JPH08293493A - 平坦化絶縁膜の形成方法 - Google Patents
平坦化絶縁膜の形成方法Info
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- JPH08293493A JPH08293493A JP9836395A JP9836395A JPH08293493A JP H08293493 A JPH08293493 A JP H08293493A JP 9836395 A JP9836395 A JP 9836395A JP 9836395 A JP9836395 A JP 9836395A JP H08293493 A JPH08293493 A JP H08293493A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プロセスバラツキがあっても良好な平坦化形
状を有する絶縁膜を得ることができる平坦化絶縁膜の形
成方法を提供すること。 【構成】 まず図１（イ）、（ロ）に示す第１工程に
て、本発明の突出部となる配線２を覆う状態で基体１上
面に、酸化シリコン系材料膜であるＰ−ＴＥＯＳ膜３
と、有機ＳＯＧ膜４と、無機ＳＯＧ膜５とを順次積層形
成してこれらの積層体からなる絶縁膜６を得る。この有
機ＳＯＧ膜４は、その形成材料がＰ−ＴＥＯＳ膜３の上
面に塗布された際、配線２に沿って形成されるＰ−ＴＥ
ＯＳ膜３の突出部分３ｂにおける上側から下側に自重に
より流動する粘性を有しているものである。そして図１
（ハ）、（ニ）に示す第２工程にて、絶縁膜６をエッチ
バックして平坦化絶縁膜７を形成する。
状を有する絶縁膜を得ることができる平坦化絶縁膜の形
成方法を提供すること。 【構成】 まず図１（イ）、（ロ）に示す第１工程に
て、本発明の突出部となる配線２を覆う状態で基体１上
面に、酸化シリコン系材料膜であるＰ−ＴＥＯＳ膜３
と、有機ＳＯＧ膜４と、無機ＳＯＧ膜５とを順次積層形
成してこれらの積層体からなる絶縁膜６を得る。この有
機ＳＯＧ膜４は、その形成材料がＰ−ＴＥＯＳ膜３の上
面に塗布された際、配線２に沿って形成されるＰ−ＴＥ
ＯＳ膜３の突出部分３ｂにおける上側から下側に自重に
より流動する粘性を有しているものである。そして図１
（ハ）、（ニ）に示す第２工程にて、絶縁膜６をエッチ
バックして平坦化絶縁膜７を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
において、配線等の突出部が形成された基体上に平坦化
絶縁膜を形成する方法に関するものである。
において、配線等の突出部が形成された基体上に平坦化
絶縁膜を形成する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程における平坦化絶
縁膜の形成方法には、以下のような方法がある。例えば
アルミニウム（以下、Ａｌと記す）の配線が高密度で配
列されたラインアンドスペース部（以下、Ｌ／Ｓ部と記
す）と配線が配置されていないフィールド部とを有する
基体上面に平坦化絶縁膜を形成する場合、まずＣＶＤ法
によって、配線を覆うように絶縁膜であるプラズマ−テ
トラエトシキシラン膜（以下、Ｐ−ＴＥＯＳ膜と記す）
を形成する。このときＰ−ＴＥＯＳ膜は基体上面に沿っ
て形成されることから、Ｐ−ＴＥＯＳ膜には配線間の溝
に沿う凹部が形成される。
縁膜の形成方法には、以下のような方法がある。例えば
アルミニウム（以下、Ａｌと記す）の配線が高密度で配
列されたラインアンドスペース部（以下、Ｌ／Ｓ部と記
す）と配線が配置されていないフィールド部とを有する
基体上面に平坦化絶縁膜を形成する場合、まずＣＶＤ法
によって、配線を覆うように絶縁膜であるプラズマ−テ
トラエトシキシラン膜（以下、Ｐ−ＴＥＯＳ膜と記す）
を形成する。このときＰ−ＴＥＯＳ膜は基体上面に沿っ
て形成されることから、Ｐ−ＴＥＯＳ膜には配線間の溝
に沿う凹部が形成される。
【０００３】次いでこの凹部を十分埋め込むようにＰ−
ＴＥＯＳ膜上に有機系絶縁材料を回転塗布し、有機スピ
ンオンガラス膜（以下、有機ＳＯＧ膜と記す）を形成す
る。そして、Ｐ−ＴＥＯＳ膜と有機ＳＯＧ膜とからなる
絶縁膜をエッチバックし、表面が平坦化された平坦化絶
縁膜を得る。
ＴＥＯＳ膜上に有機系絶縁材料を回転塗布し、有機スピ
ンオンガラス膜（以下、有機ＳＯＧ膜と記す）を形成す
る。そして、Ｐ−ＴＥＯＳ膜と有機ＳＯＧ膜とからなる
絶縁膜をエッチバックし、表面が平坦化された平坦化絶
縁膜を得る。
【０００４】また、上記有機ＳＯＧ膜の代えて、Ｐ−Ｔ
ＥＯＳ膜上に無機スピンオンガラス膜（以下、無機ＳＯ
Ｇ膜と記す）を形成し、その後、Ｐ−ＴＥＯＳ膜と無機
ＳＯＧ膜とからなる絶縁膜をエッチバックして平坦化絶
縁膜を得る方法も知られている。現在、ＡＳＩＣ４世代
では、前者の有機ＳＯＧ膜を用いる方法が主流となって
いる。
ＥＯＳ膜上に無機スピンオンガラス膜（以下、無機ＳＯ
Ｇ膜と記す）を形成し、その後、Ｐ−ＴＥＯＳ膜と無機
ＳＯＧ膜とからなる絶縁膜をエッチバックして平坦化絶
縁膜を得る方法も知られている。現在、ＡＳＩＣ４世代
では、前者の有機ＳＯＧ膜を用いる方法が主流となって
いる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た平坦化絶縁膜の形成方法では以下のような課題があ
る。まず前者の有機ＳＯＧ膜を用いた場合では、平坦化
絶縁膜に形成したコンタクトホールの側壁に有機ＳＯＧ
膜が露出すると、有機ＳＯＧ膜からの脱ガス等によって
コンタクトホール内に埋込まれたＡｌ等の配線が腐食す
る、いわゆるポイズンドビアが発生してしまい、コンタ
クト不良を招くおそれがある。
た平坦化絶縁膜の形成方法では以下のような課題があ
る。まず前者の有機ＳＯＧ膜を用いた場合では、平坦化
絶縁膜に形成したコンタクトホールの側壁に有機ＳＯＧ
膜が露出すると、有機ＳＯＧ膜からの脱ガス等によって
コンタクトホール内に埋込まれたＡｌ等の配線が腐食す
る、いわゆるポイズンドビアが発生してしまい、コンタ
クト不良を招くおそれがある。
【０００６】また絶縁膜のエッチバック時に、配線が配
置されていないフィールド部で有機ＳＯＧ膜がすべてエ
ッチングされて下層のＰ−ＴＥＯＳ膜が露出すると、Ｌ
／Ｓ部のＰ−ＴＥＯＳ膜の凹部内に埋め込まれている有
機ＳＯＧ膜のエッチレートが急激に上昇する、いわゆる
増速エッチが発生してしまい、平坦化絶縁膜の平坦性が
低下する。この増速エッチの発生を防止するためにはエ
ッチング量を高精度に制御する必要があり、したがって
エッチング量のバラツキに対するマージンが小さいもの
となっている。
置されていないフィールド部で有機ＳＯＧ膜がすべてエ
ッチングされて下層のＰ−ＴＥＯＳ膜が露出すると、Ｌ
／Ｓ部のＰ−ＴＥＯＳ膜の凹部内に埋め込まれている有
機ＳＯＧ膜のエッチレートが急激に上昇する、いわゆる
増速エッチが発生してしまい、平坦化絶縁膜の平坦性が
低下する。この増速エッチの発生を防止するためにはエ
ッチング量を高精度に制御する必要があり、したがって
エッチング量のバラツキに対するマージンが小さいもの
となっている。
【０００７】また、有機ＳＯＧ膜は無機ＳＯＧ膜に比較
して厚く塗布できるため、これを回転塗布することによ
り、配線等によって基体上面に形成された溝等を十分に
埋めることができるという利点がある。ところが、一般
に膜厚を厚くするするほど膜厚のバラツキが大きくな
り、これに伴ってエッチバック量のバラツキも大きくな
ることから、前記溝等を埋めるべく膜厚を厚くすると、
絶縁膜の平坦性のバラツキも大きくなり、良好な平坦化
形状が得られなくなる。
して厚く塗布できるため、これを回転塗布することによ
り、配線等によって基体上面に形成された溝等を十分に
埋めることができるという利点がある。ところが、一般
に膜厚を厚くするするほど膜厚のバラツキが大きくな
り、これに伴ってエッチバック量のバラツキも大きくな
ることから、前記溝等を埋めるべく膜厚を厚くすると、
絶縁膜の平坦性のバラツキも大きくなり、良好な平坦化
形状が得られなくなる。
【０００８】一方、後者の無機ＳＯＧ膜を用いた場合で
は、通常、回転塗布後に行う熱処理時等にクラックが発
生し易いため厚く塗布できない。したがって配線等によ
って基板上面に形成された溝等の深さが深いと、無機Ｓ
ＯＧ膜のみではこの溝等を十分に埋めることが困難であ
る。また無機ＳＯＧ膜は、吸水性および脱水性を有して
いるので、デバイス特性に悪影響を与えるおそれがあ
る。
は、通常、回転塗布後に行う熱処理時等にクラックが発
生し易いため厚く塗布できない。したがって配線等によ
って基板上面に形成された溝等の深さが深いと、無機Ｓ
ＯＧ膜のみではこの溝等を十分に埋めることが困難であ
る。また無機ＳＯＧ膜は、吸水性および脱水性を有して
いるので、デバイス特性に悪影響を与えるおそれがあ
る。
【０００９】本発明は上記課題を解決するためになされ
たものであり、たとえプロセスバラツキがあっても良好
な平坦化形状を有する絶縁膜を得ることができる平坦化
絶縁膜の形成方法を提供することを目的としている。
たものであり、たとえプロセスバラツキがあっても良好
な平坦化形状を有する絶縁膜を得ることができる平坦化
絶縁膜の形成方法を提供することを目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、突出部を有す
る基体上面に平坦化絶縁膜を形成する方法においてなさ
れたものである。すなわち、まず第１工程にて、突出部
を覆う状態で基体上面に酸化シリコン系材料膜と、有機
ＳＯＧ膜と、無機ＳＯＧ膜とを順次積層形成してこれら
の積層体からなる絶縁膜を得る。上記有機ＳＯＧ膜は、
その形成材料が酸化シリコン系材料膜の上面に塗布され
た際、突出部に沿って形成される酸化シリコン系材料膜
の突出部分における上側から下側に自重により流動する
粘性を有しているものである。そして第２工程にて、上
記絶縁膜をエッチバックして平坦化絶縁膜を形成する。
る基体上面に平坦化絶縁膜を形成する方法においてなさ
れたものである。すなわち、まず第１工程にて、突出部
を覆う状態で基体上面に酸化シリコン系材料膜と、有機
ＳＯＧ膜と、無機ＳＯＧ膜とを順次積層形成してこれら
の積層体からなる絶縁膜を得る。上記有機ＳＯＧ膜は、
その形成材料が酸化シリコン系材料膜の上面に塗布され
た際、突出部に沿って形成される酸化シリコン系材料膜
の突出部分における上側から下側に自重により流動する
粘性を有しているものである。そして第２工程にて、上
記絶縁膜をエッチバックして平坦化絶縁膜を形成する。
【００１１】
【作用】本発明によれば、有機ＳＯＧ膜の形成材料が、
酸化シリコン系材料膜の上面に塗布された際、突出部に
沿って形成される酸化シリコン系材料膜の突出部分にお
ける上側から下側に自重により流動する粘性を有してい
るため、上記突出部分の上側に塗布された有機ＳＯＧ膜
の膜厚は、該形成材料の流動によって、突出部が形成さ
れてない基体直上の有機ＳＯＧ膜の膜厚よりも薄くな
る。その結果、突出部直上のＳＯＧ膜全体の膜厚は、突
出部が形成されていない基体直上のＳＯＧ膜全体の膜厚
より薄く形成される。したがって、突出部直上のＳＯＧ
膜がなくなるようにエッチバックを行うと、突出部直上
のＳＯＧ膜のエッチバック量が少なくてすみ、突出部直
上部分のエッチバック量のバラツキが小さくなる。
酸化シリコン系材料膜の上面に塗布された際、突出部に
沿って形成される酸化シリコン系材料膜の突出部分にお
ける上側から下側に自重により流動する粘性を有してい
るため、上記突出部分の上側に塗布された有機ＳＯＧ膜
の膜厚は、該形成材料の流動によって、突出部が形成さ
れてない基体直上の有機ＳＯＧ膜の膜厚よりも薄くな
る。その結果、突出部直上のＳＯＧ膜全体の膜厚は、突
出部が形成されていない基体直上のＳＯＧ膜全体の膜厚
より薄く形成される。したがって、突出部直上のＳＯＧ
膜がなくなるようにエッチバックを行うと、突出部直上
のＳＯＧ膜のエッチバック量が少なくてすみ、突出部直
上部分のエッチバック量のバラツキが小さくなる。
【００１２】また基体上面に突出部が複数配置されて突
出部間に溝が形成されている場合、突出部に沿って形成
される酸化シリコン系材料膜の突出部分間にも凹部が形
成されており、この凹部内には回転塗布によって有機Ｓ
ＯＧ膜と無機ＳＯＧ膜とが流れ込んで溜まり、結果とし
て凹部内に埋め込まれる。このため、突出部直上のＳＯ
Ｇ膜がなくなるまでエッチバックを行ってその下層の酸
化シリコン系材料膜を露出させても、凹部内には無機Ｓ
ＯＧ膜が残っていることから、その下層の有機ＳＯＧ膜
は増速エッチによってエッチングされない。したがっ
て、凹部の埋め込みのバラツキが小さくなる。
出部間に溝が形成されている場合、突出部に沿って形成
される酸化シリコン系材料膜の突出部分間にも凹部が形
成されており、この凹部内には回転塗布によって有機Ｓ
ＯＧ膜と無機ＳＯＧ膜とが流れ込んで溜まり、結果とし
て凹部内に埋め込まれる。このため、突出部直上のＳＯ
Ｇ膜がなくなるまでエッチバックを行ってその下層の酸
化シリコン系材料膜を露出させても、凹部内には無機Ｓ
ＯＧ膜が残っていることから、その下層の有機ＳＯＧ膜
は増速エッチによってエッチングされない。したがっ
て、凹部の埋め込みのバラツキが小さくなる。
【００１３】
【実施例】以下、本発明の平坦化絶縁膜の形成方法の一
実施例を図１に基づいて説明する。図１に示すように、
基体１の上面は、本発明の突出部となる配線２が後述す
るごとく形成されているラインアンドスペース部（以
下、Ｌ／Ｓ部と記す）（ａ）およびパッド部（ｂ）と、
配線２が形成されていないフィールド部（ｃ）とを有し
ている。
実施例を図１に基づいて説明する。図１に示すように、
基体１の上面は、本発明の突出部となる配線２が後述す
るごとく形成されているラインアンドスペース部（以
下、Ｌ／Ｓ部と記す）（ａ）およびパッド部（ｂ）と、
配線２が形成されていないフィールド部（ｃ）とを有し
ている。
【００１４】すなわち、Ｌ／Ｓ部（ａ）において配線２
は、０．６μｍ程度の幅に形成されているとともに、
０．６μｍ程度の間隔でライン状に配列されており、ま
たパッド部（ｂ）において配線２は幅１００μｍ程度の
島状に形成されている。これらＬ／Ｓ部（ａ）およびパ
ッド部（ｂ）を構成する配線２は、例えば基体１の上面
にバリアメタル層２ａ、アルミニウム（以下、Ａｌと記
す）層２ｂ、反射防止膜２ｃがこの順に積層されて構成
されており、厚みが０．６μｍ程度となっている。そし
てフィールド部（ｃ）は、上記の配線２が形成されてい
ないことから、突出部のないほぼ平坦な領域となってい
る。
は、０．６μｍ程度の幅に形成されているとともに、
０．６μｍ程度の間隔でライン状に配列されており、ま
たパッド部（ｂ）において配線２は幅１００μｍ程度の
島状に形成されている。これらＬ／Ｓ部（ａ）およびパ
ッド部（ｂ）を構成する配線２は、例えば基体１の上面
にバリアメタル層２ａ、アルミニウム（以下、Ａｌと記
す）層２ｂ、反射防止膜２ｃがこの順に積層されて構成
されており、厚みが０．６μｍ程度となっている。そし
てフィールド部（ｃ）は、上記の配線２が形成されてい
ないことから、突出部のないほぼ平坦な領域となってい
る。
【００１５】このような基体１の上面に平坦化絶縁膜を
形成する場合、まず第１工程として、プラズマＣＶＤ法
により、図１（イ）に示すごとく基体１の上面に酸化シ
リコン系材料膜であるＰ−ＴＥＯＳ膜３を形成する。こ
のとき、配線２を覆うようにＰ−ＴＥＯＳ膜３を形成す
るとともに、Ｐ−ＴＥＯＳ膜３の膜厚を３００ｎｍ程度
にする。このＰ−ＴＥＯＳ膜３は基体１上面に沿って形
成されることから、Ｐ−ＴＥＯＳ膜３には配線２間の溝
形状に沿って凹部３ａが形成され、かつ配線２の突出形
状に沿う突出部分３ｂが形成される。
形成する場合、まず第１工程として、プラズマＣＶＤ法
により、図１（イ）に示すごとく基体１の上面に酸化シ
リコン系材料膜であるＰ−ＴＥＯＳ膜３を形成する。こ
のとき、配線２を覆うようにＰ−ＴＥＯＳ膜３を形成す
るとともに、Ｐ−ＴＥＯＳ膜３の膜厚を３００ｎｍ程度
にする。このＰ−ＴＥＯＳ膜３は基体１上面に沿って形
成されることから、Ｐ−ＴＥＯＳ膜３には配線２間の溝
形状に沿って凹部３ａが形成され、かつ配線２の突出形
状に沿う突出部分３ｂが形成される。
【００１６】次いで図１（ロ）に示すように、Ｐ−ＴＥ
ＯＳ膜３上に有機系絶縁材料を回転塗布して熱処理し、
有機ＳＯＧ膜４を形成する。続いて有機ＳＯＧ膜４上に
無機系絶縁材料を回転塗布した後、熱処理して無機ＳＯ
Ｇ膜５を形成し、Ｐ−ＴＥＯＳ膜３、有機ＳＯＧ膜４お
よび無機ＳＯＧ膜５からなる絶縁膜６を得る。この有機
ＳＯＧ膜４および無機ＳＯＧ膜５の形成は、Ｐ−ＴＥＯ
Ｓ膜３の凹部３ａをほぼ埋め込むように行い、例えばフ
ィールド部（ｃ）において有機ＳＯＧ膜４の膜厚が２３
０ｎｍ程度、無機ＳＯＧ膜５の膜厚が１３０ｎｍ程度と
なるように形成する。
ＯＳ膜３上に有機系絶縁材料を回転塗布して熱処理し、
有機ＳＯＧ膜４を形成する。続いて有機ＳＯＧ膜４上に
無機系絶縁材料を回転塗布した後、熱処理して無機ＳＯ
Ｇ膜５を形成し、Ｐ−ＴＥＯＳ膜３、有機ＳＯＧ膜４お
よび無機ＳＯＧ膜５からなる絶縁膜６を得る。この有機
ＳＯＧ膜４および無機ＳＯＧ膜５の形成は、Ｐ−ＴＥＯ
Ｓ膜３の凹部３ａをほぼ埋め込むように行い、例えばフ
ィールド部（ｃ）において有機ＳＯＧ膜４の膜厚が２３
０ｎｍ程度、無機ＳＯＧ膜５の膜厚が１３０ｎｍ程度と
なるように形成する。
【００１７】上記有機ＳＯＧ膜４の形成材料である有機
系絶縁材料は、例えばＲn Ｓｉ（ＯＲ）m （ＯＨ）
4-m-n （Ｒ：炭化水素基）で示されるシラノール化合物
を主成分とする材料からなり、回転塗布後の熱処理によ
って有機成分が残っている有機ＳＯＧ膜４が形成される
ものである。またこの有機系絶縁材料は、Ｐ−ＴＥＯＳ
膜３上に回転塗布された際、Ｐ−ＴＥＯＳ膜３の突出部
分３ｂにおける上側から下側に自重により流動する粘
性、例えば３ｃＰ程度の低粘性を有している。
系絶縁材料は、例えばＲn Ｓｉ（ＯＲ）m （ＯＨ）
4-m-n （Ｒ：炭化水素基）で示されるシラノール化合物
を主成分とする材料からなり、回転塗布後の熱処理によ
って有機成分が残っている有機ＳＯＧ膜４が形成される
ものである。またこの有機系絶縁材料は、Ｐ−ＴＥＯＳ
膜３上に回転塗布された際、Ｐ−ＴＥＯＳ膜３の突出部
分３ｂにおける上側から下側に自重により流動する粘
性、例えば３ｃＰ程度の低粘性を有している。
【００１８】したがって、Ｐ−ＴＥＯＳ膜３の突出部分
３ｂの上側に塗布された有機系絶縁材料は、硬化前にそ
こからパッド部（ｂ）の周辺に向けて自重により流れる
ため、パッド部（ｂ）において、Ｐ−ＴＥＯＳ膜３の突
出部分３ｂの上側に形成された有機ＳＯＧ膜４（以下、
パッド部（ｂ）の有機ＳＯＧ膜４と記す）の膜厚ｔは、
フィールド部（ｃ）に形成された有機ＳＯＧ膜４の膜厚
ｒ、すなわち２３０ｎｍより薄くなっている。
３ｂの上側に塗布された有機系絶縁材料は、硬化前にそ
こからパッド部（ｂ）の周辺に向けて自重により流れる
ため、パッド部（ｂ）において、Ｐ−ＴＥＯＳ膜３の突
出部分３ｂの上側に形成された有機ＳＯＧ膜４（以下、
パッド部（ｂ）の有機ＳＯＧ膜４と記す）の膜厚ｔは、
フィールド部（ｃ）に形成された有機ＳＯＧ膜４の膜厚
ｒ、すなわち２３０ｎｍより薄くなっている。
【００１９】なお、Ｌ／Ｓ部（ａ）においては、この部
分に塗布される有機系絶縁材料が回転塗布によってＰ−
ＴＥＯＳ膜３の凹部３ａ内に流れ込んで溜まり、結果と
して前記凹部３ａ内に埋め込まれることとなるため、Ｐ
−ＴＥＯＳ膜３の突出部分３ｂの上側には有機ＳＯＧ膜
４が極薄く存在している状態となっている。
分に塗布される有機系絶縁材料が回転塗布によってＰ−
ＴＥＯＳ膜３の凹部３ａ内に流れ込んで溜まり、結果と
して前記凹部３ａ内に埋め込まれることとなるため、Ｐ
−ＴＥＯＳ膜３の突出部分３ｂの上側には有機ＳＯＧ膜
４が極薄く存在している状態となっている。
【００２０】一方、無機ＳＯＧ膜５の形成材料である無
機系絶縁材料は、例えばＳｉ（ＯＨ）4 を主成分とする
材料からなり、回転塗布後の熱処理によって有機成分を
基本的に含まない無機ＳＯＧ膜５が形成されるものであ
る。この無機系絶縁材料は、Ｐ−ＴＥＯＳ膜３上に回転
塗布された際、自重によってほとんど流動しない程度の
粘性、例えば４ｃＰ程度の粘性を有している。
機系絶縁材料は、例えばＳｉ（ＯＨ）4 を主成分とする
材料からなり、回転塗布後の熱処理によって有機成分を
基本的に含まない無機ＳＯＧ膜５が形成されるものであ
る。この無機系絶縁材料は、Ｐ−ＴＥＯＳ膜３上に回転
塗布された際、自重によってほとんど流動しない程度の
粘性、例えば４ｃＰ程度の粘性を有している。
【００２１】したがってパッド部（ｂ）において、有機
ＳＯＧ膜４の上面に形成された無機ＳＯＧ膜５（以下、
パッド部（ｂ）の無機ＳＯＧ膜５と記す）は、フィール
ド部（ｃ）に形成された無機ＳＯＧ膜５の膜厚とほぼ同
じ膜厚に形成されているため、パッド部（ｂ）のＳＯＧ
膜全体の膜厚は、フィールド部（ｃ）のそれによりも薄
くなっている。
ＳＯＧ膜４の上面に形成された無機ＳＯＧ膜５（以下、
パッド部（ｂ）の無機ＳＯＧ膜５と記す）は、フィール
ド部（ｃ）に形成された無機ＳＯＧ膜５の膜厚とほぼ同
じ膜厚に形成されているため、パッド部（ｂ）のＳＯＧ
膜全体の膜厚は、フィールド部（ｃ）のそれによりも薄
くなっている。
【００２２】またＬ／Ｓ部（ａ）において、無機系絶縁
材料は、有機ＳＯＧ膜４によって十分埋め込まれていな
いＰ−ＴＥＯＳ膜３の凹部３ａ内に回転塗布によって流
れ込んで溜まり、結果として凹部３ａ内に埋め込まれる
こととなるため、Ｐ−ＴＥＯＳ膜３の突出部分３ｂの上
側に、有機ＳＯＧ膜４を介して形成される無機ＳＯＧ膜
５は、フィールド部（ｃ）における無機ＳＯＧ膜５の膜
厚よりも薄く形成されている。
材料は、有機ＳＯＧ膜４によって十分埋め込まれていな
いＰ−ＴＥＯＳ膜３の凹部３ａ内に回転塗布によって流
れ込んで溜まり、結果として凹部３ａ内に埋め込まれる
こととなるため、Ｐ−ＴＥＯＳ膜３の突出部分３ｂの上
側に、有機ＳＯＧ膜４を介して形成される無機ＳＯＧ膜
５は、フィールド部（ｃ）における無機ＳＯＧ膜５の膜
厚よりも薄く形成されている。
【００２３】このようにＰ−ＴＥＯＳ膜３、有機ＳＯＧ
膜４および無機ＳＯＧ膜５からなる絶縁膜６を得た後
は、第２工程として絶縁膜６のエッチバックを行う。こ
のエッチバックは、図１（ハ）に示すように、パッド部
（ｂ）の無機ＳＯＧ膜５と有機ＳＯＧ膜４とが除去さ
れ、さらに図１（ニ）に示すようにＬ／Ｓ部（ａ）にお
ける無機ＳＯＧ膜５が除去されるまで行う。エッチバッ
クの条件例を以下に示す。 エッチングガス ；ＣＨＦ3 ／ＣＦ4 ／Ａｒ ガス流量 ；ＣＨＦ3 ／ＣＦ4 ／Ａｒ＝３０／１
５／１５０ｓｃｃｍ 雰囲気圧力 ； ２０Ｐａ エッチング速度 ； ２４０ｎｍ／ｍｉｎ
膜４および無機ＳＯＧ膜５からなる絶縁膜６を得た後
は、第２工程として絶縁膜６のエッチバックを行う。こ
のエッチバックは、図１（ハ）に示すように、パッド部
（ｂ）の無機ＳＯＧ膜５と有機ＳＯＧ膜４とが除去さ
れ、さらに図１（ニ）に示すようにＬ／Ｓ部（ａ）にお
ける無機ＳＯＧ膜５が除去されるまで行う。エッチバッ
クの条件例を以下に示す。 エッチングガス ；ＣＨＦ3 ／ＣＦ4 ／Ａｒ ガス流量 ；ＣＨＦ3 ／ＣＦ4 ／Ａｒ＝３０／１
５／１５０ｓｃｃｍ 雰囲気圧力 ； ２０Ｐａ エッチング速度 ； ２４０ｎｍ／ｍｉｎ
【００２４】上記したように、パッド部（ｂ）の有機Ｓ
ＯＧ膜４の膜厚はフィールド部（ｃ）のそれよりも薄い
ため、このエッチバックによりパッド部（ｂ）の有機Ｓ
ＯＧ膜４が除去された時点で、つまりＰ−ＴＥＯＳ膜３
が露出した時点で、図１（ハ）に示すようにフィールド
部（ｃ）には有機ＳＯＧ膜４が残っている。またＬ／Ｓ
部（ａ）においては、Ｐ−ＴＥＯＳ膜３の突出部分３ｂ
の上側に形成された薄い無機ＳＯＧ膜５および有機ＳＯ
Ｇ膜４が除去され、さらにその下層のＰ−ＴＥＯＳ膜３
がエッチングされるが、Ｐ−ＴＥＯＳ膜３の凹部３ａ内
に埋め込まれた無機ＳＯＧ膜５は除去されずに残ってい
る。
ＯＧ膜４の膜厚はフィールド部（ｃ）のそれよりも薄い
ため、このエッチバックによりパッド部（ｂ）の有機Ｓ
ＯＧ膜４が除去された時点で、つまりＰ−ＴＥＯＳ膜３
が露出した時点で、図１（ハ）に示すようにフィールド
部（ｃ）には有機ＳＯＧ膜４が残っている。またＬ／Ｓ
部（ａ）においては、Ｐ−ＴＥＯＳ膜３の突出部分３ｂ
の上側に形成された薄い無機ＳＯＧ膜５および有機ＳＯ
Ｇ膜４が除去され、さらにその下層のＰ−ＴＥＯＳ膜３
がエッチングされるが、Ｐ−ＴＥＯＳ膜３の凹部３ａ内
に埋め込まれた無機ＳＯＧ膜５は除去されずに残ってい
る。
【００２５】よって、図１（ハ）に示す時点では、パッ
ド部（ｂ）においてＰ−ＴＥＯＳ膜３が露出したため増
速エッチが発生する状態となっているものの、Ｌ／Ｓ部
（ａ）のＰ−ＴＥＯＳ膜３の凹部３ａ内に無機ＳＯＧ膜
５が残っているため、凹部３ａ内に有機ＳＯＧ膜４は増
速エッチの影響を受けない。
ド部（ｂ）においてＰ−ＴＥＯＳ膜３が露出したため増
速エッチが発生する状態となっているものの、Ｌ／Ｓ部
（ａ）のＰ−ＴＥＯＳ膜３の凹部３ａ内に無機ＳＯＧ膜
５が残っているため、凹部３ａ内に有機ＳＯＧ膜４は増
速エッチの影響を受けない。
【００２６】さらに図１（ニ）に示すようにＬ／Ｓ部
（ａ）の無機ＳＯＧ膜５が除去されるまでエッチバック
を続けると、Ｌ／Ｓ部（ａ）のＰ−ＴＥＯＳ膜３の突出
部分３ｂの上側がさらに若干削られてその膜厚が薄くな
る。またフィールド部（ｃ）の有機ＳＯＧ膜４が除去さ
れるとともに、パッド部（ｂ）におけるＰ−ＴＥＯＳ膜
３の突出部分３ｂの上側が若干エッチングされてその部
分の膜厚が薄くなる。
（ａ）の無機ＳＯＧ膜５が除去されるまでエッチバック
を続けると、Ｌ／Ｓ部（ａ）のＰ−ＴＥＯＳ膜３の突出
部分３ｂの上側がさらに若干削られてその膜厚が薄くな
る。またフィールド部（ｃ）の有機ＳＯＧ膜４が除去さ
れるとともに、パッド部（ｂ）におけるＰ−ＴＥＯＳ膜
３の突出部分３ｂの上側が若干エッチングされてその部
分の膜厚が薄くなる。
【００２７】しかしながら、上述したようにＬ／Ｓ部
（ａ）において、Ｐ−ＴＥＯＳ膜３の凹部３ａ内に埋め
込まれている有機ＳＯＧ膜４は、無機ＳＯＧ膜５が除去
されるまで増速エッチによる影響を受けず、無機ＳＯＧ
膜５が除去された時点でその影響を受けることになるこ
とから、凹部３ａ内に埋め込まれている有機ＳＯＧ膜４
のエッチング量が抑えられるので、Ｐ−ＴＥＯＳ膜３の
凹部３ａ内の埋め込みのバラツキ、すなわちギャップフ
ィルのバラツキが小さくなる。
（ａ）において、Ｐ−ＴＥＯＳ膜３の凹部３ａ内に埋め
込まれている有機ＳＯＧ膜４は、無機ＳＯＧ膜５が除去
されるまで増速エッチによる影響を受けず、無機ＳＯＧ
膜５が除去された時点でその影響を受けることになるこ
とから、凹部３ａ内に埋め込まれている有機ＳＯＧ膜４
のエッチング量が抑えられるので、Ｐ−ＴＥＯＳ膜３の
凹部３ａ内の埋め込みのバラツキ、すなわちギャップフ
ィルのバラツキが小さくなる。
【００２８】またパッド部（ｂ）における有機ＳＯＧ膜
４と無機ＳＯＧ膜５とを合わせたＳＯＧ膜（以下、単に
ＳＯＧ膜と記す）の膜厚がフィールド部（ｃ）における
それよりも薄く形成されていることから、例えばパッド
部（ｂ）の有機ＳＯＧ４膜がなくなるようにエッチバッ
クを行うと、パッド部（ｂ）のＳＯＧ膜のエッチバック
量が少なくてすみ、パッド部（ｂ）のＳＯＧ膜のエッチ
バック量のバラツキが小さくなる。その結果、絶縁膜６
において最も上側の面がバラツキの小さい平坦面に形成
されるので、最終的に良好な平坦化形状を有する平坦化
絶縁膜７が得られる。さらにパッド部（ｂ）におけるＳ
ＯＧ膜のエッチバック量のバラツキが小さく抑えられる
ことから、増速エッチによる影響が抑えられるので、平
坦化絶縁膜７の平坦性を向上させることができる。
４と無機ＳＯＧ膜５とを合わせたＳＯＧ膜（以下、単に
ＳＯＧ膜と記す）の膜厚がフィールド部（ｃ）における
それよりも薄く形成されていることから、例えばパッド
部（ｂ）の有機ＳＯＧ４膜がなくなるようにエッチバッ
クを行うと、パッド部（ｂ）のＳＯＧ膜のエッチバック
量が少なくてすみ、パッド部（ｂ）のＳＯＧ膜のエッチ
バック量のバラツキが小さくなる。その結果、絶縁膜６
において最も上側の面がバラツキの小さい平坦面に形成
されるので、最終的に良好な平坦化形状を有する平坦化
絶縁膜７が得られる。さらにパッド部（ｂ）におけるＳ
ＯＧ膜のエッチバック量のバラツキが小さく抑えられる
ことから、増速エッチによる影響が抑えられるので、平
坦化絶縁膜７の平坦性を向上させることができる。
【００２９】なお、上記のエッチバックでは、パッド部
（ｂ）においてＰ−ＴＥＯＳ膜３が露出した時点で、無
機ＳＯＧ膜５に対するＰ−ＴＥＯＳ膜３のエッチング選
択比を１．２程度まで下げることが可能である。この場
合には、Ｐ−ＴＥＯＳ膜３と無機ＳＯＧ膜５とを同程度
にエッチングすることが可能となるため、平坦化絶縁膜
７の平坦性をさらに向上させることができる。
（ｂ）においてＰ−ＴＥＯＳ膜３が露出した時点で、無
機ＳＯＧ膜５に対するＰ−ＴＥＯＳ膜３のエッチング選
択比を１．２程度まで下げることが可能である。この場
合には、Ｐ−ＴＥＯＳ膜３と無機ＳＯＧ膜５とを同程度
にエッチングすることが可能となるため、平坦化絶縁膜
７の平坦性をさらに向上させることができる。
【００３０】上記のように平坦化絶縁膜７を得た後は、
さらにその表面の平坦化形状を良好にすべく図１（ホ）
に示すように再び上記の第１工程と同様にして、基体１
上に平坦化絶縁膜７を介してＰ−ＴＥＯＳ３、有機ＳＯ
Ｇ膜４および無機ＳＯＧ膜５からなる絶縁膜８を形成す
る。そして、図１（ヘ）に示すようにパッド部（ｂ）に
おいて絶縁膜８中のＰ−ＴＥＯＳ膜３が露出するまで絶
縁膜８をエッチバックする。このように上記の第１工程
および第２工程を繰り返し行えば、上述と同様の理由に
よりさらに平坦化形状の良好な平坦化絶縁膜９を得るこ
とができる。
さらにその表面の平坦化形状を良好にすべく図１（ホ）
に示すように再び上記の第１工程と同様にして、基体１
上に平坦化絶縁膜７を介してＰ−ＴＥＯＳ３、有機ＳＯ
Ｇ膜４および無機ＳＯＧ膜５からなる絶縁膜８を形成す
る。そして、図１（ヘ）に示すようにパッド部（ｂ）に
おいて絶縁膜８中のＰ−ＴＥＯＳ膜３が露出するまで絶
縁膜８をエッチバックする。このように上記の第１工程
および第２工程を繰り返し行えば、上述と同様の理由に
よりさらに平坦化形状の良好な平坦化絶縁膜９を得るこ
とができる。
【００３１】以上のようにこの実施例では、有機ＳＯＧ
膜４の形成材料に低粘性の有機系絶縁材料を用いること
から、パッド部（ｂ）のＳＯＧ膜全体の膜厚を、フィー
ルド部（ｃ）におけるそれよりも薄く形成できるので、
パッド部（ｂ）の有機ＳＯＧ膜４がなくなるまエッチバ
ックを行うと、パッド部（ｂ）のＳＯＧ膜のエッチバッ
ク量が少なくてすみ、パッド部（ｂ）のＳＯＧ膜のエッ
チバック量のバラツキが小さくなる。その結果、絶縁膜
８において最も上側の面がバラツキの小さい平坦面に形
成されるので、最終的に平坦性の良好な平坦化絶縁膜９
を得ることができる。しかも、またパッド部（ｂ）のＳ
ＯＧ膜のエッチバック量のバラツキが小さいことから増
速エッチの影響も少なくなるので、平坦化絶縁膜９の平
坦性を向上させることができる。
膜４の形成材料に低粘性の有機系絶縁材料を用いること
から、パッド部（ｂ）のＳＯＧ膜全体の膜厚を、フィー
ルド部（ｃ）におけるそれよりも薄く形成できるので、
パッド部（ｂ）の有機ＳＯＧ膜４がなくなるまエッチバ
ックを行うと、パッド部（ｂ）のＳＯＧ膜のエッチバッ
ク量が少なくてすみ、パッド部（ｂ）のＳＯＧ膜のエッ
チバック量のバラツキが小さくなる。その結果、絶縁膜
８において最も上側の面がバラツキの小さい平坦面に形
成されるので、最終的に平坦性の良好な平坦化絶縁膜９
を得ることができる。しかも、またパッド部（ｂ）のＳ
ＯＧ膜のエッチバック量のバラツキが小さいことから増
速エッチの影響も少なくなるので、平坦化絶縁膜９の平
坦性を向上させることができる。
【００３２】またパッド部（ｂ）において有機ＳＯＧ４
膜がなくなるまでエッチバックした時点で、Ｌ／Ｓ部
（ａ）においてＰ−ＴＥＯＳ膜３の凹部３ａ内に埋め込
まれている有機ＳＯＧ膜４は、その上層の無機ＳＯＧ膜
５により増速エッチの影響を受けないことからエッチバ
ック量が抑えられるため、Ｐ−ＴＥＯＳ膜３の凹部３ａ
内の埋め込みのバラツキを小さくすることができる。よ
って、このことによっても平坦性が向上した平坦化絶縁
膜９を形成することができる。
膜がなくなるまでエッチバックした時点で、Ｌ／Ｓ部
（ａ）においてＰ−ＴＥＯＳ膜３の凹部３ａ内に埋め込
まれている有機ＳＯＧ膜４は、その上層の無機ＳＯＧ膜
５により増速エッチの影響を受けないことからエッチバ
ック量が抑えられるため、Ｐ−ＴＥＯＳ膜３の凹部３ａ
内の埋め込みのバラツキを小さくすることができる。よ
って、このことによっても平坦性が向上した平坦化絶縁
膜９を形成することができる。
【００３３】さらにパッド部（ｂ）においては、エッチ
バック終了時には有機ＳＯＧ膜４および無機ＳＯＧ膜５
がすべてエッチングされて除去されるため、無機ＳＯＧ
膜５特有のクラックの発生や、吸水性、脱水性の問題を
防ぐことができる。またパッド部（ｂ）にコンタクトを
形成する場合、有機ＳＯＧ膜に起因するポイズンドビア
の発生が防げるため、コンタクト不良も防止される。
バック終了時には有機ＳＯＧ膜４および無機ＳＯＧ膜５
がすべてエッチングされて除去されるため、無機ＳＯＧ
膜５特有のクラックの発生や、吸水性、脱水性の問題を
防ぐことができる。またパッド部（ｂ）にコンタクトを
形成する場合、有機ＳＯＧ膜に起因するポイズンドビア
の発生が防げるため、コンタクト不良も防止される。
【００３４】したがって上記実施例方法は、エッチバッ
ク等のプロセスバラツキがあっても良好な平坦化形状を
有する平坦化絶縁膜を形成できるので、平坦化絶縁膜の
安定した生産が可能となるとともに、デバイス特性に悪
影響を及ぼさない平坦化絶縁膜を形成できるので、デバ
イス特性の良好な半導体装置を製造するうえで非常に有
効である。
ク等のプロセスバラツキがあっても良好な平坦化形状を
有する平坦化絶縁膜を形成できるので、平坦化絶縁膜の
安定した生産が可能となるとともに、デバイス特性に悪
影響を及ぼさない平坦化絶縁膜を形成できるので、デバ
イス特性の良好な半導体装置を製造するうえで非常に有
効である。
【００３５】なお、本実施例では、第１工程と第２工程
とを１サイクルとして２サイクル行った場合について述
べたが、１サイクル行った段階で十分に良好な平坦化形
状を有する平坦化絶縁膜が形成できれば特に２サイクル
行う必要がない。また１サイクル行った後、従来の有機
ＳＯＧ膜を用いた平坦化プロセスを行うこともできる。
とを１サイクルとして２サイクル行った場合について述
べたが、１サイクル行った段階で十分に良好な平坦化形
状を有する平坦化絶縁膜が形成できれば特に２サイクル
行う必要がない。また１サイクル行った後、従来の有機
ＳＯＧ膜を用いた平坦化プロセスを行うこともできる。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、有
機ＳＯＧ膜の形成材料が自重により流動する粘性を有し
ているので、突出部直上のＳＯＧ膜全体の膜厚を、突出
部が形成されていない基体直上のＳＯＧ膜全体の膜厚よ
り薄く形成できる。よって、例えば突出部上面のＳＯＧ
膜が除去されるまでエッチバックすると、突出部直状の
ＳＯＧ膜のエッチバック量が少なくてすみ、突出部直上
の部分のエッチバック量のバラツキを小さく抑えること
ができる。よって、基体上面に形成された絶縁膜におい
て最も上側の面をバラツキの小さい平坦面に形成できる
ので、最終的に平坦性の良好な平坦化絶縁膜を得ること
ができる。しかも、突出部直上の部分のＳＯＧ膜のエッ
チバック量のバラツキが小さいことから増速エッチの影
響も抑えることができるので、平坦化絶縁膜の平坦性を
向上させることができる。
機ＳＯＧ膜の形成材料が自重により流動する粘性を有し
ているので、突出部直上のＳＯＧ膜全体の膜厚を、突出
部が形成されていない基体直上のＳＯＧ膜全体の膜厚よ
り薄く形成できる。よって、例えば突出部上面のＳＯＧ
膜が除去されるまでエッチバックすると、突出部直状の
ＳＯＧ膜のエッチバック量が少なくてすみ、突出部直上
の部分のエッチバック量のバラツキを小さく抑えること
ができる。よって、基体上面に形成された絶縁膜におい
て最も上側の面をバラツキの小さい平坦面に形成できる
ので、最終的に平坦性の良好な平坦化絶縁膜を得ること
ができる。しかも、突出部直上の部分のＳＯＧ膜のエッ
チバック量のバラツキが小さいことから増速エッチの影
響も抑えることができるので、平坦化絶縁膜の平坦性を
向上させることができる。
【００３７】また基体上面に突出部が複数配置されて突
出部間に溝が形成されている場合、突出部に沿って形成
される酸化シリコン系材料膜の凹部内には有機ＳＯＧ膜
と無機ＳＯＧ膜とが埋め込まれることから、エッチバッ
クの際、凹部内の無機ＳＯＧ膜によってその下層の有機
ＳＯＧ膜の増速エッチによるエッチングを抑えることが
できる。よって、凹部の埋め込みのバラツキを小さく抑
えることができるので、このことによっても平坦性が向
上した平坦化絶縁膜を形成することができる。したがっ
て本発明によれば、プロセスバラツキがあっても良好な
平坦化形状を有する平坦化絶縁膜を形成できるので、平
坦化絶縁膜の安定した生産が可能となる。
出部間に溝が形成されている場合、突出部に沿って形成
される酸化シリコン系材料膜の凹部内には有機ＳＯＧ膜
と無機ＳＯＧ膜とが埋め込まれることから、エッチバッ
クの際、凹部内の無機ＳＯＧ膜によってその下層の有機
ＳＯＧ膜の増速エッチによるエッチングを抑えることが
できる。よって、凹部の埋め込みのバラツキを小さく抑
えることができるので、このことによっても平坦性が向
上した平坦化絶縁膜を形成することができる。したがっ
て本発明によれば、プロセスバラツキがあっても良好な
平坦化形状を有する平坦化絶縁膜を形成できるので、平
坦化絶縁膜の安定した生産が可能となる。
【図１】（イ）〜（ヘ）は本発明に係る平坦化絶縁膜の
形成方法の一実施例を工程順に示す説明図である。
形成方法の一実施例を工程順に示す説明図である。
１ 基体 ２ 配線（突出部） ３ Ｐ−ＴＥＯＳ膜（酸化シリコン系材料膜） ３ｂ 突出部分 ４ 有機ＳＯＧ膜 ５ 無機ＳＯＧ膜 ６、８ 絶縁膜 ７、９ 平坦化絶縁膜
Claims (2)
- 【請求項１】 突出部を有する基体上面に平坦化絶縁膜
を形成する方法において、 前記突出部を覆う状態で前記基体上面に酸化シリコン系
材料膜と、有機スピンオンガラス膜と、無機スピンオン
ガラス膜とを順次積層形成してこれらの積層体からなる
絶縁膜を得る第１工程と、 前記絶縁膜をエッチバックする第２工程とを有し、 前記有機スピンオンガラス膜は、その形成材料が前記酸
化シリコン系材料膜の上面に塗布された際、前記突出部
に沿って形成される酸化シリコン系材料膜の突出部分に
おける上側から下側に自重により流動する粘性を有して
いることを特徴とする平坦化絶縁膜の形成方法。 - 【請求項２】 前記第２工程のエッチバックは、前記無
機スピンオンガラス膜が除去されるまで行うことを特徴
とする請求項１記載の平坦化絶縁膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9836395A JPH08293493A (ja) | 1995-04-24 | 1995-04-24 | 平坦化絶縁膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9836395A JPH08293493A (ja) | 1995-04-24 | 1995-04-24 | 平坦化絶縁膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08293493A true JPH08293493A (ja) | 1996-11-05 |
Family
ID=14217806
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9836395A Pending JPH08293493A (ja) | 1995-04-24 | 1995-04-24 | 平坦化絶縁膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08293493A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005115362A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び表示装置の作製方法 |
| US8044574B2 (en) | 2003-09-19 | 2011-10-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of display device |
| JP2013070079A (ja) * | 2003-12-11 | 2013-04-18 | Intellectual Venturesii Llc | イメージセンサの無機物マイクロレンズの形成方法 |
-
1995
- 1995-04-24 JP JP9836395A patent/JPH08293493A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005115362A (ja) * | 2003-09-19 | 2005-04-28 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及び表示装置の作製方法 |
| US8044574B2 (en) | 2003-09-19 | 2011-10-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of display device |
| US8362693B2 (en) | 2003-09-19 | 2013-01-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of display device |
| JP2013070079A (ja) * | 2003-12-11 | 2013-04-18 | Intellectual Venturesii Llc | イメージセンサの無機物マイクロレンズの形成方法 |
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