JPH06184750A - 複合体およびその製法 - Google Patents
複合体およびその製法Info
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- JPH06184750A JPH06184750A JP4342987A JP34298792A JPH06184750A JP H06184750 A JPH06184750 A JP H06184750A JP 4342987 A JP4342987 A JP 4342987A JP 34298792 A JP34298792 A JP 34298792A JP H06184750 A JPH06184750 A JP H06184750A
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【構成】反応炉内に基体を設置するとともに、金属又は
セラミックス生成用反応ガスを導入し、基体１の表面に
金属又はセラミックスからなるマトリックス２を析出さ
せると同時に基体１表面にダイヤモンド粒子あるいは立
方晶窒化ホウ素粒子の硬質粒子３を堆積させて、基体１
表面にマトリックス２中にダイヤモンド粒子あるいは立
方晶窒化ホウ素粒子の硬質粒子３を分散含有する複合膜
を被覆した複合体を得る。 【効果】基体表面にダイヤモンドや立方晶窒化ホウ素特
性を有した複合体を安価に製造することができ、切削工
具や各種の耐摩耗部品として好適に利用することができ
る。
セラミックス生成用反応ガスを導入し、基体１の表面に
金属又はセラミックスからなるマトリックス２を析出さ
せると同時に基体１表面にダイヤモンド粒子あるいは立
方晶窒化ホウ素粒子の硬質粒子３を堆積させて、基体１
表面にマトリックス２中にダイヤモンド粒子あるいは立
方晶窒化ホウ素粒子の硬質粒子３を分散含有する複合膜
を被覆した複合体を得る。 【効果】基体表面にダイヤモンドや立方晶窒化ホウ素特
性を有した複合体を安価に製造することができ、切削工
具や各種の耐摩耗部品として好適に利用することができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ダイヤモンド粒子や立
方晶窒化ホウ素粒子などの硬質粒子を含有する複合膜を
形成した複合体およびその製法に関し、特に切削工具や
耐摩耗材料に適した複合体に関する。
方晶窒化ホウ素粒子などの硬質粒子を含有する複合膜を
形成した複合体およびその製法に関し、特に切削工具や
耐摩耗材料に適した複合体に関する。
【０００２】
【従来技術】従来より、セラミックスは、所定のセラミ
ック原料粉末を成形し焼成することによって製造され、
そのモノリシック材料の優れた特性を広い分野に適用し
てきたが、さらなる特性の向上を図るために、近年、特
性の異なる物質同士の複合材料が開発されている。
ック原料粉末を成形し焼成することによって製造され、
そのモノリシック材料の優れた特性を広い分野に適用し
てきたが、さらなる特性の向上を図るために、近年、特
性の異なる物質同士の複合材料が開発されている。
【０００３】代表的な複合材料としては、ウイスカーな
どの繊維体や特殊な粒子（超微粒子を含む）などを所定
の材料中に分散させて機械的特性を高めたものが知られ
ている。また、所定の基板表面に特定のセラミックスか
らなる膜を形成することにより基板材料の表面特性を改
善するなどの試みが行われている。
どの繊維体や特殊な粒子（超微粒子を含む）などを所定
の材料中に分散させて機械的特性を高めたものが知られ
ている。また、所定の基板表面に特定のセラミックスか
らなる膜を形成することにより基板材料の表面特性を改
善するなどの試みが行われている。
【０００４】一方、セラミックからなる膜を形成する代
表的な方法として、気相成長法（ＣＶＤ法）が知られて
いる。この気相合成法は、例えば、セラミックを生成可
能な複数種の反応ガスを、内部に基体が設置された所定
の反応炉内に導入し、気相中において反応ガス同士を反
応させて基体表面にセラミック膜をさせるものである。
このような成膜方法によれば、焼結法によるセラミック
スに比較して焼結助剤等を含まないために高純度であ
り、そのセラミックスの本来の特性を引き出すことがで
きることから、その応用研究が進められている。
表的な方法として、気相成長法（ＣＶＤ法）が知られて
いる。この気相合成法は、例えば、セラミックを生成可
能な複数種の反応ガスを、内部に基体が設置された所定
の反応炉内に導入し、気相中において反応ガス同士を反
応させて基体表面にセラミック膜をさせるものである。
このような成膜方法によれば、焼結法によるセラミック
スに比較して焼結助剤等を含まないために高純度であ
り、そのセラミックスの本来の特性を引き出すことがで
きることから、その応用研究が進められている。
【０００５】その具体的な例としては、超硬合金やセラ
ミックなどの基体表面に高硬度の材料として知られるダ
イヤモンドを気相成長法により析出させることにより耐
摩耗性を向上させ、切削工具やその他の耐摩耗部品に適
用することが検討されている。その他、立方晶窒化ホウ
素もダイヤモンドと並び高硬度の材料として各種の応用
が進められている。
ミックなどの基体表面に高硬度の材料として知られるダ
イヤモンドを気相成長法により析出させることにより耐
摩耗性を向上させ、切削工具やその他の耐摩耗部品に適
用することが検討されている。その他、立方晶窒化ホウ
素もダイヤモンドと並び高硬度の材料として各種の応用
が進められている。
【０００６】
【発明が解決しようとする問題点】しかしながら、従来
のダイヤモンドや立方晶窒化ホウ素などの硬質膜を被覆
した複合体によれば、硬質膜と基体との密着性が小さい
ために膜剥離が生じやすく、その利用分野が限られるな
どの制約があり、しかも例えば従来の気相成長法によれ
ば、ダイヤモンド膜の成長速度が非常に遅いために量産
性に欠け、コストが高くなるという問題がある。
のダイヤモンドや立方晶窒化ホウ素などの硬質膜を被覆
した複合体によれば、硬質膜と基体との密着性が小さい
ために膜剥離が生じやすく、その利用分野が限られるな
どの制約があり、しかも例えば従来の気相成長法によれ
ば、ダイヤモンド膜の成長速度が非常に遅いために量産
性に欠け、コストが高くなるという問題がある。
【０００７】また、ダイヤモンドや立方晶窒化ホウ素な
どの膜以外のセラミック膜を形成する場合においても、
高速で成長させることが必要であるが、その場合、膜中
に積層欠陥が大量に形成されるために内部応力が大きく
なり、合成した膜に亀裂が生じるという問題があった。
しかも、気相成長法の特有の性質として、膜生成時の結
晶の配向により結晶が柱状に大きくなり、この結晶の異
常成長粒子により膜自体の強度が低下し、膜中の応力に
より膜が破損する等の問題があった。
どの膜以外のセラミック膜を形成する場合においても、
高速で成長させることが必要であるが、その場合、膜中
に積層欠陥が大量に形成されるために内部応力が大きく
なり、合成した膜に亀裂が生じるという問題があった。
しかも、気相成長法の特有の性質として、膜生成時の結
晶の配向により結晶が柱状に大きくなり、この結晶の異
常成長粒子により膜自体の強度が低下し、膜中の応力に
より膜が破損する等の問題があった。
【０００８】
【問題を解決するための手段】本発明者は、上記の問題
点に対して検討を重ねた結果、所定の基体表面にセラミ
ックスを従来法の気相成長法により生成させると同時
に、ダイヤモンド粒子あるいは立方晶窒化ホウ素粒子を
基板に堆積させることにより、セラミック膜中にダイヤ
モンド粒子あるいは立方晶窒化ホウ素粒子からなる硬質
粒子を分散させることができ、それによりマトリックス
を構成する金属又はセラミックスの特性を高めることが
できることを見出した。
点に対して検討を重ねた結果、所定の基体表面にセラミ
ックスを従来法の気相成長法により生成させると同時
に、ダイヤモンド粒子あるいは立方晶窒化ホウ素粒子を
基板に堆積させることにより、セラミック膜中にダイヤ
モンド粒子あるいは立方晶窒化ホウ素粒子からなる硬質
粒子を分散させることができ、それによりマトリックス
を構成する金属又はセラミックスの特性を高めることが
できることを見出した。
【０００９】即ち、本発明は、所定の基体表面に、金属
又はセラミックスまたはそれらの混合体からなり、且つ
気相法により生成されたマトリックス中にダイヤモンド
粒子あるいは立方晶窒化ホウ素粒子を分散含有する膜を
被覆したことを特徴とする複合体に関するもので、かか
る複合体の製法として、反応炉内に基体を設置するとと
もに、金属又はセラミックス生成用反応ガスを導入し、
前記基体の表面に金属又はセラミックスを析出させると
同時に前記基板表面にダイヤモンド粒子或いは立方晶窒
化ホウ素粒子を堆積させることを特徴とするものであ
る。
又はセラミックスまたはそれらの混合体からなり、且つ
気相法により生成されたマトリックス中にダイヤモンド
粒子あるいは立方晶窒化ホウ素粒子を分散含有する膜を
被覆したことを特徴とする複合体に関するもので、かか
る複合体の製法として、反応炉内に基体を設置するとと
もに、金属又はセラミックス生成用反応ガスを導入し、
前記基体の表面に金属又はセラミックスを析出させると
同時に前記基板表面にダイヤモンド粒子或いは立方晶窒
化ホウ素粒子を堆積させることを特徴とするものであ
る。
【００１０】
【作用】本発明によれば、反応ガスによりマトリックス
成分を析出させると同時に、基体表面にダイヤモンド粒
子や立方晶窒化ホウ素粒子などの硬質粒子を堆積させる
ことにより、図１に示すように、基体１の表面に、マト
リックス２中にダイヤモンド粒子あるいは立方晶窒化ホ
ウ素粒子の硬質粒子３を分散含有する複合膜を被覆した
複合体を得ることができる。このように膜中に硬質粒子
を含有させることにより、膜自体の特性を向上させると
ともに、その表面にダイヤモンドや立方晶窒化ホウ素の
特性を有した複合体を安価に製造することができる。
成分を析出させると同時に、基体表面にダイヤモンド粒
子や立方晶窒化ホウ素粒子などの硬質粒子を堆積させる
ことにより、図１に示すように、基体１の表面に、マト
リックス２中にダイヤモンド粒子あるいは立方晶窒化ホ
ウ素粒子の硬質粒子３を分散含有する複合膜を被覆した
複合体を得ることができる。このように膜中に硬質粒子
を含有させることにより、膜自体の特性を向上させると
ともに、その表面にダイヤモンドや立方晶窒化ホウ素の
特性を有した複合体を安価に製造することができる。
【００１１】硬質粒子と基体とはその熱膨張係数差が大
きいために密着性が低いが、本発明によれば、膜中の硬
質粒子の含有量を内部から表面にかけて多く存在させる
と、基体の熱膨張係数に近似したマトリックスを選択す
ることにより、膜の基体との密着性を向上することがで
きる。
きいために密着性が低いが、本発明によれば、膜中の硬
質粒子の含有量を内部から表面にかけて多く存在させる
と、基体の熱膨張係数に近似したマトリックスを選択す
ることにより、膜の基体との密着性を向上することがで
きる。
【００１２】また、ダイヤモンド粒子の分散により膜の
マトリックス成分の結晶成長が抑制され、巨大な柱状結
晶粒の生成を防止し、比較的微細な結晶粒からなるマト
リックスを得ることができる。これにより、巨大な柱状
結晶粒による膜の破壊が防止される。
マトリックス成分の結晶成長が抑制され、巨大な柱状結
晶粒の生成を防止し、比較的微細な結晶粒からなるマト
リックスを得ることができる。これにより、巨大な柱状
結晶粒による膜の破壊が防止される。
【００１３】さらに、本発明の方法によれば、マトリッ
クス成分のみの気相成長法による成膜に比較して硬質粒
子が堆積することから膜全体の形成速度を高めることが
できる。
クス成分のみの気相成長法による成膜に比較して硬質粒
子が堆積することから膜全体の形成速度を高めることが
できる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を図面を参照しつつ説明する。
図１は、本発明の複合体を製造するための膜形成装置の
概略配置図である。図中、４は反応炉、５は基体、６は
膜生成用反応ガス導入管、７は硬質粒子導入管、８は基
体を加熱するためのヒータ、９は硬質粒子の保持容器で
ある。基体５は炉壁よりも７０℃低くなるようにガス冷
却をほどこしており、熱泳動によって硬質粒子が効率良
く膜中に取り込まれるようにしている。
図１は、本発明の複合体を製造するための膜形成装置の
概略配置図である。図中、４は反応炉、５は基体、６は
膜生成用反応ガス導入管、７は硬質粒子導入管、８は基
体を加熱するためのヒータ、９は硬質粒子の保持容器で
ある。基体５は炉壁よりも７０℃低くなるようにガス冷
却をほどこしており、熱泳動によって硬質粒子が効率良
く膜中に取り込まれるようにしている。
【００１５】本発明によれば、反応炉４内に所定の基体
５を設置し、その反応炉４にマトリックス生成用の反応
ガスをガス導入管６から反応炉４内に導入する。一方、
容器９には粒径が０．０１乃至０．１μｍ程度の超微粒
ダイヤモンド粒子や立方晶窒化ホウ素などの硬質粒子が
設置されており、容器内に間歇的に水素ガスなどのガス
を流すことにより、硬質粒子が導入管７を通って反応炉
４に輸送される。硬質粒子を輸送するためのキャリアガ
スとしては、窒素やＡｒ等の不活性ガスの他に、水素や
マトリックス生成用反応ガスを用いることもできる。
５を設置し、その反応炉４にマトリックス生成用の反応
ガスをガス導入管６から反応炉４内に導入する。一方、
容器９には粒径が０．０１乃至０．１μｍ程度の超微粒
ダイヤモンド粒子や立方晶窒化ホウ素などの硬質粒子が
設置されており、容器内に間歇的に水素ガスなどのガス
を流すことにより、硬質粒子が導入管７を通って反応炉
４に輸送される。硬質粒子を輸送するためのキャリアガ
スとしては、窒素やＡｒ等の不活性ガスの他に、水素や
マトリックス生成用反応ガスを用いることもできる。
【００１６】そして、基体５をヒータ８と冷却用のガス
により所定の温度に設定することにより、基体５表面近
傍にて反応ガスの分解および反応により基体表面にマト
リックスが析出する。一方、反応炉内に輸送された硬質
粒子はマトリックス膜の形成と同時に基体表面に堆積
し、これにより硬質粒子は膜中に取り込まれる。膜中の
硬質粒子量を変えるにはキャリアガスの間欠的導入回数
を増やしたり、流量を変えることで任意に制御すること
ができる。
により所定の温度に設定することにより、基体５表面近
傍にて反応ガスの分解および反応により基体表面にマト
リックスが析出する。一方、反応炉内に輸送された硬質
粒子はマトリックス膜の形成と同時に基体表面に堆積
し、これにより硬質粒子は膜中に取り込まれる。膜中の
硬質粒子量を変えるにはキャリアガスの間欠的導入回数
を増やしたり、流量を変えることで任意に制御すること
ができる。
【００１７】例えば、膜の生成初期には硬質粒子を導入
せずに、徐々にキャリアガスの間歇的導入回数を増やす
ことにより、図３の他の実施例を示す断面図に示すよう
に、基体１上にその表面ほどマトリックス２中の硬質粒
子３の含有量の多い複合膜が形成される。
せずに、徐々にキャリアガスの間歇的導入回数を増やす
ことにより、図３の他の実施例を示す断面図に示すよう
に、基体１上にその表面ほどマトリックス２中の硬質粒
子３の含有量の多い複合膜が形成される。
【００１８】得られる複合膜は、基体１の表面に形成し
たままの状態で使用してもよいし、膜厚の大きい複合膜
を形成した後に基体１を除去して複合膜単体として用い
ることも可能である。
たままの状態で使用してもよいし、膜厚の大きい複合膜
を形成した後に基体１を除去して複合膜単体として用い
ることも可能である。
【００１９】本発明において、硬質粒子を分散含有する
金属やセラミックスなどのマトリックス成分としては、
窒化珪素、炭化珪素およびアルミナなどのセラミックス
や、タングステンやモリブデンなどの高融点金属、ある
いはその他の金属の酸化物、炭化物、窒化物、炭窒化
物、ホウ化物、ケイ化物等が挙げられ、これらも適宜組
み合わせて用いることもできる。
金属やセラミックスなどのマトリックス成分としては、
窒化珪素、炭化珪素およびアルミナなどのセラミックス
や、タングステンやモリブデンなどの高融点金属、ある
いはその他の金属の酸化物、炭化物、窒化物、炭窒化
物、ホウ化物、ケイ化物等が挙げられ、これらも適宜組
み合わせて用いることもできる。
【００２０】本発明における複合膜中の硬質粒子は、複
合膜中に１０〜８０体積％、好ましくは３０〜６５体積
％の割合で分散含有されることが望ましく、１０体積％
以下では複合体の特性はマトリックス単体膜に比べて大
きな向上はなく、８０体積％以上になると硬質粒子が密
集するためにその間隙にボイドが形成されて密着力が低
下する。
合膜中に１０〜８０体積％、好ましくは３０〜６５体積
％の割合で分散含有されることが望ましく、１０体積％
以下では複合体の特性はマトリックス単体膜に比べて大
きな向上はなく、８０体積％以上になると硬質粒子が密
集するためにその間隙にボイドが形成されて密着力が低
下する。
【００２１】以下、本発明を具体的な例で説明する。 実施例１ 図２において、ダイヤモンド粒子（粒径０. ０５〜０.
１μｍ）を入れた容器９にＡｒガスを通過させ、ダイヤ
モンド粒子を不活性ガス中に浮遊させて反応炉４に導入
した。一方、水素ガスをキャリアガスとしてメチルトリ
クロロシランガスを１５％の濃度で混合した反応ガスを
反応炉４内に５リットル／ｍｉｎの流量で導入した。そ
して、炭化珪素質焼結体からなる基板５を１５００℃に
ヒータ８により加熱し、炭化珪素を１５分間析出させる
と同時にダイヤモンドを堆積させ、膜厚３６μｍの複合
膜を作製した。
１μｍ）を入れた容器９にＡｒガスを通過させ、ダイヤ
モンド粒子を不活性ガス中に浮遊させて反応炉４に導入
した。一方、水素ガスをキャリアガスとしてメチルトリ
クロロシランガスを１５％の濃度で混合した反応ガスを
反応炉４内に５リットル／ｍｉｎの流量で導入した。そ
して、炭化珪素質焼結体からなる基板５を１５００℃に
ヒータ８により加熱し、炭化珪素を１５分間析出させる
と同時にダイヤモンドを堆積させ、膜厚３６μｍの複合
膜を作製した。
【００２２】得られたられた複合膜は、ダイヤモンド粒
子を１６体積％の割合で含有していた（試料１）。ま
た、容器９に流すＡｒガスの量を１／２として同様の条
件で膜を堆積させた。その結果、膜中にダイヤモンドが
７体積％含まれていた（試料２）。さらに、比較のため
にダイヤモンドを堆積させることなく、成膜を行い、３
５μｍの炭化珪素膜を形成した（試料３）。上記のよう
にして得られた複合材に対してピンオンディスク法を用
いて摩耗テストを測定したところ、試料１の複合体は、
炭化珪素膜を形成した試料３に比べて摩耗量が３０％減
少した。また、試料２の複合体では試料３に比較して６
％の摩耗量の減少が見られた。
子を１６体積％の割合で含有していた（試料１）。ま
た、容器９に流すＡｒガスの量を１／２として同様の条
件で膜を堆積させた。その結果、膜中にダイヤモンドが
７体積％含まれていた（試料２）。さらに、比較のため
にダイヤモンドを堆積させることなく、成膜を行い、３
５μｍの炭化珪素膜を形成した（試料３）。上記のよう
にして得られた複合材に対してピンオンディスク法を用
いて摩耗テストを測定したところ、試料１の複合体は、
炭化珪素膜を形成した試料３に比べて摩耗量が３０％減
少した。また、試料２の複合体では試料３に比較して６
％の摩耗量の減少が見られた。
【００２３】実施例２ 実施例１と同様に、ダイヤモンド粒子（５０体積％）と
立方晶窒化ホウ素粒子（５０体積％）の硬質粒子を入れ
た容器９に水素ガスを通過させ、硬質粒子を反応炉４内
に導入した。一方、水素ガスをキャリアガスとしてジク
ロロシランとアンモニアガスをそれぞれキャリアガスに
対して８％の濃度で混合した反応ガスを反応炉４内に３
リットル／ｍｉｎの流量で導入した。そして、窒化珪素
質焼結体からなる基板５を１３００℃にヒータ８により
加熱し、窒化珪素を析出させると同時に硬質粒子を堆積
させ、膜厚１０μｍの窒化珪素をマトリックスとしてダ
イヤモンドおよび立方晶窒化ホウ素の硬質粒子を含む複
合膜を形成した。得られた膜は、硬質粒子を４１体積％
の割合で含有していた（試料４）。
立方晶窒化ホウ素粒子（５０体積％）の硬質粒子を入れ
た容器９に水素ガスを通過させ、硬質粒子を反応炉４内
に導入した。一方、水素ガスをキャリアガスとしてジク
ロロシランとアンモニアガスをそれぞれキャリアガスに
対して８％の濃度で混合した反応ガスを反応炉４内に３
リットル／ｍｉｎの流量で導入した。そして、窒化珪素
質焼結体からなる基板５を１３００℃にヒータ８により
加熱し、窒化珪素を析出させると同時に硬質粒子を堆積
させ、膜厚１０μｍの窒化珪素をマトリックスとしてダ
イヤモンドおよび立方晶窒化ホウ素の硬質粒子を含む複
合膜を形成した。得られた膜は、硬質粒子を４１体積％
の割合で含有していた（試料４）。
【００２４】また、Ａｒガスの導入回数を２倍にして上
記と同様の条件で合成したところ６４体積％の硬質粒子
を含有する複合膜が形成された（試料５）。
記と同様の条件で合成したところ６４体積％の硬質粒子
を含有する複合膜が形成された（試料５）。
【００２５】さらに容器９に流すＡｒガスの量を３倍と
したところ７５体積％の硬質粒子を含有する複合膜が形
成された（試料６）。
したところ７５体積％の硬質粒子を含有する複合膜が形
成された（試料６）。
【００２６】また、比較例として硬質粒子を体積せずに
１０μｍの厚みの窒化珪素単体膜を形成した（試料
７）。
１０μｍの厚みの窒化珪素単体膜を形成した（試料
７）。
【００２７】上記のようにして得られた複合材に対して
実施例１と同様にして摩耗テストを実施したところ、試
料４および試料５の複合体では、窒化珪素単体膜の試料
７に比較して摩耗量が５２％および６７％それぞれ減少
した。また、試料６は、試料７に比較して摩耗量が６７
％減少した。
実施例１と同様にして摩耗テストを実施したところ、試
料４および試料５の複合体では、窒化珪素単体膜の試料
７に比較して摩耗量が５２％および６７％それぞれ減少
した。また、試料６は、試料７に比較して摩耗量が６７
％減少した。
【００２８】実施例３ 実施例１において、容器９に導入するＡｒガスの導入量
を成膜過程で変化させてダイヤモンドのみを５体積％含
有する膜を２μｍの厚みで形成した後、その上のダイヤ
モンドのみを２０体積％含有する膜を４μｍの厚みで形
成し、さらにその上にダイヤモンドのみを６０体積％含
有する膜を４μｍの厚みで形成した（試料８）。得られ
た複合材に対して実施例１と同様にして摩耗テストを実
施したところ、実施例２における窒化珪素単体膜からな
る試料６に比較して、試料８は、摩耗量が７５％減少し
た。
を成膜過程で変化させてダイヤモンドのみを５体積％含
有する膜を２μｍの厚みで形成した後、その上のダイヤ
モンドのみを２０体積％含有する膜を４μｍの厚みで形
成し、さらにその上にダイヤモンドのみを６０体積％含
有する膜を４μｍの厚みで形成した（試料８）。得られ
た複合材に対して実施例１と同様にして摩耗テストを実
施したところ、実施例２における窒化珪素単体膜からな
る試料６に比較して、試料８は、摩耗量が７５％減少し
た。
【００２９】
【発明の効果】以上、詳述した通り、本発明によれば、
マトリックス中に熱伝導性、電気絶縁性、硬度等に優れ
るダイヤモンド粒子を分散含有する複合膜を形成するこ
とにより、例えば耐摩耗性などの膜自体の特性を向上さ
せるとともに、その表面にダイヤモンドや立方晶窒化ホ
ウ素特性を有した複合体を安価に製造することができ
る。これにより、かかる複合体を切削工具や各種の耐摩
耗部品に応用することにより摩耗性を向上させることが
できる。しかも、ダイヤモンドの特性を各種の部品に生
かすことができる。
マトリックス中に熱伝導性、電気絶縁性、硬度等に優れ
るダイヤモンド粒子を分散含有する複合膜を形成するこ
とにより、例えば耐摩耗性などの膜自体の特性を向上さ
せるとともに、その表面にダイヤモンドや立方晶窒化ホ
ウ素特性を有した複合体を安価に製造することができ
る。これにより、かかる複合体を切削工具や各種の耐摩
耗部品に応用することにより摩耗性を向上させることが
できる。しかも、ダイヤモンドの特性を各種の部品に生
かすことができる。
【図１】本発明の複合体の一実施例を示すための断面図
を示す。
を示す。
【図２】本発明の複合体を製造するための膜形成装置の
概略配置図である。
概略配置図である。
【図３】本発明の複合体の他の実施例を示すための断面
図を示す。
図を示す。
１ 基体 ２ マトリックス ３ 硬質粒子 ４ 反応炉 ５ 基体 ６ 反応ガス導入管 ７ 硬質粒子導入管 ８ ヒータ ９ 硬質粒子容器
Claims (2)
- 【請求項１】基体表面に、気相法により生成された金属
又はセラミックスまたはそれらの混合体からなるマトリ
ックス中にダイヤモンド粒子あるいは立方晶窒化ホウ素
粒子を分散含有する複合膜を被覆したことを特徴とする
複合体。 - 【請求項２】反応炉内に基体を設置するとともに、金属
又はセラミックス生成用反応ガスを導入し、前記基体の
表面に金属又はセラミックスを析出させると同時に前記
基板表面にダイヤモンド粒子あるいは立方晶窒化ホウ素
粒子を堆積させることを特徴とする複合体の製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4342987A JP2801485B2 (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 複合体およびその製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4342987A JP2801485B2 (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 複合体およびその製法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06184750A true JPH06184750A (ja) | 1994-07-05 |
| JP2801485B2 JP2801485B2 (ja) | 1998-09-21 |
Family
ID=18358062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4342987A Expired - Fee Related JP2801485B2 (ja) | 1992-12-24 | 1992-12-24 | 複合体およびその製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2801485B2 (ja) |
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1992
- 1992-12-24 JP JP4342987A patent/JP2801485B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| CN105252239A (zh) * | 2015-10-16 | 2016-01-20 | 东华大学 | 一种梯度硬质合金刀具制备方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2801485B2 (ja) | 1998-09-21 |
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