JPH09188561A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPH09188561A JPH09188561A JP8003908A JP390896A JPH09188561A JP H09188561 A JPH09188561 A JP H09188561A JP 8003908 A JP8003908 A JP 8003908A JP 390896 A JP390896 A JP 390896A JP H09188561 A JPH09188561 A JP H09188561A
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- Japan
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- ceramic composition
- component
- dielectric ceramic
- glass powder
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 比誘電率および無負荷Ｑ値も大きく、しかも
共振周波数の温度係数の小さい誘電体磁器組成物を提供
するものである。 【解決手段】 主成分が組成式、ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2
−ｚＮｄ2 Ｏ3 −ｔＳｍ2 Ｏ3 （式中、０．１≦ｘ≦
０．２、０．５≦ｙ≦０．８、０．０１≦ｚ≦０．２、
０≦ｔ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＝１である。）で表さ
れるバリウム、チタン、および酸素等からなる誘電体磁
器組成物であり、かつ副成分としてＰｂＯ、ＺｎＯおよ
びＢ2 Ｏ3 から構成されるガラス粉末ならびにＧｅＯ2
およびＬｉ2 Ｏを含有し、主成分に対する副成分ガラス
粉末の含有量ａ（重量％）が１≦ａ≦２５、ＧｅＯ2 の
含有量ｂ（重量％）が０．５≦ｂ≦１０およびＬｉ2 Ｏ
の含有量ｃ（重量％）が０．０４≦ｃ≦４であり、さら
に第三成分としてＡｇを含有し、主成分に対するＡｇの
含有量ｄ（重量％）が０．１≦ｄ≦５である誘電体磁器
組成物。
共振周波数の温度係数の小さい誘電体磁器組成物を提供
するものである。 【解決手段】 主成分が組成式、ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2
−ｚＮｄ2 Ｏ3 −ｔＳｍ2 Ｏ3 （式中、０．１≦ｘ≦
０．２、０．５≦ｙ≦０．８、０．０１≦ｚ≦０．２、
０≦ｔ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＝１である。）で表さ
れるバリウム、チタン、および酸素等からなる誘電体磁
器組成物であり、かつ副成分としてＰｂＯ、ＺｎＯおよ
びＢ2 Ｏ3 から構成されるガラス粉末ならびにＧｅＯ2
およびＬｉ2 Ｏを含有し、主成分に対する副成分ガラス
粉末の含有量ａ（重量％）が１≦ａ≦２５、ＧｅＯ2 の
含有量ｂ（重量％）が０．５≦ｂ≦１０およびＬｉ2 Ｏ
の含有量ｃ（重量％）が０．０４≦ｃ≦４であり、さら
に第三成分としてＡｇを含有し、主成分に対するＡｇの
含有量ｄ（重量％）が０．１≦ｄ≦５である誘電体磁器
組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体共振器等の
材料として好適な誘電体磁器組成物に関する。
材料として好適な誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、マイクロ波回路の集積化に伴い、
小型で高性能な誘電体共振器が求められている。このよ
うな誘電体共振器に使用される誘電体磁器組成物には、
比誘電率εr が大きいこと、無負荷Ｑが大きいこと、共
振周波数の温度係数τf が小さいこと等の特性が要求さ
れている。
小型で高性能な誘電体共振器が求められている。このよ
うな誘電体共振器に使用される誘電体磁器組成物には、
比誘電率εr が大きいこと、無負荷Ｑが大きいこと、共
振周波数の温度係数τf が小さいこと等の特性が要求さ
れている。
【０００３】このような誘電体磁器組成物として、Ｂａ
Ｏ−ＴｉＯ2 −Ｎｄ2 Ｏ3 系の誘電体磁器組成物につい
て提案〔Ber.Dt.Keram.Ges.,55(1978)Nr.7；特開昭６０
−３５４０６号公報〕、あるいはＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｎ
ｄ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系（特開昭６２−７２５５８号公
報）について提案されている。
Ｏ−ＴｉＯ2 −Ｎｄ2 Ｏ3 系の誘電体磁器組成物につい
て提案〔Ber.Dt.Keram.Ges.,55(1978)Nr.7；特開昭６０
−３５４０６号公報〕、あるいはＢａＯ−ＴｉＯ2 −Ｎ
ｄ2 Ｏ3 −Ｂｉ2 Ｏ3 系（特開昭６２−７２５５８号公
報）について提案されている。
【０００４】最近、誘電体磁器組成物を積層した積層チ
ップコンデンサ、積層誘電体共振器等が開発されてお
り、磁器組成物と内部電極との同時焼成による積層化が
行われている。
ップコンデンサ、積層誘電体共振器等が開発されてお
り、磁器組成物と内部電極との同時焼成による積層化が
行われている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記誘
電体磁器組成物は焼成温度が１３００℃〜１４００℃と
高いため内部電極との同時焼成を行うことは困難な面が
あり、積層化構造とするためには電極材料として高温に
耐えるパラジウム（Ｐｄ）や白金（Ｐｔ）等の材料に限
定されていた。このため、電極材料として安価な銀（Ａ
ｇ）、銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）を使
用して１２００℃以下の低温で同時焼成できる誘電体磁
器組成物が求められている。また、積層品を製造する際
に、電気特性にバラツキが見られることがあり、このバ
ラツキの低減が望まれている。
電体磁器組成物は焼成温度が１３００℃〜１４００℃と
高いため内部電極との同時焼成を行うことは困難な面が
あり、積層化構造とするためには電極材料として高温に
耐えるパラジウム（Ｐｄ）や白金（Ｐｔ）等の材料に限
定されていた。このため、電極材料として安価な銀（Ａ
ｇ）、銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）を使
用して１２００℃以下の低温で同時焼成できる誘電体磁
器組成物が求められている。また、積層品を製造する際
に、電気特性にバラツキが見られることがあり、このバ
ラツキの低減が望まれている。
【０００６】本発明の目的は、上記課題を解決し、誘電
体共振器等の材料として優れた特性、特に高誘電率で、
無負荷Ｑが大きく、共振周波数の温度変化が小さいとい
う特性を有し、しかも低温で焼成した場合にも焼結性が
良好な誘電体磁器組成物を提供することにある。
体共振器等の材料として優れた特性、特に高誘電率で、
無負荷Ｑが大きく、共振周波数の温度変化が小さいとい
う特性を有し、しかも低温で焼成した場合にも焼結性が
良好な誘電体磁器組成物を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、主成分が組成
式、ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2 −ｚＮｄ2 Ｏ3 −ｔＳｍ2Ｏ
3 （式中、０．１≦ｘ≦０．２、０．５≦ｙ≦０．８、
０．０１≦ｚ≦０．２、０≦ｔ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＋
ｔ＝１である。）で表されるバリウム、チタン、ネオジ
ム、サマリウムおよび酸素からなる誘電体磁器組成物で
あり、かつ副成分としてＰｂＯ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3
から構成されるガラス粉末ならびにＧｅＯ2 およびＬｉ
2 Ｏを含有し、主成分に対する副成分ガラス粉末の含有
量ａ（重量％）が１≦ａ≦２５、ＧｅＯ2 の含有量ｂ
（重量％）が０．５≦ｂ≦１０およびＬｉ2 Ｏの含有量
ｃ（重量％）が０．０４≦ｃ≦４であり、さらに第三成
分としてＡｇを含有し、主成分に対するＡｇの含有量ｄ
（重量％）が０．１≦ｄ≦５であることを特徴とする誘
電体磁器組成物に関する。
式、ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ2 −ｚＮｄ2 Ｏ3 −ｔＳｍ2Ｏ
3 （式中、０．１≦ｘ≦０．２、０．５≦ｙ≦０．８、
０．０１≦ｚ≦０．２、０≦ｔ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＋
ｔ＝１である。）で表されるバリウム、チタン、ネオジ
ム、サマリウムおよび酸素からなる誘電体磁器組成物で
あり、かつ副成分としてＰｂＯ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3
から構成されるガラス粉末ならびにＧｅＯ2 およびＬｉ
2 Ｏを含有し、主成分に対する副成分ガラス粉末の含有
量ａ（重量％）が１≦ａ≦２５、ＧｅＯ2 の含有量ｂ
（重量％）が０．５≦ｂ≦１０およびＬｉ2 Ｏの含有量
ｃ（重量％）が０．０４≦ｃ≦４であり、さらに第三成
分としてＡｇを含有し、主成分に対するＡｇの含有量ｄ
（重量％）が０．１≦ｄ≦５であることを特徴とする誘
電体磁器組成物に関する。
【０００８】本発明によれば、組成式ｘＢａＯ−ｙＴｉ
Ｏ2 −ｚＮｄ2 Ｏ3 −ｔＳｍ2 Ｏ3で表される誘電体磁
器組成物に、副成分としてＰｂＯ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ
3 から構成されるガラス粉末ならびにＧｅＯ2 およびＬ
ｉ2 Ｏを含有させ、さらに第三成分としてＡｇを含有さ
せることにより、低温焼結でき、高誘電率で、無負荷Ｑ
が大きく、共振周波数の温度変化が小さく、内部電極
（Ａｇ）との同時焼成時にセラミックス層への電極材料
（Ａｇ）の拡散を抑制し、特性バラツキの少ないという
特性を有する誘電体磁器組成物を得ることができる。
Ｏ2 −ｚＮｄ2 Ｏ3 −ｔＳｍ2 Ｏ3で表される誘電体磁
器組成物に、副成分としてＰｂＯ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ
3 から構成されるガラス粉末ならびにＧｅＯ2 およびＬ
ｉ2 Ｏを含有させ、さらに第三成分としてＡｇを含有さ
せることにより、低温焼結でき、高誘電率で、無負荷Ｑ
が大きく、共振周波数の温度変化が小さく、内部電極
（Ａｇ）との同時焼成時にセラミックス層への電極材料
（Ａｇ）の拡散を抑制し、特性バラツキの少ないという
特性を有する誘電体磁器組成物を得ることができる。
【０００９】本発明において、ＢａＯのモル分率が過度
に大きい場合には、共振しなくなり、過度に小さい場合
には、誘電率、無負荷Ｑが小さくなる。ＴｉＯ2 のモル
分率が過度に大きい場合には、共振周波数の温度係数が
大きくなり、過度に小さい場合には、誘電率が小さくな
る。Ｎｄ2 Ｏ3 のモル分率が過度に大きい場合には、誘
電率、無負荷Ｑが小さくなり、過度に小さい場合には、
共振周波数の温度係数が大きくなる。Ｓｍ2 Ｏ3 のモル
分率が過度に大きい場合には、誘電率、無負荷Ｑが小さ
くなる。
に大きい場合には、共振しなくなり、過度に小さい場合
には、誘電率、無負荷Ｑが小さくなる。ＴｉＯ2 のモル
分率が過度に大きい場合には、共振周波数の温度係数が
大きくなり、過度に小さい場合には、誘電率が小さくな
る。Ｎｄ2 Ｏ3 のモル分率が過度に大きい場合には、誘
電率、無負荷Ｑが小さくなり、過度に小さい場合には、
共振周波数の温度係数が大きくなる。Ｓｍ2 Ｏ3 のモル
分率が過度に大きい場合には、誘電率、無負荷Ｑが小さ
くなる。
【００１０】また、本発明において、主成分に対する副
成分ＰｂＯ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3から構成されるガラ
ス粉末の含有量ａ（重量％）ならびにＧｅＯ2 の含有量
ｂ（重量％）が過度に大きい場合には、無負荷Ｑが小さ
くなり、Ｌｉ2 Ｏの含有量ｃ（重量％）が過度に大きい
場合には、共振しなくなる。また、ＰｂＯ、ＺｎＯおよ
びＢ2 Ｏ3 から構成されるガラス粉末の含有量ａ（重量
％）が過度に小さいかゼロの場合には、１２００℃以下
での低温焼成が困難になる。ＧｅＯ2 の含有量ｂ（重量
％）が過度に小さいかゼロの場合には、無負荷Ｑが小さ
くなる。Ｌｉ2Ｏを含有させることにより、焼結温度が
さらに低下し、Ａｇの内部電極が容易に形成可能とな
る。したがって、副成分ＰｂＯ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3
から構成されるガラス粉末の含有量ａ（重量％）、Ｇｅ
Ｏ2 の含有量ｂ（重量％）およびＬｉ2 Ｏの含有量ｃ
（重量％）は上記範囲に設定される。また、ＰｂＯ、Ｚ
ｎＯおよびＢ2 Ｏ3 から構成されるガラス粉末におい
て、ＰｂＯ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ 3 の構成割合は特に限
定されないが、ＺｎＯの含有量が過度に大きい場合には
ガラスの軟化点が上昇し、低温焼成が困難になるため、
ガラス粉末中のＺｎＯの含有量は５０重量％以下が好ま
しい。さらに、第三成分としてＡｇを含有させることに
より、電気特性のバラツキを低減させることができる
が、主成分に対するＡｇの含有量ｄ（重量％）が過度に
大きい場合には、無負荷Ｑが小さくなるのでＡｇの含有
量ｄ（重量％）は上記範囲に設定される。
成分ＰｂＯ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3から構成されるガラ
ス粉末の含有量ａ（重量％）ならびにＧｅＯ2 の含有量
ｂ（重量％）が過度に大きい場合には、無負荷Ｑが小さ
くなり、Ｌｉ2 Ｏの含有量ｃ（重量％）が過度に大きい
場合には、共振しなくなる。また、ＰｂＯ、ＺｎＯおよ
びＢ2 Ｏ3 から構成されるガラス粉末の含有量ａ（重量
％）が過度に小さいかゼロの場合には、１２００℃以下
での低温焼成が困難になる。ＧｅＯ2 の含有量ｂ（重量
％）が過度に小さいかゼロの場合には、無負荷Ｑが小さ
くなる。Ｌｉ2Ｏを含有させることにより、焼結温度が
さらに低下し、Ａｇの内部電極が容易に形成可能とな
る。したがって、副成分ＰｂＯ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3
から構成されるガラス粉末の含有量ａ（重量％）、Ｇｅ
Ｏ2 の含有量ｂ（重量％）およびＬｉ2 Ｏの含有量ｃ
（重量％）は上記範囲に設定される。また、ＰｂＯ、Ｚ
ｎＯおよびＢ2 Ｏ3 から構成されるガラス粉末におい
て、ＰｂＯ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ 3 の構成割合は特に限
定されないが、ＺｎＯの含有量が過度に大きい場合には
ガラスの軟化点が上昇し、低温焼成が困難になるため、
ガラス粉末中のＺｎＯの含有量は５０重量％以下が好ま
しい。さらに、第三成分としてＡｇを含有させることに
より、電気特性のバラツキを低減させることができる
が、主成分に対するＡｇの含有量ｄ（重量％）が過度に
大きい場合には、無負荷Ｑが小さくなるのでＡｇの含有
量ｄ（重量％）は上記範囲に設定される。
【００１１】
【発明の実施の形態】本発明の誘電体磁器組成物の好適
な製造法の一例を次に説明する。炭酸バリウム、酸化チ
タン、酸化ネオジムおよび酸化サマリウムの出発原料を
各所定量ずつ水、アルコール等の溶媒と共に湿式混合す
る。続いて、水、アルコール等を除去した後、粉砕し、
酸素含有ガス雰囲気（例えば空気雰囲気）下に１０００
〜１３００℃で約１〜５時間程度仮焼する。このように
して得られた仮焼粉に、副成分ＰｂＯ、ＺｎＯおよびＢ
2 Ｏ3 から構成されるガラス粉末、ならびにＧｅＯ2 お
よびＬｉ2 ＣＯ3 、第三成分Ａｇ粉をアルコール等の溶
媒と共に湿式混合、粉砕する。続いて、水、アルコール
等を除去した後、ポリビニルアルコールの如き有機バイ
ンダと共に混合して均質にし、乾燥、粉砕、加圧成型
（圧力１００〜１０００Ｋｇ／ｃｍ2 程度）する。得ら
れた成形物を空気の如き酸素含有ガス雰囲気下に８５０
℃〜１１００℃で焼成することにより上記組成式で表さ
れる誘電体磁器組成物が得られる。
な製造法の一例を次に説明する。炭酸バリウム、酸化チ
タン、酸化ネオジムおよび酸化サマリウムの出発原料を
各所定量ずつ水、アルコール等の溶媒と共に湿式混合す
る。続いて、水、アルコール等を除去した後、粉砕し、
酸素含有ガス雰囲気（例えば空気雰囲気）下に１０００
〜１３００℃で約１〜５時間程度仮焼する。このように
して得られた仮焼粉に、副成分ＰｂＯ、ＺｎＯおよびＢ
2 Ｏ3 から構成されるガラス粉末、ならびにＧｅＯ2 お
よびＬｉ2 ＣＯ3 、第三成分Ａｇ粉をアルコール等の溶
媒と共に湿式混合、粉砕する。続いて、水、アルコール
等を除去した後、ポリビニルアルコールの如き有機バイ
ンダと共に混合して均質にし、乾燥、粉砕、加圧成型
（圧力１００〜１０００Ｋｇ／ｃｍ2 程度）する。得ら
れた成形物を空気の如き酸素含有ガス雰囲気下に８５０
℃〜１１００℃で焼成することにより上記組成式で表さ
れる誘電体磁器組成物が得られる。
【００１２】このようにして得られた誘電体磁器組成物
は、必要により適当な形状およびサイズに加工、あるい
はドクターブレード法等によるシート成形およびシート
と電極による積層化により、誘電体共振器、誘電体基
板、積層素子等の材料として利用できる。
は、必要により適当な形状およびサイズに加工、あるい
はドクターブレード法等によるシート成形およびシート
と電極による積層化により、誘電体共振器、誘電体基
板、積層素子等の材料として利用できる。
【００１３】なお、バリウム、チタン、ネオジム、サマ
リウム、鉛、亜鉛、ホウ素、ゲルマニウム、リチウムの
原料としては、ＢａＣＯ3 、ＴｉＯ2 、Ｎｄ2 Ｏ3 、Ｓ
ｍ2Ｏ3 、ＰｂＯ、ＺｎＯ、Ｂ2 Ｏ3 、ＧｅＯ2 、Ｌｉ
2 ＣＯ3 の他に、焼成時に酸化物となる硝酸塩、水酸化
物等を使用することができる。
リウム、鉛、亜鉛、ホウ素、ゲルマニウム、リチウムの
原料としては、ＢａＣＯ3 、ＴｉＯ2 、Ｎｄ2 Ｏ3 、Ｓ
ｍ2Ｏ3 、ＰｂＯ、ＺｎＯ、Ｂ2 Ｏ3 、ＧｅＯ2 、Ｌｉ
2 ＣＯ3 の他に、焼成時に酸化物となる硝酸塩、水酸化
物等を使用することができる。
【００１４】
【実施例】以下に実施例および比較例を示し、本発明を
さらに具体的に説明する。 実施例１ 炭酸バリウム粉末（ＢａＣＯ3 ）０．１３モル、酸化チ
タン粉末（ＴｉＯ2 ）０．７０モル、酸化ネオジム粉末
（Ｎｄ2 Ｏ3 ）０．１７モルをエタノールと共にボール
ミルに入れ、１２時間湿式混合した。溶液を脱媒後、粉
砕し、空気雰囲気下１２５０℃で仮焼した。また、酸化
鉛粉末（ＰｂＯ）８４ｗｔ％、酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ）
７ｗｔ％および酸化ホウ素粉末（Ｂ2 Ｏ3 ）９ｗｔ％か
ら構成されるガラス粉末Ａを常法により調製した。上記
で得られた仮焼物にこのＰｂＯ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3
から構成されるガラス粉末Ａを１０ｗｔ％ならびに酸化
ゲルマニウム粉末（ＧｅＯ2 ）３ｗｔ％、炭酸リチウム
粉末（Ｌｉ2 ＣＯ3 ）１ｗｔ％（Ｌｉ2 Ｏ換算で０．４
ｗｔ％）および銀粉末０．２ｗｔ％を添加しエタノール
と共にボールミルに入れ、４８時間湿式混合した。溶液
を脱媒後、粉砕し、この粉砕物に適量のポリビニルアル
コール溶液を加えて乾燥後、直径１２ｍｍφ、厚み４ｍ
ｍｔのペレットに成形し、空気雰囲気下において９５５
℃で２時間焼成した。
さらに具体的に説明する。 実施例１ 炭酸バリウム粉末（ＢａＣＯ3 ）０．１３モル、酸化チ
タン粉末（ＴｉＯ2 ）０．７０モル、酸化ネオジム粉末
（Ｎｄ2 Ｏ3 ）０．１７モルをエタノールと共にボール
ミルに入れ、１２時間湿式混合した。溶液を脱媒後、粉
砕し、空気雰囲気下１２５０℃で仮焼した。また、酸化
鉛粉末（ＰｂＯ）８４ｗｔ％、酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ）
７ｗｔ％および酸化ホウ素粉末（Ｂ2 Ｏ3 ）９ｗｔ％か
ら構成されるガラス粉末Ａを常法により調製した。上記
で得られた仮焼物にこのＰｂＯ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3
から構成されるガラス粉末Ａを１０ｗｔ％ならびに酸化
ゲルマニウム粉末（ＧｅＯ2 ）３ｗｔ％、炭酸リチウム
粉末（Ｌｉ2 ＣＯ3 ）１ｗｔ％（Ｌｉ2 Ｏ換算で０．４
ｗｔ％）および銀粉末０．２ｗｔ％を添加しエタノール
と共にボールミルに入れ、４８時間湿式混合した。溶液
を脱媒後、粉砕し、この粉砕物に適量のポリビニルアル
コール溶液を加えて乾燥後、直径１２ｍｍφ、厚み４ｍ
ｍｔのペレットに成形し、空気雰囲気下において９５５
℃で２時間焼成した。
【００１５】こうして得られた磁器組成物を直径７ｍｍ
φ、厚み約３ｍｍｔの大きさに加工したのち、誘電共振
法によって測定し、共振周波数（３〜６ＧＨｚ）におけ
る無負荷Ｑ、比誘電率および共振周波数の温度係数を求
めた。その結果を表２に示す。また、第三成分Ａｇの添
加効果を調べるために、ドクターブレード法により積層
シートを作製し、図１に示すような銀を内部電極とし、
１端面を除く５側面に銀電極を設けたトリプレートタイ
プの共振器（約６ｍｍ×３ｍｍ×２ｍｍｔ）を構成し
た。この共振器の共振周波数のバラツキよりＡｇの添加
効果を調べた。具体的には中心周波数からのズレが±１
％を超えるサンプルの数を調べた。その結果を表２に示
す。
φ、厚み約３ｍｍｔの大きさに加工したのち、誘電共振
法によって測定し、共振周波数（３〜６ＧＨｚ）におけ
る無負荷Ｑ、比誘電率および共振周波数の温度係数を求
めた。その結果を表２に示す。また、第三成分Ａｇの添
加効果を調べるために、ドクターブレード法により積層
シートを作製し、図１に示すような銀を内部電極とし、
１端面を除く５側面に銀電極を設けたトリプレートタイ
プの共振器（約６ｍｍ×３ｍｍ×２ｍｍｔ）を構成し
た。この共振器の共振周波数のバラツキよりＡｇの添加
効果を調べた。具体的には中心周波数からのズレが±１
％を超えるサンプルの数を調べた。その結果を表２に示
す。
【００１６】実施例２〜２１および比較例１〜１５ 実施例１の炭酸バリウム、酸化チタン、酸化ネオジムお
よび酸化サマリウムの混合割合、副成分であるＰｂＯ、
ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3 から構成されるガラス粉末の種類
（ガラス粉末Ｂ：ＰｂＯ８０ｗｔ％，ＺｎＯ１０ｗｔ
％，Ｂ2 Ｏ3 １０ｗｔ％）と副成分の添加量、第三成分
の添加量を表１記載のように代えた他は、実施例１と同
様にして誘電体磁器組成物を製造し、特性を測定した。
その結果を表２に示す。
よび酸化サマリウムの混合割合、副成分であるＰｂＯ、
ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3 から構成されるガラス粉末の種類
（ガラス粉末Ｂ：ＰｂＯ８０ｗｔ％，ＺｎＯ１０ｗｔ
％，Ｂ2 Ｏ3 １０ｗｔ％）と副成分の添加量、第三成分
の添加量を表１記載のように代えた他は、実施例１と同
様にして誘電体磁器組成物を製造し、特性を測定した。
その結果を表２に示す。
【００１７】
【発明の効果】本発明によれば、比誘電率εr が大き
く、かつ無負荷Ｑ値も大きく、しかも共振周波数の温度
係数τf の小さい誘電体磁器組成物を提供することがで
きる。また、低温焼結が可能であり、Ａｇ、Ａｇ−Ｐ
ｄ、Ｃｕ等を内部電極とした積層化が可能な誘電体磁器
組成物を提供することができる。さらに、セラミックス
層への内部電極の拡散を抑制できるため、特性のバラツ
キを低減できる。
く、かつ無負荷Ｑ値も大きく、しかも共振周波数の温度
係数τf の小さい誘電体磁器組成物を提供することがで
きる。また、低温焼結が可能であり、Ａｇ、Ａｇ−Ｐ
ｄ、Ｃｕ等を内部電極とした積層化が可能な誘電体磁器
組成物を提供することができる。さらに、セラミックス
層への内部電極の拡散を抑制できるため、特性のバラツ
キを低減できる。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【表２】
【図１】本発明の誘電体磁器組成物を使用して作製した
トリプレートタイプの共振器を示す斜視図である。
トリプレートタイプの共振器を示す斜視図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 竹田 将利 山口県宇部市大字小串1978番地の５ 宇部 興産株式会社宇部研究所内 (72)発明者 石飛 信一 山口県宇部市大字小串1978番地の５ 宇部 興産株式会社宇部研究所内
Claims (1)
- 【請求項１】 主成分が組成式、ｘＢａＯ−ｙＴｉＯ
2 −ｚＮｄ2 Ｏ3 −ｔＳｍ2 Ｏ3 （式中、０．１≦ｘ≦
０．２、０．５≦ｙ≦０．８、０．０１≦ｚ≦０．２、
０≦ｔ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｔ＝１である。）で表さ
れるバリウム、チタン、ネオジム、サマリウムおよび酸
素からなる誘電体磁器組成物であり、かつ副成分として
ＰｂＯ、ＺｎＯおよびＢ2 Ｏ3 から構成されるガラス粉
末ならびにＧｅＯ2 およびＬｉ2 Ｏを含有し、主成分に
対する副成分ガラス粉末の含有量ａ（重量％）が１≦ａ
≦２５、ＧｅＯ2 の含有量ｂ（重量％）が０．５≦ｂ≦
１０およびＬｉ2 Ｏの含有量ｃ（重量％）が０．０４≦
ｃ≦４であり、さらに第三成分としてＡｇを含有し、主
成分に対するＡｇの含有量ｄ（重量％）が０．１≦ｄ≦
５であることを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00390896A JP3509359B2 (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00390896A JP3509359B2 (ja) | 1996-01-12 | 1996-01-12 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09188561A true JPH09188561A (ja) | 1997-07-22 |
| JP3509359B2 JP3509359B2 (ja) | 2004-03-22 |
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ID=11570296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3509359B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2236478A1 (en) * | 2009-03-30 | 2010-10-06 | TDK Corporation | Dielectric Ceramic Composition |
-
1996
- 1996-01-12 JP JP00390896A patent/JP3509359B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2236478A1 (en) * | 2009-03-30 | 2010-10-06 | TDK Corporation | Dielectric Ceramic Composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3509359B2 (ja) | 2004-03-22 |
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