JPH06224139A - Total wafer deposition apparatus - Google Patents

Total wafer deposition apparatus

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JPH06224139A
JPH06224139A JP5245469A JP24546993A JPH06224139A JP H06224139 A JPH06224139 A JP H06224139A JP 5245469 A JP5245469 A JP 5245469A JP 24546993 A JP24546993 A JP 24546993A JP H06224139 A JPH06224139 A JP H06224139A
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deposition
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substrate support
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テップマン アヴィ
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宏行 高浜
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    • C23C16/4401Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber

Abstract

PURPOSE: To provide a full wafer deposition device a capable of extending the replacement lifetime for process kits with a simple structure. CONSTITUTION: A deposition shield 1 can be attached so as to be easily detached and includes a cylindrical shield 10, having an interval from the periphery of a substrate supporter 16. A shield ring 23 is detachably loaded, and its center is automatically positioned on a substrate 14. These constitutional elements can prevent the generation of depositions in a chamber 2 or a mechanical part arranging outside a treatment region. A peripheral groove can be formed on the substrate supporter, arranged on the periphery of the substrate, so that a material deposited in the peripheral part of the substrate supporter is not stuck to the substrate. A gap between the substrate and the supporter acts so that the material deposited on the supporter is not stuck to the substrate.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、一般に、たとえば、物
理的気相成長用あるいはスパッタ用チャンバ、化学的気
相成長用チャンバ、およびイオン打ち込み用チャンバを
含むプロセス用チャンバのためのデポジションシールド
に関する。さらに、本発明は、例えば半導体ウエハのよ
うな基板上の集積回路あるいは集積回路要素の形成に用
いられるチャンバに関する。
FIELD OF THE INVENTION This invention generally relates to deposition shields for process chambers including, for example, physical vapor deposition or sputtering chambers, chemical vapor deposition chambers, and ion implantation chambers. Regarding Further, the present invention relates to chambers used to form integrated circuits or integrated circuit elements on substrates such as semiconductor wafers.

【0002】[0002]

【従来の技術】デポジションプロセスにおいて、ターゲ
ットやガス導入口等のような原料供給源からの化学種
(species )が、チャンバ壁や機構部品(hardware)を
含む露出されたチャンバ内部表面(internal chamber s
urfaces )上に堆積される。このような化学種の堆積
(deposition)を防ぐように設計されたシールドが利用
されている。
2. Description of the Prior Art In a deposition process, species from a source such as a target or a gas inlet are exposed to an exposed internal chamber surface (internal chamber) including chamber walls and hardware. s
urfaces). Shields designed to prevent the deposition of such species have been utilized.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、発明者の知る
限りにおいて、利用可能なシールドは不要なデポジショ
ンを完全に防ぐことに成功していない。また、そのよう
なシールドは交換が困難であり、かつ交換に時間を要す
るものとはいえ、比較的頻繁に交換しなければならなか
った。自動基板交換システムをチャンバ内可動要素と共
に使用する場合、十分な遮蔽および容易な交換を行なう
ことはますます困難になる。
However, to the inventor's knowledge, the available shields have not been successful in completely preventing unwanted deposition. Also, although such shields are difficult and time consuming to replace, they must be replaced relatively often. When using an automatic substrate exchange system with moving elements within the chamber, it becomes increasingly difficult to provide adequate shielding and easy exchange.

【0004】そこで、本発明は交換が簡単で、短時間で
交換可能なシールド装置を提供することを目的とする。
Therefore, an object of the present invention is to provide a shield device which is easy to replace and can be replaced in a short time.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】一態様において、本発明
はチャンバ内の基板を処理している間のチャンバ周辺領
域へのデポジションを防ぐためのシールド装置を具体化
するものである。このシールド装置は、基板を取り囲む
壁状部材と、基板を越えて横方向に拡がる基板支持体
と、この基板支持体と壁状部材に重なるシールドリング
とを備え、これらの協働作用により処理領域の外にある
チャンバをデポジションからシールドする。これらの構
成要素は、チャンバから容易に取り外すことができるよ
うになっている。例えば、シールドリングは、壁状部材
及び基板間で取外し可能な位置に載置される。また、好
適実施例においては、シールド部材とシールドリングは
一体的に離脱及び交換が可能となっている。他態様にお
いて、シールドリングは内方に延びるルーフ(roof)を
含み、基板支持体の基板縁近傍領域をデポジションから
シールドする。
SUMMARY OF THE INVENTION In one aspect, the present invention embodies a shield apparatus for preventing deposition onto a chamber peripheral region during processing of a substrate within the chamber. The shield device includes a wall-shaped member surrounding the substrate, a substrate support that extends laterally beyond the substrate, and a shield ring that overlaps the substrate support and the wall-shaped member. Shield the chamber outside the chamber from deposition. These components are adapted for easy removal from the chamber. For example, the shield ring is placed at a removable position between the wall-shaped member and the substrate. Further, in the preferred embodiment, the shield member and the shield ring can be integrally removed and replaced. In another aspect, the shield ring includes an inwardly extending roof to shield a region of the substrate support near the substrate edge from deposition.

【0006】また、他の態様において、基板は基板支持
体との間隔を保つために、基板支持体に搭載された間隔
保持手段によって支持される。この間隔は堆積された材
料及び基板と基板及び基板支持体の接着(bonding )を
除去し、基板の上部全面に沿ったデポジション及び処理
を容易にする。
In another aspect, the substrate is supported by the spacing means mounted on the substrate support in order to maintain the spacing between the substrate and the substrate support. This spacing removes the deposited material and the bond between the substrate and the substrate and substrate support, facilitating deposition and processing along the entire top surface of the substrate.

【0007】さらにまた、別の態様において、本発明は
次のような組み合わせによって具体化される。すなわ
ち、処理領域を囲む内壁を有するチャンバ、処理領域内
の所定基板支持位置で基板を支持する基板支持体、およ
び基板処理中にチャンバ内壁へのデポジションを防ぎチ
ャンバ内壁をシールドするために基板支持位置を囲む壁
を含むシールドを備えている。このシールドは、基板搭
載位置の周辺部近傍に位置し基板支持体の縁から所定距
離だけ離隔した垂直フランジと、次のような構成を有す
るシールドリングとを含む。すなわち、シールドリング
はシールドフランジ(=垂直フランジ)及び基板支持体
間の隙間においてリング自身を離脱可能に中心位置決め
する下方に延びたフランジと、基板縁の近傍領域をデポ
ジションからシールドするため内方に延びたルーフとを
備えている。
Further, in another aspect, the present invention is embodied by the following combinations. That is, a chamber having an inner wall that surrounds the processing region, a substrate support that supports the substrate at a predetermined substrate supporting position within the processing region, and a substrate support to prevent deposition on the chamber inner wall during substrate processing and to shield the chamber inner wall. A shield including a wall surrounding the location is provided. This shield includes a vertical flange located near the periphery of the substrate mounting position and spaced from the edge of the substrate support by a predetermined distance, and a shield ring having the following configuration. That is, the shield ring is a downwardly extending flange that centrally releasably positions the ring itself in the gap between the shield flange (= vertical flange) and the substrate support, and inward to shield the area near the substrate edge from deposition. It has a roof that extends to.

【0008】基板支持体は、基板位置決め手段あるいは
基板センタリング手段を含んでもよい。この基板位置決
め手段は、所定基板搭載位置に基板を中心位置決めする
ために基板の周辺部と係合するように基板の周囲に沿っ
て設けられている。基板支持体は、溝又は窪みを含んで
もよい。この溝又は窪みは、基板支持体上の基板へのデ
ポジションを邪魔することなく基板の周囲の基板支持体
へのデポジションを許容するために、基板搭載位置の周
囲に沿って延在する。この溝が用いられるとき、位置決
め手段は溝に沿って間隔を開けて取り付けられた複数の
細長いピンであることが好ましい。
The substrate support may include substrate positioning means or substrate centering means. The substrate positioning means is provided along the periphery of the substrate so as to engage with the peripheral portion of the substrate for centering the substrate at a predetermined substrate mounting position. The substrate support may include grooves or depressions. The groove or depression extends along the perimeter of the substrate mounting position to allow deposition on the substrate support around the substrate without disturbing deposition on the substrate support. When this groove is used, the positioning means is preferably a plurality of elongated pins spaced along the groove.

【0009】このシールドシステムに使える材料として
は、ステンレス鋼、アルミニウム、チタニウム、および
銅などがある。
Materials that can be used for this shield system include stainless steel, aluminum, titanium, and copper.

【0010】このシールドリングを含むシールドシステ
ムは、洗浄及び交換のために効果的かつ容易に離脱でき
る。溝付き基板支持体などの特徴は、洗浄間の処理時間
が増加することである。さらに、基板センタリング手段
を含む他の構成要素と離脱可能リングを含むシールド構
成要素は、基板の支持に支障をきたす堆積物を除去する
ように特に調整されている(tailored)シールド基板支
持体システムを提供する。さらに独特なことは、基板及
び基板支持体間に間隔、という特徴が基板の全面のデポ
ジションおよび処理を可能にしている。
The shield system including this shield ring can be effectively and easily removed for cleaning and replacement. A feature of the grooved substrate support, etc., is the increased processing time between cleanings. Further, the other components including the substrate centering means and the shield component including the detachable ring provide a shielded substrate support system specifically tailored to remove deposits that interfere with substrate support. provide. What is more unique is the feature of spacing between the substrate and the substrate support allows deposition and processing of the entire surface of the substrate.

【0011】[0011]

【実施例】以下、本発明の一実施例を添付図面と共に説
明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

【0012】図1は、デポジションチャンバに組み込ま
れた本発明の第1実施例を示す簡略構成図である。本発
明は、チャンバとその内部機構をデポジションから効果
的にシールドするものであり、さらに、洗浄や交換のた
めに該シールド要素を簡単に離脱できるようにしたもの
である。本発明は、全ウエハデポジション、すなわち、
半導体ウエハのような基板14の全面へのデポジション
を達成するものである。本発明は、一般的にデポジショ
ンチャンバに適用できるものである。ここで、デポジシ
ョンチャンバとは、例えば、物理的気相成長またはスパ
ッタリング用のチャンバ、化学的気相成長用のチャン
バ、およびイオン打ち込み用のチャンバなどを含む。
FIG. 1 is a simplified configuration diagram showing a first embodiment of the present invention incorporated in a deposition chamber. The present invention effectively shields the chamber and its internal mechanisms from deposition, and further allows the shield element to be easily removed for cleaning or replacement. The present invention is directed to full wafer deposition, ie
The deposition on the entire surface of the substrate 14 such as a semiconductor wafer is achieved. The present invention is generally applicable to deposition chambers. Here, the deposition chamber includes, for example, a chamber for physical vapor deposition or sputtering, a chamber for chemical vapor deposition, a chamber for ion implantation, and the like.

【0013】一例として、図1はスパッタリング用チャ
ンバ2を示す。基板14は、チャンバ処理領域8の近傍
において、サセプタやペデスタル(pedestal)のような
基板支持部材16の上に位置決めされる。一例として、
基板支持部材16の直径は、ウエハ14の直径よりも大
きい。この装置例において、図2に示すように、支持部
材16は従来の垂直移動昇降機構(vertically movable
elevator system)18に複数のねじ9−9によって取
り付けられている(ガス供給口やスパッタリング用ター
ゲットのようなハードウエアは、説明を明解にするため
省略している)。
As an example, FIG. 1 shows a sputtering chamber 2. The substrate 14 is positioned in the vicinity of the chamber processing area 8 on a substrate support member 16 such as a susceptor or pedestal. As an example,
The diameter of the substrate support member 16 is larger than the diameter of the wafer 14. In this device example, as shown in FIG. 2, the support member 16 has a conventional vertically movable lift mechanism.
attached to the elevator system) 18 by a plurality of screws 9-9 (hardware such as gas supply port and sputtering target are omitted for clarity).

【0014】実施例のスパッタリングチャンバ2は、円
筒形チャンバ壁3と、溶接によって当該チャンバ壁3の
上部に設けられた支持環4とを含んでいる。チャンバ2
の上壁を形成する適合板(adaptor plate )5は、複数
のねじ6−6によって支持環4に取り付けられている。
Oリング7は密封用シールを備えている。スパッタリン
グ用ターゲット装置やガス導入口のようなデポジション
供給源(図示せず)は、凹部90に取り付けられ、大気
から遮蔽されている(sealed)。壁状円筒形シールド部
材10は支持環4に装着されている。すなわち、円筒形
シールド10は、複数のねじ12−12によって適合板
5の底面に取り付けられた外方に延びた上部リップ(up
per lip )11を有する。シールド部材10の環状底壁
13から上方に延びるフランジ15は基板支持体16の
周囲を囲み、シールドフランジ15及び基板支持体16
の間に隙間17が残存される。
The example sputtering chamber 2 includes a cylindrical chamber wall 3 and a support ring 4 provided on the chamber wall 3 by welding. Chamber 2
An adaptor plate 5 forming the upper wall of the upper part is attached to the support ring 4 by a plurality of screws 6-6.
The O-ring 7 is provided with a seal for sealing. A deposition source (not shown) such as a sputtering target device or gas inlet is mounted in the recess 90 and sealed from the atmosphere. The wall-shaped cylindrical shield member 10 is attached to the support ring 4. That is, the cylindrical shield 10 includes an outwardly extending upper lip (up) attached to the bottom surface of the matching plate 5 by a plurality of screws 12-12.
per lip) 11. A flange 15 extending upward from the annular bottom wall 13 of the shield member 10 surrounds the periphery of the substrate support 16, and the shield flange 15 and the substrate support 16 are provided.
A gap 17 remains between them.

【0015】このデポジションシールド1は、基板14
の近傍にある基板支持部材16の上方周縁部に適合する
ような内径を持つ環状シールドリング20も含んでい
る。リング20は、下方に延びるテーパ付きセンタリン
グ用フランジ22と、このフランジ22に対し概ね平行
な第2の外側フランジ23とを備えている。このセンタ
リング用フランジ22は、フランジ15と基板支持部材
16の側縁部との間の開口17に嵌まるようになってい
る。シールドリング20は、開口17に延びるテーパ付
きフランジ22を備えた2つのフランジを円筒形シール
ド部材10の対応(mating)フランジ15を覆うことに
よって、基板14の周囲に離脱できるように設置されて
いる。シールドリング20は、例えば方向56に沿って
内方に運ばれる化学種から基板周縁を保護する内方に延
びるルーフ25も備えており、シールドリング20が載
置されている表面および組み合わされるリング面の界面
上へのデポジションを防いでいる。
The deposition shield 1 includes a substrate 14
It also includes an annular shield ring 20 having an inner diameter to fit the upper peripheral edge of the substrate support member 16 in the vicinity of. The ring 20 includes a downwardly extending tapered centering flange 22 and a second outer flange 23 generally parallel to the flange 22. The centering flange 22 is adapted to fit in the opening 17 between the flange 15 and the side edge of the substrate supporting member 16. The shield ring 20 is removably installed around the substrate 14 by covering the mating flange 15 of the cylindrical shield member 10 with two flanges having tapered flanges 22 extending into the openings 17. . The shield ring 20 also includes an inwardly extending roof 25 that protects the substrate periphery from chemical species carried inward, eg, in direction 56, the surface on which the shield ring 20 rests and the mating ring surface. It prevents the deposition on the interface.

【0016】前述したように、このシールドは独自に、
チャンバを十分かつ有効にシールドすると共に、独自の
離脱容易性を備えている。特に、有効なシールド作用
は、円筒形シールド部材10、比較的広い基板支持部材
16(すなわち、基板を越えて横方向に拡がる支持体)
及びシールドリング20によってなされる。シールドリ
ング20は基板支持部材16とシールド部材10の内側
に延びる底部との双方に跨っている。これらの重なった
構成要素(component )は、チャンバ8の処理領域をチ
ャンバ内部の他の領域(the rest of the chamber inte
rior)から隔離する為に結合し、他の領域(例えば、チ
ャンバ壁3や、基板支持部材16の下方にある可動昇降
機18のような内部チャンバ機構など)をデポジション
からシールドする。シールド要素は、ねじ6−6のよう
な適合板装着手段を外すこと、適合板5、適合板5に固
着されたシールド部材10、およびシールド部材10に
離脱可能に支持されたシールドリング20とを一体的に
持ち上げて外すことにより、容易に取り外すことができ
る。次に、二重機能基板支持部材(dual-function subs
trate support member)とシールド構成部材16は、図
2に示す3つの装着用ねじ9−9を外すことにより容易
に取り外せる。これに代えて、シールドリング20は、
位置指定された隙間(locating space)17から単に持
ち上げることによって外すことができる。すなわち、も
し望むなら、シールド10を外さず基板支持部材16を
取り外すために、シールドリング20を外すことができ
る。明らかに、シールド構成要素は、例えば、ねじ9−
9を用いて基板支持部材16を取り付け、シールドユニ
ットを挿入し、ねじ6−6を介して当該ユニットを取り
付けることによって交換される。
As mentioned above, this shield is uniquely
It provides sufficient and effective shielding of the chamber as well as unique ease of removal. In particular, the effective shielding action is a cylindrical shield member 10, a relatively wide substrate support member 16 (ie, a support that extends laterally beyond the substrate).
And the shield ring 20. The shield ring 20 straddles both the substrate support member 16 and the bottom portion extending inside the shield member 10. These overlapping components make the processing area of the chamber 8 the rest of the chamber interior.
rior) to shield other areas from deposition, such as chamber walls 3 and internal chamber features such as the movable elevator 18 below the substrate support member 16. The shield element includes a fitting plate mounting means such as a screw 6-6, a fitting plate 5, a shield member 10 fixed to the fitting plate 5, and a shield ring 20 detachably supported by the shield member 10. It can be easily removed by lifting and removing it integrally. Next, the dual-function substrate support member (dual-function subs)
The trate support member) and the shield component 16 can be easily removed by removing the three mounting screws 9-9 shown in FIG. Instead of this, the shield ring 20 is
It can be removed by simply lifting it from the locating space 17. That is, if desired, the shield ring 20 can be removed to remove the substrate support member 16 without removing the shield 10. Obviously, the shield component may be, for example, a screw 9-
It is replaced by attaching the substrate support member 16 using 9 and inserting the shield unit and attaching the unit via screws 6-6.

【0017】本発明の他の態様に従えば、突起(protru
sions )又はバンプ(bumps )35−35(図1、図4
参照)のような基板位置決め手段又はセンタリング手段
は、基板14の搭載位置の周辺にある基板支持部材16
の上面に形成され、基板14を支持部材16上に正確に
センタリングする。図4に示すように、4つの位置決め
用バンプ35−35は、ウエハ14の周囲360度に対
し位置決め機能が発揮できるように、90度の角度間隔
で矩形配置になっている。この位置指定手段は、ウエハ
14の基板支持部材16に対する相対的な横方向の動き
を制限する。これによって、ウエハ処理の為に基板支持
部材16上の所望位置に位置決めされることを確実に
し、さらに、ロボットブレード34により拾い上げるこ
とができる位置にウエハが支持部材上に置かれることを
確実にする。この位置指定機能は、ウエハ全体のデポジ
ションを可能にする。すなわち、エッジクランプを用い
ることなく、つまり、固定子が不要なまま、ウエハ14
のような基板の全面を覆うデポジションを許容するもの
である。好ましくは、位置決めバンプ35−35は、処
理環境中に塵埃が剥がれ落ちる原因になり得る尖った角
を避けるために丸く、たとえば、半球状になっている。
According to another aspect of the invention, a protru
sions) or bumps 35-35 (FIGS. 1 and 4)
Substrate positioning means or centering means, such as a substrate support member 16 around the mounting position of the substrate 14
Is formed on the upper surface of the substrate to accurately center the substrate 14 on the support member 16. As shown in FIG. 4, the four positioning bumps 35-35 are arranged in a rectangular arrangement at angular intervals of 90 degrees so that the positioning function can be exerted with respect to the circumference 360 degrees of the wafer 14. The position designating means limits the lateral movement of the wafer 14 relative to the substrate support member 16. This ensures that the wafer is positioned at the desired position on the substrate support member 16 for wafer processing, and further that the wafer is placed on the support member at a position where it can be picked up by the robot blade 34. . This position specification function enables the deposition of the entire wafer. That is, without using the edge clamp, that is, without using the stator, the wafer 14
The above-mentioned deposition is allowed to cover the entire surface of the substrate. Preferably, the locating bumps 35-35 are round, eg, hemispherical, to avoid sharp corners that can cause dust to fall off in the processing environment.

【0018】図1、2、および4に示すように、図示さ
れたチャンバシステム2においては、基板支持部材16
は昇降機18に搭載され、第2垂直昇降機あるいは昇降
機構32によって垂直に可動されるピン30−30の配
置(arrangement )に対して相対的に垂直移動する。図
4に示す基板搬送ブレード34の統制された水平方向の
動作と連動した基板支持部材16と基板支持ピン30−
30(開口33−33を介して基板支持体16中に延び
ているピン)の統制された垂直動作は、チャンバ2に対
する基板の出し入れ(into and out)および基板支持部
材16に対する基板の載置・引上げ(onto and off)を
行う。さらに、昇降機18による基板支持部材16の垂
直動作は、ガス導入口および/またはスパッタリングタ
ーゲットのような原料供給源に対する相対的な高精度位
置決めを許容する。この種の自動基板交換・位置決めシ
ステムは、当該技術で知られており、例えば、1990
年8月28日に発行された発明者メイダン(Maydan)ら
による米国特許第4,951,601号に開示されてい
る。
In the illustrated chamber system 2, as shown in FIGS. 1, 2, and 4, the substrate support member 16 is shown.
Is mounted on the elevator 18 and moves vertically relative to the arrangement of the pins 30-30 vertically moved by the second vertical elevator or the elevator mechanism 32. The board supporting member 16 and the board supporting pin 30 that are interlocked with the controlled horizontal movement of the board carrying blade 34 shown in FIG.
The controlled vertical movement of 30 (pins extending into the substrate support 16 through the openings 33-33) causes the substrate to go in and out of the chamber 2 and the placement of the substrate in and out of the substrate support member 16. Pull up (onto and off). Further, vertical movement of the substrate support member 16 by the elevator 18 allows for high precision positioning relative to a gas inlet and / or a source of material such as a sputtering target. Automatic substrate exchange / positioning systems of this type are known in the art, eg, 1990.
U.S. Pat. No. 4,951,601 by Inventor Maydan et al., Issued Aug. 28, 1996.

【0019】上記した可動部によってもたらされる複雑
性にも拘らず、このデポジションシールドシステム1
は、不要なデポジションに対する効果的シールドを提供
し、容易に離脱および交換を可能にする。ここで特記す
べきことは、図示の円筒形シールドシステム1は円形半
導体ウエハに対して形成されたものであるが、その他の
シールド形状も他の基板やチャンバの形状と適合すると
いう要求に応じて用いることができる。
Despite the complexity introduced by the moving parts described above, this deposition shield system 1
Provides an effective shield against unwanted deposition and allows easy removal and replacement. It should be noted that although the illustrated cylindrical shield system 1 is formed for a circular semiconductor wafer, other shield shapes are also required to match other substrate and chamber shapes. Can be used.

【0020】本発明の他の態様によると、基板支持体1
6の対応する開口37−37を介して突き刺されている
複数のピン36−36の形式で設けられた間隔保持手段
(spacer means)は、基板支持体16のちょうど上面上
で基板14を支える。基板支持部材16とウエハ14の
間の小さな間隔50を備えることによって、間隔保持手
段は、基板縁で露出された基板支持部材の周辺部に沿っ
て堆積される材料が基板に付着すること、および支持部
材が基板に付着することを防止する。間隔保持手段は、
このように全ウエハデポジションを容易にする。ピン3
6−36の高さは、基板と基板支持体16との間に約
0.5〜1ミリメートルの隙間を与える程度が好まし
い。約1ミリメートルを超える間隔は、堆積材料を基板
の裏側に到達させるかもしれない。
According to another aspect of the invention, the substrate support 1
Spacer means provided in the form of a plurality of pins 36-36 pierced through six corresponding openings 37-37 support the substrate 14 just above the substrate support 16. By providing a small gap 50 between the substrate support member 16 and the wafer 14, the spacing means allows the material deposited along the perimeter of the substrate support member exposed at the substrate edge to adhere to the substrate, and The support member is prevented from adhering to the substrate. The interval holding means is
In this way, all wafer deposition is facilitated. Pin 3
The height of 6-36 is preferably such that it provides a gap of about 0.5 to 1 millimeter between the substrate and the substrate support 16. Spacings greater than about 1 millimeter may allow the deposited material to reach the backside of the substrate.

【0021】図3は、シールドされた別の基板支持体1
6Aを示すものであり、この基板支持体16Aは、高速
の(higher rate )デポジション、典型的にはアルミニ
ウム、アルミニウムを含む化合物及び材料のような比較
的低ストレス材料の場合に適する。特筆すべきは、典型
的な処理がウエハに対して約1000オングストローム
の材料を堆積するものであり、その結果、支持体ペデス
タル16を洗浄する前に、およそ5000枚のウエハを
処理する。しかし、アルミニウムの厚さは、ウエハ毎に
10,000オングストロームにすることができる。裏
側へのデポジションの可能性があるという理由から、こ
のデポジションの厚さを増加させるために十分なほど間
隙50を広げることはできない。これに代えて、ここで
は、基板14の周囲に沿って基板支持体16Aに窪みあ
るい溝38が形成されている。溝38は、材料を基板に
付着させることなく、支持体上の基板の位置決め及び方
向付けを邪魔することなく、基板14の縁に沿った支持
体16上の(平面形状に関わる)堆積材料の付加的形成
を許容する。
FIG. 3 shows another shielded substrate support 1
6A, this substrate support 16A is suitable for higher rate deposition, typically relatively low stress materials such as aluminum, aluminum containing compounds and materials. Notably, a typical process deposits about 1000 angstroms of material on a wafer, resulting in the processing of approximately 5000 wafers before cleaning the support pedestal 16. However, the aluminum thickness can be 10,000 Angstroms per wafer. The gap 50 cannot be wide enough to increase the thickness of this deposition because of the potential for backside deposition. Instead of this, a recessed groove 38 is formed along the periphery of the substrate 14 in the substrate support 16A. The grooves 38 allow deposition of deposited material (involved in planar geometry) on the support 16 along the edges of the substrate 14 without adhering the material to the substrate and without disturbing the positioning and orientation of the substrate on the support. Allow additional formation.

【0022】図3に示す実施例において、中心位置決め
手段は溝38中に位置しており、調整された長さに引き
延ばされた中心位置決め用ピン40−40を含んでい
る。細長いネジ付きセンタリング用ピン40−40は、
図1の、より小さな(より短い)センタリング用バンプ
あるいは突起35−35に代えて、貫通口を介して基板
支持体16Aに取り付けられている。また、ルーフ25
とその下の基板支持体との隙間51は、ルーフが基板に
接着してしまうことを防止している。さらに、内方に延
びたルーフの半径方向の長さのために、ルーフを支えて
いる表面に堆積材料が至らない。
In the embodiment shown in FIG. 3, the center locating means is located in the groove 38 and includes center locating pins 40-40 which are elongated to an adjusted length. The elongated threaded centering pin 40-40 is
Instead of the smaller (shorter) centering bump or protrusion 35-35 of FIG. 1, it is attached to the substrate support 16A via a through hole. Also, the roof 25
A gap 51 between the substrate and the substrate support thereunder prevents the roof from adhering to the substrate. Furthermore, due to the radial length of the inwardly extending roof, the surface bearing the roof is free of deposited material.

【0023】このシールドシステム1の各構成要素とし
て有効な材料には、ステンレス鋼、アルミニウム、チタ
ニウムおよび銅などが含まれる。ステンレス鋼は、洗浄
が比較的容易である点で好ましい材料である。アルミニ
ウムや銅は、ステンレス鋼に付着しないタングステンの
ような材料を堆積するときに望ましい。
Materials effective as the respective constituent elements of the shield system 1 include stainless steel, aluminum, titanium and copper. Stainless steel is the preferred material because it is relatively easy to clean. Aluminum and copper are desirable when depositing materials such as tungsten that do not adhere to stainless steel.

【0024】図4は、単純化された概略図であり、ウエ
ハ14、位置決め又はセンタリング手段(35または4
0)、基板支持部材16及びロボット搬送ブレード34
との関係を示す。この実施例において、位置決め手段
は、基板支持体16の近周辺部に沿って90度の間隔で
配置された4つの突起35−35を備え、基板の周囲3
60度にわたる位置決めを保証する。
FIG. 4 is a simplified schematic view of the wafer 14, positioning or centering means (35 or 4).
0), the substrate support member 16 and the robot transport blade 34
Shows the relationship with. In this embodiment, the positioning means comprises four protrusions 35-35 arranged at 90 degree intervals along the near peripheral portion of the substrate support 16 to surround the perimeter 3 of the substrate.
Guarantees positioning over 60 degrees.

【0025】ここで考えられている形式のロボットブレ
ードの操作は周知であるが、操作のモードを再検討し、
各構成要素間の協働関係の理解を確実にする。ウエハ1
4を支持体16上に置くために、ウエハ14はロボット
ブレード34の上に位置決めされ、そのブレード34は
通常、チャンバ壁内のスリットバルブ制御(slit valve
-controlled )の開口又は他の適当な開口(図示せず)
を通じて、チャンバ内に挿入される。引っ込んだ(すな
わち低くなった)基板支持体16およびピン列30−3
0の上方にウエハを配置する。ピン30−30は、昇降
機32によって基板支持部材16に対して持ち上げら
れ、基板14をロボットブレード34から引き上げる。
ロボットブレード34は引き戻され、昇降機32とピン
30−30は基板支持部材16に対して下降する。これ
により、位置決め手段35−35によりセンタリングさ
れながら、基板はスペーサ支持ピン36−36上に基板
で堆積する。図示された実施例においては、昇降機18
は、処理領域やスパッタリング源(sputtering source
)やガス導入口などに対する、支持体16および基板
14の垂直位置を変化させ、製造処理を制御するために
利用することができる。
The operation of robot blades of the type considered here is well known, but the mode of operation is reexamined,
Ensure understanding of the collaborative relationships between each component. Wafer 1
In order to place the 4 on the support 16, the wafer 14 is positioned on a robot blade 34, which is typically a slit valve control in the chamber wall.
-controlled) openings or other suitable openings (not shown)
Through the chamber. Recessed (ie lowered) substrate support 16 and pin row 30-3
Place the wafer above 0. The pins 30-30 are lifted by the elevator 32 with respect to the substrate support member 16 to lift the substrate 14 from the robot blade 34.
The robot blade 34 is pulled back, and the elevator 32 and the pins 30-30 descend with respect to the substrate support member 16. This causes the substrate to deposit on the spacer support pins 36-36 while being centered by the positioning means 35-35. In the illustrated embodiment, the elevator 18
Is a processing area or sputtering source
) Or the gas inlet, etc., and the vertical position of the support 16 and the substrate 14 can be changed and used to control the manufacturing process.

【0026】逆に、処理後に基板14をチャンバから取
り出すために、ピン30−30は、開口33−33を介
して基板支持部材16に対して持ち上げられ、ついで、
ロボットブレード34が基板支持部材16と基板14と
の間に挿入され、スペーサ支持ピン36−36から基板
14を持ち上げる。昇降機32は、昇降ピン30−30
を引き下ろし、ロボットブレード34上で基板14を堆
積する。そして、ロボットブレード34と基板14はチ
ャンバから引き出される。
Conversely, to remove the substrate 14 from the chamber after processing, the pins 30-30 are raised relative to the substrate support member 16 through the openings 33-33, then
A robot blade 34 is inserted between the substrate support member 16 and the substrate 14 to lift the substrate 14 from the spacer support pins 36-36. The elevator 32 uses the lifting pins 30-30.
And the substrate 14 is deposited on the robot blade 34. Then, the robot blade 34 and the substrate 14 are pulled out from the chamber.

【0027】次に、本発明の別の実施例に係る全ウエハ
デポジション装置を図5を参照して説明する。図5は本
実施例に係るPVD装置を示す概略図である。
Next, an all wafer deposition apparatus according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 5 is a schematic diagram showing a PVD device according to this embodiment.

【0028】この装置は、PVDチャンバ内部にシール
ド60、ターゲット70、ペデスタル80、リフタ90
を備えて構成される。シールド60は下方に延びるフラ
ンジ62を有し、ペデスタル80には当該フランジ62
が受容される円周溝82が形成されている。円周溝82
は、ペデスタル80が着脱自在に挿入できる程度に大き
く形成されている。この円周溝82の内側には、昇降ピ
ン30が貫通する昇降用穴84、昇降機18に取り付け
られるねじが挿入される穴86がそれぞれ形成されてい
る。昇降用穴84は、昇降ピン30と対応する位置に形
成されている。
This apparatus includes a shield 60, a target 70, a pedestal 80, and a lifter 90 inside the PVD chamber.
It is configured with. The shield 60 has a flange 62 extending downward, and the pedestal 80 has the flange 62.
Is formed with a circumferential groove 82. Circumferential groove 82
Is large enough to allow the pedestal 80 to be detachably inserted. Inside the circumferential groove 82, an ascending / descending hole 84 through which the ascending / descending pin 30 passes, and a hole 86 into which a screw attached to the ascending / descending machine 18 is inserted are formed. The lifting holes 84 are formed at positions corresponding to the lifting pins 30.

【0029】このペデスタル80は、取付け穴86に挿
入されたねじ9−9により昇降機18に固定されてい
る。昇降機18が上昇すると、図示のように、円周溝8
2にフランジ62が挿入し、チャンバ内壁はターゲット
70がある基板処理領域から遮断される。
The pedestal 80 is fixed to the elevator 18 by screws 9-9 inserted in the mounting holes 86. As the elevator 18 rises, the circumferential groove 8
The flange 62 is inserted into the chamber 2, and the inner wall of the chamber is shielded from the substrate processing region where the target 70 is located.

【0030】以下、本実施例の動作を説明する。まず、
ウエハがロボットにより搬送される。ロボットにより搬
送されたウエハは下面からリフタ90により持ち上げら
れ、その状態を保持する。この状態で、ロボットは戻
る。次に、ペデスタル80が下から上昇してウエハ14
をすくい上げ、ウエハ14をシールド60内まで持ち上
げる。その後、ウエハ14は基板処理領域でスパッタ処
理される。これらの一連の動作中での接触は、リフタ9
0とペデスタル80によるウエハ14の下面のみであ
る。これはウエハ14を搬送する上で、最低限度の接触
であり、その他の接触は全くない。
The operation of this embodiment will be described below. First,
The wafer is transferred by the robot. The wafer carried by the robot is lifted from the lower surface by the lifter 90 and holds the state. In this state, the robot returns. Next, the pedestal 80 is lifted from below and the wafer 14
And the wafer 14 is lifted into the shield 60. Thereafter, the wafer 14 is sputtered in the substrate processing area. The contact during the series of operations is performed by the lifter 9
0 and the bottom surface of the wafer 14 by the pedestal 80 only. This is the minimum contact for carrying the wafer 14, and there is no other contact.

【0031】本実施例によると、接触部が少ないので膜
ハガレなどの異物発生が減り、構造が簡単なので内部治
具(プロセスキット)の交換寿命が伸びる。
According to this embodiment, since the number of contact portions is small, the generation of foreign matter such as film peeling is reduced, and the structure is simple, so that the replacement life of the internal jig (process kit) is extended.

【0032】[0032]

【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、基板処理領域の外側のチャンバあるいは機
構部へのデポジションを有効に防止することができる。
Since the present invention is configured as described above, it is possible to effectively prevent deposition on the chamber or the mechanism portion outside the substrate processing region.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明を具体化した遮蔽された処理用チャンバ
の簡略化された部分的垂直断面構成図である。
FIG. 1 is a simplified partial vertical cross-sectional block diagram of a shielded processing chamber embodying the present invention.

【図2】自動基板交換システムの簡略化された部分的垂
直断面構成図である。
FIG. 2 is a simplified partial vertical cross-sectional configuration diagram of an automatic substrate exchange system.

【図3】図1に示されたシールド配置構造の他の実施例
を描いた図である。
FIG. 3 is a diagram illustrating another embodiment of the shield arrangement structure shown in FIG.

【図4】ウエハ、ウエハ支持部材、ウエハ中心位置決め
手段およびロボット搬送ブレードの関係を示す簡略構成
図である。
FIG. 4 is a simplified configuration diagram showing a relationship among a wafer, a wafer supporting member, a wafer center positioning unit, and a robot carrying blade.

【図5】本発明の別の実施例に係るウエハ、ウエハ支持
部材、ウエハ中心位置決め手段およびロボット搬送ブレ
ードの関係を示す簡略構成図である。
FIG. 5 is a simplified configuration diagram showing a relationship among a wafer, a wafer supporting member, a wafer center positioning unit, and a robot carrying blade according to another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…デポジションシールド、2…スパッタリング用チャ
ンバ、3…円筒形チャンバ壁、4…支持環、5…適合
板、6、9、12…ねじ、7…Oリング、8…チャンバ
処理領域、10…シールド部材、11…上部リップ、1
3…底壁、14…基板、15…フランジ、16、16A
…基板支持体(基板支持部材)、17…隙間、18…垂
直移動昇降機構、20…シールドリング、22…テーパ
付きフランジ、23…外側フランジ、25…ルーフ、3
0…基板支持用ピン、32…昇降機、34…ロボットブ
レード、35…位置決め用バンプ(位置決め手段)、3
6…スペーサ支持ピン、33、37…開口、38…窪み
又は溝、40…中心位置決め用ピン,51…隙間。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Deposition shield, 2 ... Sputtering chamber, 3 ... Cylindrical chamber wall, 4 ... Support ring, 5 ... Fitting plate, 6, 9, 12 ... Screw, 7 ... O ring, 8 ... Chamber processing area, 10 ... Shield member, 11 ... upper lip, 1
3 ... Bottom wall, 14 ... Substrate, 15 ... Flange, 16, 16A
... substrate support (substrate support member), 17 ... gap, 18 ... vertical movement lifting mechanism, 20 ... shield ring, 22 ... tapered flange, 23 ... outer flange, 25 ... roof, 3
0 ... Board support pins, 32 ... Elevator, 34 ... Robot blade, 35 ... Positioning bumps (positioning means), 3
6 ... Spacer support pins, 33, 37 ... Openings, 38 ... Dimples or grooves, 40 ... Center positioning pins, 51 ... Gap.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 神保 毅 千葉県成田市新泉14−3野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン株 式会社内 (72)発明者 高浜 宏行 千葉県成田市新泉14−3野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン株 式会社内 (72)発明者 斉藤 昭彦 千葉県成田市新泉14−3野毛平工業団地内 アプライド マテリアルズ ジャパン株 式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Takeshi Jinbo 14-3 Shinizumi, Narita, Chiba Prefecture Nogedaira Industrial Park Applied Materials Japan Co., Ltd. (72) Hiroyuki Takahama 14-3 Shinizumi, Narita, Chiba Prefecture Inside the Nogedaira Industrial Estate Applied Materials Japan Co., Ltd. (72) Inventor Akihiko Saito 14-3 Shinsen, Narita, Chiba Prefecture Inside the Nogedaira Industrial Park Applied Materials Japan Co., Ltd.

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板を取り囲むのに適し、基板処理中に
チャンバ領域近傍(adjacent)へのデポジションを防ぐ
密閉形状の壁手段(a wall means)と、 前記壁手段及び前記基板間で離脱自在(removable )に
配置できる形状を有し、前記基板の周辺近傍領域をデポ
ジションからシールドするシールドリングとを備えた、 チャンバ内で処理中の基板に対して制限的デポジション
(confining deposition)を行うためのシールド装置
(shield arrangement)。
1. A hermetically-shaped wall means suitable for enclosing a substrate and preventing deposition to a chamber area during substrate processing, and detachable between said wall means and said substrate. (Confining deposition) is performed on a substrate being processed in a chamber, which has a shape that can be arranged (removable) and includes a shield ring that shields a peripheral region of the substrate from deposition. Shield arrangement for (shield arrangement).
【請求項2】 処理領域を取り囲む壁を有するチャンバ
と、 所定の基板支持位置で基板を支持する基板支持体と、 前記基板支持位置を取り囲み、基板処理中に前記チャン
バの内壁にデポジションが為されることを防ぐために前
記チャンバ内壁をシールドする壁状シールド手段(a wa
ll-like shield means)と、 前記基板と前記基板支持体との間に隙間を保って基板を
支持するため前記基板支持体上に設けられ、前記基板支
持体上にデポジションされた材料が基板に付着すること
を防ぐ間隔保持手段(spacer means)とを備え、 前記壁状シールド手段は、さらに、前記基板支持体の縁
から所定距離をおいて前記基板搭載位置(substrate mo
unting position )の周辺近傍で前記基板支持体の縁か
ら所定距離離れて位置する垂直フランジ、および前記フ
ランジ及び前記基板支持体(substrate holder)間の空
間に受容されて前記基板の縁の近傍で離脱可能に配置さ
れる下方に延びたフランジを含み前記基板支持体及び前
記シールド手段に重なり処理領域の外でのデポジション
を防ぐシールドリングとを備えるデポジション装置。
2. A chamber having a wall surrounding a processing region, a substrate support for supporting a substrate at a predetermined substrate supporting position, a substrate surrounding the substrate supporting position, and a deposition on an inner wall of the chamber during substrate processing. Wall-shaped shield means (a wa) for shielding the inner wall of the chamber to prevent
ll-like shield means) and a material provided on the substrate support for supporting the substrate with a gap between the substrate and the substrate support, and the material deposited on the substrate support being the substrate. Spacer means for preventing adhesion to the substrate, the wall-shaped shield means further includes a predetermined distance from an edge of the substrate support, and the substrate mounting position.
a vertical flange located at a predetermined distance from the edge of the substrate support near the periphery of the unting position) and detached near the edge of the substrate by being received in the space between the flange and the substrate holder. A deposition apparatus including a downwardly disposed flange that is operably disposed and that overlaps the substrate support and the shield means to prevent deposition outside a processing region.
【請求項3】 前記基板支持体は、前記基板の周辺に沿
って設けられた位置決め手段を備え、前記基板を所定の
基板搭載位置に中心位置決めすべく前記基板の周縁に係
合する請求項2に記載のデポジション装置。
3. The substrate support includes positioning means provided along the periphery of the substrate, and engages with the peripheral edge of the substrate to center the substrate at a predetermined substrate mounting position. The deposition device described in.
【請求項4】 前記基板支持体は、前記基板搭載位置の
周囲に沿って延在する溝又は窪み(groove or channel
)をさらに有し、前記基板支持体上における前記基板
の位置決めに支障を来たすことなく前記基板周辺の基板
支持体上にデポジションがなされる請求項2に記載のデ
ポジション装置。
4. The substrate support has a groove or a groove extending along the periphery of the substrate mounting position.
3. The deposition apparatus according to claim 2, further comprising :), and the deposition is performed on the substrate support around the substrate without hindering the positioning of the substrate on the substrate support.
【請求項5】 前記溝又は窪み内に設けられて前記基板
を所定の前記基板搭載位置に配置すべく前記基板の周辺
に係合する位置決め手段をさらに有する請求項4に記載
のデポジション装置。
5. The deposition apparatus according to claim 4, further comprising a positioning means that is provided in the groove or the recess and that engages with a periphery of the substrate to position the substrate at a predetermined substrate mounting position.
【請求項6】 前記位置決め手段は、前記溝又は窪みに
沿って間隔を開けて配置された複数のピンを備えている
請求項5に記載のデポジション装置。
6. The deposition apparatus according to claim 5, wherein the positioning means includes a plurality of pins arranged at intervals along the groove or the recess.
【請求項7】 基板の処理中にチャンバの周辺領域上に
デポジションされることを防ぐデポジション装置におい
て、 前記チャンバの一端部に装着される装着部、前記基板を
前記チャンバの内壁から隔離する隔離壁、および前記基
板を昇降するリフタ側に延びたフランジ部を有するシー
ルド部材と、 前記シールド部材のフランジ部が挿入される凹部、およ
び前記基板が搭載される基板搭載部を有する基板支持部
材と、 を備えるデポジション装置。
7. A deposition apparatus for preventing deposition onto a peripheral region of a chamber during processing of a substrate, wherein a mounting portion mounted at one end of the chamber and the substrate are isolated from an inner wall of the chamber. A shield member having an isolation wall and a flange portion extending toward the lifter that moves up and down the substrate, a recess into which the flange portion of the shield member is inserted, and a substrate support member having a substrate mounting portion on which the substrate is mounted. , A deposition device comprising.
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