JPH08208329A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH08208329A JPH08208329A JP7016629A JP1662995A JPH08208329A JP H08208329 A JPH08208329 A JP H08208329A JP 7016629 A JP7016629 A JP 7016629A JP 1662995 A JP1662995 A JP 1662995A JP H08208329 A JPH08208329 A JP H08208329A
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- JP
- Japan
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- glass powder
- content
- zno
- dielectric
- mgo
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 比誘電率εr が大きく、かつ無負荷Ｑ値も大
きく、しかも共振周波数の温度係数τf の小さい誘電体
磁器組成物を提供するものである。また、低温焼結が可
能であり、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等を内部電極とした
積層化が可能な誘電体磁器組成物を提供するものであ
る。 【構成】 主成分が組成式、ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2 −ｚ
Ｎｄ2 Ｏ3 −ｔＳｍ2Ｏ3 （式中、０．１≦ｘ≦０．
２、０．５≦ｙ≦０．８、０．０１≦ｚ≦０．２、０≦
ｔ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＝１である。）で表される
バリウム、チタン、ネオジム、サマリウムおよび酸素か
らなる誘電体磁器組成物であり、かつ副成分としてＰｂ
Ｏ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3 から構成されるガラス粉末な
らびにＧｅＯ2 およびＭｇＯを含有し、主成分に対する
副成分ガラス粉末の含有量ａ（重量％）が１≦ａ≦２
５、ＧｅＯ2 の含有量ｂ（重量％）が０．５≦ｂ≦１０
およびＭｇＯの含有量ｃ（重量％）が０＜ｃ＜５である
誘電体磁器組成物。
きく、しかも共振周波数の温度係数τf の小さい誘電体
磁器組成物を提供するものである。また、低温焼結が可
能であり、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等を内部電極とした
積層化が可能な誘電体磁器組成物を提供するものであ
る。 【構成】 主成分が組成式、ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2 −ｚ
Ｎｄ2 Ｏ3 −ｔＳｍ2Ｏ3 （式中、０．１≦ｘ≦０．
２、０．５≦ｙ≦０．８、０．０１≦ｚ≦０．２、０≦
ｔ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＝１である。）で表される
バリウム、チタン、ネオジム、サマリウムおよび酸素か
らなる誘電体磁器組成物であり、かつ副成分としてＰｂ
Ｏ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3 から構成されるガラス粉末な
らびにＧｅＯ2 およびＭｇＯを含有し、主成分に対する
副成分ガラス粉末の含有量ａ（重量％）が１≦ａ≦２
５、ＧｅＯ2 の含有量ｂ（重量％）が０．５≦ｂ≦１０
およびＭｇＯの含有量ｃ（重量％）が０＜ｃ＜５である
誘電体磁器組成物。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、誘電体共振器等の材料
として好適な誘電体磁器組成物に関する。
として好適な誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来技術およびその問題点】近年、マイクロ波回路の
集積化に伴い、小型で高性能な誘電体共振器が求められ
ている。このような誘電体共振器に使用される誘電体磁
器組成物には、比誘電率εr が大きいこと、無負荷Ｑが
大きいこと、共振周波数の温度係数τf が小さいこと等
の特性が要求されている。
集積化に伴い、小型で高性能な誘電体共振器が求められ
ている。このような誘電体共振器に使用される誘電体磁
器組成物には、比誘電率εr が大きいこと、無負荷Ｑが
大きいこと、共振周波数の温度係数τf が小さいこと等
の特性が要求されている。
【０００３】このような誘電体磁器組成物として、Ｂａ
Ｏ−ＴｉＯ2 −Ｎｄ2 Ｏ3 系の誘電体磁器組成物につい
て提案〔Ber.Dt.Keram.Ges.,55(1978)Nr.7；特開昭６０
−３５４０６号公報〕、あるいはＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｎ
ｄ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系（特開昭６２−７２５５８号公
報）について提案されている。
Ｏ−ＴｉＯ2 −Ｎｄ2 Ｏ3 系の誘電体磁器組成物につい
て提案〔Ber.Dt.Keram.Ges.,55(1978)Nr.7；特開昭６０
−３５４０６号公報〕、あるいはＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｎ
ｄ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系（特開昭６２−７２５５８号公
報）について提案されている。
【０００４】最近、誘電体磁器組成物を積層した積層チ
ップコンデンサ、積層誘電体共振器等が開発されてお
り、磁器組成物と内部電極との同時焼成による積層化が
行われている。しかしながら、前記誘電体磁器組成物は
焼成温度が１３００℃〜１４００℃と高いため内部電極
との同時焼成を行うことは困難な面があり、積層化構造
とするためには電極材料として高温に耐えるパラジウム
（Ｐｄ）や白金（Ｐｔ）等の材料に限定されていた。こ
のため、電極材料として安価な銀（Ａｇ）、銀−パラジ
ウム（Ａｇ−Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）を使用して１２００℃
以下の低温で同時焼成できる誘電体磁器組成物が求めら
れている。
ップコンデンサ、積層誘電体共振器等が開発されてお
り、磁器組成物と内部電極との同時焼成による積層化が
行われている。しかしながら、前記誘電体磁器組成物は
焼成温度が１３００℃〜１４００℃と高いため内部電極
との同時焼成を行うことは困難な面があり、積層化構造
とするためには電極材料として高温に耐えるパラジウム
（Ｐｄ）や白金（Ｐｔ）等の材料に限定されていた。こ
のため、電極材料として安価な銀（Ａｇ）、銀−パラジ
ウム（Ａｇ−Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）を使用して１２００℃
以下の低温で同時焼成できる誘電体磁器組成物が求めら
れている。
【０００５】
【発明の目的】本発明の目的は、誘電体共振器等の材料
として優れた特性、特に高誘電率で、無負荷Ｑが大き
く、共振周波数の温度変化が小さいという特性を有し、
しかも低温で焼成した場合にも焼結性が良好な誘電体磁
器組成物を提供することにある。
として優れた特性、特に高誘電率で、無負荷Ｑが大き
く、共振周波数の温度変化が小さいという特性を有し、
しかも低温で焼成した場合にも焼結性が良好な誘電体磁
器組成物を提供することにある。
【０００６】
【問題点を解決するための手段】本発明は、主成分が組
成式、ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2 −ｚＮｄ2 Ｏ3 −ｔＳｍ2
Ｏ3 （式中、０．１≦ｘ≦０．２、０．５≦ｙ≦０．
８、０．０１≦ｚ≦０．２、０≦ｔ≦０．２、ｘ＋ｙ＋
ｚ＋ｔ＝１である。）で表されるバリウム、チタン、ネ
オジム、サマリウムおよび酸素からなる誘電体磁器組成
物であり、かつ副成分としてＰｂＯ、ＺｎＯおよびＢ2
Ｏ3 から構成されるガラス粉末ならびにＧｅＯ2 および
ＭｇＯを含有し、主成分に対する副成分ガラス粉末の含
有量ａ（重量％）が１≦ａ≦２５、ＧｅＯ2 の含有量ｂ
（重量％）が０．５≦ｂ≦１０およびＭｇＯの含有量ｃ
（重量％）が０＜ｃ＜５であることを特徴とする誘電体
磁器組成物に関する。
成式、ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2 −ｚＮｄ2 Ｏ3 −ｔＳｍ2
Ｏ3 （式中、０．１≦ｘ≦０．２、０．５≦ｙ≦０．
８、０．０１≦ｚ≦０．２、０≦ｔ≦０．２、ｘ＋ｙ＋
ｚ＋ｔ＝１である。）で表されるバリウム、チタン、ネ
オジム、サマリウムおよび酸素からなる誘電体磁器組成
物であり、かつ副成分としてＰｂＯ、ＺｎＯおよびＢ2
Ｏ3 から構成されるガラス粉末ならびにＧｅＯ2 および
ＭｇＯを含有し、主成分に対する副成分ガラス粉末の含
有量ａ（重量％）が１≦ａ≦２５、ＧｅＯ2 の含有量ｂ
（重量％）が０．５≦ｂ≦１０およびＭｇＯの含有量ｃ
（重量％）が０＜ｃ＜５であることを特徴とする誘電体
磁器組成物に関する。
【０００７】本発明によれば、組成式ｘＢａＯ−ｙＴｉ
Ｏ2 −ｚＮｄ2 Ｏ3 −ｔＳｍ2 Ｏ3で表される誘電体磁
器組成物に、副成分としてＰｂＯ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ
3 から構成されるガラス粉末ならびにＧｅＯ2 およびＭ
ｇＯを含有させることにより、低温焼結でき、かつ高誘
電率で、無負荷Ｑが大きく、共振周波数の温度変化が小
さいという特性を有する誘電体磁器組成物を得ることが
できる。
Ｏ2 −ｚＮｄ2 Ｏ3 −ｔＳｍ2 Ｏ3で表される誘電体磁
器組成物に、副成分としてＰｂＯ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ
3 から構成されるガラス粉末ならびにＧｅＯ2 およびＭ
ｇＯを含有させることにより、低温焼結でき、かつ高誘
電率で、無負荷Ｑが大きく、共振周波数の温度変化が小
さいという特性を有する誘電体磁器組成物を得ることが
できる。
【０００８】本発明において、ＢａＯのモル分率が過度
に大きい場合には、共振しなくなり、過度に小さい場合
には、誘電率、無負荷Ｑが小さくなる。ＴｉＯ2 のモル
分率が過度に大きい場合には、共振周波数の温度係数が
大きくなり、過度に小さい場合には、誘電率が小さくな
る。Ｎｄ2 Ｏ3 のモル分率が過度に大きい場合には、誘
電率、無負荷Ｑが小さくなり、過度に小さい場合には、
共振周波数の温度係数が大きくなる。Ｓｍ2 Ｏ3 のモル
分率が過度に大きい場合には、誘電率、無負荷Ｑが小さ
くなる。
に大きい場合には、共振しなくなり、過度に小さい場合
には、誘電率、無負荷Ｑが小さくなる。ＴｉＯ2 のモル
分率が過度に大きい場合には、共振周波数の温度係数が
大きくなり、過度に小さい場合には、誘電率が小さくな
る。Ｎｄ2 Ｏ3 のモル分率が過度に大きい場合には、誘
電率、無負荷Ｑが小さくなり、過度に小さい場合には、
共振周波数の温度係数が大きくなる。Ｓｍ2 Ｏ3 のモル
分率が過度に大きい場合には、誘電率、無負荷Ｑが小さ
くなる。
【０００９】また、本発明において、主成分に対する副
成分ＰｂＯ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3から構成されるガラ
ス粉末の含有量ａ（重量％）、ＧｅＯ2 の含有量ｂ（重
量％）ならびにＭｇＯの含有量ｃ（重量％）が過度に大
きい場合には、無負荷Ｑが小さくなる。また、ＰｂＯ、
ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3 から構成されるガラス粉末の含有
量ａ（重量％）が過度に小さいかゼロの場合には、１２
００℃以下での低温焼成が困難になる。ＧｅＯ2 の含有
量ｂ（重量％）が過度に小さいかゼロの場合、あるいは
ＭｇＯの含有量ｃ（重量％）がゼロの場合には、無負荷
Ｑが小さくなる。したがって、副成分ＰｂＯ、ＺｎＯお
よびＢ2 Ｏ3 から構成されるガラス粉末の含有量ａ（重
量％）、ＧｅＯ2 の含有量ｂ（重量％）ならびにＭｇＯ
の含有量ｃ（重量％）は上記範囲に設定される。また、
ＰｂＯ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3 から構成されるガラス粉
末において、ＰｂＯ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3 の構成割合
は特に限定されないが、ＺｎＯの含有量が過度に大きい
場合にはガラスの軟化点が上昇し、低温焼成が困難にな
るため、ガラス粉末中のＺｎＯの含有量は５０重量％以
下が好ましい。
成分ＰｂＯ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3から構成されるガラ
ス粉末の含有量ａ（重量％）、ＧｅＯ2 の含有量ｂ（重
量％）ならびにＭｇＯの含有量ｃ（重量％）が過度に大
きい場合には、無負荷Ｑが小さくなる。また、ＰｂＯ、
ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3 から構成されるガラス粉末の含有
量ａ（重量％）が過度に小さいかゼロの場合には、１２
００℃以下での低温焼成が困難になる。ＧｅＯ2 の含有
量ｂ（重量％）が過度に小さいかゼロの場合、あるいは
ＭｇＯの含有量ｃ（重量％）がゼロの場合には、無負荷
Ｑが小さくなる。したがって、副成分ＰｂＯ、ＺｎＯお
よびＢ2 Ｏ3 から構成されるガラス粉末の含有量ａ（重
量％）、ＧｅＯ2 の含有量ｂ（重量％）ならびにＭｇＯ
の含有量ｃ（重量％）は上記範囲に設定される。また、
ＰｂＯ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3 から構成されるガラス粉
末において、ＰｂＯ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3 の構成割合
は特に限定されないが、ＺｎＯの含有量が過度に大きい
場合にはガラスの軟化点が上昇し、低温焼成が困難にな
るため、ガラス粉末中のＺｎＯの含有量は５０重量％以
下が好ましい。
【００１０】本発明の誘電体磁器組成物の好適な製造法
の一例を次に説明する。炭酸バリウム、酸化チタン、酸
化ネオジムおよび酸化サマリウムの出発原料を各所定量
ずつ水、アルコール等の溶媒と共に湿式混合する。続い
て、水、アルコール等を除去した後、粉砕し、酸素含有
ガス雰囲気（例えば空気雰囲気）下に１０００〜１３０
０℃で約１〜５時間程度仮焼する。このようにして得ら
れた仮焼粉と副成分ＰｂＯ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3 から
構成されるガラス粉末、ＧｅＯ2、ＭｇＯとをアルコー
ル等の溶媒と共に湿式混合、粉砕する。続いて、水、ア
ルコール等を除去した後、ポリビニルアルコールの如き
有機バインダと共に混合して均質にし、乾燥、粉砕、加
圧成型（圧力１００〜１０００Ｋｇ／ｃｍ2 程度）す
る。得られた成形物を空気の如き酸素含有ガス雰囲気下
に８５０℃〜１１００℃で焼成することにより上記組成
式で表される誘電体磁器組成物が得られる。
の一例を次に説明する。炭酸バリウム、酸化チタン、酸
化ネオジムおよび酸化サマリウムの出発原料を各所定量
ずつ水、アルコール等の溶媒と共に湿式混合する。続い
て、水、アルコール等を除去した後、粉砕し、酸素含有
ガス雰囲気（例えば空気雰囲気）下に１０００〜１３０
０℃で約１〜５時間程度仮焼する。このようにして得ら
れた仮焼粉と副成分ＰｂＯ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3 から
構成されるガラス粉末、ＧｅＯ2、ＭｇＯとをアルコー
ル等の溶媒と共に湿式混合、粉砕する。続いて、水、ア
ルコール等を除去した後、ポリビニルアルコールの如き
有機バインダと共に混合して均質にし、乾燥、粉砕、加
圧成型（圧力１００〜１０００Ｋｇ／ｃｍ2 程度）す
る。得られた成形物を空気の如き酸素含有ガス雰囲気下
に８５０℃〜１１００℃で焼成することにより上記組成
式で表される誘電体磁器組成物が得られる。
【００１１】このようにして得られた誘電体磁器組成物
は、必要により適当な形状およびサイズに加工、あるい
はドクターブレード法等によるシート成形およびシート
と電極による積層化により、誘電体共振器、誘電体基
板、積層素子等の材料として利用できる。
は、必要により適当な形状およびサイズに加工、あるい
はドクターブレード法等によるシート成形およびシート
と電極による積層化により、誘電体共振器、誘電体基
板、積層素子等の材料として利用できる。
【００１２】なお、バリウム、チタン、ネオジム、サマ
リウム、鉛、亜鉛、ホウ素、ゲルマニウム、マグネシウ
ムの原料としては、ＢａＣＯ3 、ＴｉＯ2 、Ｎｄ
2 Ｏ3 、Ｓｍ2 Ｏ3 、ＰｂＯ、ＺｎＯ、Ｂ2 Ｏ3 、Ｇｅ
Ｏ2 、ＭｇＯの他に、焼成時に酸化物となる硝酸塩、水
酸化物等を使用することができる。
リウム、鉛、亜鉛、ホウ素、ゲルマニウム、マグネシウ
ムの原料としては、ＢａＣＯ3 、ＴｉＯ2 、Ｎｄ
2 Ｏ3 、Ｓｍ2 Ｏ3 、ＰｂＯ、ＺｎＯ、Ｂ2 Ｏ3 、Ｇｅ
Ｏ2 、ＭｇＯの他に、焼成時に酸化物となる硝酸塩、水
酸化物等を使用することができる。
【００１３】
【実施例】以下に実施例および比較例を示し、本発明を
さらに具体的に説明する。 実施例１ 炭酸バリウム粉末（ＢａＣＯ3 ）０．１３モル、酸化チ
タン粉末（ＴｉＯ2 ）０．７０モル、酸化ネオジム粉末
（Ｎｄ2 Ｏ3 ）０．１７モルをエタノールと共にボール
ミルに入れ、１２時間湿式混合した。溶液を脱媒後、粉
砕し、空気雰囲気下１２５０℃で仮焼した。また、酸化
鉛粉末（ＰｂＯ）８４ｗｔ％、酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ）
７ｗｔ％および酸化ホウ素粉末（Ｂ2 Ｏ3 ）９ｗｔ％か
ら構成されるガラス粉末Ａを常法により調製した。上記
で得られた仮焼物にこのＰｂＯ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3
から構成されるガラス粉末Ａを２ｗｔ％ならびに酸化ゲ
ルマニウム粉末（ＧｅＯ2 ）３ｗｔ％および酸化マグネ
シウム粉末（ＭｇＯ）０．２ｗｔ％を添加しエタノール
と共にボールミルに入れ、４８時間湿式混合した。溶液
を脱媒後、粉砕し、この粉砕物に適量のポリビニルアル
コール溶液を加えて乾燥後、直径１２ｍｍφ、厚み４ｍ
ｍｔのペレットに成形し、空気雰囲気下において９７０
℃で２時間焼成した。
さらに具体的に説明する。 実施例１ 炭酸バリウム粉末（ＢａＣＯ3 ）０．１３モル、酸化チ
タン粉末（ＴｉＯ2 ）０．７０モル、酸化ネオジム粉末
（Ｎｄ2 Ｏ3 ）０．１７モルをエタノールと共にボール
ミルに入れ、１２時間湿式混合した。溶液を脱媒後、粉
砕し、空気雰囲気下１２５０℃で仮焼した。また、酸化
鉛粉末（ＰｂＯ）８４ｗｔ％、酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ）
７ｗｔ％および酸化ホウ素粉末（Ｂ2 Ｏ3 ）９ｗｔ％か
ら構成されるガラス粉末Ａを常法により調製した。上記
で得られた仮焼物にこのＰｂＯ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3
から構成されるガラス粉末Ａを２ｗｔ％ならびに酸化ゲ
ルマニウム粉末（ＧｅＯ2 ）３ｗｔ％および酸化マグネ
シウム粉末（ＭｇＯ）０．２ｗｔ％を添加しエタノール
と共にボールミルに入れ、４８時間湿式混合した。溶液
を脱媒後、粉砕し、この粉砕物に適量のポリビニルアル
コール溶液を加えて乾燥後、直径１２ｍｍφ、厚み４ｍ
ｍｔのペレットに成形し、空気雰囲気下において９７０
℃で２時間焼成した。
【００１４】こうして得られた磁器組成物を直径７ｍｍ
φ、厚み約３ｍｍｔの大きさに加工したのち、誘電共振
法によって測定し、共振周波数（３〜６ＧＨｚ）におけ
る無負荷Ｑ、比誘電率および共振周波数の温度係数を求
めた。その結果を表２に示す。
φ、厚み約３ｍｍｔの大きさに加工したのち、誘電共振
法によって測定し、共振周波数（３〜６ＧＨｚ）におけ
る無負荷Ｑ、比誘電率および共振周波数の温度係数を求
めた。その結果を表２に示す。
【００１５】実施例２〜１８および比較例１〜１２ 実施例１の炭酸バリウム、酸化チタン、酸化ネオジムお
よび酸化サマリウムの混合割合と、副成分であるＰｂ
Ｏ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3 から構成されるガラス粉末の
種類（ガラス粉末Ｂ：ＰｂＯ８０ｗｔ％，ＺｎＯ１０ｗ
ｔ％，Ｂ2 Ｏ3 １０ｗｔ％）と副成分の添加量とを表１
記載のように代えた他は、実施例１と同様にして誘電体
磁器組成物を製造し、特性を測定した。その結果を表２
に示す。
よび酸化サマリウムの混合割合と、副成分であるＰｂ
Ｏ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3 から構成されるガラス粉末の
種類（ガラス粉末Ｂ：ＰｂＯ８０ｗｔ％，ＺｎＯ１０ｗ
ｔ％，Ｂ2 Ｏ3 １０ｗｔ％）と副成分の添加量とを表１
記載のように代えた他は、実施例１と同様にして誘電体
磁器組成物を製造し、特性を測定した。その結果を表２
に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】
【００１８】
【発明の効果】本発明によれば、比誘電率εr が大き
く、かつ無負荷Ｑ値も大きく、しかも共振周波数の温度
係数τf の小さい誘電体磁器組成物を提供することがで
きる。また、低温焼結が可能であり、Ａｇ、Ａｇ−Ｐ
ｄ、Ｃｕ等を内部電極とした積層化が可能な誘電体磁器
組成物を提供することができる。
く、かつ無負荷Ｑ値も大きく、しかも共振周波数の温度
係数τf の小さい誘電体磁器組成物を提供することがで
きる。また、低温焼結が可能であり、Ａｇ、Ａｇ−Ｐ
ｄ、Ｃｕ等を内部電極とした積層化が可能な誘電体磁器
組成物を提供することができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石飛 信一 山口県宇部市大字小串1978番地の５ 宇部 興産株式会社宇部研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 主成分が組成式、ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ
2 −ｚＮｄ2 Ｏ3 −ｔＳｍ2 Ｏ3 （式中、０．１≦ｘ≦
０．２、０．５≦ｙ≦０．８、０．０１≦ｚ≦０．２、
０≦ｔ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＝１である。）で表さ
れるバリウム、チタン、ネオジム、サマリウムおよび酸
素からなる誘電体磁器組成物であり、かつ副成分として
ＰｂＯ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3 から構成されるガラス粉
末ならびにＧｅＯ2 およびＭｇＯを含有し、主成分に対
する副成分ガラス粉末の含有量ａ（重量％）が１≦ａ≦
２５、ＧｅＯ2 の含有量ｂ（重量％）が０．５≦ｂ≦１
０およびＭｇＯの含有量ｃ（重量％）が０＜ｃ＜５であ
ることを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7016629A JPH08208329A (ja) | 1995-02-03 | 1995-02-03 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7016629A JPH08208329A (ja) | 1995-02-03 | 1995-02-03 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08208329A true JPH08208329A (ja) | 1996-08-13 |
Family
ID=11921662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7016629A Pending JPH08208329A (ja) | 1995-02-03 | 1995-02-03 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08208329A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6184165B1 (en) | 1998-07-15 | 2001-02-06 | Tdk Corporation | Dielectric porcelain composition |
| US6340649B1 (en) | 1999-03-16 | 2002-01-22 | Tdk Corporation | Composition of dielectric ceramics and producing method thereof |
-
1995
- 1995-02-03 JP JP7016629A patent/JPH08208329A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6184165B1 (en) | 1998-07-15 | 2001-02-06 | Tdk Corporation | Dielectric porcelain composition |
| US6340649B1 (en) | 1999-03-16 | 2002-01-22 | Tdk Corporation | Composition of dielectric ceramics and producing method thereof |
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