JPH06188176A - ギャップ制御装置及びギャップ制御方法 - Google Patents
ギャップ制御装置及びギャップ制御方法Info
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- JPH06188176A JPH06188176A JP4338850A JP33885092A JPH06188176A JP H06188176 A JPH06188176 A JP H06188176A JP 4338850 A JP4338850 A JP 4338850A JP 33885092 A JP33885092 A JP 33885092A JP H06188176 A JPH06188176 A JP H06188176A
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- diffraction grating
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- G—PHYSICS
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/14—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring distance or clearance between spaced objects or spaced apertures
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体製造工程において、マスク−ウェハ間
のギャップＧの設定精度を向上させる。 【構成】 異なる周波数を有する第１周波数光１４、第
２周波数光１５を、光路調整系５１を介して、同一ピッ
チＰを有するマスク側回折格子５及びウェハ側回折格子
６の法線方向に関して対称な１次回折角θ0 の方向から
入射させる。各回折格子５，６で１次回折された各周波
数光１４，１５が干渉してそれぞれマスク側干渉光１
６，ウェハ側干渉光１８となる。この各干渉光１６，１
８の初期位相差Δφ0 を検出し、次に、光路調整系５１
の調整により、各干渉光１６，１８を同一方向に同一角
度θ1 だけずらせて、このときの各干渉光１６，１８の
後期位相差Δφ1 を検出する。Δφ1 −Δφ0 ＝（２π
Ｇtan θ1 ）／（Ｐ／２）の関係に基づき、位相差変化
Δφ1 −Δφ0 からギャップＧを高精度で検出する。
のギャップＧの設定精度を向上させる。 【構成】 異なる周波数を有する第１周波数光１４、第
２周波数光１５を、光路調整系５１を介して、同一ピッ
チＰを有するマスク側回折格子５及びウェハ側回折格子
６の法線方向に関して対称な１次回折角θ0 の方向から
入射させる。各回折格子５，６で１次回折された各周波
数光１４，１５が干渉してそれぞれマスク側干渉光１
６，ウェハ側干渉光１８となる。この各干渉光１６，１
８の初期位相差Δφ0 を検出し、次に、光路調整系５１
の調整により、各干渉光１６，１８を同一方向に同一角
度θ1 だけずらせて、このときの各干渉光１６，１８の
後期位相差Δφ1 を検出する。Δφ1 −Δφ0 ＝（２π
Ｇtan θ1 ）／（Ｐ／２）の関係に基づき、位相差変化
Δφ1 −Δφ0 からギャップＧを高精度で検出する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
で使用される露光装置特にＸ線露光装置に適したギャッ
プ制御装置及び制御方法に関するものである。
で使用される露光装置特にＸ線露光装置に適したギャッ
プ制御装置及び制御方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、大規模集積回路（ＬＳＩ）の高密
度化，高速化にともない、素子の微細化が要求されてい
るが、その製造工程における写真蝕刻工程で使われる光
の波長が短いほど微細な素子が形成できる。そのため、
Ｘ線を光源として使用するＸ線露光技術が実施されてお
り、このようなＸ線露光工程中のマスクアラインメント
においては、Ｘ線マスクとウェハを例えば２０μｍとい
うプロキシミティギャップで対向させて、Ｘ線を照射
し、所定部位を露光させるようにしている。その場合、
Ｘ線マスクとウェハのギャップをさらに近接させること
でより微細化が期待できるため、Ｘ線マスクとウェハの
ギャップを高精度で設定することが必要とされている。
度化，高速化にともない、素子の微細化が要求されてい
るが、その製造工程における写真蝕刻工程で使われる光
の波長が短いほど微細な素子が形成できる。そのため、
Ｘ線を光源として使用するＸ線露光技術が実施されてお
り、このようなＸ線露光工程中のマスクアラインメント
においては、Ｘ線マスクとウェハを例えば２０μｍとい
うプロキシミティギャップで対向させて、Ｘ線を照射
し、所定部位を露光させるようにしている。その場合、
Ｘ線マスクとウェハのギャップをさらに近接させること
でより微細化が期待できるため、Ｘ線マスクとウェハの
ギャップを高精度で設定することが必要とされている。
【０００３】ここで、従来のマスクアラインメントにお
けるギャップ設定方法としては、２重焦点レンズを用い
た方法や単一焦点レンズを用いた方法が利用されてい
る。
けるギャップ設定方法としては、２重焦点レンズを用い
た方法や単一焦点レンズを用いた方法が利用されてい
る。
【０００４】図７は２重焦点レンズを用いた方法を示
す。５１は２重焦点レンズ、５２はウェハ、５３はウェ
ハマーク、５４はＸ線マスク、５５はマスクマークであ
る。まず、２重焦点レンズ５１の第１焦点をウェハ５２
上のウェハマーク５３に合わせ、次に、Ｘ線マスク５４
上のマスクマーク５５に第２焦点を合わせることによっ
て、ウェハ５２とＸ線マスク５４のギャップを設定す
る。
す。５１は２重焦点レンズ、５２はウェハ、５３はウェ
ハマーク、５４はＸ線マスク、５５はマスクマークであ
る。まず、２重焦点レンズ５１の第１焦点をウェハ５２
上のウェハマーク５３に合わせ、次に、Ｘ線マスク５４
上のマスクマーク５５に第２焦点を合わせることによっ
て、ウェハ５２とＸ線マスク５４のギャップを設定す
る。
【０００５】また、図８は他のギャップ設定方法である
単一焦点レンズを用いた方法を示す。６１はレンズ、６
２はレンズ駆動系、６３は駆動量検出系である。まず、
単一焦点レンズ６１の焦点をウェハ５２上のウェハマー
ク５３に合わせる。次に、レンズ駆動系６２によりレン
ズ６１を駆動し、Ｘ線マスク５４上のマスクマーク５５
に焦点を合わせる。この駆動量を駆動量検出系６３によ
って検出し、Ｘ線マスク５４とウェハ５２間のギャップ
を算出する。
単一焦点レンズを用いた方法を示す。６１はレンズ、６
２はレンズ駆動系、６３は駆動量検出系である。まず、
単一焦点レンズ６１の焦点をウェハ５２上のウェハマー
ク５３に合わせる。次に、レンズ駆動系６２によりレン
ズ６１を駆動し、Ｘ線マスク５４上のマスクマーク５５
に焦点を合わせる。この駆動量を駆動量検出系６３によ
って検出し、Ｘ線マスク５４とウェハ５２間のギャップ
を算出する。
【０００６】Ｘ線露光装置では、上記のような方法でＸ
線マスクとウェハのギャップを２０μｍ近傍で設定し、
その後、マスクの位置合わせとＸ線露光とが行われる。
線マスクとウェハのギャップを２０μｍ近傍で設定し、
その後、マスクの位置合わせとＸ線露光とが行われる。
【０００７】一方、高精度のマスク−ウェハの位置合わ
せ装置としては、刊行物「光技術コンタクト」（ｖｏ
ｌ．２８，Ｎｏ．７，１９９１，ｐ．３８９）に開示さ
れるごとく、わずかに異なる周波数を有する２つのレー
ザ光を干渉させたいわゆるへテロダイン干渉光を利用し
たへテロダイン方式の装置が知られている。
せ装置としては、刊行物「光技術コンタクト」（ｖｏ
ｌ．２８，Ｎｏ．７，１９９１，ｐ．３８９）に開示さ
れるごとく、わずかに異なる周波数を有する２つのレー
ザ光を干渉させたいわゆるへテロダイン干渉光を利用し
たへテロダイン方式の装置が知られている。
【０００８】以下、この方式によるアラインメント原理
について、図９及び図１０を参照しつつ説明する。
について、図９及び図１０を参照しつつ説明する。
【０００９】図９に示すように、わずかに異なる周波数
ｆ1 ，ｆ2 を有する２つのレーザ光を回折格子ｂの法線
方向に対してそれぞれ逆向きの１次回折角θa ，θb の
方向から入射させたとき、各周波数ｆ1 ，ｆ2 のレーザ
光は、いずれも回折格子ａの法線方向に１次回折され、
干渉してビート信号Ｉr （ｔ）を生じる。このとき、各
レーザ光の振幅をＡ1 ，Ａ2 、初期位相をφ1 ，φ2 と
し、振幅強度Ｅ1 （ｔ），Ｅ2 （ｔ）を下記式 Ｅ1 （ｔ）＝Ａ1 ・exp ｊ（２πｆ1 ｔ＋φ1 ） Ｅ2 （ｔ）＝Ａ2 ・exp ｊ（２πｆ2 ｔ＋φ2 ） で表すと、ビート信号Ｉr （ｔ）は下記式 Ｉr （ｔ）＝｜Ｅ1 （ｔ）＋Ｅ2 （ｔ）｜2 ＝Ａ1 2 ＋Ａ2 2 ＋Ａ1 Ａ2 ・cos （２π｜ｆ1 −ｆ2 ｜ｔ＋φ1 −φ2 ） で表される。
ｆ1 ，ｆ2 を有する２つのレーザ光を回折格子ｂの法線
方向に対してそれぞれ逆向きの１次回折角θa ，θb の
方向から入射させたとき、各周波数ｆ1 ，ｆ2 のレーザ
光は、いずれも回折格子ａの法線方向に１次回折され、
干渉してビート信号Ｉr （ｔ）を生じる。このとき、各
レーザ光の振幅をＡ1 ，Ａ2 、初期位相をφ1 ，φ2 と
し、振幅強度Ｅ1 （ｔ），Ｅ2 （ｔ）を下記式 Ｅ1 （ｔ）＝Ａ1 ・exp ｊ（２πｆ1 ｔ＋φ1 ） Ｅ2 （ｔ）＝Ａ2 ・exp ｊ（２πｆ2 ｔ＋φ2 ） で表すと、ビート信号Ｉr （ｔ）は下記式 Ｉr （ｔ）＝｜Ｅ1 （ｔ）＋Ｅ2 （ｔ）｜2 ＝Ａ1 2 ＋Ａ2 2 ＋Ａ1 Ａ2 ・cos （２π｜ｆ1 −ｆ2 ｜ｔ＋φ1 −φ2 ） で表される。
【００１０】また、回折格子b の位置を図９の実線位置
から図中破線位置に（変位Δｘ）移動させると、２つの
レーザ光の光路長変化がそれぞれΔｘsin θa ，Δｘsi
n θb となるので、ビート信号Ｉb （ｔ）は下記式 Ｉb （ｔ）＝Ａ1 2 ＋Ａ2 2 ＋Ａ1 Ａ2 ・cos ｛２π｜ｆ1 −ｆ2 ｜ｔ ＋φ1 −φ2 ＋２πΔｘ／（Ｐ／２）｝ で表される（ただし、Ｐは回折格子のピッチ）。つま
り、各ビート信号Ｉr （ｔ），Ｉb （ｔ）間の位相差は
回折格子ａの変位量Ｐ／２を周期として直線的に変化す
ることになる。
から図中破線位置に（変位Δｘ）移動させると、２つの
レーザ光の光路長変化がそれぞれΔｘsin θa ，Δｘsi
n θb となるので、ビート信号Ｉb （ｔ）は下記式 Ｉb （ｔ）＝Ａ1 2 ＋Ａ2 2 ＋Ａ1 Ａ2 ・cos ｛２π｜ｆ1 −ｆ2 ｜ｔ ＋φ1 −φ2 ＋２πΔｘ／（Ｐ／２）｝ で表される（ただし、Ｐは回折格子のピッチ）。つま
り、各ビート信号Ｉr （ｔ），Ｉb （ｔ）間の位相差は
回折格子ａの変位量Ｐ／２を周期として直線的に変化す
ることになる。
【００１１】へテロダイン方式のアラインメント装置は
上述の原理を利用したものであり、図１０に示すよう
に、マスクｍに第１回折格子ａを取付け、半導体ウェハ
ｗに第２回折格子ｂを、ウェハｗとマスクｍとをギャッ
プＧだけ離して対向させるようにしている、そのとき、
２つのレーザ光の光路長変化がそれぞれＧ（１＋cos θ
a ），Ｇ（１＋cos θb ）となるが、θa ＝θb である
とこれらは等しいので相殺され、ビート信号の位相には
変化を与えない。すなわち、左右対称光学系のおかげで
ギャップＧが変化しても位置検出に影響を及ぼさないこ
とになる。
上述の原理を利用したものであり、図１０に示すよう
に、マスクｍに第１回折格子ａを取付け、半導体ウェハ
ｗに第２回折格子ｂを、ウェハｗとマスクｍとをギャッ
プＧだけ離して対向させるようにしている、そのとき、
２つのレーザ光の光路長変化がそれぞれＧ（１＋cos θ
a ），Ｇ（１＋cos θb ）となるが、θa ＝θb である
とこれらは等しいので相殺され、ビート信号の位相には
変化を与えない。すなわち、左右対称光学系のおかげで
ギャップＧが変化しても位置検出に影響を及ぼさないこ
とになる。
【００１２】したがって、マスクｍとウェハｗとの位置
ずれをΔｘとすると、下記(1) 式 φ1 −φ2 ＝２πΔｘ／（Ｐ／２） (1) に基づき、位相差（φ2 −φ1 ）を検出することで、マ
スク−ウェハ間の位置ずれΔｘが検出される。そのと
き、位相差（φ2 −φ1 ）は電気的な信号処理を含め１
度程度の精度で検出しうるので、結局、マスクｍとウェ
ハｗとの位置合わせを高精度で行うことができる。
ずれをΔｘとすると、下記(1) 式 φ1 −φ2 ＝２πΔｘ／（Ｐ／２） (1) に基づき、位相差（φ2 −φ1 ）を検出することで、マ
スク−ウェハ間の位置ずれΔｘが検出される。そのと
き、位相差（φ2 −φ1 ）は電気的な信号処理を含め１
度程度の精度で検出しうるので、結局、マスクｍとウェ
ハｗとの位置合わせを高精度で行うことができる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記へ
テロダイン干渉方式を用いたマスク−ウェハ間の位置合
わせ装置では、Ｘ線露光装置の分解能に対応した高精度
の位置合わせが可能となるのに対し、上記従来のギャッ
プ設定方法では、およそ１μｍ以上のギャップ設定は可
能であるが、使用されるレンズの焦点深度以下のギャッ
プ設定は不可能であり、その焦点深度を１μｍ以下にす
ることは困難である。このため、マスク−ウェハ間のギ
ャップをＸ線露光装置の使用波長に応じた高精度で設定
することが困難となり、マスクの位置合わせ精度の精度
向上を十分活用できないという問題があった。
テロダイン干渉方式を用いたマスク−ウェハ間の位置合
わせ装置では、Ｘ線露光装置の分解能に対応した高精度
の位置合わせが可能となるのに対し、上記従来のギャッ
プ設定方法では、およそ１μｍ以上のギャップ設定は可
能であるが、使用されるレンズの焦点深度以下のギャッ
プ設定は不可能であり、その焦点深度を１μｍ以下にす
ることは困難である。このため、マスク−ウェハ間のギ
ャップをＸ線露光装置の使用波長に応じた高精度で設定
することが困難となり、マスクの位置合わせ精度の精度
向上を十分活用できないという問題があった。
【００１４】本発明は斯かる点に鑑みてなされたもので
あり、その目的は、上述のへテロダイン干渉方式を使用
したマスクアラインメント装置において、上記(1) 式を
考察すると、回折格子が付設されたマスク及びウェハを
固定したままで光学系を傾けると、その前後の２位置で
検出されるビート信号の位相差の変化はマスク−ウェハ
間の位置ずれΔｘとは無関係にギャップＧにのみ依存す
ることに着目し、このような高精度で検出しうるへテロ
ダイン干渉光の位相差を利用してギャップを検出するこ
とにより、リソグラフィー工程におけるギャップ検出精
度の向上すなわちギャップ設定精度の向上を図ることに
ある。
あり、その目的は、上述のへテロダイン干渉方式を使用
したマスクアラインメント装置において、上記(1) 式を
考察すると、回折格子が付設されたマスク及びウェハを
固定したままで光学系を傾けると、その前後の２位置で
検出されるビート信号の位相差の変化はマスク−ウェハ
間の位置ずれΔｘとは無関係にギャップＧにのみ依存す
ることに着目し、このような高精度で検出しうるへテロ
ダイン干渉光の位相差を利用してギャップを検出するこ
とにより、リソグラフィー工程におけるギャップ検出精
度の向上すなわちギャップ設定精度の向上を図ることに
ある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
請求項１の発明が講じた手段は、第１物体と第２物体と
の間のギャップを検出して、該ギャップを一定値に設定
するようにしたギャップ制御方法として、図２及び図３
に示すように、第１物体に第１回折格子を、第２物体に
上記第１回折格子と等しいピッチを有する第２回折格子
を互いに平行となるようにそれぞれ付設し、互いにわず
かに異なる周波数を有する２つのコヒーレント光を、上
記各回折格子の所定の共通方向（初期回折方向）に関し
て互いに対称な１次回折角の方向（初期入射方向）から
それぞれ入射させて、上記初期回折方向に各コヒーレン
ト光を１次回折させ、上記第１回折格子により１次回折
される各コヒーレント光が干渉してなる第１干渉光と上
記第２回折格子により１次回折される各コヒーレント光
が干渉してなる第２干渉光との間の位相差を初期位相差
として検出し、上記各コヒーレント光を上記初期入射方
向に対して同一方向に同じ一定角度だけわずかに傾いた
後期入射方向からそれぞれ入射させて、上記初期回折方
向から一定角度だけ傾いた後期回折方向に各コヒーレン
ト光を１次回折光させ、上記第１回折格子により１次回
折される各コヒーレント光が干渉してなる第１干渉光と
上記第２回折格子により１次回折される各コヒーレント
光が干渉してなる第２干渉光との間の位相差を後期位相
差として検出し、検出された初期位相差と後期位相差と
の間の位相差変化に応じ、上記各回折格子のピッチで定
まる位相差変化−ギャップ値の関係に基づいて、第１物
体と第２物体のギャップを演算するようにしたものであ
る。
請求項１の発明が講じた手段は、第１物体と第２物体と
の間のギャップを検出して、該ギャップを一定値に設定
するようにしたギャップ制御方法として、図２及び図３
に示すように、第１物体に第１回折格子を、第２物体に
上記第１回折格子と等しいピッチを有する第２回折格子
を互いに平行となるようにそれぞれ付設し、互いにわず
かに異なる周波数を有する２つのコヒーレント光を、上
記各回折格子の所定の共通方向（初期回折方向）に関し
て互いに対称な１次回折角の方向（初期入射方向）から
それぞれ入射させて、上記初期回折方向に各コヒーレン
ト光を１次回折させ、上記第１回折格子により１次回折
される各コヒーレント光が干渉してなる第１干渉光と上
記第２回折格子により１次回折される各コヒーレント光
が干渉してなる第２干渉光との間の位相差を初期位相差
として検出し、上記各コヒーレント光を上記初期入射方
向に対して同一方向に同じ一定角度だけわずかに傾いた
後期入射方向からそれぞれ入射させて、上記初期回折方
向から一定角度だけ傾いた後期回折方向に各コヒーレン
ト光を１次回折光させ、上記第１回折格子により１次回
折される各コヒーレント光が干渉してなる第１干渉光と
上記第２回折格子により１次回折される各コヒーレント
光が干渉してなる第２干渉光との間の位相差を後期位相
差として検出し、検出された初期位相差と後期位相差と
の間の位相差変化に応じ、上記各回折格子のピッチで定
まる位相差変化−ギャップ値の関係に基づいて、第１物
体と第２物体のギャップを演算するようにしたものであ
る。
【００１６】請求項２の発明の講じた手段は、上記請求
項１の発明において、上記各コヒーレント光の初期入射
角を、各回折格子による初期回折方向が各回折格子の法
線方向になるように設定したものである。
項１の発明において、上記各コヒーレント光の初期入射
角を、各回折格子による初期回折方向が各回折格子の法
線方向になるように設定したものである。
【００１７】請求項３の発明の講じた手段は、第１物体
と第２物体との間のギャップを検出して、該ギャップを
一定値に設定するためのギャップ制御装置を対象とす
る。
と第２物体との間のギャップを検出して、該ギャップを
一定値に設定するためのギャップ制御装置を対象とす
る。
【００１８】そして、図１に示すように、第１物体に取
付けられた第１回折格子と、第２物体に上記第１格子と
は平行となる位置に取付けられ、上記第１回折格子と等
しいピッチを有する第２回折格子と、互いにわずかに異
なる周波数を有する２つのコヒーレント光を発するコヒ
ーレント光供給手段と、該コヒーレント光供給手段から
発せられる２つのコヒーレント光を、上記各回折格子の
共通の一方向に関して互いに対称な１次回折角の方向か
らそれぞれ入射させるように、かつ各回折格子による１
次回折方向を変更しうるように構成された光路調整系
と、上記第１回折格子により１次回折される各コヒーレ
ント光が干渉してなる第１干渉光と上記第２回折格子に
より１次回折される各コヒーレント光が干渉してなる第
２干渉光との間の位相差に関する信号を検出する位相差
検出手段と、上記各コヒーレント光の各回折格子への入
射方向を、各格子による１次回折の方向が所定の初期回
折方向となる初期入射方向と各格子による１次回折の方
向が上記初期回折方向から一定角度だけ傾いた後期回折
方向となる後期入射方向とに変化させるよう上記光路調
整系を制御する入射方向制御手段と、該入射方向制御手
段により制御される１次回折の初期回折方向と後期回折
方向とにおいて上記位相差検出手段でそれぞれ検出され
る初期位相差から後期位相差への位相差変化に応じ、上
記各回折格子のピッチで定まる位相差変化−ギャップ値
の関係に基づいて、第１物体と第２物体との間のギャッ
プを演算するギャップ演算手段とを設ける構成としたも
のである。
付けられた第１回折格子と、第２物体に上記第１格子と
は平行となる位置に取付けられ、上記第１回折格子と等
しいピッチを有する第２回折格子と、互いにわずかに異
なる周波数を有する２つのコヒーレント光を発するコヒ
ーレント光供給手段と、該コヒーレント光供給手段から
発せられる２つのコヒーレント光を、上記各回折格子の
共通の一方向に関して互いに対称な１次回折角の方向か
らそれぞれ入射させるように、かつ各回折格子による１
次回折方向を変更しうるように構成された光路調整系
と、上記第１回折格子により１次回折される各コヒーレ
ント光が干渉してなる第１干渉光と上記第２回折格子に
より１次回折される各コヒーレント光が干渉してなる第
２干渉光との間の位相差に関する信号を検出する位相差
検出手段と、上記各コヒーレント光の各回折格子への入
射方向を、各格子による１次回折の方向が所定の初期回
折方向となる初期入射方向と各格子による１次回折の方
向が上記初期回折方向から一定角度だけ傾いた後期回折
方向となる後期入射方向とに変化させるよう上記光路調
整系を制御する入射方向制御手段と、該入射方向制御手
段により制御される１次回折の初期回折方向と後期回折
方向とにおいて上記位相差検出手段でそれぞれ検出され
る初期位相差から後期位相差への位相差変化に応じ、上
記各回折格子のピッチで定まる位相差変化−ギャップ値
の関係に基づいて、第１物体と第２物体との間のギャッ
プを演算するギャップ演算手段とを設ける構成としたも
のである。
【００１９】請求項４の発明の講じた手段は、上記請求
項３の発明において、上記第１物体を半導体装置が形成
されるウェハとし、上記第２物体を上記ウェハのリソグ
ラフィー工程で使用されるマスクとする。
項３の発明において、上記第１物体を半導体装置が形成
されるウェハとし、上記第２物体を上記ウェハのリソグ
ラフィー工程で使用されるマスクとする。
【００２０】そして、上記ギャップ制御装置をマスク−
ウェハの位置合わせ装置と兼用するように構成したもの
である。
ウェハの位置合わせ装置と兼用するように構成したもの
である。
【００２１】
【作用】請求項１の発明では、互いに異なる周波数を有
する２つのコヒーレント光が初期入射方向から各回折格
子に入射すると、各回折格子で１次回折され、共通の初
期回折方向に反射干渉してそれぞれ第１干渉光，第２干
渉光となり、この各干渉光間の位相差が初期位相差とし
て検出される。次に、各コヒーレント光が各回折格子に
上記初期入射方向から同一方向に一定角度だけ傾いた後
期入射方向から入射すると、反射方向（後期回折方向）
も初期の反射方向（初期回折方向）から同じ一定角度だ
け傾く。このときの各干渉光の位相差を後期位相差とす
ると、初期位相差との位相差変化は各回折格子の位置ず
れとは無関係で、各回折格子のピッチに応じ、各回折格
子のギャップに比例する。
する２つのコヒーレント光が初期入射方向から各回折格
子に入射すると、各回折格子で１次回折され、共通の初
期回折方向に反射干渉してそれぞれ第１干渉光，第２干
渉光となり、この各干渉光間の位相差が初期位相差とし
て検出される。次に、各コヒーレント光が各回折格子に
上記初期入射方向から同一方向に一定角度だけ傾いた後
期入射方向から入射すると、反射方向（後期回折方向）
も初期の反射方向（初期回折方向）から同じ一定角度だ
け傾く。このときの各干渉光の位相差を後期位相差とす
ると、初期位相差との位相差変化は各回折格子の位置ず
れとは無関係で、各回折格子のピッチに応じ、各回折格
子のギャップに比例する。
【００２２】したがって、高精度で検出される位相差変
化に応じ、各物体間のギャップが高い精度で求められる
ことになる。
化に応じ、各物体間のギャップが高い精度で求められる
ことになる。
【００２３】請求項２の発明では、上記請求項１の発明
の作用において、コヒーレント光の初期入射方向が、光
学系の基準となる各回折格子の法線方向に１次回折され
る方向となるので、ギャップ検出のための手順が簡素と
なり、かつ検出精度も向上することになる。
の作用において、コヒーレント光の初期入射方向が、光
学系の基準となる各回折格子の法線方向に１次回折され
る方向となるので、ギャップ検出のための手順が簡素と
なり、かつ検出精度も向上することになる。
【００２４】請求項３の発明では、上記請求項１の発明
と同様の作用によって、初期回折方向と後期回折方向と
において得られる各干渉光の初期位相差と後期位相差と
の間の位相差変化が、各回折格子の位置ずれとは無関係
で、各回折格子のギャップに比例する。
と同様の作用によって、初期回折方向と後期回折方向と
において得られる各干渉光の初期位相差と後期位相差と
の間の位相差変化が、各回折格子の位置ずれとは無関係
で、各回折格子のギャップに比例する。
【００２５】したがって、高精度で検出される位相差変
化に応じ、各物体間のギャップが高い精度で検出される
ことになる。
化に応じ、各物体間のギャップが高い精度で検出される
ことになる。
【００２６】請求項４の発明では、ギャップ制御装置が
マスク−ウェハの位置合わせ装置と兼用されるので、装
置を構成する部品の大部分が共通に使用可能となり、装
置全体の構成が簡素かつ低価格で済むとともに、マスク
−ウェハ間のギャップ設定と位置合わせとが連続して行
われ、マスクアラインメントに要する時間が短縮される
ことになる。
マスク−ウェハの位置合わせ装置と兼用されるので、装
置を構成する部品の大部分が共通に使用可能となり、装
置全体の構成が簡素かつ低価格で済むとともに、マスク
−ウェハ間のギャップ設定と位置合わせとが連続して行
われ、マスクアラインメントに要する時間が短縮される
ことになる。
【００２７】
【実施例】以下、本発明の実施例について、図２〜図６
に基づき説明する。
に基づき説明する。
【００２８】図２に本発明のギャップ制御方法の構成図
を示す。１は第１物体であるＸ線マスク、２は第２物体
であるウェハ、３はマスクステージ、４はウェハステー
ジ、５は第１回折格子としてのマスク側回折格子、６は
第２回折格子としてのウェハ側回折格子であって、上記
マスク側回折格子５とウェハ側回折格子６との間の距離
がマスク−ウェハ間ギャップＧに略該当する。なお、上
記マスク側回折格子５とウェハ側回折格子６はいずれも
同じピッチ４μｍとなるように形成されている。また、
８はレーザ光源、９、１０はそれぞれ所定の偏光面をも
つ周波数ｆ１、ｆ２を取り出すフィルタであって、この
レーザ光源８とフィルタ９，１０とにより、請求項３の
発明にいうコヒーレント光供給手段が構成されている。
また、１１はＸ線マスク１やウェハ２への入射光の入射
角度を変更できるミラー、１２はマスク側光検出器、１
９はウェハ側光検出器、１３は信号処理制御部、１４、
１５はレーザ光源９の光がフィルタ９、１０で分離され
た周波数ｆ１，ｆ２の光（以下、周波数ｆ１の光を第１
周波数光１４、周波数ｆ２の光を第２周波数光１５と呼
ぶ）、１７は上記フィルタ９，１０とそれに付帯してい
るミラーを駆動させて、第１周波数光１４、第２周波数
光１５の入射角度を所定角度に変更する入射角度変更駆
動系である。この入射角度変更駆動系１７及びミラー１
１，１１により、請求項３の発明にいう光路調整系が構
成されている。
を示す。１は第１物体であるＸ線マスク、２は第２物体
であるウェハ、３はマスクステージ、４はウェハステー
ジ、５は第１回折格子としてのマスク側回折格子、６は
第２回折格子としてのウェハ側回折格子であって、上記
マスク側回折格子５とウェハ側回折格子６との間の距離
がマスク−ウェハ間ギャップＧに略該当する。なお、上
記マスク側回折格子５とウェハ側回折格子６はいずれも
同じピッチ４μｍとなるように形成されている。また、
８はレーザ光源、９、１０はそれぞれ所定の偏光面をも
つ周波数ｆ１、ｆ２を取り出すフィルタであって、この
レーザ光源８とフィルタ９，１０とにより、請求項３の
発明にいうコヒーレント光供給手段が構成されている。
また、１１はＸ線マスク１やウェハ２への入射光の入射
角度を変更できるミラー、１２はマスク側光検出器、１
９はウェハ側光検出器、１３は信号処理制御部、１４、
１５はレーザ光源９の光がフィルタ９、１０で分離され
た周波数ｆ１，ｆ２の光（以下、周波数ｆ１の光を第１
周波数光１４、周波数ｆ２の光を第２周波数光１５と呼
ぶ）、１７は上記フィルタ９，１０とそれに付帯してい
るミラーを駆動させて、第１周波数光１４、第２周波数
光１５の入射角度を所定角度に変更する入射角度変更駆
動系である。この入射角度変更駆動系１７及びミラー１
１，１１により、請求項３の発明にいう光路調整系が構
成されている。
【００２９】なお、後述のように、１６はマスク側回折
格子５による第１干渉光としてのマスク側干渉光、１８
はウェハ側回折格子６による第２干渉光としてのウェハ
側干渉光である。
格子５による第１干渉光としてのマスク側干渉光、１８
はウェハ側回折格子６による第２干渉光としてのウェハ
側干渉光である。
【００３０】マスクアラインメントを行う際、まず、Ｘ
線マスク１とウェハ２がマスクステージ３、ウェハステ
ージ４上にロードされ、平行になるように設定される。
そして、レーザ光源８より出射された光は、フィルタ
９，１０で第１周波数光１４、第２周波数光１５にさ
れ、ミラー１１で反射された後、所定の角度をもってＸ
線マスク１、ウェハ２上のマスク側回折格子５やウェハ
側回折格子６に導かれる。このとき、マスク側回折格子
５とウェハ側回折格子６とは同じピッチ４μｍで形成さ
れているので、同一レーザスポット内に配置され、同位
相平面が照射される。
線マスク１とウェハ２がマスクステージ３、ウェハステ
ージ４上にロードされ、平行になるように設定される。
そして、レーザ光源８より出射された光は、フィルタ
９，１０で第１周波数光１４、第２周波数光１５にさ
れ、ミラー１１で反射された後、所定の角度をもってＸ
線マスク１、ウェハ２上のマスク側回折格子５やウェハ
側回折格子６に導かれる。このとき、マスク側回折格子
５とウェハ側回折格子６とは同じピッチ４μｍで形成さ
れているので、同一レーザスポット内に配置され、同位
相平面が照射される。
【００３１】次に、ギャップ制御方法について、図３の
フロ―チャ―ト及び図４の（ａ），（ｂ）に基づき詳細
に説明する。
フロ―チャ―ト及び図４の（ａ），（ｂ）に基づき詳細
に説明する。
【００３２】一般に、周波数がわずかに異なる２つの光
（レーザ光）を干渉させて生じた光はヘテロダイン干渉
光と称されている。
（レーザ光）を干渉させて生じた光はヘテロダイン干渉
光と称されている。
【００３３】まず、図３のステップＳＴ１で、周波数ｆ
1 を有する第１周波数光１４と周波数ｆ2 を有する第２
周波数光１５をそれぞれ各回折格子５，６の±１次の回
折角θ0 （＝9.1 度）の方向から、互いに左右対称にな
るように入射する。この入射方向が初期入射方向であ
る。すると、マスク側回折格子５に入射した第１周波数
光１４、第２周波数光１５は回折格子５により法線方向
（初期回折方向）に回折した後、法線方向で合成され、
わずかに周波数が変位したへテロダイン干渉光となり、
これをマスク側干渉光（ビート信号）１６とする。一
方、回折格子６に入射した第１周波数光１４、第２周波
数光１５は回折格子６により同じく法線方向に回折した
後、法線方向で合成され、わずかに周波数が変位したウ
ェハ側干渉光（ビート信号）１８となって（図４の
（ａ）参照）、各ビート信号１６，１８はそれぞれ各光
検出器１２，１９に導かれる。
1 を有する第１周波数光１４と周波数ｆ2 を有する第２
周波数光１５をそれぞれ各回折格子５，６の±１次の回
折角θ0 （＝9.1 度）の方向から、互いに左右対称にな
るように入射する。この入射方向が初期入射方向であ
る。すると、マスク側回折格子５に入射した第１周波数
光１４、第２周波数光１５は回折格子５により法線方向
（初期回折方向）に回折した後、法線方向で合成され、
わずかに周波数が変位したへテロダイン干渉光となり、
これをマスク側干渉光（ビート信号）１６とする。一
方、回折格子６に入射した第１周波数光１４、第２周波
数光１５は回折格子６により同じく法線方向に回折した
後、法線方向で合成され、わずかに周波数が変位したウ
ェハ側干渉光（ビート信号）１８となって（図４の
（ａ）参照）、各ビート信号１６，１８はそれぞれ各光
検出器１２，１９に導かれる。
【００３４】ここで、上記第１周波数光１４，第２周波
数光１５の振幅をＡ1 ，Ａ2 、初期位相をφ1 ，φ2 と
すると、各周波数光１４，１５の強度Ｅ1 （ｔ），Ｅ2
（ｔ）は、下記式 Ｅ1 （ｔ）＝Ａ1 ・exp ｊ（２πｆ1 ｔ＋φ1 ） Ｅ2 （ｔ）＝Ａ2 ・exp ｊ（２πｆ2 ｔ＋φ2 ） で表される。
数光１５の振幅をＡ1 ，Ａ2 、初期位相をφ1 ，φ2 と
すると、各周波数光１４，１５の強度Ｅ1 （ｔ），Ｅ2
（ｔ）は、下記式 Ｅ1 （ｔ）＝Ａ1 ・exp ｊ（２πｆ1 ｔ＋φ1 ） Ｅ2 （ｔ）＝Ａ2 ・exp ｊ（２πｆ2 ｔ＋φ2 ） で表される。
【００３５】そして、上記マスク側光検出器１２に入力
されるマスク側ビート信号１６の強度Ｉm1は、下記式 Ｉm1＝｜Ｅ1 （ｔ）＋Ｅ2 （ｔ）｜2 ＝Ａ1 2 ＋Ａ2 2 ＋Ａ1 Ａ2 ・cos （２π｜ｆ1 −ｆ2 ｜ｔ＋φ1 −φ2 ） で表される。また、マスク側回折格子５とウェハ側回折
格子６とのマークの位置が水平距離でΔｘだけずれてい
るとすると、ウェハ側ビート信号１８の強度Ｉw2は、下
記式 Ｉm2＝Ａ1 2 ＋Ａ2 2 ＋Ａ1 Ａ2 ・cos ｛２π｜ｆ1 −ｆ2 ｜ｔ＋φ1 −φ2 ＋２πΔｘ／（Ｐ／２）｝ で表される（ただし、Ｐは回折格子のピッチ）。このと
き、マスク側回折格子５とウェハ側回折格子６とのギャ
ップＧによる左右入射光の光路差は左右対称光学系のた
めに相殺され、ビート信号の位相には変化を与えない。
されるマスク側ビート信号１６の強度Ｉm1は、下記式 Ｉm1＝｜Ｅ1 （ｔ）＋Ｅ2 （ｔ）｜2 ＝Ａ1 2 ＋Ａ2 2 ＋Ａ1 Ａ2 ・cos （２π｜ｆ1 −ｆ2 ｜ｔ＋φ1 −φ2 ） で表される。また、マスク側回折格子５とウェハ側回折
格子６とのマークの位置が水平距離でΔｘだけずれてい
るとすると、ウェハ側ビート信号１８の強度Ｉw2は、下
記式 Ｉm2＝Ａ1 2 ＋Ａ2 2 ＋Ａ1 Ａ2 ・cos ｛２π｜ｆ1 −ｆ2 ｜ｔ＋φ1 −φ2 ＋２πΔｘ／（Ｐ／２）｝ で表される（ただし、Ｐは回折格子のピッチ）。このと
き、マスク側回折格子５とウェハ側回折格子６とのギャ
ップＧによる左右入射光の光路差は左右対称光学系のた
めに相殺され、ビート信号の位相には変化を与えない。
【００３６】すなわち、マスク側ビート信号１６とウェ
ハ側ビート信号１８の位相差（φ1−φ2 ）は、前出の
(1) 式 φ1 −φ2 ＝２πΔｘ／（Ｐ／２） (1) で表される。ここで、φ1 −φ2 ＝Δφ0 とおき、この
Δφ0 を初期位相差と呼ぶ。つまり、初期の入射角度変
更駆動系１７の設定において、各光検出器１２，１９で
検出されるビート信号１６，１８間には、上記(1) 式で
表される初期位相差Δφ0 が存在する。
ハ側ビート信号１８の位相差（φ1−φ2 ）は、前出の
(1) 式 φ1 −φ2 ＝２πΔｘ／（Ｐ／２） (1) で表される。ここで、φ1 −φ2 ＝Δφ0 とおき、この
Δφ0 を初期位相差と呼ぶ。つまり、初期の入射角度変
更駆動系１７の設定において、各光検出器１２，１９で
検出されるビート信号１６，１８間には、上記(1) 式で
表される初期位相差Δφ0 が存在する。
【００３７】そして、図３のステップＳＴ２で、この初
期位相差Δφ0 を信号処理制御部１３で検出する。この
制御及び後述のステップＳＴ４の制御により、請求項３
の発明にいう位相差検出手段５２が構成されている。こ
こまでの手順は、上述したＸ線マスク１とウェハ２との
位置合わせを行う場合の手順と同様である。
期位相差Δφ0 を信号処理制御部１３で検出する。この
制御及び後述のステップＳＴ４の制御により、請求項３
の発明にいう位相差検出手段５２が構成されている。こ
こまでの手順は、上述したＸ線マスク１とウェハ２との
位置合わせを行う場合の手順と同様である。
【００３８】次に、図３のステップＳＴ３で、図４の
（ｂ）に示すように、入射角度変更駆動系１７を動かす
ことによって、左右光学系を同一方向に同じ角度θ1 ＝
4.0 度だけ傾斜させる。ただし、Ｘ線マスク１及びウェ
ハ２つまりマスク側回折格子５及びウェハ側回折格子６
は固定した状態である。つまり、各回折格子５，６に対
する各周波数光１４，１５の入射方向（後期入射方向）
を上記初期入射方向とは一定角度θ1 だけ傾いた方向に
変化させる。上記ステップＳＴ１及びＳＴ３の入射方向
を初期入射方向と後期入射方向とに変化させる制御によ
り、請求項３の発明にいう入射方向制御手段５３が構成
されている。
（ｂ）に示すように、入射角度変更駆動系１７を動かす
ことによって、左右光学系を同一方向に同じ角度θ1 ＝
4.0 度だけ傾斜させる。ただし、Ｘ線マスク１及びウェ
ハ２つまりマスク側回折格子５及びウェハ側回折格子６
は固定した状態である。つまり、各回折格子５，６に対
する各周波数光１４，１５の入射方向（後期入射方向）
を上記初期入射方向とは一定角度θ1 だけ傾いた方向に
変化させる。上記ステップＳＴ１及びＳＴ３の入射方向
を初期入射方向と後期入射方向とに変化させる制御によ
り、請求項３の発明にいう入射方向制御手段５３が構成
されている。
【００３９】これにより、第１周波数光１４は放線方向
に対して（θ0 ＋θ1 ）の傾き、第２周波数光１５は法
線方向に対して（θ0 −θ1 ）の傾きをもって入射さ
れ、その結果、上記各へテロダイン干渉光１６，１８
は、いずれも法線方向に対してθ1 の傾きをもった方向
（後期回折方向）に生じるものとなる。このとき、ウェ
ハ側回折格子６によるビート信号１８がマスク側回折格
子５を通過する位置は、図４の（ｂ）に示すように、Ｇ
tan θ1 だけ変化する。つまり、マスク側回折格子５と
ウェハ側回折格子６とはいずれも固定されており、その
相対位置は変化していないが、見掛上、両者の位置ずれ
Δｘが水平距離でＧtan θ1 だけ変化したのと同じこと
になって、各ビート信号１６，１８間の後期位相差Δφ
1 は、下記(2) 式 Δφ1 ＝２π（Δｘ＋Ｇtan θ1 ）／（Ｐ／２） (2) で表される。
に対して（θ0 ＋θ1 ）の傾き、第２周波数光１５は法
線方向に対して（θ0 −θ1 ）の傾きをもって入射さ
れ、その結果、上記各へテロダイン干渉光１６，１８
は、いずれも法線方向に対してθ1 の傾きをもった方向
（後期回折方向）に生じるものとなる。このとき、ウェ
ハ側回折格子６によるビート信号１８がマスク側回折格
子５を通過する位置は、図４の（ｂ）に示すように、Ｇ
tan θ1 だけ変化する。つまり、マスク側回折格子５と
ウェハ側回折格子６とはいずれも固定されており、その
相対位置は変化していないが、見掛上、両者の位置ずれ
Δｘが水平距離でＧtan θ1 だけ変化したのと同じこと
になって、各ビート信号１６，１８間の後期位相差Δφ
1 は、下記(2) 式 Δφ1 ＝２π（Δｘ＋Ｇtan θ1 ）／（Ｐ／２） (2) で表される。
【００４０】そして、図３のステップＳＴ４で、上記後
期位相差Δφ1 を信号処理制御部１３で検出する。
期位相差Δφ1 を信号処理制御部１３で検出する。
【００４１】上記(1) 式及び(2) 式から、各ビート信号
１６，１８間の初期位相差Δφ0 から後期位相差Δφ1
への位相差の変化（Δφ1 −Δφ0 ）は、下記(3) 式 △φ1 −△φ0 ＝（２πＧtan θ1 ）／（Ｐ／２） (3) となり、この各ビート信号１６，１８間の位相差変化
（Δφ1 −△φ0 ）は、Ｘ線マスク１とウェハ２との位
置ずれΔｘとは無関係であり、マスク−ウェハ間ギャッ
プＧに依存（比例）することになる。
１６，１８間の初期位相差Δφ0 から後期位相差Δφ1
への位相差の変化（Δφ1 −Δφ0 ）は、下記(3) 式 △φ1 −△φ0 ＝（２πＧtan θ1 ）／（Ｐ／２） (3) となり、この各ビート信号１６，１８間の位相差変化
（Δφ1 −△φ0 ）は、Ｘ線マスク１とウェハ２との位
置ずれΔｘとは無関係であり、マスク−ウェハ間ギャッ
プＧに依存（比例）することになる。
【００４２】そして、図３のステップＳＴ５で、上記初
期位相差Δφ0 と後期位相差Δφ2との間の位相差変化
（Δφ1 −△φ0 ）が上記信号処理制御部１３で演算さ
れる。
期位相差Δφ0 と後期位相差Δφ2との間の位相差変化
（Δφ1 −△φ0 ）が上記信号処理制御部１３で演算さ
れる。
【００４３】次に、図３のステップＳＴ６で、上記(2)
式の位相差変化（△φ1 −△φ0 ）とマスク−ウェハ間
ギャップＧとの関係に基づいて、ギャップＧが演算され
る。図５は、Ｐ＝４μｍ、θ1 ＝４度のときにおける位
相差変化（△φ1 −△φ0 ）とマスク−ウェハ間ギャッ
プＧとの関係を示し、両者は比例関係にある。同図か
ら、位相差変化（△φ1 −△φ0 ）の検出精度が電気的
な処理を含め１度とすると、マスク−ウェハ間ギャップ
Ｇの検出精度はおよそ0.08μｍになることがわかる。こ
の演算処理により、請求項３の発明にいうギャップ演算
手段５４が構成されている。
式の位相差変化（△φ1 −△φ0 ）とマスク−ウェハ間
ギャップＧとの関係に基づいて、ギャップＧが演算され
る。図５は、Ｐ＝４μｍ、θ1 ＝４度のときにおける位
相差変化（△φ1 −△φ0 ）とマスク−ウェハ間ギャッ
プＧとの関係を示し、両者は比例関係にある。同図か
ら、位相差変化（△φ1 −△φ0 ）の検出精度が電気的
な処理を含め１度とすると、マスク−ウェハ間ギャップ
Ｇの検出精度はおよそ0.08μｍになることがわかる。こ
の演算処理により、請求項３の発明にいうギャップ演算
手段５４が構成されている。
【００４４】すなわち、あらかじめ設定したマスク−ウ
ェハ間ギャップＧに対応する位相差変化（△φ1 −△φ
0 ）になるよう、マスクステージ３、ウェハステージ４
をギャップ方向に制御することにより、精度のよいギャ
ップ制御を行うことができることになる。
ェハ間ギャップＧに対応する位相差変化（△φ1 −△φ
0 ）になるよう、マスクステージ３、ウェハステージ４
をギャップ方向に制御することにより、精度のよいギャ
ップ制御を行うことができることになる。
【００４５】なお、位相差変化（△φ1 −△φ0 ）は位
相差を測定することで求められる関係上、０度〜１８０
度の範囲でしかその値に意味を持たないため、設定ギャ
ップに対して、あらかじめこの範囲内にする粗ギャップ
設定を必要とする。しかし、その範囲は10μｍ以上とな
るので、粗ギャップ設定は容易である。
相差を測定することで求められる関係上、０度〜１８０
度の範囲でしかその値に意味を持たないため、設定ギャ
ップに対して、あらかじめこの範囲内にする粗ギャップ
設定を必要とする。しかし、その範囲は10μｍ以上とな
るので、粗ギャップ設定は容易である。
【００４６】また、これらの光学系は、一般のＸ線露光
装置などに搭載されているアライメント光学系を流用で
きるものも多く、光学系を簡単に構成できる利点もあ
る。特に、本発明のギャップ制御装置を上述のへテロダ
イン方式によるマスク−ウェハの位置合わせ装置と兼用
するようにした場合、Ｘ線マスク１−ウェハ２間の位置
合わせとギャップ設定とを連続して行うことで、アライ
ンメント作業を短時間かつＸ線露光装置に必要な高精度
で行うことができ、しかも、大部分の部品が共通に使用
できるので、構造の簡素化を図ることができるという著
効を発揮することができる。
装置などに搭載されているアライメント光学系を流用で
きるものも多く、光学系を簡単に構成できる利点もあ
る。特に、本発明のギャップ制御装置を上述のへテロダ
イン方式によるマスク−ウェハの位置合わせ装置と兼用
するようにした場合、Ｘ線マスク１−ウェハ２間の位置
合わせとギャップ設定とを連続して行うことで、アライ
ンメント作業を短時間かつＸ線露光装置に必要な高精度
で行うことができ、しかも、大部分の部品が共通に使用
できるので、構造の簡素化を図ることができるという著
効を発揮することができる。
【００４７】なお、上記実施例においては、最初に第１
周波数光１４、第２周波数光１５の初期入射方向を各回
折格子５，６の法線方向に１次回折される方向としてい
るが、本発明はかかる実施例に限定されるものではな
い。例えば図６のように，各回折格子５，６の法線方向
に対して同じ一定角度θ2 だけ傾いた方向に対して対称
で各回折格子５，６の法線方向に対して同じ一定角度θ
2 だけ傾いた方向に１次回折される方向を初期入射方向
として、その初期入射方向から同一方向に同じ角度だけ
傾けた方向から第１，第２周波数光１４，１５を入射す
るようにしても、各回折格子５，６間の水平距離Δｘが
ギャップＧに比例して変化することには変わりがないの
で、上述のような位相差（△φ1 −△φ0 ）とＧの基本
的な関係をそのまま利用して、マスク−ウェハ間ギャッ
プＧを高精度で制御することが可能である。
周波数光１４、第２周波数光１５の初期入射方向を各回
折格子５，６の法線方向に１次回折される方向としてい
るが、本発明はかかる実施例に限定されるものではな
い。例えば図６のように，各回折格子５，６の法線方向
に対して同じ一定角度θ2 だけ傾いた方向に対して対称
で各回折格子５，６の法線方向に対して同じ一定角度θ
2 だけ傾いた方向に１次回折される方向を初期入射方向
として、その初期入射方向から同一方向に同じ角度だけ
傾けた方向から第１，第２周波数光１４，１５を入射す
るようにしても、各回折格子５，６間の水平距離Δｘが
ギャップＧに比例して変化することには変わりがないの
で、上述のような位相差（△φ1 −△φ0 ）とＧの基本
的な関係をそのまま利用して、マスク−ウェハ間ギャッ
プＧを高精度で制御することが可能である。
【００４８】ただし、上記実施例のように、初期入射方
向を各回折格子５，６の法線方向に１次回折を生じる方
向つまり基準位置とすることで、ギャップ検出のための
手順が単純化され、また、検出精度もより高くなる利点
がある。
向を各回折格子５，６の法線方向に１次回折を生じる方
向つまり基準位置とすることで、ギャップ検出のための
手順が単純化され、また、検出精度もより高くなる利点
がある。
【００４９】なお、上記実施例においては、第１周波数
光１４、第２周波数光１５の入射角度を、入射角度駆動
系１７で、フィルタ９、１０とそれに付帯するミラー
（図番は付していない）を回動させることで変更するよ
うにしているが、例えば、ミラー１１を動かすことによ
って入射角度を変更しても良いし、最初から入射光学系
を２系統用意しておき、スリットなどで入射光学系を選
択することによって、第１周波数光１４、第２周波数光
１５の入射角度を変更してもよい。
光１４、第２周波数光１５の入射角度を、入射角度駆動
系１７で、フィルタ９、１０とそれに付帯するミラー
（図番は付していない）を回動させることで変更するよ
うにしているが、例えば、ミラー１１を動かすことによ
って入射角度を変更しても良いし、最初から入射光学系
を２系統用意しておき、スリットなどで入射光学系を選
択することによって、第１周波数光１４、第２周波数光
１５の入射角度を変更してもよい。
【００５０】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、第１物体と第２物体との間のギャップを検出し
て、このギャップを一定値に設定するようにしたギャッ
プ制御方法として、第１，第２物体に互いに等しいピッ
チを有する第１，第２回折格子を付設し、互いに異なる
周波数を有する２つのコヒーレント光を、各回折格子に
共通の初期回折方向に関して互いに対称な１次回折角の
方向（初期入射方向）からそれぞれ入射させて、各回折
格子により１次回折される２つの干渉光の初期位相差を
検出し、さらに、各コヒーレント光を上記初期の入射方
向に対して同一方向に同じ一定角度だけわずかに傾いた
後期入射方向から入射させて、各回折格子により１次回
折される２つの干渉光の後期位相差を検出し、検出され
た初期位相差と後期位相差との間の位相差変化に応じ、
各回折格子のピッチで定まる位相差変化−ギャップ値の
関係に基づいて、第１物体と第２物体のギャップを演算
するようにしたので、高精度で検出される位相差の変化
を利用して、各物体間のギャップを高い精度で検出する
ことができ、よって、ギャップ設定精度の向上を図るこ
とができる。
よれば、第１物体と第２物体との間のギャップを検出し
て、このギャップを一定値に設定するようにしたギャッ
プ制御方法として、第１，第２物体に互いに等しいピッ
チを有する第１，第２回折格子を付設し、互いに異なる
周波数を有する２つのコヒーレント光を、各回折格子に
共通の初期回折方向に関して互いに対称な１次回折角の
方向（初期入射方向）からそれぞれ入射させて、各回折
格子により１次回折される２つの干渉光の初期位相差を
検出し、さらに、各コヒーレント光を上記初期の入射方
向に対して同一方向に同じ一定角度だけわずかに傾いた
後期入射方向から入射させて、各回折格子により１次回
折される２つの干渉光の後期位相差を検出し、検出され
た初期位相差と後期位相差との間の位相差変化に応じ、
各回折格子のピッチで定まる位相差変化−ギャップ値の
関係に基づいて、第１物体と第２物体のギャップを演算
するようにしたので、高精度で検出される位相差の変化
を利用して、各物体間のギャップを高い精度で検出する
ことができ、よって、ギャップ設定精度の向上を図るこ
とができる。
【００５１】請求項２の発明によれば、上記請求項１の
発明において、コヒーレント光の初期入射角を各回折格
子の法線方向に１次回折される方向としたので、ギャッ
プ検出のための手順の簡素化と検出精度の向上とを図る
ことができる。
発明において、コヒーレント光の初期入射角を各回折格
子の法線方向に１次回折される方向としたので、ギャッ
プ検出のための手順の簡素化と検出精度の向上とを図る
ことができる。
【００５２】請求項３の発明によれば、第１物体と第２
物体との間のギャップを検出して、該ギャップを一定値
に設定するためのギャップ制御装置として、第１，第２
物体にそれぞれ第１，第２回折格子を互いに平行となる
よう取付け、わずかに相異なる周波数を有する２つのコ
ヒーレント光を発するコヒーレント光供給手段と、各コ
ヒーレント光を各回折格子の共通方向に関して互いに対
称な１次回折角の方向から入射させ、かつ各回折格子に
よる１次回折方向を変更する光路調整系とを設けてお
き、各コヒーレント光の各回折格子による１次回折の方
向を初期回折方向と後期回折方向とに変化させ、各回折
格子で回折された各コヒーレント光が干渉してなる２つ
の干渉光の位相差を各回折方向で検出するとともに、各
回折方向で検出される初期位相差から後期位相差への位
相差変化に応じ、各回折格子のピッチで定まる位相差変
化−ギャップ値の関係に基づいてギャップを演算する構
成としたので、高精度で検出される位相差の変化を利用
して、各物体間のギャップを高い精度で検出することが
でき、よって、ギャップ設定精度の向上を図ることがで
きる。
物体との間のギャップを検出して、該ギャップを一定値
に設定するためのギャップ制御装置として、第１，第２
物体にそれぞれ第１，第２回折格子を互いに平行となる
よう取付け、わずかに相異なる周波数を有する２つのコ
ヒーレント光を発するコヒーレント光供給手段と、各コ
ヒーレント光を各回折格子の共通方向に関して互いに対
称な１次回折角の方向から入射させ、かつ各回折格子に
よる１次回折方向を変更する光路調整系とを設けてお
き、各コヒーレント光の各回折格子による１次回折の方
向を初期回折方向と後期回折方向とに変化させ、各回折
格子で回折された各コヒーレント光が干渉してなる２つ
の干渉光の位相差を各回折方向で検出するとともに、各
回折方向で検出される初期位相差から後期位相差への位
相差変化に応じ、各回折格子のピッチで定まる位相差変
化−ギャップ値の関係に基づいてギャップを演算する構
成としたので、高精度で検出される位相差の変化を利用
して、各物体間のギャップを高い精度で検出することが
でき、よって、ギャップ設定精度の向上を図ることがで
きる。
【００５３】請求項４の発明によれば、上記請求項３の
発明において、第１物体を半導体装置が形成されるウェ
ハとし、第２物体をウェハのリソグラフィー工程で使用
されるマスクとするとともに、ギャップ制御装置をマス
ク−ウェハの位置合わせ装置と兼用するようにしたの
で、装置の構成の簡素化を図りつつ、マスクアラインメ
ントに要する時間を短縮することができ、著効を発揮す
ることができる。
発明において、第１物体を半導体装置が形成されるウェ
ハとし、第２物体をウェハのリソグラフィー工程で使用
されるマスクとするとともに、ギャップ制御装置をマス
ク−ウェハの位置合わせ装置と兼用するようにしたの
で、装置の構成の簡素化を図りつつ、マスクアラインメ
ントに要する時間を短縮することができ、著効を発揮す
ることができる。
【図１】請求項３の発明の構成を示すブロック図であ
る。
る。
【図２】実施例におけるギャップ制御装置の構成図であ
る。
る。
【図３】実施例におけるギャップ制御の内容を示すフロ
―チャ―ト図である。
―チャ―ト図である。
【図４】実施例におけるギャップ制御方法の手順を示す
説明図である。
説明図である。
【図５】実施例におけるギャップ検出信号の一例を示す
図である。
図である。
【図６】ギャップ制御方法の別例を示す図である。
【図７】従来の２重焦点レンズを使用したギャップ検出
系の例を示す図である。
系の例を示す図である。
【図８】従来の単一焦点レンズを使用したギャップ検出
系の例を示す図である。
系の例を示す図である。
【図９】へテロダイン干渉光のビート信号中の位相差を
説明する図である。
説明する図である。
【図１０】へテロダイン干渉方式によるマスク−ウェハ
間の位置合わせの原理を説明する図である。
間の位置合わせの原理を説明する図である。
１ Ｘ線マスク（第１物体） ２ ウェハ（第２物体） ３ マスク側ステージ ４ ウェハ側ステージ ５ マスク側（第１）回折格子 ６ ウェハ側（第２）回折格子 ８ レーザ光源 ９、１０ フィルタ １１ ミラー １２ マスク側光検出器 １３ 信号処理制御部 １４ 第１周波数光 １５ 第２周波数光 １６ マスク側（第１）干渉光 １７ 入射角度変更駆動系 １８ ウェハ側（第２）干渉光 １９ ウェハ側光検出器 ５０ コヒーレント光供給手段 ５１ 光路調整系 ５２ 位相差検出手段 ５３ 入射方向制御手段 ５４ ギャップ演算手段
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０３Ｆ 9/00 Ｈ 7316−2Ｈ
Claims (4)
- 【請求項１】 第１物体と第２物体との間のギャップを
検出して、該ギャップを一定値に設定するようにしたギ
ャップ制御方法であって、 第１物体に第１回折格子を、第２物体に上記第１回折格
子と等しいピッチを有する第２回折格子を互いに平行と
なるようにそれぞれ付設し、 互いにわずかに異なる周波数を有する２つのコヒーレン
ト光を、上記各回折格子の所定の共通方向（初期回折方
向）に関して互いに対称な１次回折角の方向（初期入射
方向）からそれぞれ入射させて、上記初期回折方向に各
コヒーレント光を１次回折させ、 上記第１回折格子により１次回折される各コヒーレント
光が干渉してなる第１干渉光と上記第２回折格子により
１次回折される各コヒーレント光が干渉してなる第２干
渉光との間の位相差を初期位相差として検出し、 上記各コヒーレント光を上記初期入射方向に対して同一
方向に同じ一定角度だけわずかに傾いた後期入射方向か
らそれぞれ入射させて、上記初期回折方向から一定角度
だけ傾いた後期回折方向に各コヒーレント光を１次回折
光させ、 上記第１回折格子により１次回折される各コヒーレント
光が干渉してなる第１干渉光と上記第２回折格子により
１次回折される各コヒーレント光が干渉してなる第２干
渉光との間の位相差を後期位相差として検出し、 検出された初期位相差と後期位相差との間の位相差変化
に応じ、上記各回折格子のピッチで定まる位相差変化−
ギャップ値の関係に基づいて、第１物体と第２物体のギ
ャップを演算することを特徴とするギャップ制御方法。 - 【請求項２】 請求項１記載のギャップ制御方法におい
て、 上記各コヒーレント光の初期入射角は、各回折格子によ
る初期回折方向が各回折格子の法線方向になるように設
定されていることを特徴とするギャップ制御方法。 - 【請求項３】 第１物体と第２物体との間のギャップを
検出して、該ギャップを一定値に設定するためのギャッ
プ制御装置であって、 第１物体に取付けられた第１回折格子と、 第２物体に上記第１格子とは平行となる位置に取付けら
れ、上記第１回折格子と等しいピッチを有する第２回折
格子と、 互いにわずかに異なる周波数を有する２つのコヒーレン
ト光を発するコヒーレント光供給手段と、 該コヒーレント光供給手段から発せられる２つのコヒー
レント光を、上記各回折格子の共通の一方向に関して互
いに対称な１次回折角の方向からそれぞれ入射させるよ
うに、かつ各回折格子による１次回折方向を変更しうる
ように構成された光路調整系と、 上記第１回折格子により１次回折される各コヒーレント
光が干渉してなる第１干渉光と上記第２回折格子により
１次回折される各コヒーレント光が干渉してなる第２干
渉光との間の位相差に関する信号を検出する位相差検出
手段と、 上記各コヒーレント光の各回折格子への入射方向を、各
格子による１次回折の方向が所定の初期回折方向となる
初期入射方向と各格子による１次回折の方向が上記初期
回折方向から一定角度だけ傾いた後期回折方向となる後
期入射方向とに変化させるよう上記光路調整系を制御す
る入射方向制御手段と、 該入射方向制御手段により制御される１次回折の初期回
折方向と後期回折方向とにおいて上記位相差検出手段で
それぞれ検出される初期位相差から後期位相差への位相
差変化に応じ、上記各回折格子のピッチで定まる位相差
変化−ギャップ値の関係に基づいて、第１物体と第２物
体との間のギャップを演算するギャップ演算手段とを備
えたことを特徴とするギャップ制御装置。 - 【請求項４】 請求項３記載のギャップ制御装置におい
て、 上記第１物体は半導体装置が形成されるウェハであり、 上記第２物体は上記ウェハのリソグラフィー工程で使用
されるマスクであり、 上記ギャップ制御装置はマスク−ウェハの位置合わせ装
置と兼用されるものであることを特徴とするギャップ制
御装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4338850A JP2821073B2 (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | ギャップ制御装置及びギャップ制御方法 |
| US08/168,140 US5355219A (en) | 1992-12-18 | 1993-12-17 | Gap control apparatus and method utilizing heterodyne signal phase difference detection |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4338850A JP2821073B2 (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | ギャップ制御装置及びギャップ制御方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06188176A true JPH06188176A (ja) | 1994-07-08 |
| JP2821073B2 JP2821073B2 (ja) | 1998-11-05 |
Family
ID=18322000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4338850A Expired - Fee Related JP2821073B2 (ja) | 1992-12-18 | 1992-12-18 | ギャップ制御装置及びギャップ制御方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5355219A (ja) |
| JP (1) | JP2821073B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015008365A1 (ja) * | 2013-07-18 | 2015-01-22 | ギガフォトン株式会社 | 露光装置 |
Families Citing this family (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5808742A (en) * | 1995-05-31 | 1998-09-15 | Massachusetts Institute Of Technology | Optical alignment apparatus having multiple parallel alignment marks |
| US6522411B1 (en) * | 1999-05-25 | 2003-02-18 | Massachusetts Institute Of Technology | Optical gap measuring apparatus and method having two-dimensional grating mark with chirp in one direction |
| US7432634B2 (en) | 2000-10-27 | 2008-10-07 | Board Of Regents, University Of Texas System | Remote center compliant flexure device |
| US6369888B1 (en) * | 1999-11-17 | 2002-04-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for article inspection including speckle reduction |
| EP2264522A3 (en) * | 2000-07-16 | 2011-12-14 | The Board of Regents of The University of Texas System | Method of forming a pattern on a substrate |
| EP1303793B1 (en) | 2000-07-17 | 2015-01-28 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method and system of automatic fluid dispensing for imprint lithography processes |
| US6954275B2 (en) | 2000-08-01 | 2005-10-11 | Boards Of Regents, The University Of Texas System | Methods for high-precision gap and orientation sensing between a transparent template and substrate for imprint lithography |
| EP1352295B1 (en) * | 2000-10-12 | 2015-12-23 | Board of Regents, The University of Texas System | Template for room temperature, low pressure micro- and nano-imprint lithography |
| US7046361B1 (en) | 2002-04-04 | 2006-05-16 | Nanometrics Incorporated | Positioning two elements using an alignment target with a designed offset |
| US7077992B2 (en) | 2002-07-11 | 2006-07-18 | Molecular Imprints, Inc. | Step and repeat imprint lithography processes |
| US7027156B2 (en) | 2002-08-01 | 2006-04-11 | Molecular Imprints, Inc. | Scatterometry alignment for imprint lithography |
| US6916584B2 (en) * | 2002-08-01 | 2005-07-12 | Molecular Imprints, Inc. | Alignment methods for imprint lithography |
| US6992764B1 (en) * | 2002-09-30 | 2006-01-31 | Nanometrics Incorporated | Measuring an alignment target with a single polarization state |
| US8349241B2 (en) | 2002-10-04 | 2013-01-08 | Molecular Imprints, Inc. | Method to arrange features on a substrate to replicate features having minimal dimensional variability |
| US6929762B2 (en) | 2002-11-13 | 2005-08-16 | Molecular Imprints, Inc. | Method of reducing pattern distortions during imprint lithography processes |
| US6871558B2 (en) | 2002-12-12 | 2005-03-29 | Molecular Imprints, Inc. | Method for determining characteristics of substrate employing fluid geometries |
| US7122079B2 (en) | 2004-02-27 | 2006-10-17 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material |
| US7136150B2 (en) | 2003-09-25 | 2006-11-14 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint lithography template having opaque alignment marks |
| US7906180B2 (en) | 2004-02-27 | 2011-03-15 | Molecular Imprints, Inc. | Composition for an etching mask comprising a silicon-containing material |
| US20050270516A1 (en) * | 2004-06-03 | 2005-12-08 | Molecular Imprints, Inc. | System for magnification and distortion correction during nano-scale manufacturing |
| CN101379435A (zh) * | 2004-06-03 | 2009-03-04 | 得克萨斯州大学系统董事会 | 用于改进显微蚀刻的对齐和覆盖的系统和方法 |
| US7768624B2 (en) * | 2004-06-03 | 2010-08-03 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Method for obtaining force combinations for template deformation using nullspace and methods optimization techniques |
| US7785526B2 (en) * | 2004-07-20 | 2010-08-31 | Molecular Imprints, Inc. | Imprint alignment method, system, and template |
| US7292326B2 (en) | 2004-11-30 | 2007-11-06 | Molecular Imprints, Inc. | Interferometric analysis for the manufacture of nano-scale devices |
| US7630067B2 (en) | 2004-11-30 | 2009-12-08 | Molecular Imprints, Inc. | Interferometric analysis method for the manufacture of nano-scale devices |
| US20070231421A1 (en) | 2006-04-03 | 2007-10-04 | Molecular Imprints, Inc. | Enhanced Multi Channel Alignment |
| WO2006060758A2 (en) * | 2004-12-01 | 2006-06-08 | Molecular Imprints, Inc. | Methods of exposure for the purpose of thermal management for imprint lithography processes |
| JP5306989B2 (ja) | 2006-04-03 | 2013-10-02 | モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド | 複数のフィールド及びアライメント・マークを有する基板を同時にパターニングする方法 |
| JP5027468B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2012-09-19 | 日本ミクロコーティング株式会社 | プローブクリーニング用又はプローブ加工用シート、及びプローブ加工方法 |
| CN104570621B (zh) * | 2015-01-14 | 2016-06-15 | 清华大学 | 一种双光束曝光系统中光栅衍射波面误差的反馈调节方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2598797B1 (fr) * | 1986-05-07 | 1990-05-11 | Nippon Telegraph & Telephone | Procede de mesure et/ou d'ajustement du deplacement d'un objet et appareil pour la mise en oeuvre de ce procede |
| EP0313681A1 (en) * | 1987-10-30 | 1989-05-03 | Ibm Deutschland Gmbh | Phase-sensitive interferometric mask-wafer alignment |
| EP0323242A3 (en) * | 1987-12-28 | 1989-10-18 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for aligning two objects, and method and apparatus for providing a desired gap between two objects |
| DE4031637C2 (de) * | 1989-10-06 | 1997-04-10 | Toshiba Kawasaki Kk | Anordnung zum Messen einer Verschiebung zwischen zwei Objekten |
-
1992
- 1992-12-18 JP JP4338850A patent/JP2821073B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-12-17 US US08/168,140 patent/US5355219A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015008365A1 (ja) * | 2013-07-18 | 2015-01-22 | ギガフォトン株式会社 | 露光装置 |
| WO2015008731A1 (ja) * | 2013-07-18 | 2015-01-22 | ギガフォトン株式会社 | 露光装置 |
| JPWO2015008731A1 (ja) * | 2013-07-18 | 2017-03-02 | ギガフォトン株式会社 | 露光装置 |
| US9791780B2 (en) | 2013-07-18 | 2017-10-17 | Gigaphoton Inc. | Exposure apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5355219A (en) | 1994-10-11 |
| JP2821073B2 (ja) | 1998-11-05 |
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