JPH0621002B2 - 水素化マグネシウムの製造方法 - Google Patents
水素化マグネシウムの製造方法Info
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- JPH0621002B2 JPH0621002B2 JP60059341A JP5934185A JPH0621002B2 JP H0621002 B2 JPH0621002 B2 JP H0621002B2 JP 60059341 A JP60059341 A JP 60059341A JP 5934185 A JP5934185 A JP 5934185A JP H0621002 B2 JPH0621002 B2 JP H0621002B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B6/00—Hydrides of metals including fully or partially hydrided metals, alloys or intermetallic compounds ; Compounds containing at least one metal-hydrogen bond, e.g. (GeH3)2S, SiH GeH; Monoborane or diborane; Addition complexes thereof
- C01B6/04—Hydrides of alkali metals, alkaline earth metals, beryllium or magnesium; Addition complexes thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ヨーロツパ特許明細書第0003564号に記載さ
れている、マグネシウムと水素から水素化マグネシウム
(MgH2)を触媒反応によつて製造する方法の改良に係わ
る。
れている、マグネシウムと水素から水素化マグネシウム
(MgH2)を触媒反応によつて製造する方法の改良に係わ
る。
従来の技術 および 発明が解決しようとする問題点 ヨーロツパ特許明細書第0003564号記載の方法に
よれば、周期表のIV〜VIII放遷移金属のハロゲン化物か
ら成る触媒および有機マグネシウム化合物もしくは水素
化マグネシウム並びに所望による多環式芳香族化合物も
しくは第三級アミンの存在下の温和な条件下において、
マグネシウムと水素を反応させることによつて反応性の
高い水素化マグネシウムが得られる。水素化マグネシウ
ムの代りに、THFに可溶性のハロゲン化水素化マグネ
シウムMgHX(X=Cl、Br、I)を調製する特別
な場合には、マグネシウムと水素との反応に際して、ハ
ロゲン化マグネシウムMgX2(X=Cl、Br、I)
を、好ましくは化学量論量、即ちMg:X2=1:1の
割合で添加する。この方法によれば、水素化マグネシウ
ムもしくはハロゲン化水素化マグネシウム調製用の特に
活性な触媒は、マグネシウムアントラセンまたはマグネ
シウムとアントラセンをTHF中でハロゲン化クロム、
ハロゲン化チタンもしくはハロゲン化鉄と反応させるこ
とによつて得られる。この方法によるマグネシウムの水
素化の典型的な反応条件は温度60〜70℃、水素圧5
〜80barである。
よれば、周期表のIV〜VIII放遷移金属のハロゲン化物か
ら成る触媒および有機マグネシウム化合物もしくは水素
化マグネシウム並びに所望による多環式芳香族化合物も
しくは第三級アミンの存在下の温和な条件下において、
マグネシウムと水素を反応させることによつて反応性の
高い水素化マグネシウムが得られる。水素化マグネシウ
ムの代りに、THFに可溶性のハロゲン化水素化マグネ
シウムMgHX(X=Cl、Br、I)を調製する特別
な場合には、マグネシウムと水素との反応に際して、ハ
ロゲン化マグネシウムMgX2(X=Cl、Br、I)
を、好ましくは化学量論量、即ちMg:X2=1:1の
割合で添加する。この方法によれば、水素化マグネシウ
ムもしくはハロゲン化水素化マグネシウム調製用の特に
活性な触媒は、マグネシウムアントラセンまたはマグネ
シウムとアントラセンをTHF中でハロゲン化クロム、
ハロゲン化チタンもしくはハロゲン化鉄と反応させるこ
とによつて得られる。この方法によるマグネシウムの水
素化の典型的な反応条件は温度60〜70℃、水素圧5
〜80barである。
本発明者は驚くべきことに、ハロゲン化水素化マグネシ
ウムを調製するためのマグネシウムの水素化に際してマ
グネシウム金属に基づいて化学量論量使用されるハロゲ
ン化マグネシウムMgX2(X=Cl,Br,I)が、
マグネシウム金属に基づいて触媒量使用する場合には、
該ヨーロツパ特許明細書に記載の水素化マグネシウム製
造用触媒として非常に効果的であることを見出した。
ウムを調製するためのマグネシウムの水素化に際してマ
グネシウム金属に基づいて化学量論量使用されるハロゲ
ン化マグネシウムMgX2(X=Cl,Br,I)が、
マグネシウム金属に基づいて触媒量使用する場合には、
該ヨーロツパ特許明細書に記載の水素化マグネシウム製
造用触媒として非常に効果的であることを見出した。
ハロゲン化マグネシウムの共触媒作用は次の事実によつ
て説明される。即ち、該ヨーロツパ特許明細書に記載の
マグネシウムの水素化触媒の活性を顕著に高め、別の同
様の条件下でのマグネシウムの定量的水素化の反応時間
を5〜10媒短縮する。従つて、水素化マグネシウムを
製造する際の製造コストは実質上低下し、製造時の空間
時間収率は増加する。活性の増加の尺度としては、収率
の改良の外に、製造される水素化マグネシウムの有効活
性表面が挙げられる。
て説明される。即ち、該ヨーロツパ特許明細書に記載の
マグネシウムの水素化触媒の活性を顕著に高め、別の同
様の条件下でのマグネシウムの定量的水素化の反応時間
を5〜10媒短縮する。従つて、水素化マグネシウムを
製造する際の製造コストは実質上低下し、製造時の空間
時間収率は増加する。活性の増加の尺度としては、収率
の改良の外に、製造される水素化マグネシウムの有効活
性表面が挙げられる。
問題点を解決するための手段 即ち、該ヨーロツパ特許明細書に記載の水素化マグネシ
ウムの製造法の改良に係わる本発明方法は、周期表めIV
〜VIII族遷移金属のハロゲン化物から成る触媒、有機マ
グネシウム化合物もしくは水素化マグネシウムおよびハ
ロゲン化マグネシウム並びに所望による多環式芳香族化
合物もしくは第3級アミンの存在下にマグネシウムと水
素を反応させることによつて水素化マグネシウムを製造
する方法に関するもので、ハロゲン化マグネシウムMg
X2(X=Cl,Br,I)を、マグネシウム金属に基
づき、化学量論量よりも少量、即ち触媒量使用すること
を特徴とする。
ウムの製造法の改良に係わる本発明方法は、周期表めIV
〜VIII族遷移金属のハロゲン化物から成る触媒、有機マ
グネシウム化合物もしくは水素化マグネシウムおよびハ
ロゲン化マグネシウム並びに所望による多環式芳香族化
合物もしくは第3級アミンの存在下にマグネシウムと水
素を反応させることによつて水素化マグネシウムを製造
する方法に関するもので、ハロゲン化マグネシウムMg
X2(X=Cl,Br,I)を、マグネシウム金属に基
づき、化学量論量よりも少量、即ち触媒量使用すること
を特徴とする。
本発明方法に使用する好ましい触媒は、ハロゲン化チタ
ン、ハロゲン化クロムもしくはハロゲン化鉄、マグネシ
ウムアントラセンもしくはマグネシウムとアントラセ
ン、およびハロゲン化マグネシウムとしての塩化マグネ
シウムをTHF中に加えたものである。
ン、ハロゲン化クロムもしくはハロゲン化鉄、マグネシ
ウムアントラセンもしくはマグネシウムとアントラセ
ン、およびハロゲン化マグネシウムとしての塩化マグネ
シウムをTHF中に加えたものである。
本発明方法によれば、触媒をMg:遷移金属比が104
〜50:1になるような割合で添加することができる。
この場合、遷移金属:有機マグネシウム化合物もしくは
水素化マグネシウム:ハロゲン化マグネシウム比は0.
1:1:2〜10:1:20から選択することができ
る。しかしながら、Mg:遷移金属のモル比を例えば5
・102:1のように大きくする場合は、ハロゲン化マ
グネシウム:遷移金属のモル比も20:1以上、例えば
50:1もしくは100:1にしてもよい。
〜50:1になるような割合で添加することができる。
この場合、遷移金属:有機マグネシウム化合物もしくは
水素化マグネシウム:ハロゲン化マグネシウム比は0.
1:1:2〜10:1:20から選択することができ
る。しかしながら、Mg:遷移金属のモル比を例えば5
・102:1のように大きくする場合は、ハロゲン化マ
グネシウム:遷移金属のモル比も20:1以上、例えば
50:1もしくは100:1にしてもよい。
本発明方法によるマグネシウムの水素化は温度0〜15
0℃、水素圧1〜300bar、好ましくは温度20〜8
0℃、水素圧40〜140barの条件下でおこなわれ
る。
0℃、水素圧1〜300bar、好ましくは温度20〜8
0℃、水素圧40〜140barの条件下でおこなわれ
る。
本発明方法によるマグネシウムの水素化は以下の実施例
1〜8において前記ヨーロツパ特許明細書による方法と
比較して説明されるが、これらの実施例は本発明の範囲
を限定するものではない。本発明方法によるマグネシウ
ム粉末(50メツシユ)の定量的水素化には、温度60
〜64℃、水素圧60bar、Mg:Ti:アントラセ
ン:MgCl2のモル比100:1:1:8.7(Ti
またはアントラセンの濃度0.05mol/)の条件下
で1.5〜2時間要した(実施例1)。これに対して該
ヨーロツパ特許明細書記載の方法による同様の条件下
(触媒量のMgCl2無添加)でのマグネシウムの完全
水素化には約20時間要した(実施例1の比較試験)。
本発明方法によるマグネシウムの水素化を、270メツ
シユのマグネシウム粉末を用いる以外は実施例1と同様
の条件下でおこなうと、水素化時間を45分間に短縮す
ることができる。水素圧を60barから120barに高め
ると、50メツシユのマグネシウム粉末の水素化時間は
1.5〜2時間が1時間に短縮される(実施例1もしく
は3)。実施例1の試験と実施例4の試験の比較から明
らかなように、温度を40℃から60℃に高めると水素
化速度は増加する。
1〜8において前記ヨーロツパ特許明細書による方法と
比較して説明されるが、これらの実施例は本発明の範囲
を限定するものではない。本発明方法によるマグネシウ
ム粉末(50メツシユ)の定量的水素化には、温度60
〜64℃、水素圧60bar、Mg:Ti:アントラセ
ン:MgCl2のモル比100:1:1:8.7(Ti
またはアントラセンの濃度0.05mol/)の条件下
で1.5〜2時間要した(実施例1)。これに対して該
ヨーロツパ特許明細書記載の方法による同様の条件下
(触媒量のMgCl2無添加)でのマグネシウムの完全
水素化には約20時間要した(実施例1の比較試験)。
本発明方法によるマグネシウムの水素化を、270メツ
シユのマグネシウム粉末を用いる以外は実施例1と同様
の条件下でおこなうと、水素化時間を45分間に短縮す
ることができる。水素圧を60barから120barに高め
ると、50メツシユのマグネシウム粉末の水素化時間は
1.5〜2時間が1時間に短縮される(実施例1もしく
は3)。実施例1の試験と実施例4の試験の比較から明
らかなように、温度を40℃から60℃に高めると水素
化速度は増加する。
本発明方法によつて得られる水素化マグネシウムの特性
は該ヨーロツパ特許明細書に記載の方法によつて得られ
る水素化マグネシウムの特性に比べて明らかに改良され
ている。実施例1または2で調製された水素化マグネシ
ウムのBET法で測定した比表面積は129.4m2/
gである。これに比べて、ハロゲン化マグネシウムを添
加しない以外は類似の条件下で得られた水素化マグネシ
ウムの比表面積は70〜90m2/gである。従つて、
本発明方法によつて調製される水素化マグネシウムは化
学的な目的(例えばアルキルマグネシウムの合成、金属
水素化物もしくは元素水素化物の合成、活性マグネシウ
ムの製造、還元剤、乾燥剤、不均一触媒用担体等)およ
び水素の貯蔵、精製および分離等に利用するのに好適な
ものである。
は該ヨーロツパ特許明細書に記載の方法によつて得られ
る水素化マグネシウムの特性に比べて明らかに改良され
ている。実施例1または2で調製された水素化マグネシ
ウムのBET法で測定した比表面積は129.4m2/
gである。これに比べて、ハロゲン化マグネシウムを添
加しない以外は類似の条件下で得られた水素化マグネシ
ウムの比表面積は70〜90m2/gである。従つて、
本発明方法によつて調製される水素化マグネシウムは化
学的な目的(例えばアルキルマグネシウムの合成、金属
水素化物もしくは元素水素化物の合成、活性マグネシウ
ムの製造、還元剤、乾燥剤、不均一触媒用担体等)およ
び水素の貯蔵、精製および分離等に利用するのに好適な
ものである。
実施例 以下の実施例に記載する全ての実験はアルゴン雰囲気下
において実施した。
において実施した。
実施例1 マグネシウム粉末(50メツシユ)48.6g(2.0
mol)およびアントラセン3.56g(20.0mmol)
をフラスコ(1)内に入れ、これに0.47モルMgCl
2の無水THF溶液370ml(174mmol;アントラ
セン:MgCl2=1:8.7;MgCl2溶液はマグネシ
ウム粉末と1,2−ジクロルエタンからTHF中で調製
した)およびエチルブロミド0.3mlを添加した。撹拌
を5〜10分間おこなつた後、濃青色の懸濁液を得た。
15分間撹拌した後、TiCl4・2THF6.7g(2
0.0mmol)を懸濁液に加えたところ、混合物は発熱
し、暗褐色へ変色し、さらに15分間室温で撹拌をおこ
なつた。懸濁液を、羽根付撹拌器、サーモセンサーおよ
びサーモスタツトユニツトを備えた特殊鋼製オートクレ
ーブ(1)に移し、オートクレーブ内容物を45℃に
加温した後、減圧弁を介して連結された加圧貯蔵容器か
ら60barの水素を送給した。オートクレーブの外部温
度を60℃まで高め、撹拌速度900/分(900rp
m)および水素圧60barの条件下で水素化をおこなつ
た。実験中、反応混合物の温度および水素吸収(水素貯
蔵容器の圧力低下から測定)は2チヤンネルレコーダー
に記録した。水素化の開始時に反応温度は一時的に64
℃まで上昇したが、水素化の進行に伴つて60℃まで低
下した。1.5〜2時間後、水素化は終了し、水素の吸
収は定量的であつた。MgH2懸濁液を濾過処理に付
し、濾過残滓をTHFを用いて2回洗浄し、さらにペン
タンを用いて2回洗浄後、水素化マグネシウムを20℃
での高真空下で乾燥させ、MgH2(組成:Mg82.
5%、H7.1%、C2.8%、Cl2.2%、Ti
0.5%)45.0gを得た。得られたマグネシウム粉
末のBET法による比表面積は129.4m2/gであ
つた。
mol)およびアントラセン3.56g(20.0mmol)
をフラスコ(1)内に入れ、これに0.47モルMgCl
2の無水THF溶液370ml(174mmol;アントラ
セン:MgCl2=1:8.7;MgCl2溶液はマグネシ
ウム粉末と1,2−ジクロルエタンからTHF中で調製
した)およびエチルブロミド0.3mlを添加した。撹拌
を5〜10分間おこなつた後、濃青色の懸濁液を得た。
15分間撹拌した後、TiCl4・2THF6.7g(2
0.0mmol)を懸濁液に加えたところ、混合物は発熱
し、暗褐色へ変色し、さらに15分間室温で撹拌をおこ
なつた。懸濁液を、羽根付撹拌器、サーモセンサーおよ
びサーモスタツトユニツトを備えた特殊鋼製オートクレ
ーブ(1)に移し、オートクレーブ内容物を45℃に
加温した後、減圧弁を介して連結された加圧貯蔵容器か
ら60barの水素を送給した。オートクレーブの外部温
度を60℃まで高め、撹拌速度900/分(900rp
m)および水素圧60barの条件下で水素化をおこなつ
た。実験中、反応混合物の温度および水素吸収(水素貯
蔵容器の圧力低下から測定)は2チヤンネルレコーダー
に記録した。水素化の開始時に反応温度は一時的に64
℃まで上昇したが、水素化の進行に伴つて60℃まで低
下した。1.5〜2時間後、水素化は終了し、水素の吸
収は定量的であつた。MgH2懸濁液を濾過処理に付
し、濾過残滓をTHFを用いて2回洗浄し、さらにペン
タンを用いて2回洗浄後、水素化マグネシウムを20℃
での高真空下で乾燥させ、MgH2(組成:Mg82.
5%、H7.1%、C2.8%、Cl2.2%、Ti
0.5%)45.0gを得た。得られたマグネシウム粉
末のBET法による比表面積は129.4m2/gであ
つた。
注釈: 溶解触媒を含む濾液(洗浄液を含有せず)を別のMgバ
ツチの水素化に使用しても同様の結果が得られた。しか
しながら、第2回の水素化後、触媒溶液の水素化活性は
低下した。
ツチの水素化に使用しても同様の結果が得られた。しか
しながら、第2回の水素化後、触媒溶液の水素化活性は
低下した。
MgCl2を添加しない以外は同様にして、同量の原料
を使用してマグネシウムの水素化の比較試験(周知の前
記ヨーロツパ特許明細書記載の方法)をおこなつたとこ
ろ、水素化には20時間を要した。
を使用してマグネシウムの水素化の比較試験(周知の前
記ヨーロツパ特許明細書記載の方法)をおこなつたとこ
ろ、水素化には20時間を要した。
実施例2 270メツシユのマグネシウム粉末を使用する以外は実
施例1と同様にして、同量の原料を使用してマグネシウ
ムの水素化をおこなつた。この場合、水素化は45分間
で終了した。比表面積が129.4m2/gの水素化マ
グネシウム(組成:Mg81.8%、H7.3%、C
5.2%、Cl4.5%、Ti1.0%)44.8gが
得られた。
施例1と同様にして、同量の原料を使用してマグネシウ
ムの水素化をおこなつた。この場合、水素化は45分間
で終了した。比表面積が129.4m2/gの水素化マ
グネシウム(組成:Mg81.8%、H7.3%、C
5.2%、Cl4.5%、Ti1.0%)44.8gが
得られた。
実施例3 水素圧を120barにする以外は実施例1と同様にし
て、同量の原料を使用してマグネシウムの水素化をおこ
なつた。水素化には1時間を要した。
て、同量の原料を使用してマグネシウムの水素化をおこ
なつた。水素化には1時間を要した。
実施例4 温度を60〜65℃にする代りに+40℃(±2℃)に
する以外は実施例1と同様にして、同量の原料を使用し
てマグネシウムの水素化をおこなつた。水素化は7時間
で終了した。
する以外は実施例1と同様にして、同量の原料を使用し
てマグネシウムの水素化をおこなつた。水素化は7時間
で終了した。
実施例5 MgCl2のTHF溶液の濃度を0.35mol/(1
30mmolMgCl2;アントラセン:MgCl2=1:
6.5)に下げる以外は実施例1と同様にして、同量の
原料を使用してマグネシウムの水素化をおこなつた。水
素化には4.7時間要した。
30mmolMgCl2;アントラセン:MgCl2=1:
6.5)に下げる以外は実施例1と同様にして、同量の
原料を使用してマグネシウムの水素化をおこなつた。水
素化には4.7時間要した。
実施例6 MgCl2のTHF溶液の濃度を0.27mol/(1
00mmolMgCl2;アントラセン:MgCl2=1:5)
にする以外は実施例1と同様にして、同量の原料を使用
してマグネシウムの水素化をおこなつた。水素化には
7.5時間を要した。
00mmolMgCl2;アントラセン:MgCl2=1:5)
にする以外は実施例1と同様にして、同量の原料を使用
してマグネシウムの水素化をおこなつた。水素化には
7.5時間を要した。
実施例7 触媒成分としてTiCl4・2THFの代りにCrCl
3(3.2g、20.0mmol)を使用する以外は実施
例1と同様にして、同量の原料を用いてマグネシウムの
水素化をおこなつた。水素化時間は2時間であつた。
3(3.2g、20.0mmol)を使用する以外は実施
例1と同様にして、同量の原料を用いてマグネシウムの
水素化をおこなつた。水素化時間は2時間であつた。
実施例8 触媒成分としてMgCl2の代りにMgBr2を0.2
5mol/(90mmolMgBr2;アントラセン:MgBr
2=1:4.6)の濃度で使用する以外は実施例1と同
様にして、同量の原料を用いてマグネシウムの水素化を
おこなつた。水素化時間は12時間であつた。
5mol/(90mmolMgBr2;アントラセン:MgBr
2=1:4.6)の濃度で使用する以外は実施例1と同
様にして、同量の原料を用いてマグネシウムの水素化を
おこなつた。水素化時間は12時間であつた。
実施例9 マグネシウム粉末(50メツシユ)55.5g(2.2
mol)を無水THF370mlに加え、1,2−ジクロル
エタン16.4ml(0.2mol)を撹拌下に0.5時間
かけて滴下した(滴下に際しては、エチレンガスが激し
く発生した)。バツチを15分間撹拌して溶解エチレン
を吸引除去し、懸濁液にアントラセン3.50g(20
mmol)を添加した。5〜10分間撹拌後、懸濁液は暗
青色に着色した。15分間撹拌後、TiCl4・2TH
F6.7g(20mmol)を懸濁液に加え、実施例1に
記載のようにして実験操作を続行した。水素化には4時
間要した。水素化マグネシウムの収率と特性は実施例1
に記載の収率と特性に対応した。
mol)を無水THF370mlに加え、1,2−ジクロル
エタン16.4ml(0.2mol)を撹拌下に0.5時間
かけて滴下した(滴下に際しては、エチレンガスが激し
く発生した)。バツチを15分間撹拌して溶解エチレン
を吸引除去し、懸濁液にアントラセン3.50g(20
mmol)を添加した。5〜10分間撹拌後、懸濁液は暗
青色に着色した。15分間撹拌後、TiCl4・2TH
F6.7g(20mmol)を懸濁液に加え、実施例1に
記載のようにして実験操作を続行した。水素化には4時
間要した。水素化マグネシウムの収率と特性は実施例1
に記載の収率と特性に対応した。
実施例10 水素圧を40barにする以外は実施例1と同様にして、
同量の原料を使用してマグネシウムの水素化をおこなつ
た。水素化には5.2時間要した。
同量の原料を使用してマグネシウムの水素化をおこなつ
た。水素化には5.2時間要した。
実施例11 水素圧を20barにする以外は実施例1と同様にして、
同量の原料を使用してマグネシウムの水素化をおこなつ
た。水素化時間は9時間であつた。
同量の原料を使用してマグネシウムの水素化をおこなつ
た。水素化時間は9時間であつた。
Claims (24)
- 【請求項1】周期表IV〜VIII族遷移金属のハロゲン化物
から成る触媒および有機マグネシウム化合物もしくは水
素化マグネシウム並びに所望による多環式芳香族化合物
もしくは第3級アミンの存在下にマグネシウムと水素を
反応させることによって水素化マグネシウムを製造する
方法において、ハロゲン化マグネシウムMgX2(X=
Cl,Br,I)を、マグネシウム金属に基づき、化学
量論量よりも少量使用することを特徴とする水素化マグ
ネシウムの製造方法。 - 【請求項2】ハロゲン化マグネシウムを触媒量使用する
第1項記載の方法。 - 【請求項3】ハロゲン化マグネシウムとして塩化マグネ
シウムMgCl2を使用する第1項または第2項記載の
方法。 - 【請求項4】反応を溶媒、好ましくはテトラヒドロフラ
ンの存在下でおこなう第1項から第3項いずれかに記載
の方法。 - 【請求項5】反応を1〜300bar、好ましくは40〜
140barの圧力下でおこなう第1項から第4項いずれ
かに記載の方法。 - 【請求項6】反応を0〜150℃、好ましくは20〜8
0℃の温度でおこなう第1項から第5項いずれかに記載
の方法。 - 【請求項7】Mg:遷移金属比を104〜50:1から
選択する第1項から第6項いずれかに記載の方法。 - 【請求項8】Mg:遷移金属比を200〜50:1と
し、遷移金属:有機マグネシウム化合物もしくは水素化
マグネシウム:ハロゲン化マグネシウム比を0.1:
1:2〜10:1:20から選択する第1項から第7項
いずれかに記載の方法。 - 【請求項9】Mg:遷移金属比を200:1とし、遷移
金属:有機マグネシウム化合物もしくは水素化マグネシ
ウム:ハロゲン化マグネシウム比を<0.1:1:2〜
5:1:2から選択する第1項から第7項いずれかに記
載の方法。 - 【請求項10】遷移金属ハロゲン化物としてハロゲン化
クロム、ハロゲン化チタンまたはハロゲン化鉄を使用す
る第1項から第9項いずれかに記載の方法。 - 【請求項11】有機マグネシウム化合物としてマグネシ
ウムアントラセンまたはアルキル−もしくはアリール置
換アントラセンとマグネシウムの付加物を使用する第1
項から第10項いずれかに記載の方法。 - 【請求項12】多環式芳香族化合物としてアントラセ
ン、アルキル−もしくはアリール置換アントラセン、ア
セナフチレン、テトラセンまたはベンズアントラセンを
使用する第1項から第11項いずれかに記載の方法。 - 【請求項13】周期表IV〜VIII族遷移金属のハロゲン化
物から成る触媒、有機マグネシウム化合物もしくは水素
化マグネシウム、使用するマグネシウム金属に基づいて
化学量論量よりも少量のハロゲン化マグネシウムMgX
2(X=Cl,Br,I)、および所望による多環式芳
香族化合物もしくは第3級アミンの存在下においてマグ
ネシウムと水素を反応させる方法によって調製可能な、
表面積が少なくとも100m2/gである水素化マグネ
シウム。 - 【請求項14】ハロゲン化マグネシウムを触媒量使用す
る第13項記載の水素化マグネシウム。 - 【請求項15】ハロゲン化マグネシウムとして塩化マグ
ネシウムMgCl2を使用する第13項または第14項
記載の水素化マグネシウム。 - 【請求項16】反応を溶媒、好ましくはテトラヒドロフ
ランの存在下でおこなう第13項から第15項いずれか
に記載の水素化マグネシウム。 - 【請求項17】反応を1〜300bar、好ましくは40
〜140barの圧力下でおこなう第13項から第16項
いずれかに記載の水素化マグネシウム。 - 【請求項18】反応を0〜150℃、好ましくは20〜
80℃の温度でおこなう第13項から第17項いずれか
に記載の水素化マグネシウム。 - 【請求項19】Mg:遷移金属比を104〜50:1か
ら選択する第13項から第18項いずれかに記載の水素
化マグネシウム。 - 【請求項20】Mg:遷移金属比を200〜50:1と
し、遷移金属:有機マグネシウム化合物もしくは水素化
マグネシウム:ハロゲン化マグネシウム比を0.1:
1:2〜10:1:20から選択する第13項から第1
9項いずれかに記載の水素化マグネシウム。 - 【請求項21】Mg:遷移金属比を200:1とし、遷
移金属:有機マグネシウム化合物もしくは水素化マグネ
シウム:ハロゲン化マグネシウム比を<0.1:1:2
〜5:1:2から選択する第13項から第19項いずれ
かに記載の水素化マグネシウム。 - 【請求項22】遷移金属ハロゲン化物としてハロゲン化
クロム、ハロゲン化チタンまたはハロゲン化鉄を使用す
る第13項から第21項いずれかに記載の水素化マグネ
シウム。 - 【請求項23】有機マグネシウム化合物としてマグネシ
ウムアントラセンまたはアルキル−もしくはアリール置
換アントラセンとマグネシウムの付加物を使用する第1
3項から第22項いずれかに記載の水素化マグネシウ
ム。 - 【請求項24】多環式芳香族化合物としてアントラセ
ン、アルキル−もしくはアリール置換アントラセン、ア
セナフチレン、テトラセンまたはベンズアントラセンを
使用する第13項から第23項いずれかに記載の水素化
マグネシウム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19843410640 DE3410640A1 (de) | 1984-03-23 | 1984-03-23 | Verfahren zur herstellung von magnesiumhydrid |
DE3410640.5 | 1984-03-23 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60215503A JPS60215503A (ja) | 1985-10-28 |
JPH0621002B2 true JPH0621002B2 (ja) | 1994-03-23 |
Family
ID=6231353
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60059341A Expired - Lifetime JPH0621002B2 (ja) | 1984-03-23 | 1985-03-22 | 水素化マグネシウムの製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP0157297B1 (ja) |
JP (1) | JPH0621002B2 (ja) |
AT (1) | ATE34725T1 (ja) |
CA (1) | CA1294414C (ja) |
DE (2) | DE3410640A1 (ja) |
DK (1) | DK163493C (ja) |
ES (1) | ES8605442A1 (ja) |
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DE3541633A1 (de) * | 1985-11-26 | 1987-05-27 | Studiengesellschaft Kohle Mbh | Verfahren zur herstellung von feinverteilten metallpulvern |
DE3722993A1 (de) * | 1987-07-11 | 1989-01-19 | Studiengesellschaft Kohle Mbh | Loesliche magnesiumdihydride, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung |
US7736531B2 (en) * | 2006-02-08 | 2010-06-15 | Los Alamos National Security, Llc | Composition and method for storing and releasing hydrogen |
CN110116990B (zh) * | 2019-04-10 | 2020-10-23 | 浙江大学 | 一种纳米氢化镁的原位制备方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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DE2804445A1 (de) * | 1978-02-02 | 1979-08-09 | Studiengesellschaft Kohle Mbh | Verfahren zur herstellung von magnesiumhydriden |
EP0090926A1 (en) * | 1982-03-26 | 1983-10-12 | Conoco Phillips Company | A soluble magnesium hydride reagent |
-
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- 1984-03-23 DE DE19843410640 patent/DE3410640A1/de not_active Withdrawn
-
1985
- 1985-03-20 CA CA000477053A patent/CA1294414C/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-03-20 DK DK125685A patent/DK163493C/da not_active IP Right Cessation
- 1985-03-21 AT AT85103288T patent/ATE34725T1/de not_active IP Right Cessation
- 1985-03-21 EP EP85103288A patent/EP0157297B1/de not_active Expired
- 1985-03-21 DE DE8585103288T patent/DE3563028D1/de not_active Expired
- 1985-03-22 JP JP60059341A patent/JPH0621002B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1985-03-22 ES ES541488A patent/ES8605442A1/es not_active Expired
- 1985-03-22 IE IE72985A patent/IE59529B1/en not_active IP Right Cessation
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