JPH0864031A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH0864031A JPH0864031A JP6195272A JP19527294A JPH0864031A JP H0864031 A JPH0864031 A JP H0864031A JP 6195272 A JP6195272 A JP 6195272A JP 19527294 A JP19527294 A JP 19527294A JP H0864031 A JPH0864031 A JP H0864031A
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- cuo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 比誘電率εr が大きく、かつ無負荷Ｑが大き
く、しかも共振周波数の温度係数τf の小さい誘電体磁
器組成物を提供するものである。また、低温焼結が可能
であり、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等を内部電極とした積
層化が可能な誘電体磁器組成物を提供するものである。 【構成】 主成分が組成式、ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2 −ｚ
Ｎｄ2 Ｏ3 −ｔＳｍ2Ｏ3 −ｗＢｉ2 Ｏ3 （式中、０．
１≦ｘ≦０．２、０．５≦ｙ≦０．８、０．０１≦ｚ≦
０．２、０．０１≦ｔ≦０．２、０．００５≦ｗ≦０．
０５、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＋ｗ＝１である。）で表されるバ
リウム、チタン、ネオジム、サマリウム、ビスマスおよ
び酸素からなる誘電体磁器組成物であり、かつ副成分と
してＢｉＶＯ4 およびＣｕＯを含有し、主成分に対する
副成分ＢｉＶＯ4 の含有量ａ（重量％）が１≦ａ≦１５
であり、ＣｕＯの含有量ｂ（重量％）が０．５≦ｂ≦５
である誘電体磁器組成物。
く、しかも共振周波数の温度係数τf の小さい誘電体磁
器組成物を提供するものである。また、低温焼結が可能
であり、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等を内部電極とした積
層化が可能な誘電体磁器組成物を提供するものである。 【構成】 主成分が組成式、ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2 −ｚ
Ｎｄ2 Ｏ3 −ｔＳｍ2Ｏ3 −ｗＢｉ2 Ｏ3 （式中、０．
１≦ｘ≦０．２、０．５≦ｙ≦０．８、０．０１≦ｚ≦
０．２、０．０１≦ｔ≦０．２、０．００５≦ｗ≦０．
０５、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＋ｗ＝１である。）で表されるバ
リウム、チタン、ネオジム、サマリウム、ビスマスおよ
び酸素からなる誘電体磁器組成物であり、かつ副成分と
してＢｉＶＯ4 およびＣｕＯを含有し、主成分に対する
副成分ＢｉＶＯ4 の含有量ａ（重量％）が１≦ａ≦１５
であり、ＣｕＯの含有量ｂ（重量％）が０．５≦ｂ≦５
である誘電体磁器組成物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体共振器等の材料
として好適な誘電体磁器組成物に関する。
として好適な誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来技術およびその問題点】近年、マイクロ波回路の
集積化に伴い、小型で高性能の誘電体共振器が求められ
ている。このような誘電体共振器に使用される誘電体磁
器組成物には、比誘電率εr が大きいこと、無負荷Ｑが
大きいこと、共振周波数の温度係数τf が小さいこと等
の特性が要求されている。
集積化に伴い、小型で高性能の誘電体共振器が求められ
ている。このような誘電体共振器に使用される誘電体磁
器組成物には、比誘電率εr が大きいこと、無負荷Ｑが
大きいこと、共振周波数の温度係数τf が小さいこと等
の特性が要求されている。
【０００３】このような誘電体磁器組成物として、Ｂａ
Ｏ−ＴｉＯ2 −Ｎｄ2 Ｏ3 系の誘電体磁器組成物につい
て提案〔Ber.Dt.Keram.Ges.,55(1978)Nr.7；特開昭６０
−３５４０６号公報〕、あるいはＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｎ
ｄ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系（特開昭６２−７２５５８号公
報）について提案されている。
Ｏ−ＴｉＯ2 −Ｎｄ2 Ｏ3 系の誘電体磁器組成物につい
て提案〔Ber.Dt.Keram.Ges.,55(1978)Nr.7；特開昭６０
−３５４０６号公報〕、あるいはＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｎ
ｄ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系（特開昭６２−７２５５８号公
報）について提案されている。
【０００４】最近、誘電体磁器組成物を積層した積層チ
ップコンデンサ、積層誘電体共振器等が開発されてお
り、磁器組成物と内部電極との同時焼成による積層化が
行われている。しかしながら、前記誘電体磁器組成物は
焼成温度が１３００℃〜１４００℃と高いため内部電極
との同時焼成を行うことは困難な面があり、積層化構造
とするためには電極材料として高温に耐えるパラジウム
（Ｐｄ）や白金（Ｐｔ）等の材料に限定されていた。こ
のため、電極材料として安価な銀（Ａｇ）、銀−パラジ
ウム（Ａｇ−Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）を使用して１２００℃
以下の低温で同時焼成できる誘電体磁器組成物が求めら
れている。
ップコンデンサ、積層誘電体共振器等が開発されてお
り、磁器組成物と内部電極との同時焼成による積層化が
行われている。しかしながら、前記誘電体磁器組成物は
焼成温度が１３００℃〜１４００℃と高いため内部電極
との同時焼成を行うことは困難な面があり、積層化構造
とするためには電極材料として高温に耐えるパラジウム
（Ｐｄ）や白金（Ｐｔ）等の材料に限定されていた。こ
のため、電極材料として安価な銀（Ａｇ）、銀−パラジ
ウム（Ａｇ−Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）を使用して１２００℃
以下の低温で同時焼成できる誘電体磁器組成物が求めら
れている。
【０００５】
【発明の目的】本発明の目的は、誘電体共振器等の材料
として優れた特性、特に高誘電率で、無負荷Ｑが大き
く、共振周波数の温度変化が小さいという特性を有し、
しかも低温で焼成した場合にも焼結性が良好な誘電体磁
器組成物を提供することにある。
として優れた特性、特に高誘電率で、無負荷Ｑが大き
く、共振周波数の温度変化が小さいという特性を有し、
しかも低温で焼成した場合にも焼結性が良好な誘電体磁
器組成物を提供することにある。
【０００６】
【問題点を解決するための手段】本発明は、主成分が組
成式、ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2 −ｚＮｄ2 Ｏ3 −ｔＳｍ2
Ｏ3 −ｗＢｉ2 Ｏ3 （式中、０．１≦ｘ≦０．２、０．
５≦ｙ≦０．８、０．０１≦ｚ≦０．２、０．０１≦ｔ
≦０．２、０．００５≦ｗ≦０．０５、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ
＋ｗ＝１である。）で表されるバリウム、チタン、ネオ
ジム、サマリウム、ビスマスおよび酸素からなる誘電体
磁器組成物であり、かつ副成分としてＢｉＶＯ4 および
ＣｕＯを含有し、主成分に対する副成分ＢｉＶＯ4 の含
有量ａ（重量％）が１≦ａ≦１５であり、ＣｕＯの含有
量ｂ（重量％）が０．５≦ｂ≦５であることを特徴とす
る誘電体磁器組成物に関する。
成式、ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2 −ｚＮｄ2 Ｏ3 −ｔＳｍ2
Ｏ3 −ｗＢｉ2 Ｏ3 （式中、０．１≦ｘ≦０．２、０．
５≦ｙ≦０．８、０．０１≦ｚ≦０．２、０．０１≦ｔ
≦０．２、０．００５≦ｗ≦０．０５、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ
＋ｗ＝１である。）で表されるバリウム、チタン、ネオ
ジム、サマリウム、ビスマスおよび酸素からなる誘電体
磁器組成物であり、かつ副成分としてＢｉＶＯ4 および
ＣｕＯを含有し、主成分に対する副成分ＢｉＶＯ4 の含
有量ａ（重量％）が１≦ａ≦１５であり、ＣｕＯの含有
量ｂ（重量％）が０．５≦ｂ≦５であることを特徴とす
る誘電体磁器組成物に関する。
【０００７】本発明によれば、組成式ｘＢａＯ−ｙＴｉ
Ｏ2 −ｚＮｄ2 Ｏ3 −ｔＳｍ2 Ｏ3−ｗＢｉ2 Ｏ3 で表
される誘電体磁器組成物に副成分としてＢｉＶＯ4 およ
びＣｕＯを含有させることにより、低温焼結でき、かつ
高誘電率で、無負荷Ｑが大きく、共振周波数の温度変化
が小さいという特性を有する誘電体磁器組成物を得るこ
とができる。
Ｏ2 −ｚＮｄ2 Ｏ3 −ｔＳｍ2 Ｏ3−ｗＢｉ2 Ｏ3 で表
される誘電体磁器組成物に副成分としてＢｉＶＯ4 およ
びＣｕＯを含有させることにより、低温焼結でき、かつ
高誘電率で、無負荷Ｑが大きく、共振周波数の温度変化
が小さいという特性を有する誘電体磁器組成物を得るこ
とができる。
【０００８】本発明において、ＢａＯのモル分率が過度
に大きい場合には、共振しなくなり、過度に小さい場合
には、誘電率、無負荷Ｑが小さくなる。ＴｉＯ2 のモル
分率が過度に大きい場合には、共振周波数の温度係数が
大きくなり、過度に小さい場合には、誘電率が小さくな
る。Ｎｄ2 Ｏ3 のモル分率が過度に大きい場合には、誘
電率、無負荷Ｑが小さくなり、過度に小さい場合には、
誘電率が小さくなる。Ｓｍ2 Ｏ3 のモル分率が過度に大
きい場合には、誘電率が小さくなり、過度に小さい場合
には、無負荷Ｑが小さくなる。Ｂｉ2 Ｏ3 のモル分率が
過度に大きい場合には、誘電率、無負荷Ｑが小さくな
り、過度に小さい場合には、共振周波数の温度係数が大
きくなる。
に大きい場合には、共振しなくなり、過度に小さい場合
には、誘電率、無負荷Ｑが小さくなる。ＴｉＯ2 のモル
分率が過度に大きい場合には、共振周波数の温度係数が
大きくなり、過度に小さい場合には、誘電率が小さくな
る。Ｎｄ2 Ｏ3 のモル分率が過度に大きい場合には、誘
電率、無負荷Ｑが小さくなり、過度に小さい場合には、
誘電率が小さくなる。Ｓｍ2 Ｏ3 のモル分率が過度に大
きい場合には、誘電率が小さくなり、過度に小さい場合
には、無負荷Ｑが小さくなる。Ｂｉ2 Ｏ3 のモル分率が
過度に大きい場合には、誘電率、無負荷Ｑが小さくな
り、過度に小さい場合には、共振周波数の温度係数が大
きくなる。
【０００９】本発明において、主成分に対する副成分Ｂ
ｉＶＯ4 の含有量ａ（重量％）およびＣｕＯの含有量ｂ
（重量％）が過度に大きい場合には、共振しなくなり、
また、ＢｉＶＯ4 の含有量ａ（重量％）およびＣｕＯの
含有量ｂ（重量％）が過度に小さいかゼロの場合には、
１２００℃以下での低温焼成が困難になる。したがっ
て、副成分ＢｉＶＯ4 の含有量ａおよびＣｕＯの含有量
ｂは上記範囲に設定される。
ｉＶＯ4 の含有量ａ（重量％）およびＣｕＯの含有量ｂ
（重量％）が過度に大きい場合には、共振しなくなり、
また、ＢｉＶＯ4 の含有量ａ（重量％）およびＣｕＯの
含有量ｂ（重量％）が過度に小さいかゼロの場合には、
１２００℃以下での低温焼成が困難になる。したがっ
て、副成分ＢｉＶＯ4 の含有量ａおよびＣｕＯの含有量
ｂは上記範囲に設定される。
【００１０】本発明の誘電体磁器組成物の好適な製造法
の一例を次に説明する。炭酸バリウム、酸化チタン、酸
化ネオジム、酸化サマリウムおよび酸化ビスマスの出発
原料を各所定量ずつ水、アルコ−ル等の溶媒と共に湿式
混合する。続いて、水、アルコ−ル等を除去した後、粉
砕し、酸素含有ガス雰囲気（例えば空気雰囲気）下に１
０００〜１２００℃で約１〜５時間程度仮焼する。この
ようにして得られた仮焼粉と副成分ＢｉＶＯ4 およびＣ
ｕＯを、アルコ−ル等の溶媒と共に湿式混合する。続い
て、水、アルコ−ル等を除去した後、粉砕する。更に、
ポリビニルアルコ−ルの如き有機バインダと共に混合し
て均質にし、乾燥、粉砕、加圧成型（圧力１００〜１０
００Ｋｇ／ｃｍ2 程度）する。得られた成形物を空気の
如き酸素含有ガス雰囲気下に８５０℃〜１１００℃で焼
成することにより上記組成式で表される誘電体磁器組成
物が得られる。
の一例を次に説明する。炭酸バリウム、酸化チタン、酸
化ネオジム、酸化サマリウムおよび酸化ビスマスの出発
原料を各所定量ずつ水、アルコ−ル等の溶媒と共に湿式
混合する。続いて、水、アルコ−ル等を除去した後、粉
砕し、酸素含有ガス雰囲気（例えば空気雰囲気）下に１
０００〜１２００℃で約１〜５時間程度仮焼する。この
ようにして得られた仮焼粉と副成分ＢｉＶＯ4 およびＣ
ｕＯを、アルコ−ル等の溶媒と共に湿式混合する。続い
て、水、アルコ−ル等を除去した後、粉砕する。更に、
ポリビニルアルコ−ルの如き有機バインダと共に混合し
て均質にし、乾燥、粉砕、加圧成型（圧力１００〜１０
００Ｋｇ／ｃｍ2 程度）する。得られた成形物を空気の
如き酸素含有ガス雰囲気下に８５０℃〜１１００℃で焼
成することにより上記組成式で表される誘電体磁器組成
物が得られる。
【００１１】このようにして得られた誘電体磁器組成物
は、必要により適当な形状およびサイズに加工、あるい
はドクタ−ブレ−ド法等によるシ−ト成形およびシ−ト
と電極による積層化により、誘電体共振器、誘電体基
板、積層素子等の材料として利用できる。
は、必要により適当な形状およびサイズに加工、あるい
はドクタ−ブレ−ド法等によるシ−ト成形およびシ−ト
と電極による積層化により、誘電体共振器、誘電体基
板、積層素子等の材料として利用できる。
【００１２】なお、バリウム、チタン、ネオジム、サマ
リウム、ビスマス、バナジウム、銅の原料としては、Ｂ
ａＣＯ3 、ＴｉＯ2 、Ｎｄ2 Ｏ3 ，Ｓｍ2 Ｏ3 、Ｂｉ2
Ｏ3、Ｖ2 Ｏ5 、ＣｕＯの他に、バナジン酸ビスマス仮
焼粉、あるいは焼成時に酸化物となる硝酸塩、水酸化物
等を使用することができる。
リウム、ビスマス、バナジウム、銅の原料としては、Ｂ
ａＣＯ3 、ＴｉＯ2 、Ｎｄ2 Ｏ3 ，Ｓｍ2 Ｏ3 、Ｂｉ2
Ｏ3、Ｖ2 Ｏ5 、ＣｕＯの他に、バナジン酸ビスマス仮
焼粉、あるいは焼成時に酸化物となる硝酸塩、水酸化物
等を使用することができる。
【００１３】
【実施例】以下に実施例および比較例を示し、本発明を
さらに具体的に説明する。 実施例１ 炭酸バリウム粉末（ＢａＣＯ3 ）０．１５モル、酸化チ
タン粉末（ＴｉＯ2 ）０．６７５モル、酸化ネオジム紛
末（Ｎｄ2 Ｏ3 ）０．１３モル、酸化サマリウム紛末
（Ｓｍ2 Ｏ3 ）０．０２モル、酸化ビスマス紛末（Ｂｉ
2 Ｏ3 ）０．０２５モルをエタノ−ルと共にボ−ルミル
に入れ、１２時間湿式混合した。溶液を脱媒後、粉砕
し、空気雰囲気下１１００℃で仮焼した。得られた仮焼
物にバナジン酸ビスマス（ＢｉＶＯ4 ）１０ｗｔ％およ
び酸化銅粉末（ＣｕＯ）１ｗｔ％を添加しエタノ−ルと
共にボ−ルミルに入れ、１２時間湿式混合した。溶液を
脱媒後、粉砕し、この粉砕物に適量のポリビニルアルコ
−ル溶液を加えて乾燥後、直径１２ｍｍφ、厚み４ｍｍ
ｔのペレットに成形し、空気雰囲気下において１０５０
℃で２時間焼成した。
さらに具体的に説明する。 実施例１ 炭酸バリウム粉末（ＢａＣＯ3 ）０．１５モル、酸化チ
タン粉末（ＴｉＯ2 ）０．６７５モル、酸化ネオジム紛
末（Ｎｄ2 Ｏ3 ）０．１３モル、酸化サマリウム紛末
（Ｓｍ2 Ｏ3 ）０．０２モル、酸化ビスマス紛末（Ｂｉ
2 Ｏ3 ）０．０２５モルをエタノ−ルと共にボ−ルミル
に入れ、１２時間湿式混合した。溶液を脱媒後、粉砕
し、空気雰囲気下１１００℃で仮焼した。得られた仮焼
物にバナジン酸ビスマス（ＢｉＶＯ4 ）１０ｗｔ％およ
び酸化銅粉末（ＣｕＯ）１ｗｔ％を添加しエタノ−ルと
共にボ−ルミルに入れ、１２時間湿式混合した。溶液を
脱媒後、粉砕し、この粉砕物に適量のポリビニルアルコ
−ル溶液を加えて乾燥後、直径１２ｍｍφ、厚み４ｍｍ
ｔのペレットに成形し、空気雰囲気下において１０５０
℃で２時間焼成した。
【００１４】こうして得られた磁器組成物を直径７ｍｍ
φ、厚み約３ｍｍｔの大きさに加工したのち、誘電共振
法によって測定し、共振周波数（３〜５ＧＨｚ）におけ
る無負荷Ｑ、比誘電率および共振周波数の温度係数を求
めた。その結果を表２に示す。
φ、厚み約３ｍｍｔの大きさに加工したのち、誘電共振
法によって測定し、共振周波数（３〜５ＧＨｚ）におけ
る無負荷Ｑ、比誘電率および共振周波数の温度係数を求
めた。その結果を表２に示す。
【００１５】実施例２〜７および比較例１〜１３ 実施例１の炭酸バリウム、酸化チタン、酸化ネオジム、
酸化サマリウムおよび酸化ビスマスの混合割合と副成分
の添加量とを表１記載にように代えた他は、実施例１と
同様にして誘電体磁器組成物を製造し、特性を測定し
た。その結果を表２に示す。
酸化サマリウムおよび酸化ビスマスの混合割合と副成分
の添加量とを表１記載にように代えた他は、実施例１と
同様にして誘電体磁器組成物を製造し、特性を測定し
た。その結果を表２に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、比誘電率εr が大き
く、かつ無負荷Ｑ値も大きく、しかも共振周波数の温度
係数τf の小さい誘電体磁器組成物を提供することがで
きる。また、低温焼結が可能であり、Ａｇ、Ａｇ−Ｐ
ｄ、Ｃｕ等を内部電極とした積層化が可能な誘電体磁器
組成物を提供することができる。
く、かつ無負荷Ｑ値も大きく、しかも共振周波数の温度
係数τf の小さい誘電体磁器組成物を提供することがで
きる。また、低温焼結が可能であり、Ａｇ、Ａｇ−Ｐ
ｄ、Ｃｕ等を内部電極とした積層化が可能な誘電体磁器
組成物を提供することができる。
Claims (1)
- 【請求項１】 主成分が組成式、ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ
2 −ｚＮｄ2 Ｏ3 −ｔＳｍ2 Ｏ3 −ｗＢｉ2 Ｏ3 （式
中、０．１≦ｘ≦０．２、０．５≦ｙ≦０．８、０．０
１≦ｚ≦０．２、０．０１≦ｔ≦０．２、０．００５≦
ｗ≦０．０５、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＋ｗ＝１である。）で表
されるバリウム、チタン、ネオジム、サマリウム、ビス
マスおよび酸素からなる誘電体磁器組成物であり、かつ
副成分としてＢｉＶＯ4 およびＣｕＯを含有し、主成分
に対する副成分ＢｉＶＯ4 の含有量ａ（重量％）が１≦
ａ≦１５であり、ＣｕＯの含有量ｂ（重量％）が０．５
≦ｂ≦５であることを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6195272A JPH0864031A (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6195272A JPH0864031A (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0864031A true JPH0864031A (ja) | 1996-03-08 |
Family
ID=16338405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6195272A Pending JPH0864031A (ja) | 1994-08-19 | 1994-08-19 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0864031A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100355615B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2002-10-12 | 안달 | 유전체 세라믹 조성물 |
| JP2006232629A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミック及び誘電体セラミックの製造方法、並びに積層セラミックコンデンサ |
-
1994
- 1994-08-19 JP JP6195272A patent/JPH0864031A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100355615B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2002-10-12 | 안달 | 유전체 세라믹 조성물 |
| JP2006232629A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミック及び誘電体セラミックの製造方法、並びに積層セラミックコンデンサ |
| JP4697582B2 (ja) * | 2005-02-25 | 2011-06-08 | 株式会社村田製作所 | 誘電体セラミック及び誘電体セラミックの製造方法、並びに積層セラミックコンデンサ |
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