを形成して
も、上記同様の作用が得られる。さらに埋め込み層と緩
和層とを一体に形成することにより、緩和層を形成する
必要がなくなるので、プロセスが簡単化される。
線とほぼ同等の高さの埋め込み層を形成したことによ
り、緩和層とプラズマ窒化シリコン層とはほぼ平坦な面
上に形成される。このため、配線にはプラズマ窒化シリ
コン層に発生する応力がほとんど加わらない。また表面
が平坦でかつ配線を覆う状態に上記埋め込み層を形成し
た後、緩和層とプラズマ窒化シリコン層とを形成して
も、上記同様の作用が得られる。さらに埋め込み層と緩
和層とを一体に形成することにより、緩和層を形成する
必要がなくなるので、プロセスが簡単化される。
【００１０】
【実施例】本発明の第１の実施例を、紫外線消去型の不
揮発性記憶装置における配線構造を一例にして、図１の
概略構成断面図により説明する。図に示すように、基板
１１上には配線１２，１３が形成されている。各配線１
２，１３は、例えばアルミニウム系金属よりなる。また
上記基板１１上には、この配線１２，１３の高さとほぼ
同等の高さの埋め込み層１４が形成されている。この埋
め込み層１４は、例えばリンシリケートガラス（ＰＳ
Ｇ）またはホウ素リンシリケートガラス（ＢＰＳＧ）等
の酸化シリコン系材料よりなる。さらに上記埋め込み層
１４上には、各配線１２，１３を覆う状態に緩和層１５
が形成されている。この緩和層１５は、例えば酸化シリ
コン系材料またはポリイミドのような絶縁性を有しかつ
紫外線を透過する有機系材料よりなる。そしてこの緩和
層１５上には、紫外線の透過率が高いプラズマ窒化シリ
コン層１６が形成されている。上記のごとくに、配線構
造が構成されている。
揮発性記憶装置における配線構造を一例にして、図１の
概略構成断面図により説明する。図に示すように、基板
１１上には配線１２，１３が形成されている。各配線１
２，１３は、例えばアルミニウム系金属よりなる。また
上記基板１１上には、この配線１２，１３の高さとほぼ
同等の高さの埋め込み層１４が形成されている。この埋
め込み層１４は、例えばリンシリケートガラス（ＰＳ
Ｇ）またはホウ素リンシリケートガラス（ＢＰＳＧ）等
の酸化シリコン系材料よりなる。さらに上記埋め込み層
１４上には、各配線１２，１３を覆う状態に緩和層１５
が形成されている。この緩和層１５は、例えば酸化シリ
コン系材料またはポリイミドのような絶縁性を有しかつ
紫外線を透過する有機系材料よりなる。そしてこの緩和
層１５上には、紫外線の透過率が高いプラズマ窒化シリ
コン層１６が形成されている。上記のごとくに、配線構
造が構成されている。
【００１１】上記配線構造では、基板１１上に形成した
配線１２，１３の高さとほぼ同等の高さのもので埋め込
み層１４が形成されていることにより、その上に形成さ
れている緩和層１５の表面はほぼ平坦になる。したがっ
て、緩和層１５の平坦な表面に形成されているプラズマ
窒化シリコン層１６の応力は、配線１２，１３に加わり
難くなる。さらに緩和層１５が設けられていることによ
り、プラズマ窒化シリコン層１６の応力は上記緩和層１
５によって低減される。また上記配線構造では、基板１
１上に２本の配線１２，１３が形成されている例を説明
したが、配線の本数にかかわりなく、上記説明したと同
様の作用が得られる。
配線１２，１３の高さとほぼ同等の高さのもので埋め込
み層１４が形成されていることにより、その上に形成さ
れている緩和層１５の表面はほぼ平坦になる。したがっ
て、緩和層１５の平坦な表面に形成されているプラズマ
窒化シリコン層１６の応力は、配線１２，１３に加わり
難くなる。さらに緩和層１５が設けられていることによ
り、プラズマ窒化シリコン層１６の応力は上記緩和層１
５によって低減される。また上記配線構造では、基板１
１上に２本の配線１２，１３が形成されている例を説明
したが、配線の本数にかかわりなく、上記説明したと同
様の作用が得られる。
【００１２】次に第１の実施例の製造方法を、図２の製
造工程図により説明する。なお図では、第１の実施例で
説明したと同様の構成部品には同一符号を付す。
造工程図により説明する。なお図では、第１の実施例で
説明したと同様の構成部品には同一符号を付す。
【００１３】図２の（１）に示すように、第１の工程で
は、通常の配線形成技術によって、基板１１上に配線１
２，１３を形成する。
は、通常の配線形成技術によって、基板１１上に配線１
２，１３を形成する。
【００１４】上記配線形成技術としては、例えば、基板
１１の上面にアルミニウム系金属膜（図示せず）をスパ
ッタ法またはＣＶＤ法あるいは蒸着法等の成膜技術によ
って形成する。次いで通常のホトリソグラフィー技術に
よって、例えばレジストよりなるエッチングマスク（図
示せず）を形成する。その後、エッチング（例えばＥＣ
Ｒプラズマエッチングまたは反応性イオンエッチング等
のドライエッチング）を行って、アルミニウム系金属膜
（図示せず）を所定の配線１２，１３に形成する。
１１の上面にアルミニウム系金属膜（図示せず）をスパ
ッタ法またはＣＶＤ法あるいは蒸着法等の成膜技術によ
って形成する。次いで通常のホトリソグラフィー技術に
よって、例えばレジストよりなるエッチングマスク（図
示せず）を形成する。その後、エッチング（例えばＥＣ
Ｒプラズマエッチングまたは反応性イオンエッチング等
のドライエッチング）を行って、アルミニウム系金属膜
（図示せず）を所定の配線１２，１３に形成する。
【００１５】次いで図２の（２）に示す第２の工程を行
う。この工程では、例えばＣＶＤ法によって、上記配線
１２，１３を覆う状態に埋め込み層形成膜２１を形成す
る。埋め込み層形成膜２１は、例えばリンシリケートガ
ラス（ＰＳＧ）またはホウ素リンシリケートガラス（Ｂ
ＰＳＧ）等の酸化シリコン系材料よりなる。さらに、例
えば塗布技術によって、表面が平坦面になる状態に例え
ばレジスト膜２２を形成する。その後エッチバック技術
によって、２点鎖線で示す部分のレジスト膜２２と埋め
込み層形成膜２１とを除去して、埋め込み層形成膜（２
１）で配線１２，１３の高さとほぼ同等の高さの埋め込
み層１４を形成する。
う。この工程では、例えばＣＶＤ法によって、上記配線
１２，１３を覆う状態に埋め込み層形成膜２１を形成す
る。埋め込み層形成膜２１は、例えばリンシリケートガ
ラス（ＰＳＧ）またはホウ素リンシリケートガラス（Ｂ
ＰＳＧ）等の酸化シリコン系材料よりなる。さらに、例
えば塗布技術によって、表面が平坦面になる状態に例え
ばレジスト膜２２を形成する。その後エッチバック技術
によって、２点鎖線で示す部分のレジスト膜２２と埋め
込み層形成膜２１とを除去して、埋め込み層形成膜（２
１）で配線１２，１３の高さとほぼ同等の高さの埋め込
み層１４を形成する。
【００１６】続いて図２の（３）に示す第３の工程を行
う。この工程では、通常のＣＶＤ法によって、上記埋め
込み層１４の上面に、緩和層１５を配線１２，１３を覆
う状態に形成する。この緩和層１５は、例えば酸化シリ
コンよりなる。または、緩和層１５は、通常の塗布技術
によって、ポリイミドのような絶縁性を有しかつ紫外線
を効率良く透過する有機系材料を成膜した後、それを硬
化処理したもので形成することも可能である。
う。この工程では、通常のＣＶＤ法によって、上記埋め
込み層１４の上面に、緩和層１５を配線１２，１３を覆
う状態に形成する。この緩和層１５は、例えば酸化シリ
コンよりなる。または、緩和層１５は、通常の塗布技術
によって、ポリイミドのような絶縁性を有しかつ紫外線
を効率良く透過する有機系材料を成膜した後、それを硬
化処理したもので形成することも可能である。
【００１７】その後図２の（４）に示す第４の工程を行
う。この工程では、シラン（ＳｉＨ4 ）の流量を少なく
したプラズマＣＶＤ法によって、緩和層１５の上面にプ
ラズマ窒化シリコン層１６を形成する。このプラズマ窒
化シリコン層１６は、シラン（ＳｉＨ4 ）の流量が少な
い状態で成膜されたものなので、通常のプラズマ窒化シ
リコン層よりも紫外線の透過率が高くなる。シラン（Ｓ
ｉＨ4 ）流量は、一例として、およそ１２０ｓｃｃｍを
境界にして、それよりも多く供給して成膜すると、プラ
ズマ窒化シリコン層１６の紫外線の透過率が急激に低下
する。この値は装置条件等によって変化する。上記のよ
うにして、プラズマ窒化シリコン層１６をいわゆるオー
バコート膜とする配線構造が完成する。
う。この工程では、シラン（ＳｉＨ4 ）の流量を少なく
したプラズマＣＶＤ法によって、緩和層１５の上面にプ
ラズマ窒化シリコン層１６を形成する。このプラズマ窒
化シリコン層１６は、シラン（ＳｉＨ4 ）の流量が少な
い状態で成膜されたものなので、通常のプラズマ窒化シ
リコン層よりも紫外線の透過率が高くなる。シラン（Ｓ
ｉＨ4 ）流量は、一例として、およそ１２０ｓｃｃｍを
境界にして、それよりも多く供給して成膜すると、プラ
ズマ窒化シリコン層１６の紫外線の透過率が急激に低下
する。この値は装置条件等によって変化する。上記のよ
うにして、プラズマ窒化シリコン層１６をいわゆるオー
バコート膜とする配線構造が完成する。
【００１８】上記配線構造の製造方法では、基板１１上
に配線１２，１３とほぼ同等の高さの埋め込み層１４を
形成したことにより、緩和層１５とプラズマ窒化シリコ
ン層１６とはほぼ平坦な面上に形成される。このため、
配線１２，１３にはプラズマ窒化シリコン層１６に発生
する応力がほとんど加わらない。
に配線１２，１３とほぼ同等の高さの埋め込み層１４を
形成したことにより、緩和層１５とプラズマ窒化シリコ
ン層１６とはほぼ平坦な面上に形成される。このため、
配線１２，１３にはプラズマ窒化シリコン層１６に発生
する応力がほとんど加わらない。
【００１９】次に第２の実施例を、紫外線消去型の不揮
発性記憶装置における配線構造を一例にして、図３の概
略構成断面図により説明する。なお図では、第１の実施
例で説明したと同様の構成部品には同一符号を付す。図
に示すように、基板１１上には配線１２，１３が形成さ
れている。各配線１２，１３は、例えばアルミニウム系
金属よりなる。また上記基板１１上には、上記配線１
２，１３を覆う状態にかつ表面を平坦な状態にした埋め
込み層１４が形成されている。この埋め込み層１４は、
例えばリンシリケートガラス（ＰＳＧ）またはホウ素リ
ンシリケートガラス（ＢＰＳＧ）等の酸化シリコン系材
料よりなる。さらに上記埋め込み層１４上には、各配線
１２，１３を覆う状態に緩和層１５が形成されている。
この緩和層１５は、例えば酸化シリコン系材料またはポ
リイミドのような絶縁性を有しかつ紫外線を透過する有
機系材料よりなる。そしてこの緩和層１５上には、紫外
線の透過率が高いプラズマ窒化シリコン層１６が形成さ
れている。上記のごとくに、配線構造が構成されてい
る。
発性記憶装置における配線構造を一例にして、図３の概
略構成断面図により説明する。なお図では、第１の実施
例で説明したと同様の構成部品には同一符号を付す。図
に示すように、基板１１上には配線１２，１３が形成さ
れている。各配線１２，１３は、例えばアルミニウム系
金属よりなる。また上記基板１１上には、上記配線１
２，１３を覆う状態にかつ表面を平坦な状態にした埋め
込み層１４が形成されている。この埋め込み層１４は、
例えばリンシリケートガラス（ＰＳＧ）またはホウ素リ
ンシリケートガラス（ＢＰＳＧ）等の酸化シリコン系材
料よりなる。さらに上記埋め込み層１４上には、各配線
１２，１３を覆う状態に緩和層１５が形成されている。
この緩和層１５は、例えば酸化シリコン系材料またはポ
リイミドのような絶縁性を有しかつ紫外線を透過する有
機系材料よりなる。そしてこの緩和層１５上には、紫外
線の透過率が高いプラズマ窒化シリコン層１６が形成さ
れている。上記のごとくに、配線構造が構成されてい
る。
【００２０】上記第２の実施例で説明した配線構造で
は、基板１１上に形成した配線１２，１３を覆う状態に
かつ表面を平坦にした状態に埋め込み層１４が形成され
ていて、その上に表面が平坦な緩和層１５が形成されて
いることにより、この緩和層１５の表面に形成されてい
るプラズマ窒化シリコン層１６の応力は、配線１２，１
３に加わり難くなる。さらに緩和層１５を設けたことに
より、プラズマ窒化シリコン層１６の応力は緩和層１５
によって低減される。また上記配線構造では、基板１１
上に２本の配線１２，１３が形成されている例を説明し
たが、配線の本数にかかわりなく、上記説明したと同様
の作用が得られる。
は、基板１１上に形成した配線１２，１３を覆う状態に
かつ表面を平坦にした状態に埋め込み層１４が形成され
ていて、その上に表面が平坦な緩和層１５が形成されて
いることにより、この緩和層１５の表面に形成されてい
るプラズマ窒化シリコン層１６の応力は、配線１２，１
３に加わり難くなる。さらに緩和層１５を設けたことに
より、プラズマ窒化シリコン層１６の応力は緩和層１５
によって低減される。また上記配線構造では、基板１１
上に２本の配線１２，１３が形成されている例を説明し
たが、配線の本数にかかわりなく、上記説明したと同様
の作用が得られる。
【００２１】次に第２の実施例の製造方法を、図４の製
造工程図により説明する。なお図では、上記図２により
説明したと同様の構成部品には同一符号を付す。
造工程図により説明する。なお図では、上記図２により
説明したと同様の構成部品には同一符号を付す。
【００２２】図４の（１）に示すように、第１の工程で
は、通常の配線形成技術によって、基板１１上に配線１
２，１３を形成する。上記配線形成技術は、第１の実施
例で説明したと同様なので、ここでの説明は省略する。
は、通常の配線形成技術によって、基板１１上に配線１
２，１３を形成する。上記配線形成技術は、第１の実施
例で説明したと同様なので、ここでの説明は省略する。
【００２３】次いで図４の（２）に示す第２の工程を行
う。この工程では、成膜技術のうちの例えばＣＶＤ法に
よって、上記配線１２，１３を完全に覆う状態に埋め込
み層形成膜２１を形成する。埋め込み層形成膜２１は、
例えばリンシリケートガラス（ＰＳＧ）またはホウ素リ
ンシリケートガラス（ＢＰＳＧ）等の酸化シリコン系材
料よりなる。さらに、例えば塗布技術によって、表面が
平坦面になる状態に例えばレジスト膜２３を形成する。
その後エッチバック技術によって、２点鎖線で示す部分
のレジスト膜２３と埋め込み層形成膜２１とを除去し
て、埋め込み層形成膜（２１）で配線１２，１３を覆う
状態にかつ表面が平坦な状態に埋め込み層１４を形成す
る。
う。この工程では、成膜技術のうちの例えばＣＶＤ法に
よって、上記配線１２，１３を完全に覆う状態に埋め込
み層形成膜２１を形成する。埋め込み層形成膜２１は、
例えばリンシリケートガラス（ＰＳＧ）またはホウ素リ
ンシリケートガラス（ＢＰＳＧ）等の酸化シリコン系材
料よりなる。さらに、例えば塗布技術によって、表面が
平坦面になる状態に例えばレジスト膜２３を形成する。
その後エッチバック技術によって、２点鎖線で示す部分
のレジスト膜２３と埋め込み層形成膜２１とを除去し
て、埋め込み層形成膜（２１）で配線１２，１３を覆う
状態にかつ表面が平坦な状態に埋め込み層１４を形成す
る。
【００２４】続いて図４の（３）に示す第３の工程を行
う。この工程では、通常のＣＶＤ法によって、上記埋め
込み層１４の上面に緩和層１５を形成する。この緩和層
１５は、例えば酸化シリコンよりなる。または、緩和層
１５は、通常の塗布技術によって、ポリイミドのような
絶縁性を有しかつ紫外線を効率良く透過する有機系材料
を成膜した後、それを硬化処理したもので形成すること
も可能である。
う。この工程では、通常のＣＶＤ法によって、上記埋め
込み層１４の上面に緩和層１５を形成する。この緩和層
１５は、例えば酸化シリコンよりなる。または、緩和層
１５は、通常の塗布技術によって、ポリイミドのような
絶縁性を有しかつ紫外線を効率良く透過する有機系材料
を成膜した後、それを硬化処理したもので形成すること
も可能である。
【００２５】その後図４の（４）に示す第４の工程を行
う。この工程では、第１の実施例の図２の（４）で説明
したと同様にして、緩和層１５の上面にプラズマ窒化シ
リコン層１６を形成する。このプラズマ窒化シリコン層
１６は紫外線の透過率が高いものよりなる。上記のよう
にして、プラズマ窒化シリコン層１６をいわゆるオーバ
コート膜とする配線構造が完成する。
う。この工程では、第１の実施例の図２の（４）で説明
したと同様にして、緩和層１５の上面にプラズマ窒化シ
リコン層１６を形成する。このプラズマ窒化シリコン層
１６は紫外線の透過率が高いものよりなる。上記のよう
にして、プラズマ窒化シリコン層１６をいわゆるオーバ
コート膜とする配線構造が完成する。
【００２６】上記第２の実施例における配線構造の製造
方法では、埋め込み層１４を、表面が平坦な状態にかつ
配線１２，１３の上面を覆う状態に形成したことによ
り、緩和層１５とプラズマ窒化シリコン層１６とはほぼ
平坦な面上に形成される。このため、配線１２，１３に
はプラズマ窒化シリコン層１６に発生する応力がほとん
ど加わらない。
方法では、埋め込み層１４を、表面が平坦な状態にかつ
配線１２，１３の上面を覆う状態に形成したことによ
り、緩和層１５とプラズマ窒化シリコン層１６とはほぼ
平坦な面上に形成される。このため、配線１２，１３に
はプラズマ窒化シリコン層１６に発生する応力がほとん
ど加わらない。
【００２７】次に第３の実施例を、紫外線消去型の不揮
発性記憶装置における配線構造を一例にして、図５の概
略構成断面図により説明する。なお図では、第１の実施
例で説明したと同様の構成部品には同一符号を付す。図
に示すように、基板１１上には配線１２，１３が形成さ
れている。各配線１２，１３は、例えばアルミニウム系
金属よりなる。また上記基板１１上には、この配線１
２，１３上を十分な厚さで覆う状態にかつ表面が平坦な
状態に、埋め込み層１４が形成されている。この埋め込
み層１４は、上記第１，第２の実施例で説明したと同様
に、例えばリンシリケートガラス（ＰＳＧ）またはホウ
素リンシリケートガラス（ＢＰＳＧ）等の酸化シリコン
系材料よりなる。上記埋め込み層１４上には、紫外線の
透過率が高いプラズマ窒化シリコン層１６が形成されて
いる。上記のごとくに、配線構造が構成されている。
発性記憶装置における配線構造を一例にして、図５の概
略構成断面図により説明する。なお図では、第１の実施
例で説明したと同様の構成部品には同一符号を付す。図
に示すように、基板１１上には配線１２，１３が形成さ
れている。各配線１２，１３は、例えばアルミニウム系
金属よりなる。また上記基板１１上には、この配線１
２，１３上を十分な厚さで覆う状態にかつ表面が平坦な
状態に、埋め込み層１４が形成されている。この埋め込
み層１４は、上記第１，第２の実施例で説明したと同様
に、例えばリンシリケートガラス（ＰＳＧ）またはホウ
素リンシリケートガラス（ＢＰＳＧ）等の酸化シリコン
系材料よりなる。上記埋め込み層１４上には、紫外線の
透過率が高いプラズマ窒化シリコン層１６が形成されて
いる。上記のごとくに、配線構造が構成されている。
【００２８】上記第３の実施例の配線構造では、埋め込
み層１４が、上記第１，第２の実施例で説明した緩和層
（１５）の作用を成す。また基板１１上に形成した配線
１２，１３を十分な厚さで覆う状態にかつ表面が平坦な
状態に埋め込み層１４が形成されていることにより、プ
ラズマ窒化シリコン層１６の応力は、配線１２，１３に
加わり難くなる。このように、埋め込み層１４とプラズ
マ窒化シリコン層１６との２層構造で、いわゆるオーバ
コート膜が形成されることにより、配線構造が簡単化さ
れる。さらに上記配線構造では、基板１１上に２本の配
線１２，１３が形成されている例を説明したが、配線の
本数にかかわりなく、上記説明したと同様の作用が得ら
れる。
み層１４が、上記第１，第２の実施例で説明した緩和層
（１５）の作用を成す。また基板１１上に形成した配線
１２，１３を十分な厚さで覆う状態にかつ表面が平坦な
状態に埋め込み層１４が形成されていることにより、プ
ラズマ窒化シリコン層１６の応力は、配線１２，１３に
加わり難くなる。このように、埋め込み層１４とプラズ
マ窒化シリコン層１６との２層構造で、いわゆるオーバ
コート膜が形成されることにより、配線構造が簡単化さ
れる。さらに上記配線構造では、基板１１上に２本の配
線１２，１３が形成されている例を説明したが、配線の
本数にかかわりなく、上記説明したと同様の作用が得ら
れる。
【００２９】次に第３の実施例の製造方法を、図６の製
造工程図により説明する。なお図では、上記図２，図４
により説明したと同様の構成部品には同一符号を付す。
造工程図により説明する。なお図では、上記図２，図４
により説明したと同様の構成部品には同一符号を付す。
【００３０】図６の（１）に示すように、第１の工程で
は、通常の配線形成技術によって、基板１１上に配線１
２，１３を形成する。上記配線形成技術は、第１の実施
例で説明したと同様なので、ここでの説明は省略する。
は、通常の配線形成技術によって、基板１１上に配線１
２，１３を形成する。上記配線形成技術は、第１の実施
例で説明したと同様なので、ここでの説明は省略する。
【００３１】次いで図６の（２）に示す第２の工程を行
う。この工程では、例えばＣＶＤ法によって、上記配線
１２，１３を完全に覆う状態に埋め込み層形成膜２１を
形成する。埋め込み層形成膜２１は、例えばリンシリケ
ートガラス（ＰＳＧ）またはホウ素リンシリケートガラ
ス（ＢＰＳＧ）等の酸化シリコン系材料よりなる。さら
に、例えば塗布技術によって、表面が平坦面になる状態
に例えばレジスト膜２４を形成する。その後エッチバッ
ク技術によって、２点鎖線で示す部分のレジスト膜２４
と埋め込み層形成膜２１とを除去して、埋め込み層形成
膜（２１）で配線１２，１３を覆うとともに、後述する
プラズマ窒化シリコン層の応力を緩和する膜厚でしかも
表面が平坦な状態に埋め込み層１４を形成する。
う。この工程では、例えばＣＶＤ法によって、上記配線
１２，１３を完全に覆う状態に埋め込み層形成膜２１を
形成する。埋め込み層形成膜２１は、例えばリンシリケ
ートガラス（ＰＳＧ）またはホウ素リンシリケートガラ
ス（ＢＰＳＧ）等の酸化シリコン系材料よりなる。さら
に、例えば塗布技術によって、表面が平坦面になる状態
に例えばレジスト膜２４を形成する。その後エッチバッ
ク技術によって、２点鎖線で示す部分のレジスト膜２４
と埋め込み層形成膜２１とを除去して、埋め込み層形成
膜（２１）で配線１２，１３を覆うとともに、後述する
プラズマ窒化シリコン層の応力を緩和する膜厚でしかも
表面が平坦な状態に埋め込み層１４を形成する。
【００３２】その後図６の（３）に示す第３の工程を行
う。この工程では、第１の実施例の図２の（４）で説明
したと同様にして、埋め込み層１４の上面にプラズマ窒
化シリコン層１６を形成する。このため、プラズマ窒化
シリコン層１６は紫外線の透過率が高いものになる。上
記のようにして、プラズマ窒化シリコン層１６をいわゆ
るオーバコート膜とする配線構造が完成する。
う。この工程では、第１の実施例の図２の（４）で説明
したと同様にして、埋め込み層１４の上面にプラズマ窒
化シリコン層１６を形成する。このため、プラズマ窒化
シリコン層１６は紫外線の透過率が高いものになる。上
記のようにして、プラズマ窒化シリコン層１６をいわゆ
るオーバコート膜とする配線構造が完成する。
【００３３】上記第３の実施例における配線構造の製造
方法では、埋め込み層１４を、プラズマ窒化シリコン層
１６の応力を緩和する膜厚でしかも表面が平坦な状態に
かつ配線１２，１３の上面を覆う状態に形成したことに
より、プラズマ窒化シリコン層１６はほぼ平坦な面に形
成される。このため、配線１２，１３にはプラズマ窒化
シリコン層１６に発生する応力がほとんど加わらない。
さらに埋め込み層１４が緩和層の作用をなすことによ
り、緩和層を形成する必要がなくなるので、プロセスが
簡単化される。
方法では、埋め込み層１４を、プラズマ窒化シリコン層
１６の応力を緩和する膜厚でしかも表面が平坦な状態に
かつ配線１２，１３の上面を覆う状態に形成したことに
より、プラズマ窒化シリコン層１６はほぼ平坦な面に形
成される。このため、配線１２，１３にはプラズマ窒化
シリコン層１６に発生する応力がほとんど加わらない。
さらに埋め込み層１４が緩和層の作用をなすことによ
り、緩和層を形成する必要がなくなるので、プロセスが
簡単化される。
【００３４】
【発明の効果】以上、説明したように本発明によれば、
配線とほぼ同等の高さに埋め込み層が形成されているの
で、プラズマ窒化シリコン層が形成される面はほぼ平坦
な面になる。このため、プラズマ窒化シリコン層で発生
する応力が配線に加わり難くなるので、配線にボイドが
発生しなくなる。したがって、配線の信頼性の向上が図
れる。しかもプラズマ窒化シリコン層の下層に緩和層が
設けられているので、プラズマ窒化シリコン層の応力は
大幅に低減できる。また埋め込み層が緩和層を兼ねる配
線構造によれば、配線のオーバコート膜が埋め込み層と
プラズマ窒化シリコン層との２層構造になるので、配線
構造が簡単化できる。
配線とほぼ同等の高さに埋め込み層が形成されているの
で、プラズマ窒化シリコン層が形成される面はほぼ平坦
な面になる。このため、プラズマ窒化シリコン層で発生
する応力が配線に加わり難くなるので、配線にボイドが
発生しなくなる。したがって、配線の信頼性の向上が図
れる。しかもプラズマ窒化シリコン層の下層に緩和層が
設けられているので、プラズマ窒化シリコン層の応力は
大幅に低減できる。また埋め込み層が緩和層を兼ねる配
線構造によれば、配線のオーバコート膜が埋め込み層と
プラズマ窒化シリコン層との２層構造になるので、配線
構造が簡単化できる。
【００３５】上記配線構造の製造方法では、基板上に配
線とほぼ同等の高さの埋め込み層を形成して、プラズマ
窒化シリコン層を形成する緩和層の表面を平坦化するの
で、プラズマ窒化シリコン層はほぼ平坦な面に形成でき
る。このため、紫外線の透過率の高いプラズマ窒化シリ
コン層を形成しても、配線にはプラズマ窒化シリコン層
の応力の影響がほとんど及ばない。よって、例えば紫外
線消去型の不揮発性記憶装置のオーバコート膜に紫外線
の透過率の高いプラズマ窒化シリコン層を形成すること
が可能になる。また上記埋め込み層を表面が平坦な状態
にかつ配線を覆う状態に形成する方法でも、上記同様の
効果が得られる。しかも埋め込み層と緩和層とを一体に
形成する方法では、緩和層を形成する必要がなくなり、
プロセスが簡単化される。
線とほぼ同等の高さの埋め込み層を形成して、プラズマ
窒化シリコン層を形成する緩和層の表面を平坦化するの
で、プラズマ窒化シリコン層はほぼ平坦な面に形成でき
る。このため、紫外線の透過率の高いプラズマ窒化シリ
コン層を形成しても、配線にはプラズマ窒化シリコン層
の応力の影響がほとんど及ばない。よって、例えば紫外
線消去型の不揮発性記憶装置のオーバコート膜に紫外線
の透過率の高いプラズマ窒化シリコン層を形成すること
が可能になる。また上記埋め込み層を表面が平坦な状態
にかつ配線を覆う状態に形成する方法でも、上記同様の
効果が得られる。しかも埋め込み層と緩和層とを一体に
形成する方法では、緩和層を形成する必要がなくなり、
プロセスが簡単化される。
【図１】第１の実施例の概略構成断面図である。
【図２】第１の実施例の製造工程図である。
【図３】第２の実施例の概略構成断面図である。
【図４】第２の実施例の製造工程図である。
【図５】第３の実施例の概略構成断面図である。
【図６】第３の実施例の製造工程図である。
【図７】従来例の説明図である。
１１ 基板 １２ 配線 １３ 配線 １４ 埋め込み層 １５ 緩和層 １６ プラズマ窒化シリコン層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 27/115
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に形成した配線と、 前記配線の高さとほぼ同等の高さのもので前記基板上に
形成した埋め込み層と、 前記配線を覆う状態にして前記埋め込み層上に形成した
緩和層と、 前記緩和層上に形成したプラズマ窒化シリコン層とより
なることを特徴とする配線構造。 - 【請求項２】 請求項１記載の配線構造において、 前記埋め込み層は、前記配線を覆う状態にかつ表面を平
坦な状態に形成されているものであることを特徴とする
配線構造。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２記載の配線構造
において、 前記埋め込み層と前記緩和層とは一体に形成されている
ものであることを特徴とする配線構造。 - 【請求項４】 請求項１記載の配線構造の製造方法であ
って、 基板上に配線を形成する第１の工程と、 前記基板上に、前記配線の高さとほぼ同等の高さの埋め
込み層を形成する第２の工程と、 前記埋め込み層上に、前記配線を覆う緩和層を形成する
第３の工程と、 前記緩和層上にプラズマ窒化シリコン層を形成する第４
の工程とを行うことを特徴とする配線構造の製造方法。 - 【請求項５】 請求項２記載の配線構造の製造方法であ
って、 基板上に配線を形成する第１の工程と、 前記基板上に、前記配線を覆うもので表面が平坦な埋め
込み層を形成する第２の工程と、 前記埋め込み層上に緩和層を形成する第３の工程と、 前記緩和層上にプラズマ窒化シリコン層を形成する第４
の工程とを行うことを特徴とする配線構造の製造方法。 - 【請求項６】 請求項３記載の配線構造の製造方法であ
って、 基板上に配線を形成する第１の工程と、 前記基板上に、前記配線を覆うもので表面が平坦な状態
に、埋め込み層と緩和層とを一体に形成する第２の工程
と、 前記緩和層上にプラズマ窒化シリコン層を形成する第３
の工程とを行うことを特徴とする配線構造の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5098721A JPH06291117A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 配線構造およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5098721A JPH06291117A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 配線構造およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06291117A true JPH06291117A (ja) | 1994-10-18 |
Family
ID=14227391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5098721A Pending JPH06291117A (ja) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | 配線構造およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06291117A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001345319A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-03-31 JP JP5098721A patent/JPH06291117A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001345319A (ja) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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