JPH06263424A - フィラーおよびその使用 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明の目的は、印刷回路板およびカード等
の基板に使用するに適した、誘電率が低く、耐湿性、耐
アルカリ性に優れた組成物を提供することにある。 【構成】 本発明の組成物は、フルオロシランでコーテ
ィングしたフィラーを含有する。
の基板に使用するに適した、誘電率が低く、耐湿性、耐
アルカリ性に優れた組成物を提供することにある。 【構成】 本発明の組成物は、フルオロシランでコーテ
ィングしたフィラーを含有する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、フルオロシランでコー
ティングしたフィラーと、上記フィラーを含有する重合
体組成物、特に、バインダとしてフッ素化重合体を含有
する組成物に関する。上記組成物は、高い延性と低い誘
電率と改善された耐湿性および耐アルカリ性を有する。
ティングしたフィラーと、上記フィラーを含有する重合
体組成物、特に、バインダとしてフッ素化重合体を含有
する組成物に関する。上記組成物は、高い延性と低い誘
電率と改善された耐湿性および耐アルカリ性を有する。
【0002】さらに、本発明は、印刷回路板およびカー
ド用の基板に適した組成物の層を製造する方法に関す
る。本発明の組成物は、特にレーザ穿孔、または機械穿
孔、または打抜きによって形成したバイアを有する基板
の形成に適している。
ド用の基板に適した組成物の層を製造する方法に関す
る。本発明の組成物は、特にレーザ穿孔、または機械穿
孔、または打抜きによって形成したバイアを有する基板
の形成に適している。
【0003】
【従来の技術】印刷回路板およびカードを製造する際
に、誘電性のシートが基板として使用される。導電性の
回路パターンが、基板の主表面の片面または両面に形成
される。
に、誘電性のシートが基板として使用される。導電性の
回路パターンが、基板の主表面の片面または両面に形成
される。
【0004】たとえば米国特許第3689991号明細
書、タンマラ他(Tummala et al.)、"Micro Electroni
cs Packaging Handbook"、p.409〜435、ヴァン
・ノストランド・レインホールド(Van Nostrand Reinh
old)に記載されているように、可撓性重合体皮膜が、
いわゆるTAB(テープ自動ボンディング)工程などで
半導体チップをパッケージングする際のキャリアとして
使用できる。これまで、この用途に使用される主要な重
合体材料はポリイミドであった。可撓性回路用の誘電体
または回路キャリアとしてポリイミドを使用する1つの
方法は、金属板(ステンレス鋼、アルミニウムなど)上
にポリアミン酸をスプレイ・コーティングまたはローラ
・コーティングするものである。次に、皮膜を硬化すな
わちイミド化させると、完全にまたはほぼ完全に硬化し
た皮膜が得られる。ポリイミドをコーティングした金属
は、結像させることも、除去することも、保存すること
もできる。ポリイミドの上面に、蒸着またはスパッタリ
ングなどにより3層の金属を付着させる。この金属導体
は、クロムまたはニッケルの層、銅の層、クロムまたは
ニッケルの層の順に付着させる。フォトリソグラフィ操
作により、この金属を回路の形に結像させる。回路の用
途に応じて、硬化したポリイミドを、回路の形成の前ま
たは後に結像させることも、結像させないこともある。
書、タンマラ他(Tummala et al.)、"Micro Electroni
cs Packaging Handbook"、p.409〜435、ヴァン
・ノストランド・レインホールド(Van Nostrand Reinh
old)に記載されているように、可撓性重合体皮膜が、
いわゆるTAB(テープ自動ボンディング)工程などで
半導体チップをパッケージングする際のキャリアとして
使用できる。これまで、この用途に使用される主要な重
合体材料はポリイミドであった。可撓性回路用の誘電体
または回路キャリアとしてポリイミドを使用する1つの
方法は、金属板(ステンレス鋼、アルミニウムなど)上
にポリアミン酸をスプレイ・コーティングまたはローラ
・コーティングするものである。次に、皮膜を硬化すな
わちイミド化させると、完全にまたはほぼ完全に硬化し
た皮膜が得られる。ポリイミドをコーティングした金属
は、結像させることも、除去することも、保存すること
もできる。ポリイミドの上面に、蒸着またはスパッタリ
ングなどにより3層の金属を付着させる。この金属導体
は、クロムまたはニッケルの層、銅の層、クロムまたは
ニッケルの層の順に付着させる。フォトリソグラフィ操
作により、この金属を回路の形に結像させる。回路の用
途に応じて、硬化したポリイミドを、回路の形成の前ま
たは後に結像させることも、結像させないこともある。
【0005】さらに、可撓性回路はまた、金属層を真空
蒸着、積層、または接着したポリイミドなどの自立性の
重合体皮膜を使用して製造されている。金属の回路パタ
ーンは、メッキのマスクとして、または金属層のサブス
トラクティブ・エッチング用のマスクとして機能するフ
ォトレジスト・パターンを使用して画定する。重合体皮
膜中に穿孔、打抜き、またはエッチングにより、バイア
・ホールを形成することができる。
蒸着、積層、または接着したポリイミドなどの自立性の
重合体皮膜を使用して製造されている。金属の回路パタ
ーンは、メッキのマスクとして、または金属層のサブス
トラクティブ・エッチング用のマスクとして機能するフ
ォトレジスト・パターンを使用して画定する。重合体皮
膜中に穿孔、打抜き、またはエッチングにより、バイア
・ホールを形成することができる。
【0006】さらに、絶縁性重合体皮膜に穴を選択的に
形成して、開口またはバイアを設けることは、誘電性重
合体皮膜の様々な電子工学的用途に重要である。たとえ
ば、半導体チップをパッケージングする際には、ポリア
ミン酸皮膜などの重合体で基板をコーティングし、その
後化学的または熱的に硬化させる。
形成して、開口またはバイアを設けることは、誘電性重
合体皮膜の様々な電子工学的用途に重要である。たとえ
ば、半導体チップをパッケージングする際には、ポリア
ミン酸皮膜などの重合体で基板をコーティングし、その
後化学的または熱的に硬化させる。
【0007】これらの多くの状況で、重合体の層にバイ
アを形成して、異なるメタラジ層の間に電気的接続を行
うことが必要となる。相互接続をできるだけ正確にする
ために、重合体皮膜は所期のパターンが変形せず、他の
湿式処理用の化学薬品に耐える必要がある。
アを形成して、異なるメタラジ層の間に電気的接続を行
うことが必要となる。相互接続をできるだけ正確にする
ために、重合体皮膜は所期のパターンが変形せず、他の
湿式処理用の化学薬品に耐える必要がある。
【0008】たとえば、チップ取付け用の多層基板を形
成する場合、上部すなわち第2のメタライゼーション層
中の一部の導体を、下部すなわち第1のメタライゼーシ
ョン層中の導体と電気的に接続する必要がある。そのた
めには、重合体材料中にバイアを形成して、上層または
下層メタライゼーション板の間にチップまたは基板と接
続するための金属接続を設けなければならない。
成する場合、上部すなわち第2のメタライゼーション層
中の一部の導体を、下部すなわち第1のメタライゼーシ
ョン層中の導体と電気的に接続する必要がある。そのた
めには、重合体材料中にバイアを形成して、上層または
下層メタライゼーション板の間にチップまたは基板と接
続するための金属接続を設けなければならない。
【0009】ポリテトラフルオロエチレン、ポリトリフ
ルオロモノクロロエチレンなどのフッ素化重合体材料
は、誘電率が非常に低く、安定性が高く、溶剤や水分の
吸収が少なく、熱安定性が高いため、最新の電子パッケ
ージングに有望である。しかし、フッ素化重合体材料は
熱膨張率が非常に劣り、したがって電子装置用の基板と
して適した熱膨張率とするために、変性剤を加えなけれ
ばならない。
ルオロモノクロロエチレンなどのフッ素化重合体材料
は、誘電率が非常に低く、安定性が高く、溶剤や水分の
吸収が少なく、熱安定性が高いため、最新の電子パッケ
ージングに有望である。しかし、フッ素化重合体材料は
熱膨張率が非常に劣り、したがって電子装置用の基板と
して適した熱膨張率とするために、変性剤を加えなけれ
ばならない。
【0010】重合体材料の誘電特性に影響を与えること
なく、寸法安定性を改善し、熱膨張率(CTE)を低く
するために、ポリテトラフルオロエチレンに、ガラスや
セラミックの微細粒子などのフィラーを添加した組成物
が提案されている。さらに、ほとんどの場合、この組成
物は、ガラス繊維も含有する。これらについては、米国
特許第4335180号および第4849284号明細
書を参照されたい。
なく、寸法安定性を改善し、熱膨張率(CTE)を低く
するために、ポリテトラフルオロエチレンに、ガラスや
セラミックの微細粒子などのフィラーを添加した組成物
が提案されている。さらに、ほとんどの場合、この組成
物は、ガラス繊維も含有する。これらについては、米国
特許第4335180号および第4849284号明細
書を参照されたい。
【0011】しかし、上記の従来技術で提案された組成
物は、重合体材料より多量のフィラーを必要とし、比較
的小さな粒径のフィラーのほかに繊維を使用する必要が
ある。使用するフィラーの平均粒径は、10〜15ミク
ロン、それから形成される皮膜の厚みは最低38ミクロ
ンである。
物は、重合体材料より多量のフィラーを必要とし、比較
的小さな粒径のフィラーのほかに繊維を使用する必要が
ある。使用するフィラーの平均粒径は、10〜15ミク
ロン、それから形成される皮膜の厚みは最低38ミクロ
ンである。
【0012】上記の従来技術で提案された組成物は、粒
径が比較的大きいためにバイアを形成するのが困難で、
レーザ穿孔が容易に使用できないため、満足なものとは
言えない。さらに、ガラス繊維を使用する場合も、それ
が貫通穴中に留まる傾向がみられる。
径が比較的大きいためにバイアを形成するのが困難で、
レーザ穿孔が容易に使用できないため、満足なものとは
言えない。さらに、ガラス繊維を使用する場合も、それ
が貫通穴中に留まる傾向がみられる。
【0013】最近、米国特許第5055342号明細書
には、誘電率が低く、しかも熱膨張率が低く、比較的加
工の容易な組成物が開示されている。この組成物は、フ
ッ素化重合体材料とフィラーを含有し、フィラーの平均
粒径は、約7ミクロン以下である。フッ素化重合体の量
は、約50〜90重量%で、フィラーの量は約50〜1
0重量%である。これらの量は、組成物中のフッ素化重
合体とフィラーの合計に対するものである。
には、誘電率が低く、しかも熱膨張率が低く、比較的加
工の容易な組成物が開示されている。この組成物は、フ
ッ素化重合体材料とフィラーを含有し、フィラーの平均
粒径は、約7ミクロン以下である。フッ素化重合体の量
は、約50〜90重量%で、フィラーの量は約50〜1
0重量%である。これらの量は、組成物中のフッ素化重
合体とフィラーの合計に対するものである。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】これらの組成物は誘電
率が低く、熱安定性が高く、吸湿性が低いが、このよう
な組成物の耐湿性、耐アルカリ性および処理浴に対する
耐性は改善の余地がある。
率が低く、熱安定性が高く、吸湿性が低いが、このよう
な組成物の耐湿性、耐アルカリ性および処理浴に対する
耐性は改善の余地がある。
【0015】
【課題を解決するための手段】本発明は、フルオロシラ
ンでコーティングしたフィラーに関するものである。具
体的には、このフィラーはシリカ、石英またはこれらの
混合物である。コーティングしたフィラーは、フッ素化
重合体材料を含有する組成物とともに使用される場合、
延性が高く、誘電率が低く、耐湿性および耐アルカリ性
が改善された組成物をもたらす。組成物は繊維質フィラ
ーを含有せず、誘電率は、約3.2未満である。そし
て、少なくとも約13μmの層の形状である。層は、レ
ーザで開けたバイアを有してもよい。フッ素化重合体材
料は、テトラフルオロエチレン重合体、テトラフルオロ
エチレンとパーフルオロ−2,2−ジメチル−1,3−
ジオキシドの共重合体、テトラフルオロエチレンとヘキ
サフルオロプロピレンの共重合体、テトラフルオロエチ
レンとパーフルオロアルコキシの共重合体、フッ素化し
たエチレンとプロピレンの共重合体、およびこれらの混
合物である。好ましくは、ポリテトラフルオロエチレン
である。組成物は凝集剤を含有しなくてよい。約0.1
〜10重量%の界面活性剤または沈降防止剤を含有して
もよい。また、フィラー重量に対して約0.5〜5重量
%のポリイミドを含有してもよい。フッ素化重合体の量
は、約50〜90重量%、フィラーの量は約50〜10
重量%である。好ましくは、フィラーの量は約50〜3
0重量%である。これらの量は、組成物中のフッ素化重
合体とフィラーの合計に対するものである。フルオロシ
ランは、フィラー上の基と反応する基を有する。この反
応基は、ハロゲン基、アルコキシ基またはこれらの混合
物である。好ましいフルオロシランは、1H,1H,2
H,2H−パーフルオロオクチルトリエトキシシラン、
1H,1H,2H,2H−パーフルオロアルキルトリエ
トキシシラン類、(トリデカフルオロ−1,1,2,2
−テトラヒドロオクチル)−1−ジメチルクロロシラ
ン、(3,3,3−トリフルオロプロピル)トリメトキ
シシランおよびこれらの混合物等である。フルオロシラ
ンの量は、約0.2〜10重量%である。フィラーの平
均粒径は約7μm以下である。
ンでコーティングしたフィラーに関するものである。具
体的には、このフィラーはシリカ、石英またはこれらの
混合物である。コーティングしたフィラーは、フッ素化
重合体材料を含有する組成物とともに使用される場合、
延性が高く、誘電率が低く、耐湿性および耐アルカリ性
が改善された組成物をもたらす。組成物は繊維質フィラ
ーを含有せず、誘電率は、約3.2未満である。そし
て、少なくとも約13μmの層の形状である。層は、レ
ーザで開けたバイアを有してもよい。フッ素化重合体材
料は、テトラフルオロエチレン重合体、テトラフルオロ
エチレンとパーフルオロ−2,2−ジメチル−1,3−
ジオキシドの共重合体、テトラフルオロエチレンとヘキ
サフルオロプロピレンの共重合体、テトラフルオロエチ
レンとパーフルオロアルコキシの共重合体、フッ素化し
たエチレンとプロピレンの共重合体、およびこれらの混
合物である。好ましくは、ポリテトラフルオロエチレン
である。組成物は凝集剤を含有しなくてよい。約0.1
〜10重量%の界面活性剤または沈降防止剤を含有して
もよい。また、フィラー重量に対して約0.5〜5重量
%のポリイミドを含有してもよい。フッ素化重合体の量
は、約50〜90重量%、フィラーの量は約50〜10
重量%である。好ましくは、フィラーの量は約50〜3
0重量%である。これらの量は、組成物中のフッ素化重
合体とフィラーの合計に対するものである。フルオロシ
ランは、フィラー上の基と反応する基を有する。この反
応基は、ハロゲン基、アルコキシ基またはこれらの混合
物である。好ましいフルオロシランは、1H,1H,2
H,2H−パーフルオロオクチルトリエトキシシラン、
1H,1H,2H,2H−パーフルオロアルキルトリエ
トキシシラン類、(トリデカフルオロ−1,1,2,2
−テトラヒドロオクチル)−1−ジメチルクロロシラ
ン、(3,3,3−トリフルオロプロピル)トリメトキ
シシランおよびこれらの混合物等である。フルオロシラ
ンの量は、約0.2〜10重量%である。フィラーの平
均粒径は約7μm以下である。
【0016】本発明はまた、フッ素化重合体材料を含有
する層の製法に関するものである。具体的には、本発明
の方法では、上記に開示されたフッ素化重合体材料とフ
ィラーを含有する組成物を生成した後、この組成物を基
板に塗布する。組成物を、約350〜400℃の温度に
加熱して溶融させる。加熱は、約70〜140kg/c
m2の圧力下で行うことができる。さらに穿孔(レー
ザ)または打抜きにより層中にバイアを形成してもよ
い。層の厚みは少なくとも13μmである。通常、組成
物を約320℃に予加熱して揮発性成分を除去してか
ら、加熱して組成物を溶融させる。また、加熱して水を
除去した後、約260〜320℃に約1〜2時間加熱し
て、組成物中の界面活性剤を除去する。工程中の組成物
のpHは、約8〜11であり、約9〜9.5が好まし
い。
する層の製法に関するものである。具体的には、本発明
の方法では、上記に開示されたフッ素化重合体材料とフ
ィラーを含有する組成物を生成した後、この組成物を基
板に塗布する。組成物を、約350〜400℃の温度に
加熱して溶融させる。加熱は、約70〜140kg/c
m2の圧力下で行うことができる。さらに穿孔(レー
ザ)または打抜きにより層中にバイアを形成してもよ
い。層の厚みは少なくとも13μmである。通常、組成
物を約320℃に予加熱して揮発性成分を除去してか
ら、加熱して組成物を溶融させる。また、加熱して水を
除去した後、約260〜320℃に約1〜2時間加熱し
て、組成物中の界面活性剤を除去する。工程中の組成物
のpHは、約8〜11であり、約9〜9.5が好まし
い。
【0017】本発明のもう1つの態様は、前述のフッ素
化重合体材料およびフィラーを含有する、誘電率が低
く、熱膨張率が小さい、基板の、少なくとも1つの主表
面の少なくとも一部分に金属層を設けた上記の誘電体の
基板を含む、回路を形成した基板に関するものである。
化重合体材料およびフィラーを含有する、誘電率が低
く、熱膨張率が小さい、基板の、少なくとも1つの主表
面の少なくとも一部分に金属層を設けた上記の誘電体の
基板を含む、回路を形成した基板に関するものである。
【0018】
【実施例】本発明で使用するフィラーは、シリカまたは
石英である。フィラーは、固体の粒子でも、中空の微小
球体でも、ソル・ゲル球体でもよい。
石英である。フィラーは、固体の粒子でも、中空の微小
球体でも、ソル・ゲル球体でもよい。
【0019】本発明で使用するフィラーは、平均粒径が
通常約7μm未満である。本発明のさらに典型的な態様
では、粒径分布は約0.1〜40μm、好ましくは約2
〜5μmである。粒径は、約0.1μmより小さくない
ことが好ましい。
通常約7μm未満である。本発明のさらに典型的な態様
では、粒径分布は約0.1〜40μm、好ましくは約2
〜5μmである。粒径は、約0.1μmより小さくない
ことが好ましい。
【0020】本発明によれば、フィラーをフルオロシラ
ンでプレコートし、これにより本明細書で述べる改善さ
れた特性が得られる。フルオロシランの量は、フィラー
の重量に対して、通常約0.2〜10重量%、好ましく
は約0.2〜5重量%である。
ンでプレコートし、これにより本明細書で述べる改善さ
れた特性が得られる。フルオロシランの量は、フィラー
の重量に対して、通常約0.2〜10重量%、好ましく
は約0.2〜5重量%である。
【0021】フルオロシランは、フィラーの水酸基など
の反応性の基と反応する、アルコキシ基やハロゲン基な
どの反応性の基を有する。代表的なアルコキシ基は、1
〜8個の炭素原子、好ましくは1〜4個の炭素原子を有
するものであり、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基などが含まれる。
の反応性の基と反応する、アルコキシ基やハロゲン基な
どの反応性の基を有する。代表的なアルコキシ基は、1
〜8個の炭素原子、好ましくは1〜4個の炭素原子を有
するものであり、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ
基などが含まれる。
【0022】適当なフルオロシランは次のとおりであ
る。下記の式を有する1H,1H,2H,2H−パーフ
ルオロオクチルトリエトキシシラン、
る。下記の式を有する1H,1H,2H,2H−パーフ
ルオロオクチルトリエトキシシラン、
【化1】 下記の式を有する1H,1H,2H,2H−パーフルオ
ロアルキルトリエトキシシラン、
ロアルキルトリエトキシシラン、
【化2】 下記の式を有するトリデカフルオロ−1,1,2,2−
テトラヒドロオクチル−1−ジメチルクロロシラン、
テトラヒドロオクチル−1−ジメチルクロロシラン、
【化3】 および下記の式を有する3,3,3−トリフルオロプロ
ピルトリメトキシシラン。 CF3CH2CH2Si(OCH3)3
ピルトリメトキシシラン。 CF3CH2CH2Si(OCH3)3
【0023】フィラーは、従来のコーティング法によ
り、フルオロシランでプレコートする。たとえば、シラ
ンをアルコールなどの溶剤に溶解した後、フィラーを溶
液に加え、乾燥して所期のフィラーを得る。
り、フルオロシランでプレコートする。たとえば、シラ
ンをアルコールなどの溶剤に溶解した後、フィラーを溶
液に加え、乾燥して所期のフィラーを得る。
【0024】本発明に従ってコーティングすることがで
きる市販のフィラーには、マルバーン・ミネラル社のL
207ノバカップ(Novacup)(平均粒径が3.45μ
mの結晶シリカ)、デグサ・コーポレーションの燻蒸シ
リカであるエアロジル200(平均粒径が23nm、表
面積が約175〜225m2/g、SiO2含有量が9
9.8%を超えるもの)、およびグレース・シンタクチ
ック社(Grace Syntactic)の、平均粒径が7μmの中
空微小球体がある。その他の適当なフィラーには、U.
S.シリカ社(U.S. Silica Co.)の平均粒径が1.1
μmのMIN−U−SIL、セラック・コーポレーショ
ン(Cerac Corporation)の平均粒径が約2μmの合成
シリカ(SiO299.9%)、デグサ社のSiO298
%、表面積約180m2/g、平均集塊径2μmの沈降
シリカQusoG135、平均粒径が2.1μm、表面
積が9.2m2/gの融解非晶質シリカPQ4910、
粒径が1.5μm、表面積が2.3m2/gのゾルゲル
であるゲルテク(Gel-Tech)球状シリカなどがある。Q
usoG135など、フィラーの中には、沈降防止剤と
して機能するものもある。
きる市販のフィラーには、マルバーン・ミネラル社のL
207ノバカップ(Novacup)(平均粒径が3.45μ
mの結晶シリカ)、デグサ・コーポレーションの燻蒸シ
リカであるエアロジル200(平均粒径が23nm、表
面積が約175〜225m2/g、SiO2含有量が9
9.8%を超えるもの)、およびグレース・シンタクチ
ック社(Grace Syntactic)の、平均粒径が7μmの中
空微小球体がある。その他の適当なフィラーには、U.
S.シリカ社(U.S. Silica Co.)の平均粒径が1.1
μmのMIN−U−SIL、セラック・コーポレーショ
ン(Cerac Corporation)の平均粒径が約2μmの合成
シリカ(SiO299.9%)、デグサ社のSiO298
%、表面積約180m2/g、平均集塊径2μmの沈降
シリカQusoG135、平均粒径が2.1μm、表面
積が9.2m2/gの融解非晶質シリカPQ4910、
粒径が1.5μm、表面積が2.3m2/gのゾルゲル
であるゲルテク(Gel-Tech)球状シリカなどがある。Q
usoG135など、フィラーの中には、沈降防止剤と
して機能するものもある。
【0025】本発明で使用するフッ素化重合体材料は周
知のもので、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフル
オロエチレンとヘキサフルオロプロピレンの共重合体、
テトラフルオロエチレンとパーフルオロ−2,2−ジメ
チル−1,3−ジオキシドの共重合体、ポリトリフルオ
ロクロロエチレン、テトラフルオロエチレンとたとえば
エチレンなどのオレフィンの共重合体、トリフルオロモ
ノクロロエチレンとたとえばエチレンなどのオレフィン
の共重合体、パーフルオロアルキルビニルエステルの重
合体などが市販されている。
知のもので、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフル
オロエチレンとヘキサフルオロプロピレンの共重合体、
テトラフルオロエチレンとパーフルオロ−2,2−ジメ
チル−1,3−ジオキシドの共重合体、ポリトリフルオ
ロクロロエチレン、テトラフルオロエチレンとたとえば
エチレンなどのオレフィンの共重合体、トリフルオロモ
ノクロロエチレンとたとえばエチレンなどのオレフィン
の共重合体、パーフルオロアルキルビニルエステルの重
合体などが市販されている。
【0026】本発明で使用する市販のフッ素化重合体材
料には、商品名TEFLON PTFE(テトラフルオ
ロエチレンの重合体)、TEFLON FEP(過フッ
素化エチレン・プロピレン共重合体)、TEFLON
PFA(テトラフルオロエチレンとパーフルオロアルコ
キシの共重合体)、TEFZEL(テトラフルオロエチ
レンとエチレンの共重合体)、HALAR(クロロトリ
フルオロエチレンとエチレンとの共重合体)、KEL−
F(クロロトリフルオロエチレンの重合体)、HFB−
430(クロロトリフルオロエチレンの重合体)、TE
FLON AF(テトラフルオロエチレンと少なくとも
65モル%のパーフルオロ−2,2−ジメチル−1,3
−ジオキシドの共重合体)などがある。好ましいフッ素
化重合体材料はポリテトラフルオロエチレンである。
料には、商品名TEFLON PTFE(テトラフルオ
ロエチレンの重合体)、TEFLON FEP(過フッ
素化エチレン・プロピレン共重合体)、TEFLON
PFA(テトラフルオロエチレンとパーフルオロアルコ
キシの共重合体)、TEFZEL(テトラフルオロエチ
レンとエチレンの共重合体)、HALAR(クロロトリ
フルオロエチレンとエチレンとの共重合体)、KEL−
F(クロロトリフルオロエチレンの重合体)、HFB−
430(クロロトリフルオロエチレンの重合体)、TE
FLON AF(テトラフルオロエチレンと少なくとも
65モル%のパーフルオロ−2,2−ジメチル−1,3
−ジオキシドの共重合体)などがある。好ましいフッ素
化重合体材料はポリテトラフルオロエチレンである。
【0027】本発明の組成物は、繊維質のフィラーを含
有しないものが望ましい。
有しないものが望ましい。
【0028】使用するポリテトラフルオロエチレンの量
は、フィラーの量と等しいかまたはこれより多いことが
好ましく、組成物が、フッ素化重合体約50〜90重量
%、好ましくは約50〜70重量%と、フィラー約50
〜10重量%、好ましくは約50〜30重量%を含有す
ることが好ましい。これらの量は、組成物中のフッ素化
重合体とフィラーの合計に対するもの(ドライベース)
である。
は、フィラーの量と等しいかまたはこれより多いことが
好ましく、組成物が、フッ素化重合体約50〜90重量
%、好ましくは約50〜70重量%と、フィラー約50
〜10重量%、好ましくは約50〜30重量%を含有す
ることが好ましい。これらの量は、組成物中のフッ素化
重合体とフィラーの合計に対するもの(ドライベース)
である。
【0029】必要ならば、本発明の組成物は、非イオン
性界面活性剤などの界面活性剤や沈降防止剤を含むこと
もできる。これらは通常組成物の合計重量に対して、約
0.1〜10重量%、好ましくは約0.5〜6重量%使
用する。実際に、市販のフッ素化重合体組成物には界面
活性剤が含まれている。
性界面活性剤などの界面活性剤や沈降防止剤を含むこと
もできる。これらは通常組成物の合計重量に対して、約
0.1〜10重量%、好ましくは約0.5〜6重量%使
用する。実際に、市販のフッ素化重合体組成物には界面
活性剤が含まれている。
【0030】さらに、本発明の好ましい態様によれば、
処理中の組成物のpHは、処理を容易にするため、約8
〜11、好ましくは約9〜9.5とする。pHは、水酸
化アンモニウムなど、適当な塩基を添加して調節するこ
とができる。
処理中の組成物のpHは、処理を容易にするため、約8
〜11、好ましくは約9〜9.5とする。pHは、水酸
化アンモニウムなど、適当な塩基を添加して調節するこ
とができる。
【0031】本発明の組成物は、フッ素化重合体材料
と、前もって調製したプレコートしたフィラーの分散液
とを、高速分散装置などで、毎分約3000〜5000
回転で約10〜15分間高速撹拌して混合して調製す
る。フィラー分散液を調製直後に使用する場合は、毎分
約100回転の比較的低速の撹拌も使用できる。この場
合は、フィラーの分散液を、毎分約3000〜5000
回転で約10〜15分間高速撹拌して調製すべきであ
る。高速分散装置は、コーティングしたシリカまたは石
英のフィラーを分散させ、粒子の凝集を解く。
と、前もって調製したプレコートしたフィラーの分散液
とを、高速分散装置などで、毎分約3000〜5000
回転で約10〜15分間高速撹拌して混合して調製す
る。フィラー分散液を調製直後に使用する場合は、毎分
約100回転の比較的低速の撹拌も使用できる。この場
合は、フィラーの分散液を、毎分約3000〜5000
回転で約10〜15分間高速撹拌して調製すべきであ
る。高速分散装置は、コーティングしたシリカまたは石
英のフィラーを分散させ、粒子の凝集を解く。
【0032】次に、この組成物で適当な基板をコーティ
ングする。これは、基板1枚ごとに行っても、ウェブ状
の基板を連続コーティングしてもよい。コーティング
は、約5μm以上の所期の厚みになるまで行う。厚みは
通常約5〜100μm、好ましくは約13〜75μmで
ある。
ングする。これは、基板1枚ごとに行っても、ウェブ状
の基板を連続コーティングしてもよい。コーティング
は、約5μm以上の所期の厚みになるまで行う。厚みは
通常約5〜100μm、好ましくは約13〜75μmで
ある。
【0033】組成物を基板に所期の厚みにコーティング
した後、界面活性剤を含有する場合は、約260〜32
0℃、好ましくは約300〜320℃でベーキングし
て、界面活性剤を蒸発させる。次に、層を約350〜4
00℃、好ましくは約380〜390℃で溶融させる。
界面活性剤を除去する前に、必要があれば、約100℃
に約1〜30分加熱して、組成物の水分を除去すること
ができる。界面活性剤の除去のための加熱は、約1/4
〜2時間、好ましくは約1時間行う。組成物の溶融また
は高密度化のための加熱は、通常約30〜120分行
い、一般に、約70〜140kg/cm2、好ましくは
約120〜140kg/cm2で行う。
した後、界面活性剤を含有する場合は、約260〜32
0℃、好ましくは約300〜320℃でベーキングし
て、界面活性剤を蒸発させる。次に、層を約350〜4
00℃、好ましくは約380〜390℃で溶融させる。
界面活性剤を除去する前に、必要があれば、約100℃
に約1〜30分加熱して、組成物の水分を除去すること
ができる。界面活性剤の除去のための加熱は、約1/4
〜2時間、好ましくは約1時間行う。組成物の溶融また
は高密度化のための加熱は、通常約30〜120分行
い、一般に、約70〜140kg/cm2、好ましくは
約120〜140kg/cm2で行う。
【0034】この時点で、必要があれば基板をエッチン
グなどにより除去し、フッ素化重合体材料とフィラーと
からなる自立性皮膜を形成する。この方法で使用する代
表的な基板には、銅および銅/インバー/銅の複合材が
ある。このような基板の厚みは、通常約17〜1000
μm、好ましくは約17〜75μmである。銅または銅
の複合材を使用する場合、これらはフッ素化重合体複合
材料から、塩化第二銅などの銅のエッチャントを使用し
てエッチングすることにより除去することができる。
グなどにより除去し、フッ素化重合体材料とフィラーと
からなる自立性皮膜を形成する。この方法で使用する代
表的な基板には、銅および銅/インバー/銅の複合材が
ある。このような基板の厚みは、通常約17〜1000
μm、好ましくは約17〜75μmである。銅または銅
の複合材を使用する場合、これらはフッ素化重合体複合
材料から、塩化第二銅などの銅のエッチャントを使用し
てエッチングすることにより除去することができる。
【0035】界面活性剤およびpH調節剤を使用する組
成物の場合、溶融および高密度化工程の前に、水分を除
去した後、組成物を約260〜320℃、通常約280
℃に約1/4〜2時間加熱し、次に約320℃に約1時
間加熱して、界面活性剤およびpH調節剤を除去する。
使用できる適当な界面活性剤は、非イオン性界面活性剤
である。好ましい界面活性剤には、ローム・アンド・ハ
ース(Rohm and Haas)社からTriton X−10
0商品名で市販されているオクチルフェノキシエタノー
ルがある。
成物の場合、溶融および高密度化工程の前に、水分を除
去した後、組成物を約260〜320℃、通常約280
℃に約1/4〜2時間加熱し、次に約320℃に約1時
間加熱して、界面活性剤およびpH調節剤を除去する。
使用できる適当な界面活性剤は、非イオン性界面活性剤
である。好ましい界面活性剤には、ローム・アンド・ハ
ース(Rohm and Haas)社からTriton X−10
0商品名で市販されているオクチルフェノキシエタノー
ルがある。
【0036】他の好ましい界面活性剤には、BASF社
(BASF Inc.)からプルロニクス(Pluronics)の商品名
(プルロニクスP104、プルロニクス31R1、プル
ロニクスF127)で市販されている、一連のポリオキ
シエチレンとポリオキシプロピレンのブロック共重合体
がある。
(BASF Inc.)からプルロニクス(Pluronics)の商品名
(プルロニクスP104、プルロニクス31R1、プル
ロニクスF127)で市販されている、一連のポリオキ
シエチレンとポリオキシプロピレンのブロック共重合体
がある。
【0037】さらに、組成物は米国特許第484928
4号などで必要とする凝集剤を含有しないことが望まし
い。
4号などで必要とする凝集剤を含有しないことが望まし
い。
【0038】本発明により生成した組成物は、レーザ穿
孔を含む穿孔または打抜きにかけて、基板に所期のバイ
アを形成する。レーザ穿孔は、コーティングをレーザに
対向させ、紫外線領域から赤外線領域までの波長の、各
種のレーザを用いて行う。波長は、308nmが好まし
く、フルエンスは約4〜20J/cm2、通常約8J/
cm2で、塩化キセノンなど貴ガスのハロゲン化物を使
用して行う。レーザ穿孔は、接触式でも投射式でもよ
い。所定位置にバイアを形成するために、穴を設けない
場所には、銅または銅/インバー/銅など、レーザに耐
えるコーティングを行うことができる。
孔を含む穿孔または打抜きにかけて、基板に所期のバイ
アを形成する。レーザ穿孔は、コーティングをレーザに
対向させ、紫外線領域から赤外線領域までの波長の、各
種のレーザを用いて行う。波長は、308nmが好まし
く、フルエンスは約4〜20J/cm2、通常約8J/
cm2で、塩化キセノンなど貴ガスのハロゲン化物を使
用して行う。レーザ穿孔は、接触式でも投射式でもよ
い。所定位置にバイアを形成するために、穴を設けない
場所には、銅または銅/インバー/銅など、レーザに耐
えるコーティングを行うことができる。
【0039】レーザ穿孔を使用する場合、組成物にポリ
イミドを含有させて、レーザ穿孔のための紫外線感度を
増感することが好ましい。ポリイミドの量は、通常フィ
ラーの重量に対して約0.1〜5重量%である。代表的
なポリイミドは、ナショナル・スターチ・アンド・ケミ
カル(National Starch and Chemical Corp.)社の完全
にイミド化した(またはプレイミド化した)可溶性ポリ
イミド、サーミド(Thermid)FA7001である。
イミドを含有させて、レーザ穿孔のための紫外線感度を
増感することが好ましい。ポリイミドの量は、通常フィ
ラーの重量に対して約0.1〜5重量%である。代表的
なポリイミドは、ナショナル・スターチ・アンド・ケミ
カル(National Starch and Chemical Corp.)社の完全
にイミド化した(またはプレイミド化した)可溶性ポリ
イミド、サーミド(Thermid)FA7001である。
【0040】本発明の材料に穿孔または打抜きにより形
成したバイアは、繊維質の材料を含まず、きわめて高品
質である。
成したバイアは、繊維質の材料を含まず、きわめて高品
質である。
【0041】本発明の組成物を使用した代表的な複合材
には、2枚のシートをコーティング側を合わせて置いて
形成した銅で誘電体を挟んだ複合材、または銅/インバ
ー/銅の平面をコーティングした銅の基板で囲んで形成
した、銅・誘電体・銅/インバー/銅・誘電体・銅の複
合材がある。
には、2枚のシートをコーティング側を合わせて置いて
形成した銅で誘電体を挟んだ複合材、または銅/インバ
ー/銅の平面をコーティングした銅の基板で囲んで形成
した、銅・誘電体・銅/インバー/銅・誘電体・銅の複
合材がある。
【0042】本発明をさらに詳細に例示するために下記
の例を示す。
の例を示す。
【0043】例1 コーティングしたフィラーの生成 1H,1H,2H,2H−パーフルオロオクチルトリエ
トキシシラン約12gを、高純度のイソプロピルアルコ
ール約100gと混合する。非晶質シリカ(PQ社の4
910シリカ)約300gを、シランとイソプロピルア
ルコールとからなる組成物に徐々に添加して、シリカ全
部を湿潤させる。次にこの組成物を約15分間高速撹拌
して、スラリにする。得られたスラリを浅い容器に移し
て乾燥させる。スラリは1晩空気乾燥させる。次に、得
られた材料を砕いて約125℃で約2時間乾燥する。コ
ーティングしたシリカを約40μmの篩にかける。
トキシシラン約12gを、高純度のイソプロピルアルコ
ール約100gと混合する。非晶質シリカ(PQ社の4
910シリカ)約300gを、シランとイソプロピルア
ルコールとからなる組成物に徐々に添加して、シリカ全
部を湿潤させる。次にこの組成物を約15分間高速撹拌
して、スラリにする。得られたスラリを浅い容器に移し
て乾燥させる。スラリは1晩空気乾燥させる。次に、得
られた材料を砕いて約125℃で約2時間乾燥する。コ
ーティングしたシリカを約40μmの篩にかける。
【0044】コーティングしたシリカの粒子は、シリカ
の重量に対して約4重量%のフルオロシランを含有す
る。
の重量に対して約4重量%のフルオロシランを含有す
る。
【0045】例2 プルロニック104界面活性剤8gとプルロニック31
−R−1界面活性剤約3gとを通常の実験室用撹拌機を
用いて、脱イオン水約190gと混合し、固体全部を溶
解させ、泡が消えるまで放置する。毎分700回転のホ
モジナイジング・ミキサを用いて、サーミドFA700
1約30g、キシレン約70gを含有する溶液約7.5
gを添加する。
−R−1界面活性剤約3gとを通常の実験室用撹拌機を
用いて、脱イオン水約190gと混合し、固体全部を溶
解させ、泡が消えるまで放置する。毎分700回転のホ
モジナイジング・ミキサを用いて、サーミドFA700
1約30g、キシレン約70gを含有する溶液約7.5
gを添加する。
【0046】次に、毎分1000回転の高速分散装置を
使用して、例1で調製したコーティングしたシリカ約3
00gを分散させる。シリカは、約15分かけて添加す
る。シリカを添加した後、分散装置の回転数を毎分約5
000回転に上げて、混合を約15分間続行する。次
に、28%の水酸化アンモニウム約5gを添加し、ホモ
ジナイジング・ミキサを用いて混合する。固形分60%
のポリテトラフルオロエチレン(テフロン30)の分散
液約500gを約10分間撹拌しながら添加する。さら
にプルロニックF127約20gを撹拌しながら徐々に
添加し、界面活性剤が溶解するまで撹拌を続ける。
使用して、例1で調製したコーティングしたシリカ約3
00gを分散させる。シリカは、約15分かけて添加す
る。シリカを添加した後、分散装置の回転数を毎分約5
000回転に上げて、混合を約15分間続行する。次
に、28%の水酸化アンモニウム約5gを添加し、ホモ
ジナイジング・ミキサを用いて混合する。固形分60%
のポリテトラフルオロエチレン(テフロン30)の分散
液約500gを約10分間撹拌しながら添加する。さら
にプルロニックF127約20gを撹拌しながら徐々に
添加し、界面活性剤が溶解するまで撹拌を続ける。
【0047】この組成物は、後の使用のために保存して
おくことができ、また直ちに下記のようにコーティング
することもできる。
おくことができ、また直ちに下記のようにコーティング
することもできる。
【0048】銅のシートにコーティングする場合は、グ
ールド社フォイル事業部(Gould Inc., Foil Divisio
n)のTC/TC処理した銅箔の長さ40cmのシート
(厚み30μm、幅30〜36cm)を、RKプリント
・コート・インスツルメンツ社(RK Print Coat Instru
ments, Ltd.)の実験室用コータのコーティング・ベッ
ドに置く。55番線を巻いた棒をコータに取り付け、針
金を巻いた棒と基板との間げきを75μmに調節する。
コーティング組成物約20ミリリットルを、コーティン
グ・ヘッドの近くの銅の表面上に置く。コーティング・
ヘッドを始動させて、銅の基板をコーティングする。コ
ーティングは、取扱いを容易にするために空気乾燥した
後、残留水分を100℃で30分間ベーキングして除去
する。このコーティングの厚みは約64〜75μmであ
る。
ールド社フォイル事業部(Gould Inc., Foil Divisio
n)のTC/TC処理した銅箔の長さ40cmのシート
(厚み30μm、幅30〜36cm)を、RKプリント
・コート・インスツルメンツ社(RK Print Coat Instru
ments, Ltd.)の実験室用コータのコーティング・ベッ
ドに置く。55番線を巻いた棒をコータに取り付け、針
金を巻いた棒と基板との間げきを75μmに調節する。
コーティング組成物約20ミリリットルを、コーティン
グ・ヘッドの近くの銅の表面上に置く。コーティング・
ヘッドを始動させて、銅の基板をコーティングする。コ
ーティングは、取扱いを容易にするために空気乾燥した
後、残留水分を100℃で30分間ベーキングして除去
する。このコーティングの厚みは約64〜75μmであ
る。
【0049】ロール・ツー・ロール・コーティングの場
合は、上記の銅箔を、押し出しヘッドを取り付け、コー
ティングの水分を除去するためのヒータを備えたウェブ
型の生産用コータと共に使用して、コーティングされた
銅を巻き取る。実験室で1枚ずつコーティングしたシー
トまたはロールから切り取った任意の長さのシートを、
後の処理に使用する。
合は、上記の銅箔を、押し出しヘッドを取り付け、コー
ティングの水分を除去するためのヒータを備えたウェブ
型の生産用コータと共に使用して、コーティングされた
銅を巻き取る。実験室で1枚ずつコーティングしたシー
トまたはロールから切り取った任意の長さのシートを、
後の処理に使用する。
【0050】コーティング中の界面活性剤は、オーブン
でコーティングを280℃で120分間、次に320℃
で60分間加熱して蒸発させる。
でコーティングを280℃で120分間、次に320℃
で60分間加熱して蒸発させる。
【0051】コーティング組成物を高圧(120kg/
cm2)で155分間かけて室温から387度まで加熱
した後室温に戻す温度サイクルにより高密度化(溶融)
させる(387℃にさらすのは30分間)。フッ素化重
合体を高密度化(溶融)した後、銅の表面をエッチング
して回路を形成するか、あるいはエッチングによって完
全に除去して自立性の皮膜または複合材を形成する。
cm2)で155分間かけて室温から387度まで加熱
した後室温に戻す温度サイクルにより高密度化(溶融)
させる(387℃にさらすのは30分間)。フッ素化重
合体を高密度化(溶融)した後、銅の表面をエッチング
して回路を形成するか、あるいはエッチングによって完
全に除去して自立性の皮膜または複合材を形成する。
【0052】次に、本発明による改良を示す試験につい
て説明する。
て説明する。
【0053】これらの試験のいくつかでは、誘電体の自
立性皮膜を使用する。この組成物をコーティングした2
枚の銅のシートを、コーティング側を合わせて置き、上
記の高密度化(溶融)工程を行う。次に銅・誘電体・銅
の複合材をエッチングして、厚みが約64〜74μmの
自立性皮膜を形成する。
立性皮膜を使用する。この組成物をコーティングした2
枚の銅のシートを、コーティング側を合わせて置き、上
記の高密度化(溶融)工程を行う。次に銅・誘電体・銅
の複合材をエッチングして、厚みが約64〜74μmの
自立性皮膜を形成する。
【0054】伸び率 幅5mmの細片を高密度化した誘電体の自立性皮膜から
切断する。サンプルの中央にゲージの長さをマークし、
測定する。サンプルの両端を留め金具で固定し、引っ張
りモードで引っ張る。伸び率を測定するには、破断時の
ゲージ長さを測定し、最初のゲージ長さと比較する。
切断する。サンプルの中央にゲージの長さをマークし、
測定する。サンプルの両端を留め金具で固定し、引っ張
りモードで引っ張る。伸び率を測定するには、破断時の
ゲージ長さを測定し、最初のゲージ長さと比較する。
【0055】交流インピーダンスによる多孔性の測定 銅・誘電体・銅の複合材の1面をエッチングして、銅を
除去する。試験用を誘電体上に置き、電解質溶液を誘電
体の表面の制御され領域に接触させる。複合材の裏面の
銅と、誘電体に接触する溶液中の電極との間に電位を印
加する。皮膜を貫通する孔は、電流を導通させ、純粋な
容量性挙動から抵抗性挙動(電流を通す)へのシフトを
生じる。このシフトは、交流インピーダンスの対数に比
例し、値が大きいほど良好なキャパシタンスを表し、値
が小さいほど電流の導通を表す。電解質溶液に界面活性
剤を添加すると、誘電体中の孔のぬれが促進され、イン
ピーダンス値の減少が大きくなる。
除去する。試験用を誘電体上に置き、電解質溶液を誘電
体の表面の制御され領域に接触させる。複合材の裏面の
銅と、誘電体に接触する溶液中の電極との間に電位を印
加する。皮膜を貫通する孔は、電流を導通させ、純粋な
容量性挙動から抵抗性挙動(電流を通す)へのシフトを
生じる。このシフトは、交流インピーダンスの対数に比
例し、値が大きいほど良好なキャパシタンスを表し、値
が小さいほど電流の導通を表す。電解質溶液に界面活性
剤を添加すると、誘電体中の孔のぬれが促進され、イン
ピーダンス値の減少が大きくなる。
【0056】 ナトリウム・イオンの拡散による多孔性の測定 自立性の誘電体皮膜を(膜のように)両側の液体が誘電
体表面の制御された部分に接触するようになった液体セ
ルの2つの半体の間に置く。セルの片側には、濃度が既
知の高濃度のアルカリ溶液を入れ、他の側には、「検出
できるぎりぎりの」濃度の同じアルカリと、濃度の変化
を検出できる特定のイオンの電極を入れる。誘電体中の
孔が、高濃度のアルカリを皮膜を通して拡散させ、検出
セルの濃度が変化する。貫通する(または濃度が増加す
る)時間を、多孔性または誘電体を通る通路の有無の尺
度として監視する。
体表面の制御された部分に接触するようになった液体セ
ルの2つの半体の間に置く。セルの片側には、濃度が既
知の高濃度のアルカリ溶液を入れ、他の側には、「検出
できるぎりぎりの」濃度の同じアルカリと、濃度の変化
を検出できる特定のイオンの電極を入れる。誘電体中の
孔が、高濃度のアルカリを皮膜を通して拡散させ、検出
セルの濃度が変化する。貫通する(または濃度が増加す
る)時間を、多孔性または誘電体を通る通路の有無の尺
度として監視する。
【0057】誘電損(tanφ) 銅・誘電体・銅の複合材に穴を開け、サンプルを沸騰水
中に数時間浸漬する。サンプルを乾燥し、直ちに200
Hzおよび10kHzの周波数で誘電損を測定する。値
が高いほど、たとえば吸収した水分による漏れ(電流の
導通)が著しい。
中に数時間浸漬する。サンプルを乾燥し、直ちに200
Hzおよび10kHzの周波数で誘電損を測定する。値
が高いほど、たとえば吸収した水分による漏れ(電流の
導通)が著しい。
【0058】得られた試験結果 − 本発明のフルオロ
シランでコーティングしたシリカ 伸び 500% 交流インピーダンスによる多孔性(Z) 界面活性剤を含有する電解質 logZ 0.5時間 10.7 21 時間 10.1 ナトリウム・イオンの拡散による多孔性 貫通までの時間 >72 時間 tanφ(誘電損、D) 0.045
シランでコーティングしたシリカ 伸び 500% 交流インピーダンスによる多孔性(Z) 界面活性剤を含有する電解質 logZ 0.5時間 10.7 21 時間 10.1 ナトリウム・イオンの拡散による多孔性 貫通までの時間 >72 時間 tanφ(誘電損、D) 0.045
【0059】比較例3 使用したシリカをフルオロシランでプレコートしないこ
とを除き、例2を繰り返す。得られた結果は下記のとお
りである。 得られた試験結果 − 本比較例のフルオロシランでコ
ーティングしないシリカ 伸び 120% 交流インピーダンスによる多孔性(Z) 界面活性剤を含有する電解質 logZ 0.5時間 4.25 (試験は3時間中止) 3時間 3.87 ナトリウム・イオンの拡散による多孔性 貫通までの時間 3時間 tanφ(誘電損、D) >10
とを除き、例2を繰り返す。得られた結果は下記のとお
りである。 得られた試験結果 − 本比較例のフルオロシランでコ
ーティングしないシリカ 伸び 120% 交流インピーダンスによる多孔性(Z) 界面活性剤を含有する電解質 logZ 0.5時間 4.25 (試験は3時間中止) 3時間 3.87 ナトリウム・イオンの拡散による多孔性 貫通までの時間 3時間 tanφ(誘電損、D) >10
【0060】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、延
性が高く、誘電率が低く、耐湿性、耐アルカリ性が改善
された組成物が得られる。
性が高く、誘電率が低く、耐湿性、耐アルカリ性が改善
された組成物が得られる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 アシト・アルヴィンド・メフタ アメリカ合衆国13850、ニューヨーク州ヴ ェスタル、コルゲート・ストリート 509 (72)発明者 ラルフ・サム・パオネッサ アメリカ合衆国13760、ニューヨーク州エ ンドウェル、タラン・ドライブ 1109 (72)発明者 ユージン・ロマン・スカルヴィンコ アメリカ合衆国13905、ニューヨーク州ビ ンガムトン、ジャイルズ・ストリート 4 (72)発明者 デーヴィッド・ウェイ・ワン アメリカ合衆国13850、ニューヨーク州ヴ ェスタル、オーバーブロック・アベニュー 800
Claims (9)
- 【請求項1】フルオロシランでコーティングしたフィラ
ー。 - 【請求項2】上記フィラーが、シリカ、石英またはこれ
らの混合物からなる群から選択されることを特徴とする
請求項1のフィラー。 - 【請求項3】上記フルオロシランが、1H,1H,2
H,2H−パーフルオロオクチルトリエトキシシラン、
1H,1H,2H,2H−パーフルオロアルキルトリエ
トキシシラン類、(トリデカフルオロ−1,1,2,2
−テトラヒドロオクチル)−1−ジメチルクロロシラ
ン、(3,3,3−トリフルオロプロピル)トリメトキ
シシランおよびこれらの混合物からなる群から選択され
ることを特徴とする、請求項1または2のフィラー。 - 【請求項4】フッ素化重合体材料と、フルオロシランで
プリコートされたフィラーとからなる組成物。 - 【請求項5】上記フッ素化重合体材料とフィラーの合計
に対して、フッ素化重合体材料の量が約50〜90重量
%であり、フィラーの量が約50〜10重量%であるこ
とを特徴とする、請求項4の組成物。 - 【請求項6】上記フッ素化重合体材料が、テトラフルオ
ロエチレン重合体、テトラフルオロエチレンとパーフル
オロ−2,2−ジメチル−1,3−ジオキシドの共重合
体、テトラフルオロエチレンとヘキサフルオロプロピレ
ンの共重合体、テトラフルオロエチレンとパーフルオロ
アルコキシの共重合体、フッ素化したエチレンとプロピ
レンの共重合体、およびこれらの混合物からなる群から
選択されることを特徴とする、請求項4の組成物。 - 【請求項7】フィラーの重量に対して約0.1〜5重量
%のポリイミドを含有することを特徴とする、請求項4
の組成物。 - 【請求項8】1.(a)フッ素化重合体材料と、(b)
フルオロシランでコーティングされた、シリカ、石英、
またはこれらの混合物からなる群から選択したフィラー
とを含有する、誘電率が低く、熱膨張率が小さい基板を
有する、回路を形成した基板。 - 【請求項9】A.(1)フッ素化重合体材料と、(2)
フルオロシランでコーティングされたシリカ、石英、ま
たはこれらの混合物からなる群から選択したフィラーと
を含有する組成物を得る工程と、 B.上記組成物を基板に塗布する工程と、 C.組成物を約350〜400℃の温度に加熱する工程
と、を含む、誘電率が低く、熱膨張率が小さい層を形成
する方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US99813292A | 1992-12-29 | 1992-12-29 | |
US998132 | 1992-12-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06263424A true JPH06263424A (ja) | 1994-09-20 |
JP2886432B2 JP2886432B2 (ja) | 1999-04-26 |
Family
ID=25544808
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30833193A Expired - Fee Related JP2886432B2 (ja) | 1992-12-29 | 1993-12-08 | フッ素化重合体組成物 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5607744A (ja) |
EP (1) | EP0604799A1 (ja) |
JP (1) | JP2886432B2 (ja) |
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