JPH06204171A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
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- JPH06204171A JPH06204171A JP108093A JP108093A JPH06204171A JP H06204171 A JPH06204171 A JP H06204171A JP 108093 A JP108093 A JP 108093A JP 108093 A JP108093 A JP 108093A JP H06204171 A JPH06204171 A JP H06204171A
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- Japan
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- layer
- gate electrode
- timon
- wiring layer
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】ゲート電極配線層と上部の金属配線層とのコン
タクト部における配線抵抗を低減し、配線のエレクトロ
マイグレーション耐性を向上できる半導体装置および製
造方法を提供する。 【構成】半導体装置のゲート電極配線層とのコンタクト
部の配線構造において、ゲート電極配線層側から、ゲー
ト電極配線層、ＴｉＭｏＮ層またはＴｉＷＮ層、Ａｌま
たはＡｌ合金配線層によって構成される構造とする。 【効果】ＴｉＭｏＮの組成比がＴｉ：Ｍｏ：Ｎ＝１：
１：０．５〜１．５の領域でコンタクト抵抗が低くな
る。また、Ｔｉ：Ｍｏ：Ｎ＝１：１：０．５〜１．５の
組成の場合、ＴｉＭｏＮのバリア性も向上し配線の信頼
性が良好となる。ＴｉＷＮの場合も同様に、組成比がＴ
ｉ：Ｗ：Ｎ＝１：１：０．５〜１．５の場合がコンタク
ト抵抗が低くなり、バリア性が向上し配線の信頼性が良
好となる。
タクト部における配線抵抗を低減し、配線のエレクトロ
マイグレーション耐性を向上できる半導体装置および製
造方法を提供する。 【構成】半導体装置のゲート電極配線層とのコンタクト
部の配線構造において、ゲート電極配線層側から、ゲー
ト電極配線層、ＴｉＭｏＮ層またはＴｉＷＮ層、Ａｌま
たはＡｌ合金配線層によって構成される構造とする。 【効果】ＴｉＭｏＮの組成比がＴｉ：Ｍｏ：Ｎ＝１：
１：０．５〜１．５の領域でコンタクト抵抗が低くな
る。また、Ｔｉ：Ｍｏ：Ｎ＝１：１：０．５〜１．５の
組成の場合、ＴｉＭｏＮのバリア性も向上し配線の信頼
性が良好となる。ＴｉＷＮの場合も同様に、組成比がＴ
ｉ：Ｗ：Ｎ＝１：１：０．５〜１．５の場合がコンタク
ト抵抗が低くなり、バリア性が向上し配線の信頼性が良
好となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置のゲート電
極配線層とのコンタクト部における配線構造及びその製
造方法に関する。
極配線層とのコンタクト部における配線構造及びその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置のゲート電極配線層と
上部配線層とのコンタクト部の構造を、形成工程にそっ
て説明する。従来の半導体装置のゲート電極配線層との
コンタクト部の配線構造は、基本的には、図３のような
構造であった。フィールド酸化膜３０１上にゲート電極
配線層３０２（モリブデンポリサイド電極または、タン
グステンポリサイド電極）を形成した後、層間膜３０３
（シリコン酸化物）を形成し、コンタクトホールを形成
した後、コンタクト部に、Ａｌまたは、Ａｌ合金の配線
層から半導体基板へのＡｌの拡散を防止するためのバリ
アメタルとしてＴｉＮ（チタンナイトライド）層３０４
を、スパッタ法で形成し、その後、その上にＡｌまた
は、Ａｌ合金膜３０５をスパッタ法で形成し、ＴｉＮ層
３０４、Ａｌまたは、Ａｌ合金層３０５をドライエッチ
ングして配線層を形成するという方法を用いてきた。
上部配線層とのコンタクト部の構造を、形成工程にそっ
て説明する。従来の半導体装置のゲート電極配線層との
コンタクト部の配線構造は、基本的には、図３のような
構造であった。フィールド酸化膜３０１上にゲート電極
配線層３０２（モリブデンポリサイド電極または、タン
グステンポリサイド電極）を形成した後、層間膜３０３
（シリコン酸化物）を形成し、コンタクトホールを形成
した後、コンタクト部に、Ａｌまたは、Ａｌ合金の配線
層から半導体基板へのＡｌの拡散を防止するためのバリ
アメタルとしてＴｉＮ（チタンナイトライド）層３０４
を、スパッタ法で形成し、その後、その上にＡｌまた
は、Ａｌ合金膜３０５をスパッタ法で形成し、ＴｉＮ層
３０４、Ａｌまたは、Ａｌ合金層３０５をドライエッチ
ングして配線層を形成するという方法を用いてきた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述の従来技
術では、バリアメタルとしてＴｉＮ層を用いているため
にゲート電極配線層（タングステンポリサイド電極、モ
リブデンポリサイド電極）とその上部の配線層との接合
性に問題があり、ゲート電極配線層と上部配線層とのコ
ンタクト部の配線抵抗が大きく、半導体装置の信頼性の
上で大きな問題となる。という課題を有している。そこ
で本発明はこの様な課題を解決するもので、その目的と
するところは、ゲート電極配線層と上部の金属配線層と
のコンタクト部における配線抵抗が低抵抗化をはかるこ
とを特徴とする半導体装置を提供するところにある。
術では、バリアメタルとしてＴｉＮ層を用いているため
にゲート電極配線層（タングステンポリサイド電極、モ
リブデンポリサイド電極）とその上部の配線層との接合
性に問題があり、ゲート電極配線層と上部配線層とのコ
ンタクト部の配線抵抗が大きく、半導体装置の信頼性の
上で大きな問題となる。という課題を有している。そこ
で本発明はこの様な課題を解決するもので、その目的と
するところは、ゲート電極配線層と上部の金属配線層と
のコンタクト部における配線抵抗が低抵抗化をはかるこ
とを特徴とする半導体装置を提供するところにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
ゲート電極配線層とのコンタクト部の配線構造が、ゲー
ト電極配線層側から、ゲート電極配線層、ＴｉＭｏＮ
（チタンモリブデンナイトライド）層またはＴｉＷＮ
（チタンタングステンナイトライド）層、Ａｌまたは、
Ａｌ合金層、であることを特徴とする。
ゲート電極配線層とのコンタクト部の配線構造が、ゲー
ト電極配線層側から、ゲート電極配線層、ＴｉＭｏＮ
（チタンモリブデンナイトライド）層またはＴｉＷＮ
（チタンタングステンナイトライド）層、Ａｌまたは、
Ａｌ合金層、であることを特徴とする。
【０００５】本発明の半導体装置の製造方法は、ａ）ゲ
ート電極配線層とのコンタクト部にＴｉＭｏＮ層または
ＴｉＷＮ層を成膜する工程と、ｂ）前記、ＴｉＭｏＮ層
またはＴｉＷＮ層を形成したコンタクト部に、Ａｌまた
は、Ａｌ合金をスパッタ法で成膜する工程と、ｃ）前
記、ＴｉＭｏＮ層またはＴｉＭｏＮ層、Ａｌまたは、Ａ
ｌ合金の２層を塩素系のガスでドライエッチングし配線
を形成する工程からなることを特徴とする。
ート電極配線層とのコンタクト部にＴｉＭｏＮ層または
ＴｉＷＮ層を成膜する工程と、ｂ）前記、ＴｉＭｏＮ層
またはＴｉＷＮ層を形成したコンタクト部に、Ａｌまた
は、Ａｌ合金をスパッタ法で成膜する工程と、ｃ）前
記、ＴｉＭｏＮ層またはＴｉＭｏＮ層、Ａｌまたは、Ａ
ｌ合金の２層を塩素系のガスでドライエッチングし配線
を形成する工程からなることを特徴とする。
【０００６】他の本発明の半導体装置は、ＴｉＭｏＮ、
ＴｉＷＮの組成比は、Ｔｉ：Ｍｏ：Ｎ＝１：１：０．５
〜１．５、Ｔｉ：Ｗ：Ｎ＝１：１：０．５〜１．５であ
ることを特徴とする。
ＴｉＷＮの組成比は、Ｔｉ：Ｍｏ：Ｎ＝１：１：０．５
〜１．５、Ｔｉ：Ｗ：Ｎ＝１：１：０．５〜１．５であ
ることを特徴とする。
【０００７】
【実施例】本発明の半導体装置は、基本的には、図１に
示される構造をしている。
示される構造をしている。
【０００８】１０１はフィールド酸化膜である。１０２
は、ゲート電極層である。ゲート電極層としてはモリブ
デンポリサイド電極、タングステンポリサイド電極が用
いられている。１０３は層間膜層でＣＶＤ法で形成され
たシリコン酸化物で形成されている。１０４はバリアメ
タル層で、本発明ではバリアメタルとしてＴｉＭｏＮ層
または、ＴｉＷＮ層をもちいている。ＴｉＭｏＮは窒素
雰囲気中でＴｉターゲットとＭｏターゲットを用いた反
応性共スパッタ法か、または窒素雰囲気中においてＴｉ
とＭｏ合金ターゲットを用いた反応性スパッタ法を用い
て形成する。ＴｉＷＮもＴｉＭｏＮと同様にして形成さ
れる。１０５はＡｌまたは、Ａｌ合金配線層でＡｌまた
は、Ａｌ合金ターゲットを用いたスパッタ法によって形
成される。ＴｉＭｏＮ層またはＴｉＷＮ層１０４、Ａｌ
またはＡｌ合金配線層１０５の２層の膜が成膜された
後、塩素系ガスを用いたドライエッチングによりの配線
パターンを形成する。
は、ゲート電極層である。ゲート電極層としてはモリブ
デンポリサイド電極、タングステンポリサイド電極が用
いられている。１０３は層間膜層でＣＶＤ法で形成され
たシリコン酸化物で形成されている。１０４はバリアメ
タル層で、本発明ではバリアメタルとしてＴｉＭｏＮ層
または、ＴｉＷＮ層をもちいている。ＴｉＭｏＮは窒素
雰囲気中でＴｉターゲットとＭｏターゲットを用いた反
応性共スパッタ法か、または窒素雰囲気中においてＴｉ
とＭｏ合金ターゲットを用いた反応性スパッタ法を用い
て形成する。ＴｉＷＮもＴｉＭｏＮと同様にして形成さ
れる。１０５はＡｌまたは、Ａｌ合金配線層でＡｌまた
は、Ａｌ合金ターゲットを用いたスパッタ法によって形
成される。ＴｉＭｏＮ層またはＴｉＷＮ層１０４、Ａｌ
またはＡｌ合金配線層１０５の２層の膜が成膜された
後、塩素系ガスを用いたドライエッチングによりの配線
パターンを形成する。
【０００９】以下、詳細は、工程を追いながら、説明し
ていく（図２）。
ていく（図２）。
【００１０】図２（ａ）は、ゲート電極配線層２０２を
形成し、層間膜２０３を形成した後、ゲート電極配線層
とのコンタクトホールを形成した後の断面図である。ゲ
ート電極配線層としてはタングステンポリサイド電極ま
たはタングステンポイリサイド電極を用いる。層間膜は
シリコン酸化物でＣＶＤ法によって形成している。
形成し、層間膜２０３を形成した後、ゲート電極配線層
とのコンタクトホールを形成した後の断面図である。ゲ
ート電極配線層としてはタングステンポリサイド電極ま
たはタングステンポイリサイド電極を用いる。層間膜は
シリコン酸化物でＣＶＤ法によって形成している。
【００１１】次に、その上に窒素雰囲気中でＴｉとＭｏ
を反応性共スパッタするかまたは、窒素雰囲気中でＴｉ
とＭｏの合金ターゲットをもちいて反応性スパッタして
バリアメタルＴｏＭｏＮ層または、ＴｉＷＮ層２０４を
形成する。
を反応性共スパッタするかまたは、窒素雰囲気中でＴｉ
とＭｏの合金ターゲットをもちいて反応性スパッタして
バリアメタルＴｏＭｏＮ層または、ＴｉＷＮ層２０４を
形成する。
【００１２】次に、Ａｌまたは、Ａｌ合金膜２０５をウ
エハー全面にスパッタ法で蒸着し、ウエハー全面にレジ
ストを塗布し、配線パターンを露光転写し、現像した後
に、塩素系のガスを用いたドライエッチによりＴｉＭｏ
Ｎ層またはＴｉＷＮ層２０４、ＡｌまたはＡｌ合金２０
５の２層をドライエッチングし、その後レジストを剥離
することによって配線層を形成する。
エハー全面にスパッタ法で蒸着し、ウエハー全面にレジ
ストを塗布し、配線パターンを露光転写し、現像した後
に、塩素系のガスを用いたドライエッチによりＴｉＭｏ
Ｎ層またはＴｉＷＮ層２０４、ＡｌまたはＡｌ合金２０
５の２層をドライエッチングし、その後レジストを剥離
することによって配線層を形成する。
【００１３】以上で、本発明の半導体装置が形成され
る。
る。
【００１４】ＴｉＭｏＮ層、ＴｉＷＮ層をバリアメタル
として用いることによりゲート電極配線層とバリアメタ
ルとの接合性が良好となり、従来のチタンナインナイト
ライドを用いた場合と比較してゲート電極配線層とのコ
ンタクト抵抗が約４分の１に低減される。またＴｉＭｏ
Ｎ層、ＴｉＷＮ層の下に、Ｔｉ（チタン）層を成膜する
方法も考えられその場合には、バリアメタルのみの構造
と比較してコンタクト抵抗が低減できる。ＴｉＭｏＮ
層、ＴｉＷＮ層とゲート電極配線層との組み合わせであ
るがＴｉＭｏＮとモリブデンポリサイド電極、ＴｉＷＮ
とタングステンポリサイド電極の場合がもっともコンタ
クト抵抗が低くなる。その他の組み合わせでもＴｉＮを
用いた場合よりもコンタクト抵抗は低くなる。図４にＴ
ｉＭｏＮの組成比とコンタクト抵抗のグラフを示す。Ｔ
ｉＭｏＮの組成比をＴｉ：Ｍｏ＝１：１にして、Ｎ（窒
素）の組成を変化させた場合のコンタクト抵抗の変化の
グラフである。ＴｉＭｏＮの組成比がＴｉ：Ｍｏ：Ｎ＝
１：１：０．５〜１．５の領域でコンタクト抵抗が低も
っとも低くなる。また、Ｔｉ：Ｍｏ：Ｎ＝１：１：０．
５〜１．５の組成の場合、ＴｉＭｏＮのバリア性も向上
し配線の信頼性が良好となる。。ＴｉＷＮの場合もＴｉ
ＭｏＮの場合と同様に、組成比がＴｉ：Ｗ：Ｎ＝１：
１：０．５〜１．５の場合がコンタクト抵抗がもっと低
く、バリア性が向上し配線の信頼性が良好となる。配線
のエレクトロマイグレーション耐性であるが、ＴｉＮを
バリアメタルとして用いた場合と比較してＴｉＭｏＮ、
ＴｉＷＮをバリアメタルとして用いた場合のほうがＡｌ
原子の拡散を効果的に抑制でき配線寿命が増加する。
として用いることによりゲート電極配線層とバリアメタ
ルとの接合性が良好となり、従来のチタンナインナイト
ライドを用いた場合と比較してゲート電極配線層とのコ
ンタクト抵抗が約４分の１に低減される。またＴｉＭｏ
Ｎ層、ＴｉＷＮ層の下に、Ｔｉ（チタン）層を成膜する
方法も考えられその場合には、バリアメタルのみの構造
と比較してコンタクト抵抗が低減できる。ＴｉＭｏＮ
層、ＴｉＷＮ層とゲート電極配線層との組み合わせであ
るがＴｉＭｏＮとモリブデンポリサイド電極、ＴｉＷＮ
とタングステンポリサイド電極の場合がもっともコンタ
クト抵抗が低くなる。その他の組み合わせでもＴｉＮを
用いた場合よりもコンタクト抵抗は低くなる。図４にＴ
ｉＭｏＮの組成比とコンタクト抵抗のグラフを示す。Ｔ
ｉＭｏＮの組成比をＴｉ：Ｍｏ＝１：１にして、Ｎ（窒
素）の組成を変化させた場合のコンタクト抵抗の変化の
グラフである。ＴｉＭｏＮの組成比がＴｉ：Ｍｏ：Ｎ＝
１：１：０．５〜１．５の領域でコンタクト抵抗が低も
っとも低くなる。また、Ｔｉ：Ｍｏ：Ｎ＝１：１：０．
５〜１．５の組成の場合、ＴｉＭｏＮのバリア性も向上
し配線の信頼性が良好となる。。ＴｉＷＮの場合もＴｉ
ＭｏＮの場合と同様に、組成比がＴｉ：Ｗ：Ｎ＝１：
１：０．５〜１．５の場合がコンタクト抵抗がもっと低
く、バリア性が向上し配線の信頼性が良好となる。配線
のエレクトロマイグレーション耐性であるが、ＴｉＮを
バリアメタルとして用いた場合と比較してＴｉＭｏＮ、
ＴｉＷＮをバリアメタルとして用いた場合のほうがＡｌ
原子の拡散を効果的に抑制でき配線寿命が増加する。
【００１５】
【発明の効果】以上に述べたように本発明によれば、ゲ
ート電極配線層とのコンタクト部におけるコンタクト抵
抗を従来のバリアメタルとしてＴｉＮを用いた場合と比
較して低減する事ができる。特にＴｉＭｏＮの組成比が
Ｔｉ：Ｍｏ：Ｎ＝１：１：０．５〜１．５である場合に
はさらに低抵抗なコンタクト抵抗がえられる。また、Ｔ
ｉＷＮ層を用いた場合も同様の結果がえられる。また、
ＴｉＮをバリアメタルとして用いた場合と比較してＴｉ
ＭｏＮまたはＴｉＷＮを用いた場合には電流によるＡｌ
原子の移動が抑制され配線層のエレクトロマイグレーシ
ョン耐性が向上する。本発明は以上のような効果を有す
る。
ート電極配線層とのコンタクト部におけるコンタクト抵
抗を従来のバリアメタルとしてＴｉＮを用いた場合と比
較して低減する事ができる。特にＴｉＭｏＮの組成比が
Ｔｉ：Ｍｏ：Ｎ＝１：１：０．５〜１．５である場合に
はさらに低抵抗なコンタクト抵抗がえられる。また、Ｔ
ｉＷＮ層を用いた場合も同様の結果がえられる。また、
ＴｉＮをバリアメタルとして用いた場合と比較してＴｉ
ＭｏＮまたはＴｉＷＮを用いた場合には電流によるＡｌ
原子の移動が抑制され配線層のエレクトロマイグレーシ
ョン耐性が向上する。本発明は以上のような効果を有す
る。
【図１】本発明の半導体装置のゲート電極配線層とのコ
ンタクト部の構造を示す断面図。
ンタクト部の構造を示す断面図。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の半導体装置の製造
工程毎の断面図。
工程毎の断面図。
【図３】従来の半導体装置のゲート電極配線層とのコン
タクト部の構造を示す断面図。
タクト部の構造を示す断面図。
【図４】ゲート電極配線層とのコンタクト部のコンタク
ト抵抗ののＴｉＭｏＮの組成比依存性のグラフ。
ト抵抗ののＴｉＭｏＮの組成比依存性のグラフ。
１０１・・・フィールド酸化膜 １０２・・・ゲート電極配線層 １０３・・・層間膜層 １０４・・・ＴｉＭｏＮ層または、ＴｉＷＮ層 １０５・・・Ａｌまたは、Ａｌ合金層 ２０１・・・フィールド酸化膜 ２０２・・・ゲート電極配線層 ２０３・・・層間膜層 ２０４・・・ＴｉＭｏＮ層または、ＴｉＷＮ層 ２０５・・・Ａｌまたは、Ａｌ合金層 ３０１・・・フィールド酸化膜 ３０２・・・ゲート電極配線層 ３０３・・・層間膜層 ３０４・・・ＴｉＮ（チタンナイトライド）層 ３０５・・・Ａｌまたは、Ａｌ合金の配線層
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 29/62 Ｇ 7376−4Ｍ 29/784 9054−4Ｍ Ｈ０１Ｌ 29/78 ３０１ Ｇ
Claims (8)
- 【請求項１】ゲート電極配線層とのコンタクト部の配線
構造が、ゲート電極配線層側から、ゲート電極配線層、
ＴｉＭｏＮ（チタンモリブデンナイトライド層、Ａｌま
たは、Ａｌ合金層、であることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項２】前記、ＴｉＭｏＮ層の組成比がＴｉ：Ｍ
ｏ：Ｎ＝１：１：０．５〜１．５であることを特徴とす
る、請求項１記載の半導体装置。 - 【請求項３】ゲート電極配線層とのコンタクト部の配線
構造が、ゲート電極配線層側から、ゲート電極配線層、
ＴｉＷＮ（チタンタングステンナイトライド）層、Ａｌ
または、Ａｌ合金層、であることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項４】前記、ＴｉＷＮ層の組成比がＴｉ：Ｗ：Ｎ
＝１：１：０．５〜１．５であることを特徴とする請求
項３記載の半導体装置。 - 【請求項５】ａ）ゲート電極配線層とのコンタクト部に
ＴｉＭｏＮ層を成膜する工程と、 ｂ）前記、ＴｉＭｏＮ層を形成したコンタクト部に、Ａ
ｌまたは、Ａｌ合金をスパッタ法で成膜する工程と、 ｃ）前記、ＴｉＭｏＮ層、Ａｌまたは、Ａｌ合金のスパ
ッタ膜を塩素系のガスでドライエッチングし配線を形成
する工程からなることを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項６】ａ）ゲート電極配線層とのコンタクト部に
ＴｉＷＮ層を成膜する工程と、 ｂ）前記、ＴｉＷＮ層を形成したコンタクト部に、Ａｌ
または、Ａｌ合金をスパッタ法で成膜する工程と、 ｃ）前記、ＴｉＷＮ層、Ａｌまたは、Ａｌ合金のスパッ
タ膜を塩素系のガスでドライエッチングし配線を形成す
る工程からなることを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項７】前記、ＴｉＭｏＮ層の組成比がＴｉ：Ｍ
ｏ：Ｎ＝１：１：０．５〜１．５であることを特徴とす
る請求項５記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】前記、ＴｉＷＮ層の組成比がＴｉ：Ｗ：Ｎ
＝１：１：０．５〜１．５であることを特徴とする請求
項６記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP108093A JPH06204171A (ja) | 1993-01-07 | 1993-01-07 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP108093A JPH06204171A (ja) | 1993-01-07 | 1993-01-07 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06204171A true JPH06204171A (ja) | 1994-07-22 |
Family
ID=11491526
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP108093A Pending JPH06204171A (ja) | 1993-01-07 | 1993-01-07 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06204171A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6303483B1 (en) | 2000-06-30 | 2001-10-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing semiconductor device |
| KR20030089756A (ko) * | 2002-05-18 | 2003-11-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 삼원계 확산배리어막의 형성 방법 및 그를 이용한구리배선의 형성 방법 |
| US6882017B2 (en) | 1998-08-21 | 2005-04-19 | Micron Technology, Inc. | Field effect transistors and integrated circuitry |
| DE10248927B4 (de) * | 2002-10-15 | 2007-02-01 | Zentrum für Sonnenenergie- und Wasserstoff-Forschung Baden-Württemberg | Dünnschichtsolarzelle mit elektrischer Molybdän-Kontaktschicht und Herstellungsverfahren |
-
1993
- 1993-01-07 JP JP108093A patent/JPH06204171A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6882017B2 (en) | 1998-08-21 | 2005-04-19 | Micron Technology, Inc. | Field effect transistors and integrated circuitry |
| US6939799B2 (en) | 1998-08-21 | 2005-09-06 | Micron Technology, Inc. | Method of forming a field effect transistor and methods of forming integrated circuitry |
| US6303483B1 (en) | 2000-06-30 | 2001-10-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing semiconductor device |
| KR20030089756A (ko) * | 2002-05-18 | 2003-11-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 삼원계 확산배리어막의 형성 방법 및 그를 이용한구리배선의 형성 방법 |
| DE10248927B4 (de) * | 2002-10-15 | 2007-02-01 | Zentrum für Sonnenenergie- und Wasserstoff-Forschung Baden-Württemberg | Dünnschichtsolarzelle mit elektrischer Molybdän-Kontaktschicht und Herstellungsverfahren |
| DE10248927C5 (de) * | 2002-10-15 | 2013-10-31 | Zentrum für Sonnenenergie- und Wasserstoff-Forschung Baden-Württemberg | Dünnschichtsolarzelle mit elektrischer Molybdän-Kontaktschicht und Herstellungsverfahren |
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