JP2852831B2 - 強誘電体のドメイン反転構造形成方法 - Google Patents
強誘電体のドメイン反転構造形成方法Info
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/355—Non-linear optics characterised by the materials used
- G02F1/3558—Poled materials, e.g. with periodic poling; Fabrication of domain inverted structures, e.g. for quasi-phase-matching [QPM]
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- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、周期ドメイン反転構造
を有する光波長変換素子を作成する等のために、強誘電
体に所定パターンのドメイン反転構造を形成する方法に
関するものである。
を有する光波長変換素子を作成する等のために、強誘電
体に所定パターンのドメイン反転構造を形成する方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】非線形光学効果を有する強誘電体の自発
分極（ドメイン）を周期的に反転させた領域を設けた光
波長変換素子を用いて、基本波を第２高調波に波長変換
する方法が既にＢleombergenらによって提案されている
（Ｐhys.Ｒev.,vol.127,Ｎo.６，1918（1962）参照）。
この方法においては、ドメイン反転部の周期Λを、 Λｃ＝２π／｛β（２ω）−２β（ω）｝ ……(1) ただしβ（２ω）は第２高調波の伝搬定数 ２β（ω）は基本波の伝搬定数 で与えられるコヒーレント長Λｃの整数倍になるように
設定することで、基本波と第２高調波との位相整合を取
ることができる。周期ドメイン反転構造を持たない非線
形光学材料のバルク結晶を用いて波長変換する場合は、
位相整合する波長が結晶固有の特定波長に限られるが、
上記の方法によれば、任意の波長に対して(1) を満足す
る周期Λを選択することにより、効率良く位相整合（い
わゆる疑似位相整合）を取ることが可能となる。
分極（ドメイン）を周期的に反転させた領域を設けた光
波長変換素子を用いて、基本波を第２高調波に波長変換
する方法が既にＢleombergenらによって提案されている
（Ｐhys.Ｒev.,vol.127,Ｎo.６，1918（1962）参照）。
この方法においては、ドメイン反転部の周期Λを、 Λｃ＝２π／｛β（２ω）−２β（ω）｝ ……(1) ただしβ（２ω）は第２高調波の伝搬定数 ２β（ω）は基本波の伝搬定数 で与えられるコヒーレント長Λｃの整数倍になるように
設定することで、基本波と第２高調波との位相整合を取
ることができる。周期ドメイン反転構造を持たない非線
形光学材料のバルク結晶を用いて波長変換する場合は、
位相整合する波長が結晶固有の特定波長に限られるが、
上記の方法によれば、任意の波長に対して(1) を満足す
る周期Λを選択することにより、効率良く位相整合（い
わゆる疑似位相整合）を取ることが可能となる。
【０００３】上述のような周期ドメイン反転構造を形成
する方法としては従来より、 １）ＬｉＴａＯ3 の−ｚ面に周期的にプロトン交換を施
し、キュリー点近傍の温度で熱処理する方法（Ｋ．Ｙam
amoto ，Ｋ．Ｍizuuchi ，and Ｔ．Ｔaniuchi ，Ｏptic
s Ｌetters，vol.16, Ｎo.15，1156（1991）参照） ２）室温下で電子線ビームを直接単分極化されたＬｉＴ
ａＯ3 やＬｉＮｂＯ3 の−ｚ面に照射する方法（Ｈ．Ｉ
to，Ｃ．Ｔakyu，and Ｈ．Ｉnaba，ＥlectronicsＬette
rs， vol.27, Ｎo.14，1221（1991）参照） ３）単分極化されたＬｉＴａＯ3 やＬｉＮｂＯ3 等の表
面に電荷を遮断する所定パターンのレジストを配置した
上で、コロナ放電により該表面に全体的に電荷を作用さ
せる方法 等が知られている。
する方法としては従来より、 １）ＬｉＴａＯ3 の−ｚ面に周期的にプロトン交換を施
し、キュリー点近傍の温度で熱処理する方法（Ｋ．Ｙam
amoto ，Ｋ．Ｍizuuchi ，and Ｔ．Ｔaniuchi ，Ｏptic
s Ｌetters，vol.16, Ｎo.15，1156（1991）参照） ２）室温下で電子線ビームを直接単分極化されたＬｉＴ
ａＯ3 やＬｉＮｂＯ3 の−ｚ面に照射する方法（Ｈ．Ｉ
to，Ｃ．Ｔakyu，and Ｈ．Ｉnaba，ＥlectronicsＬette
rs， vol.27, Ｎo.14，1221（1991）参照） ３）単分極化されたＬｉＴａＯ3 やＬｉＮｂＯ3 等の表
面に電荷を遮断する所定パターンのレジストを配置した
上で、コロナ放電により該表面に全体的に電荷を作用さ
せる方法 等が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記２）や３）のよう
に強誘電体に荷電粒子線を照射する方法は、比較的簡便
に実施可能となっているが、その半面、ドメイン反転が
起こり難い、さらには強誘電体表面近傍でのドメイン反
転が不確実になりやすいといった問題が認められてい
た。
に強誘電体に荷電粒子線を照射する方法は、比較的簡便
に実施可能となっているが、その半面、ドメイン反転が
起こり難い、さらには強誘電体表面近傍でのドメイン反
転が不確実になりやすいといった問題が認められてい
た。
【０００５】上記のようにドメイン反転が不確実になっ
ていると、その強誘電体を用いて前述の光波長変換素子
を形成した場合には、周期ドメイン反転構造が全く形成
されなかったり、あるいはその周期が不正確になるか
ら、効率良く波長変換を行なうことが不可能となる。
ていると、その強誘電体を用いて前述の光波長変換素子
を形成した場合には、周期ドメイン反転構造が全く形成
されなかったり、あるいはその周期が不正確になるか
ら、効率良く波長変換を行なうことが不可能となる。
【０００６】また、強誘電体表面近傍でドメイン反転が
不確実になっていると、その強誘電体を用いて特に光導
波路型の光波長変換素子を形成した場合には特有の問題
が生じる。すなわち光導波路はこの強誘電体の表面近傍
に形成されるから、たとえこの表面近傍以外では正確に
ドメイン反転が生じていても、肝腎の光導波路において
は周期ドメイン反転構造が形成されなかったり、あるい
はその周期が不正確になってしまう。そのような光導波
路型の光波長変換素子では、効率良く波長変換を行なう
ことは当然不可能である。
不確実になっていると、その強誘電体を用いて特に光導
波路型の光波長変換素子を形成した場合には特有の問題
が生じる。すなわち光導波路はこの強誘電体の表面近傍
に形成されるから、たとえこの表面近傍以外では正確に
ドメイン反転が生じていても、肝腎の光導波路において
は周期ドメイン反転構造が形成されなかったり、あるい
はその周期が不正確になってしまう。そのような光導波
路型の光波長変換素子では、効率良く波長変換を行なう
ことは当然不可能である。
【０００７】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であり、荷電粒子線照射により所定パターンのドメイン
反転部を確実に、特に強誘電体表面近傍において確実に
形成することができる強誘電体のドメイン反転構造形成
方法を提供することを目的とするものである。
であり、荷電粒子線照射により所定パターンのドメイン
反転部を確実に、特に強誘電体表面近傍において確実に
形成することができる強誘電体のドメイン反転構造形成
方法を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明による強誘電体の
ドメイン反転構造形成方法は、単分極化された強誘電体
に荷電粒子線を照射して、この照射方向に延びるドメイ
ン反転部を形成する方法において、荷電粒子線が照射さ
れる強誘電体の表面部分に、該強誘電体よりも電気抵抗
が高い高抵抗層を堆積しておくことを特徴とするもので
ある。
ドメイン反転構造形成方法は、単分極化された強誘電体
に荷電粒子線を照射して、この照射方向に延びるドメイ
ン反転部を形成する方法において、荷電粒子線が照射さ
れる強誘電体の表面部分に、該強誘電体よりも電気抵抗
が高い高抵抗層を堆積しておくことを特徴とするもので
ある。
【０００９】
【作用および発明の効果】本発明者等の研究によると、
強誘電体に荷電粒子線を照射してもドメイン反転が起こ
らないという問題は、強誘電体の電気抵抗が低いことに
起因していることが判った。すなわちそのような場合
は、強誘電体に荷電粒子線を作用させてもその表面電位
がすぐに減衰したり、表面から深さ方向（つまり荷電粒
子線の照射方向）に電子が移動し難くて表面に沿った方
向に電流が流れてしまうのである。
強誘電体に荷電粒子線を照射してもドメイン反転が起こ
らないという問題は、強誘電体の電気抵抗が低いことに
起因していることが判った。すなわちそのような場合
は、強誘電体に荷電粒子線を作用させてもその表面電位
がすぐに減衰したり、表面から深さ方向（つまり荷電粒
子線の照射方向）に電子が移動し難くて表面に沿った方
向に電流が流れてしまうのである。
【００１０】そこで、本発明方法におけるように強誘電
体の表面部分に高抵抗層を堆積しておくと、表面電位が
すぐに減衰することがなくなり、また電子が強誘電体の
表面から深さ方向に移動しやすくなって、荷電粒子線照
射方向に延びるドメイン反転部が確実に形成されるよう
になる。
体の表面部分に高抵抗層を堆積しておくと、表面電位が
すぐに減衰することがなくなり、また電子が強誘電体の
表面から深さ方向に移動しやすくなって、荷電粒子線照
射方向に延びるドメイン反転部が確実に形成されるよう
になる。
【００１１】また、強誘電体の表面近傍部分でドメイン
反転が生じ難いという問題は、特に高エネルギーの荷電
粒子線が用いられた際に、表面からの電子注入深さが数
μｍ程度とかなり大きくなることに起因していることが
判った。そこで上述のような高抵抗層を設けておけば、
強誘電体表面からの電子注入深さがほぼこの高抵抗層の
厚さ分だけ浅くなり、この強誘電体の表面近傍で良好に
ドメインが反転するようになる。したがって、高抵抗層
を除去して強誘電体表面に光導波路を形成すれば、この
光導波路部分に確実にドメイン反転部が存在することに
なる。
反転が生じ難いという問題は、特に高エネルギーの荷電
粒子線が用いられた際に、表面からの電子注入深さが数
μｍ程度とかなり大きくなることに起因していることが
判った。そこで上述のような高抵抗層を設けておけば、
強誘電体表面からの電子注入深さがほぼこの高抵抗層の
厚さ分だけ浅くなり、この強誘電体の表面近傍で良好に
ドメインが反転するようになる。したがって、高抵抗層
を除去して強誘電体表面に光導波路を形成すれば、この
光導波路部分に確実にドメイン反転部が存在することに
なる。
【００１２】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を
詳細に説明する。まず図１を参照して、本発明の第１実
施例について説明する。この図１中、１は非線形光学効
果を有する強誘電体であるＬｉＮｂＯ3 の基板（以下、
ＬＮ基板と称する）である。このＬＮ基板１は単分極化
処理がなされて、例えば0.5 ｍｍ程度の所定厚さとさ
れ、最も大きい非線形光学定数ｄ33が有効に利用できる
ようにｚ面で光学研磨されている。このＬＮ基板１の−
ｚ面１ａ上には、同図（ａ）に示すように、スパッタ法
により厚さ0.5 μｍの高抵抗層としてのＳｉＯ2 膜２が
堆積される。またこのＬＮ基板１の＋ｚ面１ｂ上には電
極としてのＣｒ膜３が形成され、このＣｒ膜３が接地さ
れる。
詳細に説明する。まず図１を参照して、本発明の第１実
施例について説明する。この図１中、１は非線形光学効
果を有する強誘電体であるＬｉＮｂＯ3 の基板（以下、
ＬＮ基板と称する）である。このＬＮ基板１は単分極化
処理がなされて、例えば0.5 ｍｍ程度の所定厚さとさ
れ、最も大きい非線形光学定数ｄ33が有効に利用できる
ようにｚ面で光学研磨されている。このＬＮ基板１の−
ｚ面１ａ上には、同図（ａ）に示すように、スパッタ法
により厚さ0.5 μｍの高抵抗層としてのＳｉＯ2 膜２が
堆積される。またこのＬＮ基板１の＋ｚ面１ｂ上には電
極としてのＣｒ膜３が形成され、このＣｒ膜３が接地さ
れる。
【００１３】次に同図（ｂ）に示されるように、ＳｉＯ
2 膜２越しにＬＮ基板１の−ｚ面１ａに向けて電子線ビ
ーム４を照射し、この照射方向つまり−ｚ面１ａから深
さ方向に延びるドメイン反転部５を形成する。本実施例
においては、電子線ビーム４は20ｋＶ、0.2 ｎＡの条件
で照射される。また１ケ所当りの電子線照射時間は３ｍ
sec で、１ケ所照射する毎に照射位置が等ピッチで移動
される。本例ではこの照射ピッチは４μｍである。以上
の処理によりＬＮ基板１には、ドメイン反転部５が所定
周期Λ＝４μｍで周期的に並ぶ周期ドメイン反転構造が
形成される。
2 膜２越しにＬＮ基板１の−ｚ面１ａに向けて電子線ビ
ーム４を照射し、この照射方向つまり−ｚ面１ａから深
さ方向に延びるドメイン反転部５を形成する。本実施例
においては、電子線ビーム４は20ｋＶ、0.2 ｎＡの条件
で照射される。また１ケ所当りの電子線照射時間は３ｍ
sec で、１ケ所照射する毎に照射位置が等ピッチで移動
される。本例ではこの照射ピッチは４μｍである。以上
の処理によりＬＮ基板１には、ドメイン反転部５が所定
周期Λ＝４μｍで周期的に並ぶ周期ドメイン反転構造が
形成される。
【００１４】次にフッ硝酸エッチングによりＳｉＯ2 膜
２を除去するとともに、ＬＮ基板１の−ｚ面１ａをエッ
チングする（同図（ｃ）参照）。このように−ｚ面１ａ
をエッチング処理すると、図２に示すように、ドメイン
反転部５とそうでない部分とでは化学的特性の違いによ
り、エッチングの程度に差が生じる。そこでこの−ｚ面
１ａ部分を顕微鏡で観察することにより、ドメイン反転
部５が所定ピッチ、所定サイズで確実に生じているか否
か、そして特にＬＮ基板１の表面近傍でも確実にドメイ
ン反転が生じているか否かを確認することができる。
２を除去するとともに、ＬＮ基板１の−ｚ面１ａをエッ
チングする（同図（ｃ）参照）。このように−ｚ面１ａ
をエッチング処理すると、図２に示すように、ドメイン
反転部５とそうでない部分とでは化学的特性の違いによ
り、エッチングの程度に差が生じる。そこでこの−ｚ面
１ａ部分を顕微鏡で観察することにより、ドメイン反転
部５が所定ピッチ、所定サイズで確実に生じているか否
か、そして特にＬＮ基板１の表面近傍でも確実にドメイ
ン反転が生じているか否かを確認することができる。
【００１５】この顕微鏡観察により本実施例では、Λ＝
４μｍの周期で−ｚ面から＋ｚ面まで貫通するドメイン
反転部５が確実に形成されているのが確認された。また
このドメイン反転部５は、ＬＮ基板１の−ｚ面１ａ近傍
においても確実に形成されているのが確認された。なお
図１（ｃ）および図２の矢印10は、分極の方向を示して
いる。
４μｍの周期で−ｚ面から＋ｚ面まで貫通するドメイン
反転部５が確実に形成されているのが確認された。また
このドメイン反転部５は、ＬＮ基板１の−ｚ面１ａ近傍
においても確実に形成されているのが確認された。なお
図１（ｃ）および図２の矢印10は、分極の方向を示して
いる。
【００１６】なお本実施例においては、高抵抗層として
ＬｉＮｂＯ3 よりも電気抵抗が均一なＳｉＯ2 膜２が用
いられているので、電子線ビーム４を照射する際の表面
抵抗がより均一になる。そこで、このようなＳｉＯ2 膜
２を堆積しない場合と比べると、各ドメイン反転部５の
大きさがより一様になり、周期ドメイン反転構造の周期
精度が向上する。
ＬｉＮｂＯ3 よりも電気抵抗が均一なＳｉＯ2 膜２が用
いられているので、電子線ビーム４を照射する際の表面
抵抗がより均一になる。そこで、このようなＳｉＯ2 膜
２を堆積しない場合と比べると、各ドメイン反転部５の
大きさがより一様になり、周期ドメイン反転構造の周期
精度が向上する。
【００１７】次に図３を参照して本発明の第２実施例を
説明する。本実施例は第１実施例と比べると、電子線照
射の仕方が異なる。すなわち本実施例では、高抵抗層と
してのＳｉＯ2 膜２の上に電子線を遮断するレジスト６
が所定ピッチで堆積され、コロナ放電ワイヤ７を用いて
電子線８がＬＮ基板１の−ｚ面１ａに照射される。そこ
でＬＮ基板に１には、レジスト６が無い部分において周
期的にドメイン反転部５が形成される。
説明する。本実施例は第１実施例と比べると、電子線照
射の仕方が異なる。すなわち本実施例では、高抵抗層と
してのＳｉＯ2 膜２の上に電子線を遮断するレジスト６
が所定ピッチで堆積され、コロナ放電ワイヤ７を用いて
電子線８がＬＮ基板１の−ｚ面１ａに照射される。そこ
でＬＮ基板に１には、レジスト６が無い部分において周
期的にドメイン反転部５が形成される。
【００１８】この場合も、レジスト６を除去してから第
１実施例におけるのと同様のエッチングを施し、ＬＮ基
板１の−ｚ面１ａを顕微鏡で観察したところ、ドメイン
反転部が、基板を貫通する状態で良好に形成されている
ことが確認された。
１実施例におけるのと同様のエッチングを施し、ＬＮ基
板１の−ｚ面１ａを顕微鏡で観察したところ、ドメイン
反転部が、基板を貫通する状態で良好に形成されている
ことが確認された。
【００１９】次に、本発明方法による周期ドメイン反転
構造を用いた導波路型光波長変換素子について説明す
る。図４にこの導波路型光波長変換素子の概略構成を示
す。第１実施例の通りにしてＬＮ基板１に周期ドメイン
反転部５を形成した後、ｘ方向に光が伝搬するようにチ
ャンネル導波路12を形成する。このチャンネル導波路12
は、プロトン交換等の公知の方法を適宜用いて形成する
ことができる。
構造を用いた導波路型光波長変換素子について説明す
る。図４にこの導波路型光波長変換素子の概略構成を示
す。第１実施例の通りにしてＬＮ基板１に周期ドメイン
反転部５を形成した後、ｘ方向に光が伝搬するようにチ
ャンネル導波路12を形成する。このチャンネル導波路12
は、プロトン交換等の公知の方法を適宜用いて形成する
ことができる。
【００２０】以上のようにして作成した導波路型光波長
変換素子20に、基本波として波長λのレーザ光を入力端
20ａから入射させると、導波−導波モードの位相整合が
取られて、出力端20ｂから波長λ／２の第２高調波を効
率良く出射させることができる。一例として、基本波光
源にレーザダイオードを用いた場合について、図５を参
照して説明する。レーザダイオード13から出射した基本
波としてのレーザビーム14（波長＝880 ｎｍ）はコリメ
ートレンズ15によって平行光化された後、λ／２板16で
チャンネル導波路12のｚ軸方向に偏光方向を合わせ、集
光レンズ17により集光されてチャンネル導波路12の端面
12ａにおいて収束する。それにより基本波14はチャンネ
ル導波路12内に入射し、そこを導波する。
変換素子20に、基本波として波長λのレーザ光を入力端
20ａから入射させると、導波−導波モードの位相整合が
取られて、出力端20ｂから波長λ／２の第２高調波を効
率良く出射させることができる。一例として、基本波光
源にレーザダイオードを用いた場合について、図５を参
照して説明する。レーザダイオード13から出射した基本
波としてのレーザビーム14（波長＝880 ｎｍ）はコリメ
ートレンズ15によって平行光化された後、λ／２板16で
チャンネル導波路12のｚ軸方向に偏光方向を合わせ、集
光レンズ17により集光されてチャンネル導波路12の端面
12ａにおいて収束する。それにより基本波14はチャンネ
ル導波路12内に入射し、そこを導波する。
【００２１】導波モードで進行する基本波14は、導波路
12中の周期ドメイン反転領域で位相整合して第２高調波
18に波長変換される。この第２高調波18もチャンネル導
波路12を導波モードで伝搬し、出力端20ｂから効率良く
出射する。出力された第２高調波18の偏光方向もｚ軸方
向であるので、ＬｉＮｂＯ3 の最も大きい非線形光学定
数ｄ33が利用されていることになる。
12中の周期ドメイン反転領域で位相整合して第２高調波
18に波長変換される。この第２高調波18もチャンネル導
波路12を導波モードで伝搬し、出力端20ｂから効率良く
出射する。出力された第２高調波18の偏光方向もｚ軸方
向であるので、ＬｉＮｂＯ3 の最も大きい非線形光学定
数ｄ33が利用されていることになる。
【００２２】なお本発明の方法は、強誘電体材料として
上記ＬｉＮｂＯ3 以外のもの、例えばＬｉＴａＯ3 、Ｍ
ｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 、ＭｇＯ：ＬｉＴａＯ3 、ＫＮｂＯ
3 、ＭｇＯ：ＫＮｂＯ3 、ＫＴＰ等を用いる場合に適用
することもできる。
上記ＬｉＮｂＯ3 以外のもの、例えばＬｉＴａＯ3 、Ｍ
ｇＯ：ＬｉＮｂＯ3 、ＭｇＯ：ＬｉＴａＯ3 、ＫＮｂＯ
3 、ＭｇＯ：ＫＮｂＯ3 、ＫＴＰ等を用いる場合に適用
することもできる。
【００２３】また本発明の方法は、周期ドメイン反転構
造を有するバルク結晶形光波長変換素子を作成するため
に適用することもできる。さらに本発明の方法は、周期
ドメイン反転構造以外のドメイン反転構造を形成するた
めに適用することも可能である。
造を有するバルク結晶形光波長変換素子を作成するため
に適用することもできる。さらに本発明の方法は、周期
ドメイン反転構造以外のドメイン反転構造を形成するた
めに適用することも可能である。
【図１】本発明の第１実施例により周期ドメイン反転構
造を形成する工程を示す概略図
造を形成する工程を示す概略図
【図２】周期ドメイン反転構造が形成されたＬＮ基板の
表面部分を示す概略側面図
表面部分を示す概略側面図
【図３】本発明の第２実施例により周期ドメイン反転構
造を形成する様子を示す概略図
造を形成する様子を示す概略図
【図４】周期ドメイン反転構造を有する導波路型光波長
変換素子の概略斜視図
変換素子の概略斜視図
【図５】図４の光波長変換素子の使用状態を示す概略側
面図
面図
１ ＬｉＮｂＯ3 単分極化基板（ｚ板） １ａ 基板の表面（−ｚ面） ２ ＳｉＯ2 膜 ４ 電子線ビーム ５ ドメイン反転部 ６ レジスト ７ コロナ放電ワイヤ ８ 電子線 12 チャンネル導波路 13 レーザーダイオード 14 レーザービーム（基本波） 15 コリメートレンズ 16 λ／２板 17 集光レンズ 18 第２高調波 20 導波路型光波長変換素子
Claims (1)
- 【請求項１】 単分極化された強誘電体に荷電粒子線を
照射して、この照射方向に延びるドメイン反転部を形成
する方法において、 前記荷電粒子線が照射される強誘電体の表面部分に、該
強誘電体よりも電気抵抗が高い高抵抗層を堆積しておく
ことを特徴とする強誘電体のドメイン反転構造形成方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4096571A JP2852831B2 (ja) | 1992-04-16 | 1992-04-16 | 強誘電体のドメイン反転構造形成方法 |
| US08/044,457 US5395495A (en) | 1992-04-16 | 1993-04-09 | Fabrication of ferroelectric domain reversals |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4096571A JP2852831B2 (ja) | 1992-04-16 | 1992-04-16 | 強誘電体のドメイン反転構造形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05297430A JPH05297430A (ja) | 1993-11-12 |
| JP2852831B2 true JP2852831B2 (ja) | 1999-02-03 |
Family
ID=14168688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4096571A Expired - Fee Related JP2852831B2 (ja) | 1992-04-16 | 1992-04-16 | 強誘電体のドメイン反転構造形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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Family Cites Families (1)
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|---|---|---|---|---|
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