JP2019106560A - Substrate processing device and substrate processing method - Google Patents

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Abstract

To provide a substrate processing device and a substrate processing method, which can appropriately disperse rinse liquid to a position to be cleaned, prevent the device from being enlarged and execute cup cleaning in the middle of lot processing.SOLUTION: A special mode RM has a second rinse process in which under an operation condition different from a condition in a first rinse process in a normal mode NM, rinse liquid is supplied to a substrate W while holding and rotating the substrate W in a spin chuck 20 so that a processing cup 40 is cleaned with the rinse liquid dispersed from the rotated substrate W. In the special mode RM, as the substrate W is held in the spin chuck 20, the rinse liquid dispersed from the substrate W hardly collides with a chuck member 26, and in the special mode RM an exclusive mechanism for cup cleaning needs not to be provided. Further, the special mode RM can be executed when the substrate W is just placed in a chamber 10, which can be executed even in the middle of lot processing.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本発明は、基板処理装置および基板処理方法に関するものである。   The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

従来より、基板の製造工程において、薬液を用いた薬液処理および純水などのリンス液を用いたリンス処理などの基板の表面処理を行ってから乾燥処理を行う基板処理装置が使用されている。このような基板処理装置としては、基板を1枚ずつ処理する枚葉式の装置と、複数枚の基板を一括して処理するバッチ式の装置とが用いられている。   2. Description of the Related Art Conventionally, a substrate processing apparatus has been used which performs a drying process after performing substrate surface processing such as chemical solution processing using a chemical solution and rinsing processing using a rinse solution such as pure water in a substrate manufacturing process. As such a substrate processing apparatus, a single-wafer-type apparatus for processing a substrate one by one and a batch-type apparatus for collectively processing a plurality of substrates are used.

枚葉式の基板処理装置は、通常、回転する基板の表面に薬液を供給しての薬液処理、純水を供給してのリンス処理を行った後、基板を高速回転させて振り切り乾燥を行う。このとき、飛散した処理液の大半はスピンチャックを取り囲むカップの内壁に着液して流下し排液されるが、処理液の一部はカップの内壁に付着したまま回収されない場合がある。カップの内部に付着した処理液は、乾燥するとパーティクルとなり、基板を汚染する原因となる。このため、通常、所定枚数(典型的には、所定ロット)の基板を処理する毎に、カップを洗浄するカップ洗浄処理が行われる。このような枚葉式の基板処理装置は、例えば特許文献1に開示されている。   A single wafer processing type substrate processing apparatus usually performs chemical solution processing by supplying a chemical solution to the surface of a rotating substrate and rinse processing by supplying pure water, and then performs high-speed rotation of the substrate to perform swing-off and drying. . At this time, most of the scattered processing liquid is deposited on the inner wall of the cup surrounding the spin chuck, flows down and drains, but a part of the processing liquid may not be recovered while adhering to the inner wall of the cup. The processing liquid adhering to the inside of the cup becomes particles when it is dried, which causes the substrate to be contaminated. For this reason, a cup cleaning process for cleaning the cup is usually performed each time a predetermined number of substrates (typically, a predetermined lot) of substrates are processed. Such a single wafer type substrate processing apparatus is disclosed, for example, in Patent Document 1.

特許文献1に開示される基板処理装置は、基板を略水平姿勢に保持して回転させるスピンチャックと、スピンチャックに保持された基板の上面に処理液を供給するノズルと、スピンチャックの周囲を取り囲んで基板から飛散した処理液を受け止めるカップと、を備えている。   The substrate processing apparatus disclosed in Patent Document 1 includes a spin chuck that holds and rotates a substrate in a substantially horizontal posture, a nozzle that supplies a processing liquid to the upper surface of the substrate held by the spin chuck, and a periphery of the spin chuck. And a cup for receiving the processing liquid scattered from the substrate.

特開2012−231049号公報JP 2012-231049 A

特許文献1に開示される基板処理装置では、基板を保持していない状態で回転するスピンチャックのうちスピンベース部分(円形の板状部分)にリンス液(典型的には純水)を供給して、回転の遠心力によってスピンベースからリンス液が飛散する。リンス液はカップおよびその周囲に飛散し、これらの飛散箇所を洗浄する。   In the substrate processing apparatus disclosed in Patent Document 1, a rinse liquid (typically pure water) is supplied to a spin base portion (a circular plate-like portion) of a spin chuck rotating without holding a substrate. The rinse liquid is scattered from the spin base by the centrifugal force of rotation. The rinse liquid splashes around the cup and its periphery, and cleans these splash points.

しかしながら、特許文献1のように回転するスピンベースにリンス液を供給して該リンス液を飛散させる態様では、スピンチャックのうち基板を把持するためのチャック機構(典型的には、突起形状)にリンス液が衝突し、薬液が付着している洗浄対象箇所に適切にリンス液を飛散させることが困難である。   However, in the embodiment in which the rinse liquid is supplied to the rotating spin base to disperse the rinse liquid as in Patent Document 1, a chuck mechanism (typically, a protrusion shape) for gripping a substrate in the spin chuck is used. The rinse liquid collides, and it is difficult to disperse the rinse liquid appropriately on the portion to be cleaned to which the chemical solution adheres.

一方、カップ洗浄処理専用の治具を基板処理装置に備え、スピンチャックに把持され回転される洗浄治具にリンス液を供給して該リンス液を飛散させる態様では、チャック機構にリンス液が衝突する上記課題は回避できるが、カップ洗浄処理のたびに洗浄治具の付け外しが必要となりスループットが低下するという新たな課題が生じる。また、この態様のようにカップ洗浄処理専用の構成を基板処理に必要な構成とは別途に設ける場合、基板処理装置が大型化するという課題もある。   On the other hand, in a mode in which the substrate processing apparatus is equipped with a jig dedicated to cup cleaning processing and the rinse liquid is supplied to the cleaning jig held and rotated by the spin chuck to scatter the rinse liquid, the rinse liquid collides with the chuck mechanism. Although the above-described problem can be avoided, each time the cup cleaning process is performed, it is necessary to attach and detach the cleaning jig, resulting in a new problem that the throughput is lowered. Further, when the configuration dedicated to the cup cleaning processing is provided separately from the configuration necessary for the substrate processing as in this aspect, there is also a problem that the substrate processing apparatus becomes large.

また、この種の基板処理装置では、先行するロット(同一処理を施す所定枚数の基板の群)の基板処理を終えて後続するロットの基板処理を開始するまでの期間に、上記カップ洗浄処理が行われるのが一般的である。このため、ロット処理の途中で上記カップ洗浄処理を行う要請が生じた場合に、実行中のロット処理の完了を待たずにカップ洗浄処理を開始することが困難であった。   In addition, in this type of substrate processing apparatus, the cup cleaning process is performed during the period from the end of the substrate processing of the preceding lot (the group of the predetermined number of substrates subjected to the same processing) to the start of the substrate processing of the following lot. It is common to be done. Therefore, it is difficult to start the cup cleaning process without waiting for the completion of the lot process in progress when a request to perform the cup cleaning process is generated during the lot process.

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、洗浄対象箇所に適切にリンス液を飛散することができ、装置の大型化を抑止しつつ、かつ、実行中のロット処理の完了を待たずにカップ洗浄処理を開始可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and it is possible to properly disperse the rinse liquid to the portion to be cleaned, and while waiting for the enlargement of the apparatus, and waiting for the completion of the lot processing under execution. It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of starting a cup cleaning process without performing the above process.

上記課題を解決するため、請求項1の発明は、複数の基板に対して順次に処理を行う基板処理装置であって、前記基板を保持する基板保持手段と、前記基板保持手段を回転させる回転駆動手段と、前記基板保持手段の周囲を取り囲む複数のカップとを備える処理装置本体と、複数の基板処理モードがあらかじめ設定され、前記処理装置本体を制御して、各基板につき前記複数のモードのうちの1つを選択して実行させる制御手段と、を備え、前記複数のカップは、前記基板保持手段の周囲を取り囲む第1円筒部、および、前記第1円筒部の上端から円弧を描きつつ前記基板保持手段の中心側斜め上方に延びる第1案内部を有する第1カップと、前記第1カップの周囲を取り囲む第2円筒部、および、前記第1案内部の上方に位置し前記第2円筒部の上端から円弧を描きつつ前記基板保持手段の中心側斜め上方に延びる第2案内部を有する第2カップと、を含み、前記複数のカップを互いに独立して昇降させる昇降機構をさらに備え、前記複数のモードが、(A)複数の前記基板のうちの第1基板について実行されるモードであって、前記第1基板を前記基板保持手段にて保持して回転させつつ前記第1基板に薬液を供給し、前記第1基板を薬液処理する第1薬液プロセスと、前記第1基板を前記基板保持手段にて保持して回転させつつ前記第1基板にリンス液を供給し、前記第1基板から前記薬液を洗い流す第1リンスプロセスと、を有する通常モードと、(B)複数の前記基板のうち、前記通常モードが実行された後に処理対象となる第2基板について実行されるモードであって、前記第2基板を前記基板保持手段にて保持して回転させつつ前記第2基板に前記薬液を供給し、前記第2基板を薬液処理する第2薬液プロセスと、前記第1リンスプロセスとは異なる作動条件によって、前記第2基板を前記基板保持手段にて保持して回転させつつ前記第2基板にリンス液を供給し、前記第2基板から前記薬液を洗い流しつつ、回転する前記第2基板から飛散した前記リンス液によって前記複数のカップを洗浄する第2リンスプロセスと、を有する特殊モードと、を含み、前記第2リンスプロセスは前記第2カップから前記第1カップの順に実行されることを特徴とする。   In order to solve the above-mentioned subject, invention of Claim 1 is a substrate processing device which processes a plurality of substrates one by one, and the substrate holding means which holds the substrate, and the rotation which rotates the substrate holding means A processing apparatus main body comprising driving means and a plurality of cups surrounding the periphery of the substrate holding means, and a plurality of substrate processing modes are set in advance, and the processing apparatus main body is controlled to control the plurality of modes per substrate. Control means for selecting and executing one of the plurality of cups, wherein the plurality of cups draw a circular arc from a first cylindrical portion surrounding the periphery of the substrate holding means, and an upper end of the first cylindrical portion A first cup having a first guide portion extending obliquely upward on the center side of the substrate holding means, a second cylindrical portion surrounding the periphery of the first cup, and the second cup located above the first guide portion Circle A second cup having a second guide portion extending obliquely upward on the center side of the substrate holding means while drawing an arc from the upper end of the portion; and further comprising an elevation mechanism for raising and lowering the plurality of cups independently of each other The plurality of modes are (A) a mode in which the first substrate of the plurality of substrates is executed, and the first substrate is held by the substrate holding means and rotated while being rotated. A first chemical process for supplying a chemical solution and treating the first substrate with chemical solution, and supplying a rinse liquid to the first substrate while holding and rotating the first substrate by the substrate holding means, the first process A normal mode having a first rinse process for washing out the chemical solution from the substrate; and (B) a mode to be executed for a second substrate to be processed after the normal mode is executed among a plurality of the substrates The The second chemical solution process for supplying the chemical solution to the second substrate while holding and rotating the second substrate by the substrate holding means, and the second chemical process for treating the second substrate are different from the first rinse process Depending on the operating conditions, while the second substrate is held and rotated by the substrate holding means, a rinse liquid is supplied to the second substrate, and the chemical solution is washed away from the second substrate while rotating from the second substrate. And, a special mode having a second rinse process for washing the plurality of cups by the scattered rinse solution, wherein the second rinse process is performed in order of the second cup to the first cup. It features.

また、請求項2の発明は、請求項1の発明に係る基板処理装置であって、前記特殊モードは所定の尺度を基準に選択され、前記第1薬液プロセスと前記第2薬液プロセスは同一の処理であることを特徴とする。   The invention according to claim 2 is the substrate processing apparatus according to the invention according to claim 1, wherein the special mode is selected based on a predetermined scale, and the first chemical process and the second chemical process are the same. It is characterized in that it is a process.

また、請求項3の発明は、請求項2の発明に係る基板処理装置であって、前記特殊モードは、前記第2基板であって、所定の前記尺度分だけ前記通常モードが実行された後に処理対象となる前記第2基板について実行されるモードであることを特徴とする。   The invention according to claim 3 is the substrate processing apparatus according to the invention according to claim 2, wherein the special mode is the second substrate, and the normal mode is executed by the predetermined scale. It is characterized in that it is a mode executed for the second substrate to be processed.

また、請求項4の発明は、請求項3の発明に係る基板処理装置であって、前記尺度は、時間であり、前記特殊モードは、前記通常モードが所定の時間分だけ実行された後に処理対象となる前記第2基板について実行されるモードであることを特徴とする。   The invention of claim 4 is the substrate processing apparatus according to the invention of claim 3, wherein the scale is time, and the special mode is processed after the normal mode is executed for a predetermined time. It is characterized in that it is a mode executed for the target second substrate.

また、請求項5の発明は、請求項3の発明に係る基板処理装置であって、前記尺度は、基板の処理枚数であり、前記特殊モードは、前記通常モードにより所定枚数の基板処理が実行された後に処理対象となる前記第2基板について実行されるモードであることを特徴とする。   The invention of claim 5 is the substrate processing apparatus according to the invention of claim 3, wherein the scale is the number of processed substrates, and in the special mode, a predetermined number of substrates are processed in the normal mode. And a mode to be executed for the second substrate to be processed after being processed.

また、請求項6の発明は、請求項1の発明に係る基板処理装置であって、基板処理中の支障原因の発生を検知するセンサを備え、前記通常モードは、前記センサによって前記支障原因の発生が検知されなかった場合に実行され、前記特殊モードは、前記センサによって前記支障原因の発生が検知された場合に実行されることを特徴とする。   A sixth aspect of the present invention is the substrate processing apparatus according to the first aspect, further comprising: a sensor for detecting occurrence of a cause of trouble during the substrate processing, wherein the normal mode is the trouble cause by the sensor. The special mode is performed when occurrence is not detected, and the special mode is performed when occurrence of the failure cause is detected by the sensor.

また、請求項7の発明は、請求項1から請求項6のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記第2リンスプロセスが、前記カップを上下動させて、前記第2基板から飛散した前記リンス液が前記カップに当たる箇所を調節する箇所調節サブプロセス、を有することを特徴とする。   The invention of claim 7 is the substrate processing apparatus according to any of the inventions of claims 1 to 6, wherein the second rinse process moves the cup up and down to move the second substrate from the second substrate. It has a point adjustment sub-process which adjusts the place where the said rinse solution which splashed hits the said cup, It is characterized by the above-mentioned.

また、請求項8の発明は、請求項1から請求項7のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記第2リンスプロセスが、前記第2基板を回転する回転速度を可変に調節する速度調節サブプロセス、を有することを特徴とする。   The invention according to claim 8 is the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein the second rinse process variably adjusts the rotational speed at which the second substrate is rotated. Speed control sub-process.

また、請求項9の発明は、請求項1から請求項8のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記第2リンスプロセスが、前記第2基板に供給する前記リンス液の供給量を可変に調節する供給量調節サブプロセス、を有することを特徴とする。   The invention according to claim 9 is the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 8, wherein the amount of the rinse liquid supplied to the second substrate by the second rinse process is To adjust the variable amount of.

また、請求項10の発明は、請求項1から請求項9のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記第1基板と前記第2基板は、同一の薬液プロセスを施す所定枚数の基板の群に含まれる基板であることを特徴とする。   The invention according to claim 10 is the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 9, wherein the first substrate and the second substrate are provided with a predetermined number of the same chemical process. It is characterized by being a substrate included in the group of substrates.

また、請求項11の発明は、請求項1から請求項10のいずれかの発明に係る基板処理装置であって、前記複数のカップは、前記第2カップの周囲を取り囲む第3円筒部、および、前記第2案内部の上方に位置し前記第3円筒部の上端から円弧を描きつつ前記基板保持手段の中心側斜め上方に延びる第3案内部を有する第3カップをさらに含むことを特徴とする。   The invention according to claim 11 is the substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 10, wherein the plurality of cups are a third cylindrical portion surrounding the periphery of the second cup, and A third cup having a third guide portion positioned above the second guide portion and extending obliquely upward on the center side of the substrate holding means while drawing an arc from the upper end of the third cylindrical portion; Do.

また、請求項12の発明は、請求項11の発明に係る基板処理装置であって、前記第2リンスプロセスは、前記第3カップから前記第2カップ、前記第1カップの順に実行されることを特徴とする。   The invention of claim 12 is the substrate processing apparatus according to the invention of claim 11, wherein the second rinse process is executed in the order of the third cup, the second cup, and the first cup. It is characterized by

また、請求項13の発明は、基板を保持する基板保持手段と、前記基板保持手段を回転させる回転駆動手段と、前記基板保持手段の周囲を取り囲む複数のカップとを備える処理装置本体と、前記処理装置本体を制御する制御手段と、を使用して複数の基板に対して順次に処理を行う基板処理方法であって、前記複数のカップは、前記基板保持手段の周囲を取り囲む第1円筒部、および、前記第1円筒部の上端から円弧を描きつつ前記基板保持手段の中心側斜め上方に延びる第1案内部を有する第1カップと、前記第1カップの周囲を取り囲む第2円筒部、および、前記第1案内部の上方に位置し前記第2円筒部の上端から円弧を描きつつ前記基板保持手段の中心側斜め上方に延びる第2案内部を有する第2カップと、を含み、前記複数のカップは互いに独立して昇降され、前記制御手段に複数のモードをあらかじめ設定する設定工程と、前記複数の基板のそれぞれについて、前記制御手段中の前記複数のモードのうちの1つを選択して実行させる処理実行工程と、を備え、前記複数のモードが、(A)複数の前記基板のうちの第1基板について実行されるモードであって、前記第1基板を前記基板保持手段にて保持して回転させつつ前記第1基板に薬液を供給し、前記第1基板を薬液処理する第1薬液プロセスと、前記第1基板を前記基板保持手段にて保持して回転させつつ前記第1基板にリンス液を供給し、前記第1基板から前記薬液を洗い流す第1リンスプロセスと、を有する通常モードと、(B)複数の前記基板のうち、前記通常モードが実行された後に処理対象となる第2基板について実行されるモードであって、前記第2基板を前記基板保持手段にて保持して回転させつつ前記第2基板に前記薬液を供給し、前記第2基板を薬液処理する第2薬液プロセスと、前記第1リンスプロセスとは異なる作動条件によって、前記第2基板を前記基板保持手段にて保持して回転させつつ前記第2基板にリンス液を供給し、前記第2基板から前記薬液を洗い流しつつ、回転する前記第2基板から飛散した前記リンス液によって前記複数のカップを洗浄する第2リンスプロセスと、を有する特殊モードと、を含み、前記第2リンスプロセスは前記第2カップから前記第1カップの順に実行されることを特徴とする。   The invention according to claim 13 is a processing apparatus main body comprising: a substrate holding means for holding a substrate; a rotational drive means for rotating the substrate holding means; and a plurality of cups surrounding the periphery of the substrate holding means; A substrate processing method for sequentially processing a plurality of substrates using control means for controlling the processing apparatus main body, wherein the plurality of cups are a first cylindrical portion surrounding the periphery of the substrate holding means And a first cup having a first guide portion extending obliquely upward on the center side of the substrate holding means while drawing an arc from the upper end of the first cylindrical portion, and a second cylindrical portion surrounding the periphery of the first cup, And a second cup located above the first guiding portion and having a second guiding portion extending obliquely upward on the center side of the substrate holding means while drawing an arc from the upper end of the second cylindrical portion, Several Are moved up and down independently of each other, and a setting step of setting a plurality of modes in the control means in advance, and one of the plurality of modes in the control means is selected and executed for each of the plurality of substrates And the plurality of modes are (A) modes to be executed for the first substrate among the plurality of substrates, wherein the first substrate is held by the substrate holding means. Supplying a chemical solution to the first substrate while rotating the substrate, and performing a chemical solution process on the first substrate; and holding the first substrate by the substrate holding means and rotating the first substrate. A first rinse process for supplying a rinse liquid and washing out the chemical solution from the first substrate; and (B) a plurality of the plurality of the substrates to be processed after the normal mode is executed. 2 A second chemical liquid process in which the chemical liquid is supplied to the second substrate while the second substrate is held and rotated by the substrate holding means in a mode to be executed on a plate, and the second substrate is subjected to chemical liquid processing And a rinse solution is supplied to the second substrate while rotating the second substrate while holding and rotating the second substrate under the operation condition different from the first rinse process, and the chemical solution is supplied from the second substrate. And D. a special mode having a second rinse process for washing the plurality of cups by the rinse liquid splashed from the rotating second substrate while washing away, and the second rinse process is performed from the second cup. It is characterized in that it is carried out in the order of the first cup.

請求項1から請求項13の発明によれば、制御手段に基板処理装置を動作する複数のモードが設定されている。特殊モードは、通常モードの第1リンスプロセスとは異なる作動条件によって、基板を基板保持手段にて保持し回転駆動手段にて回転させつつ基板にリンス液を供給し、基板から薬液を洗い流すとともに、回転する基板から飛散したリンス液によってカップを洗浄する第2リンスプロセスを有する。   According to the invention of claims 1 to 13, a plurality of modes for operating the substrate processing apparatus are set in the control means. In the special mode, while the substrate is held by the substrate holding means and rotated by the rotation driving means under the operating conditions different from the first rinse process in the normal mode, the rinse liquid is supplied to the substrate to wash away the chemical solution from the substrate. It has the 2nd rinse process which wash | cleans a cup by the rinse solution splashed from the rotating board | substrate.

特殊モードでは基板が基板保持手段に保持されているので、基板より飛散されるリンス液は基板保持手段の保持機構(例えば、チャック機構)に衝突し難い。このため、リンス液をカップの洗浄対象箇所に適切に飛散させることができる。また、特殊モードでは、例えば洗浄治具のような洗浄専用の機構を設ける必要がなく、装置の大型化を抑止できる。また、特殊モードは、装置のチャンバー内に基板があれば実行可能なモードであり、ロット処理の途中でも実行できる。   In the special mode, since the substrate is held by the substrate holding means, the rinse liquid scattered from the substrate is unlikely to collide with the holding mechanism (for example, the chuck mechanism) of the substrate holding means. For this reason, the rinse liquid can be properly scattered to the cleaning target portion of the cup. Further, in the special mode, there is no need to provide a dedicated cleaning mechanism such as, for example, a cleaning jig, and the enlargement of the apparatus can be suppressed. Also, the special mode is an executable mode as long as there is a substrate in the chamber of the apparatus, and can also be performed during lot processing.

請求項1から請求項13の発明によれば、特殊モードが通常モードにおける第1薬液プロセスに対応した第2薬液プロセスをさらに備える。このため、特殊モードが実行される基板についても、通常モードが実行された基板と同様、最終製品として利用できる。   According to the invention of claims 1 to 13, the special mode further includes a second chemical process corresponding to the first chemical process in the normal mode. For this reason, the substrate on which the special mode is executed can be used as a final product as in the substrate on which the normal mode is executed.

実施形態に係る基板処理装置1の上面図である。It is a top view of substrate processing device 1 concerning an embodiment. 実施形態に係る基板処理装置1の縦断面図である。It is a longitudinal section of substrate processing device 1 concerning an embodiment. 実施形態に係る通常モードNMを示すフローチャートである。It is a flowchart which shows the normal mode NM which concerns on embodiment. 実施形態に係る通常モードNMにおいて、薬液が基板Wから外カップ43に向けて飛散する様子を示す基板処理装置1の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the substrate processing apparatus 1 which shows a mode that a chemical | medical solution disperses toward the outer cup 43 from the board | substrate W in the normal mode NM which concerns on embodiment. 実施形態に係る通常モードNMにおいて、純水が基板Wから内カップ41に向けて飛散する様子を示す基板処理装置1の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the substrate processing apparatus 1 which shows a mode that a pure water disperses toward the inner cup 41 from the board | substrate W in the normal mode NM which concerns on embodiment. 実施形態に係る通常モードNMにおいて、純水が基板Wから中カップ42に向けて飛散する様子を示す基板処理装置1の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the substrate processing apparatus 1 which shows a mode that a pure water disperses toward the inside cup 42 from the board | substrate W in the normal mode NM which concerns on embodiment. 実施形態に係る特殊モードRMを示すフローチャートである。It is a flow chart which shows special mode RM concerning an embodiment. 実施形態に係るカップ洗浄プロセスのタイムチャートである。It is a time chart of a cup washing process concerning an embodiment. 実施形態に係る特殊モードRMにおいて、薬液が基板Wから外カップ43に向けて飛散する様子を示す基板処理装置1の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the substrate processing apparatus 1 which shows a mode that a chemical | medical solution disperses toward the outer cup 43 from the board | substrate W in special mode RM which concerns on embodiment. 実施形態に係る特殊モードRMにおいて、薬液が基板Wから中カップ42に向けて飛散する様子を示す基板処理装置1の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the substrate processing apparatus 1 which shows a mode that a chemical | medical solution disperses toward the inside cup 42 from the board | substrate W in special mode RM which concerns on embodiment. 実施形態に係る特殊モードRMにおいて、薬液が基板Wから内カップ41に向けて飛散する様子を示す基板処理装置1の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the substrate processing apparatus 1 which shows a mode that a chemical | medical solution disperses toward the inner cup 41 from the board | substrate W in special mode RM which concerns on embodiment. 変形例に係るカップ洗浄プロセスのタイムチャートである。It is a time chart of a cup washing process concerning a modification. 変形例に係るカップ洗浄プロセスのタイムチャートである。It is a time chart of a cup washing process concerning a modification. 変形例に係る特殊モードRMを示すフローチャートである。It is a flow chart which shows special mode RM concerning a modification. 変形例に係る特殊モードRMにおいて、薬液が基板Wから内カップ41に向けて飛散する様子を示す基板処理装置1の縦断面図である。It is a longitudinal cross-sectional view of the substrate processing apparatus 1 which shows a mode that a chemical | medical solution disperses toward the inner cup 41 from the board | substrate W in special mode RM which concerns on a modification.

以下、各実施形態について詳述する。   Each embodiment will be described in detail below.

<1 実施形態>
<1.1 基板処理装置1の構成>
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
<1 embodiment>
<1.1 Configuration of Substrate Processing Apparatus 1>
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

図1は、基板処理装置1の上面図である。また、図2は、基板処理装置1の縦断面図である。この基板処理装置1は、半導体の基板Wを1枚ずつ処理する枚葉式の処理装置であり、円形のシリコンの基板Wに薬液処理(薬液として、SC1液、DHF液、SC2液などの洗浄液を供給)およびリンス処理(薬液を除去するため純水を供給)を行ってから乾燥処理を行う。なお、図1はスピンチャック20に基板Wが保持されていない状態を示し、図2はスピンチャック20に基板Wが保持されている状態を示している。   FIG. 1 is a top view of the substrate processing apparatus 1. FIG. 2 is a longitudinal sectional view of the substrate processing apparatus 1. The substrate processing apparatus 1 is a sheet-fed processing apparatus for processing semiconductor substrates W one by one, and performs chemical processing on a circular silicon substrate W (cleaning liquid such as SC1 liquid, DHF liquid, SC2 liquid as a chemical liquid) And rinse treatment (supply of pure water to remove chemical solution) and then drying treatment. 1 shows a state in which the substrate W is not held by the spin chuck 20, and FIG. 2 shows a state in which the substrate W is held by the spin chuck 20.

基板処理装置1は、チャンバー10内に、主たる要素として基板Wを水平姿勢(法線が鉛直方向に沿う姿勢)に保持するスピンチャック20と、スピンチャック20に保持された基板Wの上面に処理液を供給するための上面処理液ノズル30と、スピンチャック20の周囲を取り囲む処理カップ40と、を備える。また、チャンバー10内における処理カップ40の周囲には、チャンバー10の内側空間を上下に仕切る仕切板15が設けられている。なお、本明細書において、処理液は、薬液およびリンス液(純水)の双方を含む総称である。   The substrate processing apparatus 1 processes the spin chuck 20 which holds the substrate W as a main element in a horizontal posture (a posture in which the normal line is in the vertical direction) in the chamber 10 and the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 20. An upper processing solution nozzle 30 for supplying a solution and a processing cup 40 surrounding the spin chuck 20 are provided. Further, around the processing cup 40 in the chamber 10, a partition plate 15 is provided which divides the inner space of the chamber 10 up and down. In the present specification, the treatment liquid is a generic term including both a chemical solution and a rinse liquid (pure water).

チャンバー10は、鉛直方向に沿う側壁11、側壁11によって囲まれた空間の上側を閉塞する天井壁12および下側を閉塞する床壁13を備える。側壁11、天井壁12および床壁13によって囲まれた空間が基板Wの処理空間となる。また、チャンバー10の側壁11の一部には、チャンバー10に対して基板Wを搬出入するための搬出入口およびその搬出入口を開閉するシャッターが設けられている(いずれも図示省略)。   The chamber 10 includes a side wall 11 along the vertical direction, a ceiling wall 12 closing an upper side of a space surrounded by the side wall 11, and a floor wall 13 closing a lower side. A space surrounded by the side wall 11, the ceiling wall 12 and the floor wall 13 is a processing space of the substrate W. Further, an unloading port for loading and unloading the substrate W into and from the chamber 10 and a shutter for opening and closing the unloading port are provided in part of the side wall 11 of the chamber 10 (both not shown).

チャンバー10の天井壁12には、基板処理装置1が設置されているクリーンルーム内の空気をさらに清浄化してチャンバー10内の処理空間に供給するためのファンフィルタユニット(FFU)14が取り付けられている。ファンフィルタユニット14は、クリーンルーム内の空気を取り込んでチャンバー10内に送り出すためのファンおよびフィルタ(例えばHEPAフィルタ)を備えており、チャンバー10内の処理空間に清浄空気のダウンフローを形成する。ファンフィルタユニット14から供給された清浄空気を均一に分散するために、多数の吹出し孔を穿設したパンチングプレートを天井壁12の直下に設けるようにしても良い。   A fan filter unit (FFU) 14 is attached to the ceiling wall 12 of the chamber 10 to further clean the air in the clean room where the substrate processing apparatus 1 is installed and to supply the air to the processing space in the chamber 10. . The fan filter unit 14 includes a fan and a filter (for example, a HEPA filter) for taking in air in the clean room and sending it out into the chamber 10, and forms a downflow of clean air in the processing space in the chamber 10. In order to uniformly disperse the clean air supplied from the fan filter unit 14, a punching plate provided with a large number of blowout holes may be provided immediately below the ceiling wall 12.

スピンチャック20(基板保持手段)は、鉛直方向に沿って延びる回転軸24の上端に水平姿勢で固定された円板形状のスピンベース21と、スピンベース21の下方に配置されて回転軸24を回転させるスピンモータ22と、スピンモータ22の周囲を取り囲む筒状のカバー部材23と、を備える。円板形状のスピンベース21の外径は、スピンチャック20に保持される円形の基板Wの径よりも若干大きい。よって、スピンベース21は、保持すべき基板Wの下面の全面と対向する保持面21aを有している。   The spin chuck 20 (substrate holding means) has a disc-shaped spin base 21 fixed in a horizontal posture at the upper end of a rotary shaft 24 extending along the vertical direction, and a rotary shaft 24 disposed below the spin base 21. A spin motor 22 to be rotated and a cylindrical cover member 23 surrounding the spin motor 22 are provided. The outer diameter of the disk-shaped spin base 21 is slightly larger than the diameter of the circular substrate W held by the spin chuck 20. Thus, the spin base 21 has a holding surface 21 a that faces the entire lower surface of the substrate W to be held.

スピンベース21の保持面21aの周縁部には複数(本実施形態では4個)のチャック部材26が立設されている。複数のチャック部材26は、円形の基板Wの外周円に対応する円周上に沿って均等な間隔をあけて(本実施形態のように4個のチャック部材26であれば90°間隔にて)配置されている。複数のチャック部材26は、スピンベース21内に収容された図示省略のリンク機構によって連動して駆動される。スピンチャック20は、複数のチャック部材26のそれぞれを基板Wの端縁に当接させて基板Wを挟持することにより、当該基板Wをスピンベース21の上方で保持面21aに近接しつつも保持面21aから所定の間隔空間を開けた水平姿勢にて保持することができるとともに(図2参照)、複数のチャック部材26のそれぞれを基板Wの端縁から離間させて挟持を解除することができる。   A plurality of (four in the present embodiment) chuck members 26 are erected on the peripheral edge portion of the holding surface 21 a of the spin base 21. The plurality of chuck members 26 are equally spaced along the circumference corresponding to the outer circumference of the circular substrate W (in the case of four chuck members 26 as in the present embodiment, at 90 ° intervals) ) Are arranged. The plurality of chuck members 26 are interlocked and driven by a link mechanism (not shown) housed in the spin base 21. The spin chuck 20 holds the substrate W while holding the substrate W by bringing each of the plurality of chuck members 26 into contact with the edge of the substrate W, thereby holding the substrate W above the spin base 21 while approaching the holding surface 21 a. While being able to hold | maintain in the horizontal attitude which opened predetermined spacing space from the surface 21a (refer FIG. 2), each of several chuck members 26 can be separated from the edge of the board | substrate W, and clamping can be cancelled | released .

スピンモータ22を覆うカバー部材23は、その下端がチャンバー10の床壁13に固定され、上端がスピンベース21の直下にまで到達している。カバー部材23の上端部には、カバー部材23から外方へほぼ水平に張り出し、さらに下方に屈曲して延びる鍔状部材25が設けられている。複数のチャック部材26による挟持によってスピンチャック20が基板Wを保持した状態にて、スピンモータ22(回転駆動手段)が回転軸24を回転させることにより、基板Wの中心を通る鉛直方向に沿った軸心CXまわりに基板Wを回転させることができる。なお、スピンモータ22の駆動は制御部9によって制御される。   The lower end of the cover member 23 covering the spin motor 22 is fixed to the floor wall 13 of the chamber 10, and the upper end reaches just below the spin base 21. At the upper end portion of the cover member 23, there is provided a hook-like member 25 which protrudes substantially horizontally outward from the cover member 23, and is bent and extended downward. The spin motor 22 (rotational driving means) rotates the rotation shaft 24 in a state in which the spin chuck 20 holds the substrate W by holding by the plurality of chuck members 26, and the vertical direction passing through the center of the substrate W is obtained. The substrate W can be rotated around the axis CX. The drive of the spin motor 22 is controlled by the controller 9.

上面処理液ノズル30は、ノズルアーム32の先端に吐出ヘッド31を取り付けて構成されている。ノズルアーム32の基端側はノズル基台33に固定して連結されている。ノズル基台33は図示を省略するモータによって鉛直方向に沿った軸のまわりで回動可能とされている。ノズル基台33が回動することにより、上面処理液ノズル30の吐出ヘッド31はスピンチャック20の上方の処理位置と処理カップ40よりも外側の待機位置との間で水平面内の円弧状の軌跡に沿って移動する。上面処理液ノズル30には、複数種の処理液(少なくともリンス液(純水)を含む)が供給されるように構成されている。処理位置にて上面処理液ノズル30の吐出ヘッド31から吐出された処理液はスピンチャック20に保持された基板Wの上面に着液する。また、ノズル基台33の回動によって、上面処理液ノズル30はスピンベース21の保持面21aの上方にて揺動可能とされている。   The upper surface treatment liquid nozzle 30 is configured by attaching a discharge head 31 to the tip of a nozzle arm 32. The base end side of the nozzle arm 32 is fixedly connected to the nozzle base 33. The nozzle base 33 is rotatable around an axis along the vertical direction by a motor (not shown). By rotating the nozzle base 33, the discharge head 31 of the upper processing liquid nozzle 30 has an arc-like locus in the horizontal plane between the processing position above the spin chuck 20 and the standby position outside the processing cup 40. Move along. The upper surface treatment liquid nozzle 30 is configured to be supplied with a plurality of kinds of treatment liquid (including at least a rinse liquid (pure water)). The processing liquid discharged from the discharge head 31 of the upper surface processing liquid nozzle 30 at the processing position is deposited on the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 20. Further, by the rotation of the nozzle base 33, the upper processing liquid nozzle 30 can be swung above the holding surface 21a of the spin base 21.

一方、回転軸24の内側を挿通するようにして鉛直方向に沿って下面処理液ノズル28が設けられている。下面処理液ノズル28の上端開口は、スピンチャック20に保持された基板Wの下面中央に対向する位置に形成されている。下面処理液ノズル28にも複数種の処理液が供給されるように構成されている。下面処理液ノズル28から吐出された処理液はスピンチャック20に保持された基板Wの下面に着液する。   On the other hand, the lower surface treatment liquid nozzle 28 is provided along the vertical direction so as to insert the inside of the rotary shaft 24. The upper end opening of the lower surface treatment liquid nozzle 28 is formed at a position facing the center of the lower surface of the substrate W held by the spin chuck 20. A plurality of types of processing solutions are also supplied to the lower surface processing solution nozzle 28. The processing liquid discharged from the lower surface processing liquid nozzle 28 contacts the lower surface of the substrate W held by the spin chuck 20.

また、基板処理装置1には、上面処理液ノズル30とは別に二流体ノズル60が設けられている。二流体ノズル60は、純水などのリンス液と加圧した気体とを混合して液滴を生成し、その液滴と気体との混合流体を基板Wに噴射する洗浄ノズルである。二流体ノズル60は、ノズルアーム62の先端に図示省略の液体ヘッドを取り付けるとともに、ノズルアーム62から分岐するように設けられた支持部材に気体ヘッド64を取り付けて構成されている。ノズルアーム62の基端側はノズル基台63に固定して連結されている。ノズル基台63は図示を省略するモータによって鉛直方向に沿った軸のまわりで回動可能とされている。ノズル基台63が回動することにより、二流体ノズル60はスピンチャック20の上方の処理位置と処理カップ40よりも外側の待機位置との間で水平方向に沿って円弧状に移動する。液体ヘッドには純水などのリンス液が供給され、気体ヘッド64には加圧された不活性ガス(本実施形態では窒素ガス(N2))が供給される。処理位置にて二流体ノズル60から噴出されたリンス液の混合流体はスピンチャック20に保持された基板Wの上面に吹き付けられる。   Further, in the substrate processing apparatus 1, a two-fluid nozzle 60 is provided separately from the upper surface processing liquid nozzle 30. The two-fluid nozzle 60 is a cleaning nozzle that mixes a rinse liquid such as pure water with a pressurized gas to generate droplets, and jets a mixed fluid of the droplets and the gas onto the substrate W. The two-fluid nozzle 60 has a liquid head (not shown) attached to the tip of the nozzle arm 62, and a gas head 64 attached to a support member provided so as to branch from the nozzle arm 62. The base end side of the nozzle arm 62 is fixedly connected to the nozzle base 63. The nozzle base 63 is rotatable around an axis along the vertical direction by a motor (not shown). By rotating the nozzle base 63, the two-fluid nozzle 60 moves in a circular arc along the horizontal direction between the processing position above the spin chuck 20 and the standby position outside the processing cup 40. A rinse liquid such as pure water is supplied to the liquid head, and a pressurized inert gas (in the present embodiment, nitrogen gas (N 2)) is supplied to the gas head 64. The mixed fluid of the rinse liquid ejected from the two-fluid nozzle 60 at the processing position is sprayed on the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 20.

スピンチャック20を取り囲む処理カップ40は、互いに独立して昇降可能な複数のカップ、すなわち内カップ41、中カップ42および外カップ43を備えている。内カップ41は、スピンチャック20の周囲を取り囲み、スピンチャック20に保持された基板Wの中心を通る軸心CXに対してほぼ回転対称となる形状を有している。この内カップ41は、平面視円環状の底部44と、底部44の内周縁から上方に立ち上がる円筒状の内壁部45と、底部44の外周縁から上方に立ち上がる円筒状の外壁部46と、内壁部45と外壁部46との間から立ち上がり、上端部が滑らかな円弧を描きつつ中心側(スピンチャック20に保持される基板Wの軸心CXに近づく方向)斜め上方に延びる第1案内部47と、第1案内部47と外壁部46との間から上方に立ち上がる円筒状の中壁部48とを一体的に備えている。   The processing cup 40 surrounding the spin chuck 20 is provided with a plurality of cups capable of moving up and down independently, that is, an inner cup 41, a middle cup 42 and an outer cup 43. The inner cup 41 surrounds the spin chuck 20 and has a shape that is substantially rotationally symmetric with respect to an axial center CX passing through the center of the substrate W held by the spin chuck 20. The inner cup 41 has an annular bottom portion 44 in plan view, a cylindrical inner wall 45 extending upward from the inner peripheral edge of the bottom 44, a cylindrical outer wall 46 extending upward from the outer peripheral edge of the bottom 44, and an inner wall A first guide portion 47 which rises from between the portion 45 and the outer wall portion 46 and extends obliquely upward at the center side (a direction approaching the axial center CX of the substrate W held by the spin chuck 20) while drawing a smooth arc at the upper end. And a cylindrical middle wall portion 48 rising upward from between the first guide portion 47 and the outer wall portion 46 in an integrated manner.

内壁部45は、内カップ41が最も上昇された状態で、カバー部材23と鍔状部材25との間に適当な隙間を保って収容されるような長さに形成されている(図5)。中壁部48は、内カップ41と中カップ42とが最も近接した状態で、中カップ42の後述する第2案内部52と処理液分離壁53との間に適当な隙間を保って収容されるような長さに形成されている。   The inner wall portion 45 is formed to have a length such that the inner cup 41 is housed with an appropriate gap between the cover member 23 and the bowl-like member 25 in a state where the inner cup 41 is lifted most (FIG. 5) . The inner wall portion 48 is housed with an appropriate gap between a second guide portion 52 (described later) of the middle cup 42 and the treatment liquid separation wall 53 with the inner cup 41 and the middle cup 42 closest to each other. It is formed to have such a length.

第1案内部47は、滑らかな円弧を描きつつ中心側(基板Wの軸心CXに近づく方向)斜め上方に延びる上端部47bを有している。また、内壁部45と第1案内部47との間は、使用済みの処理液を集めて廃棄するための廃棄溝49とされている。第1案内部47と中壁部48との間は、使用済みの処理液を集めて回収するための円環状の内側回収溝50とされている。さらに、中壁部48と外壁部46との間は、内側回収溝50とは種類の異なる処理液を集めて回収するための円環状の外側回収溝51とされている。   The first guide portion 47 has an upper end portion 47 b extending obliquely upward at the center side (direction approaching the axial center CX of the substrate W) while drawing a smooth circular arc. Further, between the inner wall 45 and the first guide 47, a waste groove 49 is provided for collecting and disposing of the used treatment liquid. An annular inner recovery groove 50 is provided between the first guide portion 47 and the middle wall portion 48 for collecting and recovering the used processing liquid. Furthermore, between the inner wall portion 48 and the outer wall portion 46, an annular outer collection groove 51 for collecting and collecting a treatment liquid different in type from the inner collection groove 50 is formed.

廃棄溝49には、この廃棄溝49に集められた処理液を排出するとともに、廃棄溝49内を強制的に排気するための図示省略の排気液機構が接続されている。排気液機構は、例えば、廃棄溝49の周方向に沿って等間隔で4つ設けられている。また、内側回収溝50および外側回収溝51には、内側回収溝50および外側回収溝51にそれぞれ集められた処理液を基板処理装置1の外部に設けられた回収タンクに回収するための回収機構(いずれも図示省略)が接続されている。なお、内側回収溝50および外側回収溝51の底部は、水平方向に対して微少角度だけ傾斜しており、その最も低くなる位置に回収機構が接続されている。これにより、内側回収溝50および外側回収溝51に流れ込んだ処理液が円滑に回収される。   An exhaust liquid mechanism (not shown) for forcibly exhausting the inside of the waste groove 49 is connected to the waste groove 49 while discharging the treatment liquid collected in the waste groove 49. For example, four exhaust liquid mechanisms are provided at equal intervals along the circumferential direction of the waste groove 49. Further, in the inner collection groove 50 and the outer collection groove 51, a collection mechanism for collecting the processing liquid collected respectively in the inner collection groove 50 and the outer collection groove 51 into a collection tank provided outside the substrate processing apparatus 1. (All are not shown) are connected. The bottoms of the inner collection groove 50 and the outer collection groove 51 are inclined by a small angle with respect to the horizontal direction, and the collection mechanism is connected to the lowest position. As a result, the processing liquid flowing into the inner collection groove 50 and the outer collection groove 51 is collected smoothly.

中カップ42は、スピンチャック20の周囲を取り囲み、スピンチャック20に保持された基板Wの中心を通る軸心CXに対してほぼ回転対称となる形状を有している。この中カップ42は、第2案内部52と、この第2案内部52に連結された円筒状の処理液分離壁53とを一体的に備えている。   The middle cup 42 surrounds the spin chuck 20 and has a shape that is substantially rotationally symmetric with respect to an axial center CX passing through the center of the substrate W held by the spin chuck 20. The middle cup 42 integrally includes a second guide portion 52 and a cylindrical processing liquid separation wall 53 connected to the second guide portion 52.

第2案内部52は、内カップ41の第1案内部47の外側において、第1案内部47の下端部と同軸円筒状をなす下端部52aと、下端部52aの上端から滑らかな円弧を描きつつ中心側(基板Wの軸心CXに近づく方向)斜め上方に延びる上端部52bと、上端部52bの先端部を下方に折り返して形成される折返し部52cとを有している。下端部52aは、内カップ41と中カップ42とが最も近接した状態で、第1案内部47と中壁部48との間に適当な隙間を保って内側回収溝50内に収容される。また、上端部52bは、内カップ41の第1案内部47の上端部47bと上下方向に重なるように設けられ、内カップ41と中カップ42とが最も近接した状態で、第1案内部47の上端部47bに対してごく微小な間隔を保って近接する。さらに、上端部52bの先端を下方に折り返して形成される折返し部52cは、内カップ41と中カップ42とが最も近接した状態で、折返し部52cが第1案内部47の上端部47bの先端と水平方向に重なるような長さとされている。   The second guiding portion 52 draws a smooth circular arc from the upper end of the lower end portion 52a coaxial with the lower end portion of the first guiding portion 47 and the upper end of the lower end portion 52a outside the first guiding portion 47 of the inner cup 41 It has an upper end 52b extending obliquely upward at the center side (a direction approaching the axial center CX of the substrate W), and a folded portion 52c formed by folding back the tip of the upper end 52b. The lower end portion 52a is accommodated in the inner collection groove 50 with an appropriate gap between the first guide portion 47 and the middle wall portion 48 in a state where the inner cup 41 and the middle cup 42 are closest to each other. Further, the upper end 52 b is provided so as to vertically overlap the upper end 47 b of the first guiding portion 47 of the inner cup 41, and the first guiding portion 47 is in a state where the inner cup 41 and the middle cup 42 are closest to each other. The top end portion 47b of the is closely spaced at a very small distance. Furthermore, in the folded back portion 52c formed by folding back the tip of the upper end portion 52b, the folded back portion 52c is the tip of the upper end portion 47b of the first guiding portion 47 in a state where the inner cup 41 and the middle cup 42 are closest to each other. And have a length that overlaps horizontally.

また、第2案内部52の上端部52bは、下方ほど肉厚が厚くなるように形成されており、処理液分離壁53は上端部52bの下端外周縁部から下方に延びるように設けられた円筒形状を有している。処理液分離壁53は、内カップ41と中カップ42とが最も近接した状態で、中壁部48と外カップ43との間に適当な隙間を保って外側回収溝51内に収容される。   Further, the upper end 52b of the second guiding portion 52 is formed to be thicker as it extends downward, and the treatment liquid separation wall 53 is provided to extend downward from the lower end outer peripheral edge of the upper end 52b. It has a cylindrical shape. The treatment liquid separation wall 53 is accommodated in the outer collection groove 51 with an appropriate gap between the middle wall portion 48 and the outer cup 43 in a state where the inner cup 41 and the middle cup 42 are closest to each other.

外カップ43は、中カップ42の第2案内部52の外側において、スピンチャック20の周囲を取り囲み、スピンチャック20に保持された基板Wの中心を通る軸心CXに対してほぼ回転対称となる形状を有している。この外カップ43は、第3案内部としての機能を有する。外カップ43は、第2案内部52の下端部52aと同軸円筒状をなす下端部43aと、下端部43aの上端から滑らかな円弧を描きつつ中心側(基板Wの軸心CXに近づく方向)斜め上方に延びる上端部43bと、上端部43bの先端部を下方に折り返して形成される折返し部43cとを有している。   The outer cup 43 surrounds the spin chuck 20 at the outer side of the second guide portion 52 of the middle cup 42, and is substantially rotationally symmetric with respect to an axial center CX passing through the center of the substrate W held by the spin chuck 20. It has a shape. The outer cup 43 has a function as a third guiding portion. The outer cup 43 has a lower end 43a coaxial with the lower end 52a of the second guide 52, and a smooth circular arc drawn from the upper end of the lower end 43a at the center side (direction approaching the axial center CX of the substrate W) It has an upper end portion 43b extending obliquely upward, and a folded back portion 43c formed by folding back the tip end portion of the upper end portion 43b.

下端部43aは、内カップ41と外カップ43とが最も近接した状態で、中カップ42の処理液分離壁53と内カップ41の外壁部46との間に適当な隙間を保って外側回収溝51内に収容される。また、上端部43bは、中カップ42の第2案内部52と上下方向に重なるように設けられ、中カップ42と外カップ43とが最も近接した状態で、第2案内部52の上端部52bに対してごく微小な間隔を保って近接する。さらに、上端部43bの先端部を下方に折り返して形成される折返し部43cは、中カップ42と外カップ43とが最も近接した状態で、折返し部43cが第2案内部52の折返し部52cと水平方向に重なるように形成されている。   The lower end portion 43a maintains an appropriate gap between the treatment liquid separation wall 53 of the middle cup 42 and the outer wall portion 46 of the inner cup 41 in the state where the inner cup 41 and the outer cup 43 are closest to each other. It is housed in 51. The upper end portion 43b is provided to overlap the second guide portion 52 of the middle cup 42 in the vertical direction, and the upper end portion 52b of the second guide portion 52 with the middle cup 42 and the outer cup 43 closest to each other. Close to each other with a very small gap. Furthermore, in the folded back portion 43c formed by folding back the tip end portion of the upper end portion 43b, the folded back portion 43c and the folded back portion 52c of the second guide portion 52 are in a state where the middle cup 42 and the outer cup 43 are closest to each other. It is formed to overlap in the horizontal direction.

また、内カップ41、中カップ42および外カップ43は互いに独立して昇降可能とされている。すなわち、内カップ41、中カップ42および外カップ43のそれぞれには個別に昇降機構(図示省略)が設けられており、それによって別個独立して昇降される。このような昇降機構としては、例えばボールネジ機構やエアシリンダなどの種々の機構を採用することができる。   Further, the inner cup 41, the middle cup 42 and the outer cup 43 can be moved up and down independently of each other. That is, each of the inner cup 41, the middle cup 42, and the outer cup 43 is individually provided with a lifting mechanism (not shown), whereby it is separately lifted and lowered independently. As such an elevating mechanism, for example, various mechanisms such as a ball screw mechanism and an air cylinder can be adopted.

仕切板15は、処理カップ40の周囲においてチャンバー10の内側空間を上下に仕切るように設けられている。仕切板15は、処理カップ40を取り囲む1枚の板状部材であっても良いし、複数の板状部材をつなぎ合わせたものであっても良い。また、仕切板15には、厚さ方向に貫通する貫通孔や切り欠きが形成されていても良く、本実施形態では上面処理液ノズル30および二流体ノズル60のノズル基台33,63を支持するための支持軸を通すための貫通穴が形成されている。   The partition plate 15 is provided to partition the inner space of the chamber 10 up and down around the processing cup 40. The partition plate 15 may be a single plate-like member surrounding the processing cup 40 or may be a plurality of plate-like members joined together. Further, the partition plate 15 may be formed with a through hole or a notch penetrating in the thickness direction, and in the present embodiment, the nozzle bases 33 and 63 of the upper surface treatment liquid nozzle 30 and the two fluid nozzle 60 are supported. A through hole is formed for passing a support shaft for the purpose.

仕切板15の外周端はチャンバー10の側壁11に連結されている。また、仕切板15の処理カップ40を取り囲む端縁部は外カップ43の外径よりも大きな径の円形形状となるように形成されている。よって、仕切板15が外カップ43の昇降の障害となることはない。   The outer peripheral end of the partition plate 15 is connected to the side wall 11 of the chamber 10. Further, the end edge portion surrounding the processing cup 40 of the partition plate 15 is formed in a circular shape having a diameter larger than the outer diameter of the outer cup 43. Therefore, the partition plate 15 does not interfere with the lifting and lowering of the outer cup 43.

また、チャンバー10の側壁11の一部であって、床壁13の近傍には排気ダクト18が設けられている。排気ダクト18は図示省略の排気機構に連通接続されている。ファンフィルタユニット14から供給されてチャンバー10内を流下した清浄空気のうち、処理カップ40と仕切板15と間を通過した空気は排気ダクト18から装置外に排出される。   Further, an exhaust duct 18 is provided in the vicinity of the floor wall 13 which is a part of the side wall 11 of the chamber 10. The exhaust duct 18 is connected in communication with an exhaust mechanism (not shown). Of the clean air supplied from the fan filter unit 14 and flowing down the inside of the chamber 10, the air that has passed between the processing cup 40 and the partition plate 15 is exhausted from the exhaust duct 18 to the outside of the apparatus.

また、基板処理装置1には、上記の各構成要素で構成された処理装置本体DBを制御する制御部9が備えられている。制御部9のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部9は、各種演算処理を行うCPU、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるROM、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるRAMおよび制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクなどを備えて構成される。   The substrate processing apparatus 1 further includes a control unit 9 that controls the processing apparatus main body DB configured of the above-described components. The configuration of the control unit 9 as hardware is the same as that of a general computer. That is, the control unit 9 stores a CPU that performs various arithmetic processing, a ROM that is a read only memory that stores a basic program, a RAM that is a readable and writable memory that stores various information, control software, data, and the like. It is configured to have a magnetic disk etc.

制御部9の記憶部(磁気ディスクなど)には、基板処理装置1における複数の基板処理モードが予め設定されており(設定工程)、制御部9のCPUが所定の処理プログラムを実行することによって上記複数のモードのうちの1つを選択して実行させる(処理実行工程)ことで、基板処理装置1の各動作機構が制御される。   A plurality of substrate processing modes in the substrate processing apparatus 1 are set in advance in a storage unit (magnetic disk or the like) of the control unit 9 (setting step), and the CPU of the control unit 9 executes a predetermined processing program. Each operation mechanism of the substrate processing apparatus 1 is controlled by selecting and executing one of the plurality of modes (process execution step).

<1.2 基板処理装置1の動作>
次に、上記の構成を有する基板処理装置1における各動作態様(各モード)について説明する。
<1.2 Operation of Substrate Processing Apparatus 1>
Next, each operation mode (each mode) in the substrate processing apparatus 1 having the above configuration will be described.

本実施形態の基板処理装置1は、複数のモードのうちのデフォルトモードとして設定される通常モードNM(図3)と、所定の条件が満足されたときに例外的ないしは臨時的に選択される特殊モードRM(図8、図9)とを有する。基板処理装置1は、該装置に順次に搬送される基板Wに対して、通常モードNMまたは特殊モードRMのうち一方を選択して実行する。基板処理装置1の制御部9には上記2つのモードとは異なるモードがさらに追加設定されていて、当該追加モードも選択可能とされていても構わないが、本実施形態では、特に上記2つのモードのみを設定している場合について説明する。   The substrate processing apparatus 1 of the present embodiment includes a normal mode NM (FIG. 3) set as a default mode among a plurality of modes, and a special selected exceptionally or temporarily when a predetermined condition is satisfied. Mode RM (FIG. 8, FIG. 9). The substrate processing apparatus 1 selects and executes one of the normal mode NM and the special mode RM on the substrate W sequentially transported to the apparatus. A mode different from the above two modes may be additionally set in the control unit 9 of the substrate processing apparatus 1 and the additional mode may be selectable, but in the present embodiment, the above two modes are particularly selected. The case where only the mode is set will be described.

<1.2.1 通常モードNM>
図3は、本実施形態の基板処理装置1における通常モードNMの手順を示すフローチャートである。以下、図3を参照しつつ通常モードNMについて説明する。
<1.2.1 Normal mode NM>
FIG. 3 is a flowchart showing the procedure of the normal mode NM in the substrate processing apparatus 1 of the present embodiment. The normal mode NM will be described below with reference to FIG.

まず、処理対象となる基板Wが図示しない搬送ロボットによってチャンバー10内に搬入される(ステップST1)。4つのチャック部材26が駆動され、基板Wがスピンチャック20に挟持される(ステップST2)。スピンモータ22が回転軸24を回転させることにより、基板Wの中心を通る鉛直方向に沿った軸心CXまわりに基板Wが回転される(ステップST3)。   First, a substrate W to be processed is carried into the chamber 10 by the transfer robot (not shown) (step ST1). The four chuck members 26 are driven, and the substrate W is held by the spin chuck 20 (step ST2). The spin motor 22 rotates the rotation shaft 24 to rotate the substrate W around an axis CX along the vertical direction passing through the center of the substrate W (step ST3).

次に、上面処理液ノズル30のノズルアーム32を回動させて吐出ヘッド31をスピンベース21の上方(例えば、軸心CXの上方)に移動させ、スピンチャック20にて回転される基板Wの上面に上面処理液ノズル30より薬液を供給する。基板Wの上面に供給された薬液は、遠心力によって、回転する基板Wの上面全体に拡がる。これにより、基板Wの薬液処理が進行する(ステップST4)。そして、薬液は、回転する基板Wの端部より周囲に飛散する。   Next, the nozzle arm 32 of the upper processing liquid nozzle 30 is rotated to move the discharge head 31 above the spin base 21 (for example, above the axis CX), and the substrate W rotated by the spin chuck 20 A chemical solution is supplied to the upper surface from the upper surface treatment liquid nozzle 30. The chemical solution supplied to the upper surface of the substrate W spreads over the entire upper surface of the rotating substrate W by centrifugal force. Thereby, the chemical processing of the substrate W proceeds (step ST4). Then, the chemical solution is scattered around the edge of the rotating substrate W.

この飛散する薬液を回収する目的で、ステップST4では、例えば外カップ43のみが上昇し、外カップ43の上端部43bと中カップ42の第2案内部52の上端部52bとの間に、スピンチャック20に保持された基板Wの周囲を取り囲む開口OPaが形成される(図4)。その結果、回転する基板Wの端縁部から飛散した薬液(図4に点線矢印で示す)は外カップ43の上端部43bによって受け止められ、外カップ43の内面を伝って流下し、外側回収溝51に回収される。所定時間経過後(或いは、所定量の薬液供給後)、薬液の供給は停止される。   In step ST4, for example, only the outer cup 43 ascends, and spin is performed between the upper end 43b of the outer cup 43 and the upper end 52b of the second guiding portion 52 of the middle cup 42 in order to recover the scattered chemical solution. An opening OPa surrounding the periphery of the substrate W held by the chuck 20 is formed (FIG. 4). As a result, the chemical solution (indicated by a dotted arrow in FIG. 4) scattered from the edge of the rotating substrate W is received by the upper end 43b of the outer cup 43, and flows down along the inner surface of the outer cup 43, thereby collecting the outer collection groove. It is collected at 51. After a predetermined time has elapsed (or after the supply of a predetermined amount of chemical solution), the supply of the chemical solution is stopped.

次に、スピンチャック20にて回転される基板Wの上面に上面処理液ノズル30より純水(リンス液)を供給する。基板Wの上面に供給された純水は、遠心力によって、回転する基板Wの上面全体に拡がる。これにより、基板Wの上面に残存していた薬液が流される水洗処理が進行する(ステップST5)。そして、純水は、回転する基板Wの端部より周囲に飛散する。   Next, pure water (rinsing liquid) is supplied from the upper surface processing liquid nozzle 30 to the upper surface of the substrate W rotated by the spin chuck 20. The pure water supplied to the upper surface of the substrate W spreads over the entire upper surface of the rotating substrate W by centrifugal force. Thus, the water washing process in which the chemical solution remaining on the upper surface of the substrate W flows is advanced (step ST5). Then, the pure water is scattered around the edge of the rotating substrate W.

ステップST5においては、例えば、内カップ41、中カップ42および外カップ43の全てが上昇し、スピンチャック20に保持された基板Wの周囲が内カップ41の第1案内部47によって取り囲まれる(図5)。その結果、回転する基板Wの端縁部から飛散した純水(図5に点線矢印で示す)は内カップ41によって受け止められ、第1案内部47の内壁を伝って流下し、廃棄溝49から排出される。なお、純水を薬液とは別経路にて回収する場合には、中カップ42および外カップ43を上昇させ、中カップ42の第2案内部52の上端部52bと内カップ41の第1案内部47の上端部47bとの間に、スピンチャック20に保持された基板Wの周囲を取り囲む開口OPbを形成するようにしても良い(図6)。所定時間経過後(或いは、所定量の純水供給後)、純水の供給が停止される。   In step ST5, for example, all of the inner cup 41, the middle cup 42, and the outer cup 43 are lifted, and the substrate W held by the spin chuck 20 is surrounded by the first guide portion 47 of the inner cup 41 (see FIG. 5). As a result, pure water (shown by a dotted arrow in FIG. 5) scattered from the edge of the rotating substrate W is received by the inner cup 41 and flows down along the inner wall of the first guide portion 47, from the waste groove 49. Exhausted. In the case where pure water is recovered by a route separate from the chemical solution, the middle cup 42 and the outer cup 43 are raised, and the upper end 52 b of the second guiding portion 52 of the middle cup 42 and the first guide of the inner cup 41 An opening OPb may be formed between the upper end 47b of the portion 47 and the periphery of the substrate W held by the spin chuck 20 (FIG. 6). After a predetermined time has elapsed (or after supplying a predetermined amount of pure water), the supply of pure water is stopped.

そして、基板処理レシピにて定められる薬液処理が全て実行されるまで、ステップST4(単位第1薬液プロセス)とステップST5(単位第1リンスプロセス)とが交互に繰り返される(ステップST6)。本明細書中では、通常モードNMにおいて、1枚の基板Wについて複数回にわたり実行されるステップST4を「単位第1薬液プロセス」と呼び、複数の単位第1薬液プロセスの集合概念を「第1薬液プロセス」と呼ぶ。同様に、通常モードNMにおいて、1枚の基板Wについて複数回にわたり実行されるステップST5を「単位第1リンスプロセス」と呼び、複数の単位第1リンスプロセスの集合概念を「第1リンスプロセス」と呼ぶ。   Then, step ST4 (unit first chemical process) and step ST5 (unit first rinse process) are alternately repeated until all chemical processing determined in the substrate processing recipe is performed (step ST6). In the present specification, step ST4 executed a plurality of times for one substrate W in the normal mode NM is referred to as "unit first chemical process", and a collective concept of a plurality of unit first chemical processes is referred to as "first It is called "chemical process". Similarly, in the normal mode NM, step ST5 executed a plurality of times for one substrate W is called "unit first rinse process", and a collective concept of a plurality of unit first rinse processes is "first rinse process". Call it

第1薬液プロセスおよび第1リンスプロセスが完了すると、基板Wの乾燥処理が実行される(ステップST7)。乾燥処理を行うときには、内カップ41、中カップ42および外カップ43の全てが下降し、内カップ41の第1案内部47の上端部47b、中カップ42の第2案内部52の上端部52bおよび外カップ43の上端部43bのいずれもがスピンチャック20に保持された基板Wよりも下方に位置する。この状態にて基板Wがスピンチャック20とともに高速回転され、基板Wに付着していた液滴(薬液の液滴や水滴)が遠心力によって振り切られ、乾燥処理が行われる。   When the first chemical solution process and the first rinse process are completed, a drying process of the substrate W is performed (step ST7). When the drying process is performed, all the inner cup 41, the middle cup 42, and the outer cup 43 are lowered, and the upper end 47b of the first guiding portion 47 of the inner cup 41 and the upper end 52b of the second guiding portion 52 of the middle cup 42 The upper end 43 b of the outer cup 43 is located below the substrate W held by the spin chuck 20. In this state, the substrate W is rotated at high speed together with the spin chuck 20, and the droplets (droplets of chemical solution or water droplets) adhering to the substrate W are shaken off by centrifugal force and the drying process is performed.

この後、基板Wの回転を停止し(ステップST8)、4つのチャック部材26が駆動され基板Wがスピンチャック20から解放されて(ステップST9)、図示しない搬送ロボットによって基板Wがチャンバー10外に搬出される(ステップST10)。   After that, the rotation of the substrate W is stopped (step ST8), the four chuck members 26 are driven, and the substrate W is released from the spin chuck 20 (step ST9). It is carried out (step ST10).

以上説明したように、通常モードNMでは、処理液(薬液およびリンス液(純水))を基板Wに供給して表面処理を行う。回転する基板Wから飛散した処理液の大半は処理カップ40によって回収され排液されるものの、処理カップ40に飛散した処理液が排液されることなく付着して残存することがある。   As described above, in the normal mode NM, the surface treatment is performed by supplying the processing liquid (chemical solution and rinse liquid (pure water)) to the substrate W. Although most of the processing liquid scattered from the rotating substrate W is recovered and drained by the processing cup 40, the processing liquid scattered to the processing cup 40 may adhere without being drained and may remain.

このように、カップ内部に付着した処理液は、乾燥するとパーティクルなどを発生し処理対象基板Wに対する汚染源となるおそれがある。このため、本実施形態の基板処理装置1では、後述する特殊モードRM(図8、図9)を行って、処理カップ40の内部を洗浄する。   As described above, when the processing liquid adhering to the inside of the cup is dried, particles and the like may be generated, which may become a contamination source for the processing target substrate W. Therefore, in the substrate processing apparatus 1 of the present embodiment, the inside of the processing cup 40 is cleaned by performing a special mode RM (FIGS. 8 and 9) described later.

<1.2.2 特殊モードRM>
特殊モードRMは、通常モードNMと同様に基板Wについて基板処理を実行するだけでなく、処理カップ40の内部洗浄も実行するモードである。特殊モードRMは、
(1) 「枚数基準」、すなわち通常モードNMで所定枚数の基板処理を実行した場合、
(2) 「時間基準」、すなわち通常モードNMで基板処理装置1を所定時間稼働した場合、
(3) 「支障原因発生基準」、たとえばセンサ(図示せず)によって処理カップ40の内部に付着物を検知した場合やチャンバー10内の処理空間の雰囲気汚染を検知した場合のように、実際に高精度の基板処理を持続することについての支障が発生したことを検知した場合、
など、所定の条件が満足された場合に、その条件が満たされた時点の直後に処理対象となる基板について適用されるような、例外的ないしは臨時的に選択されるモードであり、該条件は予め制御部9に設定されている。
<1.2.2 Special mode RM>
The special mode RM is a mode in which not only the substrate processing is performed on the substrate W as in the normal mode NM, but also the internal cleaning of the processing cup 40 is performed. Special mode RM is
(1) When a predetermined number of substrates are processed in the "number of sheets", that is, in the normal mode NM,
(2) When the substrate processing apparatus 1 is operated for a predetermined time in the “time basis”, that is, in the normal mode NM,
(3) “criteria of occurrence of trouble cause”, for example, when an attached substance is detected inside the processing cup 40 by a sensor (not shown) or when the atmosphere contamination of the processing space in the chamber 10 is detected, When detecting that a problem has occurred in maintaining high-precision substrate processing,
An exceptionally or temporarily selected mode which is applied to a substrate to be processed immediately after the predetermined condition is satisfied, if the predetermined condition is satisfied. The control unit 9 is set in advance.

これらのうち、「枚数基準」では薬液処理(基板洗浄)を行った基板の枚数を尺度として周期的に特殊モードRMが実行され、また「時間基準」では時間を尺度として周期的に特殊モードRMが実行されるから、それらの尺度(枚数や時間)で見たときには、特殊モードRMが周期的に実行されることになる。   Among them, the special mode RM is periodically executed based on the number of substrates subjected to chemical solution processing (substrate cleaning) in the “number basis”, and the special mode RM is periodically performed as the time basis in the “time basis”. Is performed, the special mode RM is periodically executed when viewed on the scale (number and time) of those.

これに対して「支障原因発生基準」では、そのような支障原因が周期的に発生するとは限らないから、特殊モードRMが非周期的に実行される場合が多い。しかしながら、周期的および非周期的のいずれの場合であっても、通常モードNMで洗浄が行われる基板の数と比較すれば、特殊モードRMで洗浄される基板の数は、かなり少ない。   On the other hand, in the "problem cause occurrence criteria", the special mode RM is often executed aperiodically because such a cause does not necessarily occur periodically. However, whether cyclic or aperiodic, the number of substrates cleaned in the special mode RM is considerably smaller than the number of substrates cleaned in the normal mode NM.

図7は、本実施形態の基板処理装置1における特殊モードRMの手順を示すフローチャートである。図7に示すように、ステップST1〜ST3,ST6〜ST10については特殊モードRMも既述の通常モードNMと同様であるので、以下では、特殊モードRM固有のステップであるステップST4A,ST5Aについて詳述する。   FIG. 7 is a flowchart showing the procedure of the special mode RM in the substrate processing apparatus 1 of the present embodiment. As shown in FIG. 7, the steps ST1 to ST3 and ST6 to ST10 are the same as the normal mode NM described above, so that the steps ST4A and ST5A, which are steps unique to the special mode RM, are detailed below. Describe.

なお、特殊モードRMにおいても、1枚の基板Wについて複数回にわたり実行されるステップST4Aを「単位第2薬液プロセス」と呼び、複数の単位第2薬液プロセスの集合概念を「第2薬液プロセス」と呼ぶ。また、1枚の基板Wについて複数回にわたり実行されるステップST5Aを「単位第2リンスプロセス」と呼び、複数の単位第2リンスプロセスの集合概念を「第2リンスプロセス」と呼ぶ。   In addition, also in the special mode RM, step ST4A executed a plurality of times for one substrate W is referred to as "unit second chemical process", and a collective concept of a plurality of unit second chemical processes is "second chemical process". Call it In addition, step ST5A executed a plurality of times for one substrate W is referred to as a "unit second rinse process", and a collective concept of a plurality of unit second rinse processes is referred to as a "second rinse process".

特殊モードRMの第2薬液プロセスは、通常モードNMの第1薬液プロセスと対応するプロセスであり、スピンチャック20によって保持回転される基板Wに薬液を供給して基板Wを薬液処理する複数の単位第2薬液プロセスを有する。   The second chemical process in the special mode RM is a process corresponding to the first chemical process in the normal mode NM, and supplies a chemical to the substrate W held and rotated by the spin chuck 20 to process the substrate W with a plurality of units. It has a second chemical process.

特殊モードRMの第2リンスプロセスは、スピンチャック20によって保持回転される基板Wにリンス液(純水)を供給して基板Wにリンス処理を実行する複数の単位第2リンスプロセスを有する点で通常モードNMの第1リンスプロセスと共通する。他方、複数の単位第1リンスプロセスのうち少なくとも1つの単位第1リンスプロセスとは作動条件が異なる少なくとも1つの単位第2リンスプロセス(このプロセスを、以下では、カップ洗浄プロセスと呼ぶ)を有する点で、第2リンスプロセスは既述の第1リンスプロセスとは異なる。   The second rinse process in the special mode RM includes a plurality of unit second rinse processes in which a rinse solution (pure water) is supplied to the substrate W held and rotated by the spin chuck 20 to perform a rinse process on the substrate W. Common to the first rinse process of the normal mode NM. On the other hand, at least one unit first rinse process among the plurality of unit first rinse processes has at least one unit second rinse process (this process is hereinafter referred to as a cup cleaning process) having different operating conditions. The second rinse process is different from the first rinse process described above.

図8は、カップ洗浄プロセスのタイムチャートの一例である。カップ洗浄プロセスは、基板のリンス処理を主目的とする他の単位第2リンスプロセスとは異なり、基板のリンス処理と処理カップ40の内部洗浄処理とを主目的とするプロセスである。以下の説明において、t0〜t9とは、カップ洗浄プロセスにおける経過時刻を示す。   FIG. 8 is an example of a time chart of the cup cleaning process. The cup cleaning process is a process mainly directed to the substrate rinsing process and the inner cleaning process of the processing cup 40, unlike the other unit second rinsing process mainly directed to the substrate rinsing process. In the following description, t0 to t9 indicate elapsed times in the cup cleaning process.

カップ洗浄プロセスのうち序盤(図8で示す、時刻t0〜時刻t3の期間)においては、内カップ41および中カップ42は下降状態で、外カップ43は上昇状態とされ、外カップ43の上端部43bと中カップ42の第2案内部52の上端部52bとの間に、スピンチャック20に保持された基板Wの周囲を取り囲むリング状の開口部OPaが形成される(図9)。   In the early stage (time t0 to time t3 shown in FIG. 8) of the cup cleaning process, the inner cup 41 and the middle cup 42 are lowered, the outer cup 43 is raised, and the upper end of the outer cup 43 A ring-shaped opening OPa surrounding the periphery of the substrate W held by the spin chuck 20 is formed between 43b and the upper end 52b of the second guide 52 of the middle cup 42 (FIG. 9).

時刻t0〜時刻t1の期間は、スピンチャック20による基板の回転が高速(例えば、2400rpm)で行われる。このため、上面処理液ノズル30より基板W上に供給された純水は、開口OPaを介して、図9に点線矢印AR1の軌跡で基板Wの端縁部から上方に飛散する。外カップ43の上端部43bの内壁(特に、軸心CXに近い位置)に着液された純水は、その内壁を伝って流下し、外側回収溝51(図2)から排出される。この結果、外カップ43の内壁(特に、軸心CXに近い位置)に付着するパーティクルなどの汚染物が純水によって洗い流される。   During the period from time t0 to time t1, the substrate is rotated by the spin chuck 20 at a high speed (for example, 2400 rpm). For this reason, the pure water supplied onto the substrate W from the upper surface treatment liquid nozzle 30 scatters upward from the edge portion of the substrate W along the trajectory of the dotted arrow AR1 in FIG. 9 through the opening OPa. The pure water deposited on the inner wall of the upper end portion 43b of the outer cup 43 (in particular, a position close to the axial center CX) flows down along the inner wall and is discharged from the outer collection groove 51 (FIG. 2). As a result, contaminants such as particles adhering to the inner wall of the outer cup 43 (in particular, a position close to the axial center CX) are washed away by the pure water.

時刻t1〜時刻t2の期間は、スピンチャック20による基板の回転が中速(例えば、1200rpm)で行われる。このため、上面処理液ノズル30より基板W上に供給された純水は、外カップ43と中カップ42との間の開口OPaを介して、図9に点線矢印AR2の軌跡で基板Wの端縁部から略水平方向に飛散する。外カップ43の上端部43bの内壁(特に、軸心CXから遠い位置)に着液された純水は、その内壁を伝って流下し、外側回収溝51(図2)から排出される。この結果、外カップ43の内壁(特に、軸心CXから遠い位置)に付着するパーティクルなどの汚染物が純水によって洗い流される。なお、外カップ43の内壁のうち特に軸心CXから遠い位置は、時刻t0〜時刻t1の期間にも既に純水が流下した箇所であるので、図8に示すように時刻t1〜時刻t2の期間が時刻t0〜時刻t1の期間に比べて短くても、十分なカップ洗浄効果を得ることができる。   During the period from time t1 to time t2, the substrate is rotated by the spin chuck 20 at a medium speed (for example, 1200 rpm). Therefore, the pure water supplied onto the substrate W from the upper processing liquid nozzle 30 passes through the opening OPa between the outer cup 43 and the middle cup 42, and the end of the substrate W follows the trajectory of the dotted arrow AR2 in FIG. Scatters from the edge in a substantially horizontal direction. The pure water deposited on the inner wall of the upper end portion 43b of the outer cup 43 (in particular, at a position far from the axial center CX) flows down along the inner wall and is discharged from the outer collection groove 51 (FIG. 2). As a result, contaminants such as particles adhering to the inner wall of the outer cup 43 (in particular, the position far from the axial center CX) are washed away by the pure water. In the inner wall of the outer cup 43, particularly, the position far from the axial center CX is a point where pure water has already flowed down also during the period from time t0 to time t1, as shown in FIG. Even if the period is shorter than the period from time t0 to time t1, a sufficient cup cleaning effect can be obtained.

時刻t2〜時刻t3の期間は、スピンチャック20による基板の回転が低速(例えば、500rpm)で行われる。このため、上面処理液ノズル30より基板W上に供給された純水は、開口OPaを介して、図9に点線矢印AR3の軌跡で基板Wの端縁部から下方に飛散する。中カップ42の第2案内部52の上端部52bに着液された純水は、その上面を伝って流下し、外側回収溝51(図2)から排出される。この結果、中カップ42の第2案内部52の上端部52bに付着するパーティクルなどの汚染物が純水によって洗い流される。   In the period from time t2 to time t3, the rotation of the substrate by the spin chuck 20 is performed at a low speed (for example, 500 rpm). For this reason, the pure water supplied onto the substrate W from the upper processing liquid nozzle 30 scatters downward from the edge of the substrate W along the trajectory of the dotted arrow AR3 in FIG. 9 through the opening OPa. The pure water deposited on the upper end portion 52b of the second guide portion 52 of the middle cup 42 flows down along the upper surface thereof and is discharged from the outer collection groove 51 (FIG. 2). As a result, contaminants such as particles adhering to the upper end 52b of the second guiding portion 52 of the middle cup 42 are washed away by the pure water.

このように、カップ洗浄プロセスは、基板Wを回転する回転速度を可変に調節する速度調節サブプロセスを有する。そして、速度調節サブプロセスを実行することで、外カップ43と中カップ42とに挟まれる区間のうち所望の箇所に、開口OPaを介して純水を飛散させることができる。   Thus, the cup cleaning process has a speed adjustment sub-process that variably adjusts the rotation speed of rotating the substrate W. Then, by executing the speed adjustment sub-process, it is possible to scatter pure water through the opening OPa in a desired part of the section sandwiched by the outer cup 43 and the middle cup 42.

また、カップ洗浄プロセスのうち中盤(時刻t3〜時刻t6の期間)においては、内カップ41は下降状態で、中カップ42および外カップ43は上昇状態とされ、中カップ42の第2案内部52の上端部52bと内カップ41の第1案内部47の上端部47bとの間に、スピンチャック20に保持された基板Wの周囲を取り囲む開口OPbが形成される(図10)。   In the middle of the cup washing process (time t3 to time t6), the inner cup 41 is in the lowered state, and the middle cup 42 and the outer cup 43 are in the raised state, and the second guide portion 52 of the middle cup 42 An opening OPb surrounding the periphery of the substrate W held by the spin chuck 20 is formed between the upper end 52b of the first cup and the upper end 47b of the first guide 47 of the inner cup 41 (FIG. 10).

時刻t3〜時刻t6の期間においても、時刻t0〜時刻t3の期間と同様、速度調節サブプロセスが実行される。その結果、基板Wの回転速度の高速〜低速に応じて、中カップ42と内カップ41との間の開口OPbを介した純水の軌跡が矢印AR4〜AR6(図10)となり、中カップ42の第2案内部52の内壁および内カップ41の第1案内部47の上面に付着するパーティクルなどの汚染物が純水によって洗い流される。   Also in the period from time t3 to time t6, the speed adjustment sub-process is executed as in the period from time t0 to time t3. As a result, according to the high speed to low speed of the rotational speed of the substrate W, the trajectories of pure water through the opening OPb between the middle cup 42 and the inner cup 41 become arrows AR4 to AR6 (FIG. 10). Contaminations such as particles adhering to the inner wall of the second guide portion 52 and the upper surface of the first guide portion 47 of the inner cup 41 are washed away by the pure water.

また、カップ洗浄プロセスのうち終盤(時刻t6〜時刻t8の期間)においては、内カップ41、中カップ42および外カップ43は全て上昇状態とされ、内カップ41の第1案内部47が、スピンチャック20に保持された基板Wの周囲を取り囲む状態となる(図11)。   Further, in the final stage of the cup cleaning process (period of time t6 to time t8), the inner cup 41, the middle cup 42 and the outer cup 43 are all raised, and the first guide portion 47 of the inner cup 41 is a spin The substrate W held by the chuck 20 is in a state of being surrounded (FIG. 11).

時刻t6〜時刻t8の期間においても、時刻t0〜時刻t2の期間、時刻t3〜時刻t5の期間と同様、速度調節サブプロセスが実行される。その結果、基板Wの回転速度の高速〜中速に応じて、内カップ41の内側開口OPcを介した純水の軌跡が矢印AR7〜AR8(図11)となり、内カップ41の第1案内部47の内壁に付着するパーティクルなどの汚染物が純水によって洗い流される。なお、カップ洗浄プロセスの終盤において基板Wの低速回転が行われないのは、内カップ41より内側に位置する洗浄対象カップ(カップ洗浄プロセスの序盤における中カップ42、中盤における内カップ41、に相当するカップ)が存在しないからである。   Also in the period from time t6 to time t8, the speed adjustment sub-process is executed similarly to the period from time t0 to time t2 and the period from time t3 to time t5. As a result, according to the rotational speed of the substrate W from high speed to medium speed, the trajectory of pure water through the inner opening OPc of the inner cup 41 becomes arrows AR7 to AR8 (FIG. 11), and the first guide portion of the inner cup 41 Contaminants such as particles adhering to the inner wall of 47 are washed away by the pure water. The low speed rotation of the substrate W is not performed at the end of the cup cleaning process because the cleaning object cup (inner cup 42 in the first stage of the cup cleaning process, inner cup 41 in the middle) which is positioned inside the inner cup 41 Cup) does not exist.

このように、カップ洗浄プロセスは、基板Wを回転する回転速度を可変に調節する速度調節サブプロセスと、処理カップ40を上下動させて基板Wから飛散した純水が処理カップ40に当たる箇所を調節する箇所調節サブプロセスと、を有する。そして、これらのサブプロセスを適宜に組み合わせることで、精度よく処理カップ40の各部を洗浄する(各部に純水を飛散させる)ことができる。   As described above, in the cup cleaning process, the speed adjustment subprocess which variably adjusts the rotation speed of rotating the substrate W, and the position where the pure water scattered from the substrate W hits the processing cup 40 by moving the processing cup 40 up and down. Control subprocess; and Then, by appropriately combining these sub-processes, each part of the processing cup 40 can be cleaned with high accuracy (dispersion of pure water into each part).

図7に戻って、特殊モードRMの一連のフローを説明する。処理対象となる基板Wがチャンバー10内に搬入され(ステップST1)ると、該基板Wがスピンチャック20に挟持され(ステップST2)、スピンモータ22により軸心CXまわりに基板Wが回転される(ステップST3)。   Referring back to FIG. 7, a series of flows of the special mode RM will be described. When the substrate W to be processed is carried into the chamber 10 (step ST1), the substrate W is held by the spin chuck 20 (step ST2), and the substrate W is rotated around the axis CX by the spin motor 22. (Step ST3).

そして、単位第2薬液プロセス(ステップST4A)および単位第2リンスプロセス(ステップST5A)が、レシピに従って所定回数交互に行われる。このとき、単位第2リンスプロセス(ステップST5A)のうち少なくとも1回は、単位第1リンスプロセス(ステップST5)とは作動条件の異なる上記カップ洗浄プロセスが実行される。   Then, the unit second chemical liquid process (step ST4A) and the unit second rinse process (step ST5A) are alternately performed a predetermined number of times according to the recipe. At this time, at least one of the unit second rinse processes (step ST5A), the above-described cup cleaning process having different operating conditions from the unit first rinse process (step ST5) is performed.

第2薬液プロセスおよび第2リンスプロセスが完了すると、基板Wの乾燥処理が実行される(ステップST7)。この後、基板Wの回転を停止し(ステップST8)、4つのチャック部材26が駆動され基板Wがスピンチャック20から解放されて(ステップST9)、基板Wが図示しない搬送ロボットによってチャンバー10外に搬出される(ステップST10)。以上説明したように、特殊モードRMでは、基板W上の薬液を洗い流す目的で使用されるリンス液(純水)が、カップ洗浄にも利用される。   When the second chemical solution process and the second rinse process are completed, the drying process of the substrate W is performed (step ST7). Thereafter, the rotation of the substrate W is stopped (step ST8), the four chuck members 26 are driven, and the substrate W is released from the spin chuck 20 (step ST9). It is carried out (step ST10). As described above, in the special mode RM, the rinse liquid (pure water) used for the purpose of washing out the chemical solution on the substrate W is also used for cup cleaning.

<1.3 基板処理装置1の効果>
以下、本実施形態の基板処理装置1の効果について説明する。
<1.3 Effects of Substrate Processing Apparatus 1>
Hereinafter, the effects of the substrate processing apparatus 1 of the present embodiment will be described.

特殊モードRMでは、通常モードNMの一部を変更して上記カップ洗浄プロセスを実行するので、基板処理に加えて処理カップ40の洗浄処理を実行することができる。これにより、カップ内部に付着した汚染源を有効に洗い流すことができ、基板処理装置1の歩留まりを向上することができる。   In the special mode RM, a part of the normal mode NM is changed to execute the cup cleaning process, so that the cleaning process of the processing cup 40 can be performed in addition to the substrate processing. Thereby, the contamination source adhering to the inside of the cup can be effectively washed away, and the yield of the substrate processing apparatus 1 can be improved.

また、第2リンスプロセスのうちカップ洗浄プロセスは、速度調節サブプロセスと、箇所調節サブプロセスと、を有する。このため、これらのサブプロセスを制御部9によって適宜に組み合わせて実行することで、精度よく処理カップ40の各部を洗浄する(各部に純水を飛散させる)ことができる。   Also, of the second rinse process, the cup cleaning process has a velocity adjustment subprocess and a site adjustment subprocess. Therefore, by appropriately combining and executing these sub-processes by the control unit 9, each part of the processing cup 40 can be cleaned with high accuracy (dispersion of pure water in each part).

また、特殊モードRMにおいてカップ洗浄プロセスとして処理対象基板Wに通常モードNMとは異なる作動条件(リンス液供給時間の長短、基板Wの回転数の大小、カップ上下動作の有無など)でリンス液が供給される。けれども、本実施形態のようにリンス液として純水が利用される態様、あるいはリンス液として十分に希釈された薬液が利用される態様であれば、上記作動条件が通常モードNMとは異なることにより基板Wに悪影響が生じることを防止できる(歩留まりの低下を防止できる)。   In addition, the rinse solution is applied to the processing target substrate W as the cup cleaning process in the special mode RM under different operating conditions (length of rinse solution supply time, length of rotation of substrate W, presence of cup up and down movement, etc.). Supplied. However, in the case where pure water is used as the rinse liquid as in this embodiment, or in the case where the chemical solution sufficiently diluted as the rinse liquid is used, the above-mentioned operating condition is different from the normal mode NM. An adverse effect on the substrate W can be prevented (a reduction in yield can be prevented).

また、特殊モードRMは、チャンバー10内に基板Wが配されるタイミングであれば実行可能なモードである。このように特殊モードRMの実行における時間的制約が小さいので、ロット処理の途中で処理カップ40の洗浄を行う要請が生じた場合(既述した「支障原因発生基準」でのカップ内洗浄要請の発生、例えば、センサにより処理カップ40に付着する汚染源が検知された場合やチャンバー10内の雰囲気汚染が検知された場合など)に、実行中のロット処理の完了を待たずに特殊モードRMを行うことが可能となる。   In addition, the special mode RM is a mode that can be executed at timing when the substrate W is disposed in the chamber 10. As described above, since the time restriction in the execution of the special mode RM is small, when there is a request for cleaning the processing cup 40 in the middle of lot processing (in-cup cleaning request according to the above-mentioned "inference cause occurrence criteria" For example, when the sensor detects a contamination source attached to the processing cup 40, the atmosphere contamination in the chamber 10 is detected, etc.), the special mode RM is performed without waiting for the completion of the ongoing lot processing. It becomes possible.

また、本実施形態の特殊モードRMはスピンチャック20に基板Wが装着された状態で実行される。このため、特許文献1のように回転するスピンベースにリンス液(純水)を供給して該リンス液を飛散させる態様と異なり、スピンチャックのうち基板を把持するためのチャック機構(典型的には、突起形状)にリンス液が衝突するおそれが減り、薬液が付着している洗浄対象箇所に適切にリンス液を飛散させることが可能である。   Further, the special mode RM of the present embodiment is executed in a state where the substrate W is attached to the spin chuck 20. For this reason, unlike the mode in which the rinse liquid (pure water) is supplied to the rotating spin base to scatter the rinse liquid as in Patent Document 1, a chuck mechanism (typically, for gripping a substrate in the spin chuck) Is less likely to cause the rinse liquid to collide with the projection shape, and the rinse liquid can be appropriately scattered to the portion to be cleaned to which the chemical solution is attached.

また、スピンチャック20、処理カップ40、上面処理液ノズル30などのチャンバー10内の各要素は、いずれも本来は基板Wに対して表面処理を行うために使用するものであって、基板W以外のものを洗浄することを目的として設けられたものではない。本実施形態では、処理カップ40を洗浄するための専用機構(洗浄治具など)を設けることなく、制御部9によるモード選択によって処理カップ40のリンス処理を行うため基板処理装置1の大型化を抑止できる。   Further, each element in the chamber 10 such as the spin chuck 20, the processing cup 40, and the upper processing liquid nozzle 30 is originally used to perform the surface processing on the substrate W originally, and other than the substrate W It is not provided for the purpose of cleaning the In the present embodiment, the substrate processing apparatus 1 is enlarged because the rinse processing of the processing cup 40 is performed by the mode selection by the control unit 9 without providing a dedicated mechanism (cleaning jig or the like) for cleaning the processing cup 40. It can be deterred.

また特に、基板Wの回転速度を可変に調節可能とし、図9などに示すように、カップ内壁の洗浄期間において回転数を変更しつつリンス液の吐出および飛散を行わせているため、カップ内壁を上下方向に走査するような態様でカップ内壁の広範囲の洗浄が可能となる。このような回転数変化は、この実施形態のように段階的であってもよく、時間的に連続変化させる態様であってもよい。   In particular, the rotation speed of the substrate W can be variably adjusted, and as shown in FIG. 9 etc., the rinse liquid is discharged and scattered while changing the number of rotations during the cleaning period of the cup inner wall. It is possible to extensively wash the inner wall of the cup in such a manner as to scan in the vertical direction. Such rotational speed changes may be stepwise as in this embodiment, or may be continuously changed in time.

<2 変形例>
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、第1リンスプロセスおよび第2リンスプロセスで使用するリンス液を純水としていたが、これに限定されるものではなく、薬液を純水で希釈した液をリンス液として用いるようにしても良い。また、上述した通常モードNMおよび特殊モードRMは処理モードの一例にすぎず、例えば、下面処理液ノズル28より基板Wの下面に処理液を供給するモードを採用してもよい。
<2 variations>
Although the embodiments of the present invention have been described above, various modifications can be made to the present invention other than those described above without departing from the scope of the present invention. For example, in the above embodiment, although the rinse liquid used in the first rinse process and the second rinse process is pure water, the present invention is not limited to this, and a solution obtained by diluting a chemical solution with pure water is used as the rinse liquid You may use it. The normal mode NM and the special mode RM described above are merely examples of the processing mode, and for example, a mode in which the processing liquid is supplied to the lower surface of the substrate W from the lower surface processing liquid nozzle 28 may be adopted.

図12および図13は、上記実施形態のカップ洗浄プロセスの変形例にかかるタイムチャートである。   12 and 13 are time charts according to a modification of the cup cleaning process of the above embodiment.

カップ洗浄プロセスは、基板Wに供給するリンス液(純水)の供給量を可変に調節する供給量調節サブプロセスを有していてもよい。例えば、図12に示すように、処理カップ40の基板Wに近い箇所を洗浄する目的で基板の高速回転を行う期間(時刻t0〜時刻t1、時刻t3〜時刻t4、時刻t6〜時刻t7)でのみ純水の供給量を大きくする場合、処理カップ40のうち基板Wに近い位置に付着する汚染源(基板Wへの汚染可能性が高い汚染源)を有効に洗い流すことができる。   The cup cleaning process may include a supply amount adjustment sub-process that variably adjusts the supply amount of the rinse liquid (pure water) supplied to the substrate W. For example, as shown in FIG. 12, in the period (time t0 to time t1, time t3 to time t4, time t6 to time t7) in which the substrate is rotated at high speed for cleaning the portion near the substrate W of the processing cup 40 In the case where the supply amount of pure water is increased, it is possible to effectively wash out a contamination source (a contamination source having a high possibility of contamination on the substrate W) adhering to a position close to the substrate W in the processing cup 40.

また、処理カップ40を上下動させる箇所調節サブプロセスでは、図13に示すように、処理カップ40の上下動が一定の上下区間において繰り返し行われてもよい。この繰り返し上下動が行われる区間では、処理カップ40に満遍なくリンス液(純水)が飛散され、広範囲にわたって汚染源を有効に洗い流すことができる。処理カップ40を上下動させる場合には、その上下動させる速度を処理カップ40の上下位置に応じて変更することが有効である。例えば、処理カップ40に付着する汚染源の少ない位置では処理カップ40を速く昇降させ、処理カップ40に付着する汚染源の多い位置では処理カップ40を遅く昇降させることで、効率的にカップ洗浄処理を行うことができる。   In addition, in the position adjustment sub-process in which the processing cup 40 is moved up and down, as shown in FIG. 13, the vertical movement of the processing cup 40 may be repeatedly performed in a certain upper and lower section. In the section where the repeated vertical movement is performed, the rinse liquid (pure water) is scattered all over the processing cup 40, and the contamination source can be effectively washed out over a wide area. When moving the processing cup 40 up and down, it is effective to change the speed of moving the processing cup according to the vertical position of the processing cup 40. For example, the cup cleaning process can be efficiently performed by raising and lowering the processing cup 40 quickly at a position where the contamination source adheres to the processing cup 40 and raising and lowering the processing cup 40 at a position where the contamination source adheres to the processing cup 40. be able to.

また、上記実施形態では、基板Wの上面にリンス液を供給するリンス液供給ノズルとして上面処理液ノズル30を用いていたが、これに代えて、二流体ノズル60からスピンベース21にリンス液を供給するようにしても良い。   In the above embodiment, the upper processing liquid nozzle 30 is used as the rinse liquid supply nozzle for supplying the rinse liquid to the upper surface of the substrate W, but instead, the two base fluid nozzle 60 rinses the spin base 21 with the rinse liquid. You may supply it.

また、上記実施形態においては、処理カップ40に互いに独立して昇降可能な内カップ41、中カップ42および外カップ43を備えていたが、3つのカップが一体に構成されて昇降するものであっても良い。3つのカップが高さ方向に沿って多段に一体に積層されている場合には、それぞれのカップが順次にスピンベース21の保持面21aを取り囲むように昇降移動するようにすれば良い。さらに、処理カップ40はスピンベース21を取り囲む1段のカップのみを備えるものであっても良い。   In the above embodiment, the processing cup 40 is provided with the inner cup 41, the middle cup 42, and the outer cup 43 which can be moved up and down independently of one another. However, three cups are integrally formed to move up and down. It is good. When three cups are integrally stacked in multiple stages along the height direction, the respective cups may be moved up and down so as to surround the holding surface 21 a of the spin base 21 sequentially. Furthermore, the processing cup 40 may comprise only a single-stage cup surrounding the spin base 21.

また、基板処理装置1によって処理対象となる基板は半導体基板に限定されるものではなく、液晶表示装置などのフラットパネルディスプレイに用いるガラス基板など種々の基板であっても良い。   The substrate to be processed by the substrate processing apparatus 1 is not limited to a semiconductor substrate, and may be various substrates such as a glass substrate used for flat panel displays such as liquid crystal display devices.

また、上記実施形態では、通常モードNMにおいて、第1薬液プロセスが複数の単位第1薬液プロセスを有し、第1リンスプロセスが複数の単位第1リンスプロセスを有する態様について説明したが、これに限られるものではない。すなわち、第1薬液プロセスが一の単位第1薬液プロセスを有し、第1リンスプロセスが一の単位第1リンスプロセスを有する態様(薬液処理とリンス処理とが一回ずつ行われる態様)であっても構わない。第2薬液プロセスおよび第2リンスプロセスについても同様である。   In the above embodiment, in the normal mode NM, the first chemical process has a plurality of unit first chemical processes, and the first rinse process has a plurality of unit first rinse processes. It is not limited. That is, this is an embodiment in which the first chemical process has one unit first chemical process and the first rinse process has one unit first rinse process (an embodiment in which the chemical treatment and the rinse process are performed once). It does not matter. The same applies to the second chemical process and the second rinse process.

また、上記実施形態では、特殊モードRMが第2薬液プロセスを有する態様について説明したがこれに限られるものではない。特殊モードRMは、少なくとも第2リンスプロセスを有していれば足り、図14に示すように第2薬液プロセスを有していなくても構わない。この態様は、基板Wを最終製品として利用しない場合の態様であり、第2薬液プロセスを行わないので所要時間が短い、基板Wを傷つけるほど強力に純水を供給することができる、基板処理の観点から基板Wに対しては使用できないリンス液でもカップ洗浄に有効であれば使用できる、等の利点がある。したがって、チャンバー10に搬送される前工程におけるキズ等の影響でそもそも最終製品として利用できない基板Wに対しては特に有効である。   Moreover, although the said embodiment demonstrated the aspect in which special mode RM has a 2nd chemical | medical solution process, it is not restricted to this. The special mode RM only needs to have at least the second rinse process, and may not have the second chemical process as shown in FIG. This mode is a mode in the case where the substrate W is not used as a final product, and since the second chemical process is not performed, the required time is short, and pure water can be supplied as strongly as the substrate W is damaged. From the viewpoint, there is an advantage that even a rinse solution that can not be used for the substrate W can be used if it is effective for cup cleaning. Therefore, it is particularly effective for the substrate W which can not be used as the final product in the first place due to the influence of scratches and the like in the previous process of being transported to the chamber 10.

図15は、カップ洗浄プロセスにあたり、液密洗浄を行う場合の基板処理装置1の縦断面図である。図9と比較しても分かるように、図15では、外カップ43の上端部43bと中カップ42の第2案内部52の上端部52bとの間に形成される開口OPaの上下幅が小さい。このように、洗浄対象のカップ間(図15では、外カップ43と中カップ42との間)の間隔を狭めることで、該カップ間が基板Wから飛散され供給される純水(図中に点線矢印で示す)で満たされ、効率的にカップ洗浄を行うことができる。   FIG. 15 is a longitudinal sectional view of the substrate processing apparatus 1 in the case of performing liquid tight cleaning in the cup cleaning process. As understood from comparison with FIG. 9, in FIG. 15, the vertical width of the opening OPa formed between the upper end 43b of the outer cup 43 and the upper end 52b of the second guide 52 of the middle cup 42 is small. . Thus, by narrowing the distance between the cups to be cleaned (in FIG. 15, between the outer cup 43 and the middle cup 42), the space between the cups is scattered from the substrate W and supplied with pure water (in the figure Can be filled efficiently and cup washing can be performed.

以上、実施形態およびその変形例に係る基板処理装置1について説明したが、これらは本発明に好ましい実施形態の例であって、本発明の実施の範囲を限定するものではない。本発明は、その発明の範囲内において、各実施形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施形態において任意の構成要素の省略が可能である。   As mentioned above, although the substrate processing apparatus 1 which concerns on embodiment and its modification was demonstrated, these are examples of preferable embodiment to this invention, Comprising: The scope of implementation of this invention is not limited. In the scope of the invention, the present invention allows free combination of each embodiment, or deformation of any component of each embodiment, or omission of any component in each embodiment.

1 基板処理装置
9 制御部
10 チャンバー
20 スピンチャック
21 スピンベース
22 スピンモータ
26 チャック部材
30 上面処理液ノズル
40 処理カップ
41 内カップ
42 中カップ
43 外カップ
47 第1案内部
52 第2案内部
CX 軸心
NM 通常モード
OPa,OPb,OPc 開口
RM 特殊モード
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 substrate processing apparatus 9 control part 10 chamber 20 spin chuck 21 spin base 22 spin motor 26 chuck member 30 upper processing liquid nozzle 40 processing cup 41 inner cup 42 middle cup 43 outer cup 47 1st guide part 52 2nd guide part CX axis Heart NM Normal Mode OPa, OPb, OPc Opening RM Special Mode

Claims (13)

複数の基板に対して順次に処理を行う基板処理装置であって、
前記基板を保持する基板保持手段と、前記基板保持手段を回転させる回転駆動手段と、前記基板保持手段の周囲を取り囲む複数のカップとを備える処理装置本体と、
複数の基板処理モードがあらかじめ設定され、前記処理装置本体を制御して、各基板につき前記複数のモードのうちの1つを選択して実行させる制御手段と、
を備え、
前記複数のカップは、
前記基板保持手段の周囲を取り囲む第1円筒部、および、前記第1円筒部の上端から円弧を描きつつ前記基板保持手段の中心側斜め上方に延びる第1案内部を有する第1カップと、
前記第1カップの周囲を取り囲む第2円筒部、および、前記第1案内部の上方に位置し前記第2円筒部の上端から円弧を描きつつ前記基板保持手段の中心側斜め上方に延びる第2案内部を有する第2カップと、
を含み、
前記複数のカップを互いに独立して昇降させる昇降機構をさらに備え、
前記複数のモードが、
(A)複数の前記基板のうちの第1基板について実行されるモードであって、前記第1基板を前記基板保持手段にて保持して回転させつつ前記第1基板に薬液を供給し、前記第1基板を薬液処理する第1薬液プロセスと、
前記第1基板を前記基板保持手段にて保持して回転させつつ前記第1基板にリンス液を供給し、前記第1基板から前記薬液を洗い流す第1リンスプロセスと、
を有する通常モードと、
(B)複数の前記基板のうち、前記通常モードが実行された後に処理対象となる第2基板について実行されるモードであって、
前記第2基板を前記基板保持手段にて保持して回転させつつ前記第2基板に前記薬液を供給し、前記第2基板を薬液処理する第2薬液プロセスと、
前記第1リンスプロセスとは異なる作動条件によって、前記第2基板を前記基板保持手段にて保持して回転させつつ前記第2基板にリンス液を供給し、前記第2基板から前記薬液を洗い流しつつ、回転する前記第2基板から飛散した前記リンス液によって前記複数のカップを洗浄する第2リンスプロセスと、
を有する特殊モードと、
を含み、
前記第2リンスプロセスは前記第2カップから前記第1カップの順に実行されることを特徴とする基板処理装置。
A substrate processing apparatus for sequentially processing a plurality of substrates, the substrate processing apparatus comprising:
A processing apparatus main body comprising: substrate holding means for holding the substrate; rotation driving means for rotating the substrate holding means; and a plurality of cups surrounding the substrate holding means.
Control means for setting a plurality of substrate processing modes in advance and controlling the main body of the processing apparatus to select and execute one of the plurality of modes for each substrate;
Equipped with
The plurality of cups are
A first cylindrical portion surrounding the periphery of the substrate holding means, and a first cup having a first guide portion extending obliquely upward on the center side of the substrate holding means while drawing an arc from the upper end of the first cylindrical portion;
A second cylindrical portion surrounding the periphery of the first cup, and a second cylindrical portion located above the first guiding portion and extending obliquely upward on the center side of the substrate holding means while drawing an arc from the upper end of the second cylindrical portion A second cup having a guiding portion;
Including
The apparatus further comprises an elevation mechanism that raises and lowers the plurality of cups independently of each other,
The plurality of modes are
(A) A mode executed for a first substrate among a plurality of the substrates, wherein the first substrate is held by the substrate holding means and supplied with a chemical solution to the first substrate while being rotated; A first chemical process for performing a chemical process on the first substrate;
A first rinse process of supplying a rinse liquid to the first substrate while holding and rotating the first substrate by the substrate holding means, and washing out the chemical solution from the first substrate;
With normal mode, and
(B) a mode to be executed for a second substrate to be processed after the normal mode is executed among the plurality of substrates,
A second chemical process for supplying the chemical solution to the second substrate while holding and rotating the second substrate by the substrate holding means, and performing a chemical process on the second substrate;
The rinse solution is supplied to the second substrate while the second substrate is held and rotated by the substrate holding unit under the operation condition different from the first rinse process, and the chemical solution is washed away from the second substrate. A second rinse process for cleaning the plurality of cups by the rinse solution scattered from the rotating second substrate;
With a special mode,
Including
The substrate processing apparatus, wherein the second rinse process is performed in order of the second cup to the first cup.
請求項1に記載の基板処理装置であって、
前記特殊モードは所定の尺度を基準に選択され、
前記第1薬液プロセスと前記第2薬液プロセスは同一の処理であることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein
The special mode is selected based on a predetermined scale,
A substrate processing apparatus characterized in that the first chemical process and the second chemical process are the same process.
請求項2に記載の基板処理装置であって、
前記特殊モードは、前記第2基板であって、所定の前記尺度分だけ前記通常モードが実行された後に処理対象となる前記第2基板について実行されるモードであることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 2,
A substrate processing apparatus, wherein the special mode is the second substrate and is a mode to be executed on the second substrate to be processed after the normal mode is executed by a predetermined amount of the scale. .
請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記尺度は、時間であり、
前記特殊モードは、前記通常モードが所定の時間分だけ実行された後に処理対象となる前記第2基板について実行されるモードであることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein
The scale is time,
The special mode is a mode to be executed for the second substrate to be processed after the normal mode is executed for a predetermined time.
請求項3に記載の基板処理装置であって、
前記尺度は、基板の処理枚数であり、
前記特殊モードは、前記通常モードにより所定枚数の基板処理が実行された後に処理対象となる前記第2基板について実行されるモードであることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein
The scale is the number of processed substrates,
The special mode is a mode to be executed for the second substrate to be processed after a predetermined number of substrates have been processed in the normal mode.
請求項1に記載の基板処理装置であって、
基板処理中の支障原因の発生を検知するセンサを備え、
前記通常モードは、前記センサによって前記支障原因の発生が検知されなかった場合に実行され、
前記特殊モードは、前記センサによって前記支障原因の発生が検知された場合に実行されることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein
It has a sensor that detects the occurrence of the cause of trouble during substrate processing,
The normal mode is executed when the occurrence of the failure cause is not detected by the sensor;
The special mode is executed when the occurrence of the trouble cause is detected by the sensor.
請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の基板処理装置であって、
前記第2リンスプロセスが、前記カップを上下動させて、前記第2基板から飛散した前記リンス液が前記カップに当たる箇所を調節する箇所調節サブプロセス、を有することを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6, wherein
A substrate processing apparatus, comprising: a position adjustment sub-process in which the second rinse process moves the cup up and down to adjust a position where the rinse liquid splashed from the second substrate hits the cup.
請求項1から請求項7のいずれか1項に記載の基板処理装置であって、
前記第2リンスプロセスが、前記第2基板を回転する回転速度を可変に調節する速度調節サブプロセス、を有することを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7, wherein
A substrate processing apparatus, comprising: a speed adjustment sub-process in which the second rinse process variably adjusts a rotational speed at which the second substrate is rotated.
請求項1から請求項8のいずれか1項に記載の基板処理装置であって、
前記第2リンスプロセスが、前記第2基板に供給する前記リンス液の供給量を可変に調節する供給量調節サブプロセス、を有することを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 8, wherein
A substrate processing apparatus, wherein the second rinse process has a supply amount adjustment sub-process which variably adjusts the supply amount of the rinse liquid to be supplied to the second substrate.
請求項1から請求項9のいずれか1項に記載の基板処理装置であって、
前記第1基板と前記第2基板は、同一の薬液プロセスを施す所定枚数の基板の群に含まれる基板であることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 9, wherein
The substrate processing apparatus, wherein the first substrate and the second substrate are substrates included in a group of a predetermined number of substrates subjected to the same chemical process.
請求項1から請求項10のいずれか1項に記載の基板処理装置であって、
前記複数のカップは、
前記第2カップの周囲を取り囲む第3円筒部、および、前記第2案内部の上方に位置し前記第3円筒部の上端から円弧を描きつつ前記基板保持手段の中心側斜め上方に延びる第3案内部を有する第3カップをさらに含むことを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 10, wherein
The plurality of cups are
A third cylindrical portion surrounding the periphery of the second cup, and a third cylindrical portion located above the second guiding portion and extending obliquely upward on the center side of the substrate holding means while drawing an arc from the upper end of the third cylindrical portion A substrate processing apparatus, further comprising a third cup having a guide portion.
請求項11に記載の基板処理装置であって、
前記第2リンスプロセスは、前記第3カップから前記第2カップ、前記第1カップの順に実行されることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 11, wherein
The substrate processing apparatus, wherein the second rinse process is performed in order of the third cup, the second cup, and the first cup.
基板を保持する基板保持手段と、前記基板保持手段を回転させる回転駆動手段と、前記基板保持手段の周囲を取り囲む複数のカップとを備える処理装置本体と、前記処理装置本体を制御する制御手段と、
を使用して複数の基板に対して順次に処理を行う基板処理方法であって、
前記複数のカップは、
前記基板保持手段の周囲を取り囲む第1円筒部、および、前記第1円筒部の上端から円弧を描きつつ前記基板保持手段の中心側斜め上方に延びる第1案内部を有する第1カップと、
前記第1カップの周囲を取り囲む第2円筒部、および、前記第1案内部の上方に位置し前記第2円筒部の上端から円弧を描きつつ前記基板保持手段の中心側斜め上方に延びる第2案内部を有する第2カップと、
を含み、
前記複数のカップは互いに独立して昇降され、
前記制御手段に複数のモードをあらかじめ設定する設定工程と、
前記複数の基板のそれぞれについて、前記制御手段中の前記複数のモードのうちの1つを選択して実行させる処理実行工程と、
を備え、
前記複数のモードが、
(A)複数の前記基板のうちの第1基板について実行されるモードであって、前記第1基板を前記基板保持手段にて保持して回転させつつ前記第1基板に薬液を供給し、前記第1基板を薬液処理する第1薬液プロセスと、
前記第1基板を前記基板保持手段にて保持して回転させつつ前記第1基板にリンス液を供給し、前記第1基板から前記薬液を洗い流す第1リンスプロセスと、
を有する通常モードと、
(B)複数の前記基板のうち、前記通常モードが実行された後に処理対象となる第2基板について実行されるモードであって、
前記第2基板を前記基板保持手段にて保持して回転させつつ前記第2基板に前記薬液を供給し、前記第2基板を薬液処理する第2薬液プロセスと、
前記第1リンスプロセスとは異なる作動条件によって、前記第2基板を前記基板保持手段にて保持して回転させつつ前記第2基板にリンス液を供給し、前記第2基板から前記薬液を洗い流しつつ、回転する前記第2基板から飛散した前記リンス液によって前記複数のカップを洗浄する第2リンスプロセスと、
を有する特殊モードと、
を含み、
前記第2リンスプロセスは前記第2カップから前記第1カップの順に実行されることを特徴とする基板処理方法。
A processing apparatus main body comprising a substrate holding means for holding a substrate, a rotational drive means for rotating the substrate holding means, and a plurality of cups surrounding the periphery of the substrate holding means, and a control means for controlling the processing apparatus main body ,
A substrate processing method for sequentially processing a plurality of substrates using
The plurality of cups are
A first cylindrical portion surrounding the periphery of the substrate holding means, and a first cup having a first guide portion extending obliquely upward on the center side of the substrate holding means while drawing an arc from the upper end of the first cylindrical portion;
A second cylindrical portion surrounding the periphery of the first cup, and a second cylindrical portion located above the first guiding portion and extending obliquely upward on the center side of the substrate holding means while drawing an arc from the upper end of the second cylindrical portion A second cup having a guiding portion;
Including
The plurality of cups are raised and lowered independently of each other,
A setting step of setting a plurality of modes in advance in the control means;
A process execution step of selecting and executing one of the plurality of modes in the control means for each of the plurality of substrates;
Equipped with
The plurality of modes are
(A) A mode executed for a first substrate among a plurality of the substrates, wherein the first substrate is held by the substrate holding means and supplied with a chemical solution to the first substrate while being rotated; A first chemical process for performing a chemical process on the first substrate;
A first rinse process of supplying a rinse liquid to the first substrate while holding and rotating the first substrate by the substrate holding means, and washing out the chemical solution from the first substrate;
With normal mode, and
(B) a mode to be executed for a second substrate to be processed after the normal mode is executed among the plurality of substrates,
A second chemical process for supplying the chemical solution to the second substrate while holding and rotating the second substrate by the substrate holding means, and performing a chemical process on the second substrate;
The rinse solution is supplied to the second substrate while the second substrate is held and rotated by the substrate holding unit under the operation condition different from the first rinse process, and the chemical solution is washed away from the second substrate. A second rinse process for cleaning the plurality of cups by the rinse solution scattered from the rotating second substrate;
With a special mode,
Including
The second rinse process is performed in order of the second cup to the first cup.
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