JPH06260590A - 多層配線複合リードフレーム - Google Patents
多層配線複合リードフレームInfo
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- JPH06260590A JPH06260590A JP4779493A JP4779493A JPH06260590A JP H06260590 A JPH06260590 A JP H06260590A JP 4779493 A JP4779493 A JP 4779493A JP 4779493 A JP4779493 A JP 4779493A JP H06260590 A JPH06260590 A JP H06260590A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】フレキシブル基板上に形成されるインナ−リ−
ドの微細化と、接着剤とＦｅ基合金箔の密着力の向上に
よる品質の安定した２３２ピン以上の多ピン多層配線複
合リ−ドフレ−ムの提供。 【構成】アウターリードを金属リードフレーム、インナ
−リ−ドをＦｅ基合金箔上に絶縁フィルムを介し、該表
面上に導体の微細配線パタ−ンを形成したフレキシブル
配線基板で構成する多層配線複合リ−ドフレ−ムにおい
て、接地または電源供給用導体層のＦｅ基合金箔表面に
気相法，あるいは銅めっき法で銅処理層を設け、該処理
層の厚さを０．０１〜２．０μｍの範囲内で均一に生成
し、接着剤を介して絶縁フィルムを貼り合わせることを
特徴とする多層配線複合リ−ドフレ−ム。
ドの微細化と、接着剤とＦｅ基合金箔の密着力の向上に
よる品質の安定した２３２ピン以上の多ピン多層配線複
合リ−ドフレ−ムの提供。 【構成】アウターリードを金属リードフレーム、インナ
−リ−ドをＦｅ基合金箔上に絶縁フィルムを介し、該表
面上に導体の微細配線パタ−ンを形成したフレキシブル
配線基板で構成する多層配線複合リ−ドフレ−ムにおい
て、接地または電源供給用導体層のＦｅ基合金箔表面に
気相法，あるいは銅めっき法で銅処理層を設け、該処理
層の厚さを０．０１〜２．０μｍの範囲内で均一に生成
し、接着剤を介して絶縁フィルムを貼り合わせることを
特徴とする多層配線複合リ−ドフレ−ム。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型の半導体装
置用の多層配線複合リードフレームに関するものであ
る。
置用の多層配線複合リードフレームに関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】アウターリードを金属リードフレームに
よって構成し、接地または電源供給導体層を４２合金箔
で形成し、該４２合金箔上に絶縁フィルムを貼着し、か
つこの絶縁フィルム上に導体の微細配線パターンを形成
したフレキシブル多層配線基板によって構成してなる多
層配線複合リードフレームは各種の構成のものが提案さ
れている。インナ−リ−ドを構成するフレキシブル基板
は、絶縁フィルム上に導体を接着あるいは蒸着等の方法
で積層し、ホトレジスト、パタ−ニング、エッチングの
プロセスを経て微細配線パタ−ンを形成するのが一般的
である。
よって構成し、接地または電源供給導体層を４２合金箔
で形成し、該４２合金箔上に絶縁フィルムを貼着し、か
つこの絶縁フィルム上に導体の微細配線パターンを形成
したフレキシブル多層配線基板によって構成してなる多
層配線複合リードフレームは各種の構成のものが提案さ
れている。インナ−リ−ドを構成するフレキシブル基板
は、絶縁フィルム上に導体を接着あるいは蒸着等の方法
で積層し、ホトレジスト、パタ−ニング、エッチングの
プロセスを経て微細配線パタ−ンを形成するのが一般的
である。
【０００３】従来、接地または電源供給用導体層のＦｅ
−４２％Ｎｉ合金（以下「４２合金」と記す）と絶縁フ
ィルム、たとえば、ポリイミドフィルムに塗布したポリ
イミド系接着剤との貼り合わせは真空プレスあるいはロ
−ルラミネ−トで行われているが、絶縁フイルムと圧延
した４２合金箔表面とのピ−ル強度が、２００ｇｆ／cm
以下で接着力が安定しない。このため、インナ−リ−ド
とアウタ−リ−ドを加熱加圧接合する次工程で、ポリイ
ミド系接着剤と接地または電源供給用導体層の４２合金
箔とが剥離してしまう。
−４２％Ｎｉ合金（以下「４２合金」と記す）と絶縁フ
ィルム、たとえば、ポリイミドフィルムに塗布したポリ
イミド系接着剤との貼り合わせは真空プレスあるいはロ
−ルラミネ−トで行われているが、絶縁フイルムと圧延
した４２合金箔表面とのピ−ル強度が、２００ｇｆ／cm
以下で接着力が安定しない。このため、インナ−リ−ド
とアウタ−リ−ドを加熱加圧接合する次工程で、ポリイ
ミド系接着剤と接地または電源供給用導体層の４２合金
箔とが剥離してしまう。
【０００４】また、従来銅配線の銅表面めっきの前処理
は過硫酸カリウムと硫酸の水溶液が効果的で多用されて
いる。しかしながら、銅配線と絶縁体を介して４２合金
箔が露出している場合、銅表面を上記溶液で酸洗する
と、銅表面から溶けだしてイオン化した銅が４２合金箔
の露出部に置換めっきされる。この置換めっきは、９０
度のピ−ル強度で１０ｇｆ／cm以下であり、密着力が非
常に弱い。
は過硫酸カリウムと硫酸の水溶液が効果的で多用されて
いる。しかしながら、銅配線と絶縁体を介して４２合金
箔が露出している場合、銅表面を上記溶液で酸洗する
と、銅表面から溶けだしてイオン化した銅が４２合金箔
の露出部に置換めっきされる。この置換めっきは、９０
度のピ−ル強度で１０ｇｆ／cm以下であり、密着力が非
常に弱い。
【０００５】この後、４２合金表面専用の酸洗液、たと
えば５％塩酸水溶液で酸洗した場合、４２合金箔の銅イ
オンの置換めっきは、非常に密着力が弱いため、金めっ
き下地用のニッケルめっきを施すとニッケルめっきが銅
イオンの置換めっきから剥離してしまう。密着力を向上
させるため、めっき表面を機械研磨し酸化膜を除去する
方法があるが、微細配線では研磨面が３００μｍ間隔の
ため側面が十分に研磨されず、前処理として不十分であ
る。銅と絶縁体を介して４２合金箔が露出している場
合、ニッケルめっきを行うとイオン化した銅イオンと鉄
イオンがニッケルめっき液を劣化させ、膜厚の均一で密
着の安定したニッケルめっきは不可能となる。
えば５％塩酸水溶液で酸洗した場合、４２合金箔の銅イ
オンの置換めっきは、非常に密着力が弱いため、金めっ
き下地用のニッケルめっきを施すとニッケルめっきが銅
イオンの置換めっきから剥離してしまう。密着力を向上
させるため、めっき表面を機械研磨し酸化膜を除去する
方法があるが、微細配線では研磨面が３００μｍ間隔の
ため側面が十分に研磨されず、前処理として不十分であ
る。銅と絶縁体を介して４２合金箔が露出している場
合、ニッケルめっきを行うとイオン化した銅イオンと鉄
イオンがニッケルめっき液を劣化させ、膜厚の均一で密
着の安定したニッケルめっきは不可能となる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
問題点を解消し、多ピン多層配線複合リ−ドフレ−ムに
おいて銅配線のインナ−リ−ドの微細化と接着剤による
４２合金箔またはＦｅ基合金箔の密着力の向上により品
質の安定した多ピン、例えば、２３２ピン以上の多層配
線複合リードフレームを提供することにある。
問題点を解消し、多ピン多層配線複合リ−ドフレ−ムに
おいて銅配線のインナ−リ−ドの微細化と接着剤による
４２合金箔またはＦｅ基合金箔の密着力の向上により品
質の安定した多ピン、例えば、２３２ピン以上の多層配
線複合リードフレームを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に従えば、アウタ
ーリードを金属リードフレーム、インナ−リ−ドを接地
または電源供給用導体層上に絶縁フィルムを介し、該表
面上に導体の微細配線パタ−ンを形成したフレキシブル
配線基板で構成する多層配線複合リ−ドフレ−ムにおい
て、前記接地または電源供給用導体層を４２合金箔また
はＦｅ基合金箔で構成し、該合金箔の表面に銅処理層を
設け、接着剤を介して絶縁フィルムを貼り合わせること
を特徴をする多層配線複合リードフレームが提供され
る。
ーリードを金属リードフレーム、インナ−リ−ドを接地
または電源供給用導体層上に絶縁フィルムを介し、該表
面上に導体の微細配線パタ−ンを形成したフレキシブル
配線基板で構成する多層配線複合リ−ドフレ−ムにおい
て、前記接地または電源供給用導体層を４２合金箔また
はＦｅ基合金箔で構成し、該合金箔の表面に銅処理層を
設け、接着剤を介して絶縁フィルムを貼り合わせること
を特徴をする多層配線複合リードフレームが提供され
る。
【０００８】ここで、前記接地または電源供給用導体層
を構成する４２合金箔またはＦｅ基合金箔表面の銅処理
層は、気相法、あるいはめっき法で形成されているのが
好ましい。また、前記銅処理層の厚さが、０．０１〜
２．０μｍであることが好ましい。
を構成する４２合金箔またはＦｅ基合金箔表面の銅処理
層は、気相法、あるいはめっき法で形成されているのが
好ましい。また、前記銅処理層の厚さが、０．０１〜
２．０μｍであることが好ましい。
【０００９】
【発明の作用】以下詳細に本発明を説明する。本発明の
多層配線複合リードフレームでは、４２合金箔あるいは
Ｆｅ基合金箔上に絶縁フィルムを介し、該表面上に導体
の微細パタ−ンを形成するフレキシブル配線基板の４２
合金箔、またはＦｅ基合金箔表面上に銅処理層を設け
る。銅処理層は真空蒸着、イオンプレ−ティング、スパ
ッタリングなどの気相法、あるいは、銅ストライクめっ
き、銅めっきなどのめっき法によって形成される。銅処
理層はポリイミド系の接着剤との親和性がよく、その結
果４２合金あるいは、Ｆｅ基合金箔表面銅処理層とポリ
イミド系またはエポキシ系などの接着剤とのピ−ル強度
が向上するためである。
多層配線複合リードフレームでは、４２合金箔あるいは
Ｆｅ基合金箔上に絶縁フィルムを介し、該表面上に導体
の微細パタ−ンを形成するフレキシブル配線基板の４２
合金箔、またはＦｅ基合金箔表面上に銅処理層を設け
る。銅処理層は真空蒸着、イオンプレ−ティング、スパ
ッタリングなどの気相法、あるいは、銅ストライクめっ
き、銅めっきなどのめっき法によって形成される。銅処
理層はポリイミド系の接着剤との親和性がよく、その結
果４２合金あるいは、Ｆｅ基合金箔表面銅処理層とポリ
イミド系またはエポキシ系などの接着剤とのピ−ル強度
が向上するためである。
【００１０】
【実施態様】以下に、本発明に係る多層配線複合リード
フレームを添付の図面に示す好適実施例に基づいて詳細
に説明する。図１、図２に本発明の２層配線複合リード
フレームを示す。金属リードフレームは、タイバー１３
を備え、このタイバー１３からアウターリード１５（１
５ａ、１５ｂ）がタイバー１３の中心近傍に向かって延
設されている。金属リードフレームのタイバー１３の中
心部にはフレキシブル基板１７（以下に「２層配線基
板」と称する）が配置され、この２層配線基板１７は、
上側に、例えばポリイミドよりなる絶縁フィルム層１９
と、下側に、例えばＦｅ基合金よりなる接地または電源
供給用導体層２１との２層からなっている。
フレームを添付の図面に示す好適実施例に基づいて詳細
に説明する。図１、図２に本発明の２層配線複合リード
フレームを示す。金属リードフレームは、タイバー１３
を備え、このタイバー１３からアウターリード１５（１
５ａ、１５ｂ）がタイバー１３の中心近傍に向かって延
設されている。金属リードフレームのタイバー１３の中
心部にはフレキシブル基板１７（以下に「２層配線基
板」と称する）が配置され、この２層配線基板１７は、
上側に、例えばポリイミドよりなる絶縁フィルム層１９
と、下側に、例えばＦｅ基合金よりなる接地または電源
供給用導体層２１との２層からなっている。
【００１１】ここで、フレキシブル配線基板とは、絶縁
フィルム（テ−プ状のものを含む）上に導体の微細配線
パタ−ンを形成した、いわゆるフレキシブルな配線基板
を言。ＴＡＢテ−プと称するものも、絶縁フィルム上に
導体の微細配線パタ−ンを形成したフレキシブルなもの
であり、そういう意味で構造的になんら変わりがないこ
とから、ここでいうフレキシブル配線基板として用いら
れる。
フィルム（テ−プ状のものを含む）上に導体の微細配線
パタ−ンを形成した、いわゆるフレキシブルな配線基板
を言。ＴＡＢテ−プと称するものも、絶縁フィルム上に
導体の微細配線パタ−ンを形成したフレキシブルなもの
であり、そういう意味で構造的になんら変わりがないこ
とから、ここでいうフレキシブル配線基板として用いら
れる。
【００１２】２層配線基板１７は、接地または電源供給
導体層２１を４２合金あるいは、Ｆｅ基合金箔で形成
し、前記合金箔上に真空蒸着法で、銅処理層５１を設
け、絶縁フィルム１９を接着剤４１で貼着し、かつこの
絶縁フィルム１９上に導体の微細配線パターンを形成す
る。ここで、後工程のニッケル下地金めっきの前処理、
あるいは銅処理層５１の膜質の特性により、接着剤との
ピール強度が低下するため、銅処理層５１厚さは０．０
１〜２．０μｍであることが好ましい。
導体層２１を４２合金あるいは、Ｆｅ基合金箔で形成
し、前記合金箔上に真空蒸着法で、銅処理層５１を設
け、絶縁フィルム１９を接着剤４１で貼着し、かつこの
絶縁フィルム１９上に導体の微細配線パターンを形成す
る。ここで、後工程のニッケル下地金めっきの前処理、
あるいは銅処理層５１の膜質の特性により、接着剤との
ピール強度が低下するため、銅処理層５１厚さは０．０
１〜２．０μｍであることが好ましい。
【００１３】上記絶縁フィルム層１９は片面（すなわち
上面）銅箔付ポリイミドフィルムである。
上面）銅箔付ポリイミドフィルムである。
【００１４】この銅箔は後にエッチングされてインナー
リード２７となる。絶縁フィルム層１９は、接地または
電源供給用ホール２３とがプレスパンチング等により開
口されている。この絶縁フィルム層１９に導体層２１が
銅処理層５１を介して接着剤４１により貼着されてい
る。この２層配線基板１７の絶縁フィルム層１９の上側
表面に貼付された銅箔を例えばエッチングもしくは蒸着
して、インナーリード２７が形成されている。このイン
ナーリード２７の内側先端には、ワイヤボンディング接
続が良好になされるように、例えば錫−ニッケルの下地
の上に金のような良導体がめっきされている。上記２層
配線基板１７のホール２３にも、例えば錫−ニッケルの
下地の上に金のような良導体がめっきされている。
リード２７となる。絶縁フィルム層１９は、接地または
電源供給用ホール２３とがプレスパンチング等により開
口されている。この絶縁フィルム層１９に導体層２１が
銅処理層５１を介して接着剤４１により貼着されてい
る。この２層配線基板１７の絶縁フィルム層１９の上側
表面に貼付された銅箔を例えばエッチングもしくは蒸着
して、インナーリード２７が形成されている。このイン
ナーリード２７の内側先端には、ワイヤボンディング接
続が良好になされるように、例えば錫−ニッケルの下地
の上に金のような良導体がめっきされている。上記２層
配線基板１７のホール２３にも、例えば錫−ニッケルの
下地の上に金のような良導体がめっきされている。
【００１５】上記リードフレームのアウターリード１５
ｂと、２層配線基板１７のインナーリード２７との電気
的接続は、加熱圧着して達成されている。
ｂと、２層配線基板１７のインナーリード２７との電気
的接続は、加熱圧着して達成されている。
【００１６】ところで、この図において、金属リードフ
レームのアウターリード１５は、タイバー１３の例えば
四隅近傍からそれぞれ延在するリードを接地または電源
供給用アウターリード１５ａとし、その他を信号用アウ
ターリード１５ｂとしている。信号用アウターリード１
５ｂは、上述したようにインナーリード２７との接続が
なされているが、接地または電源供給用リード１５ａ
は、導体層２１に直接接地される。この接地のため、ま
ず、上記絶縁フィルム層１９の切り欠きから露出する導
体層２１の隅部も金めっきされ、アウタ−リ−ド１５ｂ
と同じように先端に錫めっきされた接地または電源供給
用リード１５ａの先端をあて、加熱圧着して、接合層３
１を形成し導体層２１と接地または電源供給用リード１
５ａとを導通接続している。
レームのアウターリード１５は、タイバー１３の例えば
四隅近傍からそれぞれ延在するリードを接地または電源
供給用アウターリード１５ａとし、その他を信号用アウ
ターリード１５ｂとしている。信号用アウターリード１
５ｂは、上述したようにインナーリード２７との接続が
なされているが、接地または電源供給用リード１５ａ
は、導体層２１に直接接地される。この接地のため、ま
ず、上記絶縁フィルム層１９の切り欠きから露出する導
体層２１の隅部も金めっきされ、アウタ−リ−ド１５ｂ
と同じように先端に錫めっきされた接地または電源供給
用リード１５ａの先端をあて、加熱圧着して、接合層３
１を形成し導体層２１と接地または電源供給用リード１
５ａとを導通接続している。
【００１７】かかる多層配線複合リードフレームに、半
導体素子３３を搭載し、半導体素子３３の信号端子とイ
ンナーリード２７のめっき端子との間をボンディングワ
イヤ３５でボンディング接続すると導体層２１の２層配
線基板１７の接地または電源供給用ホール２３から露出
する部分との間をボンディングワイヤ３５でボンディン
グして接続する。最後にインナーリード２７を包むよう
に樹脂封止して半導体装置を作製することができる。
導体素子３３を搭載し、半導体素子３３の信号端子とイ
ンナーリード２７のめっき端子との間をボンディングワ
イヤ３５でボンディング接続すると導体層２１の２層配
線基板１７の接地または電源供給用ホール２３から露出
する部分との間をボンディングワイヤ３５でボンディン
グして接続する。最後にインナーリード２７を包むよう
に樹脂封止して半導体装置を作製することができる。
【００１８】本実施態様では、銅処理層の形成を真空蒸
着法でおこなっているが、銅めっき法たとえば、銅スト
ライク処理のみ、あるいは銅ストライク処理後銅めっき
法で行ってもよい。本実施態様では、真空蒸着法で行っ
ているが、他の気相法であるイオンプレーティング、ス
パッタリングで銅処理層を形成してもよい。本実施態様
では、ポリイミド系接着剤を用いたが、ＴＡＢフィルム
キャリア用のエポキシ接着剤を用いることもできる。本
発明はこれに限定されず、また、実施例では、微細パタ
ーンのインナーリード層と接地または電源供給用導体層
とをもつ２層配線基板を用いたが、複数の導体層を絶縁
層を介して積層した構造の多層配線基板に適用可能なこ
とはもちろんである。
着法でおこなっているが、銅めっき法たとえば、銅スト
ライク処理のみ、あるいは銅ストライク処理後銅めっき
法で行ってもよい。本実施態様では、真空蒸着法で行っ
ているが、他の気相法であるイオンプレーティング、ス
パッタリングで銅処理層を形成してもよい。本実施態様
では、ポリイミド系接着剤を用いたが、ＴＡＢフィルム
キャリア用のエポキシ接着剤を用いることもできる。本
発明はこれに限定されず、また、実施例では、微細パタ
ーンのインナーリード層と接地または電源供給用導体層
とをもつ２層配線基板を用いたが、複数の導体層を絶縁
層を介して積層した構造の多層配線基板に適用可能なこ
とはもちろんである。
【００１９】本発明のより一層の理解のため、実験結果
を説明する。
を説明する。
【００２０】（実施例１）多層配線基板１７を形成する
厚さ０．２５mmの４２合金の表面をまず、溶剤たとえば
アセトンによる脱脂を行い、塩酸水溶液で酸洗した。４
２合金表面上に銅めっき法にて２．０μｍの銅処理層５
１を生成した。比較実験用のため銅めっきをしないベタ
板状の接地導体層あるいは電源供給用導体層２１を用意
した。
厚さ０．２５mmの４２合金の表面をまず、溶剤たとえば
アセトンによる脱脂を行い、塩酸水溶液で酸洗した。４
２合金表面上に銅めっき法にて２．０μｍの銅処理層５
１を生成した。比較実験用のため銅めっきをしないベタ
板状の接地導体層あるいは電源供給用導体層２１を用意
した。
【００２１】次に、厚さ０．０２mmの銅箔にポリイミド
絶縁層を厚さ０．０５mmにキャスティングし、厚さ０．
０２mmのポリイミド系接着剤を塗布したものを用意し、
タイバー１３のアウタ−リ−ド１５が短冊状に露出する
部分を並びに接地導体層または電源供給用ホ−ル２３を
金型で打ち抜いた。
絶縁層を厚さ０．０５mmにキャスティングし、厚さ０．
０２mmのポリイミド系接着剤を塗布したものを用意し、
タイバー１３のアウタ−リ−ド１５が短冊状に露出する
部分を並びに接地導体層または電源供給用ホ−ル２３を
金型で打ち抜いた。
【００２２】銅層を生成した厚さ０．２５mmの４２合金
と銅層の無い合金を各々、銅箔／ポリイミド絶縁層／ポ
リイミド系接着剤の塗布面にロ−ルラミネ−タ−で貼り
合わせを行った。接着温度は、２２０℃とする。その
後、銅箔表面をホトレジスト、パタ−ニングおよびエッ
チングを行い、微細配線信号層を形成した多層配線基板
を作製した。インナ−リ−ドピッチは０．０１mmとし
た。
と銅層の無い合金を各々、銅箔／ポリイミド絶縁層／ポ
リイミド系接着剤の塗布面にロ−ルラミネ−タ−で貼り
合わせを行った。接着温度は、２２０℃とする。その
後、銅箔表面をホトレジスト、パタ−ニングおよびエッ
チングを行い、微細配線信号層を形成した多層配線基板
を作製した。インナ−リ−ドピッチは０．０１mmとし
た。
【００２３】インナ−リ−ド２７、接地導体層あるいは
電源供給用導体層２１を構成する多層配線基板１７と、
アウターリード１５ａ、１５ｂと接地導体層あるいは電
源供給用導体層２１のデバイスホ−ル２３の表面に０．
５μｍのニッケルめっき後、０．５μｍの金めっきを施
した。めっきの前処理は５％塩酸水溶液で行った。
電源供給用導体層２１を構成する多層配線基板１７と、
アウターリード１５ａ、１５ｂと接地導体層あるいは電
源供給用導体層２１のデバイスホ−ル２３の表面に０．
５μｍのニッケルめっき後、０．５μｍの金めっきを施
した。めっきの前処理は５％塩酸水溶液で行った。
【００２４】上記方法により銅層を生成した本発明によ
る多層配線基板と実験のため用意した銅めっきをしない
ベタ基板の比較結果を用い本発明を説明する。本発明に
よる多層配線基板の接着強度を金型プレスによる衝撃試
験、図３に示す９０度曲げピ−ル強度試験により確認し
た。銅めっきをしないベタ基板では、４２合金表面とポ
リイミド接着剤間に衝撃試験による剥離分離が観察され
たが、本発明による基板は剥離もなく良好な結果が得ら
れていた。ピ−ル強度試験では、本発明の銅処理層を設
けた基板の強度が銅処理層を設けない基板に比べ、数倍
向上することが確認された。測定結果を数値で表１に示
す。明らかに、接着強度が向上している。また、めっき
の耐熱性試験を２００℃、１０分間実施したが膨れもな
く、良好な結果が得られていた。
る多層配線基板と実験のため用意した銅めっきをしない
ベタ基板の比較結果を用い本発明を説明する。本発明に
よる多層配線基板の接着強度を金型プレスによる衝撃試
験、図３に示す９０度曲げピ−ル強度試験により確認し
た。銅めっきをしないベタ基板では、４２合金表面とポ
リイミド接着剤間に衝撃試験による剥離分離が観察され
たが、本発明による基板は剥離もなく良好な結果が得ら
れていた。ピ−ル強度試験では、本発明の銅処理層を設
けた基板の強度が銅処理層を設けない基板に比べ、数倍
向上することが確認された。測定結果を数値で表１に示
す。明らかに、接着強度が向上している。また、めっき
の耐熱性試験を２００℃、１０分間実施したが膨れもな
く、良好な結果が得られていた。
【００２５】（実施例２）まず、厚さ０．２０mmの４２
合金を用いて表面を溶剤たとえばアセトンによる脱脂を
行い、塩酸水溶液で酸洗した。４２合金箔表面上に蒸着
法にて銅層を１．０μｍ生成した。比較のため蒸着をし
ないベタ板状の接地または電源供給用導体層を用意して
いる。以下実施例１と同様の手順で多層配線基板を作製
した。
合金を用いて表面を溶剤たとえばアセトンによる脱脂を
行い、塩酸水溶液で酸洗した。４２合金箔表面上に蒸着
法にて銅層を１．０μｍ生成した。比較のため蒸着をし
ないベタ板状の接地または電源供給用導体層を用意して
いる。以下実施例１と同様の手順で多層配線基板を作製
した。
【００２６】上記方法により銅層を生成した本発明によ
る多層配線基板と実験のため用意した銅めっきをしない
ベタ基板の比較結果を用い本発明を説明する。本発明に
よる多層配線基板の接着強度を金型プレスによる衝撃試
験、図３に示す９０度曲げピ−ル強度試験により確認し
た。銅めっきをしないベタ基板では、４２合金表面とポ
リイミド接着剤間に衝撃試験による剥離分離が観察され
たが、本発明による基板は剥離もなく良好の結果が得ら
れていた。ピ−ル強度試験では、本発明の銅処理層を設
けた基板の強度が銅処理層を設けない基板に比べ、数倍
向上することが確認された。測定結果を数値で表１に示
す。明らかに、接着強度が向上している。また、めっき
の耐熱性試験を２００℃、１０分間実施したが膨れもな
く、良好な結果が得られていた。
る多層配線基板と実験のため用意した銅めっきをしない
ベタ基板の比較結果を用い本発明を説明する。本発明に
よる多層配線基板の接着強度を金型プレスによる衝撃試
験、図３に示す９０度曲げピ−ル強度試験により確認し
た。銅めっきをしないベタ基板では、４２合金表面とポ
リイミド接着剤間に衝撃試験による剥離分離が観察され
たが、本発明による基板は剥離もなく良好の結果が得ら
れていた。ピ−ル強度試験では、本発明の銅処理層を設
けた基板の強度が銅処理層を設けない基板に比べ、数倍
向上することが確認された。測定結果を数値で表１に示
す。明らかに、接着強度が向上している。また、めっき
の耐熱性試験を２００℃、１０分間実施したが膨れもな
く、良好な結果が得られていた。
【００２７】
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば、４２合金あるいはＦｅ
基合金表面に銅の処理層を設けることにより、接地また
は電源供給用導体を構成する４２合金あるいはＦｅ基合
金表面とポリイミドあるいはエポキシ系接着剤との接着
強度を大幅に向上することができ、耐熱性に優れた多層
配線基板の製造が可能となる。また、ニッケル下地金め
っき工程後、切断加工後の接着強度の安定した多層フレ
キシブル配線基板およびこれを用いた多層配線複合リ−
ドフレ−ムの製造が可能となる。さらに、均一厚さの銅
層を、真空蒸着、イオンプレ−ティング、スパッタリン
グ、めっき法、ストライクめっき法で生成するため、多
層配線基板の製造工程が確立し、量産性、信頼性のある
複合リ−ドフレ−ムの製造が可能となる。
基合金表面に銅の処理層を設けることにより、接地また
は電源供給用導体を構成する４２合金あるいはＦｅ基合
金表面とポリイミドあるいはエポキシ系接着剤との接着
強度を大幅に向上することができ、耐熱性に優れた多層
配線基板の製造が可能となる。また、ニッケル下地金め
っき工程後、切断加工後の接着強度の安定した多層フレ
キシブル配線基板およびこれを用いた多層配線複合リ−
ドフレ−ムの製造が可能となる。さらに、均一厚さの銅
層を、真空蒸着、イオンプレ−ティング、スパッタリン
グ、めっき法、ストライクめっき法で生成するため、多
層配線基板の製造工程が確立し、量産性、信頼性のある
複合リ−ドフレ−ムの製造が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の多層配線複合リードフレームの一例
を説明するための断面図である。
を説明するための断面図である。
【図２】 本発明の多層配線複合リードフレームの一例
を説明するための平面図である。
を説明するための平面図である。
【図３】 ９０度曲げピ−ル強度試験説明図である。
１３ タイバ− １５ａ 接地または電源供給用アウターリード １５ｂ 信号用アウターリード １７ 多層配線基板 １９ 絶縁フィルム層 ２１ 接地または電源供給用導体層 ２３ 接地または電源供給用ホール ２７ インナーリード ３１ 金−錫合金層 ３３ 半導体素子 ３５ ボンディングワイヤ ３７ 金−錫合金層 ４１ 接着剤 ５１ 銅層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 23/12 (72)発明者 御 田 護 茨城県日立市助川町３丁目１番１号 日立 電線株式会社電線工場内
Claims (3)
- 【請求項１】アウターリードを金属リードフレーム、イ
ンナ−リ−ドを接地または電源供給用導体層上に絶縁フ
ィルムを介し、該表面上に導体の微細配線パタ−ンを形
成したフレキシブル配線基板で構成する多層配線複合リ
−ドフレ−ムにおいて、前記接地または電源供給用導体
層を４２合金箔またはＦｅ基合金箔で構成し、該合金箔
の表面に銅処理層を設け、接着剤を介して絶縁フィルム
を貼り合わせることを特徴とする多層配線複合リ−ドフ
レ−ム。 - 【請求項２】前記接地または電源供給用導体層を構成す
る４２合金箔またはＦｅ基合金箔表面の銅処理層は、気
相法、あるいはめっき法で形成されてなる請求項１に記
載の多層配線複合リ−ドフレ−ム。 - 【請求項３】前記銅処理層の厚さが、０．０１〜２．０
μｍである請求項１または２に記載の多層配線複合リー
ドフレーム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4779493A JPH06260590A (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | 多層配線複合リードフレーム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4779493A JPH06260590A (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | 多層配線複合リードフレーム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260590A true JPH06260590A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=12785283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4779493A Withdrawn JPH06260590A (ja) | 1993-03-09 | 1993-03-09 | 多層配線複合リードフレーム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06260590A (ja) |
-
1993
- 1993-03-09 JP JP4779493A patent/JPH06260590A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000509 |