KR100307074B1 - Deposition chamber having a separator to protect target surfaces from contamination and a shutter for multi-substrates - Google Patents

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Abstract

PURPOSE: A deposition chamber having a separator for preventing contamination of target surfaces and a shutter for preventing contamination of substrates for multi-component deposition is provided to increase quality of a thin film by simply solving demerits generated during working process in a physical vapor deposition equipment. CONSTITUTION: The deposition chamber having a separator for preventing contamination of target surfaces and a shutter for preventing contamination of substrates for multi-component deposition comprises a substrate holder(44) which is rotated using a driving handle(41) of the outer part of a deposition tank(45), both ends of which are fastened and closely adhered to the upper ends of the deposition tank(45) by screws, and into which a plurality of holes are perforated so as to use a plurality of substrates, wherein a substrate shaped groove having a certain depth is formed on a part to be contacted with a substrate(43) so as to fix the substrate(43) into the groove; a shutter(10) which is mounted on underneath the substrate holder(44) inside the deposition tank, and at the central part of which a screw hole is formed for mounting and dismounting a driving shaft and a cover of the deposition tank, and a deposition hole for depositing a desired material by exposing a substrate to be deposited is formed so that the shutter(10) is rotated by a driving unit(42) coupled to the driving shaft; and a separator(20) which separates two or more cathode bodies(46) so as to prevent contamination of target surfaces of the cathode bodies(46) using a lower partition, and in which a hole having a diameter slightly larger than a target diameter is perforated into an upper cover in such a way that the hole is on the line perpendicular to the target surface.

Description

다원계 증착을 위한 표적표면 오염 방지용 나누개 및 기판 오염 방지용 가리개를 가진 증착조 {Deposition chamber having a separator to protect target surfaces from contamination and a shutter for multi-substrates}Deposition chamber having a separator to protect target surfaces from contamination and a shutter for multi-substrates}

본 발명은 다원계 증착을 위해 표적표면 오염 방지용 나누개 및 기판 오염 방지용 가리개를 장착한 증착조에 관한 것으로, 특히 본 발명은 다원계 전리체 증착장비에 사용할 수 있으며, 음극체(cathode)가 두 개 이상 장착된 경우, 전리체 발생시 한 음극체의 표적표면이 다른 음극체의 표적표면에서 발생한 전리체에 의해 오염되는 것을 방지할 수 있도록 발명된 나누개(separator)와, 한꺼번에 다수개의 기판을 사용할 수도 있고 한 기판 위에 다층의 막을 증착할 수도 있는데 이때 진공을 깨거나 표적을 교환하는 번거로움을 없애고 다수개의 기판 역시 원하지 않는 물질의 증착을 피하면서 원하는 물질만 선별하여 증착할 수 있도록 기판 지지대(holder) 바로 밑에 장착한 하나의 증착용 구멍이 뚫린 가리개(shutter)를 장착한 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a deposition tank equipped with a target surface contamination prevention divider and a substrate contamination prevention shield for plural-based deposition. In particular, the present invention can be used in a multi-element ionizer deposition apparatus, and has two cathodes. In the case of abnormal mounting, a separator and a plurality of substrates may be used at the same time to prevent the target surface of one anode from being contaminated by the ionizer generated from the target surface of the other cathode when the ion is generated. It can also deposit multiple layers on one substrate, eliminating the hassle of breaking a vacuum or exchanging targets and avoiding the deposition of unwanted materials. It relates to a device equipped with a deposition hole shutter mounted directly underneath.

현재 연구소 또는 대학에서 연구 목적으로 사용되는 전리체 증착장비 기술에서는 한 기판 위에 다층의 박막을 증착시켜 특성을 조사하는 경향이 두드러지고 있다.In the present invention, an ion deposition apparatus technology used for research purposes has been a trend to investigate the characteristics by depositing a multi-layered thin film on one substrate.

그런데 기존 장비를 사용하여 다층의 박막을 형성시킬 때, 다음과 같이 공정상 몇가지 문제점과 불편 사항이 있다.However, when forming a multi-layered thin film using the existing equipment, there are some problems and inconveniences in the process as follows.

1) 증착조 내에 다수개의 음극체가 설치되어 있는 경우, 음극체 위에 가리개가 있기 때문에 증착시 가리개가 표적표면을 가리지 않을 정도로 움직일 수 있는 충분한 공간이 필요하므로, 증착조의 직경은 설치된 음극체의 수에 따라 커져야 한다.1) In the case where a plurality of cathode bodies are installed in the deposition tank, since there is a shield on the cathode body, a sufficient space for moving the shield to cover the target surface during deposition is required. Therefore, the diameter of the deposition tank depends on the number of cathode bodies installed. Must grow accordingly.

2) 증착 중 사용되지 않는 음극체를 가리개로 닫아 놓아도 가리개와 음극체 사이의 틈새로 전리체가 영향을 미치므로 표적표면이 오염된다.2) Even if the unused cathode body is closed with a shade during deposition, the ionosphere is affected by the gap between the shade and the cathode body, which contaminates the target surface.

3) 기판 지지대에 다수개의 기판을 사용하는 경우, 발생한 전리체에 의해 모든 기판에 증착이 이루어지므로, 원하는 기판에만 증착시키는 작업이 어렵다.3) In the case of using a plurality of substrates for the substrate support, since deposition is performed on all the substrates by the generated ionizer, it is difficult to deposit only on the desired substrate.

4) 기판을 하나씩 넣고 작업하는 경우 기판을 바꿀 때마다 진공을 깨고 다시 진공을 형성하는 작업이 반복되기 때문에 이에 따른 시간적, 물적 낭비가 있다.4) In case of putting the boards one by one, there is a waste of time and material because the work of breaking the vacuum and forming the vacuum again is repeated every time the substrate is changed.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 물리적 기상 증착장비의 작업공정 수행중에 나타나는 단점을 간단히 해결하여 박막의 품질과 연구 효율을 높이고, 동일한 직경의 증착조 내에 더 많은 수의 음극체를 설치하여 효율적으로 사용할 수 있도록 하고, 나누개를 사용해 음극체와 음극체 사이를 완전히 차폐하여 증착과정 중 사용하지 않는 음극체의 표적표면이 오염되는 것을 방지하며, 다수의 기판을 사용할 수 있도록 하되, 기판 지지대 바로 밑에 하나의 증착용 구멍이 뚫린 가리개를 장착하여 진공을 깨지 않고 원하는 기판에 원하는 물질만을 증착시킬 수 있도록 하여 연구의 효율성을 높임과 동시에 시간적, 물적 낭비를 막는 장비를 제공하는데 있다.An object of the present invention for solving the above problems is to simply solve the shortcomings during the work process of the physical vapor deposition equipment to improve the quality and research efficiency of the thin film, and to increase the number of cathode bodies in the same diameter deposition tank It can be installed and used efficiently, and the divider is used to completely shield between the cathode body and the cathode body to prevent contamination of the target surface of the cathode body which is not used during the deposition process, and to use multiple substrates, It is to provide equipment that prevents time and material waste while improving the efficiency of research by installing the desired material on the desired substrate without breaking the vacuum by installing a screen with a single deposition hole under the substrate support.

도 1은 본 발명 가리개의 평면도이고,1 is a plan view of the shade of the present invention,

도 2는 본 발명 나누개의 평면도이고,2 is a plan view of the present invention divider,

도 3은 본 발명 나누개의 단면도이고,3 is a cross-sectional view of the present invention divider,

도 4는 본 발명 가리개와 나누개가 장착된 증착조의 조립 단면도이다.4 is an assembled cross-sectional view of a deposition tank equipped with a shade and a divider of the present invention.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

(10) : 가리개 (11) : 나사용 구멍(10): shade (11): screw hole

(12) : 증착용 구멍 (20) : 나누개(12): hole for deposition 20: dividing

(21) : 구멍 (22) : 상부 덮개21: hole 22: top cover

(23) : 칸막이 (41) : 구동 손잡이23: partition 41: drive knob

(42) : 구동장치 (43) : 기판42: drive device 43: substrate

(44) : 기판 지지대 (45) : 증착조44: substrate support 45: vapor deposition tank

(46) : 음극체 (47) : 창문(46): Cathode Body 47: Window

상기한 바와 같은 목적을 달성하고 종래의 결점을 제거하기 위한 과제를 수행하는 본 발명의 실시예로 그 구성과 작용 결과를 첨부도면에 연계시켜 상세히 설명하면 다음과 같다.Embodiment of the present invention to achieve the object as described above and to perform the problem for eliminating the conventional defects will be described in detail in connection with the configuration and operation results in the accompanying drawings.

도 1은 도 4에 나타낸 증착조 내부의 기판 지지대(44) 바로 밑에 장착된 가리개(10)로 중심 부분에 구동축과 증착조 뚜껑과의 장착 및 탈착을 위한 나사 구멍(11), 그리고 증착시킬 기판을 노출시켜 원하는 물질을 증착시키기 위한 증착용 구멍(12)으로 되어 있고, 재질은 전해 처리된 내 부식성 재료(예: 스테인레스 강)로 되어 있다.FIG. 1 is a shade 10 mounted directly under the substrate support 44 in the deposition tank shown in FIG. 4, and a screw hole 11 for attaching and detaching the drive shaft and the deposition tank lid to a central portion thereof, and the substrate to be deposited. Is a deposition hole 12 for depositing a desired material by exposing the material, and the material is made of a corrosion resistant material (eg, stainless steel) that has been electrolytically treated.

상기 가리개(10)는 구동장치(42)를 이용해 360。로 정방향과 역방향 회전이 가능하며 속도 조절도 가능하다.The shade 10 can be rotated forward and backward by 360 ° using the drive device 42 and the speed can be adjusted.

도 2는 증착 중 전리체에 의해 동작하지 않는 음극체(46)의 표적표면이 오염되는 것을 방지하기 위해서 사용하는 나누개(20)이다.FIG. 2 is a divider 20 used to prevent contamination of the target surface of the cathode body 46, which is not operated by the ionizer during deposition.

두 개 이상의 음극체(46)가 장착된 증착장비에 사용할 수 있는데, 나누개(20)의 상부 덮개(22)에 표적 직경보다 약간 작은 크기의 직경을 갖는 구멍(21)이 표적표면과 수직선상에 뚫려 있고, 도 3에 보이는 것처럼 칸막이(23)가 되어 있으며, 재질은 전해 처리된 내 부식성 재료(예: 스테인레스 강)로 되어 있다.It can be used in a deposition apparatus equipped with two or more cathode bodies 46. A hole 21 having a diameter slightly smaller than the target diameter in the upper cover 22 of the divider 20 is perpendicular to the target surface. It is drilled in and has a partition 23 as shown in FIG. 3, and the material is an electrolytically treated corrosion resistant material (for example, stainless steel).

상기 나누개(20)는 음극체(46) 보다 높은 곳에 위치하므로(도 4 참조) 양 옆으로 퍼지는 전리체는 칸막이(23)에 의해 다른 음극체(46)에 장착된 표적표면을 오염시키지 못하며, 구멍(21) 폭이 표적 직경보다 작으므로 비교적 직진성이 높은 전리체 영역만이 기판까지 도달할 수 있다.Since the dividing 20 is located higher than the cathode body 46 (see FIG. 4), the ionizing body spreading on both sides does not contaminate the target surface mounted on the other cathode body 46 by the partition 23. Since the width of the hole 21 is smaller than the target diameter, only the ionizing region having a relatively straightness can reach the substrate.

도 4는 가리개(10)와 나누개(20)가 설치된 상태인 증착조의 조립 단면도이다.4 is an assembled cross-sectional view of the deposition tank in which the shade 10 and the divider 20 are installed.

기판 지지대(44)는 증착조(45) 외부에 구동 손잡이(41)를 사용하여 회전시킬 수 있고, 증착조(45) 상단에 양끝을 나사로 조여 밀착시키며, 다수의 기판(43)을 사용할 수 있도록 여러 개의 구멍이 뚫려 있고 기판(43)과 닿는 부분은 기판(43) 모양대로 약간의 깊이를 갖는 홈을 내어 기판 지지대(44)에 닿는 기판(43)의 일부가 그 홈에 고정될 수 있도록 하였고, 기판 지지대(44)의 바로 밑에 가리개(10)를 장착하였다.The substrate support 44 may be rotated by using the driving knob 41 on the outside of the deposition tank 45, and both ends of the substrate support 44 may be screwed to the top of the deposition tank 45, and a plurality of substrates 43 may be used. Several holes are drilled and the part contacting the substrate 43 has a groove having a little depth in the shape of the substrate 43 so that a part of the substrate 43 touching the substrate support 44 can be fixed to the groove. The shade 10 was mounted directly below the substrate support 44.

표적표면과 기판(43) 사이의 거리는 음극체(46)의 위치를 상하로 움직여 조절 가능하고 나누개(20)가 음극체(46)보다 높은 곳에 위치하도록 배치하였으며, 진공 상태인 증착조(45)의 내부 상황을 확인하고, 증착 작업시 기판(43)의 위치를 확인하기 위한 창문(47)이 설치되어 있다.The distance between the target surface and the substrate 43 is adjustable by moving the position of the cathode body 46 up and down, and the dividing 20 is positioned above the cathode body 46, and the deposition tank 45 in a vacuum state. The window 47 for checking the internal situation of the) and the position of the substrate 43 during the deposition operation is provided.

이하 첨부한 도면을 참조하여 증착조(45)내에 음극체(46)가 네 개 장착되고 각 음극체(46)에 Cu, Ti, Al, Ag등 네 개의 금속 표적이 사용된 경우, 가리개(10)와 나누개(20)를 부착 후 증착작업의 실시 예를 상세히 살펴본다.When four cathode bodies 46 are mounted in the deposition tank 45 and four metal targets such as Cu, Ti, Al, and Ag are used in each of the cathode bodies 46 with reference to the accompanying drawings, Look at the embodiment of the deposition operation after attaching the) and the divider 20 in detail.

[실시예 1]Example 1

한 개의 기판을 사용하고 기판(43)에 Ag, Al, Ti, Cu를 차례로 증착시켜 Cu/Ti/Al/Ag/기판의 다층막을 형성시킬 경우, 기판(43)을 기판 지지대(44)에 고정시키고 가리개(10)를 증착조(45) 상단에 장착시킨 후 음극체(46)에 Cu, Ti, Al, Ag 표적을 각각 설치하고 나누개(20)로 음극체(46) 사이를 차폐한 후, 기판 지지대(44)를 구동용 손잡이(41)로 회전시켜 기판(43)과 Ag 표적이 마주 보도록 조정한다.When one substrate is used and Ag, Al, Ti, and Cu are sequentially deposited on the substrate 43 to form a multilayer film of Cu / Ti / Al / Ag / substrate, the substrate 43 is fixed to the substrate support 44. After mounting the shade 10 on the top of the deposition tank 45, the Cu, Ti, Al, Ag targets are installed on the cathode body 46 and shielded between the cathode body 46 with a divider 20 The substrate support 44 is rotated by the driving knob 41 to adjust the substrate 43 and the Ag target to face each other.

이때 가리개(10)가 기판을 가린 상태로 있는 것을 확인 후 진공 작업에 들어간다.At this time, after confirming that the shade 10 is in the state of covering the substrate, it enters the vacuum operation.

고진공을 형성하기 위해, 증착조와 회전 진공기 사이의 조동 조절변을 열어 회전 진공기를 이용하여 증착조 내 진공을 4m Torr까지 낮춘 후 조동 조절변을 잠그고 면전 조절변을 연 후, 확산 진공기 등의 고진공 진공기를 사용하여 증착조 내부를 고진공 상태로 유지한다.In order to form a high vacuum, open the coarse adjustment valve between the deposition tank and the rotary vacuum machine, lower the vacuum in the deposition tank to 4m Torr using the rotary vacuum machine, lock the coarse control valve, open the face control valve, and then A high vacuum vacuum is used to maintain the interior of the deposition tank in a high vacuum state.

Ag 표적이 설치된 음극체(46)에 먼저 전원을 연결하여 전리체를 형성시키고 어느 정도 표적의 표면이 세정되었다고 판단되면 가리개(10)를 구동시켜, 창문(47)으로 내부 상황을 확인하면서 기판(43)과 표적이 가리개(10)의 증착용 구멍(12)을 통하여 마주 보도록 조정한다.First, the power source is connected to the cathode body 46 in which the Ag target is installed to form an ionizer. 43) and the target face to face through the deposition hole 12 of the shade 10.

원하는 시간만큼 증착 후 인가된 전원을 끊고, 가리개(10)를 조금 움직여 기판(43)을 가린 후, Al 표적이 설치된 음극체(46)에 전압을 인가한다.After the deposition for a desired time, the applied power is cut off, the shade 10 is moved slightly to cover the substrate 43, and a voltage is applied to the cathode body 46 provided with the Al target.

Al 표적의 표면이 어느 정도 세정되었다고 판단되면 기판 지지대(44)용 구동 손잡이(41)를 이용하여 기판 지지대(44)를 회전시켜 기판(43)과 표적이 마주볼 수 있게 맞추고 가리개(10)를 회전시켜 기판(42)을 노출시킨 후 증착을 행한다.When it is determined that the surface of the Al target has been cleaned to some extent, the substrate support 44 is rotated by using the driving knob 41 for the substrate support 44 so that the substrate 43 and the target face each other, and the shade 10 is moved. It rotates to expose the board | substrate 42, and vapor deposition is performed.

Al 증착이 끝난 후 가리개(10)로 기판을 가리고 인가된 전원을 끊은 후, Ti 표적이 설치된 음극체(46)에 전원을 연결하고 Ti 표적의 표면이 어느 정도 세정되었다고 판단되면 기판 지지대(44)를 회전시켜 기판과 Ti 표적을 마주볼 수 있게 위치시키고, 가리개(10)를 회전시켜 기판(43)을 노출시킨 후 증착한다.After Al deposition is finished, the substrate is covered with a shade 10 and the applied power is cut off. After the power is connected to the cathode 46 provided with the Ti target, and the surface of the Ti target is determined to be cleaned to some extent, the substrate support 44 Rotate to position the substrate and the Ti target to face, rotate the shade 10 to expose the substrate 43 and then deposit.

Ti 증착이 끝난 후 가리개(10)로 기판을 가리고 연결된 전원을 끊은 후, Cu 표적이 설치된 음극체(46)에 전압을 인가하고 Cu 표적의 표면이 어느 정도 세정되었다고 판단되면 기판 지지대(44)를 회전시켜 기판과 Cu 표적을 마주볼 수 있게 위치시키고, 가리개(10)를 회전시켜 기판(43)을 노출시킨 후 증착한다.After the Ti deposition is completed, the substrate is covered with the shade 10 and the connected power is disconnected. When the voltage is applied to the cathode 46 provided with the Cu target and the surface of the Cu target is cleaned to some extent, the substrate support 44 is removed. The substrate is rotated to face the Cu target, and the shade 10 is rotated to expose the substrate 43 and then deposited.

[실시예 2]Example 2

기판(43)을 네 개(기판 1, 기판 2, 기판 3, 기판 4) 사용하고 기판 1 위에는 Ti/Cu, 기판 2 위에는 Cu/Al, 기판 3 위에는 Cu/Ti/Al, 기판 4 위에는 Cu/Ti/Al/Ag를 형성시킬 경우에서 진공을 형성하는 공정은 실시 가능한 예 1과 동일하다.Four substrates 43 (substrate 1, substrate 2, substrate 3 and substrate 4) are used, Ti / Cu on substrate 1, Cu / Al on substrate 2, Cu / Ti / Al on substrate 3, Cu / on substrate 4 In the case of forming Ti / Al / Ag, the process of forming a vacuum is the same as in Example 1 which can be implemented.

Ti 표적이 설치된 음극체(46)에 전원을 연결하여 전리체를 형성하고 기판 1을 Ti 표적과 마주볼 수 있게 기판 지지대(44)를 회전시킨 후, 가리개(10)를 움직여 가리개(10)의 증착용 구멍(12)을 통해 기판 1을 개방하여 Ti를 증착시킨다.After connecting the power supply to the cathode 46, the Ti target is installed to form an ionizer, and rotate the substrate support 44 so that the substrate 1 facing the Ti target, and then move the shade 10 to move the shade 10 The substrate 1 is opened through the deposition hole 12 to deposit Ti.

이 때 기판 2, 기판 3, 기판 4는 가리개(10)의 면에 의하여 전리체로부터 완전히 차단된 상태이다.At this time, the board | substrate 2, the board | substrate 3, and the board | substrate 4 are in the state completely interrupted | blocked by the surface of the shade 10.

가리개(10)를 조금 움직여 기판 1도 전리체로부터 차폐시킨 후 전원을 끊고 Cu 표적이 설치된 음극체(46)에 전원을 연결하여 전리체를 발생시키고 기판 지지대(44)를 회전시켜 기판 1을 Cu 표적과 마주 볼 수 있게 한 후, 가리개(10)를 움직여 가리개(10)의 증착용 구멍(12)을 통해 기판 1을 개방하여 Cu를 증착시킨다.After the shield 10 is moved slightly to shield the substrate 1 from the ionizer, the power is cut off and the power source is connected to the cathode 46 provided with the Cu target to generate an ion, and the substrate support 44 is rotated to rotate the substrate 1. After making it face to the target, moving the shade 10 to open the substrate 1 through the deposition hole 12 of the shade 10 to deposit Cu.

이어서 기판 2, 기판 3, 기판 4에도 동일한 방법으로 원하는 다층막을 증착시킨다.Subsequently, desired multilayer films are deposited on the substrates 2, 3, and 4 in the same manner.

[실시예 3]Example 3

다섯 개 이상의 기판(43)을 사용하고, 다섯 개 이상의 음극체(46)가 부착된 증착조에서 한 개의 기판(43)에 다섯 층 이상의 막을 올리는 작업을 다섯 개 이상의 기판 수만큼 행하는 경우, 실시 예 1과 실시 예 2의 증착과정에 준하여 순차적으로 동일하게 수행한다.In the case where five or more substrates 43 are used and five or more layers are put on one substrate 43 in a deposition tank to which five or more cathode bodies 46 are attached, the number of substrates is five or more. The same procedure is sequentially performed according to the deposition process of Example 1 and Example 2.

상기와 같은 본 발명은 증착조(45) 상단에 하나의 증착용 구멍(12)이 뚫린 가리개(10)를 설치하였기 때문에, 기존의 장비에서처럼 음극체(46) 상단에 있는 가리개(10)와 가리개의 움직임을 위해 필요한 공간을 확보할 필요가 없으므로 누기(leak)의 원인을 줄일 수 있고 증착조(45)의 직경을 기존의 증착조(45) 보다 작게 할 수 있어 제조원가를 낮출 수 있다.In the present invention as described above, since the screen 10 installed with one deposition hole 12 is formed on the top of the deposition tank 45, the screen 10 and the screen on the cathode body 46, as in the existing equipment Since it is not necessary to secure the space necessary for the movement of the leakage (leak) can be reduced and the diameter of the deposition tank 45 can be made smaller than the conventional deposition tank 45 can reduce the manufacturing cost.

또한 동일한 직경을 갖는 증착조(45) 내에 더 많은 수의 음극체(46)를 설치할 수 있으므로 다층 박막을 증착시키는데 효율적일 뿐만 아니라 다수개의 기판 (43)을 사용하여도 진공을 깨지 않은 상태에서 각 기판(43)마다 원하는 물질만을 선별하여 증착시킬 수 있으므로 각기 다른 조건에서 증착 할 수 있는 장점이 있다.In addition, since a larger number of cathode bodies 46 can be installed in the deposition tanks 45 having the same diameter, they are not only efficient for depositing multilayer thin films, but each substrate can be used without breaking the vacuum even if a plurality of substrates 43 are used. Since only 43 desired materials can be deposited for each (43), there is an advantage that can be deposited under different conditions.

음극체(46) 사이에 음극체(46)의 수만큼 칸막이(31)가 설치된 나누개(20)를 설치하여, 증착 중 사용중인 음극체(46)에 의한 전리체에 의해 사용되지 않는 음극체(46)의 표적표면이 오염되는 것을 방지하는 효과도 있다.A negative electrode body which is not used by an ionizer by the negative electrode body 46 in use by providing a divider 20 provided with partitions 31 as many as the number of negative electrode bodies 46 between the negative electrode bodies 46 is used. There is also an effect of preventing the target surface of (46) from being contaminated.

Claims (1)

전리체 증착장비에 있어서,In the ion deposition apparatus, 증착조(45) 외부의 구동 손잡이(41)를 사용하여 회전되고, 증착조(45) 상단에 양끝을 나사로 조여 밀착시키며, 다수의 기판(43)을 사용할 수 있도록 여러 개의 구멍이 뚫려 있고 기판(43)과 닿는 부분은 기판(43) 모양대로 일정 깊이를 갖는 홈을 내어 기판(43)을 고정될 수 있도록 한 기판 지지대(44);It rotates using the drive knob 41 outside the deposition tank 45, and screwed both ends to the top of the deposition tank 45 to be in close contact with each other, a plurality of holes 43 are drilled and the substrate ( 43 is a part of the substrate support 44 for fixing the substrate 43 by making a groove having a predetermined depth in the shape of the substrate 43; 상기 증착조 내부의 기판 지지대(44) 바로 밑에 장착되고, 중심 부분에 구동축과 증착조 뚜껑과의 장착 및 탈착을 위한 나사구멍(11)이 형성되고, 증착시킬 기판을 노출시켜 원하는 물질을 증착시키기 위한 증착용 구멍(12)이 형성되어 구동축과 결합한 구동장치(42)에 의해 회전하는 가리개(10);Is mounted directly under the substrate support 44 in the deposition tank, a screw hole 11 for mounting and detachment of the drive shaft and the deposition tank lid in the center portion is formed, exposing the substrate to be deposited to deposit the desired material A shade 10 which is formed by a deposition hole 12 for rotation by the driving device 42 coupled with the driving shaft; 두 개 이상의 음극체(46)를 하부 칸막이(23)를 사용하여 동작하지 않는 음극체(46)의 표적표면이 오염되는 것을 방지하도록 나누어 격리시키고, 상부 덮개(22)에 표적 직경보다 약간 작은 크기의 직경을 갖는 구멍(21)이 표적표면과 수직선상에 뚫려 있는 나누개(20);The two or more cathode bodies 46 are separated and separated to prevent contamination of the target surface of the non-operating cathode body 46 using the lower partition 23, and the upper lid 22 has a size slightly smaller than the target diameter. A divider 20 in which a hole 21 having a diameter of is drilled on a vertical line with a target surface; 그리고 음극체(46)가 두 개 이상 장착된 경우, 전리체 발생시 한 음극체의 표적표면이 다른 음극체의 표적표면에서 발생한 전리체에 의해 오염되는 것을 방지하고, 한꺼번에 다수의 기판을 사용할 수 있으며 한 기판 위에 다층의 막을 증착할 수 있도록 한 것을 특징으로 하는 다원계 증착을 위한 표적표면 오염 방지용 나누개 및 기판 오염 방지용 가리개를 가진 증착조.When two or more cathode bodies 46 are mounted, the target surface of one cathode body is prevented from being contaminated by the ionizers generated on the target surface of the other anode body when the ionizer is generated, and a plurality of substrates can be used at the same time. A deposition tank having a target surface contamination prevention divider and a substrate contamination prevention shield for plural-based deposition, characterized in that a multilayer film can be deposited on a substrate.
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