JPH06196596A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH06196596A JPH06196596A JP4346185A JP34618592A JPH06196596A JP H06196596 A JPH06196596 A JP H06196596A JP 4346185 A JP4346185 A JP 4346185A JP 34618592 A JP34618592 A JP 34618592A JP H06196596 A JPH06196596 A JP H06196596A
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- JP
- Japan
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- semiconductor device
- resin
- semiconductor
- cooling pipe
- air
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
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-
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
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- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】半導体集積回路素子の放熱性を高め、高密度実
装に好適な半導体装置を得ることにある。 【構成】半導体集積回路素子１とこの素子１に接続され
たリードフレームとを樹脂で封止して封止樹脂部６が形
成された半導体装置において、前記封止樹脂部６に冷却
管１０（１１）を設けている。 【効果】冷却管に空気または水を流すことにより、半導
体素子から発生した熱が樹脂封止部を通じ、その空気ま
たは水を介して外部に効率良く放熱することができる。
装に好適な半導体装置を得ることにある。 【構成】半導体集積回路素子１とこの素子１に接続され
たリードフレームとを樹脂で封止して封止樹脂部６が形
成された半導体装置において、前記封止樹脂部６に冷却
管１０（１１）を設けている。 【効果】冷却管に空気または水を流すことにより、半導
体素子から発生した熱が樹脂封止部を通じ、その空気ま
たは水を介して外部に効率良く放熱することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体集積回路素子
（以下、単に「半導体素子」と記す）の放熱性を高め、
特に高密度実装した場合に好適な半導体装置に関するも
のである。
（以下、単に「半導体素子」と記す）の放熱性を高め、
特に高密度実装した場合に好適な半導体装置に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】図３乃至図５を用いて、従来のこの種半
導体装置を説明する。図３は従来技術の樹脂封止型半導
体装置を示した断面図であり、図４は放熱効果を持たせ
た従来技術の第１の例を示す樹脂封止型半導体装置であ
って、同図Ａはその斜視図、同図Ｂは同図ＡのＢーＢ線
上における断面図であり、そして図５は放熱効果を持た
せた従来技術の第２の例を示す樹脂封止型半導体装置で
あって、同図Ａはその斜視図、同図Ｂは同図ＡのＢーＢ
線上における断面図である。
導体装置を説明する。図３は従来技術の樹脂封止型半導
体装置を示した断面図であり、図４は放熱効果を持たせ
た従来技術の第１の例を示す樹脂封止型半導体装置であ
って、同図Ａはその斜視図、同図Ｂは同図ＡのＢーＢ線
上における断面図であり、そして図５は放熱効果を持た
せた従来技術の第２の例を示す樹脂封止型半導体装置で
あって、同図Ａはその斜視図、同図Ｂは同図ＡのＢーＢ
線上における断面図である。
【０００３】一般に、半導体素子を樹脂を用いて封止す
る半導体装置の構造は、図３に示したように、ダイパッ
ド２とその周辺部に配列、形成されたリード端子５など
から構成されたリードフレームの、前記ダイパッド２の
表面に半導体素子１を接着し、その表面に露出した電極
４と前記リード端子５を金属細線３を用いて配線し、そ
の後、樹脂で封止して樹脂封止部６を形成し、リード端
子５を所定の形状に曲げ加工して構成されている。
る半導体装置の構造は、図３に示したように、ダイパッ
ド２とその周辺部に配列、形成されたリード端子５など
から構成されたリードフレームの、前記ダイパッド２の
表面に半導体素子１を接着し、その表面に露出した電極
４と前記リード端子５を金属細線３を用いて配線し、そ
の後、樹脂で封止して樹脂封止部６を形成し、リード端
子５を所定の形状に曲げ加工して構成されている。
【０００４】近年、半導体素子１の発熱量が増加し、半
導体装置の放熱性能が十分でない場合、半導体装置の放
熱性能を高めるため、半導体装置の樹脂封止部６の表面
積を増やすことが有効である。そのため従来技術では、
図４に示したように、樹脂封止部６に複数の長溝７を入
れたり、図５に示したように、複数の突起物８を設け、
樹脂封止部６の表面積を増やすことにより放熱効果を高
めるようにしている。
導体装置の放熱性能が十分でない場合、半導体装置の放
熱性能を高めるため、半導体装置の樹脂封止部６の表面
積を増やすことが有効である。そのため従来技術では、
図４に示したように、樹脂封止部６に複数の長溝７を入
れたり、図５に示したように、複数の突起物８を設け、
樹脂封止部６の表面積を増やすことにより放熱効果を高
めるようにしている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】半導体素子１から発生
した熱は、熱伝導性の低い樹脂を介して放熱される他、
ダイパッド２、リード端子５を介して放熱される。近
年、回路の集積密度を高く形成した半導体素子１では発
熱量が高くなってきており、従来の構造では次のような
点が問題になる。図４に示したような樹脂封止部６の表
面に長溝７を入れる構造や、図５に示したような樹脂封
止部６の表面に突起物８を設ける構造では冷却方法が空
冷に限られてしまうため、発熱量が非常に大きい半導体
素子１には適さない。
した熱は、熱伝導性の低い樹脂を介して放熱される他、
ダイパッド２、リード端子５を介して放熱される。近
年、回路の集積密度を高く形成した半導体素子１では発
熱量が高くなってきており、従来の構造では次のような
点が問題になる。図４に示したような樹脂封止部６の表
面に長溝７を入れる構造や、図５に示したような樹脂封
止部６の表面に突起物８を設ける構造では冷却方法が空
冷に限られてしまうため、発熱量が非常に大きい半導体
素子１には適さない。
【０００６】
【課題を解決するための手段】それ故、この発明の半導
体装置では、樹脂封止部に冷却管を設けることで前記課
題を解決するようにした。
体装置では、樹脂封止部に冷却管を設けることで前記課
題を解決するようにした。
【０００７】
【作用】従って、前記構成を採ると、前記冷却管に空気
または水を流すことにより、半導体素子から発生した熱
は樹脂封止部を通じ、冷却管を流れる空気または水を介
して外部に効率良く放熱することができる。
または水を流すことにより、半導体素子から発生した熱
は樹脂封止部を通じ、冷却管を流れる空気または水を介
して外部に効率良く放熱することができる。
【０００８】
【実施例】この発明の半導体装置の実施例を図１及び図
２を用いて説明する。図１はこの発明の半導体装置の第
１の実施例であって、同図Ａはその斜視図、同図Ｂは同
図ＡのＢーＢ線上における断面図であり、図２はこの発
明の半導体装置の第２の実施例を示す斜視図である。な
お、従来技術の半導体装置と同一の部分には同一の符号
を付し、それらの説明を省略する。
２を用いて説明する。図１はこの発明の半導体装置の第
１の実施例であって、同図Ａはその斜視図、同図Ｂは同
図ＡのＢーＢ線上における断面図であり、図２はこの発
明の半導体装置の第２の実施例を示す斜視図である。な
お、従来技術の半導体装置と同一の部分には同一の符号
を付し、それらの説明を省略する。
【０００９】一般に、半導体素子から発生した熱を逃が
すには、自然空冷、強制空冷、水冷の順に効果が大き
い。従って、強制空冷または水冷ができる構造を備えた
半導体装置の方が発熱量が多い半導体素子に対しては有
利である。
すには、自然空冷、強制空冷、水冷の順に効果が大き
い。従って、強制空冷または水冷ができる構造を備えた
半導体装置の方が発熱量が多い半導体素子に対しては有
利である。
【００１０】図１に示した実施例の半導体装置は、半導
体素子１をダイパット２に接着し、金属細線３により配
線した後、樹脂封止された一般的な構造の半導体装置の
樹脂封止部６の表面に金属製の細長い冷却管１０を取り
付けるために、その冷却管１０の外周に沿った形状の細
長い窪み９を複数並行に形成し、それぞれの窪み９に冷
却管１０を取り付けた構造で構成したものである。
体素子１をダイパット２に接着し、金属細線３により配
線した後、樹脂封止された一般的な構造の半導体装置の
樹脂封止部６の表面に金属製の細長い冷却管１０を取り
付けるために、その冷却管１０の外周に沿った形状の細
長い窪み９を複数並行に形成し、それぞれの窪み９に冷
却管１０を取り付けた構造で構成したものである。
【００１１】このように樹脂封止部６の表面に窪み９を
設けることにより、半導体素子１から発生した熱は樹脂
封止部６を伝わり、この取り付けた複数の冷却管１０の
中を流す空気または水を通じて外部に放熱することがで
きる。この実施例の半導体装置は、前記樹脂封止部６に
形成した窪み９を冷却管１０の外周の形状に沿った形状
に形成したので、この樹脂封止部６と冷却管１０との接
触面積を増やすことができ、より効率的に放熱させるこ
とができる。
設けることにより、半導体素子１から発生した熱は樹脂
封止部６を伝わり、この取り付けた複数の冷却管１０の
中を流す空気または水を通じて外部に放熱することがで
きる。この実施例の半導体装置は、前記樹脂封止部６に
形成した窪み９を冷却管１０の外周の形状に沿った形状
に形成したので、この樹脂封止部６と冷却管１０との接
触面積を増やすことができ、より効率的に放熱させるこ
とができる。
【００１２】また、図２に示した第２の実施例の半導体
装置は、半導体素子１を樹脂で封止する時に、離型し易
い金属棒などを同時に封入し、樹脂の硬化後、それらの
金属棒を引き抜いて、封止樹脂そのもので複数の冷却管
１１を形成した構造のものである。
装置は、半導体素子１を樹脂で封止する時に、離型し易
い金属棒などを同時に封入し、樹脂の硬化後、それらの
金属棒を引き抜いて、封止樹脂そのもので複数の冷却管
１１を形成した構造のものである。
【００１３】これらの冷却管１１は、また、図１に示し
た第１の実施例の半導体装置に用いた金属製の冷却管１
０をそのまま半導体素子１の樹脂封止と同時に封入する
ようにしてもよい。
た第１の実施例の半導体装置に用いた金属製の冷却管１
０をそのまま半導体素子１の樹脂封止と同時に封入する
ようにしてもよい。
【００１４】従って、この第２の実施例の半導体装置
は、第１の実施例の半導体装置と異なり、樹脂封止部６
に冷却管１０を取り付ける工程を省くことができ、かつ
放熱の表面積を増やすこともできるので、より効果的な
放熱を行うことができる。
は、第１の実施例の半導体装置と異なり、樹脂封止部６
に冷却管１０を取り付ける工程を省くことができ、かつ
放熱の表面積を増やすこともできるので、より効果的な
放熱を行うことができる。
【００１５】
【発明の効果】以上、説明したように、この発明の半導
体装置は、樹脂封止部に冷却管を形成したので、それら
の冷却管に空気または水を流すことにより、半導体素子
から発生した熱をその空気または水を介して外部に効率
良く放熱することができ、従来技術の半導体装置に比
し、放熱をより一層効果的に向上させることができる。
体装置は、樹脂封止部に冷却管を形成したので、それら
の冷却管に空気または水を流すことにより、半導体素子
から発生した熱をその空気または水を介して外部に効率
良く放熱することができ、従来技術の半導体装置に比
し、放熱をより一層効果的に向上させることができる。
【図１】図１はこの発明の半導体装置の第１の実施例で
あって、同図Ａはその斜視図、同図Ｂは同図ＡのＢーＢ
線上における断面図である。
あって、同図Ａはその斜視図、同図Ｂは同図ＡのＢーＢ
線上における断面図である。
【図２】この発明の半導体装置の第２の実施例を示す斜
視図である。
視図である。
【図３】従来技術の樹脂封止型半導体装置を示した断面
図である。
図である。
【図４】放熱効果を持たせた従来技術の第１の例を示す
樹脂封止型半導体装置であって、同図Ａはその斜視図、
同図Ｂは同図ＡのＢーＢ線上における断面図である。
樹脂封止型半導体装置であって、同図Ａはその斜視図、
同図Ｂは同図ＡのＢーＢ線上における断面図である。
【図５】放熱効果を持たせた従来技術の第２の例を示す
樹脂封止型半導体装置であって、同図Ａはその斜視図、
同図Ｂは同図ＡのＢーＢ線上における断面図である。
樹脂封止型半導体装置であって、同図Ａはその斜視図、
同図Ｂは同図ＡのＢーＢ線上における断面図である。
１ 半導体集積回路素子（半導体素子） ２ ダイパッド ５ リード端子 ６ 樹脂封止部 ７ 長溝 ８ 突起物 ９ 窪み １０ 冷却管 １１ 冷却管
Claims (1)
- 【請求項１】半導体集積回路素子とこの半導体集積回路
素子に接続されたリードフレームとを樹脂で封止して封
止樹脂部が形成された半導体装置において、前記封止樹
脂部に冷却管を設けたことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4346185A JPH06196596A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4346185A JPH06196596A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06196596A true JPH06196596A (ja) | 1994-07-15 |
Family
ID=18381688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4346185A Pending JPH06196596A (ja) | 1992-12-25 | 1992-12-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06196596A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0768711A2 (en) * | 1995-10-13 | 1997-04-16 | AT&T Corp. | Microelectronic package with device cooling |
| EP2341533A3 (de) * | 2007-08-23 | 2013-01-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Aufbau- und Verbindungstechnik von Modulen mittels aus einer Ebene heraus gebogenen metallischen Stanzgitter oder Stanzbiegeteilen |
-
1992
- 1992-12-25 JP JP4346185A patent/JPH06196596A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0768711A2 (en) * | 1995-10-13 | 1997-04-16 | AT&T Corp. | Microelectronic package with device cooling |
| EP0768711A3 (en) * | 1995-10-13 | 1998-07-08 | AT&T Corp. | Microelectronic package with device cooling |
| EP2341533A3 (de) * | 2007-08-23 | 2013-01-16 | Siemens Aktiengesellschaft | Aufbau- und Verbindungstechnik von Modulen mittels aus einer Ebene heraus gebogenen metallischen Stanzgitter oder Stanzbiegeteilen |
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