JPH06242479A - 光波長変換素子およびその作成方法 - Google Patents

光波長変換素子およびその作成方法

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JPH06242479A
JPH06242479A JP5029207A JP2920793A JPH06242479A JP H06242479 A JPH06242479 A JP H06242479A JP 5029207 A JP5029207 A JP 5029207A JP 2920793 A JP2920793 A JP 2920793A JP H06242479 A JPH06242479 A JP H06242479A
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Yasukazu Nihei
靖和 二瓶
Akinori Harada
明憲 原田
Yoji Okazaki
洋二 岡崎
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 光損傷しきい値が高く、そして基本波および
波長変換波の反射や散乱等による伝搬損失を招かずに、
高い波長変換効率を得ることができる光波長変換素子を
得る。 【構成】 非線形光学効果を有する強誘電体であるLi
NbO3 の結晶基板1に周期的に繰り返すドメイン反転
部9を形成した後、これらのドメイン反転部9の並び方
向に沿って延びる基板表面(y面およびz面)に、透明
導電性材料であるITOの薄膜11を蒸着する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基本波を第2高調波等
に変換する光波長変換素子、特に詳細には、非線形光学
効果を有する強誘電体結晶に周期ドメイン反転構造が形
成されてなる光波長変換素子、およびその作成方法に関
するものである。
【0002】
【従来の技術】非線形光学効果を有する強誘電体の自発
分極(ドメイン)を周期的に反転させた領域を設けた光
波長変換素子を用いて、基本波を第2高調波に波長変換
する方法が既にBleombergenらによって提案されている
(Phys.Rev.,vol.127,No.6,1918(1962)参照)。
この方法においては、ドメイン反転部の周期Λを、 Λc=2π/{β(2ω)−2β(ω)} ……(1) ただしβ(2ω)は第2高調波の伝搬定数 2β(ω)は基本波の伝搬定数 で与えられるコヒーレント長Λcの整数倍になるように
設定することで、基本波と第2高調波との位相整合を取
ることができる。非線形光学材料のバルク結晶を用いて
波長変換する場合は、位相整合する波長が結晶固有の特
定波長に限られるが、上記の方法によれば、任意の波長
に対して(1) を満足する周期Λを選択することにより、
効率良く位相整合を取ることが可能となる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上述のような強誘電体
からなる光波長変換素子においては、発生した第2高調
波等の波長変換波により強誘電体結晶に光損傷が生じる
という問題が認められている。例えば強誘電体結晶とし
てLiNbO3 (LN)の結晶を用い、そこに周期ドメ
イン反転構造を設けてなる光波長変換素子にあっては、
2mW出力の第2高調波(波長:477 nm)によって光
損傷が生じることもある。このように低出力の波長変換
波によって光損傷を生じてしまう光波長変換素子は、実
用的価値がさほど高いとは言えない。
【0004】そこで従来より、光損傷しきい値を向上さ
せるために、強誘電体結晶の表面にドメイン反転部の並
び方向に沿って延びる状態に金属を蒸着し、この導電性
の高い金属によって電荷の偏りを解消することが提案さ
れている。
【0005】しかし光導波路型の光波長変換素子におい
て、光導波路を構成する強誘電体結晶の表面に上記のよ
うな金属を蒸着すると、導波する基本波および波長変換
波の浸み出し光がこの金属によって反射や散乱等の影響
を受け、それによる光伝搬損失のために波長変換効率が
低下するという問題が生じる。またバルク結晶型の光波
長変換素子においても、特にそれが薄い強誘電体結晶基
板から形成された場合は、そこを通過する基本波および
波長変換波のビーム端部が同様に結晶表面の金属によっ
て反射や散乱等の影響を受け、波長変換効率が低下する
という問題が生じる。
【0006】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、光損傷しきい値が高く、そして基本波および波
長変換波の反射や散乱等による伝搬損失を招かずに、高
い波長変換効率を得ることができる光波長変換素子を提
供することを目的とするものである。
【0007】また本発明は、そのような光波長変換素子
を作成する方法を提供することを目的とするものであ
る。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明による第1の光波
長変換素子は、請求項1に記載の通り、非線形光学効果
を有する強誘電体結晶に周期的に繰り返すドメイン反転
部が形成されてなり、これらのドメイン反転部の並び方
向に入射した基本波を波長変換する光波長変換素子にお
いて、強誘電体結晶のドメイン反転部の並び方向に沿っ
て延びる表面の少なくとも基本波光路近傍部分に、透明
導電性材料からなるコーティングが設けられていること
を特徴とするものである。
【0009】また本発明による第2の光波長変換素子
は、請求項2に記載の通り、非線形光学効果を有する強
誘電体結晶に周期的に繰り返すドメイン反転部が形成さ
れてなり、これらのドメイン反転部の並び方向に入射し
た基本波を波長変換する光波長変換素子において、強誘
電体結晶のドメイン反転部の並び方向に沿って延びる表
面の少なくとも基本波光路近傍部分から内部にかけて低
抵抗化領域(つまり他の部分よりも電気抵抗を低下させ
た領域)が形成されたことを特徴とするものである。
【0010】一方、本発明による第1の光波長変換素子
の作成方法は、上記第1の光波長変換素子を作成するも
のであり、請求項3に記載の通り、非線形光学効果を有
する強誘電体結晶に周期的に繰り返すドメイン反転部を
形成した後、この強誘電体結晶のドメイン反転部の並び
方向に沿って延びる表面の少なくとも基本波光路近傍部
分に、透明導電性材料からなるコーティングを施すこと
を特徴とするものである。
【0011】また本発明による第2の光波長変換素子の
作成方法は、上記第2の光波長変換素子を作成するもの
であり、請求項4に記載の通り、非線形光学効果を有す
る強誘電体結晶に周期的に繰り返すドメイン反転部を形
成した後、この強誘電体結晶のドメイン反転部の並び方
向に沿って延びる表面の少なくとも基本波光路近傍部分
から内部にかかる領域の電気抵抗を低下させる処理を施
すことを特徴とするものである。
【0012】また本発明による第3の光波長変換素子の
作成方法は、ドメイン反転部を特に電子線照射により形
成する場合に、強誘電体結晶の電子線照射面の表層部を
研磨してから、上記第1の方法、あるいは第2の方法を
実行するようにしたことを特徴とするものである。
【0013】
【作用および発明の効果】上記第1の光波長変換素子に
おいて、強誘電体結晶のドメイン反転部の並び方向に沿
って延びる表面の少なくとも基本波光路近傍部分に、透
明導電性材料からなるコーティングが設けられている
と、結晶表面に金属を蒸着する場合と同様に、この導電
性コーティングによって強誘電体結晶の電荷の偏りを解
消して、光損傷しきい値を向上させることができる。
【0014】そして、上記コーティングは透明材料から
形成されているので、結晶表面に金属を蒸着する場合と
は異なって、このコーティングにおいて基本波あるいは
波長変換波が多大な反射や散乱等の影響を受けることも
防止でき、よって高い波長変換効率を得ることが可能と
なる。
【0015】また上記第2の光波長変換素子において、
強誘電体結晶のドメイン反転部の並び方向に沿って延び
る表面の少なくとも基本波光路近傍部分から内部にかけ
て低抵抗化領域が形成されていると、この低抵抗化領域
が上記コーティングと同様の導電部として作用するの
で、それにより強誘電体結晶の電荷の偏りを解消して、
光損傷しきい値を向上させることができる。
【0016】そしてこの構成は、強誘電体結晶の一部領
域を低抵抗化させたものであって、該結晶に金属等の別
の要素を付加したものではないので、元より、そのよう
な要素によって基本波あるいは波長変換波が反射や散乱
等の影響を受けることがなく、よって高い波長変換効率
が得られるようになる。
【0017】また、ドメイン反転部を特に電子線照射に
より形成する場合には、強誘電体結晶の電子線照射面の
表層部を研磨してから、上記第1の方法、あるいは第2
の方法を実行すれば、特に高い波長変換効率が得られる
ようになる。
【0018】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を
詳細に説明する。図1は、本発明の第1実施例の光波長
変換素子を作成する工程を示すものである。図中、1は
非線形光学効果を有する強誘電体であるLiNbO
3 (以下、LNと称する)の基板である。この基板1は
単分極化処理がなされて厚さ0.2 mmに形成され、最も
大きい非線形光学材料定数d33が有効に利用できるよう
に、z面で光学研磨されたz板が使用されている。そし
て同図(a)に示すように、この基板1の+z面にはア
ース電極として、厚さ30nmのCr薄膜2が蒸着により
形成される。
【0019】次いで同図(b)に示すように、公知の電
子線照射装置(図示せず)から発せられた電子線3を、
基板1に−z面から局所的に照射する。この際の電子線
加速電圧は一例として20〜30kV、照射電流は0.1 〜1
nAに設定される。この電子線照射により基板1には、
基板裏まで貫通し、所定周期Λで繰り返すパターンのド
メイン反転部9が形成される。なお図1(b)の矢印10
は、分極の方向を示している。ここで上記周期Λは、L
Nの屈折率の波長分散を考慮して、基板1のx方向に沿
って946 nm近辺で1次の周期となるように4.7 μmと
した。
【0020】次いでこの基板1を、LNのキュリー点
(1130℃)より低い540 ℃で3時間、空気中で熱処理し
た。このようにキュリー点未満の温度で熱処理を行なえ
ば、電子線3の照射により所定の向きに設定された分極
方向が、この熱処理により変化してしまうことはない。
【0021】次に同図(c)に示すように、Cr薄膜2
を除去した後、ドメイン反転部9の並び方向に沿って延
びる基板表面(y面およびz面)に、透明導電性材料で
あるITO(インジウム・スズ酸化物)の薄膜11を蒸着
する。次いでLN基板1のx面および−x面を研磨して
それぞれ光通過面20a、20bとすることにより、図2に
示すようなバルク結晶型の光波長変換素子20が得られ
る。
【0022】この周期ドメイン反転構造を有するバルク
結晶型光波長変換素子20を、図2に示すレーザダイオー
ド励起YAGレーザの共振器内に配置した。このレーザ
ダイオード励起YAGレーザは、波長809 nmのポンピ
ング光としてのレーザビーム13を発するレーザダイオー
ド14と、発散光状態のレーザビーム13を収束させる集光
レンズ15と、Nd(ネオジウム)がドープされたレーザ
媒質であって上記レーザビーム13の収束位置に配された
YAG結晶16と、このYAG結晶16の前方側(図中右
方)に配された共振器ミラー17とからなる。光波長変換
素子20は結晶長が1mmとされ、この共振器ミラー17と
YAG結晶16との間に配置されている。
【0023】YAG結晶16は波長809 nmのレーザビー
ム13により励起されて、波長946 nmのレーザビーム18
を発する。この固体レーザビーム18は、所定のコーティ
ングが施されたYAG結晶端面16aと共振器ミラー17の
ミラー面17aとの間で共振し、光波長変換素子20に入射
して波長が1/2すなわち473 nmの第2高調波19に変
換される。基本波としての固体レーザビーム18と第2高
調波19は、周期ドメイン反転領域において位相整合(い
わゆる疑似位相整合)し、ほぼこの第2高調波19のみが
共振器ミラー17から出射する。
【0024】本例においてレーザビーム18のビーム径
(1/e2 径)は0.1 mmであり、LN基板1の厚さ0.
2 mmはそれにかなり近いから、もしITO薄膜11がこ
のレーザビーム18や第2高調波19に反射、散乱等の影響
を与えるとすれば、かなりの伝搬損失が生じるはずであ
る。しかし本例においては、レーザダイオード14の出力
が200 mWのとき、10mWと高出力の第2高調波19が得
られた。このように極めて高い波長変換効率が得られた
ことにより、基本波であるレーザビーム18や第2高調波
19が透明のITO薄膜11によって多大な反射や散乱等の
影響を受けることなく、良好に伝搬していることが実証
された。
【0025】また本実施例の光波長変換素子20において
は、第2高調波19の出力が10mWの場合も光損傷は生じ
なかった。それに対して、ITO薄膜11を設けない以外
はこの光波長変換素子20と同様に形成した光波長変換素
子においては、第2高調波出力が1mWのときに光損傷
が認められたので、ITO薄膜11を設けたことにより明
らかに光損傷しきい値が向上していると言える。
【0026】なお上記のITO薄膜11の代りに、その他
の透明導電性材料からなるコーティングを設けてもよ
い。そのような材料としては、例えば透明導電性ポリマ
ー等が挙げられる。
【0027】次に図3を参照して、本発明の第2実施例
による光波長変換素子について説明する。なおこの図3
において、図1および図2中の要素と同等のものには同
番号を付し、それらについての重複した説明は省略する
(以下、同様)。この第2実施例の光波長変換素子30も
バルク結晶型のものであり、第1実施例の光波長変換素
子20と同様に、LN基板1に周期的に繰り返すドメイン
反転部9が形成されてなる。そしてLN基板1には、ド
メイン反転部9の並び方向に沿って延びる基板表面(y
面およびz面)から内部にかけて低抵抗化領域1cが形
成されている。この低抵抗化領域1cは、LN基板1の
その他の部分よりも電気抵抗を低下させた領域であり、
例えばLN基板1をピロリン酸に浸漬して、基板表面か
ら内部にかけてプロトン交換することにより形成可能で
ある。
【0028】なおこのプロトン交換処理により、LN基
板1のx面および−x面にもプロトン交換層が形成され
ることになるが、それらのプロトン交換層は、x面およ
び−x面を研磨してそれぞれ光通過面30a、30bとする
際に除去される。また、このプロトン交換処理の前に、
LN基板1のx面および−x面にはTaなどからなるマ
スクを形成しておき、プロトン交換処理後にそれらのマ
スクを除去するようにしてもよい。
【0029】上記の低抵抗化領域1cの抵抗率は107
Ωcmであり、LN基板1のその他の部分の抵抗率1013
Ωcmと比べて著しく低くなっている。このような低抵抗
化領域1cは、第1実施例の光波長変換素子20における
ITO薄膜11と同様に導電部として作用するので、それ
によりLN結晶の電荷の偏りを解消して、光損傷しきい
値を向上させることができる。
【0030】そしてこの低抵抗化領域1cは、基本波あ
るいは波長変換波に多大な反射や散乱等の影響を及ぼす
ことがなく、よってこの光波長変換素子30によれば高い
波長変換効率が得られるようになる。例えばこの光波長
変換素子30を図2に示したレーザダイオード励起YAG
レーザの共振器内に配置した場合は、レーザダイオード
14の出力が200 mWのとき、10mWと高出力の第2高調
波19が得られる。
【0031】なお上記の低抵抗化領域1cは、前述した
プロトン交換処理によって形成する他、LN基板1の表
面にSiO2 を蒸着し、それを熱処理してLiを外拡散
させることによって形成することもできる。さらには、
LN基板1の表面からイオンを打ち込んでイオン打ち込
み層を形成し、それを低抵抗化領域1cとしてもよい。
【0032】次に図4を参照して、本発明の第3実施例
について説明する。本実施例の光波長変換素子40もバル
ク結晶型のものであり、第1実施例の光波長変換素子20
と同様に、LN基板1に周期的に繰り返すドメイン反転
部9が形成されてなる。そしてLN基板1には、その全
表面(x面、y面およびz面)から内部にかけて低抵抗
化領域1cが形成されている。この低抵抗化領域1cは
第2実施例におけるのと同様にして形成されたものであ
り、それにより第2実施例と同様の作用、効果が得られ
る。
【0033】この場合は、光通過面40a、40bから内部
にかけて形成された低抵抗化領域1cを研磨により除去
したり、あるいはそれらの各面40a、40bにマスクを設
けた後それらを除去する等の作業が不要となる。しか
し、光波長変換素子に対する基本波や波長変換波の入、
出射効率を高める上では、光通過面には低抵抗化領域を
設けない方がより好ましい。
【0034】なお、第1実施例のように強誘電体の表面
に透明導電性材料からなるコーティングを設ける場合
も、上記と同様に強誘電体の全表面にコーティングを設
けても構わない。
【0035】次に図5を参照して、本発明の第4実施例
について説明する。この第4実施例の光波長変換素子50
は光導波路型のものであり、第1〜3実施例の光波長変
換素子を作成する場合と同様にLN基板1に周期的に繰
り返すドメイン反転部9が形成された後、ドメイン反転
部9の並び方向つまりx軸方向に光が伝搬するようにチ
ャンネル導波路12が形成されてなる。このチャンネル導
波路12は、以下の通りにして形成する。基板1の−z面
1b上に金属Taをスパッタして厚さ50nmのTa薄膜
を形成した後、フォトリソグラフィーとドライエッチン
グにより幅4μmのマスクパターンを形成する。次にL
N基板1に対して、ピロリン酸中で230℃×15分間プロ
トン交換処理を行ない、TaマスクをNaOHとH2
2 の混合エッチング液で除去した後、300 ℃で5分間ア
ニールし、チャンネル導波路12を作成する。
【0036】その後、ドメイン反転部9の並び方向に沿
って延びチャンネル導波路12が形成された基板表面すな
わち−z面1bに、透明導電性材料であるITOの薄膜
11を蒸着する。次いでLN基板1のx面および−x面を
研磨してそれぞれ光通過面50a、50bとすることによ
り、図5に示すようなチャンネル導波路型の光波長変換
素子50が得られる。
【0037】以上のようにして作成した導波路型光波長
変換素子50に、基本波として波長λのレーザ光を入力端
50aから入射させると、導波−導波モードの位相整合が
取られて、出力端50bから波長λ/2の第2高調波を効
率良く出射させることができる。
【0038】一例として、基本波光源にレーザダイオー
ドを用いた場合について、図6を参照して説明する。レ
ーザダイオード53から出射した基本波としてのレーザビ
ーム54(波長=880 nm)はコリメートレンズ55によっ
て平行光化された後、λ/2板56でチャンネル導波路12
のz軸方向に偏光方向を合わせ、集光レンズ57により集
光されてチャンネル導波路12の端面12aにおいて収束す
る。それにより基本波54はチャンネル導波路12内に入射
し、そこを導波する。
【0039】導波モードで進行する基本波54は、導波路
12中の周期ドメイン反転領域で位相整合して第2高調波
58に波長変換される。この第2高調波58もチャンネル導
波路12を導波モードで伝搬し、出力端50bから効率良く
出射する。出力された第2高調波58の偏光方向もz軸方
向であるので、LNの最も大きい非線形光学定数d33
利用されていることになる。ここで、レーザダイオード
53の出力が100 mW、導波路型光波長変換素子50の基本
波との相互作用長が9mmのとき、第2高調波出力は5
mWであった。
【0040】この第4実施例の光波長変換素子50におい
ても、ドメイン反転部9の並び方向に沿って延びる基板
表面に導電性のITO薄膜11が蒸着されているので、こ
のITO薄膜11によってLN結晶の電荷の偏りを解消し
て、光損傷しきい値を向上させることができる。
【0041】また、ITO薄膜11は透明であるから、チ
ャンネル導波路12を導波モードで進行する基本波54およ
び第2高調波58はこのITO薄膜11によって多大な反
射、散乱等の影響を受けることなく、良好に伝搬可能で
ある。
【0042】次に図7を参照して、本発明の第5実施例
について説明する。この第5実施例の光波長変換素子60
も光導波路型のものであり、第4実施例の光波長変換素
子50と比較すると、ITO薄膜11を設ける代わりに、L
N基板1の−z面1bから内部にかけて低抵抗化領域1
cが形成されている点が異なる。この低抵抗化領域1c
は、先に説明したようにプロトン交換、外拡散、内拡
散、さらにはイオン打ち込み等によって形成可能であ
り、このような低抵抗化領域1cが形成されているため
に、本実施例でも第4実施例と同様の効果が得られる。
【0043】次に図8を参照して、本発明の第6実施例
について説明する。この第6実施例の光波長変換素子70
も光導波路型のものであり、第4実施例の光波長変換素
子50と比較すると、LN基板1の−z面全面に亘ってI
TO薄膜11を形成せずに、この−z面1bのチャンネル
導波路12に近接した部分のみにITO薄膜11を形成して
いる点が異なる。このような構成としても、LN結晶の
基本波および波長変換波が伝搬する部分の電荷の偏りが
ITO薄膜11によって解消されるので、光損傷しきい値
を向上させることができる。
【0044】なお、第5実施例のように低抵抗化領域1
cを形成する場合も、チャンネル導波路12に近接した部
分のみに低抵抗化領域1cを形成するようにしてもよ
い。
【0045】また本発明において、周期ドメイン反転構
造を形成する方法は先に説明した方法、すなわち強誘電
体結晶に電子線を照射するという方法に限られるもので
はなく、その他例えば、強誘電体結晶にプロトン交換部
を設けてそこに電場を印加する等のあらゆる方法が適用
可能である。
【0046】なお、電子線を強誘電体結晶に照射する方
法を適用した場合は、電子線照射側の結晶表面から若干
内側に入った部分から分極反転が起きることがある。そ
のような場合は、上記結晶表面から内部にかけての分極
反転していない領域を研磨して除去し、この研磨後の新
たな結晶表面にITO薄膜11等のコて除去し、この研磨
後の新たな結晶表面にITO薄膜11等のコーティングを
施したり、あるいはこの新たな結晶表面から内部にかけ
て低抵抗化領域を形成するのが好ましい。
【0047】一例として、第1実施例と同様にしてバル
ク結晶型の光波長変換素子を作成する際、LN基板1の
電子線照射面を数μm研磨してからITO薄膜11をコー
ティングした。それにより得られた光波長変換素子を図
2に示すレーザダイオード励起YAGレーザの共振器内
に配置したところ、レーザダイオード14の出力が200
mWのとき、第1実施例よりもさらに高出力の15mW
の第2高調波19が得られた。このように、電子線照射面
を研磨することにより、明らかに波長変換効率向上の効
果が得られる。
【0048】また本発明は、非線形光学効果を有する強
誘電体結晶としてLNを用いる場合に限らず、その他の
強誘電体結晶を用いる場合にも同様に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例の光波長変換素子を作成す
る様子を示す概略図
【図2】上記第1実施例の光波長変換素子を備えた固体
レーザの側面図
【図3】本発明の第2実施例の光波長変換素子の概略側
断面図
【図4】本発明の第3実施例の光波長変換素子の概略側
断面図
【図5】本発明の第4実施例の光波長変換素子の概略斜
視図
【図6】上記第4実施例の光波長変換素子の使用状態を
示す概略側面図
【図7】本発明の第5実施例の光波長変換素子の概略斜
視図
【図8】本発明の第6実施例の光波長変換素子の概略斜
視図
【符号の説明】
1 LiNbO3 単分極化基板(z板) 1a、1b 基板表面 1c 低抵抗化領域 2 Taマスクパターン 3 プロトン交換部 4 コロナワイヤー 5 金属Pt電極 7 アース 8 電源 9 ドメイン反転部 11 ITO薄膜 12 チャンネル導波路 13 レーザビーム(ポンピング光) 14、53 レーザダイオード 15、57 集光レンズ 16 YAG結晶 17 共振器ミラー 18、54 レーザビーム(基本波) 19、58 第2高調波 20、30、40 バルク結晶型光波長変換素子 50、60、70 導波路型光波長変換素子 55 コリメートレンズ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 非線形光学効果を有する強誘電体結晶に
    周期的に繰り返すドメイン反転部が形成されてなり、こ
    れらのドメイン反転部の並び方向に入射した基本波を波
    長変換する光波長変換素子において、前記強誘電体結晶
    のドメイン反転部の並び方向に沿って延びる表面の少な
    くとも基本波光路近傍部分に、透明導電性材料からなる
    コーティングが設けられていることを特徴とする光波長
    変換素子。
  2. 【請求項2】 非線形光学効果を有する強誘電体結晶に
    周期的に繰り返すドメイン反転部が形成されてなり、こ
    れらのドメイン反転部の並び方向に入射した基本波を波
    長変換する光波長変換素子において、前記強誘電体結晶
    のドメイン反転部の並び方向に沿って延びる表面の少な
    くとも基本波光路近傍部分から内部にかけて低抵抗化領
    域が形成されていることを特徴とする光波長変換素子。
  3. 【請求項3】 非線形光学効果を有する強誘電体結晶に
    周期的に繰り返すドメイン反転部を形成した後、この強
    誘電体結晶のドメイン反転部の並び方向に沿って延びる
    表面の少なくとも基本波光路近傍部分に、透明導電性材
    料からなるコーティングを施すことを特徴とする光波長
    変換素子の作成方法。
  4. 【請求項4】 非線形光学効果を有する強誘電体結晶に
    周期的に繰り返すドメイン反転部を形成した後、この強
    誘電体結晶のドメイン反転部の並び方向に沿って延びる
    表面の少なくとも基本波光路近傍部分から内部にかかる
    領域の電気抵抗を低下させる処理を施すことを特徴とす
    る光波長変換素子の作成方法。
  5. 【請求項5】 非線形光学効果を有する強誘電体結晶に
    周期的に繰り返すドメイン反転部を、電子線照射により
    形成した後、この強誘電体結晶の電子線照射面の表層部
    を研磨し、次いで前記コーティングを施すか、あるいは
    前記電気抵抗を低下させる処理を施すことを特徴とする
    請求項3または4記載の光波長変換素子の作成方法。
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