JP4052691B2 - 荷電粒子線装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウエハ又はマスク等の試料、すなわち、加工対象物の表面の位置を測定する位置測定装置を備えた荷電粒子線装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体露光装置では、あらかじめ作成された原画パターン（レチクル又はマスク）上の所望の回路パターンを、ウエハ上の露光領域に位置合わせした後、転写を行ってきた。この転写装置は高精度な縮小露光投影装置であり、転写される側のウエハ全面に露光できるように、ウエハ側は高精度なＸＹステージに固定されている。このウエハ光学系に対し、ステップ＆リピートするための掲記転写装置はステッパと呼ばれている。
近年のＬＳＩの高集積化により、半導体装置に要求される回路線幅は益々狭くなってきている。ステッパの縮小率は、従来１／５が主流であったが、これまでの波長限界から１μｍ以下のパターンは解像できないと言われてきた。しかし、光学系・照明系の改良やレチクル上での光の位相を調整する位相シフトマスク等の出現により、サブμｍオーダーのパターンを解像するに至っている。解像度の向上に伴って、縮小レンズの焦点深度は浅くなり、また、あらかじめ作成された原画パターンをウエハ上に転写する精度は、いっそう厳しい値が要求されるようになってきている。このため、ステッパのアライメント光学系に対して、試料の試料面方向及び焦点方向の位置を高精度に検出することが要求されている。
【０００３】
位相シフトマスクは前記原画パターン上の露光光透過部を通過する光の位相即ち透過部の光路長を、基板の厚さをエッチングすることにより減少させ、あるいは、屈折率の異なる材料を付加する等の手法で変化させるものである。したがって、位相シフトマスクの作製には、特定の光透過部の基板を厚さ方向に掘り込み、選択的に光路長を変化させる方法や、または、あらかじめパターンが描かれた基板に再度レジストを塗付し、光透過部の位相を部分的に変化させるための材料を付加した後不要部分のエッチングを行う方法が採られる。いずれの場合においても、前記パターン描画装置を用いて、所定の位置のレジストを高精度に感光させる必要がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
マスク上の位置合わせマークの検出に先立って、露光ビームの位置はステージ上に設けられたマーク等を用いて測定されかつ校正される。ステージの位置はレーザー干渉計により高精度にモニターされるので、レーザー干渉計の座標系を基準としてビームの位置及び変位を測定することが可能となる。
ところが、電子線露光装置では、鏡筒内部に汚れが付着すると、チャージアップのために電子ビームにドリフトが生じ、測定値が変動する。マスク上のマーク位置の測定はステージ上のマークを介した間接測定であるため、測定値に変動が生じた場合には、その原因はビームドリフトであるのか、或いは、マークそのものが変位しているためであるのかを区別することが出来ないという課題があった。
【０００５】
荷電粒子線装置は、ウエハやマスク等の加工をすべき表面を有する試料、すなわち、加工対象物の表面に荷電粒子線を照射し、加工対象物の表面の加工や測定を行う装置である。荷電粒子線装置、例えば、電子ビーム描画装置やステッパにおいて、ドリフトによる影響を受けずにマーク位置を精度良く測定するための手段として、レーザー光を用いた測定光学系を設けた装置を用いる方法が考えられる。
しかし、荷電粒子線装置では、加工対象物に対して高精度な位置の測定が要求されるため、複数のレーザー光を所定の回折パターンに照射し、ここで回折した回折光から位置情報を得るタイプでは、各レーザ光を照射する位置を厳密に一致させるなどの調整が必要となる。
【０００６】
更に、荷電粒子線を加工対象物の表面に照射すると、加工対象物の表面から２次電子が発生する。そして、この２次電子が不導体に接触すると、この不導体のところでチャージアップを生じる。このチャージアップが生じた物体が荷電粒子線装置の近傍にあると、荷電粒子線がドリフトして、加工対象物の表面の加工や測定を正確に行うことが困難となるという課題があった。
そこで、通常、荷電粒子線装置の近傍に配置された部品を、全て導体材料で製作している。しかし、ウエハやマスク等の加工対象物の位置を測定する位置測定装置の光学部品は不導体であるため、この光学部品の部分でチャージアップが生するという課題があった。
このため、荷電粒子線装置によるウエハやマスク等の加工対象物の加工や測定を正確に行うために、位置測定装置の光学部品がチャージアップすることによる荷電粒子線のドリフトを防がなければならないという課題があった。
【０００７】
特に、電子ビーム描画装置において採用する場合には、対象物は真空に減圧されたチャンバー内に配置される一方光源などは、チャンバー外に配置される。そのため、チャンバーが大気圧の場合に所定の照射条件を満足していても、実際に測定が必要となるチャンバーが真空に減圧された際には所定の照射条件が崩れてしまうことが多い。
また、対象物に平行な平面のみならず、これの法線方向の位置測定も行う場合には少なくとも３本のレーザ光束を所定の条件で照射する必要が生じる。
このように複数の測定光束を所定の条件で位置合わせ用パターンを照射できるように調節する装置の提供が望まれていた。
また、荷電粒子線装置又は半導体露光装置を用いて半導体ウェハ又は半導体製造用マスク等を高精度に効率的に製造する製造方法の提供がのぞまれていた。
【０００８】
【発明の目的】
そこで、本発明の目的は、
（１）加工対象物の位置を正確に測定することができる位置測定装置を備えた荷電粒子線装置を提供することにある。
（２）荷電粒子線の照射口の近傍で、位置測定装置に組み込まれている光学部品がチャージアップすると発生する荷電粒子線のドリフトの発生を予め回避してある荷電粒子線装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、荷電粒子線を用いて、チャンバー内に配置された対象物の加工や測定を行う荷電粒子線装置において、アースと接続されているチャンバーと、対象物の位置を測定するために、前記対象物上に設けられたパターンに向けて照射する測定光束となるコヒーレント光を発する光源部と、前記チャンバーの一部を形成する照射側窓部を介して、前記測定光束を所定の入射角で対象物上のパターンに照射する照射光学系と、前記チャンバーの一部を形成する受光側窓部を介して、前記対象物上のパターンからの反射光を受光する受光光学系と、前記受光光学系からの反射光を受光する受光部と、前記受光部からの信号に基づき対象物の位置を求める信号処理部とを有し、前記照射側窓部及び前記受光側窓部は、それぞれの内面が導電性の材質により形成され、前記導電性の材質は、前記チャンバーに電気的に接続され、アースされている構成とした。
【００１０】
このような構成により、荷電粒子線の照射口の近傍で、位置測定装置に組み込まれている光学部品がチャージアップすると発生する荷電粒子線のドリフトの発生を防ぐことができる。また、本発明の荷電粒子線装置の照射側窓部及び受光側窓部は、それぞれ光学ガラスで形成され、前記照射側窓部及び前記受光側窓部のそれぞれの内面は、導電性のコートにより形成されているのが好ましい。また、本発明の荷電粒子線装置において、前記照射側窓部及び前記受光側窓部にそれぞれ設けられる導電性のコートは、インジウムすず酸化膜（ＩＴＯ膜）で形成され、前記光源部から発するコヒーレント光の波長をλとした場合、その光学膜厚が約λ／４の整数倍に設定されているのが好ましい。
【００１１】
このような構成により、荷電粒子線の照射口の近傍で、位置測定装置に組み込まれている光学部品がチャージアップすると発生する荷電粒子線のドリフトの発生を効果的に防ぐことができる。また、本発明の荷電粒子線装置において、前記光源部は、コヒーレント光を発するもので構成し、前記光源部の発するコヒーレント光から、周波数が互いに異なる第１平面位置測定用照明光束と第２平面位置測定用照明光束とを形成する周波数シフター部を備え、前記照射光学系は、光源からの照明光束を第１平面位置測定用照明光束として、周波数シフター部からの第２平面位置測定用照明光束とを、対象物上の２次元パターンを照射し、前記受光光学系は２次元パターンからの回折光を受光し、前記受光部は、受光光学系で受光した回折光の内で、周波数が異なる回折光の組を、０次光に対して対象物側に現れる高次回折光と０次回折光の組み合わせ及び０次光に対して対象物側に現れる高次回折光同士の組み合わせに基づいて、前記対象物の２次元パターンを設けた平面内での位置測定用干渉測定信号を形成し、前記信号処理部は、位置測定用干渉測定信号の位相に基づき前記対象物の２次元パターンを設けた平面内での位置を求めるように構成されているのが好ましい。
【００１２】
また、本発明の荷電粒子線装置において、前記受光部は、第１照明光束と第２照明光束の前記２次元パターンによる高次回折光同士の異なる周波数の回折光の組み合わせから対象物の２次元パターンを含む平面内でのＸ方向の位置測定用干渉信号を形成し、第１照明光束と第２照明光束の前記２次元パターンによる高次回折光と０次回折光の組み合わせから対象物の２次元パターンを設けた平面内でのＹ方向の位置測定用干渉信号を形成し、信号処理部はＸ位置測定用干渉信号の位相に基づきＸ方向の位置を、Ｙ位置測定用干渉信号の位相に基づきＹ方向の位置を求めるように構成されているのが好ましい。このような構成により、荷電粒子線装置において、加工対象物の位置を正確に測定することができる。
【００１３】
本発明に関連する技術として、電子線描画装置を用いた半導体製造用マスクの製造方法において、電子線描画装置に、位置測定装置の照明側光学部材及び受光側光学部材が、電子線描画装置の構成部品の取付け位置及びそれらの最大作動範囲をさけ、かつ、照明側光学部材から照射して受光側光学部材に入射される光束が、電子線描画装置の構成部品の取付け位置及びそれらの最大作動範囲をさけて透過することができるように、照明側光学部材及び受光側光学部材を配置する工程と、２次元パターンを表面の一部分に設けてある加工対象物を、電子線描画装置のチャンバー内のステージに固定する工程と、位置測定装置の照明側光学部材に設けられた光源により光を２次元パターンに照射する工程と、位置測定装置の照明側光学部材により複数の測定用照明光束を２次元パターンに照射し、この２次元パターンからの回折光を受光側光学部材により受光し、受光側光学部材が測定用干渉信号を形成し、この測定用干渉信号の位相に基づいて加工対象物の位置を測定する工程と、位置の測定結果に基づいて加工対象物を取付けたステージをＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向に移動させる工程と、電子線描画装置によって、加工対象物の表面の加工を行う工程とを含むようにすることができる。
【００１４】
更に、本発明に関連する技術として、半導体露光装置により半導体ウェハ又は半導体製造用マスクを製造する方法において、半導体露光装置に、位置測定装置の照明側光学部材及び受光側光学部材が、半導体露光装置の構成部品の取付け位置及びそれらの最大作動範囲をさけ、かつ、照明側光学部材から照射して受光側光学部材に入射される光束が、半導体露光装置の構成部品の取付け位置及びそれらの最大作動範囲をさけて透過することができるように、照明側光学部材及び受光側光学部材を配置する工程と、２次元パターンを表面の一部分に設けてある加工対象物を、半導体露光装置のチャンバー内のステージに固定する工程と、位置測定装置の照明側光学部材に設けられた光源部により光を２次元パターンに照射する工程と、位置測定装置の照明側光学部材により複数の測定用照明光束を２次元パターンに照射し、この２次元パターンからの回折光を受光側光学部材により受光し、受光側光学部材が測定用干渉信号を形成し、この測定用干渉信号の位相に基づいて加工対象物の位置を測定する工程と、位置の測定結果に基づいて加工対象物を取付けたステージをＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向に移動させる工程と、半導体露光装置によって、加工対象物の表面の加工を行う工程とを含むようにすることができる。
【００１５】
上記の製造方法により、荷電粒子線装置又は半導体露光装置を用いて、半導体ウェハ又は半導体製造用マスク等を高精度に効率的に製造することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面により説明する。
本発明の荷電粒子線装置に適用する位置測定装置は、図１に示すように、照明光学系１００と、補正光学系２００と、照射光学系３００と、受光光学系４００とを備える。
〔１〕 照明光学系１００
図１及び図１の部分拡大図である図１６から図１８を参照すると、光源１は照明光束となるコヒーレント光を発する光源であり、波長λ＝６３３ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザー光源である。光源１から照射される干渉性の強いコヒーレントであるレーザー光は、リレーレンズ１０２を介してビームスプリッター１０３で、第１照明光束１０４と第２照明光束１０５とに分岐される。
【００１７】
第１照明光束１０４はリレーレンズ１０６を介して第１周波数シフター１０８に導かれ、第１周波数シフター１０８は第１照明光束１０４を変調して第１測定用照明光束１１０を形成する。第２照明光束１０５はリレーレンズ１０７を介して第２周波数シフター１０９に導かれ、第２周波数シフター１０９は第２照明光束１０５を変調して第２測定用照明光束１１１を形成する。
音響光学素子（ＡＯＭ）を周波数シフターとして用いるのが好ましい。第１測定用照明光束１１０の周波数シフターによる変調周波数は８０．０５ＭＨｚであり、第２測定用照明光束１１１の周波数シフターによる変調周波数は８０．０６２５ＭＨｚである。周波数シフター１０８、１０９により、周波数が互いに僅かに異なる第１測定用照明光束１１０及び第２測定用照明光束１１１が形成される。この場合に、第１測定用照明光束１１０と第２測定用照明光束１１１の周波数の差Δｆは１２．５ＫＨｚとなる。第１測定用照明光束１１０と第２測定用照明光束１１１を互いに重ね合わせて、干渉させると、その干渉結果の強度は、周波数Δｆのうなり（ビート信号）になる。
【００１８】
ビームスプリッター１１２は、第１測定用照明光束１１０を第１平面位置測定用照明光束１１４と第１法線方向測定用照明光束１１５とに分岐させる。
ビームスプリッター１１３は、第２測定用照明光束１１１を第２平面位置測定用照明光束１１６と第２法線方向測定用照明光束１１７とに分岐させる。
第１平面位置測定用照明光束１１４、第１法線方向測定用照明光束１１５、第２平面位置測定用照明光束１１６、第２法線方向測定用照明光束１１７は、それぞれリレーレンズ１１８、１１９、１２０、１２１を介して調整光学系２００に、その光軸に対して互いに平行な光束として導かれる。
但し、第１法線方向測定用照明光束１１５及び第２法線方向測定用照明光束１１７は、それぞれ第１平面位置測定用照明光束１１４及び第２平面位置測定用照明光束１１６とは別個の測定用照明光束から分岐させることも可能である。
【００１９】
ここで、照明光学系１００において、リレーレンズ１０２、１０６、１０７により光源１と第１周波数シフター１０８及び第２周波数シフター１０９は共役関係となる。
〔２〕 調整光学系２００
調整光学系２００は、図２から図４に示すように、第１平面位置測定用照明光束１１４、第１法線方向測定用照明光束１１５、第２平面位置測定用照明光束１１６及び第２法線方向測定用照明光束１１７を、所定の照射条件に適合するように補正を施す光学系である。その補正には、第１法線方向測定用照明光束１１５及び第２法線方向測定用照明光束１１７の照射角度を第１平面位置測定用照明光束１１４及び第２平面位置測定用照明光束１１６に対して調整を行う照射角度調整、これら４本の照明光束１１４〜１１７が照射する対象物上の平面位置を調整する平面位置調整、及び、これら４本の照明光束１１４〜１１７のビームウエスト位置が対象物１０上に来るように調整するビームウエスト位置調整の３種類がある。
【００２０】
第１法線方向測定用照明光束１１５及び第２法線方向測定用照明光束１１７の照射角度調整は、それぞれの光路に挿入されている平行平面板２０１、２０２を光軸と直交する回転軸を中心に回転させることにより行われる。第１法線方向測定用照明光束１１５及び第２法線方向測定用照明光束１１７は、平行平面板２０１、２０２の回転により鉛直方向に平行移動し、その結果、後述する投影レンズによる照射角度が変化する。ここで、「鉛直方向」とは、４本の照明光束１１４〜１１７を含むような面に対して垂直な方向をいう。
４本の測定用照明光束１１４〜１１７は、それぞれの光路で２つのミラー（図示せず）により光束の間隔を狭くされ、頂角の等しい一組のウエッジプリズム２０３、２０４に入射する。
【００２１】
４本の測定用照明光束１１４〜１１７の平面位置の調整は、水平方向を調整のための中心軸として、ウエッジプリズム２０３、２０４の交差角度の調整及び交差中心方向の調整により行われる。
調整前の位置からの距離は、ウエッジプリズム２０３、２０４の交差角度を調整することによって決定される。又、調整前からの変化の方向はウエッジプリズム２０３、２０４が交差する中心方向を調整することにより決定される。このようにして調整を行うことにより、４本の測定用照明光束１１４〜１１７の平面位置の調整を上下左右の任意の方向で行うことができる。
４本の測定用照明光束１１４〜１１７は、ウエッジプリズム２０３、２０４で平面位置調整を行った後、フォーカスレンズ２０５、２０６に入射する。
【００２２】
フォーカスレンズ２０５、２０６は、その間隔が変化することにより、各光束が光軸と平行であるという条件を維持しつつ、各光束と光軸との間隔を変更できるように構成されており、４本の測定用照明光束１１４〜１１７のビームウエストが対象物１０上に来るように、ビームウエストの位置を光軸方向に調整することができる。
本発明の実施の形態では、光源側にある調整レンズ２０５は平凸レンズで形成され、対象物側の調整レンズ２０６は平凹レンズ２０６で形成されている。
従って、フォーカスレンズ２０５と２０６との間の間隔を広げると、ビームウエストの位置が光源側に近づくように変化する。
但し、光源１のある側のフォーカスレンズ２０５を平凹レンズ２０６で形成し、対象物１０のある側のフォーカスレンズ２０６を平凸レンズで形成することも可能である。
【００２３】
このように、光軸付近に第１平面位置測定用照明光束１１４及び第２平面位置測定用照明光束１１６を配置し、これらを基準として照射角度の調整を行う第１法線方向測定用照明光束１１５及び第２法線方向測定用照明光束１１７を周辺に（両脇に）配置することにより、照射角度調整を行う光学素子である平行平面板２０１、２０２をそれらの光路中に配置しかつ光軸と直交する回転軸を中心に回転可能とする機構を組み込みやすくすることができる。
〔２−１〕 マニュアル調整
上述した調整光学系２００のビームの調整方法について説明する。以下では、位置を優先した調整方法について説明する。
初期状態では、ウエッジプリズム２０３、２０４は１８０度回転されたように反対方向を向いて配置され、見掛け上、プリズムのパワーがない状態とされている。また、調整レンズ２０５と２０６は両者の間隔が略ゼロとなるように配置され、パワーがない状態であることとする。
【００２４】
この位置を優先した調整方法においては、ウエッジプリズム２０３、２０４を用いて初期状態でのビームの照射位置を本来照射したいマーク１２上に移動させ、次に調整レンズ２０５及び２０６を用いて、４本の測定用照明光束１１４〜１１７のビームウエストが対象物１０上に来るようにビームウエスト位置を調整する。
具体的にいえば、ビームの移動方向は、ウエッジプリズム２０３、２０４の交叉角度の２等分線方向と一致するので、初期状態におけるビーム照射位置を基準として、ビームを照射したいマーク１２の方向とウエッジプリズム２０３、２０４の交叉角度の２等分線方向が一致するように両プリズムを回転させる。
次に、ビームの移動距離は、ウエッジプリズム２０３、２０４の交叉角度が１８０度から０度に近づくにつれてビームの移動距離が大きくなるので、ウエッジプリズム２０３、２０４の交叉角度の２等分線方向を維持したまま互いのウエッジプリズム２０３、２０４の交叉角度を調整することにより、対象物１０上の２次元パターン１２上を照射するように調整することができる。
【００２５】
このように、４本の測定用照明光束１１４〜１１７のビーム位置を対象物１０上の２次元パターン１２上に来るように調整したあと、干渉信号の強度が最大となるなどの影響要素に基づき、ビームウエスト位置を対象物１０上の２次元パターン１２上になるように調整レンズ２０５と２０６との間の間隔を調整する。
本発明の実施の形態では、光源１のある側の調整レンズ２０５を平凸レンズで形成し、対象物１０のある側の調整レンズ２０６を平凹レンズ２０６で形成したので、調整レンズ２０５と調整レンズ２０６との間の間隔を広げるにつれて、ビームウエスト位置は光源側に近づく。
〔３〕 照射光学系３００
照射光学系３００は、図２から図４に示すように、折り返しミラー３０１、３０２及び照射レンズ３０３を備え、第１平面位置測定用照明光束１１４、第２平面位置測定用照明光束１１６、第１法線方向測定用照明光束１１５及び第２法線方向測定用照明光束１１７の４本の光束を対象物１０上の２次元パターン１２上に一点に照射する。
【００２６】
このとき照射光学系３００は、上記補正光学系２００によって所定の補正がされた結果、第１平面位置測定用照明光束１１４、第２平面位置測定用照明光束１１６をいっしょに、対象物１０を含む平面の法線に対して入射角θ１で照射し、第１法線方向測定用照明光束１１５を入射角θ１とは異なる入射角θ２で照射し、第２法線方向測定用照明光束１１７をθ１及びθ２とは異なる入射角θ３で照射する。
照射レンズ３０３を含む照射光学系３００は、ビームウエスト位置調整用の調整レンズ２０５及び調整レンズ２０６が作用しない状態で、すなわち、調整レンズ２０５と調整レンズ２０６とが互いに接触した状態で、ビームウエスト位置がビームウエスト位置調整範囲の最遠点となるように設定されている。
【００２７】
ビームウエスト位置調整用の調整レンズ２０５と調整レンズ２０６との間の間隔を適当に定めることにより、対象物１０上に測定照明光束のビームウエストが来るように調整することができる。種々の調整が終了した時点で、光源１、周波数シフター１０８、１０９及び対象物１０はすべて共役関係を形成する。
対象物１０上の２次元回折パターン１２は市松格子より形成される。この市松格子はＸ方向及びＹ方向に、それぞれ等しいピッチｄを持つ。
対象物１０上の市松格子に入射した４本の測定用照明光束は、この市松格子により反射し、回折する。
今、第１平面位置測定用照明光束１１４のみに注目すると、入射角θと１次光回折光のＸ方向の回折角θｘ及びＹ方向の回折角θｙとの関係は次式で与えられる。
【００２８】
ｓｉｎθｘ＝±λ／ｄ （１）
ｓｉｎθｙ＝ｓｉｎθ±λ／ｄ （２）
（１）式及び（２）式を満たす第１平面位置測定用照明光束の正反射光（回折０次光）、回折１次光のマッピングを、図５及び図６に示す。（２次以上の高次に関しては省略してある。）
図５は対象物１０上の２次元パターン１２に第１平面位置測定用照明光束１１４が、２次元パターン１２の法線１２Ｔに対して角度θで入射した状態を示す。
図６は対象物１０上の２次元パターン１２に４本の測定用照明光束１１４〜１１７が入射した状態を示す。
図７及び図８に示すように、第１平面位置測定用照明光束１１４、第２平面位置測定用照明光束１１６、第１法線方向測定用照明光束１１５及び第２法線方向測定用照明光束１１７は、対象物面法線を軸とし互いに僅かな角度＋α回転させた方向から入射されているので、それぞれの０次光、回折１次光は、他の測定用照明光束の０次光、回折１次光と重ならずに、分離して単独に取り出すことが可能である。
【００２９】
また入射角に関しては、図８に示すように、第１平面位置測定用照明光束１１４及び第２平面位置測定用照明光束１１６は入射角θ１で、第１法線方向測定用照明光束１１５は入射角θ２で、第２法線方向測定用照明光束１１７は入射角θ３で、それぞれ対象物１０上の２次元回折パターン１２に照射される。
図９は、第１平面位置測定用照明光束１１４及び第２平面位置測定用照明光束１１６の０次光及び回折１次光と第１法線方向測定用照明光束１１５及び第２法線方向測定用照明光束１１７の０次光のマッピングである。
本発明の実施の形態においては、図５、図６及び図９に示すように、回折光マッピングが反射回折となっているため、Ｘ軸の正方向は図中で左方向であり、Ｙ軸の正方向は図中で下方向であって、一般の座標系とは異なっている。
【００３０】
受光光学系４００は、図１０、図１１及び図１９に示すように、前記２次元パターン上の反射点から拡がる回折光を受光するように配置される。しかし、電子ビーム描画装置やステッパなどでは描画光学系や投影光学系などの装置の部材７１０がスペースの大半を占めており、受光光学系のためのスペースは限られることが多い。
従って、受光光学系全体の大きさを決める回折角が小さくでき、かつ受光部での各回折光の分岐、重ね合わせが容易になるよう互いに適度な間隔が保たれている配置が要求される。また、照射光学系側も受光光学系側と同様に、装置の部材によりそのスペースは限られている。
受光光学系側で０次光のＹ方向回折角は入射角と同じくθである。１次回折光のＹ方向回折角θｙについて（２）式を参照すると、複合のマイナスの式を満たすθｙはθよりも小さい値になる。つまり、−１次回折光は０次光に対し描画光学系や投影光学系など装置の部材側に現れるため、それらの部材により遮られる傾向がある。
【００３１】
この場合には、受光光学系側と照射光学系側での光束の通過位置は非対称となり、−１次光が装置本来の部材に遮られないように設定すると、入射側により入射角θを大きくとりデットゾーンを設けることとなる。
また、入射角θを大きくすると反射回折光の各偏光成分（Ｓ偏光、Ｐ偏光）の回折効率の差も大きくなり、受光部での重ね合わせ干渉性に影響を及ぼす。ところが（２）式の複合のプラスの式を満たすθｙはθよりも大きく、＋１次回折光は０次光に対し対象物側に現れる。
したがって０次光が部材に遮られていなければ、＋１次光も装置の部材７１０にさえぎられることは無い。よって＋１次光を用いれば入射角θは部材に遮られない範囲で最小の値にでき、偏光成分による回折効率の差を小さくできる。
【００３２】
（２）式の複合のプラスの式と（１）式を同時に満たす１次回折光は、Ｘ方向に＋１次、Ｙ方向に＋１次の回折光とＸ方向に−１次、Ｙ方向に＋１次の回折光である。これらは互いに隣り合う象限（（Ｘ、Ｙ）象限及び（−Ｘ、Ｙ）象限）に含まれており、これらの光線を用いることで受光側光学系の省スペース化にも貢献できる。
図１４は、位置合わせマークで回折された回折光のうち、Ｘ、Ｙ、Ｚ方向の測定に用いる回折光マッピングを示す。
ここで、ｆ１（０）は第１平面位置測定用照明光束１１４が位置合わせマークで回折されたあとの０次の回折光であり、ｆ２（０）は第２平面位置測定用照明光束１１６が位置合わせマークで回折されたあとの０次の回折光である。
【００３３】
ｆ１（Ｘ，Ｙ）は第１平面位置測定用照明光束１１４が位置合わせマークで回折されたあとのＸ方向が＋１次でＹ方向が＋１次の回折光である。
ｆ１（−Ｘ，Ｙ）は第１平面位置測定用照明光束１１４が位置合わせマークで回折されたあとのＸ方向が−１次でＹ方向が＋１次の回折光である。
ｆ２（Ｘ，Ｙ）は第２平面位置測定用照明光束１１６が位置合わせマークで回折されたあとのＸ方向が＋１次でＹ方向が＋１次の回折光である。
ｆ２（−Ｘ，Ｙ）は第２平面位置測定用照明光束１１６が位置合わせマークで回折されたあとのＸ方向が−１次でＹ方向が＋１次の回折光である。
ｆ１’（０）は第１法線方向測定用照明光束１１５が位置合わせマークで回折されたあとの０次の回折光である。
【００３４】
ｆ２’（０）は第２法線方向測定用照明光束１１７が位置合わせマークで回折されたあとの０次の回折光である。
受光光学系を小さくするためのもう一つの方法は、対物レンズ４１０の径を小さくすることである。レンズ径を小さくするためには、０次光と１次光の回折角の差を小さくすればよい。回折角の差を小さくする方法として、（１）式、（２）式より２次元回折パターンのピッチを大きくする、または光源波長λを小さくすることが挙げられる。
通常回折パターンのピッチは数μｍ〜数十μｍ程度である。このときλ＝６３３ｎｍのＨｅ−Ｎｅレーザー光源を用いると、回折角を十分小さくすることができる。また対象物面上にはレジストが塗布されていることが多いが、この波長はレジストを感光しない程度に十分長い波長である。
【００３５】
さらに対物レンズ４０１の光軸と対象物の法線との成す角βを、第１照明光束の０次光と対象物の法線との成す角をθ、第１照明光束の＋１次回折光のＹ方向の回折角をθｙとして次式で与えられるようにする。
β＝（θ＋θｙ）／２
これは０次光と回折１次光の中間の角度で、この光軸を取ることにより対象物から遠い位置に配置しても、レンズ径を小さくできる。また対象物上の反射点から対物レンズまでの距離が長いほど各回折光の間隔が広くなり、受光部での各回折光の分岐、重ね合わせ干渉が容易になるという利点もある。
図１０は、投光光学系及び受光光学系の例で、波長λ＝６３３ｎｍ、第１平面位置測定用照明光束１１４及び第２平面位置測定用照明光束１１６の入射角θ＝７０°、回折格子ピッチｄ＝２０μｍ、照射レンズ３０３の焦点距離は１３３ｍｍ、受光側対物レンズの焦点距離は２２０ｍｍである。
【００３６】
照射レンズ３０３に入射する４本の照明光束は互いに平行で間隔が３ｍｍであるから、この間隔は受光側対物レンズ４０１を通過した後に約５ｍｍとなる。
また、１次光の回折角に関しては、（１）式及び（２）式を用いて、θｘ＝１．８°、θｙ＝７６．２５°となる。受光側対物レンズ４０１の光軸の角度βは７３°で、このときレンズ径はφ４０ｍｍとなり、４本の照明光束を部材７１０に衝突することなく透過させることができる。
受光側対物レンズ４０１は、対象物１０上の反射点から１焦点距離分の位置に配置され、対象物１０上の反射点から拡がる多数の反射回折光を互いに平行にする役割を担う。受光側対物レンズ４０１により互いに平行にされた各回折光は、折り返しミラー４０２、４０３により受光部に導かれ、さらに折り返しミラー４０４、４０５により、０次光及び１次光は同一平面内に納められる。
【００３７】
次に、受光部５００の構成の詳細を図１２に示す。受光部は前記受光光学系４００で受光した回折光の内で、隣り合う象限、ここでは（＋Ｘ、＋Ｙ）象限及び（−Ｘ、＋Ｙ）象限に含まれる第１平面位置測定用照明光束１１４と第２平面位置測定用照明光束１１６の前記２次元パターンによる高次回折光と０次光の組み合わせ及び高次回折光同士の組合せのいずれか一つの異なる周波数の回折光の組み合わせから、対象物を含む平面内での位置測定用干渉測定信号を形成する。
対象物を含む平面内のＸ方向の位置測定用干渉測定信号は、第１平面位置測定用照明光束１１４の前記２次元パターンによる回折光の内で、Ｘ方向に−１次、Ｙ方向に＋１次の回折光５１２と、第２平面位置測定用照明光束１１６の前記２次元パターンによる回折光の内、Ｘ方向に＋１次、Ｙ方向に＋１次の回折光５１４をビームスプリッター５３０で重ね合わせて形成する。Ｘ位置測定用干渉信号をフォトセンサ５５０で受光する。
対象物を含む平面内のＹ方向の位置測定用干渉測定信号は、第１平面位置測定用照明光束１１４の前記２次元パターンによる回折光の内で、Ｘ方向に＋１次、Ｙ方向に＋１次の回折光５１１と、ビームスプリッター５３１で第２平面位置測定用照明光束１１６の０次光５１３から分岐された光線を、ビームスプリッター５３２で重ね合わせ形成する。Ｙ位置測定用干渉測定信号はフォトセンサ５５１で受光する。
【００３８】
対象物を含む平面の法線方向、即ちＺ方向を照射角度θ２で照射した際に得られる第１Ｚ方向位置測定用干渉測定信号は、第２平面位置測定用照明光束１１６の０次光５１３からビームスプリッター５３３で分岐された光線と、第１法線方向測定用照明光束１１５の０次光５１７をビームスプリッター５３４で重ね合わせ形成する。Ｚ位置測定用干渉信号はフォトセンサ５５２で受光する。
対象物を含む平面の法線方向、即ちＺ方向を照射角度θ３で照射した際に得られる第２Ｚ方向位置測定用干渉測定信号は、第１平面位置測定用照明光束１１６の０次光５１０からビームスプリッター５３５で分岐された光線と、第２法線方向測定用照明光束１１５の０次光５１６をビームスプリッター５３６で重ね合わせて形成する。Ｚ位置測定用干渉信号はフォトセンサ５５３で受光する。
【００３９】
受光部ではさらに、第１平面位置測定用照明光束１１４の０次光５１０と第２平面位置測定用照明光束の０次光５１３をミラー５３７を介してビームスプリッター５３８で重ね合わせて、Ｘ位置測定用干渉基準信号兼Ｚ位置測定用基準信号を形成する。Ｘ位置測定用干渉基準信号兼Ｚ位置測定用干渉基準信号は、フォトセンサ５５４で受光する。
また、第１平面位置測定用照明光束１１４の０次光５１０からビームスプリッター５３９で分岐された光線と、第２平面位置測定用照明光束１１６の２次元パターンによる回折光の内で、Ｘ方向に−１次、Ｙ方向に＋１次の回折光５１５をビームスプリッター５４０で重ね合わせ、Ｙ位置測定用干渉基準信号を形成する。Ｙ位置測定用干渉基準信はフォトセンサ５５５で受光する。
【００４０】
各干渉測定信号及び干渉基準信号は僅かに異なる周波数のを持つ二つの光線の重ね合わせ干渉、即ちヘテロダイン干渉によるうなり（ビート信号）である。第１平面位置測定用照明光束及び第１法線方向測定用照明光束（両者を以下「第１測定光束」という）の周波数をｆ１、第２平面位置測定用照明光束及び第２法線方向測定用照明光束の周波数（両者を以下「第２測定光束」という）をｆ２とする。
各光束の２次元回折パターンによる多数の回折光の内、ある回折光の複素振幅を、それぞれ、
ａ１＝Ａ１＊ｅｘｐ［−ｉ（２πｆ１ｔ＋φ１）］
ａ２＝Ａ２＊ｅｘｐ［−ｉ（２πｆ２ｔ＋φ２）］
で表すとする。ただしφ１は第１照明光束の初期位相、φ２は第２照明光束の初期位相、ｔは時間である。
【００４１】
これらの光線を重ね合わせた強度信号は、

となる。ただしΔｆ＝ｆ１−ｆ２である。
これは周波数がΔｆのビート信号で、その位相成分は、
φ１−φ２ （３）
である。
第１照明光束または第２照明光束の対象物上の２次元パターンによる多数の高次回折光の内、Ｘ方向に＋１次、Ｙ方向に＋１次の回折光に注目する。２次元回折パターンを含む対象物がＸ方向にΔＸ、Ｙ方向にΔＹ変位したときこの回折光の位相は、第１照明光束及び第２照明光束のいずれの場合においても、
２π（ΔＸ＋ΔＹ）／ｄ＝φｘ＋φｙ
だけ変化する。ここでｄは２次元回折パターンのピッチである。また対象物のＺ方向の移動に対しても位相は変化するので、その値をφｚとする。
【００４２】
したがって、対象物がＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向に変化したときの、この回折光の位相変化量は、
φｘ＋φｙ＋φｚ （４）
である。
Ｘ方向に−１次、Ｙ方向に＋１次の回折光の場合はφｘの符号が変わり、対象物のＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向の変位に対する位相変化量は、
−φｘ＋φｙ＋φｚ （５）
となる。
０次光は対象物のＸ方向、Ｙ方向の変位に対しては位相は変化せず、Ｚ方向の変位に対してのみ位相変化する。ただし、第１照明光束及び第２照明光束のうち法線方向測定用照明光束は、入射角の違いから対象物のＺ方向の変位ΔＺ対しての位相変化量が異なる。
【００４３】
対象物のＺ方向の変位に対する第１照明光束の位相変化量φｚ及び対象物のＺ方向の変位に対する第２照明光束の位相変化量φｚ’は、
φｚ ＝４πΔＺ／λ＊ｃｏｓθ１ （６）
φｚ’＝４πΔＺ／λ＊ｃｏｓθ２ （７）
で与えられる。
Ｘ位置測定用干渉測定信号の位相成分は、（３）式のφ１に（４）式を代入し、φ２に（５）式を代入して、
（φｘ＋φｙ＋φｚ）−（−φｘ＋φｙ＋φｚ）＝２φｘ （８）
となる。
Ｘ位置測定用干渉基準信号の位相成分は、（３）式のφ１、φ２に（６）式を代入して、
φｚ−φｚ＝０ （９）
となる。
【００４４】
したがって、Ｘ位置測定用干渉測定信号の（８）式とＸ位置測定用干渉基準信号の（９）式はＹ方向の位置情報を等しく含み（この場合０）、（８）式と（９）式の差をとれば２φｘとして、対象物を含む平面内のＸ方向の位置情報が得られる。
Ｙ位置測定用干渉測定信号の位相成分は、（４）式及び（６）式より、
（φｘ＋φｙ＋φｚ）−φｚ＝φｘ＋φｙ (１０）
である。
Ｙ位置測定用干渉基準信号の位相成分は、（５）式及び（６）式より、
φｚ−（−φｘ＋φｙ＋φｚ) ＝φｘ−φｙ （１１）
である。
【００４５】
したがって、Ｙ位置測定用干渉測定信号の（９）式とＹ位置測定用干渉基準信号の（１０）式は、Ｘ方向の位置情報を等しく含み、（９）式と（１０）式の差をとれば２φｙとして、対象物を含む平面内のＹ方向の位置情報が得られる。
また、第１Ｚ位置測定用干渉測定信号の位相成分は、（６）式及び（７）式より、
φｚ’−φｚ＝４π（ｃｏｓθ２−ｃｏｓθ１）／λ＊ΔＺ (１２）
となり、また、第２Ｚ位置測定用干渉測定信号の位相成分は、（６）式及び（７）式より、
φｚ’−φｚ＝４π（ｃｏｓθ３−ｃｏｓθ１）／λ＊ΔＺ (１３）
となり、これはΔＺに比例した値である。
【００４６】
Ｚ位置測定用干渉基準信号（兼Ｘ位置測定用干渉基準信号）の位相成分は、式 (９）より０である。
したがって、 (１２）式と (９）式の差をとれば、Ｚ方向 (対象物を含む平面の法線方向）の位置情報がそのまま (１２）式として得られる。
第１Ｚ位置測定用干渉信号とＺ位置測定用干渉基準信号との位相差Φｚ１（ΔＺ）及び第２Ｚ位置測定用干渉信号とＺ位置測定用干渉基準信号との位相差Φｚ２（ΔＺ）は、（１２）式及び（１３）式より、それぞれ、
Φｚ１（ΔＺ）＝４π（ｃｏｓθ１−ｃｏｓθ２）／λ＊ΔＺ
Φｚ２（ΔＺ）＝４π（ｃｏｓθ１−ｃｏｓθ３）／λ＊ΔＺ
で与えられる。ここでは、Ｚ位置測定用干渉基準信号からＺ位置測定用干渉信号を引くこととする（つまり括弧の中の符号が反転する）。
【００４７】
いま、第１Ｚ位置測定用干渉信号の検出ストロークをＺ１、第２Ｚ位置測定用干渉信号の検出ストロークをＺ２とする（Ｚ１＞Ｚ２）。
ΔＺ＝Ｚ１で、Φｚ１（ΔＺ）＝２π、
ΔＺ＝Ｚ２で、Φｚ２（ΔＺ）＝２π
となるから、
Φｚ１（ΔＺ）＝２π／Ｚ１＊ΔＺ （ａ）
Φｚ２（ΔＺ）＝２π／Ｚ２＊ΔＺ （ｂ）
と表せられる。図１３の左側の波形中、実線は（ａ）式の信号を示し、点線は（ｂ）式の信号を示している。
Φｚ２（ΔＺ）とΦｚ１（ΔＺ）の差、つまり（ｂ）式と（ａ）式の差をとると、

となる。
【００４８】
（ａ）式、（ｂ）式と（ｃ）式の形を見比べると、（ｃ）式は検出ストロークがＺ１＊Ｚ２／（Ｚ１−Ｚ２）のＺ位置測定用干渉信号を表していると考えることができる。この（ｃ）式の信号は、図１３右側の波形として示してある。
式よりθ２＝７０．３９°、θ３＝７０．４８°とすれば、Ｚ１＝ ５０μｍ、Ｚ２＝４０μｍとなる。これらを（ｃ）式に代入すると、
ΔΦ（ΔＺ）＝２π／２００μｍ＊ΔＺ
となる。したがってストロークが２００μｍのＺ位置測定用干渉信号が得られる。このときサンプル数は、ストロークが５０μｍで分解能が２５ｎｍのときの２０００に等しい。つまり、分解能が２５ｎｍ、サンプル数２０００のまま検出ストローク、すなわち検出可能な範囲を２００μｍに拡大することができる。
【００４９】
いま、各方向の位置測定用干渉基準信号を便宜上、Ｘ方向が式（９）式、Ｙ方向が（１１）式、Ｚ方向が（９）式としたが、これをＸ方向が（８）式、Ｙ方向が（１０）式、Ｚ方向が（１２）式としても符号が反転するだけで、各方向の位置情報を得ることができる。
（１３）式より、所望のＺ検出ストロークを得るための第１法線方向測定照明光束の入射角θ２が求まる。
例えば、（１２）式において５０μｍの検出ストロークが得たい場合、左辺に２π、右辺のΔＺに５０μｍを代入する。
ただし、θ２の値はθ１よりも大きく、つまり、第１照明光束よりも対象物側にとりたいので、第２Ｚ位置測定用干渉基準信号から第１Ｚ位置測定用干渉基準信号を引くと、
２π＝４π（ｃｏｓ７０°−ｃｏｓθ２）／６３３ｎｍ×５０μｍ
これより、θ２＝７０．３９°を得る。
【００５０】
信号処理部６００は、位置測定用干渉測定信号の位相に基づき対象物を含む平面内及び対象物を含む平面の法線方向の位置を求める。Ｘ方向の位置測定用干渉測定信号はフォトセンサ５５０で受光し、Ｘ位置測定用干渉基準信号はフォトセンサ５５４で受光する。フォトセンサ５５０とフォトセンサ５５４で受光した信号の位相差を位相計６１０で測定する。
Ｙ位置測定用干渉測定信号はフォトセンサ５５１で受光し、Ｙ位置測定用干渉基準信号はフォトセンサ５５５で受光する。フォトセンサ５５１とフォトセンサ５５５で受光した信号との位相差を位相計６１１で測定する。
第１Ｚ方向位置測定用干渉測定信号は、フォトセンサ５５２で受光し、Ｚ位置測定用基準信号はフォトセンサ５５４で受光する。
【００５１】
フォトセンサ５５２で受光した信号とフォトセンサ５５４で受光した信号との位相差を位相計６１２で測定する。
第２Ｚ方向位置測定用信号は、フォトセンサ５５３で受光し、Ｚ方向位置測定用基準信号はフォトセンサ５５４で受光する。
フォトセンサ５５３で受光した信号とフォトセンサ５５４で受光した信号との位相差を位相計６１３で測定する。
演算処理部６２０は、位相計６１０の位相差に基づき対象物を含む平面内のＸ方向の位置を求め、位相計６１１の位相差に基づき対象物を含む平面内のＹ方向の位置を求め、そして、位相計６１２及び６１３の位相差に基づき対象物を含む平面内のＺ方向の位置を求める。演算処理部６２０で、対象物のＸＹＺ変位に対し、各方向の変位成分を独立に測定することが可能となり、これにより、対象物の位置合わせを初めとする種々の制御を行うことができる。
〔４〕 電子線描画装置
本発明の荷電粒子線装置に適用する位置測定装置は、電子線描画装置のような荷電粒子線装置だけでなく、半導体露光装置などの対象物の位置合わせを正確に行うことを必要とする装置にも広く適用することができる。
【００５２】
ここで、電子線描画装置を一例にとって説明する。図１５を参照すると、電子線描画装置は、電子線を発生する電子銃、電子ビームの向きを変更するＸ方向走査電極及びＹ方向走査電極などを内蔵した電子光学系７３０と、使用の際において真空状態とされるチャンバー内に配置される描画対象物７３２を載置可能とし、その水平面内のＸ、Ｙ方向及び法線方向であるＺ方向に移動可能とするステージ７３４とを備える。
そして、位置測定装置の照明光学系１００、補正光学系２００及び照射光学系３００を含む照明側光学筐体７４０と、受光光学系４００を含む受光側光学筐体７４２をステージ７３４の両側に配置する。照明側光学筐体７４０及び受光側光学筐体７４２は、電子光学系７３０等の電子線描画装置の各構成部品の取付け位置及びそれらの最大作動範囲をさけるように配置されている。そして、照明側光学筐体７４０から照射して受光側光学筐体７４２に入射される光束が、電子光学系７３０等の電子線描画装置の各構成部品の取付け位置及びそれらの最大作動範囲をさけて透過することができるように、照明側光学筐体７４０及び受光側光学筐体７４２は配置されている。
【００５３】
電子線描画装置は、制御回路からの種々の信号に応じて、電子光学系及びステージが所定の動作を行い描画対象物となるマスクやウエハなどに所定のパターンを電子線によって形成するものである。
〔５〕 荷電粒子線装置の荷電粒子線のドリフトの回避
図２０を参照すると、本発明の荷電粒子線装置８００において、荷電粒子鏡筒８０１から放出される荷電粒子により加工される加工対象物８０５が、アースと接続されているチャンバー８１０の内部に配置される。加工対象物８０５は、あらかじめ位置の基準を出してある基準片８０６に対して、加工対象物８０５の上面をつきあてて固定されている。基準片８０６はステージ８２４に固定されている。
【００５４】
２次元パターン８２２が、加工対象物８０５の表面の一部分に設けられている。加工対象物８０５の位置を測定するための位置測定装置は照明側光学鏡筒８０２及び受光側光学鏡筒８３０を備えている。照明側光学鏡筒８０２の照射した光は加工対象物８０５の２次元パターン８２２により回折されて、受光側光学鏡筒８３０に入射されるように、照明側光学鏡筒８０２及び受光側光学鏡筒８３０は位置決めされている。
位置測定装置の照明側光学鏡筒８０２に設けられた光源（図示せず）が発した光を２次元パターン８２２に照射するための照射側窓部８０７がチャンバー８１０の一部に設けられる。照射側窓部８０７は光学ガラスにより形成され、照射側窓部８０７の内側、すなわち、チャンバー８１０に面する側には、透過性を有する導電性のコーティング８０９が形成されている。
【００５５】
２次元パターン８２２により回折した光を受光するための受光側窓部８３２がチャンバー８１０の一部に設けられる。受光側窓部８３２は光学ガラスにより形成され、受光側窓部８３２の内側、すなわち、チャンバー８１０に面する側には、透過性を有する導電性のコーティング８３４が形成されている。
透過性を有する導電性のコーティングは、照射側窓部８０７及び受光側窓部８３２の少なくとも一方に設けられているが、照射側窓部８０７及び受光側窓部８３２の両方に設けられるのがなお一層好ましい。
透過性を有する導電性コーティングとしては、インジウムすず酸化膜（ＩＴＯ膜）が好ましい。インジウムすず酸化膜は、Ｉｎ₂ Ｏ₃ に耐熱性の高いＳｎＯ₃ をドープした膜である。
【００５６】
ＩＴＯ膜の屈折率は、約２．０程度である。これに対して、光学ガラスの屈折率は、約１．５である。光学ガラスにＩＴＯ膜を形成すると、これらの屈折率差から干渉効果が生じるために、ＩＴＯ膜が形成された光学ガラスの透過率は、ＩＴＯ膜の光学膜厚に応じて周期的に変化を生じる。
本発明においては、光量損失をなるべく防ぎたいので、なるべく高い透過率となるように光学膜厚を設定することが望まれる。
このような適切な膜厚に設定する目安の一つとして、使用波長をλとして、光学膜厚をほぼλ／４の偶数倍の厚さに設定するのが好ましい。
ここで、光学膜厚は、屈折率と実際の膜厚の積で求められる。
ヘリウム・ネオン・レーザは、通常、使用波長λが６３３ｎｍである。従って、上記の条件を満たすには、導電性コートとしてインジウムすず酸化膜を用いた場合、その屈折率は約２．０であることから、実際の膜厚は約１５０ｎｍ×２で約３００ｎｍとなる。
【００５７】
ここで、λ／４は６３３／４ｎｍで約１５８ｎｍであるので、この約３００ｎｍは、約１５８ｎｍの２倍に近い値である。従って、この場合には、光学膜厚はλ／４の整数倍、すなわち、約２倍に近い値となっている。
照射側窓部８０７に形成された導電性のコーティング８０９は、照明側光学鏡筒８０２を介してチャンバー８１０に電気的に接続され、アースされている。また、受光側窓部８３２に形成された導電性のコーティング８３４は、受光側光学鏡筒８０２を介してチャンバー８１０に電気的に接続され、アースされている。この構成により、導電性のコーティングの表面に付着した電子を確実に放電させることができる。
本発明の構成によれば、位置測定装置の光学部品のチャージアップによる荷電粒子線のドリフトを効果的に防ぐことができる。従って、荷電粒子線装置で加工対象物８０５を加工するときに生じる加工屑が位置測定装置の光学部品に吸着するのを効果的に減らすことができる。その結果、位置測定装置の光学的性能の劣化を防ぐことができる。
〔６〕 電子線描画装置によるマスク等の加工
具体的には、位置測定装置を適用した電子線描画装置により、エンコーダのパターン、位相シフトマスク等の半導体製造用マスクを加工することができる。
【００５８】
また、位置測定装置を適用した半導体露光装置により、半導体ウェハ、半導体製造用マスクを加工することができる。
電子線描画装置又は半導体露光装置に、位置測定装置の照明側光学部材及び受光側光学部材が、電子線描画装置又は半導体露光装置の各構成部品の取付け位置及びそれらの最大作動範囲をさけ、かつ、照明側光学部材から照射して受光側光学部材に入射される光束が、電子線描画装置又は半導体露光装置の各構成部品の取付け位置及びそれらの最大作動範囲をさけて透過することができるように、照明側光学部材及び受光側光学部材を配置する。
次に、２次元パターンを表面の一部分に設けてある加工対象物を、電子線描画装置又は半導体露光装置のチャンバー内のステージに固定する。
【００５９】
次に、位置測定装置の照明側光学部材に設けられた光源により２次元パターンに光を照射する。
次に、位置測定装置の受光側光学部材が入射した回折光に基づいて加工対象物の位置を測定する。位置の測定は、上述したように、照明側光学部材により複数の測定用照明光束を２次元パターンに照射し、この２次元パターンからの回折光を受光側光学部材により受光し、受光側光学部材が測定用干渉信号を形成し、この測定用干渉信号の位相に基づいて加工対象物の位置を測定することにより行う。
次に、位置の測定結果に基づいて加工対象物を取付けたステージをＸ方向、Ｙ方向及びＺ方向に移動させる。
【００６０】
次に、電子線描画装置又は半導体露光装置によって、加工対象物の表面の加工を行う。
例えば、ウエハ上に電子回路を製造する場合の工程を以下に説明する。
まず、回路図をもとにパターンを作り、この原図をパターンジェネレータで縮写する。次に、パターンジェネレータで作成したレクチルをさらに縮写して、実際の大きさのマスクを作る。
次に、スピンナを用いてウエハにフォトレジストを塗布する。次に、ウエハを真空吸着して固定し、ウエハ上にフォトレジストをたらして回転させる。次に、この状態のウエハを加熱、乾燥させる。次に、このウエハにフォトマスクを通して紫外線を当てて、回路パターンを転写する。次に、紫外線を当てたあと、ウエハを溶剤に入れて紫外線が当たらずに反応しなかったフォトレジストだけを溶かす。次に、このウエハを加熱する。次に、酸化膜だけ溶かす溶剤にウエハを入れる。次に、残ったフォトレジストを溶剤で溶かす。
【００６１】
このような工程を何度も行うことにより、ウエハ上の酸化膜を加工して、不純物の拡散を行い、ウエハ上に電子回路を製造する。
【００６２】
【発明の効果】
（１）本発明により、荷電粒子線装置の荷電粒子線の照射口の近傍で、位置測定装置に組み込まれている光学部品がチャージアップすると発生する荷電粒子線のドリフトの発生を防ぐことができる。
（２）本発明によれば、荷電粒子線装置による加工対象物の加工や測定を正確におこなうことができる。
（３）本発明の位置測定装置を適用した電子線描画装置により、エンコーダのパターン、位相シフトマスク等の半導体製造用マスクを高精度で加工することができる。
また、位置測定装置を適用した半導体露光装置により、半導体ウェハ、半導体製造用マスクを高精度で加工することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の位置測定装置の実施の形態の光学系を示す概略図である。
【図２】本発明の位置測定装置の実施の形態の調整光学系及び照射光学系を示す斜視図である。
【図３】本発明の位置測定装置の実施の形態の調整光学系及び照射光学系を示す平面図である。
【図４】本発明の位置測定装置の実施の形態の調整光学系及び照射光学系を示す側面図である。
【図５】本発明の位置測定装置の実施の形態における対象物上の２次元回折パターンによる第１平面位置測定用照明光束の回折光マッピングである。
【図６】本発明の位置測定装置の実施の形態における対象物上の２次元回折パターンに測定用照明光束が入射した状態を示す斜視図である。
【図７】本発明の位置測定装置の実施の形態における対象物上の２次元回折パターンに測定用照明光束が入射した状態を示す平面図である。
【図８】本発明の位置測定装置の実施の形態における対象物上の２次元回折パターンに測定用照明光束が入射した状態を示す側面図である。
【図９】本発明の位置測定装置の実施の形態における対象物上の２次元回折パターンによる平面位置測定用照明光束と法線方向測定用照明光束の回折光マッピングである。
【図１０】本発明の位置測定装置の実施の形態における平面位置測定用照明光束と法線方向測定用照明光束及びその回折光との装置部材との位置関係を示す側面図である。
【図１１】本発明の位置測定装置の実施の形態における平面位置測定用照明光束と法線方向測定用照明光束及びその回折光との装置部材との位置関係を示す平面図である。
【図１２】本発明の位置測定装置の実施の形態の受光光学系の構成を示す概略ブロック線図である。
【図１３】本発明の位置測定装置の実施の形態の信号波形図である。
【図１４】本発明の位置測定装置の実施の形態における位置合わせマークで回折された回折光のうち、Ｘ、Ｙ、Ｚ方向の測定に用いる回折光マッピングである。
【図１５】本発明の位置測定装置を適用した電子線描画装置の実施の形態の概略部分断面図である。
【図１６】本発明の位置測定装置の実施の形態の図１の照明光学系の部分の部分拡大図である。
【図１７】本発明の位置測定装置の実施の形態の図１の対象物の部分の部分拡大図である。
【図１８】本発明の位置測定装置の実施の形態の図１の受光光学系の部分の部分拡大図である。
【図１９】本発明の位置測定装置の実施の形態の図１１の対象物の部分の部分拡大図である。
【図２０】本発明の荷電粒子線装置の実施の形態の概略部分断面図である。
【符号の説明】
１ 光源
１０ 対象物
１２ ２次元回折パターン
１００ 照明光学系
１０２ リレーレンズ
１０３ ビームスプリッター
１０４ 第１照明光束
１０５ 第２照明光束
１０６、１０７ リレーレンズ
１０８ 第１周波数シフター
１０９ 第２周波数シフター
１１０ 第１測定用照明光束
１１１ 第２測定用照明光束
１１２、１１３ ビームスプリッター
１１４ 第１平面位置測定用照明光束
１１５ 第１法線方向測定用照明光束
１１６ 第２平面位置測定用照明光束
１１７ 第２法線方向測定用照明光束
２００ 補正光学系
２０１、２０２ 平行平面板
２０３、２０４ ウエッジプリズム
２０５、２０６ フォーカスレンズ
３００ 照射光学系
３０１、３０２ 折り返しミラー
３０３ 照射レンズ
４００ 受光光学系
４０１ 受光側対物レンズ
４０２〜４０５ 折り返しミラー
５００ 受光部
５１２ 第１平面位置測定用照明光束の（−１、＋１）次回折光
５１４ 第２平面位置測定用照明光束の（＋１、＋１）次回折光
５１５ 第２平面位置測定用照明光束の（−１、＋１）次回折光
５１１ 第１平面位置測定用照明光束の（＋１、＋１）次回折光
５１０ 第１平面位置測定用照明光束の０次光
５１３ 第２平面位置測定用照明光束の０次光
５１７ 第１法線方向測定用照明光束の０次光
５１６ 第２法線方向測定用照明光束の０次光
５５０〜５５５ フォトセンサ
６００ 信号処理部
６１０ 位相計（Ｘ）
６１１ 位相計（Ｙ）
６１２ 位相計（Ｚ１）
６１３ 位相計（Ｚ２）
６２０ 演算処理部
８００ 荷電粒子線装置
８０２ 照明側光学鏡筒
８０５ 加工対象物
８０６ 基準片
８０７ 照射側窓部
８０９ 導電性のコーティング
８１０ チャンバー
８２２ ２次元パターン
８２４ ステージ
８３０ 受光側光学鏡筒
８３２ 受光側窓部
８３４ 導電性のコーティング

Claims (5)

1. 荷電粒子線を用いて、チャンバー内に配置された対象物の加工や測定を行う荷電粒子線装置において、
   アースと接続されているチャンバーと、
   対象物の位置を測定するために、前記対象物上に設けられたパターンに向けて照射する測定光束となるコヒーレント光を発する光源部と、
   前記チャンバーの一部を形成する照射側窓部を介して、前記測定光束を所定の入射角で前記対象物上のパターンに照射する照射光学系と、
   前記チャンバーの一部を形成する受光側窓部を介して、前記対象物上のパターンからの反射光を受光する受光光学系と、
   前記受光光学系からの反射光を受光する受光部と、
   前記受光部からの信号に基づき前記対象物の位置を求める信号処理部とを有し、
   前記照射側窓部及び前記受光側窓部は、それぞれの内面が導電性の材質により形成され、
   前記導電性の材質は、前記チャンバーに電気的に接続され、アースされている、
   ことを特徴とする荷電粒子線装置。
2. 前記照射側窓部及び前記受光側窓部は、それぞれ光学ガラスで形成され、前記照射側窓部及び前記受光側窓部のそれぞれの内面は、導電性のコートにより形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の荷電粒子線装置。
3. 前記照射側窓部及び前記受光側窓部にそれぞれ設けられる導電性のコートは、インジウムすず酸化膜（ＩＴＯ膜）で形成され、前記光源部から発するコヒーレント光の波長をλとした場合、その光学膜厚が約λ／４の整数倍に設定されていることを特徴とする、請求項２に記載の荷電粒子線装置。
4. 前記光源部はコヒーレント光を発するもので構成し、前記光源部の発するコヒーレント光から、周波数が互いに異なる第１平面位置測定用照明光束と第２平面位置測定用照明光束とを形成する周波数シフター部を備え、
   前記照射光学系は、前記光源からの照明光束を第１平面位置測定用照明光束として、前記周波数シフター部からの前記第２平面位置測定用照明光束とを、前記対象物上の２次元パターンを照射し、
   前記受光光学系は前記２次元パターンからの回折光を受光し、
   前記受光部は、前記受光光学系で受光した回折光の内で、周波数が異なる回折光の組を、０次光に対して対象物側に現れる高次回折光と０次回折光の組み合わせ及び０次光に対して対象物側に現れる高次回折光同士の組み合わせに基づいて、前記対象物の２次元パターンを設けた平面内での位置測定用干渉測定信号を形成し、
   前記信号処理部は、位置測定用干渉測定信号の位相に基づき前記対象物の２次元パターンを設けた平面内での位置を求めるように構成されている、
   ことを特徴とする、請求項１から３のいずれか１項に記載の荷電粒子線装置。
5. 前記受光部は、第１照明光束と第２照明光束の前記２次元パターンによる高次回折光同士の異なる周波数の回折光の組み合わせから対象物の２次元パターンを含む平面内でのＸ方向の位置測定用干渉信号を形成し、第１照明光束と第２照明光束の前記２次元パターンによる高次回折光と０次回折光の組み合わせから対象物の２次元パターンを設けた平面内でのＹ方向の位置測定用干渉信号を形成し、
   前記信号処理部は、Ｘ位置測定用干渉信号の位相に基づきＸ方向の位置を、Ｙ位置測定用干渉信号の位相に基づきＹ方向の位置を求めるように構成されている、
   ことを特徴とする、請求項１から４のいずれか１項に記載の荷電粒子線装置。

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