JPH0619503A - 制御装置 - Google Patents

制御装置

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JPH0619503A
JPH0619503A JP17426292A JP17426292A JPH0619503A JP H0619503 A JPH0619503 A JP H0619503A JP 17426292 A JP17426292 A JP 17426292A JP 17426292 A JP17426292 A JP 17426292A JP H0619503 A JPH0619503 A JP H0619503A
Authority
JP
Japan
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target value
bias
control
ramp
zone
Prior art date
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Pending
Application number
JP17426292A
Other languages
English (en)
Inventor
Tamio Ueda
民生 上田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Omron Corp
Original Assignee
Omron Corp
Omron Tateisi Electronics Co
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Filing date
Publication date
Application filed by Omron Corp, Omron Tateisi Electronics Co filed Critical Omron Corp
Priority to JP17426292A priority Critical patent/JPH0619503A/ja
Publication of JPH0619503A publication Critical patent/JPH0619503A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】ランプ制御におけるオフセットを減少させると
ともに、ランプ帯からソーク帯への移行の際の制御波形
のなまりを改善して制御特性を向上させる。 【構成】バイアス付加手段2で所期の目標値rに、ラン
プ帯におけるオフセットに相当する偏差を付加してバイ
アス目標値r’とし、バイアス目標値修整手段3で、バ
イアス目標値r’のランプ帯からソーク帯への移行部分
を、山形または谷形の目標値に修正し、修正されたバイ
アス目標値r’’と制御対象4からフィードバックされ
た制御量Yとに基づいて制御を行うようにしている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、温度調節器などのよう
な制御装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、ランプ状の目標値に追従させるラ
ンプ制御に用いられる制御方式として、例えば、図5に
示されるPID制御がある。
【0003】図5において、PID制御部6は、目標値
rと制御対象4からフィードバックされた制御量Yとの
偏差eに基づいて、制御対象4にPID操作量を出力す
るものであるが、かかるPID制御では、上昇あるいは
減少していた目標値が一定値に移行する部分、すなわ
ち、ランプ帯からソーク帯へ移行する部分において、図
6の仮想線で示されるように、オーバーシュートあるい
はアンダーシュートが生じてしまう。なお、図6におい
て、目標値rを実線で示している。
【0004】このようなオーバーシュートあるいはアン
ダーシュートは、制御ゲインを小さくすることによって
解消できるけれども、制御ゲインを小さくすると、外乱
応答が悪化することになる。
【0005】そこで、外乱応答を悪化させることなく、
オーバーシュートやアンダーシュートを解消する制御方
式として、図7に示されるように、フィードバックとフ
ィードフォワードのいわゆる2自由度PID制御方式が
ある。
【0006】図7において、PID制御部6は、目標値
rと制御対象4からフィードバックされた制御量Yとの
偏差eに基づいて、PID操作量を出力し、一方、フィ
ードフォワード制御部7は、目標値rとフィードフォワ
ード係数と基づいて操作量を出力し、両操作量を加算し
て制御対象4に与えるものであるが、かかる2自由度P
ID制御では、図8に示されるように、ランプ制御にお
けるオフセットがPID制御よりも増加してしまう。
【0007】そこで本件出願人は、特願昭63−321
529号(特開平2−165304号)において、2自
由度PID制御方式に、目標値バイアス機能を設けた制
御装置を提案している。
【0008】すなわち、図9に示されるように、所期の
目標値rに、制御動作の定常状態における前記目標値r
と制御量Yとの差分に相当する定常偏差を付加するバイ
アス付加手段20を設けたものであり、図10に示され
るように、所期の目標値rを前記定常偏差に対応するバ
イアス時間TB分だけずらし、このバイアスされた目標
値r’に追従するように制御するものであり、これによ
って、図11に示されるように、ランプ制御におけるオ
フセットを減少させるものである。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、先に提
案している制御装置においても、図11に示されるよう
に、ランプ帯からソーク帯に移行する部分では、波形が
なまり、制御特性が悪化するという難点がある。
【0010】本発明は、上述の点に鑑みて為されたもの
であって、ランプ制御におけるオフセットを解消し、し
かも、ランプ帯からソーク帯に移行する部分の波形のな
まりを改善して制御特性を向上させることを目的とす
る。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明では、上述の目的
を達成するために、次のように構成している。
【0012】すなわち、本発明は、所期の目標値に、ラ
ンプ帯におけるオフセットに相当する偏差を付加してバ
イアス目標値とするバイアス付加手段と、前記バイアス
目標値のランプ帯からソーク帯への移行部分を、ソーク
帯における所期の目標値を上回る山形またはソーク帯に
おける所期の目標値を下回る谷形の目標値に修正するバ
イアス目標値修正手段と、修正されたバイアス目標値と
制御対象からフィードバックされた制御量とに基づいて
制御対象に操作量を出力する制御手段と、を備えてい
る。
【0013】
【作用】上記構成によれば、所期の目標値にバイアスが
付加され、さらに、バイアスが付加された目標値のラン
プ帯からソーク帯への移行部分が、山形あるいは谷形に
修正されるので、ランプ制御における所期の目標値に対
するオフセットが減少し、ランプ帯からソーク帯へ移行
する制御波形のなまりが改善されることになる。
【0014】
【実施例】以下、図面によって本発明の実施例につい
て、詳細に説明する。
【0015】図1は、本発明の一実施例のブロック図で
あり、図9の従来例に対応する部分には、同一の参照符
を付す。
【0016】この実施例の制御装置1は、所期の目標値
rに、ランプ帯におけるオフセットに相当するバイアス
を付加してバイアス目標値r’とするバイアス付加手段
としての目標値バイアス部2と、このバイアス目標値
r’のランプ帯からソーク帯への移行部分を、ソーク帯
における所期の目標値rを上回る山形またはソーク帯に
おける所期の目標値rを下回る谷形の目標値r’’に修
正するバイアス目標値修正部3と、修正されたバイアス
目標値r’’と制御対象4からフィードバックされた制
御量Yとに基づいて制御対象4に操作量を出力する制御
手段5とを備えており、これらはマイクロコンピュータ
によって構成されている。
【0017】この実施例の制御手段5は、修正されたバ
イアス目標値r’’と制御量Yとの偏差eに基づいてP
ID操作量を出力するPID制御部6と、修正されたバ
イアス目標値r’’とフィードフォワード係数とに基づ
いて操作量を出力するフィードフォワード制御部7とを
備え、両操作量を加算して制御対象4に与える2自由度
PID制御方式である。
【0018】目標値バイアス部2は、基本的に図9の従
来例と同様であり、ランプ制御におけるオフセットを減
少させるためのものであり、所期の目標値rに、オフセ
ットに相当する偏差を付加するものである。
【0019】すなわち、この実施例では、図2の実線で
示される所期の目標値rに偏差を付加してオフセットに
相当するバイアス時間TBだけ目標値をずらして破線で
示されるバイアス目標値r’とするものであり、このバ
イアス時間TBは、次式に従って決定している。
【0020】TB=Ti・α ここで、Tiは積分時間であり、αはフィードフォワー
ド係数である。
【0021】このバイアス目標値r’は、ランプ帯から
ソーク帯への移行する際の制御波形のなまりを改善する
ために、バイアス目標値修正部3で次のように修正され
る。
【0022】すなわち、バイアス目標値修正部3は、図
2の破線で示されるバイアス目標値r’のランプ帯から
ソーク帯への移行部分を、一点鎖線で示されるようにソ
ーク帯における所期の目標値rを上回る山形に修整して
いる。
【0023】この実施例では、バイアス時間TBの1/
2の期間までランプ状のバイアス目標値r’を延長した
二等辺三角形となるようにしている。
【0024】このように修整されたバイアス目標値
r’’が制御手段5に与えられて2自由度PID制御が
行われる。
【0025】これによって、図3の実線で示される所期
の目標値rに対して制御量Yは、仮想線で示されるよう
に変化し、ランプ制御におけるオフセットが減少すると
ともに、ランプ帯からソーク帯への移行部分における波
形のなまりが改善されて制御特性が向上する。なお、図
3においては、修整されたバイアス目標値r’’を破線
で示している。
【0026】ここで、所期の目標値rを、修整されたバ
イアス目標値r’’にするための具体的な処理、すなわ
ち、目標値バイアス部2およびバイアス目標値修整部3
の処理を図4に基づいて説明する。
【0027】この図4において、所期の目標値がr0
らr1へ変化し、ランプ状になり始める時点をt0、傾き
をa、バイアス時間をTB、修整されたバイアス目標値
をrとすると、 t≦t0−TB のとき r=r00−TB≦t≦t0+{(r1−r0)/a}−TB/2 のとき r=r0+a・(t−t0+TB) t0+{(r1−r0)/a}−TB/2≦t≦t0+(r1−r0)/a のとき r=r1+a・(TB/2)−a・〔−t0−{(r1−r0)/a}+ (TB/2)+t〕 t0+(r1−r0)/a≦t のとき r=r1 とするものである。
【0028】この実施例では、所期の目標値が上昇して
一定値になる場合について説明したけれども、所期の目
標値が減少して一定値になる場合には、上述と同様にし
て谷形になるようにバイアス目標値を修整するものであ
る。
【0029】また、山形および谷形の形状は、上記実施
例に限定されないのは勿論である。
【0030】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、所期の目
標値にランプ制御におけるオフセットに相当する偏差が
付加され、さらに、偏差が付加された目標値のランプ帯
からソーク帯への移行部分が、山形あるいは谷形に修正
されるので、ランプ制御における所期の目標値に対する
オフセットが減少し、ランプ帯からソーク帯へ移行する
制御波形のなまりが改善されて制御特性が向上すること
になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本発明の一実施例のブロック図である。
【図2】目標値に対するバイアスの付加および山形への
修整を説明するための波形図である。
【図3】図1の実施例の制御量の変化を示す図である。
【図4】図1の実施例による処理を説明するための目標
値の波形図である。
【図5】従来例のブロック図である。
【図6】図5の従来例の制御量の変化を示す図である。
【図7】他の従来例のブロック図である。
【図8】図7の従来例の制御量の変化を示す図である。
【図9】さらに他の従来例のブロック図である。
【図10】目標値へのバイアスの付加を説明するための
図である。
【図11】図9の従来例の制御量の変化を示す図であ
る。
【符号の説明】
1 制御装置 2 目標値バイアス部(バイアス付加手段) 3 バイアス目標値修整部 4 制御対象 5 制御手段

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】所期の目標値に、ランプ帯におけるオフセ
    ットに相当する偏差を付加してバイアス目標値とするバ
    イアス付加手段と、 前記バイアス目標値のランプ帯からソーク帯への移行部
    分を、ソーク帯における所期の目標値を上回る山形また
    はソーク帯における所期の目標値を下回る谷形の目標値
    に修正するバイアス目標値修正手段と、 修正されたバイアス目標値と制御対象からフィードバッ
    クされた制御量とに基づいて制御対象に操作量を出力す
    る制御手段と、 を備えることを特徴とする制御装置。
JP17426292A 1992-07-01 1992-07-01 制御装置 Pending JPH0619503A (ja)

Priority Applications (1)

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JP17426292A JPH0619503A (ja) 1992-07-01 1992-07-01 制御装置

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JP17426292A JPH0619503A (ja) 1992-07-01 1992-07-01 制御装置

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JPH0619503A true JPH0619503A (ja) 1994-01-28

Family

ID=15975565

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JP17426292A Pending JPH0619503A (ja) 1992-07-01 1992-07-01 制御装置

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017085781A1 (ja) * 2015-11-17 2017-05-26 理化工業株式会社 温度制御装置及び温度制御方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017085781A1 (ja) * 2015-11-17 2017-05-26 理化工業株式会社 温度制御装置及び温度制御方法
JPWO2017085781A1 (ja) * 2015-11-17 2018-06-07 理化工業株式会社 温度制御装置及び温度制御方法

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