JPH06188551A - 金属接合構造 - Google Patents

金属接合構造

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JPH06188551A
JPH06188551A JP5210089A JP21008993A JPH06188551A JP H06188551 A JPH06188551 A JP H06188551A JP 5210089 A JP5210089 A JP 5210089A JP 21008993 A JP21008993 A JP 21008993A JP H06188551 A JPH06188551 A JP H06188551A
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ジェイ−ウェイ・チャン
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 半田付けまたはろう接によって２つの実装品
を接続する、改善された金属接合構造を提供する。 【構成】 半田付けまたはろう接によって２つの実装品
を接続する金属接合構造は、好適には銀、金、銅、パラ
ジウムまたはプラチナの低降伏点金属のストレス解放層
１４を有する。接合構造は、ストレス解放層１４および
バリヤ層１６を有し、錫などの半田要素の拡散を防止し
ている。バリヤ層１６は、好適にはクローム、チタン−
タングステン、チタン等である。接合構造は、好適には
接合構造内に１組以上のストレス解放層１４とバリヤ層
１６との組み合わせを有し、接合構造の信頼性を改善す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半田付けまたはろう接
によって接合される２つの実装品間の金属接合構造に関
する。この接合構造は、低降伏点金属、好適には銀、
金、銅、パラジウムまたはプラチナのストレス解放層を
有する。接合構造は、好適には、接合構造内に１組以上
のストレス解放層とバリヤ層との組み合わせ層を有し、
接合構造の信頼性を改善している。
【０００２】
【従来の技術】エレクトロニクス産業分野において、異
なった半導体部品または実装品は互いに接合されなけれ
ばならない。通常、一方または両方の半導体部品には、
Ｃ４（ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ ｃｏｌｌａｐｓｅ ｃｈ
ｉｐ ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）パッドが設けられてい
る。したがって、半田をリフローさせることによって、
これらの半導体部品は互いに接合される。半導体部品
は、たとえば多層セラミック基板のようなチップまたは
基板である。
【０００３】チップは、完全に溶融した半田とパッド部
材との間で、濡れ効果および反応効果によって基板に接
合される。接触抵抗の小さい良質の接合構造を形成する
ためには、半田リフロー接合プロセスの際に、半田合金
は、十分に溶融され、パッドに濡れて、パッド部材と反
応する必要がある。半田合金とパッド部材との間の急激
な反応によって、一般的に金属間化合物が形成される。
パッド／半田の界面における金属間化合物の形成は、良
質の接合構造には不可欠である。しかしながら、金属間
化合物固相層の成長は、半田リフロー接合プロセスに続
く冷却期間で、大きなストレスがパッド／半田の界面に
残留する一因になることが一般的に知られている。これ
は、接合構造の電気的および機械的な特性の偏析（ｓｅ
ｇｒｅｇａｔｉｏｎ）を引き起こす。
【０００４】このような半田内の偏析は、しばしば半田
内に欠陥および残留ストレスを引き起こす。リフロー半
田は、偏析して不均一なひずみを生じるような凝固構造
を有する。促進寿命テストの際に、このようなひずみは
接合破壊を引き起こし、この破壊によって全体的な接合
構造の耐用寿命が縮まる。
【０００５】半田接合における他の問題は、シリコン・
チップのようなチップと、セラミック基板のようなモジ
ュールとの間の熱膨張の不整合である。チップとモジュ
ールとの間の熱膨張の不整合は、接合構造内に機械的ス
トレスを発生する。なぜならば、回路チップに用いられ
るシリコンと、モジュール基板に用いられるセラミック
との間に、熱膨張係数の差が存在するからである。この
熱膨張の不整合は、Ｃ４接合構造にせん断ひずみを起こ
し、したがって接合構造の寿命を縮める。
【０００６】従来の技術において、種々の異なった組み
合わせの材料を用いたいろいろな半田接合構造が提案さ
れている。たとえば、米国特許第５，０４８，７４４号
明細書は、Ｃｒ／Ｃｕ（バイア・パターンのＣｒ／ポリ
イミド層を有する）／Ｔｉ／Ｃｕ／Ｐｄ／半田の構成の
半田接合構造を開示している。この接合構造は、ストレ
ス解放層およびバリヤ層を有していない。ＴｉはＳｎと
反応し得るが、活発なリフローの際にＳｎの侵入をブロ
ックできない。ひとたびＳｎがＣｕ層内に侵入すると、
Ｃｕは不純化してもろくなり、ストレス状態となる。
【０００７】米国特許第４，３６０，１４２号明細書
は、二重ＣｒＣｕ／Ｃｕ層を有するＣｒ／ＣｒＣｕ／Ｃ
ｕ／ＣｒＣｕ／Ｃｕ／Ａｕ／半田の構成の半田接合構造
を開示している。ＣｒＣｕ層はバリヤ層ではない。なぜ
ならば、効果的な拡散バリヤ層であるためには、純Ｃｒ
層はＣｕ層とＣｒＣｕ層を分離しなければならないから
である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、半田付けま
たはろう接が可能な実装品を接合することを意図してい
るが、本発明の主要な応用例は、Ｃ４構造を接合するこ
とを意図している。
【０００９】Ｃ４構造は、フリップチップ集積としても
知られ、マイクロエレクトロニクス回路およびオプトエ
レクトロニクス回路における高集積化の魅力的な方法で
ある。高密度Ｃ４構造の要求が増大するにつれて、Ｃ４
技術の信頼性の向上は最重要課題になりつつある。
【００１０】現在、Ｃ４接合構造は、Ｃｒ接着層と、固
相ＣｒＣｕ層と、Ｃｕ層（時にはＡｕ薄膜によって覆わ
れている）とから成り、このＣｕ層上には、ＰｂＳｎ
（９７／３％）が蒸着またはメッキされている。全体的
な構造は、モリブデン・マスクまたはリストン（Ｒｉｓ
ｔｏｎ）・マスクを通して堆積される。あるいはまた、
Ｃｒ層、固相ＣｒＣｕ層およびＣｕ層は、シートフィル
ムの形で堆積される。ＰｂＳｎはレジスト・マスクを通
して堆積され、レジストが除去された後、Ｃｕ／ＣｒＣ
ｕ層およびＣｒ層は選択的にエッチングされ、ＰｂＳｎ
はリフローされる。ＰｂＳｎがリフロー温度に加熱され
るにつれて、錫は銅内に溶融し、ＣｕＳｎ金属間化合物
を形成する。積層Ｃ４バンプ構造は、金属間化合物固相
層の形成および／または層間の熱膨張係数の不整合によ
って引き起こされた内部ストレスを逃がすことができ
る。プルテスト（ｐｕｌｌ ｔｅｓｔ）または促進熱疲
労テストに不合格になるような内部ストレスを有する構
造は望ましくない。したがって、これらの層内のストレ
スの軽減は、Ｃ４接合構造および他の接合構造の信頼性
に関して重要な問題になっている。
【００１１】本発明は、ストレス解放層およびバリヤ層
の組み合わせを１組以上有する金属接合構造を提供する
ことによって、前述の従来技術の制限を克服している。
【００１２】したがって、本発明の主な目的は、ストレ
ス解放層およびバリヤ層を有する金属接合構造を提供す
ることにある。
【００１３】本発明の他の目的は、Ｃ４ボールを基板に
半田付けまたはろう接する金属接合構造を提供すること
にある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明において、金属接
合構造は、ストレス解放層と、半田層からの錫の拡散に
対するバリヤを与えるバリヤ層との組み合わせを有して
いる。ストレス解放層は、低降伏点強度の金属、好適に
は銀、金、銅、パラジウムまたはプラチナの層である。
バリヤ層は、好適にはＣｒ，ＴｉＷ，Ｔａおよびこれら
の金属の合金の層である。この接合構造は、１組以上の
ストレス解放層とバリヤ層との組み合わせの層を有する
ことができる。
【００１５】ストレス解放層は、Ｃ４ボールが接合され
る基板にストレスが伝わるのを阻止し、バリヤ層は、半
田層から錫を拡散させないので錫の金属間化合物の形成
を阻止する。その結果得られる接合構造は、従来から使
用されていた接合構造以上の改善された強度および信頼
性を備える。
【００１６】
【実施例】従来の技術においては、実装品は基板上に設
けられたＣｒのような接着層を含む金属接合構造によっ
て接合される。このとき、Ｃｕ−Ｃｒ固相層が、接着層
上に設けられる。Ｃｕのような反応金属層が固相層上に
設けられ、半田ボールが反応金属層に接続される。
【００１７】このような従来技術による接合構造を作成
した。半田がリフローした後、接合構造の断面を、透過
型電子顕微鏡（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＴＥＭ）を用いて検査
した。その結果、錫は、固相Ｃｒ−Ｃｕ層内へ侵入し、
Ｃｕと反応し、金属間化合物を形成することがわかっ
た。金属間化合物は、エネルギー分散Ｘ線解析（Ｅｎｅ
ｒｇｙ−Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ−Ｒａｙ Ａｎａｌ
ｙｓｉｓ：ＥＤＸ）およびＸ線回析の両方によって、Ｃ
ｕ3 Ｓｎとして識別された。
【００１８】Ｃｕ3 Ｓｎの形成と、接合構造内の熱膨張
の不整合とがストレスを発生するという結論が得られ
た。
【００１９】接合構造は、金属固相Ｃｕ−Ｓｎの形成、
および／または層間の熱膨張係数の不整合によって引き
起こされた内部ストレスを拡げる。内部ストレスの結
果、プルテストまたは促進熱疲労テストに不合格になる
と、接合構造の信頼性は低下している。
【００２０】本発明の教示によれば、金属接合構造にバ
リヤ層およびストレス解放層を追加することによって、
接合構造の信頼性を改善している。
【００２１】図面を参照して本発明の実施例を説明す
る。図１は、本発明の教示による金属接合構造を形成す
る一連の層の略図である。基板１０は、接着層１２たと
えばＣｒを有し、この接着層１２は、マスクを通して基
板１０上に蒸着され、もしくはシートフィルムとして蒸
着される。ストレス解放層１４たとえばＣｕが、接着層
１２上に蒸着される。ストレス解放層１４は、マスクを
通して、あるいはシートフィルムの形で蒸着することが
できる。次に、バリヤ層１６たとえばＣｒがストレス解
放層１４上に蒸着される。固相層１８たとえばＣｕＣｒ
が、バリヤ層１６上に蒸着される。反応金属層２０たと
えばＣｕが、固相層１８上に蒸着される。半田２２が、
レジストすなわちＭｏマスク２４を通して反応金属層２
０上にメッキされる。反応金属層２０は、使用された半
田と共に金属間化合物を形成するように選択され、そし
て固相層１８は、バリヤ層１６に対する金属間化合物の
接合を改善するように選択される。レジスト２４の除去
に続いて、Ｃｕ反応金属層２０、ＣｕＣｒ固相層１８お
よびバリヤ層１６はエッチングされ、ＰｂＳｎ半田２２
はリフローされる。ＰｂＳｎ半田２２がそのリフロー温
度に加熱されるにつれて、ＳｎはＣｕ内へ溶融し、Ｃｕ
Ｓｎ金属間化合物を形成する。このような金属間化合物
は、ストレス解放層１４内には形成されない。
【００２２】ストレス解放効果をさらに確実にするため
に、図２に示すように、ストレス解放層３０とバリヤ層
３２の１組以上の組み合わせの層を接合構造内に拡張す
ることにより、Ｃ４バンプの側壁からリフロー半田の侵
入を阻止する。ストレス解放層１４とバリヤ層１６とを
図１に示すように用いたときに、信頼性が同様に改善さ
れることは明らかである。
【００２３】図２に示す接合構造において、基板３４上
には接着層３６が設けられている。接着層３６は好適に
はＣｒであるが、Ｔａ，ＴｉおよびＴａとＴｉの合金も
接着層として有用である。
【００２４】ストレス解放層３０は、低降伏点強度の金
属であり、好適にはＣｕであるが代わりにＡｇ，Ａｕ，
ＰｄまたはＰｔを用いてもよく、ストレスが基板３４へ
伝わるのを阻止する。接着層３６上に設けられたストレ
ス解放層３０の厚さは、好適には５０〜５００００オン
グストロームである。
【００２５】バリヤ層３２は、ストレス解放層３０内
に、半田層３８からＳｎが溶融するのを防止するために
設けられている。半田層３８は、好適にはＰｂＳｎ，Ａ
ｕＳｎ，ＰｂＩｎ，ＡｕＩｎ，ＡｕＩｎＳｎまたはＢｉ
Ｓｎである。Ｃｒは、バリヤ層として用いるのに好適な
金属であるが、ＴｉＷおよびＴａおよびＴｉＷとＴａの
合金もバリヤ層として有用である。バリヤ層３２は、ス
トレス解放層３０内で、接合構造の信頼性を下げるよう
な金属間化合物の形成を阻止し、バリヤ層３２は、両側
の金属には全く溶融せず、細孔を有しないものでなけれ
ばならない。
【００２６】固相金属層４４たとえばＣｒＣｕが、バリ
ヤ層３２に形成される。Ｃｕ半田反応金属層４２は、固
相金属層４４の上面に堆積される。半田層３８は、レジ
ストマスクを通して選択的に堆積される。ＰｂＳｎがリ
フローされる前に、半田反応金属層４２および固相金属
層４４は電気的にエッチングされる。バリヤ層３２は、
化学的にエッチングされ、その上部の半田反応金属層４
２および固相金属層４４よりもやや広く残される。残り
のＣｕストレス解放層３０は、図２に示すように、エッ
チング後に保護される。
【００２７】半田反応金属層４２は、半田しやすいもの
が選択され、好適にはＣｕＣｒ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ａ
ｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｈ，Ｎｉ（Ｐ），Ｃｏ（Ｐ）
およびこれらの材料の１つ以上の層の組み合わせであ
る。
【００２８】ストレス解放層３０およびバリヤ層３２の
複数組の組み合わせは、接合構造に追加することができ
る。
【００２９】接合構造は、本発明の教示により、チップ
を直接半田層に接合する代わりに、“逆（ｒｅｖｅｒｓ
ｅ）”接合構造を半田層とチップとの間に挿入すること
ができることは当業者にとって明白である。すなわち接
合構造は、第１実装品／接着層／ストレス解放層／バリ
ヤ層／固相金属層／半田反応金属層／半田層／半田反応
金属層／固相金属層／バリヤ層／ストレス解放層／接着
層／第２実装品よりなる。この接合構造は、少なくとも
１組のバリヤ層−ストレス解放層の組み合わせを有し、
第１実装品と半田層との間、および第２実装品と半田層
との間に配置される。
【００３０】前述した図２の接合構造を作成した。半田
のリフローの後、接合構造の断面を、透過型電子顕微鏡
を用いて検査した。その結果、錫の金属間化合物がＣｕ
層４２内および固相ＣｒＣｕ層４４内で検出された。透
過型電子顕微鏡のエネルギー分散Ｘ線解析のナノプロー
ブによってＣｕストレス解放層３０を検査したが、錫は
検出されなかった。したがって、Ｃｒバリヤ層３２は、
Ｓｎの拡散を首尾よく停止させ、Ｃｕストレス解放層３
０を保護し、接合構造のストレスを軽減した。
【００３１】したがって、さらに実験を重ねることによ
って、ストレス解放層の導入により内部ストレスが軽減
されることを証明できた。 例 既知のポアソン比および弾性率を有する４．７×４．７
×０．０２ｃｍのガラス構造を、ｅビーム蒸着によって
メタライズした。接合構造が表１に示すように形成され
た。
【００３２】
【表１】
【００３３】構造内でのＣｕ3 Ｓｎの完全な反応をシミ
ュレートするために、ＳｎおよびＣｕを計算された層厚
で堆積し、Ｃｕ3 Ｓｎを形成した。表１の構造Ａ，Ｂ，
Ｃ，ＤおよびＥの内部ストレスは、半田のリフローの前
後に基板の曲率を計測し計算することにより得られた。
各リフロー構造は、Ｘ線回析と透過型電子顕微鏡によっ
て確認された２μｍの厚さのＣｕ3 Ｓｎ層を有してい
る。
【００３４】半田のリフローの後、Ｃｕ3 Ｓｎが存在す
ることによって、表１の接合構造Ａ内には２１５ＭＰａ
の引張りストレスが生じた。接合構造Ｂにおいて、第１
のＣｕ／Ｓｎ層と、Ｃｒ／ガラス層との間に、３００オ
ングストロームのＣｒバリヤ層および７００オングスト
ロームのＣｕストレス解放層が追加された。半田のリフ
ロー後、透過型電子顕微鏡の検査は、ストレス解放層内
でのＣｕ3 Ｓｎの形成がＣｒバリヤ層によって阻止され
たことを示した。ナノＥＤＸ分析は、ストレス解放Ｃｕ
下側層内にＳｎが存在しないことを示した。この結果に
より、ＣｒはＣｕ下側層内へのＳｎ拡散を阻止する良質
のバリヤ金属層であることが証明される。リフローの際
に、Ｃｕ下側層はアニールされ、Ｃｕを延ばしおよび変
形させることによって、熱的不整合に適応し、接合構造
内のストレスを軽減する。
【００３５】表１に示すように、バリヤ層／ストレス解
放層を有する接合構造Ｂの内部ストレスは１１５ＭＰａ
となり、接合構造Ａのストレスが約１／２に減少した。
【００３６】Ｃｕストレス解放層を７００オングストロ
ームのＡｇストレス解放層に置換した接合構造Ｃの内部
ストレスは、さらに半減し５３ＭＰａとなった。
【００３７】接合構造Ｄにおいて、接合構造Ｃのストレ
ス解放層／バリヤ層を７００オングストロームのＣｕス
トレス解放層と３００オングストロームのＴｉＷバリヤ
層に置換すると、内部ストレスは８４ＭＰａとなった。
この内部ストレスは、接合構造Ａの内部ストレスの約１
／３に減少した。
【００３８】接合構造Ｅにおいて、接合構造Ｃのストレ
ス解放層を７００オングストロームのＡｕストレス解放
層に置換すると、５４ＭＰａの内部ストレスが生じて、
接合構造Ａの内部ストレスの約１／４に減少した。
【００３９】本発明の接合構造は、半田付けまたはろう
接によって実装品を接合するような金属接合構造にも有
用である。本発明は、Ｃ４接合およびテープ自動ボンン
ディング（ＴＡＢ）に特に有用である。
【００４０】
【発明の効果】本発明によれば、金属接合構造にバリヤ
層およびストレス解放層を追加することによって、接合
構造の信頼性を改善している。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の教示による金属接合構造の、好適な実
施例を示す略図である。
【図２】本発明の実施例の、半田のリフロー後の状態を
示す略図である。
【符号の説明】
１０，３４ 基板 １２，３６ 接着層 １４，３０ ストレス解放層 １６，３２ バリヤ層 １８ 固相層 ２０ 反応金属層 ２２，３８ 半田 ２４ レジスト ４２ 半田反応金属層 ４４ 固相金属層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジェイ−ウェイ・チャン アメリカ合衆国 ニューヨーク州 タック アホー ローレンス アヴェニュー 54 (72)発明者 ルボマイアー・ティー・ロマンキウ アメリカ合衆国 ニューヨーク州 ブライ アークリフマノアー ダン レーン ７

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】第１実装品と第２実装品とを接合する金属
    接合構造において、 第１実装品と、 前記第１実装品に設けられた接着層と、 前記接着層に設けられた低降伏点金属ストレス解放層
    と、 前記ストレス解放層に設けられ、Ｃｒ，ＴｉＷ，Ｔａお
    よびこれらの金属の合金より成る群の中から選択された
    バリヤ金属層と、 前記バリヤ金属層に設けられた固相金属層と、 前記固相金属層に設けられ、ＣｒＣｕ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃ
    ｏ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｐｈ，Ｎｉ（Ｐ），Ｃｏ
    （Ｐ）およびこれらの金属の組み合わせより成る群の中
    から選択された半田反応金属層と、 前記半田反応金属層に設けられ、ＰｂＳｎ，ＡｕＳｎ，
    ＰｂＩｎ，ＡｕＩｎ，ＡｕＩｎＳｎおよびＢｉＳｎより
    成る群の中から選択された半田層と、 前記半田層に設けられた第２実装品と、 から成ることを特徴とする金属接合構造。
  2. 【請求項２】前記接着層は、Ｃｒ，Ｔａ，Ｔｉおよびこ
    れらの金属の合金より成る群の中から選択されることを
    特徴とする請求項１記載の金属接合構造。
  3. 【請求項３】前記ストレス解放層は、Ａｇ，Ａｕ，Ｃ
    ｕ，ＰｄおよびＰｔより成る群の中から選択されること
    を特徴とする請求項１記載の金属接合構造。
  4. 【請求項４】第１実装品と第２実装品とを接合する金属
    接合構造において、 第１実装品と、 前記第１実装品に設けられた接着層と、 前記接着層に設けられた第１低降伏点金属ストレス解放
    層と、 前記第１ストレス解放層に設けられ、Ｃｒ，ＴｉＷ，Ｔ
    ａおよびこれらの金属の合金より成る群の中から選択さ
    れた第１バリヤ金属層と、 前記第１バリヤ金属層に設けられ、少なくとも１つの追
    加のバリヤ金属層と共に挿入された少なくとも１つの追
    加の低降伏点金属ストレス解放層と、 前記バリヤ金属層の、前記第２実装品に最も近い層に設
    けられた固相金属層と、 前記固相金属層に設けられ、ＣｒＣｕ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃ
    ｏ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｐｈ，Ｎｉ（Ｐ），Ｃｏ
    （Ｐ）およびこれらの金属の組み合わせより成る群の中
    から選択された半田反応金属層と、 前記半田反応金属層に設けられ、ＰｂＳｎ，ＡｕＳｎ，
    ＰｂＩｎ，ＡｕＩｎ，ＡｕＩｎＳｎおよびＢｉＳｎより
    成る群の中から選択された半田層と、 前記半田層に設けられた第２実装品と、 から成ることを特徴とする金属接合構造。
  5. 【請求項５】前記接着層は、Ｃｒ，Ｔａ，Ｔｉおよびこ
    れらの金属の合金より成る群の中から選択されることを
    特徴とする請求項４記載の金属接合構造。
  6. 【請求項６】前記第１および前記少なくとも１つの追加
    のストレス解放層は、Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，ＰｄおよびＰ
    ｔより成る群の中から選択されることを特徴とする請求
    項４記載の金属接合構造。
  7. 【請求項７】第１実装品と第２実装品とを接合する金属
    接合構造において、 第１実装品と、 前記第１実装品に設けられた第１接着層と、 前記第１接着層に設けられた第１低降伏点金属ストレス
    解放層と、 前記第１ストレス解放層に設けられ、Ｃｒ，ＴｉＷ，Ｔ
    ａおよびこれらの金属の合金より成る群の中から選択さ
    れた第１バリヤ金属層と、 前記第１バリヤ金属層に設けられた第１固相金属層と、 前記第１固相金属層に設けられ、ＣｒＣｕ，Ｃｕ，Ｎ
    ｉ，Ｃｏ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｐｈ，Ｎｉ
    （Ｐ），Ｃｏ（Ｐ）およびこれらの金属の組み合わせよ
    り成る群の中から選択された第１半田反応金属層と、 前記第１半田反応金属層に設けられ、ＰｂＳｎ，ＡｕＳ
    ｎ，ＰｂＩｎ，ＡｕＩｎ，ＡｕＩｎＳｎおよびＢｉＳｎ
    より成る群の中から選択された半田層と、 前記半田層に設けられ、ＣｒＣｕ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，
    Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｐｈ，Ｎｉ（Ｐ），Ｃｏ
    （Ｐ）およびこれらの金属の組み合わせより成る群の中
    から選択された第２半田反応金属層と、 前記第２半田反応金属層に設けられた第２固相金属層
    と、 前記第２固相金属層に設けられ、Ｃｒ，ＴｉＷ，Ｔａお
    よびこれらの金属の合金より成る群の中から選択された
    第２バリヤ金属層と、 前記第２バリヤ金属層に設けられた第２低降伏点金属ス
    トレス解放層と、 前記第２ストレス解放層に設けられた第２接着層と、 前記第２接着層に設けられた第２実装品と、 から成ることを特徴とする金属接合構造。
  8. 【請求項８】前記第１および前記第２接着層は、Ｃｒ，
    Ｔａ，Ｔｉおよびこれらの金属の合金より成る群の中か
    ら選択されることを特徴とする請求項７記載の金属接合
    構造。
  9. 【請求項９】前記第１および前記第２ストレス解放層
    は、Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，ＰｄおよびＰｔより成る群の中
    から選択されることを特徴とする請求項７記載の金属接
    合構造。
  10. 【請求項１０】第１実装品と第２実装品とを接合する金
    属接合構造において、 第１実装品と、 前記第１実装品に設けられた第１接着層と、 前記第１接着層に設けられた第１低降伏点金属ストレス
    解放層と、 前記第１ストレス解放層に設けられ、Ｃｒ，ＴｉＷ，Ｔ
    ａおよびこれらの金属の合金より成る群の中から選択さ
    れた第１バリヤ金属層と、 前記第１バリヤ金属層に設けられ、少なくとも１つの追
    加のバリヤ層と共に挿入さた少なくとも１つの追加の低
    降伏点金属ストレス解放層と、 前記少なくとも１つの追加のバリヤ金属層の、前記第２
    実装品に最も近い層に設けられた第１固相金属層と、 前記第１固相金属層に設けられ、ＣｒＣｕ，Ｃｕ，Ｎ
    ｉ，Ｃｏ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｐｈ，Ｎｉ
    （Ｐ），Ｃｏ（Ｐ）およびこれらの金属の組み合わせよ
    り成る群の中から選択された第１半田反応金属層と、 前記第１半田反応金属層に設けられ、ＰｂＳｎ，ＡｕＳ
    ｎ，ＰｂＩｎ，ＡｕＩｎ，ＡｕＩｎＳｎおよびＢｉＳｎ
    より成る群の中から選択された半田層と、 前記半田層に設けられ、ＣｒＣｕ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，
    Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｐｈ，Ｎｉ（Ｐ），Ｃｏ
    （Ｐ）およびこれらの金属の組み合わせより成る群の中
    から選択された第２半田反応金属層と、 前記第２半田反応金属層に設けられた第２固相金属層
    と、 前記第２固相金属層に設けられ、Ｃｒ，ＴｉＷ，Ｔａお
    よびこれらの金属の合金より成る群の中から選択された
    第２バリヤ金属層と、 前記第２バリヤ金属層に設けられた第２低降伏点金属ス
    トレス解放層と、 前記第２ストレス解放層に設けられ、少なくとも１つの
    追加のストレス解放層と共に挿入された少なくとも１つ
    の追加のバリヤ層と、 前記第２ストレス解放層の、前記第２実装品に最も近い
    層に設けられた第２接着層と、 前記第２接着層に設けられた第２実装品と、 から成ることを特徴とする金属接合構造。
  11. 【請求項１１】前記第１および前記第２接着層は、Ｃ
    ｒ，Ｔａ，Ｔｉおよびこれらの金属の合金より成る群の
    中から選択されることを特徴とする請求項１０記載の金
    属接合構造。
  12. 【請求項１２】前記第１，前記第２および前記少なくと
    も１つのストレス解放層は、Ａｇ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｐｄお
    よびＰｔより成る群の中から選択されることを特徴とす
    る請求項１０記載の金属接合構造。
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