JPH06224139A - 全ウエハデポジション用装置 - Google Patents
全ウエハデポジション用装置Info
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- JPH06224139A JPH06224139A JP5245469A JP24546993A JPH06224139A JP H06224139 A JPH06224139 A JP H06224139A JP 5245469 A JP5245469 A JP 5245469A JP 24546993 A JP24546993 A JP 24546993A JP H06224139 A JPH06224139 A JP H06224139A
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- chamber
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4585—Devices at or outside the perimeter of the substrate support, e.g. clamping rings, shrouds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/50—Substrate holders
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 構造が簡単でプロセスキットの交換寿命が伸
びる全ウエハデポジション装置を提供する。 【構成】 デポジションシールド１は、容易に離脱可能
に取り付けられ、基板支持体１６の周囲と間隔を保った
円筒形状のシールド１０を含む。シールドリング２３
は、離脱可能に搭載され、基板１４に対して自動的に中
心位置決めされる。これらの構成要素は全体として、処
理領域の外側のチャンバ２あるいは機構部へのデポジシ
ョンを防ぐ。また、周辺溝は、基板支持体の周辺部にデ
ポジションされた材料が基板に付着しないように、基板
周辺の基板支持体に形成されることができる。基板と基
板支持体との隙間も、基板支持体上にデポジションされ
た材料が基板に付着しないようにしている。
びる全ウエハデポジション装置を提供する。 【構成】 デポジションシールド１は、容易に離脱可能
に取り付けられ、基板支持体１６の周囲と間隔を保った
円筒形状のシールド１０を含む。シールドリング２３
は、離脱可能に搭載され、基板１４に対して自動的に中
心位置決めされる。これらの構成要素は全体として、処
理領域の外側のチャンバ２あるいは機構部へのデポジシ
ョンを防ぐ。また、周辺溝は、基板支持体の周辺部にデ
ポジションされた材料が基板に付着しないように、基板
周辺の基板支持体に形成されることができる。基板と基
板支持体との隙間も、基板支持体上にデポジションされ
た材料が基板に付着しないようにしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般に、たとえば、物
理的気相成長用あるいはスパッタ用チャンバ、化学的気
相成長用チャンバ、およびイオン打ち込み用チャンバを
含むプロセス用チャンバのためのデポジションシールド
に関する。さらに、本発明は、例えば半導体ウエハのよ
うな基板上の集積回路あるいは集積回路要素の形成に用
いられるチャンバに関する。
理的気相成長用あるいはスパッタ用チャンバ、化学的気
相成長用チャンバ、およびイオン打ち込み用チャンバを
含むプロセス用チャンバのためのデポジションシールド
に関する。さらに、本発明は、例えば半導体ウエハのよ
うな基板上の集積回路あるいは集積回路要素の形成に用
いられるチャンバに関する。
【０００２】
【従来の技術】デポジションプロセスにおいて、ターゲ
ットやガス導入口等のような原料供給源からの化学種
（species ）が、チャンバ壁や機構部品（hardware）を
含む露出されたチャンバ内部表面（internal chamber s
urfaces ）上に堆積される。このような化学種の堆積
（deposition）を防ぐように設計されたシールドが利用
されている。
ットやガス導入口等のような原料供給源からの化学種
（species ）が、チャンバ壁や機構部品（hardware）を
含む露出されたチャンバ内部表面（internal chamber s
urfaces ）上に堆積される。このような化学種の堆積
（deposition）を防ぐように設計されたシールドが利用
されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、発明者の知る
限りにおいて、利用可能なシールドは不要なデポジショ
ンを完全に防ぐことに成功していない。また、そのよう
なシールドは交換が困難であり、かつ交換に時間を要す
るものとはいえ、比較的頻繁に交換しなければならなか
った。自動基板交換システムをチャンバ内可動要素と共
に使用する場合、十分な遮蔽および容易な交換を行なう
ことはますます困難になる。
限りにおいて、利用可能なシールドは不要なデポジショ
ンを完全に防ぐことに成功していない。また、そのよう
なシールドは交換が困難であり、かつ交換に時間を要す
るものとはいえ、比較的頻繁に交換しなければならなか
った。自動基板交換システムをチャンバ内可動要素と共
に使用する場合、十分な遮蔽および容易な交換を行なう
ことはますます困難になる。
【０００４】そこで、本発明は交換が簡単で、短時間で
交換可能なシールド装置を提供することを目的とする。
交換可能なシールド装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】一態様において、本発明
はチャンバ内の基板を処理している間のチャンバ周辺領
域へのデポジションを防ぐためのシールド装置を具体化
するものである。このシールド装置は、基板を取り囲む
壁状部材と、基板を越えて横方向に拡がる基板支持体
と、この基板支持体と壁状部材に重なるシールドリング
とを備え、これらの協働作用により処理領域の外にある
チャンバをデポジションからシールドする。これらの構
成要素は、チャンバから容易に取り外すことができるよ
うになっている。例えば、シールドリングは、壁状部材
及び基板間で取外し可能な位置に載置される。また、好
適実施例においては、シールド部材とシールドリングは
一体的に離脱及び交換が可能となっている。他態様にお
いて、シールドリングは内方に延びるルーフ（roof）を
含み、基板支持体の基板縁近傍領域をデポジションから
シールドする。
はチャンバ内の基板を処理している間のチャンバ周辺領
域へのデポジションを防ぐためのシールド装置を具体化
するものである。このシールド装置は、基板を取り囲む
壁状部材と、基板を越えて横方向に拡がる基板支持体
と、この基板支持体と壁状部材に重なるシールドリング
とを備え、これらの協働作用により処理領域の外にある
チャンバをデポジションからシールドする。これらの構
成要素は、チャンバから容易に取り外すことができるよ
うになっている。例えば、シールドリングは、壁状部材
及び基板間で取外し可能な位置に載置される。また、好
適実施例においては、シールド部材とシールドリングは
一体的に離脱及び交換が可能となっている。他態様にお
いて、シールドリングは内方に延びるルーフ（roof）を
含み、基板支持体の基板縁近傍領域をデポジションから
シールドする。
【０００６】また、他の態様において、基板は基板支持
体との間隔を保つために、基板支持体に搭載された間隔
保持手段によって支持される。この間隔は堆積された材
料及び基板と基板及び基板支持体の接着（bonding ）を
除去し、基板の上部全面に沿ったデポジション及び処理
を容易にする。
体との間隔を保つために、基板支持体に搭載された間隔
保持手段によって支持される。この間隔は堆積された材
料及び基板と基板及び基板支持体の接着（bonding ）を
除去し、基板の上部全面に沿ったデポジション及び処理
を容易にする。
【０００７】さらにまた、別の態様において、本発明は
次のような組み合わせによって具体化される。すなわ
ち、処理領域を囲む内壁を有するチャンバ、処理領域内
の所定基板支持位置で基板を支持する基板支持体、およ
び基板処理中にチャンバ内壁へのデポジションを防ぎチ
ャンバ内壁をシールドするために基板支持位置を囲む壁
を含むシールドを備えている。このシールドは、基板搭
載位置の周辺部近傍に位置し基板支持体の縁から所定距
離だけ離隔した垂直フランジと、次のような構成を有す
るシールドリングとを含む。すなわち、シールドリング
はシールドフランジ（＝垂直フランジ）及び基板支持体
間の隙間においてリング自身を離脱可能に中心位置決め
する下方に延びたフランジと、基板縁の近傍領域をデポ
ジションからシールドするため内方に延びたルーフとを
備えている。
次のような組み合わせによって具体化される。すなわ
ち、処理領域を囲む内壁を有するチャンバ、処理領域内
の所定基板支持位置で基板を支持する基板支持体、およ
び基板処理中にチャンバ内壁へのデポジションを防ぎチ
ャンバ内壁をシールドするために基板支持位置を囲む壁
を含むシールドを備えている。このシールドは、基板搭
載位置の周辺部近傍に位置し基板支持体の縁から所定距
離だけ離隔した垂直フランジと、次のような構成を有す
るシールドリングとを含む。すなわち、シールドリング
はシールドフランジ（＝垂直フランジ）及び基板支持体
間の隙間においてリング自身を離脱可能に中心位置決め
する下方に延びたフランジと、基板縁の近傍領域をデポ
ジションからシールドするため内方に延びたルーフとを
備えている。
【０００８】基板支持体は、基板位置決め手段あるいは
基板センタリング手段を含んでもよい。この基板位置決
め手段は、所定基板搭載位置に基板を中心位置決めする
ために基板の周辺部と係合するように基板の周囲に沿っ
て設けられている。基板支持体は、溝又は窪みを含んで
もよい。この溝又は窪みは、基板支持体上の基板へのデ
ポジションを邪魔することなく基板の周囲の基板支持体
へのデポジションを許容するために、基板搭載位置の周
囲に沿って延在する。この溝が用いられるとき、位置決
め手段は溝に沿って間隔を開けて取り付けられた複数の
細長いピンであることが好ましい。
基板センタリング手段を含んでもよい。この基板位置決
め手段は、所定基板搭載位置に基板を中心位置決めする
ために基板の周辺部と係合するように基板の周囲に沿っ
て設けられている。基板支持体は、溝又は窪みを含んで
もよい。この溝又は窪みは、基板支持体上の基板へのデ
ポジションを邪魔することなく基板の周囲の基板支持体
へのデポジションを許容するために、基板搭載位置の周
囲に沿って延在する。この溝が用いられるとき、位置決
め手段は溝に沿って間隔を開けて取り付けられた複数の
細長いピンであることが好ましい。
【０００９】このシールドシステムに使える材料として
は、ステンレス鋼、アルミニウム、チタニウム、および
銅などがある。
は、ステンレス鋼、アルミニウム、チタニウム、および
銅などがある。
【００１０】このシールドリングを含むシールドシステ
ムは、洗浄及び交換のために効果的かつ容易に離脱でき
る。溝付き基板支持体などの特徴は、洗浄間の処理時間
が増加することである。さらに、基板センタリング手段
を含む他の構成要素と離脱可能リングを含むシールド構
成要素は、基板の支持に支障をきたす堆積物を除去する
ように特に調整されている（tailored）シールド基板支
持体システムを提供する。さらに独特なことは、基板及
び基板支持体間に間隔、という特徴が基板の全面のデポ
ジションおよび処理を可能にしている。
ムは、洗浄及び交換のために効果的かつ容易に離脱でき
る。溝付き基板支持体などの特徴は、洗浄間の処理時間
が増加することである。さらに、基板センタリング手段
を含む他の構成要素と離脱可能リングを含むシールド構
成要素は、基板の支持に支障をきたす堆積物を除去する
ように特に調整されている（tailored）シールド基板支
持体システムを提供する。さらに独特なことは、基板及
び基板支持体間に間隔、という特徴が基板の全面のデポ
ジションおよび処理を可能にしている。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面と共に説
明する。
明する。
【００１２】図１は、デポジションチャンバに組み込ま
れた本発明の第１実施例を示す簡略構成図である。本発
明は、チャンバとその内部機構をデポジションから効果
的にシールドするものであり、さらに、洗浄や交換のた
めに該シールド要素を簡単に離脱できるようにしたもの
である。本発明は、全ウエハデポジション、すなわち、
半導体ウエハのような基板１４の全面へのデポジション
を達成するものである。本発明は、一般的にデポジショ
ンチャンバに適用できるものである。ここで、デポジシ
ョンチャンバとは、例えば、物理的気相成長またはスパ
ッタリング用のチャンバ、化学的気相成長用のチャン
バ、およびイオン打ち込み用のチャンバなどを含む。
れた本発明の第１実施例を示す簡略構成図である。本発
明は、チャンバとその内部機構をデポジションから効果
的にシールドするものであり、さらに、洗浄や交換のた
めに該シールド要素を簡単に離脱できるようにしたもの
である。本発明は、全ウエハデポジション、すなわち、
半導体ウエハのような基板１４の全面へのデポジション
を達成するものである。本発明は、一般的にデポジショ
ンチャンバに適用できるものである。ここで、デポジシ
ョンチャンバとは、例えば、物理的気相成長またはスパ
ッタリング用のチャンバ、化学的気相成長用のチャン
バ、およびイオン打ち込み用のチャンバなどを含む。
【００１３】一例として、図１はスパッタリング用チャ
ンバ２を示す。基板１４は、チャンバ処理領域８の近傍
において、サセプタやペデスタル（pedestal）のような
基板支持部材１６の上に位置決めされる。一例として、
基板支持部材１６の直径は、ウエハ１４の直径よりも大
きい。この装置例において、図２に示すように、支持部
材１６は従来の垂直移動昇降機構（vertically movable
elevator system）１８に複数のねじ９−９によって取
り付けられている（ガス供給口やスパッタリング用ター
ゲットのようなハードウエアは、説明を明解にするため
省略している）。
ンバ２を示す。基板１４は、チャンバ処理領域８の近傍
において、サセプタやペデスタル（pedestal）のような
基板支持部材１６の上に位置決めされる。一例として、
基板支持部材１６の直径は、ウエハ１４の直径よりも大
きい。この装置例において、図２に示すように、支持部
材１６は従来の垂直移動昇降機構（vertically movable
elevator system）１８に複数のねじ９−９によって取
り付けられている（ガス供給口やスパッタリング用ター
ゲットのようなハードウエアは、説明を明解にするため
省略している）。
【００１４】実施例のスパッタリングチャンバ２は、円
筒形チャンバ壁３と、溶接によって当該チャンバ壁３の
上部に設けられた支持環４とを含んでいる。チャンバ２
の上壁を形成する適合板（adaptor plate ）５は、複数
のねじ６−６によって支持環４に取り付けられている。
Ｏリング７は密封用シールを備えている。スパッタリン
グ用ターゲット装置やガス導入口のようなデポジション
供給源（図示せず）は、凹部９０に取り付けられ、大気
から遮蔽されている（sealed）。壁状円筒形シールド部
材１０は支持環４に装着されている。すなわち、円筒形
シールド１０は、複数のねじ１２−１２によって適合板
５の底面に取り付けられた外方に延びた上部リップ（up
per lip ）１１を有する。シールド部材１０の環状底壁
１３から上方に延びるフランジ１５は基板支持体１６の
周囲を囲み、シールドフランジ１５及び基板支持体１６
の間に隙間１７が残存される。
筒形チャンバ壁３と、溶接によって当該チャンバ壁３の
上部に設けられた支持環４とを含んでいる。チャンバ２
の上壁を形成する適合板（adaptor plate ）５は、複数
のねじ６−６によって支持環４に取り付けられている。
Ｏリング７は密封用シールを備えている。スパッタリン
グ用ターゲット装置やガス導入口のようなデポジション
供給源（図示せず）は、凹部９０に取り付けられ、大気
から遮蔽されている（sealed）。壁状円筒形シールド部
材１０は支持環４に装着されている。すなわち、円筒形
シールド１０は、複数のねじ１２−１２によって適合板
５の底面に取り付けられた外方に延びた上部リップ（up
per lip ）１１を有する。シールド部材１０の環状底壁
１３から上方に延びるフランジ１５は基板支持体１６の
周囲を囲み、シールドフランジ１５及び基板支持体１６
の間に隙間１７が残存される。
【００１５】このデポジションシールド１は、基板１４
の近傍にある基板支持部材１６の上方周縁部に適合する
ような内径を持つ環状シールドリング２０も含んでい
る。リング２０は、下方に延びるテーパ付きセンタリン
グ用フランジ２２と、このフランジ２２に対し概ね平行
な第２の外側フランジ２３とを備えている。このセンタ
リング用フランジ２２は、フランジ１５と基板支持部材
１６の側縁部との間の開口１７に嵌まるようになってい
る。シールドリング２０は、開口１７に延びるテーパ付
きフランジ２２を備えた２つのフランジを円筒形シール
ド部材１０の対応（mating）フランジ１５を覆うことに
よって、基板１４の周囲に離脱できるように設置されて
いる。シールドリング２０は、例えば方向５６に沿って
内方に運ばれる化学種から基板周縁を保護する内方に延
びるルーフ２５も備えており、シールドリング２０が載
置されている表面および組み合わされるリング面の界面
上へのデポジションを防いでいる。
の近傍にある基板支持部材１６の上方周縁部に適合する
ような内径を持つ環状シールドリング２０も含んでい
る。リング２０は、下方に延びるテーパ付きセンタリン
グ用フランジ２２と、このフランジ２２に対し概ね平行
な第２の外側フランジ２３とを備えている。このセンタ
リング用フランジ２２は、フランジ１５と基板支持部材
１６の側縁部との間の開口１７に嵌まるようになってい
る。シールドリング２０は、開口１７に延びるテーパ付
きフランジ２２を備えた２つのフランジを円筒形シール
ド部材１０の対応（mating）フランジ１５を覆うことに
よって、基板１４の周囲に離脱できるように設置されて
いる。シールドリング２０は、例えば方向５６に沿って
内方に運ばれる化学種から基板周縁を保護する内方に延
びるルーフ２５も備えており、シールドリング２０が載
置されている表面および組み合わされるリング面の界面
上へのデポジションを防いでいる。
【００１６】前述したように、このシールドは独自に、
チャンバを十分かつ有効にシールドすると共に、独自の
離脱容易性を備えている。特に、有効なシールド作用
は、円筒形シールド部材１０、比較的広い基板支持部材
１６（すなわち、基板を越えて横方向に拡がる支持体）
及びシールドリング２０によってなされる。シールドリ
ング２０は基板支持部材１６とシールド部材１０の内側
に延びる底部との双方に跨っている。これらの重なった
構成要素（component ）は、チャンバ８の処理領域をチ
ャンバ内部の他の領域（the rest of the chamber inte
rior）から隔離する為に結合し、他の領域（例えば、チ
ャンバ壁３や、基板支持部材１６の下方にある可動昇降
機１８のような内部チャンバ機構など）をデポジション
からシールドする。シールド要素は、ねじ６−６のよう
な適合板装着手段を外すこと、適合板５、適合板５に固
着されたシールド部材１０、およびシールド部材１０に
離脱可能に支持されたシールドリング２０とを一体的に
持ち上げて外すことにより、容易に取り外すことができ
る。次に、二重機能基板支持部材（dual-function subs
trate support member）とシールド構成部材１６は、図
２に示す３つの装着用ねじ９−９を外すことにより容易
に取り外せる。これに代えて、シールドリング２０は、
位置指定された隙間（locating space）１７から単に持
ち上げることによって外すことができる。すなわち、も
し望むなら、シールド１０を外さず基板支持部材１６を
取り外すために、シールドリング２０を外すことができ
る。明らかに、シールド構成要素は、例えば、ねじ９−
９を用いて基板支持部材１６を取り付け、シールドユニ
ットを挿入し、ねじ６−６を介して当該ユニットを取り
付けることによって交換される。
チャンバを十分かつ有効にシールドすると共に、独自の
離脱容易性を備えている。特に、有効なシールド作用
は、円筒形シールド部材１０、比較的広い基板支持部材
１６（すなわち、基板を越えて横方向に拡がる支持体）
及びシールドリング２０によってなされる。シールドリ
ング２０は基板支持部材１６とシールド部材１０の内側
に延びる底部との双方に跨っている。これらの重なった
構成要素（component ）は、チャンバ８の処理領域をチ
ャンバ内部の他の領域（the rest of the chamber inte
rior）から隔離する為に結合し、他の領域（例えば、チ
ャンバ壁３や、基板支持部材１６の下方にある可動昇降
機１８のような内部チャンバ機構など）をデポジション
からシールドする。シールド要素は、ねじ６−６のよう
な適合板装着手段を外すこと、適合板５、適合板５に固
着されたシールド部材１０、およびシールド部材１０に
離脱可能に支持されたシールドリング２０とを一体的に
持ち上げて外すことにより、容易に取り外すことができ
る。次に、二重機能基板支持部材（dual-function subs
trate support member）とシールド構成部材１６は、図
２に示す３つの装着用ねじ９−９を外すことにより容易
に取り外せる。これに代えて、シールドリング２０は、
位置指定された隙間（locating space）１７から単に持
ち上げることによって外すことができる。すなわち、も
し望むなら、シールド１０を外さず基板支持部材１６を
取り外すために、シールドリング２０を外すことができ
る。明らかに、シールド構成要素は、例えば、ねじ９−
９を用いて基板支持部材１６を取り付け、シールドユニ
ットを挿入し、ねじ６−６を介して当該ユニットを取り
付けることによって交換される。
【００１７】本発明の他の態様に従えば、突起（protru
sions ）又はバンプ（bumps ）３５−３５（図１、図４
参照）のような基板位置決め手段又はセンタリング手段
は、基板１４の搭載位置の周辺にある基板支持部材１６
の上面に形成され、基板１４を支持部材１６上に正確に
センタリングする。図４に示すように、４つの位置決め
用バンプ３５−３５は、ウエハ１４の周囲３６０度に対
し位置決め機能が発揮できるように、９０度の角度間隔
で矩形配置になっている。この位置指定手段は、ウエハ
１４の基板支持部材１６に対する相対的な横方向の動き
を制限する。これによって、ウエハ処理の為に基板支持
部材１６上の所望位置に位置決めされることを確実に
し、さらに、ロボットブレード３４により拾い上げるこ
とができる位置にウエハが支持部材上に置かれることを
確実にする。この位置指定機能は、ウエハ全体のデポジ
ションを可能にする。すなわち、エッジクランプを用い
ることなく、つまり、固定子が不要なまま、ウエハ１４
のような基板の全面を覆うデポジションを許容するもの
である。好ましくは、位置決めバンプ３５−３５は、処
理環境中に塵埃が剥がれ落ちる原因になり得る尖った角
を避けるために丸く、たとえば、半球状になっている。
sions ）又はバンプ（bumps ）３５−３５（図１、図４
参照）のような基板位置決め手段又はセンタリング手段
は、基板１４の搭載位置の周辺にある基板支持部材１６
の上面に形成され、基板１４を支持部材１６上に正確に
センタリングする。図４に示すように、４つの位置決め
用バンプ３５−３５は、ウエハ１４の周囲３６０度に対
し位置決め機能が発揮できるように、９０度の角度間隔
で矩形配置になっている。この位置指定手段は、ウエハ
１４の基板支持部材１６に対する相対的な横方向の動き
を制限する。これによって、ウエハ処理の為に基板支持
部材１６上の所望位置に位置決めされることを確実に
し、さらに、ロボットブレード３４により拾い上げるこ
とができる位置にウエハが支持部材上に置かれることを
確実にする。この位置指定機能は、ウエハ全体のデポジ
ションを可能にする。すなわち、エッジクランプを用い
ることなく、つまり、固定子が不要なまま、ウエハ１４
のような基板の全面を覆うデポジションを許容するもの
である。好ましくは、位置決めバンプ３５−３５は、処
理環境中に塵埃が剥がれ落ちる原因になり得る尖った角
を避けるために丸く、たとえば、半球状になっている。
【００１８】図１、２、および４に示すように、図示さ
れたチャンバシステム２においては、基板支持部材１６
は昇降機１８に搭載され、第２垂直昇降機あるいは昇降
機構３２によって垂直に可動されるピン３０−３０の配
置（arrangement ）に対して相対的に垂直移動する。図
４に示す基板搬送ブレード３４の統制された水平方向の
動作と連動した基板支持部材１６と基板支持ピン３０−
３０（開口３３−３３を介して基板支持体１６中に延び
ているピン）の統制された垂直動作は、チャンバ２に対
する基板の出し入れ（into and out）および基板支持部
材１６に対する基板の載置・引上げ（onto and off）を
行う。さらに、昇降機１８による基板支持部材１６の垂
直動作は、ガス導入口および／またはスパッタリングタ
ーゲットのような原料供給源に対する相対的な高精度位
置決めを許容する。この種の自動基板交換・位置決めシ
ステムは、当該技術で知られており、例えば、１９９０
年８月２８日に発行された発明者メイダン（Maydan）ら
による米国特許第４，９５１，６０１号に開示されてい
る。
れたチャンバシステム２においては、基板支持部材１６
は昇降機１８に搭載され、第２垂直昇降機あるいは昇降
機構３２によって垂直に可動されるピン３０−３０の配
置（arrangement ）に対して相対的に垂直移動する。図
４に示す基板搬送ブレード３４の統制された水平方向の
動作と連動した基板支持部材１６と基板支持ピン３０−
３０（開口３３−３３を介して基板支持体１６中に延び
ているピン）の統制された垂直動作は、チャンバ２に対
する基板の出し入れ（into and out）および基板支持部
材１６に対する基板の載置・引上げ（onto and off）を
行う。さらに、昇降機１８による基板支持部材１６の垂
直動作は、ガス導入口および／またはスパッタリングタ
ーゲットのような原料供給源に対する相対的な高精度位
置決めを許容する。この種の自動基板交換・位置決めシ
ステムは、当該技術で知られており、例えば、１９９０
年８月２８日に発行された発明者メイダン（Maydan）ら
による米国特許第４，９５１，６０１号に開示されてい
る。
【００１９】上記した可動部によってもたらされる複雑
性にも拘らず、このデポジションシールドシステム１
は、不要なデポジションに対する効果的シールドを提供
し、容易に離脱および交換を可能にする。ここで特記す
べきことは、図示の円筒形シールドシステム１は円形半
導体ウエハに対して形成されたものであるが、その他の
シールド形状も他の基板やチャンバの形状と適合すると
いう要求に応じて用いることができる。
性にも拘らず、このデポジションシールドシステム１
は、不要なデポジションに対する効果的シールドを提供
し、容易に離脱および交換を可能にする。ここで特記す
べきことは、図示の円筒形シールドシステム１は円形半
導体ウエハに対して形成されたものであるが、その他の
シールド形状も他の基板やチャンバの形状と適合すると
いう要求に応じて用いることができる。
【００２０】本発明の他の態様によると、基板支持体１
６の対応する開口３７−３７を介して突き刺されている
複数のピン３６−３６の形式で設けられた間隔保持手段
（spacer means）は、基板支持体１６のちょうど上面上
で基板１４を支える。基板支持部材１６とウエハ１４の
間の小さな間隔５０を備えることによって、間隔保持手
段は、基板縁で露出された基板支持部材の周辺部に沿っ
て堆積される材料が基板に付着すること、および支持部
材が基板に付着することを防止する。間隔保持手段は、
このように全ウエハデポジションを容易にする。ピン３
６−３６の高さは、基板と基板支持体１６との間に約
０．５〜１ミリメートルの隙間を与える程度が好まし
い。約１ミリメートルを超える間隔は、堆積材料を基板
の裏側に到達させるかもしれない。
６の対応する開口３７−３７を介して突き刺されている
複数のピン３６−３６の形式で設けられた間隔保持手段
（spacer means）は、基板支持体１６のちょうど上面上
で基板１４を支える。基板支持部材１６とウエハ１４の
間の小さな間隔５０を備えることによって、間隔保持手
段は、基板縁で露出された基板支持部材の周辺部に沿っ
て堆積される材料が基板に付着すること、および支持部
材が基板に付着することを防止する。間隔保持手段は、
このように全ウエハデポジションを容易にする。ピン３
６−３６の高さは、基板と基板支持体１６との間に約
０．５〜１ミリメートルの隙間を与える程度が好まし
い。約１ミリメートルを超える間隔は、堆積材料を基板
の裏側に到達させるかもしれない。
【００２１】図３は、シールドされた別の基板支持体１
６Ａを示すものであり、この基板支持体１６Ａは、高速
の（higher rate ）デポジション、典型的にはアルミニ
ウム、アルミニウムを含む化合物及び材料のような比較
的低ストレス材料の場合に適する。特筆すべきは、典型
的な処理がウエハに対して約１０００オングストローム
の材料を堆積するものであり、その結果、支持体ペデス
タル１６を洗浄する前に、およそ５０００枚のウエハを
処理する。しかし、アルミニウムの厚さは、ウエハ毎に
１０，０００オングストロームにすることができる。裏
側へのデポジションの可能性があるという理由から、こ
のデポジションの厚さを増加させるために十分なほど間
隙５０を広げることはできない。これに代えて、ここで
は、基板１４の周囲に沿って基板支持体１６Ａに窪みあ
るい溝３８が形成されている。溝３８は、材料を基板に
付着させることなく、支持体上の基板の位置決め及び方
向付けを邪魔することなく、基板１４の縁に沿った支持
体１６上の（平面形状に関わる）堆積材料の付加的形成
を許容する。
６Ａを示すものであり、この基板支持体１６Ａは、高速
の（higher rate ）デポジション、典型的にはアルミニ
ウム、アルミニウムを含む化合物及び材料のような比較
的低ストレス材料の場合に適する。特筆すべきは、典型
的な処理がウエハに対して約１０００オングストローム
の材料を堆積するものであり、その結果、支持体ペデス
タル１６を洗浄する前に、およそ５０００枚のウエハを
処理する。しかし、アルミニウムの厚さは、ウエハ毎に
１０，０００オングストロームにすることができる。裏
側へのデポジションの可能性があるという理由から、こ
のデポジションの厚さを増加させるために十分なほど間
隙５０を広げることはできない。これに代えて、ここで
は、基板１４の周囲に沿って基板支持体１６Ａに窪みあ
るい溝３８が形成されている。溝３８は、材料を基板に
付着させることなく、支持体上の基板の位置決め及び方
向付けを邪魔することなく、基板１４の縁に沿った支持
体１６上の（平面形状に関わる）堆積材料の付加的形成
を許容する。
【００２２】図３に示す実施例において、中心位置決め
手段は溝３８中に位置しており、調整された長さに引き
延ばされた中心位置決め用ピン４０−４０を含んでい
る。細長いネジ付きセンタリング用ピン４０−４０は、
図１の、より小さな（より短い）センタリング用バンプ
あるいは突起３５−３５に代えて、貫通口を介して基板
支持体１６Ａに取り付けられている。また、ルーフ２５
とその下の基板支持体との隙間５１は、ルーフが基板に
接着してしまうことを防止している。さらに、内方に延
びたルーフの半径方向の長さのために、ルーフを支えて
いる表面に堆積材料が至らない。
手段は溝３８中に位置しており、調整された長さに引き
延ばされた中心位置決め用ピン４０−４０を含んでい
る。細長いネジ付きセンタリング用ピン４０−４０は、
図１の、より小さな（より短い）センタリング用バンプ
あるいは突起３５−３５に代えて、貫通口を介して基板
支持体１６Ａに取り付けられている。また、ルーフ２５
とその下の基板支持体との隙間５１は、ルーフが基板に
接着してしまうことを防止している。さらに、内方に延
びたルーフの半径方向の長さのために、ルーフを支えて
いる表面に堆積材料が至らない。
【００２３】このシールドシステム１の各構成要素とし
て有効な材料には、ステンレス鋼、アルミニウム、チタ
ニウムおよび銅などが含まれる。ステンレス鋼は、洗浄
が比較的容易である点で好ましい材料である。アルミニ
ウムや銅は、ステンレス鋼に付着しないタングステンの
ような材料を堆積するときに望ましい。
て有効な材料には、ステンレス鋼、アルミニウム、チタ
ニウムおよび銅などが含まれる。ステンレス鋼は、洗浄
が比較的容易である点で好ましい材料である。アルミニ
ウムや銅は、ステンレス鋼に付着しないタングステンの
ような材料を堆積するときに望ましい。
【００２４】図４は、単純化された概略図であり、ウエ
ハ１４、位置決め又はセンタリング手段（３５または４
０）、基板支持部材１６及びロボット搬送ブレード３４
との関係を示す。この実施例において、位置決め手段
は、基板支持体１６の近周辺部に沿って９０度の間隔で
配置された４つの突起３５−３５を備え、基板の周囲３
６０度にわたる位置決めを保証する。
ハ１４、位置決め又はセンタリング手段（３５または４
０）、基板支持部材１６及びロボット搬送ブレード３４
との関係を示す。この実施例において、位置決め手段
は、基板支持体１６の近周辺部に沿って９０度の間隔で
配置された４つの突起３５−３５を備え、基板の周囲３
６０度にわたる位置決めを保証する。
【００２５】ここで考えられている形式のロボットブレ
ードの操作は周知であるが、操作のモードを再検討し、
各構成要素間の協働関係の理解を確実にする。ウエハ１
４を支持体１６上に置くために、ウエハ１４はロボット
ブレード３４の上に位置決めされ、そのブレード３４は
通常、チャンバ壁内のスリットバルブ制御（slit valve
-controlled ）の開口又は他の適当な開口（図示せず）
を通じて、チャンバ内に挿入される。引っ込んだ（すな
わち低くなった）基板支持体１６およびピン列３０−３
０の上方にウエハを配置する。ピン３０−３０は、昇降
機３２によって基板支持部材１６に対して持ち上げら
れ、基板１４をロボットブレード３４から引き上げる。
ロボットブレード３４は引き戻され、昇降機３２とピン
３０−３０は基板支持部材１６に対して下降する。これ
により、位置決め手段３５−３５によりセンタリングさ
れながら、基板はスペーサ支持ピン３６−３６上に基板
で堆積する。図示された実施例においては、昇降機１８
は、処理領域やスパッタリング源（sputtering source
）やガス導入口などに対する、支持体１６および基板
１４の垂直位置を変化させ、製造処理を制御するために
利用することができる。
ードの操作は周知であるが、操作のモードを再検討し、
各構成要素間の協働関係の理解を確実にする。ウエハ１
４を支持体１６上に置くために、ウエハ１４はロボット
ブレード３４の上に位置決めされ、そのブレード３４は
通常、チャンバ壁内のスリットバルブ制御（slit valve
-controlled ）の開口又は他の適当な開口（図示せず）
を通じて、チャンバ内に挿入される。引っ込んだ（すな
わち低くなった）基板支持体１６およびピン列３０−３
０の上方にウエハを配置する。ピン３０−３０は、昇降
機３２によって基板支持部材１６に対して持ち上げら
れ、基板１４をロボットブレード３４から引き上げる。
ロボットブレード３４は引き戻され、昇降機３２とピン
３０−３０は基板支持部材１６に対して下降する。これ
により、位置決め手段３５−３５によりセンタリングさ
れながら、基板はスペーサ支持ピン３６−３６上に基板
で堆積する。図示された実施例においては、昇降機１８
は、処理領域やスパッタリング源（sputtering source
）やガス導入口などに対する、支持体１６および基板
１４の垂直位置を変化させ、製造処理を制御するために
利用することができる。
【００２６】逆に、処理後に基板１４をチャンバから取
り出すために、ピン３０−３０は、開口３３−３３を介
して基板支持部材１６に対して持ち上げられ、ついで、
ロボットブレード３４が基板支持部材１６と基板１４と
の間に挿入され、スペーサ支持ピン３６−３６から基板
１４を持ち上げる。昇降機３２は、昇降ピン３０−３０
を引き下ろし、ロボットブレード３４上で基板１４を堆
積する。そして、ロボットブレード３４と基板１４はチ
ャンバから引き出される。
り出すために、ピン３０−３０は、開口３３−３３を介
して基板支持部材１６に対して持ち上げられ、ついで、
ロボットブレード３４が基板支持部材１６と基板１４と
の間に挿入され、スペーサ支持ピン３６−３６から基板
１４を持ち上げる。昇降機３２は、昇降ピン３０−３０
を引き下ろし、ロボットブレード３４上で基板１４を堆
積する。そして、ロボットブレード３４と基板１４はチ
ャンバから引き出される。
【００２７】次に、本発明の別の実施例に係る全ウエハ
デポジション装置を図５を参照して説明する。図５は本
実施例に係るＰＶＤ装置を示す概略図である。
デポジション装置を図５を参照して説明する。図５は本
実施例に係るＰＶＤ装置を示す概略図である。
【００２８】この装置は、ＰＶＤチャンバ内部にシール
ド６０、ターゲット７０、ペデスタル８０、リフタ９０
を備えて構成される。シールド６０は下方に延びるフラ
ンジ６２を有し、ペデスタル８０には当該フランジ６２
が受容される円周溝８２が形成されている。円周溝８２
は、ペデスタル８０が着脱自在に挿入できる程度に大き
く形成されている。この円周溝８２の内側には、昇降ピ
ン３０が貫通する昇降用穴８４、昇降機１８に取り付け
られるねじが挿入される穴８６がそれぞれ形成されてい
る。昇降用穴８４は、昇降ピン３０と対応する位置に形
成されている。
ド６０、ターゲット７０、ペデスタル８０、リフタ９０
を備えて構成される。シールド６０は下方に延びるフラ
ンジ６２を有し、ペデスタル８０には当該フランジ６２
が受容される円周溝８２が形成されている。円周溝８２
は、ペデスタル８０が着脱自在に挿入できる程度に大き
く形成されている。この円周溝８２の内側には、昇降ピ
ン３０が貫通する昇降用穴８４、昇降機１８に取り付け
られるねじが挿入される穴８６がそれぞれ形成されてい
る。昇降用穴８４は、昇降ピン３０と対応する位置に形
成されている。
【００２９】このペデスタル８０は、取付け穴８６に挿
入されたねじ９−９により昇降機１８に固定されてい
る。昇降機１８が上昇すると、図示のように、円周溝８
２にフランジ６２が挿入し、チャンバ内壁はターゲット
７０がある基板処理領域から遮断される。
入されたねじ９−９により昇降機１８に固定されてい
る。昇降機１８が上昇すると、図示のように、円周溝８
２にフランジ６２が挿入し、チャンバ内壁はターゲット
７０がある基板処理領域から遮断される。
【００３０】以下、本実施例の動作を説明する。まず、
ウエハがロボットにより搬送される。ロボットにより搬
送されたウエハは下面からリフタ９０により持ち上げら
れ、その状態を保持する。この状態で、ロボットは戻
る。次に、ペデスタル８０が下から上昇してウエハ１４
をすくい上げ、ウエハ１４をシールド６０内まで持ち上
げる。その後、ウエハ１４は基板処理領域でスパッタ処
理される。これらの一連の動作中での接触は、リフタ９
０とペデスタル８０によるウエハ１４の下面のみであ
る。これはウエハ１４を搬送する上で、最低限度の接触
であり、その他の接触は全くない。
ウエハがロボットにより搬送される。ロボットにより搬
送されたウエハは下面からリフタ９０により持ち上げら
れ、その状態を保持する。この状態で、ロボットは戻
る。次に、ペデスタル８０が下から上昇してウエハ１４
をすくい上げ、ウエハ１４をシールド６０内まで持ち上
げる。その後、ウエハ１４は基板処理領域でスパッタ処
理される。これらの一連の動作中での接触は、リフタ９
０とペデスタル８０によるウエハ１４の下面のみであ
る。これはウエハ１４を搬送する上で、最低限度の接触
であり、その他の接触は全くない。
【００３１】本実施例によると、接触部が少ないので膜
ハガレなどの異物発生が減り、構造が簡単なので内部治
具（プロセスキット）の交換寿命が伸びる。
ハガレなどの異物発生が減り、構造が簡単なので内部治
具（プロセスキット）の交換寿命が伸びる。
【００３２】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、基板処理領域の外側のチャンバあるいは機
構部へのデポジションを有効に防止することができる。
ているので、基板処理領域の外側のチャンバあるいは機
構部へのデポジションを有効に防止することができる。
【図１】本発明を具体化した遮蔽された処理用チャンバ
の簡略化された部分的垂直断面構成図である。
の簡略化された部分的垂直断面構成図である。
【図２】自動基板交換システムの簡略化された部分的垂
直断面構成図である。
直断面構成図である。
【図３】図１に示されたシールド配置構造の他の実施例
を描いた図である。
を描いた図である。
【図４】ウエハ、ウエハ支持部材、ウエハ中心位置決め
手段およびロボット搬送ブレードの関係を示す簡略構成
図である。
手段およびロボット搬送ブレードの関係を示す簡略構成
図である。
【図５】本発明の別の実施例に係るウエハ、ウエハ支持
部材、ウエハ中心位置決め手段およびロボット搬送ブレ
ードの関係を示す簡略構成図である。
部材、ウエハ中心位置決め手段およびロボット搬送ブレ
ードの関係を示す簡略構成図である。
１…デポジションシールド、２…スパッタリング用チャ
ンバ、３…円筒形チャンバ壁、４…支持環、５…適合
板、６、９、１２…ねじ、７…Ｏリング、８…チャンバ
処理領域、１０…シールド部材、１１…上部リップ、１
３…底壁、１４…基板、１５…フランジ、１６、１６Ａ
…基板支持体（基板支持部材）、１７…隙間、１８…垂
直移動昇降機構、２０…シールドリング、２２…テーパ
付きフランジ、２３…外側フランジ、２５…ルーフ、３
０…基板支持用ピン、３２…昇降機、３４…ロボットブ
レード、３５…位置決め用バンプ（位置決め手段）、３
６…スペーサ支持ピン、３３、３７…開口、３８…窪み
又は溝、４０…中心位置決め用ピン，５１…隙間。
ンバ、３…円筒形チャンバ壁、４…支持環、５…適合
板、６、９、１２…ねじ、７…Ｏリング、８…チャンバ
処理領域、１０…シールド部材、１１…上部リップ、１
３…底壁、１４…基板、１５…フランジ、１６、１６Ａ
…基板支持体（基板支持部材）、１７…隙間、１８…垂
直移動昇降機構、２０…シールドリング、２２…テーパ
付きフランジ、２３…外側フランジ、２５…ルーフ、３
０…基板支持用ピン、３２…昇降機、３４…ロボットブ
レード、３５…位置決め用バンプ（位置決め手段）、３
６…スペーサ支持ピン、３３、３７…開口、３８…窪み
又は溝、４０…中心位置決め用ピン，５１…隙間。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 神保 毅 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン株 式会社内 (72)発明者 高浜 宏行 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン株 式会社内 (72)発明者 斉藤 昭彦 千葉県成田市新泉14−３野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン株 式会社内
Claims (7)
- 【請求項１】 基板を取り囲むのに適し、基板処理中に
チャンバ領域近傍（adjacent）へのデポジションを防ぐ
密閉形状の壁手段（a wall means）と、 前記壁手段及び前記基板間で離脱自在（removable ）に
配置できる形状を有し、前記基板の周辺近傍領域をデポ
ジションからシールドするシールドリングとを備えた、 チャンバ内で処理中の基板に対して制限的デポジション
（confining deposition）を行うためのシールド装置
（shield arrangement）。 - 【請求項２】 処理領域を取り囲む壁を有するチャンバ
と、 所定の基板支持位置で基板を支持する基板支持体と、 前記基板支持位置を取り囲み、基板処理中に前記チャン
バの内壁にデポジションが為されることを防ぐために前
記チャンバ内壁をシールドする壁状シールド手段（a wa
ll-like shield means）と、 前記基板と前記基板支持体との間に隙間を保って基板を
支持するため前記基板支持体上に設けられ、前記基板支
持体上にデポジションされた材料が基板に付着すること
を防ぐ間隔保持手段（spacer means）とを備え、 前記壁状シールド手段は、さらに、前記基板支持体の縁
から所定距離をおいて前記基板搭載位置（substrate mo
unting position ）の周辺近傍で前記基板支持体の縁か
ら所定距離離れて位置する垂直フランジ、および前記フ
ランジ及び前記基板支持体（substrate holder）間の空
間に受容されて前記基板の縁の近傍で離脱可能に配置さ
れる下方に延びたフランジを含み前記基板支持体及び前
記シールド手段に重なり処理領域の外でのデポジション
を防ぐシールドリングとを備えるデポジション装置。 - 【請求項３】 前記基板支持体は、前記基板の周辺に沿
って設けられた位置決め手段を備え、前記基板を所定の
基板搭載位置に中心位置決めすべく前記基板の周縁に係
合する請求項２に記載のデポジション装置。 - 【請求項４】 前記基板支持体は、前記基板搭載位置の
周囲に沿って延在する溝又は窪み（groove or channel
）をさらに有し、前記基板支持体上における前記基板
の位置決めに支障を来たすことなく前記基板周辺の基板
支持体上にデポジションがなされる請求項２に記載のデ
ポジション装置。 - 【請求項５】 前記溝又は窪み内に設けられて前記基板
を所定の前記基板搭載位置に配置すべく前記基板の周辺
に係合する位置決め手段をさらに有する請求項４に記載
のデポジション装置。 - 【請求項６】 前記位置決め手段は、前記溝又は窪みに
沿って間隔を開けて配置された複数のピンを備えている
請求項５に記載のデポジション装置。 - 【請求項７】 基板の処理中にチャンバの周辺領域上に
デポジションされることを防ぐデポジション装置におい
て、 前記チャンバの一端部に装着される装着部、前記基板を
前記チャンバの内壁から隔離する隔離壁、および前記基
板を昇降するリフタ側に延びたフランジ部を有するシー
ルド部材と、 前記シールド部材のフランジ部が挿入される凹部、およ
び前記基板が搭載される基板搭載部を有する基板支持部
材と、 を備えるデポジション装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/310,617 US5589224A (en) | 1992-09-30 | 1994-09-22 | Apparatus for full wafer deposition |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US95486092A | 1992-09-30 | 1992-09-30 | |
| US07/954860 | 1992-09-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06224139A true JPH06224139A (ja) | 1994-08-12 |
| JP3566740B2 JP3566740B2 (ja) | 2004-09-15 |
Family
ID=25496029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24546993A Expired - Fee Related JP3566740B2 (ja) | 1992-09-30 | 1993-09-30 | 全ウエハデポジション用装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5951775A (ja) |
| JP (1) | JP3566740B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012519236A (ja) * | 2009-02-27 | 2012-08-23 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 真空を中絶させることなくペデスタルの表面から残留物を除去するｉｎ−ｓｉｔｕプラズマ洗浄 |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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