JPH06234969A - 有機薄膜発光素子 - Google Patents
有機薄膜発光素子Info
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- JPH06234969A JPH06234969A JP2155893A JP2155893A JPH06234969A JP H06234969 A JPH06234969 A JP H06234969A JP 2155893 A JP2155893 A JP 2155893A JP 2155893 A JP2155893 A JP 2155893A JP H06234969 A JPH06234969 A JP H06234969A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】温度上昇時の輝度安定性に優れ、有機薄膜発光
素子アレーが製造可能な有機薄膜発光素子を得る。 【構成】正孔注入層にイソシアネート基２個以上を含む
トリフェニルアミン系窒素化合物と水酸基を２個以上含
む化合物とを重合架橋したポリマを用いる。
素子アレーが製造可能な有機薄膜発光素子を得る。 【構成】正孔注入層にイソシアネート基２個以上を含む
トリフェニルアミン系窒素化合物と水酸基を２個以上含
む化合物とを重合架橋したポリマを用いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は各種表示装置の発光源
として用いる有機薄膜発光素子に係り、特に素子の正孔
注入層に用いられる物質に関する。
として用いる有機薄膜発光素子に係り、特に素子の正孔
注入層に用いられる物質に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のブラウン管に代わるフラットディ
スプレイの需要の急増に伴い、各種表示素子の開発及び
実用化が精力的に進められている。エレクトロルミネッ
センス素子（以下ＥＬ素子とする）もこうしたニ−ズに
即するものであり、特に全固体の自発発光素子として、
他のディスプレイにはない高解像度及び高視認性により
注目を集めている。現在、実用化されているものは、発
光層にＺｎＳ／Ｍｎ系を用いた無機材料からなるＥＬ素
子である。しかるに、この種の無機ＥＬ素子は発光に必
要な駆動電圧が１００Ｖ以上と高いため駆動方法が複雑
となり製造コストが高いといった問題点がある。また、
青色発光の効率が低いため、フルカラ−化が困難であ
る。これに対して、有機材料を用いた薄膜発光素子は、
発光に必要な駆動電圧が大幅に低減でき、かつ各種発光
材料の適用によりフルカラ−化の可能性を充分に持つこ
とから、近年研究が活発化している。
スプレイの需要の急増に伴い、各種表示素子の開発及び
実用化が精力的に進められている。エレクトロルミネッ
センス素子（以下ＥＬ素子とする）もこうしたニ−ズに
即するものであり、特に全固体の自発発光素子として、
他のディスプレイにはない高解像度及び高視認性により
注目を集めている。現在、実用化されているものは、発
光層にＺｎＳ／Ｍｎ系を用いた無機材料からなるＥＬ素
子である。しかるに、この種の無機ＥＬ素子は発光に必
要な駆動電圧が１００Ｖ以上と高いため駆動方法が複雑
となり製造コストが高いといった問題点がある。また、
青色発光の効率が低いため、フルカラ−化が困難であ
る。これに対して、有機材料を用いた薄膜発光素子は、
発光に必要な駆動電圧が大幅に低減でき、かつ各種発光
材料の適用によりフルカラ−化の可能性を充分に持つこ
とから、近年研究が活発化している。
【０００３】特に、電極／正孔注入層／発光層／電極か
らなる積層型において、発光物質にトリス（８−ヒドロ
キシキノリン）アルミニウムを、正孔注入物質に１，
１′−ビス（４−Ｎ，Ｎ′−ジトリアミノフェニル）シ
クロヘキサンを用いることにより、１０Ｖ以下の印加電
圧で１０００ｃｄ／ｍ2 以上の輝度が得られたという報
告がなされて以来開発に拍車がかけられた（Appl.Phys.
Lett. 51,913,(1987))。
らなる積層型において、発光物質にトリス（８−ヒドロ
キシキノリン）アルミニウムを、正孔注入物質に１，
１′−ビス（４−Ｎ，Ｎ′−ジトリアミノフェニル）シ
クロヘキサンを用いることにより、１０Ｖ以下の印加電
圧で１０００ｃｄ／ｍ2 以上の輝度が得られたという報
告がなされて以来開発に拍車がかけられた（Appl.Phys.
Lett. 51,913,(1987))。
【０００４】図５は従来の有機薄膜発光素子を示す断面
図である。１１は絶縁性透明基板、１２は正極、１３は
正孔注入層、１４は発光層、１５は電子注入層、１６は
負極、１７は直流電源である。絶縁性透明基板１１は素
子の支持体でガラス，樹脂等を用いる。正極１２は金，
ニッケル等の半透膜やインジウムスズ酸化物（ＩＴ
Ｏ），酸化スズ（ＳｎＯ2 ）等の透明導電膜からなり抵
抗加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着、スパッタ法により形成す
る。該正極１２は、透明性を持たせるために、１０〜３
００ｎｍの厚さにすることが望ましい。
図である。１１は絶縁性透明基板、１２は正極、１３は
正孔注入層、１４は発光層、１５は電子注入層、１６は
負極、１７は直流電源である。絶縁性透明基板１１は素
子の支持体でガラス，樹脂等を用いる。正極１２は金，
ニッケル等の半透膜やインジウムスズ酸化物（ＩＴ
Ｏ），酸化スズ（ＳｎＯ2 ）等の透明導電膜からなり抵
抗加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着、スパッタ法により形成す
る。該正極１２は、透明性を持たせるために、１０〜３
００ｎｍの厚さにすることが望ましい。
【０００５】正孔注入層１３は正孔を効率良く輸送し、
且つ注入することが必要で発光した光の発光極大領域に
おいてできるだけ透明であることが望ましい。成膜方法
としてスピンコ−ト、キャスティング、ＬＢ法、抵抗加
熱蒸着、電子ビ−ム蒸着等があるが抵抗加熱蒸着が一般
的である。膜厚は１０ないし２００ｎｍであり、好適に
は２０ないし８０ｎｍである。正孔注入物質としては前
記１，１′−ビス（４−Ｎ，Ｎ′−ジトリアミノフェニ
ル）シクロヘキサンの他ヒドラゾン化合物，ピラゾリン
化合物，スチルベン化合物，アミン系化合物などが用い
られる。
且つ注入することが必要で発光した光の発光極大領域に
おいてできるだけ透明であることが望ましい。成膜方法
としてスピンコ−ト、キャスティング、ＬＢ法、抵抗加
熱蒸着、電子ビ−ム蒸着等があるが抵抗加熱蒸着が一般
的である。膜厚は１０ないし２００ｎｍであり、好適に
は２０ないし８０ｎｍである。正孔注入物質としては前
記１，１′−ビス（４−Ｎ，Ｎ′−ジトリアミノフェニ
ル）シクロヘキサンの他ヒドラゾン化合物，ピラゾリン
化合物，スチルベン化合物，アミン系化合物などが用い
られる。
【０００６】発光層１４は正孔注入層または正極から注
入された正孔と、負極１６または電子注入層１５より注
入された電子の再結合により効率良く発光を行う。成膜
方法はスピンコ−ト、キャスティング、ＬＢ法、抵抗加
熱蒸着、電子ビ−ム蒸着等があるが抵抗加熱蒸着が一般
的である。膜厚は１０ないし２００ｎｍであるが好適に
は２０ないし８０ｎｍである。発光物質には前記トリス
（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウムの他に化学式
（VII −２）ないし化学式（VII −５）に示す化合物が
用いられる。
入された正孔と、負極１６または電子注入層１５より注
入された電子の再結合により効率良く発光を行う。成膜
方法はスピンコ−ト、キャスティング、ＬＢ法、抵抗加
熱蒸着、電子ビ−ム蒸着等があるが抵抗加熱蒸着が一般
的である。膜厚は１０ないし２００ｎｍであるが好適に
は２０ないし８０ｎｍである。発光物質には前記トリス
（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウムの他に化学式
（VII −２）ないし化学式（VII −５）に示す化合物が
用いられる。
【０００７】
【化９】
【０００８】電子注入層１５は電子を効率良く発光層に
注入することが望ましい。成膜方法はスピンコ−ト、キ
ャスティング、ＬＢ法、抵抗加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着
等があるが抵抗加熱蒸着が一般的である。膜厚は１０な
いし２００ｎｍであるが好適には２０ないし８０ｎｍで
ある。電子注入物質としてはオキサジアゾール誘導体，
ペリレン誘導体などが用いられる。
注入することが望ましい。成膜方法はスピンコ−ト、キ
ャスティング、ＬＢ法、抵抗加熱蒸着、電子ビ−ム蒸着
等があるが抵抗加熱蒸着が一般的である。膜厚は１０な
いし２００ｎｍであるが好適には２０ないし８０ｎｍで
ある。電子注入物質としてはオキサジアゾール誘導体，
ペリレン誘導体などが用いられる。
【０００９】負極１６は電子を効率良く有機層に注入す
ることが必要である。成膜方法としては抵抗加熱蒸着，
電子ビーム蒸着，スパッタ法が用いられる。負極用材料
としては、仕事関数の小さいＭｇ，Ａｇ，Ｉｎ，Ｃａ，
Ａｌ等およびこれらの合金，積層体等が用いられる。
ることが必要である。成膜方法としては抵抗加熱蒸着，
電子ビーム蒸着，スパッタ法が用いられる。負極用材料
としては、仕事関数の小さいＭｇ，Ａｇ，Ｉｎ，Ｃａ，
Ａｌ等およびこれらの合金，積層体等が用いられる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】この様に、有機材料を
用いた薄膜発光素子は低電圧駆動やフルカラ−化の可能
性等を強く示唆しているものの、性能面や製造面で解決
しなければならない課題が多く残されている。特に正孔
注入層の耐熱性が悪く温度上昇時の発光輝度が安定性に
欠けること、またフォトリソグラフィによる素子の製造
に際して正孔注入層のパターニング性が悪く、有機薄膜
発光素子アレーやマルチカラー発光素子の製造が困難で
ある。
用いた薄膜発光素子は低電圧駆動やフルカラ−化の可能
性等を強く示唆しているものの、性能面や製造面で解決
しなければならない課題が多く残されている。特に正孔
注入層の耐熱性が悪く温度上昇時の発光輝度が安定性に
欠けること、またフォトリソグラフィによる素子の製造
に際して正孔注入層のパターニング性が悪く、有機薄膜
発光素子アレーやマルチカラー発光素子の製造が困難で
ある。
【００１１】この理由は正孔注入層が低分子量の物質で
あるために８０℃以上の高温では正孔注入層に凝集等の
物理変化が起こるためと考えられる。また正孔注入層は
耐薬品性の悪い有機物質を利用しているためにパターニ
ング時にエッチャントにより溶解，変質，変形する。こ
の発明は上述の点に鑑みてなされその目的は、正孔注入
層の耐熱性や耐薬品性を高めることにより、温度上昇時
の発光輝度が安定で、フォトリソグラフィを適用する際
のパターニング性に優れる有機薄膜発光素子を提供する
ことにある。
あるために８０℃以上の高温では正孔注入層に凝集等の
物理変化が起こるためと考えられる。また正孔注入層は
耐薬品性の悪い有機物質を利用しているためにパターニ
ング時にエッチャントにより溶解，変質，変形する。こ
の発明は上述の点に鑑みてなされその目的は、正孔注入
層の耐熱性や耐薬品性を高めることにより、温度上昇時
の発光輝度が安定で、フォトリソグラフィを適用する際
のパターニング性に優れる有機薄膜発光素子を提供する
ことにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述の目的はこの発明に
よれば正極と負極とからなる一対の電極と、その間に挟
まれた電荷注入層と発光層とを有し、発光層は注入され
た電子と正孔を再結合させて所定の波長の発光を行うも
のであり、電荷注入層は電子注入層と正孔注入層の内の
少なくとも正孔注入層からなり、正孔注入層はイソシア
ネート基を二個以上含むトリフェニルアミン系化合物
と、水酸基を二個以上含む化合物とを重合反応させてな
るポリマからなるとすることにより達成される。
よれば正極と負極とからなる一対の電極と、その間に挟
まれた電荷注入層と発光層とを有し、発光層は注入され
た電子と正孔を再結合させて所定の波長の発光を行うも
のであり、電荷注入層は電子注入層と正孔注入層の内の
少なくとも正孔注入層からなり、正孔注入層はイソシア
ネート基を二個以上含むトリフェニルアミン系化合物
と、水酸基を二個以上含む化合物とを重合反応させてな
るポリマからなるとすることにより達成される。
【００１３】
【作用】イソシアネート基を二個以上含むトリフェニル
アミン系窒素化合物と、水酸基を二個以上含む化合物と
を重合架橋させてなるポリマは分子が三次元的に結合さ
れており、耐熱性，耐薬品性が向上する。上記ポリマは
トリフェニルアミン系窒素化合物であり、正孔導電性の
正孔注入物質となる。
アミン系窒素化合物と、水酸基を二個以上含む化合物と
を重合架橋させてなるポリマは分子が三次元的に結合さ
れており、耐熱性，耐薬品性が向上する。上記ポリマは
トリフェニルアミン系窒素化合物であり、正孔導電性の
正孔注入物質となる。
【００１４】
【実施例】イソシアネート基を二個以上含むトリフェニ
ルアミン系窒素化合物の具体例が化学式（Ｉ−１）、化
学式（II−１）、化学式（III −１），化学式（IV−
１）に、また水酸基を二個以上含む化合物の具体例が化
学式（Ｖ−１），化学式（VI−１）にそれぞれ示され
る。
ルアミン系窒素化合物の具体例が化学式（Ｉ−１）、化
学式（II−１）、化学式（III −１），化学式（IV−
１）に、また水酸基を二個以上含む化合物の具体例が化
学式（Ｖ−１），化学式（VI−１）にそれぞれ示され
る。
【００１５】
【化１０】
【００１６】ポリマの一例が化学式（VIII）に示され
る。重合架橋反応はイソシアネート基と水酸基における
付加反応である。イソシアネート基と水酸基がそれぞれ
二つ以上存在するために反応は三次元的に進行し、架橋
が達成される。
る。重合架橋反応はイソシアネート基と水酸基における
付加反応である。イソシアネート基と水酸基がそれぞれ
二つ以上存在するために反応は三次元的に進行し、架橋
が達成される。
【００１７】
【化１１】
【００１８】実施例１ 図１はこの発明の実施例に係る有機薄膜発光素子を示す
断面図である。１１は絶縁性透明基板、１２は正極、１
３は重合架橋した正孔注入層、１４は発光層、１６は負
極、１７は直流電源である。膜厚が１００ｎｍのＩＴＯ
を正極１２として設けた５０ｍｍ角のガラス基板１１を
スピンコータに載置し、化学式（Ｉ−１）で示されるト
リフェニルアミン化合物５ｇと化学式（Ｖ−１）で示さ
れるビスフェノール系化合物３ｇをジクロロメタン２０
ｇに溶解して正孔注入層用の塗布液を調製し、この塗布
液を回転数８００ｒｐｍにて前記ガラス基板上に１００
ｎｍ厚さにコートし、８０℃で１６ｈ加熱硬化して重合
架橋した正孔注入層１３とした。
断面図である。１１は絶縁性透明基板、１２は正極、１
３は重合架橋した正孔注入層、１４は発光層、１６は負
極、１７は直流電源である。膜厚が１００ｎｍのＩＴＯ
を正極１２として設けた５０ｍｍ角のガラス基板１１を
スピンコータに載置し、化学式（Ｉ−１）で示されるト
リフェニルアミン化合物５ｇと化学式（Ｖ−１）で示さ
れるビスフェノール系化合物３ｇをジクロロメタン２０
ｇに溶解して正孔注入層用の塗布液を調製し、この塗布
液を回転数８００ｒｐｍにて前記ガラス基板上に１００
ｎｍ厚さにコートし、８０℃で１６ｈ加熱硬化して重合
架橋した正孔注入層１３とした。
【００１９】前記正孔注入層１３をコートしたガラス基
板１１を抵抗加熱蒸着装置内に載置し、発光層１４を形
成した。真空槽内圧は８×１０-4Ｐａとした。発光物質
にトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウムを用
いボート温度１００ないし３００℃にて加熱し、成膜速
度を約０．２ｎｍ／ｓとして６０ｎｍ厚さに形成した。
この後、基板１１を真空槽から取り出し、直径５ｍｍの
ドットパタ−ン１６個からなるステンレス製マスクを取
りつけ、新たに抵抗加熱蒸着装置内に載置し、負極１６
としてＭｇ／Ａｇ（１０：１の重量比率）を１００ｎｍ
厚さに形成した。 実施例２ 上記実施例１の化学式（Ｖ−１）で示されるビスフェノ
ール系化合物に替えて化学式（VI−１）で示されるビス
フェノール系化合物を用いて実施例１と同様に有機薄膜
発光素子を製作した。 実施例３ 上記実施例１の化学式（Ｉ−１）で示されるトリフェニ
ルアミン化合物に替えて化学式（II−１）で示されるヒ
ドラゾン化合物を用いて実施例１と同様に有機薄膜発光
素子を製作した。 実施例４ 上記実施例１の化学式（Ｉ−１）で示されるトリフェニ
ルアミン化合物に替えて化学式（III −１）で示される
スチルベン化合物を用いて実施例１と同様に有機薄膜発
光素子を製作した。 実施例５ 上記実施例１の化学式（Ｉ−１）で示されるトリフェニ
ルアミン化合物に替えて化学式（IV−１）で示されるジ
スチリル化合物を用いて実施例１と同様に有機薄膜発光
素子を製作した。 比較例１ 上記実施例１において正孔注入物質としてトリフェニル
アミン化合物を用い正孔注入層を蒸着法により形成する
以外は実施例１と同様にして有機薄膜発光素子を製作し
た。
板１１を抵抗加熱蒸着装置内に載置し、発光層１４を形
成した。真空槽内圧は８×１０-4Ｐａとした。発光物質
にトリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウムを用
いボート温度１００ないし３００℃にて加熱し、成膜速
度を約０．２ｎｍ／ｓとして６０ｎｍ厚さに形成した。
この後、基板１１を真空槽から取り出し、直径５ｍｍの
ドットパタ−ン１６個からなるステンレス製マスクを取
りつけ、新たに抵抗加熱蒸着装置内に載置し、負極１６
としてＭｇ／Ａｇ（１０：１の重量比率）を１００ｎｍ
厚さに形成した。 実施例２ 上記実施例１の化学式（Ｖ−１）で示されるビスフェノ
ール系化合物に替えて化学式（VI−１）で示されるビス
フェノール系化合物を用いて実施例１と同様に有機薄膜
発光素子を製作した。 実施例３ 上記実施例１の化学式（Ｉ−１）で示されるトリフェニ
ルアミン化合物に替えて化学式（II−１）で示されるヒ
ドラゾン化合物を用いて実施例１と同様に有機薄膜発光
素子を製作した。 実施例４ 上記実施例１の化学式（Ｉ−１）で示されるトリフェニ
ルアミン化合物に替えて化学式（III −１）で示される
スチルベン化合物を用いて実施例１と同様に有機薄膜発
光素子を製作した。 実施例５ 上記実施例１の化学式（Ｉ−１）で示されるトリフェニ
ルアミン化合物に替えて化学式（IV−１）で示されるジ
スチリル化合物を用いて実施例１と同様に有機薄膜発光
素子を製作した。 比較例１ 上記実施例１において正孔注入物質としてトリフェニル
アミン化合物を用い正孔注入層を蒸着法により形成する
以外は実施例１と同様にして有機薄膜発光素子を製作し
た。
【００２０】上記実施例１ないし実施例５と比較例１で
示される有機薄膜発光素子に直流電圧を印加したとこ
ろ、緑色（発光中心波長５５０ｎｍ）の均一な発光が得
られた。また５０ｍｍ角のガラス基板上の直径５ｍｍの
ドットパターン１６個の全てが短絡現象を起こさず発光
特性のばらつきは７％以内であった。印加電圧１５Ｖ下
における発光輝度（ｃｄ／ｍ2 ）は実施例１、２、３、
４および比較例１でそれぞれ２００５、１９９５、１８
９５、２０９０、２６００であった。
示される有機薄膜発光素子に直流電圧を印加したとこ
ろ、緑色（発光中心波長５５０ｎｍ）の均一な発光が得
られた。また５０ｍｍ角のガラス基板上の直径５ｍｍの
ドットパターン１６個の全てが短絡現象を起こさず発光
特性のばらつきは７％以内であった。印加電圧１５Ｖ下
における発光輝度（ｃｄ／ｍ2 ）は実施例１、２、３、
４および比較例１でそれぞれ２００５、１９９５、１８
９５、２０９０、２６００であった。
【００２１】印加電圧１５Ｖのもとで電流密度（ｍＡ／
ｃｍ2 ）は実施例１、２、３、４および比較例１でそれ
ぞれ１３０、１２０、１４０、１３０、１２０であっ
た。さらに上記実施例に係る有機薄膜発光素子を１２０
℃で１ｈ加熱したが発光特性の顕著な劣化はなかった。
しかしながら比較例１に係る有機薄膜発光素子を８０℃
で１ｈ加熱すると、１６個中１４個に短絡が発生し、残
る２個も発光輝度が半減した。 実施例６ 図２はこの発明の異なる実施例に係る有機薄膜発光素子
を示す平面図である。
ｃｍ2 ）は実施例１、２、３、４および比較例１でそれ
ぞれ１３０、１２０、１４０、１３０、１２０であっ
た。さらに上記実施例に係る有機薄膜発光素子を１２０
℃で１ｈ加熱したが発光特性の顕著な劣化はなかった。
しかしながら比較例１に係る有機薄膜発光素子を８０℃
で１ｈ加熱すると、１６個中１４個に短絡が発生し、残
る２個も発光輝度が半減した。 実施例６ 図２はこの発明の異なる実施例に係る有機薄膜発光素子
を示す平面図である。
【００２２】図３はこの発明の異なる実施例に係る有機
薄膜発光素子の製造工程を示し、図３（ａ）は正極と絶
縁層の積層された素子を示す断面図、図３（ｂ）は前記
素子に正孔注入層の塗布された素子を示す断面図、図３
（ｃ）は前記素子の正孔注入層を光重合してエッチング
した素子を示す断面図、図３（ｄ）は前記素子の光重合
架橋した正孔注入層上に第一の発光層または第二の発光
層を蒸着した素子を示す断面図、図３（ｅ）は前記素子
に負極を蒸着した素子を示すＸ−Ｘ（図２）断面図であ
る。
薄膜発光素子の製造工程を示し、図３（ａ）は正極と絶
縁層の積層された素子を示す断面図、図３（ｂ）は前記
素子に正孔注入層の塗布された素子を示す断面図、図３
（ｃ）は前記素子の正孔注入層を光重合してエッチング
した素子を示す断面図、図３（ｄ）は前記素子の光重合
架橋した正孔注入層上に第一の発光層または第二の発光
層を蒸着した素子を示す断面図、図３（ｅ）は前記素子
に負極を蒸着した素子を示すＸ−Ｘ（図２）断面図であ
る。
【００２３】この有機薄膜発光素子は有機薄膜発光素子
アレーである。各画素は絶縁性透明基板２１、正極２
２、重合架橋した正孔注入層２４Ａ、第一の発光層２５
または第二の発光層２６、負極２７からなる。各素子は
絶縁層２３により相互に絶縁される。このような有機薄
膜発光素子は次のようにして製造される。ガラス等の絶
縁性透明基板２１上にインジウム−スズ酸化物（ＩＴ
Ｏ）をスパッタ法により１５０ｎｍの厚さに積層したの
ち、幅０．５ｍｍ、ピッチ１ｍｍの短冊状にエッチング
して正極２２を形成した。光硬化性ポリイミドを全面に
塗布したのち、正極２２の形成されていない部分にフォ
トマスクを用い光照射して硬化させ未硬化部分をエッチ
ングにより除去して絶縁層２３を形成した。
アレーである。各画素は絶縁性透明基板２１、正極２
２、重合架橋した正孔注入層２４Ａ、第一の発光層２５
または第二の発光層２６、負極２７からなる。各素子は
絶縁層２３により相互に絶縁される。このような有機薄
膜発光素子は次のようにして製造される。ガラス等の絶
縁性透明基板２１上にインジウム−スズ酸化物（ＩＴ
Ｏ）をスパッタ法により１５０ｎｍの厚さに積層したの
ち、幅０．５ｍｍ、ピッチ１ｍｍの短冊状にエッチング
して正極２２を形成した。光硬化性ポリイミドを全面に
塗布したのち、正極２２の形成されていない部分にフォ
トマスクを用い光照射して硬化させ未硬化部分をエッチ
ングにより除去して絶縁層２３を形成した。
【００２４】化学式（IV−１）で示されるジアミン化合
物５ｇと化学式（Ｖ−１）で示されるビスフェノール系
化合物の３ｇをジクロロエタン２０ｇに溶解して正孔注
入層用の塗布液を調製した。正極２２と絶縁層４３の形
成された絶縁性透明基板２１をスピンコータに載置して
前記塗布液を回転数５０００ｒｐｍにて１００ｎｍの厚
さにコートして正孔注入層２４を得た。
物５ｇと化学式（Ｖ−１）で示されるビスフェノール系
化合物の３ｇをジクロロエタン２０ｇに溶解して正孔注
入層用の塗布液を調製した。正極２２と絶縁層４３の形
成された絶縁性透明基板２１をスピンコータに載置して
前記塗布液を回転数５０００ｒｐｍにて１００ｎｍの厚
さにコートして正孔注入層２４を得た。
【００２５】次いで後述する第一の発光層と第二の発光
層を形成する箇所（０．５ｍｍ角）にマスクを用いて紫
外線を照射し、正孔注入層を重合架橋により硬化させ
た。絶縁性透明基板２１をトルエン中に浸漬し、光非照
射部である未硬化部分を溶解除去し重合架橋した正孔注
入層２４Ａを得た。次に重合架橋した正孔注入層２４Ａ
を形成した絶縁性透明基板２１を抵抗加熱蒸着装置に載
置し、第一の発光層２５を形成した。成膜に際して真空
度を８×１０-4に減圧した。発光物質にはトリス（８−
ヒドロキシキノリン）アルミニウムを用い、ボート温度
１００ないし３００℃で加熱し、成膜速度を０．２ｎｍ
／ｓとしてマスクを用い前記重合架橋した正孔注入層２
４Ａの上に蒸着した。次いで発光物質を化学式（VII −
４）に示すナフタロペリノン化合物に替えて第二の発光
層２６を形成した。ボート温度１００ないし３００℃で
加熱し、成膜速度を０．２ｎｍ／ｓとしてマスクを用い
前記重合硬化した正孔注入層２４Ａの上に蒸着した。
層を形成する箇所（０．５ｍｍ角）にマスクを用いて紫
外線を照射し、正孔注入層を重合架橋により硬化させ
た。絶縁性透明基板２１をトルエン中に浸漬し、光非照
射部である未硬化部分を溶解除去し重合架橋した正孔注
入層２４Ａを得た。次に重合架橋した正孔注入層２４Ａ
を形成した絶縁性透明基板２１を抵抗加熱蒸着装置に載
置し、第一の発光層２５を形成した。成膜に際して真空
度を８×１０-4に減圧した。発光物質にはトリス（８−
ヒドロキシキノリン）アルミニウムを用い、ボート温度
１００ないし３００℃で加熱し、成膜速度を０．２ｎｍ
／ｓとしてマスクを用い前記重合架橋した正孔注入層２
４Ａの上に蒸着した。次いで発光物質を化学式（VII −
４）に示すナフタロペリノン化合物に替えて第二の発光
層２６を形成した。ボート温度１００ないし３００℃で
加熱し、成膜速度を０．２ｎｍ／ｓとしてマスクを用い
前記重合硬化した正孔注入層２４Ａの上に蒸着した。
【００２６】第一の発光層と第二の発光層の上にステン
レス製マスクを取り付け、抵抗加熱蒸着装置内に載置
し、Ｍｇ／Ａｇ（１０：１）を蒸着して０．５ｍｍ幅で
１ｍｍピッチの負極２７を正極と交差する形で形成し
た。得られた有機薄膜発光素子に直流電圧を印加したと
ころ緑色とオレンジ色の二色の発光を確認した。１００
画素を形成した実施例６の全画素に１２Ｖの電圧を印加
したところ全画素が発光し、このとき流れた電流は１４
ｍＡ（７０ｍＡ／ｃｍ2 ）であった。 実施例７ 図４はこの発明のさらに異なる実施例に係る有機薄膜発
光素子の製造工程を示し、図４（ａ）は絶縁性透明基板
４１の上に正極４２と絶縁層４３と重合硬化した正孔注
入層４４の積層された素子を示す断面図、図４（ｂ）は
前記素子に窓の開けられた金属蒸着膜４５を積層した素
子を示す断面図、図４（ｃ）は前記素子のフォトレジス
ト４６を除去し、第一の発光層を窓の開けられた金属蒸
着膜４５上に形成した素子を示す断面図、図４（ｄ）は
前記素子の金属蒸着膜を除去し、重合架橋した正孔注入
層４４上に第一の発光層４７を積層した素子を示す断面
図、図４（ｅ）は前記素子に窓を有する金属蒸着膜４５
Ａを積層した素子を示す断面図、図４（ｆ）は前記素子
のフォトレジスト４６Ａを除去して第二の発光層４８を
積層した素子を示す断面図、図４（ｇ）は前記素子の金
属蒸着膜４５Ａを除去し、第二の発光層４８を重合硬化
した正孔注入層４４上に積層し、負極４９を形成した素
子を示す断面図である。
レス製マスクを取り付け、抵抗加熱蒸着装置内に載置
し、Ｍｇ／Ａｇ（１０：１）を蒸着して０．５ｍｍ幅で
１ｍｍピッチの負極２７を正極と交差する形で形成し
た。得られた有機薄膜発光素子に直流電圧を印加したと
ころ緑色とオレンジ色の二色の発光を確認した。１００
画素を形成した実施例６の全画素に１２Ｖの電圧を印加
したところ全画素が発光し、このとき流れた電流は１４
ｍＡ（７０ｍＡ／ｃｍ2 ）であった。 実施例７ 図４はこの発明のさらに異なる実施例に係る有機薄膜発
光素子の製造工程を示し、図４（ａ）は絶縁性透明基板
４１の上に正極４２と絶縁層４３と重合硬化した正孔注
入層４４の積層された素子を示す断面図、図４（ｂ）は
前記素子に窓の開けられた金属蒸着膜４５を積層した素
子を示す断面図、図４（ｃ）は前記素子のフォトレジス
ト４６を除去し、第一の発光層を窓の開けられた金属蒸
着膜４５上に形成した素子を示す断面図、図４（ｄ）は
前記素子の金属蒸着膜を除去し、重合架橋した正孔注入
層４４上に第一の発光層４７を積層した素子を示す断面
図、図４（ｅ）は前記素子に窓を有する金属蒸着膜４５
Ａを積層した素子を示す断面図、図４（ｆ）は前記素子
のフォトレジスト４６Ａを除去して第二の発光層４８を
積層した素子を示す断面図、図４（ｇ）は前記素子の金
属蒸着膜４５Ａを除去し、第二の発光層４８を重合硬化
した正孔注入層４４上に積層し、負極４９を形成した素
子を示す断面図である。
【００２７】本実施例の有機薄膜発光素子は負極形成用
のフォトレジスト４６Ｂは積層されたままである。この
フォトレジスト４６Ｂは下部の負極４９を保護する。こ
のような素子は次のようにして製造される。前記実施例
６と同一の方法で正極４２を形成し、また重合架橋した
正孔注入層４４を形成した。正極４２は幅０．０５ｍｍ
でピッチ０．１ｍｍである。
のフォトレジスト４６Ｂは積層されたままである。この
フォトレジスト４６Ｂは下部の負極４９を保護する。こ
のような素子は次のようにして製造される。前記実施例
６と同一の方法で正極４２を形成し、また重合架橋した
正孔注入層４４を形成した。正極４２は幅０．０５ｍｍ
でピッチ０．１ｍｍである。
【００２８】重合架橋した正孔注入層４４の形成された
絶縁性透明基板４１を抵抗加熱蒸着装置内に載置し、Ａ
ｌからなる金属蒸着膜４５を３００ｎｍの厚さに蒸着し
た。Ａｌに替えてＣｒを用いることもできる。抵抗加熱
蒸着装置より絶縁性透明基板を取り出し、光分解性アク
リル樹脂であるフォトレジスト４６を金属蒸着膜４５上
に塗布し、第一の発光層４７を形成する部分に光照射
し、溶剤で光分解性アクリル樹脂をエッチングし、０．
０１Ｍ／Ｌ濃度の水酸化ナトリウム溶液でＡｌである金
属蒸着膜４５をエッチングした。次いで残された光分解
性アクリル樹脂の全面に光照射し、溶剤で光分解性アク
リル樹脂を除去した。これらの工程で重合架橋した正孔
注入層４４は溶剤，水酸化ナトリウム溶液と接触するが
影響を受けない。
絶縁性透明基板４１を抵抗加熱蒸着装置内に載置し、Ａ
ｌからなる金属蒸着膜４５を３００ｎｍの厚さに蒸着し
た。Ａｌに替えてＣｒを用いることもできる。抵抗加熱
蒸着装置より絶縁性透明基板を取り出し、光分解性アク
リル樹脂であるフォトレジスト４６を金属蒸着膜４５上
に塗布し、第一の発光層４７を形成する部分に光照射
し、溶剤で光分解性アクリル樹脂をエッチングし、０．
０１Ｍ／Ｌ濃度の水酸化ナトリウム溶液でＡｌである金
属蒸着膜４５をエッチングした。次いで残された光分解
性アクリル樹脂の全面に光照射し、溶剤で光分解性アク
リル樹脂を除去した。これらの工程で重合架橋した正孔
注入層４４は溶剤，水酸化ナトリウム溶液と接触するが
影響を受けない。
【００２９】重合架橋した正孔注入層４４とパターニン
グされた金属蒸着膜４５の積層された絶縁性透明基板４
１を抵抗加熱蒸着装置内に載置し、全面に第一の発光層
４７を積層した。成膜に際して抵抗加熱蒸着装置の内部
は８×１０-8Ｐａに減圧した。第一の発光層にはトリス
（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウムを用いボート
温度１００ないし３００℃で加熱し、成膜速度を０．２
ｎｍ／ｓとして蒸着した。
グされた金属蒸着膜４５の積層された絶縁性透明基板４
１を抵抗加熱蒸着装置内に載置し、全面に第一の発光層
４７を積層した。成膜に際して抵抗加熱蒸着装置の内部
は８×１０-8Ｐａに減圧した。第一の発光層にはトリス
（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウムを用いボート
温度１００ないし３００℃で加熱し、成膜速度を０．２
ｎｍ／ｓとして蒸着した。
【００３０】第一の発光層４７の積層された絶縁性透明
基板４１を抵抗加熱蒸着装置より取り出し、０．０１Ｍ
／Ｌ濃度の水酸化ナトリウム溶液に浸漬し、Ａｌ金属蒸
着膜４５とその上部に蒸着された発光物質を同時にエッ
チングして重合架橋した正孔注入層４４上に０．０５ｍ
ｍ角の第一の発光層４７を形成した。さらに必要に応じ
純水を用いて前記エッチングされた絶縁性透明基板４１
を洗浄し、６０ないし１００℃で乾燥した。
基板４１を抵抗加熱蒸着装置より取り出し、０．０１Ｍ
／Ｌ濃度の水酸化ナトリウム溶液に浸漬し、Ａｌ金属蒸
着膜４５とその上部に蒸着された発光物質を同時にエッ
チングして重合架橋した正孔注入層４４上に０．０５ｍ
ｍ角の第一の発光層４７を形成した。さらに必要に応じ
純水を用いて前記エッチングされた絶縁性透明基板４１
を洗浄し、６０ないし１００℃で乾燥した。
【００３１】第一の発光層４７と同様にして第二の発光
層を４８を化学式VII −４で示される化合物を用いて形
成した。第一の発光層４７と第二の発光層４８の形成さ
れた絶縁性透明基板４１を再び抵抗加熱蒸着装置内に載
置し、Ｍｇ／Ａｇ（１０：１の比率）を真空蒸着し、幅
０．０５ｍｍでピッチ０．１ｍｍの短冊状負極４９を前
記正極４２と直交するようにパターニングした。フォト
レジスト４６Ｂには水溶性で光硬化性のポリビニルアル
コール系樹脂を使用した。Ｍｇ／Ａｇは０．０１Ｍ／Ｌ
濃度の水酸化ナトリウム溶液でエッチングした。フォト
レジスト４６Ｂはそのまま残した。
層を４８を化学式VII −４で示される化合物を用いて形
成した。第一の発光層４７と第二の発光層４８の形成さ
れた絶縁性透明基板４１を再び抵抗加熱蒸着装置内に載
置し、Ｍｇ／Ａｇ（１０：１の比率）を真空蒸着し、幅
０．０５ｍｍでピッチ０．１ｍｍの短冊状負極４９を前
記正極４２と直交するようにパターニングした。フォト
レジスト４６Ｂには水溶性で光硬化性のポリビニルアル
コール系樹脂を使用した。Ｍｇ／Ａｇは０．０１Ｍ／Ｌ
濃度の水酸化ナトリウム溶液でエッチングした。フォト
レジスト４６Ｂはそのまま残した。
【００３２】電子注入層も必要に応じ発光層と同様にし
て形成することができる。得られた有機薄膜発光素子に
直流電圧を印加したところ緑色とオレンジ色の二色の発
光を確認した。１００画素を形成した実施例７の全画素
に１２Ｖの電圧を印加したところ全画素が発光し、この
とき流れた電流は０．２ｍＡ（８０ｍＡ／ｃｍ2 ）であ
った。
て形成することができる。得られた有機薄膜発光素子に
直流電圧を印加したところ緑色とオレンジ色の二色の発
光を確認した。１００画素を形成した実施例７の全画素
に１２Ｖの電圧を印加したところ全画素が発光し、この
とき流れた電流は０．２ｍＡ（８０ｍＡ／ｃｍ2 ）であ
った。
【００３３】
【発明の効果】この発明によれば正極と負極とからなる
一対の電極と、その間に挟まれた電荷注入層と発光層と
を有し、発光層は注入された電子と正孔を再結合させて
所定の波長の発光を行うものであり、電荷注入層は電子
注入層と正孔注入層の内の少なくとも正孔注入層からな
り、正孔注入層はイソシアネート基を二個以上含むトリ
フェニルアミン系窒素化合物と、水酸基を二個以上含む
窒素化合物とを重合架橋させたポリマからなるとするの
で、イソシアネート基を二個以上含むトリフェニルアミ
ン系窒素化合物と、水酸基を二個以上含む化合物とを重
合反応させてなるポリマは三次元的に架橋されるととも
にトリフェニルアミン系構造を含有し、耐熱性，耐薬品
性の向上した正孔注入層が得られる。耐熱性，耐薬品性
の向上した正孔注入層は有機薄膜発光素子の発光輝度を
安定化させ、またフォトリソグラフィを適用する際のパ
ターニング性を向上させ信頼性に優れる有機薄膜発光素
子アレーやマルチカラー化有機薄膜発光素子が得られ
る。
一対の電極と、その間に挟まれた電荷注入層と発光層と
を有し、発光層は注入された電子と正孔を再結合させて
所定の波長の発光を行うものであり、電荷注入層は電子
注入層と正孔注入層の内の少なくとも正孔注入層からな
り、正孔注入層はイソシアネート基を二個以上含むトリ
フェニルアミン系窒素化合物と、水酸基を二個以上含む
窒素化合物とを重合架橋させたポリマからなるとするの
で、イソシアネート基を二個以上含むトリフェニルアミ
ン系窒素化合物と、水酸基を二個以上含む化合物とを重
合反応させてなるポリマは三次元的に架橋されるととも
にトリフェニルアミン系構造を含有し、耐熱性，耐薬品
性の向上した正孔注入層が得られる。耐熱性，耐薬品性
の向上した正孔注入層は有機薄膜発光素子の発光輝度を
安定化させ、またフォトリソグラフィを適用する際のパ
ターニング性を向上させ信頼性に優れる有機薄膜発光素
子アレーやマルチカラー化有機薄膜発光素子が得られ
る。
【図１】この発明の実施例に係る有機薄膜発光素子を示
す断面図
す断面図
【図２】この発明の異なる実施例に係る有機薄膜発光素
子を示す平面図
子を示す平面図
【図３】この発明の異なる実施例に係る有機薄膜発光素
子の製造工程を示し、図３（ａ）は正極と絶縁層の積層
された素子を示す断面図、図３（ｂ）は前記素子に正孔
注入層の塗布された素子を示す断面図、図３（ｃ）は前
記素子の正孔注入層を光重合してエッチングした素子を
示す断面図、図３（ｄ）は前記素子の重合架橋した正孔
注入層上に第一の発光層または第二の発光層を蒸着した
素子を示す断面図、図３（ｅ）は前記素子に負極を蒸着
した素子を示すＸ−Ｘ（図２）断面図
子の製造工程を示し、図３（ａ）は正極と絶縁層の積層
された素子を示す断面図、図３（ｂ）は前記素子に正孔
注入層の塗布された素子を示す断面図、図３（ｃ）は前
記素子の正孔注入層を光重合してエッチングした素子を
示す断面図、図３（ｄ）は前記素子の重合架橋した正孔
注入層上に第一の発光層または第二の発光層を蒸着した
素子を示す断面図、図３（ｅ）は前記素子に負極を蒸着
した素子を示すＸ−Ｘ（図２）断面図
【図４】この発明のさらに異なる実施例に係る有機薄膜
発光素子の製造工程を示し、図４（ａ）は絶縁性透明基
板の上に正極と絶縁層と重合硬化した正孔注入層の積層
された素子を示す断面図、図４（ｂ）は前記素子に窓の
開けられた金属蒸着膜を積層した素子を示す断面図、図
４（ｃ）は前記素子のフォトレジストを除去し、第一の
発光層を窓の開けられた金属蒸着膜上に形成した素子を
示す断面図、図４（ｄ）は前記素子の金属蒸着膜を除去
し、重合架橋した正孔注入層上に第一の発光層を積層し
た素子を示す断面図、図４（ｅ）は前記素子に窓を有す
る金属蒸着膜を積層した素子を示す断面図、図４（ｆ）
は前記素子のフォトレジストを除去して第二の発光層を
積層した素子を示す断面図、図４（ｇ）は前記素子の金
属蒸着膜を除去し、第二の発光層を重合硬化した正孔注
入層上に積層し、負極を形成した素子を示す断面図
発光素子の製造工程を示し、図４（ａ）は絶縁性透明基
板の上に正極と絶縁層と重合硬化した正孔注入層の積層
された素子を示す断面図、図４（ｂ）は前記素子に窓の
開けられた金属蒸着膜を積層した素子を示す断面図、図
４（ｃ）は前記素子のフォトレジストを除去し、第一の
発光層を窓の開けられた金属蒸着膜上に形成した素子を
示す断面図、図４（ｄ）は前記素子の金属蒸着膜を除去
し、重合架橋した正孔注入層上に第一の発光層を積層し
た素子を示す断面図、図４（ｅ）は前記素子に窓を有す
る金属蒸着膜を積層した素子を示す断面図、図４（ｆ）
は前記素子のフォトレジストを除去して第二の発光層を
積層した素子を示す断面図、図４（ｇ）は前記素子の金
属蒸着膜を除去し、第二の発光層を重合硬化した正孔注
入層上に積層し、負極を形成した素子を示す断面図
【図５】従来の有機薄膜発光素子を示す断面図
１１ 絶縁性透明基板 １２ 正極 １３ 重合架橋した正孔注入層 １４ 発光層 １５ 電子注入層 １６ 負極 １７ 直流電源 ２１ 絶縁性透明基板 ２２ 正極 ２３ 絶縁層 ２４ 正孔注入層 ２４Ａ 重合架橋した正孔注入層 ２５ 第一の発光層 ２６ 第二の発光層 ２７ 負極 ４１ 絶縁性透明基板 ４２ 正極 ４３ 絶縁層 ４４ 重合架橋した正孔注入層 ４５ 金属蒸着膜 ４６ フォトレジスト ４６Ａ フォトレジスト ４６Ｂ フォトレジスト ４７ 第一の発光層 ４８ 第二の発光層 ４９ 負極
Claims (6)
- 【請求項１】正極と負極とからなる一対の電極と、その
間に挟まれた電荷注入層と発光層とを有し、 発光層は注入された電子と正孔を再結合させて所定の波
長の発光を行うものであり、 電荷注入層は電子注入層と正孔注入層の内の少なくとも
正孔注入層からなり、正孔注入層はイソシアネート基を
二個以上含むトリフェニルアミン系窒素化合物と、水酸
基を二個以上含む化合物とを重合架橋させたポリマから
なることを特徴とする有機薄膜発光素子。 - 【請求項２】請求項１記載の素子において、イソシアネ
ート基を二個以上含むトリフェニルアミン系窒素化合物
は一般式（Ｉ）に示されるトリフェニルアミン化合物，
一般式（II）に示されるヒドラゾン化合物，一般式（II
I ）に示されるスチルベン化合物または一般式（IV) に
示されるジアミン化合物であることを特徴とする有機薄
膜発光素子。 【化１】 一般式（Ｉ）において、Ａは構造式（Ｉａ）または（Ｉ
ｂ）で示される。 【化２】 （Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 、Ｒ5 はそれぞれイソシアネ
ート基，水素原子，ハロゲン原子または置換されてもよ
いアルキル基であり、Ａが構造式（１ａ）である場合は
Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 のうち少なくとも二つがイソシアネー
ト基、またＡが構造式（１ｂ）である場合はＲ1 、
Ｒ2 、Ｒ4 、Ｒ5 のうち少なくとも二つがイソシアネー
ト基である。） 【化３】 （Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 はそれぞれイソシアネート基，水素
原子，ハロゲン原子または置換されてもよいアルキル基
であり、この内少なくとも二つはイソシアネート基であ
る。またＲ9 は置換されてもよいアルキル基，アリル
基，アリール基，アラルキル基である。） 【化４】 （Ｒ10、Ｒ11、Ｒ12はそれぞれイソシアネート基，水素
原子，ハロゲン原子または置換されてもよいアルキル基
であり、この内少なくとも二つはイソシアネート基であ
る。またＲ13は置換されてもよいアルキル基，アリル
基，アリール基，アラルキル基である。） 【化５】 一般式（IV）において、Ｂは構造式（IVａ）または（IV
ｂ）で示される。 【化６】 （Ｒ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18、Ｒ19、Ｒ20はイソシ
アネート基，水素原子，ハロゲン原子または置換されて
もよいアルキル基であり、Ｂが構造式（IVａ）である場
合はＲ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18のうち少なくとも二
つがイソシアネート基、またＢが構造式（IVｂ）である
場合はＲ14、Ｒ15、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ19、Ｒ20のうち少な
くとも二つがイソシアネート基である。） - 【請求項３】請求項１記載の素子において、水酸基を二
個以上含む化合物は一般式（Ｖ）または（IV）で示され
るビスフェノール系化合物であることを特徴とする有機
薄膜発光素子。 【化７】 一般式（Ｖ）において、Ｄは構造式（Ｖａ）または（Ｖ
ｂ）で示される。 【化８】 （Ｒ21、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ24、は水酸基，ハロゲン原子ま
たは置換されてもよいアルキル基、Ｒ25、Ｒ26は置換さ
れてもよいアルキル基である。） - 【請求項４】請求項１記載の素子において、重合架橋は
光重合架橋であり、正孔注入層の光非照射部が溶剤を用
いて溶解除去されてなることを特徴とする有機薄膜発光
素子。 - 【請求項５】請求項４記載の素子において、光重合架橋
した正孔注入層に金属蒸着膜の窓を介して発光層を積層
し、次いで金属蒸着膜をアルカリ溶液を用いて除去して
なることを特徴とする有機薄膜発光素子。 - 【請求項６】請求項５記載の素子において、金属蒸着膜
はＡｌ蒸着膜であることを特徴とする有機薄膜発光素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2155893A JPH06234969A (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | 有機薄膜発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2155893A JPH06234969A (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | 有機薄膜発光素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06234969A true JPH06234969A (ja) | 1994-08-23 |
Family
ID=12058343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2155893A Pending JPH06234969A (ja) | 1993-02-10 | 1993-02-10 | 有機薄膜発光素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06234969A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2726692A1 (fr) * | 1994-11-08 | 1996-05-10 | Thomson Csf | Diode electroluminescente a base de polymere reticule et polymere greffe electroluminescent |
| JPH118069A (ja) * | 1997-02-17 | 1999-01-12 | Nippon Steel Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| KR100617176B1 (ko) * | 2001-10-08 | 2006-08-31 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계발광소자 |
| JP2008189920A (ja) * | 1994-12-28 | 2008-08-21 | Cambridge Display Technol Ltd | 高分子および光学素子 |
| JP2009152033A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
-
1993
- 1993-02-10 JP JP2155893A patent/JPH06234969A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2726692A1 (fr) * | 1994-11-08 | 1996-05-10 | Thomson Csf | Diode electroluminescente a base de polymere reticule et polymere greffe electroluminescent |
| EP0712171A1 (fr) * | 1994-11-08 | 1996-05-15 | Thomson-Csf | Diode électroluminescente à base de polymère réticulé et polymère greffé électroluminescent |
| JP2008189920A (ja) * | 1994-12-28 | 2008-08-21 | Cambridge Display Technol Ltd | 高分子および光学素子 |
| JPH118069A (ja) * | 1997-02-17 | 1999-01-12 | Nippon Steel Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| KR100617176B1 (ko) * | 2001-10-08 | 2006-08-31 | 엘지전자 주식회사 | 유기 전계발광소자 |
| JP2009152033A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置 |
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