JPH0971462A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH0971462A JPH0971462A JP7230861A JP23086195A JPH0971462A JP H0971462 A JPH0971462 A JP H0971462A JP 7230861 A JP7230861 A JP 7230861A JP 23086195 A JP23086195 A JP 23086195A JP H0971462 A JPH0971462 A JP H0971462A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric
- porcelain composition
- dielectric porcelain
- component
- glass powder
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 比誘電率εr が大きく、かつ無負荷Ｑ値も大
きく、しかも共振周波数の温度係数τf の小さい誘電体
磁器組成物を提供するものである。また、低温焼結が可
能であり、内部電極としてＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等を
使用して同時焼成による積層化が可能な誘電体磁器組成
物を提供するものである。 【解決手段】 主成分が組成式、ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2
−ｚＮｄ2 Ｏ3 −ｔＳｍ2 Ｏ3 （式中、０．１≦ｘ≦
０．２、０．５≦ｙ≦０．８、０．０１≦ｚ≦０．２、
０≦ｔ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＝１である。）で表さ
れるバリウム、チタン、ネオジム、サマリウムおよび酸
素からなる誘電体磁器組成物であり、かつ副成分として
ガラス軟化点が５００℃以下のガラス粉末を含有し、主
成分に対する副成分ガラス粉末の含有量ａが１≦ａ≦２
５（重量％）である誘電体磁器組成物である。
きく、しかも共振周波数の温度係数τf の小さい誘電体
磁器組成物を提供するものである。また、低温焼結が可
能であり、内部電極としてＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等を
使用して同時焼成による積層化が可能な誘電体磁器組成
物を提供するものである。 【解決手段】 主成分が組成式、ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2
−ｚＮｄ2 Ｏ3 −ｔＳｍ2 Ｏ3 （式中、０．１≦ｘ≦
０．２、０．５≦ｙ≦０．８、０．０１≦ｚ≦０．２、
０≦ｔ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＝１である。）で表さ
れるバリウム、チタン、ネオジム、サマリウムおよび酸
素からなる誘電体磁器組成物であり、かつ副成分として
ガラス軟化点が５００℃以下のガラス粉末を含有し、主
成分に対する副成分ガラス粉末の含有量ａが１≦ａ≦２
５（重量％）である誘電体磁器組成物である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体共振器等の
材料として好適な誘電体磁器組成物に関する。
材料として好適な誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、マイクロ波回路の集積化に伴い、
小型で高性能な誘電体共振器が求められている。このよ
うな誘電体共振器に使用される誘電体磁器組成物には、
比誘電率εr が大きいこと、無負荷Ｑが大きいこと、共
振周波数の温度係数τf が小さいこと等の特性が要求さ
れている。
小型で高性能な誘電体共振器が求められている。このよ
うな誘電体共振器に使用される誘電体磁器組成物には、
比誘電率εr が大きいこと、無負荷Ｑが大きいこと、共
振周波数の温度係数τf が小さいこと等の特性が要求さ
れている。
【０００３】このような誘電体磁器組成物として、Ｂａ
Ｏ−ＴｉＯ2 −Ｎｄ2 Ｏ3 系の誘電体磁器組成物につい
て提案〔Ber.Dt.Keram.Ges.,55(1978)Nr.7；特開昭６０
−３５４０６号公報〕、あるいはＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｎ
ｄ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系（特開昭６２−７２５５８号公
報）について提案されている。
Ｏ−ＴｉＯ2 −Ｎｄ2 Ｏ3 系の誘電体磁器組成物につい
て提案〔Ber.Dt.Keram.Ges.,55(1978)Nr.7；特開昭６０
−３５４０６号公報〕、あるいはＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｎ
ｄ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系（特開昭６２−７２５５８号公
報）について提案されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】最近、誘電体磁器組成
物を積層した積層チップコンデンサ、積層共振器等が開
発されており、磁器組成物と内部電極との同時焼成によ
る積層化が行われている。しかしながら、前記誘電体磁
器組成物は焼成温度が１３００℃〜１４００℃と高いた
め内部電極との同時焼成を行うことは困難な面があり、
積層化構造とするためには電極材料として高温に耐える
パラジウム（Ｐｄ）や白金（Ｐｔ）等の材料に限定され
ていた。このため、電極材料として安価な銀（Ａｇ）、
銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）を使用して
１２００℃以下の低温で同時焼成できる誘電体磁器組成
物が求められている。
物を積層した積層チップコンデンサ、積層共振器等が開
発されており、磁器組成物と内部電極との同時焼成によ
る積層化が行われている。しかしながら、前記誘電体磁
器組成物は焼成温度が１３００℃〜１４００℃と高いた
め内部電極との同時焼成を行うことは困難な面があり、
積層化構造とするためには電極材料として高温に耐える
パラジウム（Ｐｄ）や白金（Ｐｔ）等の材料に限定され
ていた。このため、電極材料として安価な銀（Ａｇ）、
銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）を使用して
１２００℃以下の低温で同時焼成できる誘電体磁器組成
物が求められている。
【０００５】本発明の目的は、誘電体共振器等の材料と
して優れた特性、特に高誘電率で、無負荷Ｑが大きく、
共振周波数の温度変化が小さいという特性を有し、しか
も低温で焼成した場合にも焼結性が良好な誘電体磁器組
成物を提供することにある。
して優れた特性、特に高誘電率で、無負荷Ｑが大きく、
共振周波数の温度変化が小さいという特性を有し、しか
も低温で焼成した場合にも焼結性が良好な誘電体磁器組
成物を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、主成分が組成
式、ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2 −ｚＮｄ2 Ｏ3 −ｔＳｍ2Ｏ
3 （式中、０．１≦ｘ≦０．２、０．５≦ｙ≦０．８、
０．０１≦ｚ≦０．２、０≦ｔ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＋
ｔ＝１である。）で表されるバリウム、チタン、ネオジ
ム、サマリウムおよび酸素からなる誘電体磁器組成物で
あり、かつ副成分としてガラス軟化点が５００℃以下の
ガラス粉末を含有し、主成分に対する副成分ガラス粉末
の含有量ａが１≦ａ≦２５（重量％）であることを特徴
とする誘電体磁器組成物に関する。
式、ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2 −ｚＮｄ2 Ｏ3 −ｔＳｍ2Ｏ
3 （式中、０．１≦ｘ≦０．２、０．５≦ｙ≦０．８、
０．０１≦ｚ≦０．２、０≦ｔ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＋
ｔ＝１である。）で表されるバリウム、チタン、ネオジ
ム、サマリウムおよび酸素からなる誘電体磁器組成物で
あり、かつ副成分としてガラス軟化点が５００℃以下の
ガラス粉末を含有し、主成分に対する副成分ガラス粉末
の含有量ａが１≦ａ≦２５（重量％）であることを特徴
とする誘電体磁器組成物に関する。
【０００７】本発明によれば、組成式ｘＢａＯ−ｙＴｉ
Ｏ2 −ｚＮｄ2 Ｏ3 −ｔＳｍ2 Ｏ3で表される誘電体磁
器組成物に、副成分としてガラス軟化点が５００℃以下
のガラス粉末を含有させることにより、低温焼結でき、
かつ高誘電率で、無負荷Ｑが大きく、共振周波数の温度
変化が小さいという特性を有する誘電体磁器組成物を得
ることができる。
Ｏ2 −ｚＮｄ2 Ｏ3 −ｔＳｍ2 Ｏ3で表される誘電体磁
器組成物に、副成分としてガラス軟化点が５００℃以下
のガラス粉末を含有させることにより、低温焼結でき、
かつ高誘電率で、無負荷Ｑが大きく、共振周波数の温度
変化が小さいという特性を有する誘電体磁器組成物を得
ることができる。
【０００８】本発明において、ＢａＯのモル分率が過度
に大きい場合には、共振しなくなり、過度に小さい場合
には、誘電率、無負荷Ｑが小さくなる。ＴｉＯ2 のモル
分率が過度に大きい場合には、共振周波数の温度係数が
大きくなり、過度に小さい場合には、誘電率が小さくな
る。Ｎｄ2 Ｏ3 のモル分率が過度に大きい場合には、誘
電率、無負荷Ｑが小さくなり、過度に小さい場合には、
共振周波数の温度係数が大きくなる。Ｓｍ2 Ｏ3 のモル
分率が過度に大きい場合には、誘電率、無負荷Ｑが小さ
くなる。
に大きい場合には、共振しなくなり、過度に小さい場合
には、誘電率、無負荷Ｑが小さくなる。ＴｉＯ2 のモル
分率が過度に大きい場合には、共振周波数の温度係数が
大きくなり、過度に小さい場合には、誘電率が小さくな
る。Ｎｄ2 Ｏ3 のモル分率が過度に大きい場合には、誘
電率、無負荷Ｑが小さくなり、過度に小さい場合には、
共振周波数の温度係数が大きくなる。Ｓｍ2 Ｏ3 のモル
分率が過度に大きい場合には、誘電率、無負荷Ｑが小さ
くなる。
【０００９】また、主成分に対して添加される副成分ガ
ラス粉末としては、ガラス軟化点が過度に高い場合には
１２００℃以下での低温焼結が困難となるので、５００
℃以下のガラス軟化点を有するものが使用される。な
お、ガラス軟化点の下限は特に限定されないが過度に低
い場合には実用上問題が生じることもあるので、通常１
００℃程度以上のガラス軟化点を有するものが好適に使
用される。
ラス粉末としては、ガラス軟化点が過度に高い場合には
１２００℃以下での低温焼結が困難となるので、５００
℃以下のガラス軟化点を有するものが使用される。な
お、ガラス軟化点の下限は特に限定されないが過度に低
い場合には実用上問題が生じることもあるので、通常１
００℃程度以上のガラス軟化点を有するものが好適に使
用される。
【００１０】主成分に対する副成分ガラス粉末の含有量
ａ（重量％）が、過度に大きい場合には、無負荷Ｑが小
さくなり、過度に小さいかゼロの場合には、１２００℃
以下での低温焼成が困難になる。したがって、主成分に
対する副成分ガラス粉末の含有量ａ（重量％）は上記範
囲に設定される。
ａ（重量％）が、過度に大きい場合には、無負荷Ｑが小
さくなり、過度に小さいかゼロの場合には、１２００℃
以下での低温焼成が困難になる。したがって、主成分に
対する副成分ガラス粉末の含有量ａ（重量％）は上記範
囲に設定される。
【００１１】本発明において使用されるガラス粉末とし
ては、ガラス軟化点が５００℃以下であれば特に限定さ
れず、例えばＰｂＯ、ＺｎＯ、Ｂ2 Ｏ3 、ＧｅＯ2 、Ｌ
ｉ2Ｏ、Ｓｂ2 Ｏ3 、ＰｂＦ2 、ＳｎＯ、ＳｉＯ2 、Ｐ
2 Ｏ5 、Ｂｉ2 Ｏ3 、Ａｌ2Ｏ3 、ＣｕＯ、ＣｅＯ2 等
が使用される。特に、ＰｂＯ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3か
ら構成されるガラス粉末は、ガラス軟化点が低く、低温
焼成できるので好適に使用される。該ＰｂＯ、ＺｎＯお
よびＢ2 Ｏ3 から構成されるガラス粉末において、各成
分の構成割合（重量％）は、特に限定されないが、５≦
ＰｂＯ≦９０、０＜ＺｎＯ≦６５、５≦Ｂ2 Ｏ3 ≦６０
が好ましく、特にＺｎＯについては０＜ＺｎＯ≦５０の
範囲が好ましい。
ては、ガラス軟化点が５００℃以下であれば特に限定さ
れず、例えばＰｂＯ、ＺｎＯ、Ｂ2 Ｏ3 、ＧｅＯ2 、Ｌ
ｉ2Ｏ、Ｓｂ2 Ｏ3 、ＰｂＦ2 、ＳｎＯ、ＳｉＯ2 、Ｐ
2 Ｏ5 、Ｂｉ2 Ｏ3 、Ａｌ2Ｏ3 、ＣｕＯ、ＣｅＯ2 等
が使用される。特に、ＰｂＯ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3か
ら構成されるガラス粉末は、ガラス軟化点が低く、低温
焼成できるので好適に使用される。該ＰｂＯ、ＺｎＯお
よびＢ2 Ｏ3 から構成されるガラス粉末において、各成
分の構成割合（重量％）は、特に限定されないが、５≦
ＰｂＯ≦９０、０＜ＺｎＯ≦６５、５≦Ｂ2 Ｏ3 ≦６０
が好ましく、特にＺｎＯについては０＜ＺｎＯ≦５０の
範囲が好ましい。
【００１２】また、本発明において、さらに低温での焼
結や特性制御のために、第三成分として、酸化ゲルマニ
ウム（ＧｅＯ2 ）および／または酸化リチウム（Ｌｉ2
Ｏ）を含有させることができる。ＧｅＯ2 を含有させる
ことにより、焼結温度を低下させることができる。しか
しながら、ＧｅＯ2 の使用量が過度に大きい場合には、
無負荷Ｑが小さくなることがあるので、主成分に対する
その使用量は１０重量％以下が好ましい。また、Ｌｉ2
Ｏを含有させることにより、焼結温度がさらに低下し、
Ａｇの内部電極が容易に形成可能となる。しかしなが
ら、Ｌｉ2 Ｏの使用量が過度に大きい場合には、共振し
なくなることがあるので、主成分に対するその使用量は
４重量％以下が好ましい。
結や特性制御のために、第三成分として、酸化ゲルマニ
ウム（ＧｅＯ2 ）および／または酸化リチウム（Ｌｉ2
Ｏ）を含有させることができる。ＧｅＯ2 を含有させる
ことにより、焼結温度を低下させることができる。しか
しながら、ＧｅＯ2 の使用量が過度に大きい場合には、
無負荷Ｑが小さくなることがあるので、主成分に対する
その使用量は１０重量％以下が好ましい。また、Ｌｉ2
Ｏを含有させることにより、焼結温度がさらに低下し、
Ａｇの内部電極が容易に形成可能となる。しかしなが
ら、Ｌｉ2 Ｏの使用量が過度に大きい場合には、共振し
なくなることがあるので、主成分に対するその使用量は
４重量％以下が好ましい。
【００１３】さらに、第四成分として、ＳｉＯ2 、Ｂｉ
2 Ｏ3 、ＭｇＯのうち少なくとも１種を含有させること
により電気特性を制御することができる。しかしなが
ら、第四成分の使用量ｂ（重量％）が過度に大きい場合
には、電気特性が悪くなることがあるので、主成分に対
する使用量ｂは３重量％以下が好ましい。
2 Ｏ3 、ＭｇＯのうち少なくとも１種を含有させること
により電気特性を制御することができる。しかしなが
ら、第四成分の使用量ｂ（重量％）が過度に大きい場合
には、電気特性が悪くなることがあるので、主成分に対
する使用量ｂは３重量％以下が好ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の誘電体磁器組成物の好適
な製造法の一例を次に説明する。炭酸バリウム、酸化チ
タン、酸化ネオジムおよび酸化サマリウムの出発原料を
各所定量ずつ水、アルコール等の溶媒と共に湿式混合す
る。続いて、水、アルコール等を除去した後、粉砕し、
酸素含有ガス雰囲気（例えば空気雰囲気）下に１０００
〜１３００℃で約１〜５時間程度仮焼する。このように
して得られた仮焼粉と副成分のガラス粉末とをアルコー
ル等の溶媒と共に湿式混合する。続いて、水、アルコー
ル等を除去した後、粉砕する。さらに、ポリビニルアル
コールの如き有機バインダと共に混合して均質にし、乾
燥、粉砕、加圧成型（圧力１００〜１０００ｋｇ／ｃｍ
2 程度）する。得られた成形物を空気の如き酸素含有ガ
ス雰囲気下に８００℃〜１１００℃で焼成することによ
り上記組成式で表される誘電体磁器組成物が得られる。
な製造法の一例を次に説明する。炭酸バリウム、酸化チ
タン、酸化ネオジムおよび酸化サマリウムの出発原料を
各所定量ずつ水、アルコール等の溶媒と共に湿式混合す
る。続いて、水、アルコール等を除去した後、粉砕し、
酸素含有ガス雰囲気（例えば空気雰囲気）下に１０００
〜１３００℃で約１〜５時間程度仮焼する。このように
して得られた仮焼粉と副成分のガラス粉末とをアルコー
ル等の溶媒と共に湿式混合する。続いて、水、アルコー
ル等を除去した後、粉砕する。さらに、ポリビニルアル
コールの如き有機バインダと共に混合して均質にし、乾
燥、粉砕、加圧成型（圧力１００〜１０００ｋｇ／ｃｍ
2 程度）する。得られた成形物を空気の如き酸素含有ガ
ス雰囲気下に８００℃〜１１００℃で焼成することによ
り上記組成式で表される誘電体磁器組成物が得られる。
【００１５】このようにして得られた誘電体磁器組成物
は、必要により適当な形状およびサイズに加工、あるい
はドクターブレード法等によるシート成形およびシート
と電極による積層化により、誘電体共振器、誘電体基
板、積層素子等の材料として利用できる。
は、必要により適当な形状およびサイズに加工、あるい
はドクターブレード法等によるシート成形およびシート
と電極による積層化により、誘電体共振器、誘電体基
板、積層素子等の材料として利用できる。
【００１６】なお、バリウム、チタン、ネオジム、サマ
リウム、鉛、亜鉛、ホウ素、ゲルマニウム、リチウム、
アンチモン、スズ、ケイ素、リン、ビスマス、アルミニ
ウム、銅、セリウム、マグネシウム等の原料としては、
ＢａＣＯ3 、ＴｉＯ2 、Ｎｄ 2 Ｏ3 、Ｓｍ2 Ｏ3 、Ｐｂ
Ｏ、ＺｎＯ、Ｂ2 Ｏ3 、ＧｅＯ2 、Ｌｉ2 ＣＯ3 、Ｓｂ
2 Ｏ3 、ＳｎＯ、ＳｉＯ2 、Ｐ2 Ｏ5 、Ｂｉ2 Ｏ3 、Ａ
ｌ2 Ｏ3 、ＣｕＯ、ＣｅＯ2 、ＭｇＯの他に、焼成時に
酸化物となる硝酸塩、水酸化物等を使用することができ
る。ガラス粉末としては、ＰｂＦ2 のようなフッ化物を
使用することもできる。
リウム、鉛、亜鉛、ホウ素、ゲルマニウム、リチウム、
アンチモン、スズ、ケイ素、リン、ビスマス、アルミニ
ウム、銅、セリウム、マグネシウム等の原料としては、
ＢａＣＯ3 、ＴｉＯ2 、Ｎｄ 2 Ｏ3 、Ｓｍ2 Ｏ3 、Ｐｂ
Ｏ、ＺｎＯ、Ｂ2 Ｏ3 、ＧｅＯ2 、Ｌｉ2 ＣＯ3 、Ｓｂ
2 Ｏ3 、ＳｎＯ、ＳｉＯ2 、Ｐ2 Ｏ5 、Ｂｉ2 Ｏ3 、Ａ
ｌ2 Ｏ3 、ＣｕＯ、ＣｅＯ2 、ＭｇＯの他に、焼成時に
酸化物となる硝酸塩、水酸化物等を使用することができ
る。ガラス粉末としては、ＰｂＦ2 のようなフッ化物を
使用することもできる。
【００１７】
【実施例】以下に実施例および比較例を示し、本発明を
さらに具体的に説明する。 実施例１ 炭酸バリウム粉末（ＢａＣＯ3 ）０．１３モル、酸化チ
タン粉末（ＴｉＯ2 ）０．７０モル、酸化ネオジム粉末
（Ｎｄ2 Ｏ3 ）０．１７モルをジルコニア製玉石を用い
エタノールを溶媒としてボールミルで１２時間湿式混合
した。この溶液を脱媒後、粉砕し、空気雰囲気下１２５
０℃で仮焼した。また、酸化鉛粉末（ＰｂＯ）８４ｗｔ
％、酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ）７ｗｔ％および酸化ホウ素
粉末（Ｂ 2 Ｏ3 ）９ｗｔ％から構成されるガラス粉末Ａ
を常法により調製した。上記で得られた仮焼物にこのＰ
ｂＯ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3 から構成されるガラス粉末
Ａを２ｗｔ％、ならびに第三成分として酸化ゲルマニウ
ム粉末（ＧｅＯ2 ）３ｗｔ％、炭酸リチウム粉末（Ｌｉ
2 ＣＯ3 ）１ｗｔ％（Ｌｉ2 Ｏ換算で０．４ｗｔ％）を
添加しエタノールを溶媒としてボールミルで４８時間湿
式混合した。この溶液を脱媒後、粉砕し、適量のポリビ
ニルアルコール溶液を加えて乾燥後、直径１０ｍｍφ、
厚さ約４ｍｍｔのペレットに成形し、空気雰囲気下にお
いて９５０℃で２時間焼成した。
さらに具体的に説明する。 実施例１ 炭酸バリウム粉末（ＢａＣＯ3 ）０．１３モル、酸化チ
タン粉末（ＴｉＯ2 ）０．７０モル、酸化ネオジム粉末
（Ｎｄ2 Ｏ3 ）０．１７モルをジルコニア製玉石を用い
エタノールを溶媒としてボールミルで１２時間湿式混合
した。この溶液を脱媒後、粉砕し、空気雰囲気下１２５
０℃で仮焼した。また、酸化鉛粉末（ＰｂＯ）８４ｗｔ
％、酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ）７ｗｔ％および酸化ホウ素
粉末（Ｂ 2 Ｏ3 ）９ｗｔ％から構成されるガラス粉末Ａ
を常法により調製した。上記で得られた仮焼物にこのＰ
ｂＯ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3 から構成されるガラス粉末
Ａを２ｗｔ％、ならびに第三成分として酸化ゲルマニウ
ム粉末（ＧｅＯ2 ）３ｗｔ％、炭酸リチウム粉末（Ｌｉ
2 ＣＯ3 ）１ｗｔ％（Ｌｉ2 Ｏ換算で０．４ｗｔ％）を
添加しエタノールを溶媒としてボールミルで４８時間湿
式混合した。この溶液を脱媒後、粉砕し、適量のポリビ
ニルアルコール溶液を加えて乾燥後、直径１０ｍｍφ、
厚さ約４ｍｍｔのペレットに成形し、空気雰囲気下にお
いて９５０℃で２時間焼成した。
【００１８】こうして得られた磁器組成物を直径７ｍｍ
φ、厚み約３ｍｍｔの大きさに加工したのち、誘電体共
振法によって測定し、共振周波数（３〜６ＧＨｚ）にお
ける無負荷Ｑ、比誘電率εr および共振周波数の温度係
数τf を求めた。その結果を表２に示す。
φ、厚み約３ｍｍｔの大きさに加工したのち、誘電体共
振法によって測定し、共振周波数（３〜６ＧＨｚ）にお
ける無負荷Ｑ、比誘電率εr および共振周波数の温度係
数τf を求めた。その結果を表２に示す。
【００１９】実施例２〜２８および比較例１〜１４ 実施例１の炭酸バリウム、酸化チタン、酸化ネオジムお
よび酸化サマリウムの混合割合、表３に示すガラス粉末
の種類とその添加量、第三成分および第四成分の添加量
を表１記載のように代えた他は、実施例１と同様にして
誘電体磁器組成物を製造し、実施例１と同様に特性を測
定した。その結果を表２に示す。
よび酸化サマリウムの混合割合、表３に示すガラス粉末
の種類とその添加量、第三成分および第四成分の添加量
を表１記載のように代えた他は、実施例１と同様にして
誘電体磁器組成物を製造し、実施例１と同様に特性を測
定した。その結果を表２に示す。
【００２０】
【発明の効果】本発明によれば、比誘電率εr が大き
く、かつ無負荷Ｑ値も大きく、しかも共振周波数の温度
係数τf の小さい誘電体磁器組成物を提供することがで
きる。また、低温焼結が可能であり、内部電極としてＡ
ｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等を使用して同時焼成による積層
化が可能な誘電体磁器組成物を提供することができる。
く、かつ無負荷Ｑ値も大きく、しかも共振周波数の温度
係数τf の小さい誘電体磁器組成物を提供することがで
きる。また、低温焼結が可能であり、内部電極としてＡ
ｇ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｃｕ等を使用して同時焼成による積層
化が可能な誘電体磁器組成物を提供することができる。
【００２１】
【表１】
【００２２】
【表２】
【００２３】
【表３】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三谷 敦志 山口県宇部市大字小串1978番地の５ 宇部 興産株式会社宇部研究所内 (72)発明者 竹田 将利 山口県宇部市大字小串1978番地の５ 宇部 興産株式会社宇部研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 主成分が組成式、ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ
2 −ｚＮｄ2 Ｏ3 −ｔＳｍ2 Ｏ3 （式中、０．１≦ｘ≦
０．２、０．５≦ｙ≦０．８、０．０１≦ｚ≦０．２、
０≦ｔ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＝１である。）で表さ
れるバリウム、チタン、ネオジム、サマリウムおよび酸
素からなる誘電体磁器組成物であり、かつ副成分として
ガラス軟化点が５００℃以下のガラス粉末を含有し、主
成分に対する副成分ガラス粉末の含有量ａが１≦ａ≦２
５（重量％）であることを特徴とする誘電体磁器組成
物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7230861A JPH0971462A (ja) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7230861A JPH0971462A (ja) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0971462A true JPH0971462A (ja) | 1997-03-18 |
Family
ID=16914464
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7230861A Pending JPH0971462A (ja) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0971462A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0973173A2 (en) * | 1998-07-15 | 2000-01-19 | TDK Corporation | Dielectric porcelain composition |
| CN1093101C (zh) * | 1998-09-11 | 2002-10-23 | 株式会社村田制作所 | 介电陶瓷组合物和层叠陶瓷元件 |
| DE10043882B4 (de) * | 1999-09-07 | 2009-11-05 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo-shi | Dielektrische Keramikzusammensetzung und monolithisches Keramikbauteil |
-
1995
- 1995-09-08 JP JP7230861A patent/JPH0971462A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0973173A2 (en) * | 1998-07-15 | 2000-01-19 | TDK Corporation | Dielectric porcelain composition |
| EP0973173A3 (en) * | 1998-07-15 | 2000-08-02 | TDK Corporation | Dielectric porcelain composition |
| CN1093101C (zh) * | 1998-09-11 | 2002-10-23 | 株式会社村田制作所 | 介电陶瓷组合物和层叠陶瓷元件 |
| DE10043882B4 (de) * | 1999-09-07 | 2009-11-05 | Murata Mfg. Co., Ltd., Nagaokakyo-shi | Dielektrische Keramikzusammensetzung und monolithisches Keramikbauteil |
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