JPH06280052A - エッチング方法及び装置 - Google Patents
エッチング方法及び装置Info
- Publication number
- JPH06280052A JPH06280052A JP9208893A JP9208893A JPH06280052A JP H06280052 A JPH06280052 A JP H06280052A JP 9208893 A JP9208893 A JP 9208893A JP 9208893 A JP9208893 A JP 9208893A JP H06280052 A JPH06280052 A JP H06280052A
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- JP
- Japan
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- etching
- thin film
- resist pattern
- resist
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- Pending
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- Liquid Crystal (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】ガラス基板の上に形成されたレジストパターン
の残渣（残りかす）を除去し、所定形状のレジストパタ
ーンを得ると共に、液晶装置に使用した場合におけるシ
ョート（短絡）の問題を解消する。 【構成】ガラス基板Ｇの上に金属薄膜を形成し、さらに
その上にレジスト膜を形成する。そして、フォトリソグ
ラフィによってレジストパターンを形成した後に、０．
５Ｊ／ｃｍ2 〜２０Ｊ／ｃｍ2 の紫外線を紫外線照射室
１内で照射する。したがって、レジストパターンが所望
形状でなく残渣が残っている場合でも、該残渣は紫外線
により除去される。次に、エッチング室２にて金属薄膜
のエッチングを行い、所定形状の電極を形成する。
の残渣（残りかす）を除去し、所定形状のレジストパタ
ーンを得ると共に、液晶装置に使用した場合におけるシ
ョート（短絡）の問題を解消する。 【構成】ガラス基板Ｇの上に金属薄膜を形成し、さらに
その上にレジスト膜を形成する。そして、フォトリソグ
ラフィによってレジストパターンを形成した後に、０．
５Ｊ／ｃｍ2 〜２０Ｊ／ｃｍ2 の紫外線を紫外線照射室
１内で照射する。したがって、レジストパターンが所望
形状でなく残渣が残っている場合でも、該残渣は紫外線
により除去される。次に、エッチング室２にて金属薄膜
のエッチングを行い、所定形状の電極を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜のエッチング方法
及びその方法の実施に際して使用するエッチング装置に
係り、詳しくはレジストパターンにおける残渣の除去に
関する。
及びその方法の実施に際して使用するエッチング装置に
係り、詳しくはレジストパターンにおける残渣の除去に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、フォトリソグラフィによるパター
ン形成技術は広く知られている。例えば、液晶装置の金
属電極を例にして説明すると、まずガラス基板上に金属
薄膜を形成して、さらにその上に厚さ約１μｍのレジス
ト膜を形成する。次に、レジスト膜の仮乾燥行った後、
所定のパターンを有するマスクを介して紫外線光（ＵＶ
光）で露光し、現像液にて現像し、さらに本硬化を行な
う。これにより、レジスト膜が所望形状のパターン（以
下、“レジストパターン”とし、金属電極のパターン
（“電極パターン”とする）と区別する）にされてパタ
ーニングが終了する。そして、次のエッチング工程にお
いては、レジスト膜によって被覆されていない部分の金
属薄膜がエッチングされて、所望形状の電極パターンが
形成される。なお、かかるエッチングを行うための装置
としては、図１に示すようなスプレー方式のエッチング
装置が用いられている。この装置は、エッチング液を噴
霧してエッチングするエッチング室２と、純水を噴霧し
てエッチング液を洗い流す洗浄室３と、いわゆるエアー
ナイフで前記純粋の水切りを行う除去室５とを備えてい
る。このように、エッチング装置はエッチング室２、洗
浄室３及び除去室５が組み合わされたものであり、これ
らの室２，３，５の内部をガラス基板Ｇが搬送されて、
エッチング・洗浄・乾燥が効率良く行われるようになっ
ている。
ン形成技術は広く知られている。例えば、液晶装置の金
属電極を例にして説明すると、まずガラス基板上に金属
薄膜を形成して、さらにその上に厚さ約１μｍのレジス
ト膜を形成する。次に、レジスト膜の仮乾燥行った後、
所定のパターンを有するマスクを介して紫外線光（ＵＶ
光）で露光し、現像液にて現像し、さらに本硬化を行な
う。これにより、レジスト膜が所望形状のパターン（以
下、“レジストパターン”とし、金属電極のパターン
（“電極パターン”とする）と区別する）にされてパタ
ーニングが終了する。そして、次のエッチング工程にお
いては、レジスト膜によって被覆されていない部分の金
属薄膜がエッチングされて、所望形状の電極パターンが
形成される。なお、かかるエッチングを行うための装置
としては、図１に示すようなスプレー方式のエッチング
装置が用いられている。この装置は、エッチング液を噴
霧してエッチングするエッチング室２と、純水を噴霧し
てエッチング液を洗い流す洗浄室３と、いわゆるエアー
ナイフで前記純粋の水切りを行う除去室５とを備えてい
る。このように、エッチング装置はエッチング室２、洗
浄室３及び除去室５が組み合わされたものであり、これ
らの室２，３，５の内部をガラス基板Ｇが搬送されて、
エッチング・洗浄・乾燥が効率良く行われるようになっ
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したフ
ォトリソグラフィの現像工程においては現像液によって
レジスト膜が溶解されるが、その溶解速度はガラス基板
からの距離に応じて異なり、ガラス基板の近傍では遅く
なる。したがって、レジスト膜はガラス基板界面に残渣
（残りかす）として残り易く、エッチング工程において
金属薄膜を所定の電極パターンに形成しようとしても、
レジスト膜が残渣として残った部分の金属薄膜はエッチ
ングされずに残ってしまっていた。そして、このような
エッチング残りはショート（短絡）の原因となってい
た。また、かかるエッチング残りをレーザや再度のエッ
チングで除去することも可能ではあるが、生産工程の複
雑化を招き、大型のガラス基板を製造するに際してはか
なり大きな問題となっていた。
ォトリソグラフィの現像工程においては現像液によって
レジスト膜が溶解されるが、その溶解速度はガラス基板
からの距離に応じて異なり、ガラス基板の近傍では遅く
なる。したがって、レジスト膜はガラス基板界面に残渣
（残りかす）として残り易く、エッチング工程において
金属薄膜を所定の電極パターンに形成しようとしても、
レジスト膜が残渣として残った部分の金属薄膜はエッチ
ングされずに残ってしまっていた。そして、このような
エッチング残りはショート（短絡）の原因となってい
た。また、かかるエッチング残りをレーザや再度のエッ
チングで除去することも可能ではあるが、生産工程の複
雑化を招き、大型のガラス基板を製造するに際してはか
なり大きな問題となっていた。
【０００４】そこで、本発明は、紫外線を照射してレジ
ストパターンの残渣を除去することにより、ショート
（短絡）の問題を解消し、また生産工程の複雑化の問題
もないエッチング方法及び装置を提供することを目的と
するものである。
ストパターンの残渣を除去することにより、ショート
（短絡）の問題を解消し、また生産工程の複雑化の問題
もないエッチング方法及び装置を提供することを目的と
するものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述事情に鑑
みなされたものであって、その第１の発明は、基板上に
薄膜を形成し、該薄膜上に所望形状のレジストパターン
を形成し、さらに該薄膜をエッチングして所望形状にす
るエッチング方法において、前記レジストパターンを形
成した後であって前記薄膜をエッチングする前に、０．
５Ｊ／ｃｍ2 〜２０Ｊ／ｃｍ2 の紫外線を前記レジスト
パターンに照射する、ことを特徴とする。
みなされたものであって、その第１の発明は、基板上に
薄膜を形成し、該薄膜上に所望形状のレジストパターン
を形成し、さらに該薄膜をエッチングして所望形状にす
るエッチング方法において、前記レジストパターンを形
成した後であって前記薄膜をエッチングする前に、０．
５Ｊ／ｃｍ2 〜２０Ｊ／ｃｍ2 の紫外線を前記レジスト
パターンに照射する、ことを特徴とする。
【０００６】この場合、前記レジストパターンが、ポジ
形のレジスト樹脂により形成される、ようにすると好ま
しい。
形のレジスト樹脂により形成される、ようにすると好ま
しい。
【０００７】また、前記基板が液晶装置を構成するガラ
ス基板であり、前記薄膜が透明導電膜である、ようにし
てもよい。
ス基板であり、前記薄膜が透明導電膜である、ようにし
てもよい。
【０００８】さらに、前記薄膜が、Ａｌ，Ｍｏ，Ｃｒ，
Ｔａ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ａｕ，Ａｇまたはこれらの合
金からなる金属薄膜である、ようにしてもよい。
Ｔａ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ａｕ，Ａｇまたはこれらの合
金からなる金属薄膜である、ようにしてもよい。
【０００９】一方、第２の発明は、０．５Ｊ／ｃｍ2 〜
２０Ｊ／ｃｍ2 の紫外線を照射する紫外線照射室と、エ
ッチング液を噴霧するエッチング室と、を備え、かつ、
薄膜が形成されると共に該薄膜の上に所望形状のレジス
トパターンが形成された基板に対して紫外線を照射し、
該紫外線照射後の基板にエッチング液を噴霧する、こと
を特徴とする。
２０Ｊ／ｃｍ2 の紫外線を照射する紫外線照射室と、エ
ッチング液を噴霧するエッチング室と、を備え、かつ、
薄膜が形成されると共に該薄膜の上に所望形状のレジス
トパターンが形成された基板に対して紫外線を照射し、
該紫外線照射後の基板にエッチング液を噴霧する、こと
を特徴とする。
【００１０】
【作用】以上構成に基づき、０．５Ｊ／ｃｍ2 〜２０Ｊ
／ｃｍ2 の紫外線を前記レジストパターンに照射する
と、該レジストパターンの表面部分は除去される。した
がって、レジストパターンに残渣が形成されている場合
でも、該残渣が紫外線により除去され、レジストパター
ンは所望の形状となる。
／ｃｍ2 の紫外線を前記レジストパターンに照射する
と、該レジストパターンの表面部分は除去される。した
がって、レジストパターンに残渣が形成されている場合
でも、該残渣が紫外線により除去され、レジストパター
ンは所望の形状となる。
【００１１】
【実施例】以下、図面に沿って、本発明の実施例につい
て説明する。なお、図１に示すものと同一部分は同一符
号を付して説明を省略する。
て説明する。なお、図１に示すものと同一部分は同一符
号を付して説明を省略する。
【００１２】本実施例においても上述したと同様の方法
でレジストパターンを形成するが、金属薄膜（透明導電
膜）の材質はモリブデン（Ｍｏ）とした。また、ガラス
基板Ｇの大きさは、たて３００ｍｍ、よこ３００ｍｍ、
厚さ１．０ｍｍとし、ガラス基板Ｇの上にＭｏ薄膜を厚
さ１５００Åだけ成膜した。この成膜にはスパッタリン
グ法を使用した。次に、ロールコータを用いて、Ｍｏ薄
膜の上にレジスト膜を約１μｍの厚さに形成し、レジス
ト膜の仮乾燥（プリべーク）を行った。そして、上述し
たと同様に露光・現像・本硬化（ポストべーク）を行な
った。このようにして、ラインピッチ：２００μｍ、ラ
イン巾：１９７μｍ、ライン間：３μｍ、ライン間長
さ：２５０ｍｍのストライプ状のレジストパターンを１
２００本形成した。
でレジストパターンを形成するが、金属薄膜（透明導電
膜）の材質はモリブデン（Ｍｏ）とした。また、ガラス
基板Ｇの大きさは、たて３００ｍｍ、よこ３００ｍｍ、
厚さ１．０ｍｍとし、ガラス基板Ｇの上にＭｏ薄膜を厚
さ１５００Åだけ成膜した。この成膜にはスパッタリン
グ法を使用した。次に、ロールコータを用いて、Ｍｏ薄
膜の上にレジスト膜を約１μｍの厚さに形成し、レジス
ト膜の仮乾燥（プリべーク）を行った。そして、上述し
たと同様に露光・現像・本硬化（ポストべーク）を行な
った。このようにして、ラインピッチ：２００μｍ、ラ
イン巾：１９７μｍ、ライン間：３μｍ、ライン間長
さ：２５０ｍｍのストライプ状のレジストパターンを１
２００本形成した。
【００１３】次に、Ｍｏ薄膜のエッチングを行うが、本
実施例においては図２に示すエッチング装置を用いた。
すなわち、本実施例のエッチング装置は、紫外線を照射
する紫外線照射室１を備えており、レジストパターンに
対して紫外線を照射するようになっている。なお、この
紫外線照射室１にはエッチング室２、洗浄室３及び除去
室５が連設されており、紫外線の照射されたガラス基板
Ｇを上述と同様にエッチングするようになっている。
実施例においては図２に示すエッチング装置を用いた。
すなわち、本実施例のエッチング装置は、紫外線を照射
する紫外線照射室１を備えており、レジストパターンに
対して紫外線を照射するようになっている。なお、この
紫外線照射室１にはエッチング室２、洗浄室３及び除去
室５が連設されており、紫外線の照射されたガラス基板
Ｇを上述と同様にエッチングするようになっている。
【００１４】本発明者は、上記形状のレジストパターン
の形成されたガラス基板Ｇを使って本実施例の効果を確
かめた。但し、紫外線照射室１においては０．６ｍ／ｍ
ｉｎの速度でガラス基板Ｇを搬送し、これに１０Ｊ／ｃ
ｍ2 の紫外線を照射した。また、エッチング液には、リ
ン酸（８５ｗｔ％）：硝酸（６０ｗｔ％）：酢酸（９８
ｗｔ％）：水＝１６：２：１：１（ｖｏｌ％）の混合溶
液を用いて、エッチング室２にて９０秒間噴霧した（但
し、液温は室温とした）。さらに、洗浄室３における純
粋の噴霧時間は９０秒とした。また、比較のために同形
状のガラス基板Ｇを図１に示すエッチング装置にてエッ
チングした。そして、電極パターン形成後にレジスト膜
を剥離してエッチング残りをチェックしたが、図２の装
置によるものにおいては残渣は全く発見されなかった。
これに対して、図１の装置によるものにおいては１００
０ケ所以上のエッチング残りが発生していた。
の形成されたガラス基板Ｇを使って本実施例の効果を確
かめた。但し、紫外線照射室１においては０．６ｍ／ｍ
ｉｎの速度でガラス基板Ｇを搬送し、これに１０Ｊ／ｃ
ｍ2 の紫外線を照射した。また、エッチング液には、リ
ン酸（８５ｗｔ％）：硝酸（６０ｗｔ％）：酢酸（９８
ｗｔ％）：水＝１６：２：１：１（ｖｏｌ％）の混合溶
液を用いて、エッチング室２にて９０秒間噴霧した（但
し、液温は室温とした）。さらに、洗浄室３における純
粋の噴霧時間は９０秒とした。また、比較のために同形
状のガラス基板Ｇを図１に示すエッチング装置にてエッ
チングした。そして、電極パターン形成後にレジスト膜
を剥離してエッチング残りをチェックしたが、図２の装
置によるものにおいては残渣は全く発見されなかった。
これに対して、図１の装置によるものにおいては１００
０ケ所以上のエッチング残りが発生していた。
【００１５】以上、本実施例によれば、現像工程におい
てレジスト樹脂（レジスト膜）が残渣として残った場合
でも、紫外線を照射することによりレジストパターンの
表面部分は除去され、それに伴い残渣も除去される。し
たがって、レジストパターンは所望の形状となり、エッ
チング室２にてエッチングを行うことによって所望形状
の電極パターンが形成される。このため、かかる方法に
よって製造されたガラス基板Ｇを液晶装置に使用しても
ショート（短絡）の問題が解消され、またエッチング残
り除去のためにレーザ照射や再エッチングを施す必要が
なく生産工程の複雑化の問題もない。
てレジスト樹脂（レジスト膜）が残渣として残った場合
でも、紫外線を照射することによりレジストパターンの
表面部分は除去され、それに伴い残渣も除去される。し
たがって、レジストパターンは所望の形状となり、エッ
チング室２にてエッチングを行うことによって所望形状
の電極パターンが形成される。このため、かかる方法に
よって製造されたガラス基板Ｇを液晶装置に使用しても
ショート（短絡）の問題が解消され、またエッチング残
り除去のためにレーザ照射や再エッチングを施す必要が
なく生産工程の複雑化の問題もない。
【００１６】なお、上述実施例においてはＭｏ薄膜のパ
ターンを形成する場合について説明したが、もちろんこ
れに限るものではなく、他の材質（例えば、Ａｌ，Ｍ
ｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ａｕ，Ａｇまたは
これらの合金）の電極パターンを形成するのに用いても
よい。例えば、ＩＴＯ薄膜をエッチングする場合には、
４５℃に加温したヨウ化水素酸５５％のエッチング液を
１２０秒間スプレーしてエッチングを行なえばよい。こ
の場合にもエッチング残りがないことを本発明者は確認
した。また、本発明者は、紫外線の照射量として０．５
〜２０Ｊ／ｃｍ2望ましいことも確かめた。さらに、レ
ジストパターンはポジ形のレジスト樹脂にて形成される
ようにすることが望ましい。
ターンを形成する場合について説明したが、もちろんこ
れに限るものではなく、他の材質（例えば、Ａｌ，Ｍ
ｏ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ａｕ，Ａｇまたは
これらの合金）の電極パターンを形成するのに用いても
よい。例えば、ＩＴＯ薄膜をエッチングする場合には、
４５℃に加温したヨウ化水素酸５５％のエッチング液を
１２０秒間スプレーしてエッチングを行なえばよい。こ
の場合にもエッチング残りがないことを本発明者は確認
した。また、本発明者は、紫外線の照射量として０．５
〜２０Ｊ／ｃｍ2望ましいことも確かめた。さらに、レ
ジストパターンはポジ形のレジスト樹脂にて形成される
ようにすることが望ましい。
【００１７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
残渣が紫外線により除去されるため、レジストパターン
は所望の形状となる。したがって、本発明に係るエッチ
ング方法によって製造された基板を液晶装置に使用して
もショート（短絡）の問題が解消され、またエッチング
残り除去のためにレーザ照射や再エッチングを施す必要
がなく生産工程の複雑化の問題もない。
残渣が紫外線により除去されるため、レジストパターン
は所望の形状となる。したがって、本発明に係るエッチ
ング方法によって製造された基板を液晶装置に使用して
もショート（短絡）の問題が解消され、またエッチング
残り除去のためにレーザ照射や再エッチングを施す必要
がなく生産工程の複雑化の問題もない。
【図１】従来のエッチング装置の構成を示す模式図。
【図２】本実施例に用いるエッチング装置の構成を示す
模式図。
模式図。
１ 紫外線照射室 ２ エッチング室 ３ 洗浄室 ５ 除去室 Ｇ 基板（ガラス基板）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村田 辰雄 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内
Claims (5)
- 【請求項１】 基板上に薄膜を形成し、該薄膜上に所望
形状のレジストパターンを形成し、さらに該薄膜をエッ
チングして所望形状にするエッチング方法において、 前記レジストパターンを形成した後であって前記薄膜を
エッチングする前に、０．５Ｊ／ｃｍ2 〜２０Ｊ／ｃｍ
2 の紫外線を前記レジストパターンに照射する、 ことを特徴とするエッチング方法。 - 【請求項２】 前記レジストパターンが、ポジ形のレジ
スト樹脂により形成される、 請求項１記載のエッチング方法。 - 【請求項３】 前記基板が液晶装置を構成するガラス基
板であり、前記薄膜が透明導電膜である、 請求項１又は２記載のエッチング方法。 - 【請求項４】 前記薄膜が、Ａｌ，Ｍｏ，Ｃｒ，Ｔａ，
Ｃｕ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ａｕ，Ａｇまたはこれらの合金から
なる金属薄膜である、 ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の
エッチング方法。 - 【請求項５】 ０．５Ｊ／ｃｍ2 〜２０Ｊ／ｃｍ2 の紫
外線を照射する紫外線照射室と、エッチング液を噴霧す
るエッチング室と、を備え、かつ、 薄膜が形成されると共に該薄膜の上に所望形状のレジス
トパターンが形成された基板に対して紫外線を照射し、
該紫外線照射後の基板にエッチング液を噴霧する、 ことを特徴とするエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9208893A JPH06280052A (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | エッチング方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9208893A JPH06280052A (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | エッチング方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06280052A true JPH06280052A (ja) | 1994-10-04 |
Family
ID=14044695
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9208893A Pending JPH06280052A (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | エッチング方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06280052A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011004789A1 (ja) * | 2009-07-09 | 2011-01-13 | 株式会社Adeka | 銅含有材料のウエットエッチングシステム及びパターニング方法 |
-
1993
- 1993-03-26 JP JP9208893A patent/JPH06280052A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011004789A1 (ja) * | 2009-07-09 | 2011-01-13 | 株式会社Adeka | 銅含有材料のウエットエッチングシステム及びパターニング方法 |
| CN102471897A (zh) * | 2009-07-09 | 2012-05-23 | 株式会社Adeka | 含铜材料的湿式蚀刻系统和图案化方法 |
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