JP2821157B2 - 配線形成方法 - Google Patents
配線形成方法Info
- Publication number
- JP2821157B2 JP2821157B2 JP1017616A JP1761689A JP2821157B2 JP 2821157 B2 JP2821157 B2 JP 2821157B2 JP 1017616 A JP1017616 A JP 1017616A JP 1761689 A JP1761689 A JP 1761689A JP 2821157 B2 JP2821157 B2 JP 2821157B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- cvd
- wiring
- forming
- opening
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、微細配線に係り、特に微細なコンタクト孔
内に導電膜を埋め込んだ高信頼性微細配線に関する。
内に導電膜を埋め込んだ高信頼性微細配線に関する。
従来の微細配線及びその製造方法は例えばシンポジウ
ム オン ブイエルエスアイ テクノロジー ダイジエ
スト オブ テクニカル ペーパーズ（Symposium on V
LSI Technology Digest of Technical Papers）p.101 1
988」、「伊藤他、1988年半導体専門講習会予行集 於
蔵王（財）半導体研究振興会編p.101 1988」に記載さ
れている。従来、微細配線はスパツタ法または化学気相
成長法により形成されていた。
ム オン ブイエルエスアイ テクノロジー ダイジエ
スト オブ テクニカル ペーパーズ（Symposium on V
LSI Technology Digest of Technical Papers）p.101 1
988」、「伊藤他、1988年半導体専門講習会予行集 於
蔵王（財）半導体研究振興会編p.101 1988」に記載さ
れている。従来、微細配線はスパツタ法または化学気相
成長法により形成されていた。
上記従来技術のうちスパツタ法により形成された微細
配線には段差被覆特性が劣るという問題があつた。すな
わち、直径が0.5μｍ、深さが直径と同程度以上の寸法
の微細で高アスペクト比の接続孔の内部には導電（金属
または金属化合物）材料を十分に埋め込むことができな
いという欠点があつた。また、上記従来技術のうち化学
気相成長法により形成された微細配線には下地との密着
性が十分でなく、剥離を生じたりコンタクト抵抗が増大
するという問題があつた。
配線には段差被覆特性が劣るという問題があつた。すな
わち、直径が0.5μｍ、深さが直径と同程度以上の寸法
の微細で高アスペクト比の接続孔の内部には導電（金属
または金属化合物）材料を十分に埋め込むことができな
いという欠点があつた。また、上記従来技術のうち化学
気相成長法により形成された微細配線には下地との密着
性が十分でなく、剥離を生じたりコンタクト抵抗が増大
するという問題があつた。
なお、スパッタ法とCVD法との組合せによる積層配線
の形成法が特開昭63−174319号公報に開示されている。
の形成法が特開昭63−174319号公報に開示されている。
本発明の目的は、密着性，段差被覆特性に優れ、低コ
ンタクト抵抗の微細配線を提供することにある。
ンタクト抵抗の微細配線を提供することにある。
上記目的は、微細なコンタクト孔を有する基板表面に
スパツタ法で、Si拡散層などの導電材料上にも、また、
SiO2などの絶縁材料の上にも良好な密着性で、しかも次
に形成する膜とも密着性，導通特性が良い50nm程度の薄
い圧縮性応力を有する導電（金属または金属化合物）膜
を形成した後、CVD法で厚い導電（金属または金属化合
物）膜を形成することにより達成される。
スパツタ法で、Si拡散層などの導電材料上にも、また、
SiO2などの絶縁材料の上にも良好な密着性で、しかも次
に形成する膜とも密着性，導通特性が良い50nm程度の薄
い圧縮性応力を有する導電（金属または金属化合物）膜
を形成した後、CVD法で厚い導電（金属または金属化合
物）膜を形成することにより達成される。
微細なコンタクト孔を有する基板表面にスパツタ法で
形成した50nm程度の薄い導電（金属または金属化合物）
膜は、下地と該導電膜との良好な密着性と低コンタクト
抵抗を実現する。該導電膜上にCVD法で形成する際に導
入する高融点金属フツ化物のガスは、スパツタ導電膜上
に形成される自然酸化膜を除去し、スパツタ導電膜上に
形成したCVD−導電膜は良好な段差被覆特性を実現す
る。またスパツタ法で形成した50nm程度の薄い導電膜
は、CVD法で厚い導電膜を形成する際の反応生成物とSi
との反応を防ぐバリア層として作用するので、従来のCV
D法のみで配線を形成する際に発生したエンクローチメ
ントやトンネリングを防止することができる。また、圧
縮性応力を有するスパツタ導電膜は引つ張り性のCVD−
導電膜を形成する際の応力を低減させる作用をする。
形成した50nm程度の薄い導電（金属または金属化合物）
膜は、下地と該導電膜との良好な密着性と低コンタクト
抵抗を実現する。該導電膜上にCVD法で形成する際に導
入する高融点金属フツ化物のガスは、スパツタ導電膜上
に形成される自然酸化膜を除去し、スパツタ導電膜上に
形成したCVD−導電膜は良好な段差被覆特性を実現す
る。またスパツタ法で形成した50nm程度の薄い導電膜
は、CVD法で厚い導電膜を形成する際の反応生成物とSi
との反応を防ぐバリア層として作用するので、従来のCV
D法のみで配線を形成する際に発生したエンクローチメ
ントやトンネリングを防止することができる。また、圧
縮性応力を有するスパツタ導電膜は引つ張り性のCVD−
導電膜を形成する際の応力を低減させる作用をする。
第１図は配線材料にＷを用いた場合の本発明の一実施
例の微細配線の製造工程を示す断面図である。
例の微細配線の製造工程を示す断面図である。
接続孔の直径は0.5μｍ、深さも0.5μｍとした。
第１図（ａ）は、ｐ型Si基板１の一主面の所望の領域
に５×1015cm-2のAs＋をイオン打ち込みし、900℃の窒
素雰囲気中で10分間熱処理し、ｎ＋拡散層２を形成した
後、CVD法で0.5μｍの膜厚の層間絶縁膜SiO23を形成
し、接続孔をドライエツチング法で開孔した試料の断面
を示す図である。
に５×1015cm-2のAs＋をイオン打ち込みし、900℃の窒
素雰囲気中で10分間熱処理し、ｎ＋拡散層２を形成した
後、CVD法で0.5μｍの膜厚の層間絶縁膜SiO23を形成
し、接続孔をドライエツチング法で開孔した試料の断面
を示す図である。
次に、開孔部に露出したSi表面をHFとNH4Fの混合液
（HF:NH4F＝1:20、以下1/20Bと略す）で30秒間洗浄し、
50nmのW4をDCスパツタ法で形成した。Ｗのスパツタ条件
は2.5kW,1mTorrとした。この状態を示したのが第１図
（ｂ）である。
（HF:NH4F＝1:20、以下1/20Bと略す）で30秒間洗浄し、
50nmのW4をDCスパツタ法で形成した。Ｗのスパツタ条件
は2.5kW,1mTorrとした。この状態を示したのが第１図
（ｂ）である。
次に、CVD法により0.5μｍのW5を形成した。形成条件
は、圧力が100mTorr、温度が390度,WF6流量が20sccm、H
2流量が1000sccmである。この状態の断面を示したのが
第１図（ｃ）である。
は、圧力が100mTorr、温度が390度,WF6流量が20sccm、H
2流量が1000sccmである。この状態の断面を示したのが
第１図（ｃ）である。
この構造のW/n＋ −Siのコンタクト抵抗は18Ωであ
り、十分低く良好であつた。また、ｎ型Si基板を用い
て、BF2＋を５×1015cm-2イオン打ち込みし、900℃の窒
素雰囲気中で10分間熱処理して形成したｐ＋拡散層に対
するW/p＋ −Siのコンタクト抵抗は45Ωであり、ｐ＋
−Siに対しては十分低い値であつた。平坦な絶縁膜Si
O2上のＷ層の抵抗率は7.8μΩcmと低い値であつた。
り、十分低く良好であつた。また、ｎ型Si基板を用い
て、BF2＋を５×1015cm-2イオン打ち込みし、900℃の窒
素雰囲気中で10分間熱処理して形成したｐ＋拡散層に対
するW/p＋ −Siのコンタクト抵抗は45Ωであり、ｐ＋
−Siに対しては十分低い値であつた。平坦な絶縁膜Si
O2上のＷ層の抵抗率は7.8μΩcmと低い値であつた。
本発明による段差被覆特性の改善を第２図に示した。
第２図（ａ）は本発明の一実施例による配線膜の模式図
であり、微細な接続孔の内部にも充分にＷが埋め込まれ
ている。一方、従来のスパツタ法のみによるＷ配線で
は、第２図（ｂ）に示すように、絶縁膜としてグラスフ
ローを行なつてコンタクト孔の開孔部を拡げたBPSG膜８
を用いているにもかかわらず、平坦な部分の膜厚に対す
る微細な接続孔の内部の最も薄い部分の膜厚の比（カバ
レジフアクタ）は0.2以下となつており、顕著な改善が
されていることがわかる。ここで、上記BPSG膜はボロン
酸化物を添加して加熱流動性を増加させたPSG（ホスホ
シリケートグラス）である。
第２図（ａ）は本発明の一実施例による配線膜の模式図
であり、微細な接続孔の内部にも充分にＷが埋め込まれ
ている。一方、従来のスパツタ法のみによるＷ配線で
は、第２図（ｂ）に示すように、絶縁膜としてグラスフ
ローを行なつてコンタクト孔の開孔部を拡げたBPSG膜８
を用いているにもかかわらず、平坦な部分の膜厚に対す
る微細な接続孔の内部の最も薄い部分の膜厚の比（カバ
レジフアクタ）は0.2以下となつており、顕著な改善が
されていることがわかる。ここで、上記BPSG膜はボロン
酸化物を添加して加熱流動性を増加させたPSG（ホスホ
シリケートグラス）である。
また、第１図（ｃ）の構造のＷ配線のシート抵抗は0.
39Ω／□であるがCVD−Ｗ膜のかわりにCVD法で形成した
Mo、あるいはAl膜を用いても良く、更にシート抵抗を低
減するためには第３図のようにAl−Cu−Si/TiN積層薄膜
6,7を形成しても、あるいはまた、TiN6を用いないでAl
−Cu−Si薄膜７のみを形成しても良い。これらの配線の
膜厚は回路設計から要求されるシート抵抗より決定され
る。
39Ω／□であるがCVD−Ｗ膜のかわりにCVD法で形成した
Mo、あるいはAl膜を用いても良く、更にシート抵抗を低
減するためには第３図のようにAl−Cu−Si/TiN積層薄膜
6,7を形成しても、あるいはまた、TiN6を用いないでAl
−Cu−Si薄膜７のみを形成しても良い。これらの配線の
膜厚は回路設計から要求されるシート抵抗より決定され
る。
スパツタＷを用いないで直接下地上にCVD−Ｗを形成
すると、密着性を示すひつかき試験の臨界荷重は50gw以
下であり、極めて剥離しやすいのに対し、本発明の実施
例では臨界荷重が500gw以上であり、密着性の良好なス
パツタＷと同等の値が得られた。
すると、密着性を示すひつかき試験の臨界荷重は50gw以
下であり、極めて剥離しやすいのに対し、本発明の実施
例では臨界荷重が500gw以上であり、密着性の良好なス
パツタＷと同等の値が得られた。
また、この薄いスパツタＷ膜は、CVD過程中の反応ガ
スとSiとの反応を防止するバリア層としても作用する。
従来WF6のH2還元反応を適用した場合にはSiO2とSiとの
界面付近の領域にエンクローチメントやトンネリングが
存在したが、本発明によればこれらの発生はなく、良好
な界面が形成された。エンクローチメントの発生が防止
されていることは第２図（ａ）に示した。
スとSiとの反応を防止するバリア層としても作用する。
従来WF6のH2還元反応を適用した場合にはSiO2とSiとの
界面付近の領域にエンクローチメントやトンネリングが
存在したが、本発明によればこれらの発生はなく、良好
な界面が形成された。エンクローチメントの発生が防止
されていることは第２図（ａ）に示した。
また、この第２図（ａ）を見てわかるように、スパツ
タＷ上にCVD−Ｗを形成すると、スパツタＷの表面に形
成されたＷの自然酸化膜は、WF6ガスを流すことにより
容易に除去され、CVD−Ｗ膜はエピタキシヤル成長を
し、下地近傍では＜110＞に配向したスパツタＷ膜に近
い性質を持ち、下地から遠ざかるに従つてCVD−Ｗ膜特
有の特性となつており、CVD−Ｗの表面には数100Åの凹
凸が見られる。
タＷ上にCVD−Ｗを形成すると、スパツタＷの表面に形
成されたＷの自然酸化膜は、WF6ガスを流すことにより
容易に除去され、CVD−Ｗ膜はエピタキシヤル成長を
し、下地近傍では＜110＞に配向したスパツタＷ膜に近
い性質を持ち、下地から遠ざかるに従つてCVD−Ｗ膜特
有の特性となつており、CVD−Ｗの表面には数100Åの凹
凸が見られる。
次に、第４図を用いて別の実施例を示す。接続孔の底
面積に対し開孔部の面積が同等以下の所謂逆テーパーの
接続孔の場合には、接続部に空洞が形成されることがあ
るが、第４図の実施例のように開孔上部の面積が底面積
より広くなるように形成すれば厚いCVD膜を形成しても
空洞はできず、CVD−Ｗを十分に埋め込んで微細配線が
形成できる。
面積に対し開孔部の面積が同等以下の所謂逆テーパーの
接続孔の場合には、接続部に空洞が形成されることがあ
るが、第４図の実施例のように開孔上部の面積が底面積
より広くなるように形成すれば厚いCVD膜を形成しても
空洞はできず、CVD−Ｗを十分に埋め込んで微細配線が
形成できる。
次に、第５図を用いて別の実施例を示す。
第５図（ａ）は、ｐ型Si基板１の一主面の所望の領域
に５×1015cm-2のAs＋イオンをイオン打ち込み900℃の
窒素雰囲気中で10分間熱処理し、ｎ＋拡散層２を形成し
た後、CVD法で0.5μｍの膜厚の層間絶縁膜SiO23を形成
し、接続孔をドライエツチング法で開孔し、1/20B液で
処理した後、スパツタＷ膜４とCVD−Ｗ膜５を形成した
試料の断面を示す図である。次に、ホトレジスト９を0.
5μｍ塗布した。この状態を示したのが第５図（ｂ）で
ある。
に５×1015cm-2のAs＋イオンをイオン打ち込み900℃の
窒素雰囲気中で10分間熱処理し、ｎ＋拡散層２を形成し
た後、CVD法で0.5μｍの膜厚の層間絶縁膜SiO23を形成
し、接続孔をドライエツチング法で開孔し、1/20B液で
処理した後、スパツタＷ膜４とCVD−Ｗ膜５を形成した
試料の断面を示す図である。次に、ホトレジスト９を0.
5μｍ塗布した。この状態を示したのが第５図（ｂ）で
ある。
次に、ドライエツチング法を用いてホトレジスト９と
SiO23上のＷ膜4,5をエツチバツクして除去し、Ｗプラグ
を形成した。ドライエツチングは、圧力が20mTorr、電
力が50W、SF6ガスの流量が20sccmの条件で行なつた。な
お、SiO23上のＷ膜4,5のドライエツチングの終点検出は
S2の発光をモニターして行なつた。この状態を示したの
が第５図（ｃ）である。
SiO23上のＷ膜4,5をエツチバツクして除去し、Ｗプラグ
を形成した。ドライエツチングは、圧力が20mTorr、電
力が50W、SF6ガスの流量が20sccmの条件で行なつた。な
お、SiO23上のＷ膜4,5のドライエツチングの終点検出は
S2の発光をモニターして行なつた。この状態を示したの
が第５図（ｃ）である。
そして、スパツタ法によりAl−Cu−Si配線層７を形成
し、第５図（ｄ）に断面構造を示した金属配線を作製し
た。
し、第５図（ｄ）に断面構造を示した金属配線を作製し
た。
この金属配線のコンタクト抵抗は第１図に示したＷ配
線と同程度の５Ωであり、密着性も極めて良好であつ
た。また、W/p＋ −＋Siのコンタクトも形成して測定
したところ、抵抗は47Ωであり、第１図に示したＷ配線
と同程度であり、密着性も極めて良好であつた。
線と同程度の５Ωであり、密着性も極めて良好であつ
た。また、W/p＋ −＋Siのコンタクトも形成して測定
したところ、抵抗は47Ωであり、第１図に示したＷ配線
と同程度であり、密着性も極めて良好であつた。
以上、スパツタ膜としてスパツタＷ膜を、CVD膜とし
てCVD−Ｗ膜を例として説明してきたが、スパツタ膜と
してTiW,Mo,W珪化物,Ti珪化物,Mo珪化物のいずれかを適
用しても、また、CVD膜としてMo,Ti珪化物のうちのいず
れかを適用しても同様の効果がある。また、Cu,TiWのCV
D法は現在開発途上にあるが、この技術が適用可能とな
ればCVD−Cu,CVD−TiWも有効であると考えられる。
てCVD−Ｗ膜を例として説明してきたが、スパツタ膜と
してTiW,Mo,W珪化物,Ti珪化物,Mo珪化物のいずれかを適
用しても、また、CVD膜としてMo,Ti珪化物のうちのいず
れかを適用しても同様の効果がある。また、Cu,TiWのCV
D法は現在開発途上にあるが、この技術が適用可能とな
ればCVD−Cu,CVD−TiWも有効であると考えられる。
本発明によれば、積層Ｗ（CVD−W/スパツタ−Ｗ）構
造のため、高信頼性でかつ低抵抗の配線が実現できる。
すなわち、スパツタＷをSi上に形成するのでW/n＋ −S
iのコンタクトでコンタクト抵抗が18Ω、W/p＋ −Siの
コンタクトでコンタクト抵抗が45Ωという低コンタクト
抵抗が実現できた。また、SiO2上にスパツタＷを形成す
るので密着性の良好な配線が実現できる。更にスパツタ
Ｗ上にCVD−Ｗを形成する際にWF6ガスによりスパツタＷ
上の自然酸化膜は除去され、CVD−ＷはスパツタＷ上に
エピタキシヤル成長し、CVD−Ｗの特性を反映した８μ
Ωcm程度の低抵抗率で、しかも極めて段差被覆特性の優
れた金属薄膜が形成できる。また、従来のCVD−Ｗを形
成する際に問題となつたエンクローチメントやトンネリ
ングはスパツタＷがバリア層として作用するので全く問
題はない。
造のため、高信頼性でかつ低抵抗の配線が実現できる。
すなわち、スパツタＷをSi上に形成するのでW/n＋ −S
iのコンタクトでコンタクト抵抗が18Ω、W/p＋ −Siの
コンタクトでコンタクト抵抗が45Ωという低コンタクト
抵抗が実現できた。また、SiO2上にスパツタＷを形成す
るので密着性の良好な配線が実現できる。更にスパツタ
Ｗ上にCVD−Ｗを形成する際にWF6ガスによりスパツタＷ
上の自然酸化膜は除去され、CVD−ＷはスパツタＷ上に
エピタキシヤル成長し、CVD−Ｗの特性を反映した８μ
Ωcm程度の低抵抗率で、しかも極めて段差被覆特性の優
れた金属薄膜が形成できる。また、従来のCVD−Ｗを形
成する際に問題となつたエンクローチメントやトンネリ
ングはスパツタＷがバリア層として作用するので全く問
題はない。
従つて、本発明は0.5μｍレベル以降の微細配線に好
適である。
適である。
第１図は本発明の一実施例のＷ配線の製造工程を示す断
面図、第２図は本発明の一実施例のＷ配線と従来のスパ
ツタＷ配線の段差被覆形状を比較した断面図、第３図は
本発明の一実施例のAl−Cu−Si/W配線の断面図、第４図
は本発明の一実施例を示す下地接続孔の開口形状を緩和
したＷ配線の断面図、第５図は本発明の一実施例のＷプ
ラグAl−Cu−Si配線の製造工程を示す断面図である。 １……ｐ型Si基板、２……ｎ＋拡散層、３……SiO2、 ４……スパツタＷ、５……CVD−Ｗ、６……TiN、 ７……Al−Cu−Si、８……BPSG。
面図、第２図は本発明の一実施例のＷ配線と従来のスパ
ツタＷ配線の段差被覆形状を比較した断面図、第３図は
本発明の一実施例のAl−Cu−Si/W配線の断面図、第４図
は本発明の一実施例を示す下地接続孔の開口形状を緩和
したＷ配線の断面図、第５図は本発明の一実施例のＷプ
ラグAl−Cu−Si配線の製造工程を示す断面図である。 １……ｐ型Si基板、２……ｎ＋拡散層、３……SiO2、 ４……スパツタＷ、５……CVD−Ｗ、６……TiN、 ７……Al−Cu−Si、８……BPSG。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小林 伸好 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 昭63−205951（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−144872（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−172463（ＪＰ，Ａ) 特開 昭64−41240（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】基体上に、開口部を有する絶縁膜を形成す
る工程と、 前記開口部に、スパッタリング法により第１のタングス
テン膜を形成する工程と、 前記第１のタングステン膜上に、前記開口部を充填する
ように、CVD法により第２のタングステン膜を形成し、
前記開口部を前記第１のタングステン膜及び前記第２の
タングステン膜の２層膜で埋め込むことを特徴とする配
線形成方法。 - 【請求項２】前記第２のタングステン膜を形成する際、
減量ガスとして６フッ化タングステンを用いることを特
徴とする請求項１記載の配線形成方法。 - 【請求項３】前記第１のタングステン膜及び第２のタン
グステン膜は、前記開口部から前記絶縁膜上にかけて形
成され、その後前記開口部内の前記第１のタングステン
膜及び第２のタングステン膜を残して前記絶縁膜上の第
１のタングステン膜及び第２のタングステン膜を除去す
ることを特徴とする請求項１記載の配線形成方法。 - 【請求項４】基体上に、開口部を有する絶縁膜を形成す
る工程と、 前記開口部に、スパッタリング法により第１のモリブデ
ン膜を形成する工程と、 前記第１のモリブデン膜上に、前記開口部を充填するよ
うに、CVD法により第２のモリブデン膜を形成し、前記
開口部を前記第１のモリブデン膜及び前記第２のモリブ
デン膜の２層膜で埋め込むことを特徴とする配線形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1017616A JP2821157B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 配線形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1017616A JP2821157B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 配線形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02199827A JPH02199827A (ja) | 1990-08-08 |
| JP2821157B2 true JP2821157B2 (ja) | 1998-11-05 |
Family
ID=11948812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1017616A Expired - Lifetime JP2821157B2 (ja) | 1989-01-30 | 1989-01-30 | 配線形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2821157B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05347272A (ja) * | 1991-01-26 | 1993-12-27 | Sharp Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US5489552A (en) * | 1994-12-30 | 1996-02-06 | At&T Corp. | Multiple layer tungsten deposition process |
| JP3115818B2 (ja) * | 1996-03-21 | 2000-12-11 | 株式会社日立製作所 | 半導体集積回路装置 |
| KR100402940B1 (ko) * | 1996-11-13 | 2004-04-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 다중 금속층 형성 방법 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61144872A (ja) * | 1984-12-19 | 1986-07-02 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| US4884123A (en) * | 1987-02-19 | 1989-11-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Contact plug and interconnect employing a barrier lining and a backfilled conductor material |
| JPS6441240A (en) * | 1987-08-07 | 1989-02-13 | Nec Corp | Semiconductor integrated circuit device |
-
1989
- 1989-01-30 JP JP1017616A patent/JP2821157B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02199827A (ja) | 1990-08-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0506426B1 (en) | Integrated circuit metallization with zero contact enclosure requirements and method of making the same | |
| US4538344A (en) | Method of forming electrode/wiring layer | |
| US4994410A (en) | Method for device metallization by forming a contact plug and interconnect using a silicide/nitride process | |
| US4910580A (en) | Method for manufacturing a low-impedance, planar metallization composed of aluminum or of an aluminum alloy | |
| KR940010520B1 (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
| US4926237A (en) | Device metallization, device and method | |
| US7205223B2 (en) | Method of forming an interconnect structure for a semiconductor device | |
| JPH08107087A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH09199443A (ja) | 集積回路におけるランディングパッド構成体の製造方法 | |
| US5843837A (en) | Method of contact hole burying | |
| JP2821157B2 (ja) | 配線形成方法 | |
| JP3252397B2 (ja) | 配線形成方法 | |
| JPH07130854A (ja) | 配線構造体及びその形成方法 | |
| JP3111466B2 (ja) | メッキ配線層を備えた半導体装置の製造方法 | |
| US6597042B1 (en) | Contact with germanium layer | |
| JPH0758110A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3337758B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3321896B2 (ja) | Ａｌ系材料形成方法、Ａｌ系配線構造、半導体装置の製造方法、及び半導体装置 | |
| JP3109687B2 (ja) | 半導体装置の導電層接続構造の製造方法 | |
| JPH04152631A (ja) | 半導体装置 | |
| KR100575332B1 (ko) | 반도체 소자의 메탈 콘택 형성 방법 | |
| KR100316030B1 (ko) | 반도체장치의알루미늄배선형성방법 | |
| KR960002062B1 (ko) | 금속배선 형성 방법 | |
| KR100265968B1 (ko) | 반도체장치의비아콘택형성방법 | |
| KR20060071593A (ko) | 반도체 소자의 구리 배선 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070828 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080828 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080828 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090828 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090828 Year of fee payment: 11 |