JPH062707U - Lead frame - Google Patents
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- JPH062707U JPH062707U JP6665991U JP6665991U JPH062707U JP H062707 U JPH062707 U JP H062707U JP 6665991 U JP6665991 U JP 6665991U JP 6665991 U JP6665991 U JP 6665991U JP H062707 U JPH062707 U JP H062707U
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Abstract
(57)【要約】
【目的】外部リード端子の変形を有効に防止したリード
フレームを提供することにある。
【構成】複数個の外部リード端子２の一端が帯状金属部
材３に共通に連結されて成るリードフレーム１におい
て、前記帯状金属部材３の一部に前記外部リード端子２
が取着される絶縁基体を支持するための支持部材4 を接
合させた。支持部材４が絶縁基体を支持するため絶縁基
体１の重みによる外部リード端子２の変形が有効に防止
され、これによって外部リード端子２を所定の外部電気
回路に正確、且つ確実に接続させることができる。
(57) [Abstract] [Purpose] To provide a lead frame in which the deformation of the external lead terminals is effectively prevented. In a lead frame 1 in which one ends of a plurality of external lead terminals 2 are commonly connected to a strip-shaped metal member 3, a part of the strip-shaped metal member 3 is provided with the external lead terminals 2
The supporting member 4 for supporting the insulating substrate to which the above was attached was joined. Since the supporting member 4 supports the insulating base body, the deformation of the external lead terminal 2 due to the weight of the insulating base body 1 is effectively prevented, so that the external lead terminal 2 can be accurately and surely connected to a predetermined external electric circuit. it can.
Description
【０００１】[0001]
本考案はリードフレームの構造に関し、より詳細には半導体素子収納用パッケ ージに用いられるリードフレームの構造の改良に関するものである。 The present invention relates to a structure of a lead frame, and more particularly, to improvement of a structure of a lead frame used in a package for housing a semiconductor device.
【０００２】[0002]
従来、半導体素子、特に半導体集積回路素子を収容するための半導体素子収納 用パッケージは図3 に示すようにアルミナセラミックス等の電気絶縁材料から成 り、その上面にモリブデン、タングステン、マンガン等の高融点金属粉末から成 るメタライズ金属層12を有する絶縁基体11と、半導体素子を外部電気回路に電気 的に接続するために前記メタライズ金属層12に銀ロウ等のロウ材14を介しロウ付 けされたコバール金属(Fe-Ni-Co 合金) や42アロイ(Fe-Ni合金) 等から成る外部 リード端子13と蓋体15とから構成されており、絶縁基体11と蓋体15とから成る絶 縁容器内部に半導体素子16を収容し、容器を気密に封止することによって半導体 装置となる。 Conventionally, a semiconductor device housing package for housing semiconductor devices, especially semiconductor integrated circuit devices, is made of an electrically insulating material such as alumina ceramics as shown in Fig. 3, and has a high melting point of molybdenum, tungsten, manganese, etc. on its upper surface. An insulating substrate 11 having a metallized metal layer 12 made of metal powder was brazed to the metallized metal layer 12 via a brazing material 14 such as silver braze in order to electrically connect a semiconductor element to an external electric circuit. This is an insulated container consisting of an insulating base 11 and a lid 15, which is composed of an external lead terminal 13 and a lid 15 made of Kovar metal (Fe-Ni-Co alloy) or 42 alloy (Fe-Ni alloy). A semiconductor device is obtained by housing the semiconductor element 16 inside and hermetically sealing the container.
【０００３】 かかる従来の半導体素子収納用パッケージは絶縁基体11に設けたメタライズ金 属層12の各々に外部リード端子13をロウ付けする際、そのロウ付けの作業性を容 易とするために、また外部リード端子13の外表面に耐蝕性に優れた金属層をメッ キにより層着する際、その層着の作業性を容易とするために、更には半導体素子 収納用パッケージを輸送する際、外部リード端子13に外力が印加され、該外力に よって外部リード端子13が変形するのを防止するために、通常、各外部リード端 子13は図4 に示す如く、その一端が帯状の金属部材17に共通に連結されており、 これによって外部リード端子13は絶縁基体11へのロウ付け及び外部リード端子13 の外表面へのメッキ金属層の層着の作業性が大幅に向上し、且つ輸送時の変形が 有効に防止されるようになっている。In the conventional semiconductor element housing package, when the external lead terminals 13 are brazed to each of the metallized metal layers 12 provided on the insulating substrate 11, the workability of the brazing is facilitated. Further, when a metal layer having excellent corrosion resistance is layered on the outer surface of the external lead terminal 13 by plating, in order to facilitate the workability of the layering, and further when transporting the package for housing the semiconductor element, In order to prevent the external lead terminals 13 from being deformed by the external force applied to the external lead terminals 13, each external lead terminal 13 is usually made of a metal member whose one end has a strip shape as shown in FIG. The external lead terminal 13 is greatly connected to the insulating substrate 11 and the plated metal layer is easily attached to the outer surface of the external lead terminal 13 to improve the workability and transportability. Effectively prevents deformation It is supposed to be done.
【０００４】 尚、前記外部リード端子13はコバール金属等のインゴット( 塊) を従来周知の 圧延加工法により薄板状となすとともに金属打ち抜き加工法により所定形状に打 ち抜くことによって形成され、また外部リード端子13の一端に連結される金属部 材17も外部リード端子13の形成と同時に打ち抜き形成される。The external lead terminals 13 are formed by forming an ingot (lump) of Kovar metal or the like into a thin plate shape by a conventionally known rolling method and punching it into a predetermined shape by a metal punching method. The metal member 17 connected to one end of the lead terminal 13 is also stamped and formed at the same time when the external lead terminal 13 is formed.
【０００５】[0005]
しかしながら、近時、半導体素子収納用パッケージはその内部に収容する半導 体素子が高密度化、高集積化し、パッケージに使用される外部リード端子もその 数が極めて多いものとなり、個々の外部リード端子はその線幅が狭く、厚みの薄 い機械的強度の弱いものとなってきている。そのため外部リード端子を絶縁基体 に設けたメタライズ金属層にロウ付けした後、外部リード端子に絶縁基体の重み が印加されると該外部リード端子は容易に変形してしまい、その結果、外部リー ド端子を外部の所定電気回路に正確、且つ確実に接続することができないという 欠点を有していた。 However, in recent years, the semiconductor element housing package has a high density and high integration of the semiconductor elements housed therein, and the number of external lead terminals used in the package has become extremely large. Terminals have a narrow wire width, are thin, and have weak mechanical strength. Therefore, after the external lead terminals are brazed to the metallized metal layer provided on the insulating substrate, the external lead terminals are easily deformed when the weight of the insulating substrate is applied to the external lead terminals. It has a drawback that the terminal cannot be accurately and surely connected to an external predetermined electric circuit.
【０００６】[0006]
本考案は複数個の外部リード端子の一端が帯状金属部材に共通に連結されて成 るリードフレームにおいて、前記帯状金属部材に前記外部リード端子の取着され る絶縁基体を支持するための支持部材が接合されていることを特徴とするもので ある。 The present invention relates to a lead frame in which one ends of a plurality of external lead terminals are commonly connected to a strip-shaped metal member, and a support member for supporting the insulating substrate to which the external lead terminals are attached to the strip-shaped metal member. It is characterized by being joined.
【０００７】[0007]
次に本考案を添付図面に基づき詳細に説明する。 図1 は本考案のリードフレームの一実施例を示し、全体として1 で示されるリ ードフレームは複数個の外部リード端子2 と金属部材3 とから構成されている。 Next, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 shows an embodiment of the lead frame of the present invention. The lead frame generally designated by 1 is composed of a plurality of external lead terminals 2 and metal members 3.
【０００８】 前記外部リード端子2 は半導体素子収納用パッケージの絶縁容器内に収容され る半導体素子を外部の電気回路に電気的に接続する作用を為し、その一端側が絶 縁容器の外表面に設けた半導体素子の電極が接続されるメタライズ金属層に銀ロ ウ等のロウ材を介してロウ付けされる。The external lead terminal 2 serves to electrically connect the semiconductor element housed in the insulating container of the semiconductor element housing package to an external electric circuit, and one end of the external lead terminal 2 is located on the outer surface of the insulating container. The metallized metal layer to which the electrode of the provided semiconductor element is connected is brazed through a brazing material such as silver slag.
【０００９】 また前記複数個の外部リード端子2 はその他端側が金属部材3 に共通に連結さ れており、該金属部材3 は外部リード端子2 の各々の位置を規制し，外部リード 端子2 の一端を絶縁容器のメタライズ金属層にロウ付けする際の作業性及び外部 リード端子2 の外表面に耐蝕性に優れた金属をメッキにより層着する際の作業性 を向上させる作用を為す。The other end sides of the plurality of external lead terminals 2 are commonly connected to a metal member 3, and the metal member 3 regulates the position of each of the external lead terminals 2 and This has the effect of improving workability when brazing one end to the metallized metal layer of the insulating container and when depositing a metal having excellent corrosion resistance on the outer surface of the external lead terminal 2 by plating.
【００１０】 尚、前記外部リード端子2 の金属部材3 への連結は隣接する外部リード端子2 の間隔が絶縁容器に設けたメタライズ金属層の間隔に対応したものとなっている 。The connection between the external lead terminals 2 and the metal member 3 is such that the interval between the adjacent external lead terminals 2 corresponds to the interval between the metallized metal layers provided in the insulating container.
【００１１】 また前記外部リード端子2 及び金属部材3 はいずれもコバール金属(Fe-Ni-Co 合金) や42アロイ(Fe-Ni合金) 等の金属から成り、コバール金属等のインゴット ( 塊) を圧延加工法により薄板状となすとともに金属打ち抜き加工法により所定 形状に打ち抜くことによって一度に形成される。Further, both the external lead terminal 2 and the metal member 3 are made of a metal such as Kovar metal (Fe-Ni-Co alloy) or 42 alloy (Fe-Ni alloy), and an ingot (lump) of Kovar metal or the like is formed. It is formed at a time by forming it into a thin plate by the rolling method and punching it into a predetermined shape by the metal punching method.
【００１２】 更に前記金属部材3 はその一部に支持部材4 が接合されており、該支持部材4 は半導体素子を収容する絶縁容器を支持し、絶縁容器の重みが外部リード端子2 に加わって外部リード端子2 に変形をきたすのを有効に防止する作用をなす。Further, a supporting member 4 is joined to a part of the metal member 3, and the supporting member 4 supports an insulating container that accommodates a semiconductor element, and the weight of the insulating container is applied to the external lead terminal 2. It effectively prevents the external lead terminals 2 from being deformed.
【００１３】 前記支持部材4 は金属部材3 を金属板を打ち抜き加工法を採用して打ち抜き形 成する際に同時に形成され、半導体素子を収容する絶縁容器を支持し易いようプ レス成型法等により所定形状に成型されている。The support member 4 is formed at the same time when the metal member 3 is stamped and formed by using a metal plate punching method, and is formed by a press molding method or the like so as to easily support an insulating container that houses a semiconductor element. It is molded into a predetermined shape.
【００１４】 次に本考案のリードフレームを用いて半導体素子収納用パッケージを製造する 方法について図２に示す例で説明する。Next, a method of manufacturing a semiconductor device housing package using the lead frame of the present invention will be described with reference to an example shown in FIG.
【００１５】 まず図２に示すような半導体素子を収容するための絶縁容器を構成する絶縁基 体5 と多数の外部リード端子2 及び支持部材4 が金属部材3 に連結されたリード フレーム1 を準備する。First, as shown in FIG. 2, an insulating substrate 5 that constitutes an insulating container for housing a semiconductor device, a large number of external lead terminals 2 and a lead frame 1 in which a supporting member 4 is connected to a metal member 3 are prepared. To do.
【００１６】 前記絶縁基体5 はその上面に複数個のメタライズ金属層6 を有しており、該メ タライズ金属層6 を有する絶縁基体5 は表面に金属ペーストを印刷塗布した未焼 成セラミックシート( グリーンシート) を複数枚積層するとともに還元雰囲気中 (H2 -N2 ガス中) 、約1400〜1600℃の温度で焼成することによって形成される。The insulating substrate 5 has a plurality of metallized metal layers 6 on its upper surface, and the insulating substrate 5 having the metallized metal layers 6 has an unfired ceramic sheet ( It is formed by laminating a plurality of green sheets) and firing in a reducing atmosphere (in H 2 —N 2 gas) at a temperature of about 1400 to 1600 ° C.
【００１７】 尚、前記未焼成セラミックシートはアルミナ(Al 2 O 3 ) 、シリカ(SiO2 ) 等 のセラミック原料粉末に適当な溶剤、溶媒を添加混合して泥漿物を作り、これを 従来周知のドクターブレード法によりシート状となすことによって形成される。The unfired ceramic sheet is prepared by adding a suitable solvent and a solvent to a ceramic raw material powder such as alumina (Al 2 O 3 ), silica (SiO 2 ) or the like to prepare a slurry, which is conventionally known. It is formed by forming a sheet by the doctor blade method.
【００１８】 また金属ペーストはタングステン、モリブデン、マンガン等の高融点金属粉末 に適当な溶剤、溶媒を添加混合することによって作成され、未焼成セラミックシ ート表面に従来周知のスクリーン印刷等の厚膜手法によって印刷塗布される。The metal paste is prepared by adding an appropriate solvent to a high melting point metal powder of tungsten, molybdenum, manganese, or the like, and mixing the mixture with a thick film such as conventionally known screen printing on the surface of the unfired ceramic sheet. It is printed and applied by the method.
【００１９】 更に前記多数の外部リード端子2 及び支持部材4 が金属部材3 に連結されたリ ードフレーム1 はコバール金属や42アロイ等の金属から成り、コバール金属等の インゴット( 塊) を従来周知の圧延加工法及び打ち抜き加工法によって所定厚み 、所定形状に形成される。Further, the lead frame 1 in which the large number of external lead terminals 2 and the supporting member 4 are connected to the metal member 3 is made of a metal such as Kovar metal or 42 alloy, and an ingot (lump) of Kovar metal or the like is conventionally known. A predetermined thickness and a predetermined shape are formed by a rolling method and a punching method.
【００２０】 次に前記メタライズ金属層6 を有する絶縁基体5 と外部リード端子2 及び支持 部材4 を有するリードフレーム1 をカーボンから成る治具( 不図示) 内にセット し、リードフレーム1 の支持部材4 が絶縁基体5 を支持するとともに絶縁基体5 に設けたメタライズ金属層6 の露出部分に外部リード端子2 の一端を銀ロウ等の ロウ材7 を介し載置させるよう位置合わせを行う。Next, the insulating substrate 5 having the metallized metal layer 6 and the lead frame 1 having the external lead terminals 2 and the supporting member 4 are set in a jig (not shown) made of carbon, and the supporting member for the lead frame 1 is set. Positioning is performed so that 4 supports the insulating base 5, and one end of the external lead terminal 2 is placed on the exposed portion of the metallized metal layer 6 provided on the insulating base 5 via a brazing material 7 such as silver solder.
【００２１】 この場合、各外部リード端子2 はその一端が金属部材3 に連結されており、位 置が規制されていることからすべての外部リード端子2 を絶縁基体5 に設けたメ タライズ金属層6 に一度に、且つ容易に位置合わせすることができる。In this case, one end of each external lead terminal 2 is connected to the metal member 3 and the position thereof is regulated. Therefore, all the external lead terminals 2 are provided on the insulating substrate 5 with a metalized metal layer. It can be easily aligned at once.
【００２２】 そして次に前記位置合わせされた絶縁基体5 及びリードフレーム1 を約900 ℃ の温度に加熱された炉内に通し、ロウ材7 を加熱溶融させことによって外部リー ド端子2 をメタライズ金属層6 にロウ付けする。Then, the aligned insulating base body 5 and lead frame 1 are passed through a furnace heated to a temperature of about 900 ° C., and the brazing material 7 is heated and melted, whereby the external lead terminals 2 are metalized. Braze to layer 6.
【００２３】 そして最後にメタライズ金属層6 にロウ付けされた外部リード端子2 の外表面 に電解メッキ方法によりニッケル(Ni)や金(Au)等の耐蝕性に優れた金属を層着さ せ、これによって製品としての半導体素子収納用パッケージが完成する。Finally, a metal excellent in corrosion resistance such as nickel (Ni) or gold (Au) is layered on the outer surface of the external lead terminal 2 brazed to the metallized metal layer 6 by electrolytic plating. As a result, a package for housing a semiconductor element as a product is completed.
【００２４】 この場合、外部リード端子2 の各々はその一端が金属部材3 に共通に連結され ていることから電解メッキのための電極を金属部材3 に接続するだけですべての 外部リード端子2 にメッキ用の電界を共通に印加することができ、電解メッキの 作業性が極めて容易となる。In this case, since one end of each of the external lead terminals 2 is commonly connected to the metal member 3, all the external lead terminals 2 can be connected only by connecting the electrode for electrolytic plating to the metal member 3. An electric field for plating can be commonly applied, and the workability of electrolytic plating becomes extremely easy.
【００２５】 また完成された半導体素子収納用パッケージは金属部材3 に接合された支持部 材4 が絶縁基体5 を支持するため絶縁基体5 の重みが外部リード端子2 に印加さ れることは一切なく、その結果、外部リード端子2 の変形が有効に防止されて該 外部リード端子2 を所定の外部電気回路に正確、且つ確実に接続することも可能 となる。Further, in the completed semiconductor device housing package, since the supporting member 4 joined to the metal member 3 supports the insulating base 5, the weight of the insulating base 5 is never applied to the external lead terminals 2. As a result, the deformation of the external lead terminal 2 can be effectively prevented, and the external lead terminal 2 can be accurately and surely connected to a predetermined external electric circuit.
【００２６】 尚、本考案は上述の実施例に限定されるものではなく、本考案の要旨を逸脱し ない範囲であれば種々の変更は可能であり、例えば、リードフレーム1 の金属部 材3 に金属や樹脂等から成る補強部材を取着しておけば、金属部材3 の機械的強 度が補強部材により大幅に改善され、半導体素子収納用パッケージを輸送する際 等において金属部材3 に外力が印加されたとしても金属部材3 に変形が生じるこ とはなく、その結果、金属部材3 に連結されている外部リード端子2 も変形を生 じるのが皆無となって、該外部リード端子2 を所定の外部電気回路に正確、且つ 確実に接続することが可能となる。The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be made without departing from the scope of the present invention. For example, the metal member 3 of the lead frame 1 is used. If a reinforcing member made of metal, resin, or the like is attached to the metal member 3, the mechanical strength of the metal member 3 is greatly improved by the reinforcing member, and external force is applied to the metal member 3 when the semiconductor element storage package is transported. Even if a voltage is applied, the metal member 3 is not deformed, and as a result, the external lead terminal 2 connected to the metal member 3 is also not deformed, and the external lead terminal 2 is not deformed. It becomes possible to connect 2 to a predetermined external electric circuit accurately and surely.
【００２７】[0027]
本考案のリードフレームによれば、各外部リード端子はその一端が金属部材に 共通に連結しており、その位置が規制されていることから半導体素子を収容する 絶縁容器の外表面に設けたメタライズ金属層の各々に外部リード端子を個々にロ ウ付けする場合、各メタライズ金属層と外部リード端子との位置合わせが一度に でき、外部リード端子のロウ付けの作業性が極めて容易となる。 According to the lead frame of the present invention, one end of each external lead terminal is commonly connected to the metal member, and the position of the external lead terminal is regulated. Therefore, the metallization provided on the outer surface of the insulating container that accommodates the semiconductor element. When the external lead terminals are individually brazed to each of the metal layers, the metallized metal layers and the external lead terminals can be aligned at one time, and the workability of brazing the external lead terminals becomes extremely easy.
【００２８】 また各外部リード端子は金属部材に共通に連結していることから外部リード端 子の外表面に耐蝕性に優れた金属を電解メッキにより層着させる際、電解メッキ のための電極を金属部材に接続するだけですべての外部リード端子にメッキ用の 電界を共通に印加することができ耐蝕性金属の層着の作業性が極めて容易となる 。Further, since each external lead terminal is commonly connected to the metal member, when a metal having excellent corrosion resistance is layered on the outer surface of the external lead terminal by electrolytic plating, an electrode for electrolytic plating is used. The electric field for plating can be commonly applied to all the external lead terminals just by connecting to a metal member, which makes the workability of layering a corrosion-resistant metal extremely easy.
【００２９】 更に金属部材の一部に支持部材が接合されており、該支持部材が半導体素子を 収容する絶縁容器を支持するため絶縁容器の重みが外部リード端子に印加されて 外部リード端子を変形させることもなく、その結果、外部リード端子を所定の外 部電気回路に正確、且つ確実に接続することが可能となる。Further, a supporting member is joined to a part of the metal member, and since the supporting member supports the insulating container housing the semiconductor element, the weight of the insulating container is applied to the external lead terminal to deform the external lead terminal. As a result, it becomes possible to connect the external lead terminal to a predetermined external electric circuit accurately and surely.
【図１】本考案のリードフレームの一実施例を示す平面
図である。FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a lead frame of the present invention.
【図２】図１に示すリードフレームを用いて製作した半
導体素子収納用パッケージの例を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of a semiconductor element housing package manufactured using the lead frame shown in FIG.
【図３】従来のリードフレームを用いて製作した半導体
素子収納用パッケージの断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of a semiconductor element housing package manufactured using a conventional lead frame.
【図４】従来のリードフレームの平面図である。FIG. 4 is a plan view of a conventional lead frame.
１・・・リードフレーム ２・・・外部リード端子 ３・・・金属部材 ４・・・支持部材 1 ... Lead frame 2 ... External lead terminal 3 ... Metal member 4 ... Support member
Claims (1)
部材に共通に連結されて成るリードフレームにおいて、
前記帯状金属部材に前記外部リード端子の取着される絶
縁基体を支持するための支持部材が接合されていること
を特徴とするリードフレーム。1. A lead frame in which one ends of a plurality of external lead terminals are commonly connected to a strip-shaped metal member,
A lead frame, wherein a supporting member for supporting an insulating substrate to which the external lead terminal is attached is joined to the strip-shaped metal member.
Priority Applications (1)
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| JP6665991U JP2549787Y2 (en) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | Package for storing semiconductor elements |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP6665991U JP2549787Y2 (en) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | Package for storing semiconductor elements |
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