JPH06260024A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH06260024A JPH06260024A JP5042604A JP4260493A JPH06260024A JP H06260024 A JPH06260024 A JP H06260024A JP 5042604 A JP5042604 A JP 5042604A JP 4260493 A JP4260493 A JP 4260493A JP H06260024 A JPH06260024 A JP H06260024A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric ceramic
- composition
- ceramic composition
- dielectric
- oxygen
- Prior art date
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- Pending
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 誘電率が大きく、かつ無負荷Ｑが大きく、
しかも共振周波数の温度係数が小さい誘電体共振器材料
等として好適な誘電体磁器組成物を提供するものであ
る。また、低温焼結可能であり、内部電極材料としてＡ
ｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等を使用して同時焼成による積層
化ができる誘電体磁器組成物を提供するものである。 【構成】 組成式、Ｂｉ12（Ｇｅ1-X ＳｉX ）Ｏ
20（ただし、０≦ｘ≦１である。）で表されるビスマ
ス、ゲルマニウム、ケイ素および酸素からなる誘電体磁
器組成物。
しかも共振周波数の温度係数が小さい誘電体共振器材料
等として好適な誘電体磁器組成物を提供するものであ
る。また、低温焼結可能であり、内部電極材料としてＡ
ｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等を使用して同時焼成による積層
化ができる誘電体磁器組成物を提供するものである。 【構成】 組成式、Ｂｉ12（Ｇｅ1-X ＳｉX ）Ｏ
20（ただし、０≦ｘ≦１である。）で表されるビスマ
ス、ゲルマニウム、ケイ素および酸素からなる誘電体磁
器組成物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体磁器等の材料と
して好適な誘電体磁器組成物に関する。
して好適な誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来技術およびその問題点】近年、マイクロ波回路の
集積化に伴い、小型で高性能の誘電体共振器が求められ
ている。このような誘電体共振器に使用される誘電体磁
器組成物には、比誘電率εr が大きいこと、また共振周
波数の温度係数τf が小さいこと、無負荷Ｑが大きいこ
となどが要求されている。
集積化に伴い、小型で高性能の誘電体共振器が求められ
ている。このような誘電体共振器に使用される誘電体磁
器組成物には、比誘電率εr が大きいこと、また共振周
波数の温度係数τf が小さいこと、無負荷Ｑが大きいこ
となどが要求されている。
【０００３】このような誘電体磁器組成物としてＢａＯ
−ＴｉＯ2 −Ｎｄ2 Ｏ3 系の誘電体磁器組成物について
の提案〔Ber.Dt.Keram.Ges.55(1978)Nr.7 ；特開昭６０
−３５４０６号公報等〕、あるいは、ＢａＯ−ＴｉＯ2
−Ｎｄ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系（特開昭６２−７２５５８
号公報、特開昭６２−１００９０６号公報）についての
提案がなされている。
−ＴｉＯ2 −Ｎｄ2 Ｏ3 系の誘電体磁器組成物について
の提案〔Ber.Dt.Keram.Ges.55(1978)Nr.7 ；特開昭６０
−３５４０６号公報等〕、あるいは、ＢａＯ−ＴｉＯ2
−Ｎｄ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系（特開昭６２−７２５５８
号公報、特開昭６２−１００９０６号公報）についての
提案がなされている。
【０００４】最近、誘電体磁器組成物を積層した積層チ
ップコンデンサ、積層誘電体共振器等が開発されてお
り、磁器組成物と内部電極との同時焼成による積層化が
行われている。しかしながら、前記誘電体磁器組成物は
焼成温度が１３００℃〜１４００℃と高いため内部電極
との同時焼成を行うことは困難な面があり、積層化構造
とするためには電極材料として高温に耐えるパラジウム
や白金等の材料に限定されていた。このため、電極材料
として安価な銀−パラジウムや銅を使用して１２００℃
以下の低温で同時焼成できる誘電体磁器組成物の開発が
求められている。
ップコンデンサ、積層誘電体共振器等が開発されてお
り、磁器組成物と内部電極との同時焼成による積層化が
行われている。しかしながら、前記誘電体磁器組成物は
焼成温度が１３００℃〜１４００℃と高いため内部電極
との同時焼成を行うことは困難な面があり、積層化構造
とするためには電極材料として高温に耐えるパラジウム
や白金等の材料に限定されていた。このため、電極材料
として安価な銀−パラジウムや銅を使用して１２００℃
以下の低温で同時焼成できる誘電体磁器組成物の開発が
求められている。
【０００５】
【発明の目的】本発明の目的は、誘電体材料として優れ
た特性、特に高誘電率で、無負荷Ｑが大きく、共振周波
数の温度変化が小さいという特性を有し、しかも低温で
焼成した場合にも焼結性が良好な誘電体磁器組成物を提
供することにある。
た特性、特に高誘電率で、無負荷Ｑが大きく、共振周波
数の温度変化が小さいという特性を有し、しかも低温で
焼成した場合にも焼結性が良好な誘電体磁器組成物を提
供することにある。
【０００６】
【問題点を解決するための手段】本発明は、組成式、Ｂ
ｉ12（Ｇｅ1-X ＳｉX ）Ｏ20（ただし、０≦ｘ≦１であ
る。）で表されるビスマス、ゲルマニウム、ケイ素およ
び酸素からなる誘電体磁器組成物に関する。
ｉ12（Ｇｅ1-X ＳｉX ）Ｏ20（ただし、０≦ｘ≦１であ
る。）で表されるビスマス、ゲルマニウム、ケイ素およ
び酸素からなる誘電体磁器組成物に関する。
【０００７】本発明の誘電体磁器組成物の好適な製造法
の一例を次に説明する。酸化ビスマス、酸化ゲルマニウ
ムおよび酸化ケイ素の出発原料を各所定量ずつ水、アル
コール等の溶媒と共に湿式混合する。続いて、水、アル
コール等を除去した後、粉砕し、酸素含有ガス雰囲気
（例えば空気雰囲気）下に６５０〜７５０℃で約１〜５
時間程度仮焼する。この仮焼物を粉砕した後、ポリビニ
ルアルコールの如き有機バインダと共に混合して均質に
し、乾燥、粉砕後、加圧成形（圧力１００〜１０００ｋ
ｇ／ｃｍ2 程度）する。得られた成形物を空気の如き酸
素含有ガス雰囲気下に８００〜９００℃で焼成すること
により上記組成式で表される誘電体磁器組成物が得られ
る。
の一例を次に説明する。酸化ビスマス、酸化ゲルマニウ
ムおよび酸化ケイ素の出発原料を各所定量ずつ水、アル
コール等の溶媒と共に湿式混合する。続いて、水、アル
コール等を除去した後、粉砕し、酸素含有ガス雰囲気
（例えば空気雰囲気）下に６５０〜７５０℃で約１〜５
時間程度仮焼する。この仮焼物を粉砕した後、ポリビニ
ルアルコールの如き有機バインダと共に混合して均質に
し、乾燥、粉砕後、加圧成形（圧力１００〜１０００ｋ
ｇ／ｃｍ2 程度）する。得られた成形物を空気の如き酸
素含有ガス雰囲気下に８００〜９００℃で焼成すること
により上記組成式で表される誘電体磁器組成物が得られ
る。
【０００８】こうして得られた誘電体磁器組成物は、そ
のまま又は必要に応じて適当な形状およびサイズに加
工、あるいはドクターブレード法等によるシート成形お
よびシートと電極による積層化することにより、誘電体
共振器、マイクロ波ＩＣ用誘電体基板、マイクロ波積層
基板等の材料として利用することができる。
のまま又は必要に応じて適当な形状およびサイズに加
工、あるいはドクターブレード法等によるシート成形お
よびシートと電極による積層化することにより、誘電体
共振器、マイクロ波ＩＣ用誘電体基板、マイクロ波積層
基板等の材料として利用することができる。
【０００９】なお、ビスマス、ゲルマニウム、ケイ素の
原料としては、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＧｅＯ 2 、ＳｉＯ2 等の他
に、焼成時に酸化物となる硝酸塩、水酸化物等を使用す
ることができる。
原料としては、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＧｅＯ 2 、ＳｉＯ2 等の他
に、焼成時に酸化物となる硝酸塩、水酸化物等を使用す
ることができる。
【００１０】
【実施例】以下に実施例を示し、本発明を更に具体的に
説明する。 実施例１ 酸化ビスマス（Ｂｉ2 Ｏ3 ）粉末０．８５７モルおよび
酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ2 ）粉末０．１４３モルをエ
タノールと共にボールミルに入れ、１０時間湿式混合し
た。溶媒のエタノールを蒸発させ、らい潰機で１時間粉
砕した。粉砕物を空気雰囲気下に７００℃で仮焼した。
さらに、エタノールと共にボールミルに入れ、１０時間
湿式混合した。溶媒のエタノールを脱媒後、らいかい機
で１時間粉砕した。この粉砕物に適量のポリビニルアル
コール溶液を加えて乾燥後、直径１２mmφ、厚さ４mmｔ
のペレットに成形し、空気雰囲気下に８５０℃で２時間
焼成した。こうして得られた実施例１の磁器組成物を直
径７mmφ、厚さ約３mmｔの大きさに加工した後、誘電共
振法によって測定し、共振周波数（４〜５ＧＨｚ）にお
ける無負荷Ｑ、比誘電率εr および共振周波数の温度係
数τf を求めた。その結果を表１に示す。
説明する。 実施例１ 酸化ビスマス（Ｂｉ2 Ｏ3 ）粉末０．８５７モルおよび
酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ2 ）粉末０．１４３モルをエ
タノールと共にボールミルに入れ、１０時間湿式混合し
た。溶媒のエタノールを蒸発させ、らい潰機で１時間粉
砕した。粉砕物を空気雰囲気下に７００℃で仮焼した。
さらに、エタノールと共にボールミルに入れ、１０時間
湿式混合した。溶媒のエタノールを脱媒後、らいかい機
で１時間粉砕した。この粉砕物に適量のポリビニルアル
コール溶液を加えて乾燥後、直径１２mmφ、厚さ４mmｔ
のペレットに成形し、空気雰囲気下に８５０℃で２時間
焼成した。こうして得られた実施例１の磁器組成物を直
径７mmφ、厚さ約３mmｔの大きさに加工した後、誘電共
振法によって測定し、共振周波数（４〜５ＧＨｚ）にお
ける無負荷Ｑ、比誘電率εr および共振周波数の温度係
数τf を求めた。その結果を表１に示す。
【００１１】実施例２〜５ 酸化ビスマス、酸化ゲルマニウムおよび酸化ケイ素の各
粉末を表１に示すようなモル比になるようにし、焼成温
度を変えたほかは実施例１と同様にして誘電体磁器組成
物を製造し、特性を測定した。その結果を表１に示す。
粉末を表１に示すようなモル比になるようにし、焼成温
度を変えたほかは実施例１と同様にして誘電体磁器組成
物を製造し、特性を測定した。その結果を表１に示す。
【００１２】
【表１】
【００１３】
【発明の効果】本発明の誘電体磁器組成物は、焼結温度
が８００〜９００℃と低温で焼結し、誘電率が大きく、
かつ無負荷Ｑが大きく、しかも共振周波数の温度変化が
小さく、誘電体共振器材料の他に、例えばマイクロ波Ｉ
Ｃ用誘電体基板、マイクロ波積層基板等にも適用でき
る。また、本発明の誘電体磁器組成物は、従来より低い
温度で焼結可能なため、内部電極材料としてＡｇ、Ａｇ
−Ｐｄ、Ｃｕ等を使用して同時焼成による積層化ができ
る。
が８００〜９００℃と低温で焼結し、誘電率が大きく、
かつ無負荷Ｑが大きく、しかも共振周波数の温度変化が
小さく、誘電体共振器材料の他に、例えばマイクロ波Ｉ
Ｃ用誘電体基板、マイクロ波積層基板等にも適用でき
る。また、本発明の誘電体磁器組成物は、従来より低い
温度で焼結可能なため、内部電極材料としてＡｇ、Ａｇ
−Ｐｄ、Ｃｕ等を使用して同時焼成による積層化ができ
る。
Claims (1)
- 【請求項１】 組成式、Ｂｉ12（Ｇｅ1-X ＳｉX ）Ｏ
20（ただし、０≦ｘ≦１である。）で表されるビスマ
ス、ゲルマニウム、ケイ素および酸素からなる誘電体磁
器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5042604A JPH06260024A (ja) | 1993-03-03 | 1993-03-03 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5042604A JPH06260024A (ja) | 1993-03-03 | 1993-03-03 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06260024A true JPH06260024A (ja) | 1994-09-16 |
Family
ID=12640655
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5042604A Pending JPH06260024A (ja) | 1993-03-03 | 1993-03-03 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06260024A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006096657A (ja) * | 2004-09-03 | 2006-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | Ｂｉ１２ＭＯ２０前駆体、Ｂｉ１２ＭＯ２０粉体の製造方法および放射線撮像パネルを構成する光導電層の製造方法 |
| CN112299837A (zh) * | 2020-10-28 | 2021-02-02 | 华中科技大学 | 一种低介微波介质陶瓷材料及其温频特性调控方法 |
-
1993
- 1993-03-03 JP JP5042604A patent/JPH06260024A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006096657A (ja) * | 2004-09-03 | 2006-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | Ｂｉ１２ＭＯ２０前駆体、Ｂｉ１２ＭＯ２０粉体の製造方法および放射線撮像パネルを構成する光導電層の製造方法 |
| JP4602205B2 (ja) * | 2004-09-03 | 2010-12-22 | 富士フイルム株式会社 | Ｂｉ１２ＭＯ２０前駆体、Ｂｉ１２ＭＯ２０粉体の製造方法および放射線撮像パネルを構成する光導電層の製造方法 |
| CN112299837A (zh) * | 2020-10-28 | 2021-02-02 | 华中科技大学 | 一种低介微波介质陶瓷材料及其温频特性调控方法 |
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