JPH06232211A - Ｉｃチップの接続構造およびその接続方法 - Google Patents
Ｉｃチップの接続構造およびその接続方法Info
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- JPH06232211A JPH06232211A JP3728493A JP3728493A JPH06232211A JP H06232211 A JPH06232211 A JP H06232211A JP 3728493 A JP3728493 A JP 3728493A JP 3728493 A JP3728493 A JP 3728493A JP H06232211 A JPH06232211 A JP H06232211A
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- chip
- bumps
- bump
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
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- H05K3/3452—Solder masks
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＩＣチップを基板に異方導電性接着剤を介し
て導電接続する際に、ＩＣチップのバンプ間のショート
を確実に防止する。 【構成】 ＩＣチップ３のバンプ４の周壁面には絶縁被
膜９が形成されている。このため、導電性粒子７の混入
量が多く、熱圧着する際に、軟化した絶縁性接着剤６と
共に導電性粒子７がＩＣチップ３のバンプ４の周壁面に
形成された絶縁被膜９間に流れ込み、絶縁被膜９間に導
電性粒子７が密集して数珠繋ぎになっても、バンプ４間
でショートが発生することがない。
て導電接続する際に、ＩＣチップのバンプ間のショート
を確実に防止する。 【構成】 ＩＣチップ３のバンプ４の周壁面には絶縁被
膜９が形成されている。このため、導電性粒子７の混入
量が多く、熱圧着する際に、軟化した絶縁性接着剤６と
共に導電性粒子７がＩＣチップ３のバンプ４の周壁面に
形成された絶縁被膜９間に流れ込み、絶縁被膜９間に導
電性粒子７が密集して数珠繋ぎになっても、バンプ４間
でショートが発生することがない。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明はＩＣチップの接続構造
およびその接続方法に関する。
およびその接続方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば液晶表示装置には、図３に示すよ
うに、ガラスや樹脂等からなる２枚の透明基板１、２間
に液晶（図示せず）を封入してなる液晶表示パネルに、
この液晶表示パネルを駆動するためのＩＣチップ３を搭
載したものがある。この場合、下側の透明基板１の一端
部を上側の透明基板２の一端面から突出させ、この突出
部分の上面中央部にＩＣチップ３を搭載している。
うに、ガラスや樹脂等からなる２枚の透明基板１、２間
に液晶（図示せず）を封入してなる液晶表示パネルに、
この液晶表示パネルを駆動するためのＩＣチップ３を搭
載したものがある。この場合、下側の透明基板１の一端
部を上側の透明基板２の一端面から突出させ、この突出
部分の上面中央部にＩＣチップ３を搭載している。
【０００３】ところで、例えば図４に示すように、ＩＣ
チップ３の下面に設けられたバンプ４と下側の透明基板
１の突出部分の上面中央部に設けられた接続端子５とを
導電接続するために、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂
からなる絶縁性接着剤６中に導電性粒子７を混入してな
る異方導電性接着剤８を用いることがある。この場合、
下側の透明基板１の接続端子５を含む接続部分上にＩＣ
チップ３のバンプ４を含む接続部分をその間に異方導電
性接着剤８を介在させて載置し、熱圧着している。すな
わち、絶縁性接着剤６を軟化させ、この軟化した絶縁性
接着剤６の一部が流動して逃げることにより、導電性粒
子７の一部が下側の透明基板１の接続端子５とＩＣチッ
プ３のバンプ４とに共に接触し、これにより下側の透明
基板１の接続端子５とＩＣチップ３のバンプ４とを導電
接続している。また、一度軟化した絶縁性接着剤６が硬
化することにより、下側の透明基板１の接続端子５を含
む接続部分にＩＣチップ３のバンプ４を含む接続部分を
接着している。
チップ３の下面に設けられたバンプ４と下側の透明基板
１の突出部分の上面中央部に設けられた接続端子５とを
導電接続するために、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂
からなる絶縁性接着剤６中に導電性粒子７を混入してな
る異方導電性接着剤８を用いることがある。この場合、
下側の透明基板１の接続端子５を含む接続部分上にＩＣ
チップ３のバンプ４を含む接続部分をその間に異方導電
性接着剤８を介在させて載置し、熱圧着している。すな
わち、絶縁性接着剤６を軟化させ、この軟化した絶縁性
接着剤６の一部が流動して逃げることにより、導電性粒
子７の一部が下側の透明基板１の接続端子５とＩＣチッ
プ３のバンプ４とに共に接触し、これにより下側の透明
基板１の接続端子５とＩＣチップ３のバンプ４とを導電
接続している。また、一度軟化した絶縁性接着剤６が硬
化することにより、下側の透明基板１の接続端子５を含
む接続部分にＩＣチップ３のバンプ４を含む接続部分を
接着している。
【０００４】ところで、導電性粒子７の混入量が少ない
場合には、互いに対向する接続端子５とバンプ４との間
に導電性粒子７が１つも存在しないような事態が生じや
すく、導電不良が発生してしまうことになる。なお、導
電不良が発生しないとしても、互いに対向する接続端子
５とバンプ４との間に導電性粒子７を少ししか例えば１
つか２つぐらいしか存在させることができず、このため
接続抵抗が高くなり、電気的接続の信頼性が低くなって
しまう。そこで、従来では、導電性粒子７の混入量を多
くし、確実な導電接続を得るようにしているとともに、
接続抵抗を下げて電気的接続の信頼性を向上するように
している。
場合には、互いに対向する接続端子５とバンプ４との間
に導電性粒子７が１つも存在しないような事態が生じや
すく、導電不良が発生してしまうことになる。なお、導
電不良が発生しないとしても、互いに対向する接続端子
５とバンプ４との間に導電性粒子７を少ししか例えば１
つか２つぐらいしか存在させることができず、このため
接続抵抗が高くなり、電気的接続の信頼性が低くなって
しまう。そこで、従来では、導電性粒子７の混入量を多
くし、確実な導電接続を得るようにしているとともに、
接続抵抗を下げて電気的接続の信頼性を向上するように
している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、熱圧着
する際に、軟化した絶縁性接着剤６と共に導電性粒子７
がＩＣチップ３のバンプ４間に流れ込むことになるの
で、導電性粒子７の混入量が多すぎると、図４に示すよ
うに、ＩＣチップ３のバンプ４間に導電性粒子７が密集
し、この密集した導電性粒子７が数珠繋ぎになってバン
プ４間でショートが発生することがあるという問題があ
った。このような問題は、熱圧着する際に、軟化した絶
縁性接着剤６と共に導電性粒子７がＩＣチップ３の下面
中央部から外側に向かって流動することにもなるので、
ＩＣチップ３の下面外周部に導電性粒子７が密集しやす
く、したがってＩＣチップ３の下面外周部にバンプ４が
形成されている場合には特に顕著であった。また、この
ような問題は、バンプ４のピッチが微細化するに伴いさ
らに顕著となってしまう。この発明の目的は、バンプ間
のショートを確実に防止することのできるＩＣチップの
接続構造およびその接続方法を提供することにある。
する際に、軟化した絶縁性接着剤６と共に導電性粒子７
がＩＣチップ３のバンプ４間に流れ込むことになるの
で、導電性粒子７の混入量が多すぎると、図４に示すよ
うに、ＩＣチップ３のバンプ４間に導電性粒子７が密集
し、この密集した導電性粒子７が数珠繋ぎになってバン
プ４間でショートが発生することがあるという問題があ
った。このような問題は、熱圧着する際に、軟化した絶
縁性接着剤６と共に導電性粒子７がＩＣチップ３の下面
中央部から外側に向かって流動することにもなるので、
ＩＣチップ３の下面外周部に導電性粒子７が密集しやす
く、したがってＩＣチップ３の下面外周部にバンプ４が
形成されている場合には特に顕著であった。また、この
ような問題は、バンプ４のピッチが微細化するに伴いさ
らに顕著となってしまう。この発明の目的は、バンプ間
のショートを確実に防止することのできるＩＣチップの
接続構造およびその接続方法を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
バンプの周壁面に絶縁被膜を有するＩＣチップと、接続
端子を有する基板とを備え、前記ＩＣチップのバンプと
前記基板の接続端子とを異方導電性接着剤を介して導電
接続したものである。請求項２記載の発明は、ＩＣチッ
プのバンプの周壁面に絶縁被膜を形成し、基板の接続端
子を含む接続部分上に前記ＩＣチップのバンプを含む接
続部分をその間に異方導電性接着剤を介在させて載置
し、熱圧着することにより、前記ＩＣチップのバンプと
前記基板の接続端子とを前記異方導電性接着剤を介して
導電接続するようにしたものである。
バンプの周壁面に絶縁被膜を有するＩＣチップと、接続
端子を有する基板とを備え、前記ＩＣチップのバンプと
前記基板の接続端子とを異方導電性接着剤を介して導電
接続したものである。請求項２記載の発明は、ＩＣチッ
プのバンプの周壁面に絶縁被膜を形成し、基板の接続端
子を含む接続部分上に前記ＩＣチップのバンプを含む接
続部分をその間に異方導電性接着剤を介在させて載置
し、熱圧着することにより、前記ＩＣチップのバンプと
前記基板の接続端子とを前記異方導電性接着剤を介して
導電接続するようにしたものである。
【０００７】
【作用】この発明によれば、バンプの周壁面に絶縁被膜
を形成しているので、絶縁被膜間に導電性粒子が密集し
て数珠繋ぎになっても、この数珠繋ぎになった導電性粒
子とバンプとの間でショートが発生することがなく、し
たがってバンプ間のショートを確実に防止することがで
きる。
を形成しているので、絶縁被膜間に導電性粒子が密集し
て数珠繋ぎになっても、この数珠繋ぎになった導電性粒
子とバンプとの間でショートが発生することがなく、し
たがってバンプ間のショートを確実に防止することがで
きる。
【０００８】
【実施例】図１はこの発明の一実施例におけるＩＣチッ
プの接続構造の要部を示したものである。この図におい
て、図４と同一部分には同一の符号を付し、その説明を
適宜省略する。このＩＣチップの接続構造では、ＩＣチ
ップ３のバンプ４の周壁面に絶縁被膜９が形成されてい
る。このため、導電性粒子７の混入量が多く、熱圧着す
る際に、軟化した絶縁性接着剤６と共に導電性粒子７が
ＩＣチップ３のバンプ４の周壁面に形成された絶縁被膜
９間に流れ込み、絶縁被膜９間に導電性粒子７が密集し
て数珠繋ぎになっても、この数珠繋ぎになった導電性粒
子７とバンプ４との間でショートが発生することがな
く、したがってバンプ４間のショートを確実に防止する
ことができる。なお、バンプ４の下面は絶縁被膜９によ
つて被われていないので、バンプ４と接続端子５とはそ
の間に介在された導電性粒子７を介して確実に導電接続
される。
プの接続構造の要部を示したものである。この図におい
て、図４と同一部分には同一の符号を付し、その説明を
適宜省略する。このＩＣチップの接続構造では、ＩＣチ
ップ３のバンプ４の周壁面に絶縁被膜９が形成されてい
る。このため、導電性粒子７の混入量が多く、熱圧着す
る際に、軟化した絶縁性接着剤６と共に導電性粒子７が
ＩＣチップ３のバンプ４の周壁面に形成された絶縁被膜
９間に流れ込み、絶縁被膜９間に導電性粒子７が密集し
て数珠繋ぎになっても、この数珠繋ぎになった導電性粒
子７とバンプ４との間でショートが発生することがな
く、したがってバンプ４間のショートを確実に防止する
ことができる。なお、バンプ４の下面は絶縁被膜９によ
つて被われていないので、バンプ４と接続端子５とはそ
の間に介在された導電性粒子７を介して確実に導電接続
される。
【０００９】次に、ＩＣチップ３のバンプ４の周壁面に
絶縁被膜９を形成する場合について、図２（Ａ）〜
（Ｃ）を順に参照しながら説明する。まず、図２（Ａ）
に示すように、ＩＣチップ３の上面（図１では下面）に
形成された接続電極（図示せず）上に金等の金属からな
るバンプ４を形成した後、例えばポジ型の感光性樹脂か
らなる絶縁性樹脂１０をバンプ４が隠れる程度に被膜す
る。ここで、一例として、バンプ４の高さは２０μｍ、
幅は５０μｍ、ピッチは１００μｍ程度となっている。
次に、酸素プラズマによるドライエッチングにより、絶
縁性樹脂１０をバンプ４の上面が露出するまで全面エッ
チングする（図２（Ｂ）参照）。次に、図２（Ｂ）に示
すように、ＩＣチップ３のバンプ４の周壁面に対応する
枠状のパターン１１ａを有したフォトマスク１１を介し
て露光する。次に、現像すると、図２（Ｃ）に示すよう
に、残存する絶縁性樹脂１０により、バンプ４の周壁面
に絶縁被膜９が形成される。
絶縁被膜９を形成する場合について、図２（Ａ）〜
（Ｃ）を順に参照しながら説明する。まず、図２（Ａ）
に示すように、ＩＣチップ３の上面（図１では下面）に
形成された接続電極（図示せず）上に金等の金属からな
るバンプ４を形成した後、例えばポジ型の感光性樹脂か
らなる絶縁性樹脂１０をバンプ４が隠れる程度に被膜す
る。ここで、一例として、バンプ４の高さは２０μｍ、
幅は５０μｍ、ピッチは１００μｍ程度となっている。
次に、酸素プラズマによるドライエッチングにより、絶
縁性樹脂１０をバンプ４の上面が露出するまで全面エッ
チングする（図２（Ｂ）参照）。次に、図２（Ｂ）に示
すように、ＩＣチップ３のバンプ４の周壁面に対応する
枠状のパターン１１ａを有したフォトマスク１１を介し
て露光する。次に、現像すると、図２（Ｃ）に示すよう
に、残存する絶縁性樹脂１０により、バンプ４の周壁面
に絶縁被膜９が形成される。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、バンプの周壁面に絶縁被膜を形成しているので、絶
縁被膜間に導電性粒子が密集して数珠繋ぎになっても、
この数珠繋ぎになった導電性粒子とバンプとの間でショ
ートが発生することがなく、したがってバンプ間のショ
ートを確実に防止することができる。
ば、バンプの周壁面に絶縁被膜を形成しているので、絶
縁被膜間に導電性粒子が密集して数珠繋ぎになっても、
この数珠繋ぎになった導電性粒子とバンプとの間でショ
ートが発生することがなく、したがってバンプ間のショ
ートを確実に防止することができる。
【図１】この発明の一実施例におけるＩＣチップの接続
構造の要部の断面図。
構造の要部の断面図。
【図２】（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれＩＣチップのバンプ
の周壁面に絶縁被膜を形成する際の各工程を示す断面
図。
の周壁面に絶縁被膜を形成する際の各工程を示す断面
図。
【図３】従来のＩＣチップの接続構造の一例の斜視図。
【図４】従来のＩＣチップの接続構造の問題点を説明す
るために示す一部の断面図。
るために示す一部の断面図。
１ 液晶表示パネルの下側の透明基板 ３ ＩＣチップ ４ バンプ ５ 接続端子 ８ 異方導電性接着剤 ９ 絶縁被膜
Claims (2)
- 【請求項１】 バンプの周壁面に絶縁被膜を有するＩＣ
チップと、接続端子を有する基板とを備え、前記ＩＣチ
ップのバンプと前記基板の接続端子とを異方導電性接着
剤を介して導電接続したことを特徴とするＩＣチップの
接続構造。 - 【請求項２】 ＩＣチップのバンプの周壁面に絶縁被膜
を形成し、基板の接続端子を含む接続部分上に前記ＩＣ
チップのバンプを含む接続部分をその間に異方導電性接
着剤を介在させて載置し、熱圧着することにより、前記
ＩＣチップのバンプと前記基板の接続端子とを前記異方
導電性接着剤を介して導電接続することを特徴とするＩ
Ｃチップの接続方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3728493A JPH06232211A (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | Ｉｃチップの接続構造およびその接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3728493A JPH06232211A (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | Ｉｃチップの接続構造およびその接続方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06232211A true JPH06232211A (ja) | 1994-08-19 |
Family
ID=12493409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3728493A Pending JPH06232211A (ja) | 1993-02-03 | 1993-02-03 | Ｉｃチップの接続構造およびその接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06232211A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6232563B1 (en) * | 1995-11-25 | 2001-05-15 | Lg Electronics Inc. | Bump electrode and method for fabricating the same |
| US6958539B2 (en) * | 2000-08-29 | 2005-10-25 | Au Optronics Corporation | Metal bump with an insulating sidewall and method of fabricating thereof |
| CN105513983A (zh) * | 2014-09-26 | 2016-04-20 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶圆键合的方法以及晶圆键合结构 |
-
1993
- 1993-02-03 JP JP3728493A patent/JPH06232211A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6232563B1 (en) * | 1995-11-25 | 2001-05-15 | Lg Electronics Inc. | Bump electrode and method for fabricating the same |
| US6958539B2 (en) * | 2000-08-29 | 2005-10-25 | Au Optronics Corporation | Metal bump with an insulating sidewall and method of fabricating thereof |
| US7041589B2 (en) * | 2000-08-29 | 2006-05-09 | Au Optronics Corp. | Metal bump with an insulating sidewall and method of fabricating thereof |
| CN105513983A (zh) * | 2014-09-26 | 2016-04-20 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 晶圆键合的方法以及晶圆键合结构 |
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