JPH0618275B2 - ショットキバリア半導体装置 - Google Patents
ショットキバリア半導体装置Info
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- JPH0618275B2 JPH0618275B2 JP63094617A JP9461788A JPH0618275B2 JP H0618275 B2 JPH0618275 B2 JP H0618275B2 JP 63094617 A JP63094617 A JP 63094617A JP 9461788 A JP9461788 A JP 9461788A JP H0618275 B2 JPH0618275 B2 JP H0618275B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、高耐圧のショットキバリア半導体装置に関す
る。
る。
従来の技術と発明が解決しようとする課題 ショットキバリアダイオードは、良好な高速応答性（高
速スイッチング特性）及び低電力損失等の利点を生かし
て、高周波整流回路等に広く利用されている。しかし、
ショットキバリアダイオードでは、バルク耐圧（ショッ
トキバリアの中央部での耐圧）に比べて周辺耐圧（ショ
ットキバリアの周辺での耐圧）が顕著に低下する現象が
認められ、このため、高耐圧のものを得るのが難しい。
速スイッチング特性）及び低電力損失等の利点を生かし
て、高周波整流回路等に広く利用されている。しかし、
ショットキバリアダイオードでは、バルク耐圧（ショッ
トキバリアの中央部での耐圧）に比べて周辺耐圧（ショ
ットキバリアの周辺での耐圧）が顕著に低下する現象が
認められ、このため、高耐圧のものを得るのが難しい。
周辺耐圧を向上する方法の１つとして、特開昭５６−３
６１５９号公報に示されているように、ショットキバリ
アの中央部のバリア電極とショットキバリアの周辺部の
バリア電極とを異なる金属で構成し、前記周辺部でのバ
リアハイトφｂを中央部でのバリアハイトφｂより大き
くするバリア電極構造がいわゆる周辺φｂ大の構造とし
て知られている。この構造はバリアハイトφｂが大きい
と逆電圧も一般的に大きくなるので、周辺耐圧の向上を
計ることができる。しかし、この構造では、従来の一般
的なバリア電極構造と同様に、バリア電極の接着強度不
足に伴う信頼性の低下が問題になることがある。また、
形成されるショットキバリアの特性がバラツキ易いとい
う問題もある。
６１５９号公報に示されているように、ショットキバリ
アの中央部のバリア電極とショットキバリアの周辺部の
バリア電極とを異なる金属で構成し、前記周辺部でのバ
リアハイトφｂを中央部でのバリアハイトφｂより大き
くするバリア電極構造がいわゆる周辺φｂ大の構造とし
て知られている。この構造はバリアハイトφｂが大きい
と逆電圧も一般的に大きくなるので、周辺耐圧の向上を
計ることができる。しかし、この構造では、従来の一般
的なバリア電極構造と同様に、バリア電極の接着強度不
足に伴う信頼性の低下が問題になることがある。また、
形成されるショットキバリアの特性がバラツキ易いとい
う問題もある。
一方、Ti（チタン）、Cr（クロム）等の極薄の薄層を介
してＡｌ（アルミニウム）層等を形成したバリア電極構
造が知られている。Ti、Cr等の極薄の薄層がショットキ
バリアの形成にどのように関与しているかは明らかでは
ないが、形成されるショットキバリアはＡｌ等のバリア
金属単独によるものに近い。この構造では、TiやCrが半
導体表面とのなじみの良い金属であるため、安定してシ
ョットキバリアが形成されるとともにバリア金属の接着
強度が著しく向上し、特性良好かつ高信頼性のショット
キバリア半導体装置を提供できる。しかし、TiやCrの極
薄の薄層を介在させることは耐圧とは実質的に無関係で
あり、別に高耐圧化への課題を解決する必要がある。
してＡｌ（アルミニウム）層等を形成したバリア電極構
造が知られている。Ti、Cr等の極薄の薄層がショットキ
バリアの形成にどのように関与しているかは明らかでは
ないが、形成されるショットキバリアはＡｌ等のバリア
金属単独によるものに近い。この構造では、TiやCrが半
導体表面とのなじみの良い金属であるため、安定してシ
ョットキバリアが形成されるとともにバリア金属の接着
強度が著しく向上し、特性良好かつ高信頼性のショット
キバリア半導体装置を提供できる。しかし、TiやCrの極
薄の薄層を介在させることは耐圧とは実質的に無関係で
あり、別に高耐圧化への課題を解決する必要がある。
そこで本発明の目的は、バリア電極の接着強度が大き
く、特性が良好で、かつ周辺耐圧の向上したショットキ
バリア半導体装置を提供することにある。
く、特性が良好で、かつ周辺耐圧の向上したショットキ
バリア半導体装置を提供することにある。
課題を解決するための手段 本発明によるショットキバリア半導体装置は、半導体領
域と、半導体領域上に形成され且つ半導体領域との間に
ショットキバリアを形成するバリア電極とを備えてい
る。バリア電極は、半導体領域上に隣接して形成され且
つ半導体領域との間にショットキバリアを形成できる第
１の物質から成る第１のバリア電極と、第１のバリア電
極上に隣接して形成され且つ半導体領域との間に第１の
物質よりバリアハイトの小さいショットキバリアを形成
できる第２の物質からなる第２のバリア電極とを含む。
第１のバリア電極は、第２のバリア電極の周辺部の下部
に且つ周辺部に沿って環状に形成された肉厚部と、周辺
部の内側の下部に形成された肉薄部とを有する。肉厚部
に起因して形成されるショットキバリアのバリアハイト
が肉薄部に起因して形成されるショットキバリアのバリ
アハイトより大きい。肉厚部は肉薄部の延長部分が酸化
されて形成された酸化物薄層に隣接して包囲される。酸
化物薄層に１０ＫΩ／□以上のシート抵抗を有し且つ半
導体領域に隣接して前記半導体領域との間にショットキ
バリアを形成する。
域と、半導体領域上に形成され且つ半導体領域との間に
ショットキバリアを形成するバリア電極とを備えてい
る。バリア電極は、半導体領域上に隣接して形成され且
つ半導体領域との間にショットキバリアを形成できる第
１の物質から成る第１のバリア電極と、第１のバリア電
極上に隣接して形成され且つ半導体領域との間に第１の
物質よりバリアハイトの小さいショットキバリアを形成
できる第２の物質からなる第２のバリア電極とを含む。
第１のバリア電極は、第２のバリア電極の周辺部の下部
に且つ周辺部に沿って環状に形成された肉厚部と、周辺
部の内側の下部に形成された肉薄部とを有する。肉厚部
に起因して形成されるショットキバリアのバリアハイト
が肉薄部に起因して形成されるショットキバリアのバリ
アハイトより大きい。肉厚部は肉薄部の延長部分が酸化
されて形成された酸化物薄層に隣接して包囲される。酸
化物薄層に１０ＫΩ／□以上のシート抵抗を有し且つ半
導体領域に隣接して前記半導体領域との間にショットキ
バリアを形成する。
作 用 酸化物薄層は、半導体領域との間にショットキバリアを
形成し、ショットキバリア形の高抵抗フィールドプレー
トとして作用し、電界集中を緩和する。この結果、肉厚
部の形成に基づく周辺バリアハイトφＢ大による高耐圧
化効果と相俟って優れた高耐圧化を達成できる。また、
酸化物薄層は肉薄部を酸化して得たものであるから、酸
化物薄層とバリア電極との電気的接続を容易にかつ確実
に達成できる。このため、バリア電極に基づくショット
キバリアと酸化物薄層に基づくショットキバリアとが連
続し、特性が安定化する。
形成し、ショットキバリア形の高抵抗フィールドプレー
トとして作用し、電界集中を緩和する。この結果、肉厚
部の形成に基づく周辺バリアハイトφＢ大による高耐圧
化効果と相俟って優れた高耐圧化を達成できる。また、
酸化物薄層は肉薄部を酸化して得たものであるから、酸
化物薄層とバリア電極との電気的接続を容易にかつ確実
に達成できる。このため、バリア電極に基づくショット
キバリアと酸化物薄層に基づくショットキバリアとが連
続し、特性が安定化する。
実施例 以下、第１図及び第２図に基づいて本発明の実施例であ
る電力用ショットキバリアダイオード及びその製造方法
を説明する。
る電力用ショットキバリアダイオード及びその製造方法
を説明する。
第１図は本発明による一実施例としてのショットキバリ
アダイオードの断面図を示す。また、第２図はこのショ
ットキバリアダイオードの各製造工程でのダイオードチ
ップの断面図を示す。まず、第２図（Ａ）に示すGaAs
（砒化ガリウム）からなる半導体基板１を用意する。半
導体基板１は、厚さ約３００μｍ、不純物濃度約２×１
０18cm-3のｎ＋形領域２の上に、厚さ約１５μｍ、不純
物濃度約２×１０15cm-3のｎ形領域３をエピタキシャル
成長させたものである。
アダイオードの断面図を示す。また、第２図はこのショ
ットキバリアダイオードの各製造工程でのダイオードチ
ップの断面図を示す。まず、第２図（Ａ）に示すGaAs
（砒化ガリウム）からなる半導体基板１を用意する。半
導体基板１は、厚さ約３００μｍ、不純物濃度約２×１
０18cm-3のｎ＋形領域２の上に、厚さ約１５μｍ、不純
物濃度約２×１０15cm-3のｎ形領域３をエピタキシャル
成長させたものである。
次に、半導体基板１の上面の全域に真空蒸着により約４
００Å（０．０４μｍ）のTi（チタン）薄層を形成し、
フォトエッチングによりこのTi薄層の一部を環状に残存
させて、第２図（Ｂ）に示すようにTi薄層４を形成す
る。その後、半導体基板１の裏面全域には真空蒸着によ
り、Au（金）−Ge（ゲルマニウム）合金層とAu層を重ね
て形成し、オーミック電極５を形成する。
００Å（０．０４μｍ）のTi（チタン）薄層を形成し、
フォトエッチングによりこのTi薄層の一部を環状に残存
させて、第２図（Ｂ）に示すようにTi薄層４を形成す
る。その後、半導体基板１の裏面全域には真空蒸着によ
り、Au（金）−Ge（ゲルマニウム）合金層とAu層を重ね
て形成し、オーミック電極５を形成する。
続いて、半導体基板１の上面全域に真空蒸着により約５
０Å（０．００５μｍ）のTi薄層を形成し、フォトエッ
チングにより素子周辺領域からこのTi薄層の一部を除去
して、第２図（Ｃ）に示すTi薄層６を形成する。Ti薄層
４も極薄であるが、Ti薄層６は更に極薄である。更に、
半導体基板１の上面全域に真空蒸着により約２μｍのＡ
ｌ（アルミニウム）層を形成し、フォトエッチングによ
り素子周辺領域からこのＡｌ層を除去して、第２図
（Ｄ）に示すようにＡｌ層７を形成する。
０Å（０．００５μｍ）のTi薄層を形成し、フォトエッ
チングにより素子周辺領域からこのTi薄層の一部を除去
して、第２図（Ｃ）に示すTi薄層６を形成する。Ti薄層
４も極薄であるが、Ti薄層６は更に極薄である。更に、
半導体基板１の上面全域に真空蒸着により約２μｍのＡ
ｌ（アルミニウム）層を形成し、フォトエッチングによ
り素子周辺領域からこのＡｌ層を除去して、第２図
（Ｄ）に示すようにＡｌ層７を形成する。
Ａｌ層７の形成後、空気中で、２７５℃、１５分間の熱
処理を行う。この結果、素子周辺領域に露出していたTi
薄層６は酸化されて、第２図（Ｅ）に示すようにチタン
酸化物薄層８となる。Ａｌ層７の下部のTi薄層６は酸化
されずに、Ti薄層6aとして残存する。厳密には、Ti薄層
４のうちＡｌ層７に被覆されていない部分の表層部も酸
化されていると考えられるが、簡略化のため図示しな
い。チタン酸化物薄層８は、シート抵抗約１００ＭΩ／
□で、半絶縁性と言えるレベルの高抵抗層である。Ａｌ
層７とTi薄層４、6aから成る組合せ体がｎ形領域３の間
の主電流通路となるショットキバリアの形成に関与して
いるので、この組合せ体をバリア電極９と呼ぶ。平面図
を図示しないが、バリア電極９は平面的には角の丸めら
れた正四角形で、その周辺にTi薄層４及びチタン酸化物
薄層８がそれぞれ環状に形成されている。
処理を行う。この結果、素子周辺領域に露出していたTi
薄層６は酸化されて、第２図（Ｅ）に示すようにチタン
酸化物薄層８となる。Ａｌ層７の下部のTi薄層６は酸化
されずに、Ti薄層6aとして残存する。厳密には、Ti薄層
４のうちＡｌ層７に被覆されていない部分の表層部も酸
化されていると考えられるが、簡略化のため図示しな
い。チタン酸化物薄層８は、シート抵抗約１００ＭΩ／
□で、半絶縁性と言えるレベルの高抵抗層である。Ａｌ
層７とTi薄層４、6aから成る組合せ体がｎ形領域３の間
の主電流通路となるショットキバリアの形成に関与して
いるので、この組合せ体をバリア電極９と呼ぶ。平面図
を図示しないが、バリア電極９は平面的には角の丸めら
れた正四角形で、その周辺にTi薄層４及びチタン酸化物
薄層８がそれぞれ環状に形成されている。
最後に、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Depositio
n）又は光ＣＶＤとフォトエッチングを組合わせて保護
膜としてシリコン酸化膜１０（第１図）を形成し、更に
真空蒸着とフォトエッチングを組合わせてTi層にAu層を
重ねた外部接着用電極１１を形成して、第１図に示すシ
ョットキバリアダイオードチップを完成させる。本明細
書では、Ti薄層４、6aを第１のバリア電極といい、Ａｌ
層７を第２のバリア電極という。したがって、第１のバ
リア電極には肉厚部としてのTi薄層４（その上のTi薄層
6aを含む）と、肉薄部としてのTi薄層6a（その下部にTi
薄層４が形成されていない部分）が含まれる。
n）又は光ＣＶＤとフォトエッチングを組合わせて保護
膜としてシリコン酸化膜１０（第１図）を形成し、更に
真空蒸着とフォトエッチングを組合わせてTi層にAu層を
重ねた外部接着用電極１１を形成して、第１図に示すシ
ョットキバリアダイオードチップを完成させる。本明細
書では、Ti薄層４、6aを第１のバリア電極といい、Ａｌ
層７を第２のバリア電極という。したがって、第１のバ
リア電極には肉厚部としてのTi薄層４（その上のTi薄層
6aを含む）と、肉薄部としてのTi薄層6a（その下部にTi
薄層４が形成されていない部分）が含まれる。
こうして製作されたショットキバリアダイオードは、２
００Ｖ以上の耐圧（ブレークダウン電圧）が得られた。
Ti薄層４及びチタン酸化物薄層８を形成しない場合の耐
圧は約６０Ｖであり、大幅な高耐圧化が達成されてい
る。
００Ｖ以上の耐圧（ブレークダウン電圧）が得られた。
Ti薄層４及びチタン酸化物薄層８を形成しない場合の耐
圧は約６０Ｖであり、大幅な高耐圧化が達成されてい
る。
耐圧向上の第１要因は、チタン酸化物薄層８を形成した
ことにある。すなわち、チタン酸化物薄層８は、ｎ形領
域３との間にショットキバリアを形成しているので、補
助的なバリア電極とみなせるもので、ショットキバリア
形の高抵抗フィールドプレートとして電界集中の緩和作
用を強く発揮している。ショットキバリア形の高抵抗フ
ィールドプレートは、バリア電極を包囲しかつバリア電
極と電気的に接続されるとともに、半導体領域との間に
ショットキバリアを形成し、かつシート抵抗１０ＫΩ／
□以上の高抵抗薄層をいう。
ことにある。すなわち、チタン酸化物薄層８は、ｎ形領
域３との間にショットキバリアを形成しているので、補
助的なバリア電極とみなせるもので、ショットキバリア
形の高抵抗フィールドプレートとして電界集中の緩和作
用を強く発揮している。ショットキバリア形の高抵抗フ
ィールドプレートは、バリア電極を包囲しかつバリア電
極と電気的に接続されるとともに、半導体領域との間に
ショットキバリアを形成し、かつシート抵抗１０ＫΩ／
□以上の高抵抗薄層をいう。
第２の要因は、本発明の効果に係るもので、Ti薄層４を
形成したことにある。すなわち、極薄のTi薄層6aに基づ
いてｎ形領域３との間に形成されるショットキバリア
は、Ａｌ層とｎ形領域との間に形成されるショットキバ
リアに近い特性を示す。一方、相対的に厚いTi薄層４に
基づいて形成されるショットキバリアは、Ti層とｎ形領
域と間に形成されるショットキバリアに近い特性を示
す。換言すれば、Ti薄層４に基づいて形成されるショッ
トキバリアはTi薄層6aに基づいて形成されるショットキ
バリアよりも大きいバリアハイトφbを有する。したが
って、いわゆる周辺φb大の構造になっており、高耐圧
化が達成される。周辺φb大だけの効果としては、耐圧
を６０Ｖから１００Ｖ程度に向上させる程度であるが、
上記チタン酸化物薄層８の形成との相乗効果で上記のよ
うに優れた高耐圧化が達成される。
形成したことにある。すなわち、極薄のTi薄層6aに基づ
いてｎ形領域３との間に形成されるショットキバリア
は、Ａｌ層とｎ形領域との間に形成されるショットキバ
リアに近い特性を示す。一方、相対的に厚いTi薄層４に
基づいて形成されるショットキバリアは、Ti層とｎ形領
域と間に形成されるショットキバリアに近い特性を示
す。換言すれば、Ti薄層４に基づいて形成されるショッ
トキバリアはTi薄層6aに基づいて形成されるショットキ
バリアよりも大きいバリアハイトφbを有する。したが
って、いわゆる周辺φb大の構造になっており、高耐圧
化が達成される。周辺φb大だけの効果としては、耐圧
を６０Ｖから１００Ｖ程度に向上させる程度であるが、
上記チタン酸化物薄層８の形成との相乗効果で上記のよ
うに優れた高耐圧化が達成される。
なお、Ti薄層４をＡｌ層７の外周縁より外方に延在させ
ている構造も、高耐圧化及び逆サージ耐量の向上に寄与
している。すなわち、Ａｌ層７の外周縁の近傍のｎ形領
域３は、Ａｌ層７による機械的歪が集中する応力集中部
となっており、臨界電界強度Ｅcrit（ブレークダウンが
起きる電界強度）が低下している。Ti薄層４の外周縁近
傍のｎ形領域３は、Ti薄層４が極薄であることにより応
力集中部にはならない。一方、、逆電圧印加に伴ってバ
リア電極９の周辺には電界集中部が生じるが、本実施例
では、Ti薄層４の外周縁近傍にあるｎ形領域３が電界集
中部となる。従来の構造では応力集中部と電界集中部と
が重複するため耐圧低下の一因となったが、本実施例で
は応力集中部と電界集中部とが分離されて、耐圧低下を
防止することができる。また、ブレークダウン電圧を超
える逆サージ電圧が印加されたとき、Ａｌ層７の周辺部
に集中して流れる逆サージ電流は、Ti薄層４の外周側に
広がって流れる。このため、逆サージ電流の集中が緩和
され、逆サージ耐量が向上する。
ている構造も、高耐圧化及び逆サージ耐量の向上に寄与
している。すなわち、Ａｌ層７の外周縁の近傍のｎ形領
域３は、Ａｌ層７による機械的歪が集中する応力集中部
となっており、臨界電界強度Ｅcrit（ブレークダウンが
起きる電界強度）が低下している。Ti薄層４の外周縁近
傍のｎ形領域３は、Ti薄層４が極薄であることにより応
力集中部にはならない。一方、、逆電圧印加に伴ってバ
リア電極９の周辺には電界集中部が生じるが、本実施例
では、Ti薄層４の外周縁近傍にあるｎ形領域３が電界集
中部となる。従来の構造では応力集中部と電界集中部と
が重複するため耐圧低下の一因となったが、本実施例で
は応力集中部と電界集中部とが分離されて、耐圧低下を
防止することができる。また、ブレークダウン電圧を超
える逆サージ電圧が印加されたとき、Ａｌ層７の周辺部
に集中して流れる逆サージ電流は、Ti薄層４の外周側に
広がって流れる。このため、逆サージ電流の集中が緩和
され、逆サージ耐量が向上する。
変形例 本発明は実施例に限定されることなく、その趣旨の範囲
で種々変形が可能である。例えば、第３図のように、平
面的に見てバリア電極９の中央部にメッシュ状にTi薄層
4aを配置する構造を採用してもよい。この構造では、Ti
薄層4aの周辺にも逆サージ電流が流れ易くなり、逆サー
ジ電流がバリア電極９の全域に分散して流れるから、逆
サージ耐量を向上させることができる。Ti薄層4aは、Ti
薄層４を形成する際に、蒸着層の一部を残存させてTi薄
層４と連続して形成される。Ti薄層4aの部分をｎ形領域
３上に島状、ストライプ状又はくし歯状に形成してもよ
い。
で種々変形が可能である。例えば、第３図のように、平
面的に見てバリア電極９の中央部にメッシュ状にTi薄層
4aを配置する構造を採用してもよい。この構造では、Ti
薄層4aの周辺にも逆サージ電流が流れ易くなり、逆サー
ジ電流がバリア電極９の全域に分散して流れるから、逆
サージ耐量を向上させることができる。Ti薄層4aは、Ti
薄層４を形成する際に、蒸着層の一部を残存させてTi薄
層４と連続して形成される。Ti薄層4aの部分をｎ形領域
３上に島状、ストライプ状又はくし歯状に形成してもよ
い。
上述の実施例では、Ａｌ層７の外周縁の外方にTi薄層４
を延在させた構造及びバリア電極９を包囲するようにチ
タン酸化物薄層８を形成した構造と組合せるのが望まし
い。しかし、周辺φb大の効果を得るためのみであれ
ば、Ａｌ層７の外周部の下部にTi層４を形成しただけで
もよい。Ti薄層6aの厚さは５〜２００Å、Ti薄層４の厚
さは１００〜１０００Åが望ましい。チタン酸化物薄層
８のシート抵抗は１０ＫΩ／□〜５００ＭΩ／□、更に
望ましくは１０ＫΩ／□〜１０００ＭΩ／□に選ぶのが
よい。
を延在させた構造及びバリア電極９を包囲するようにチ
タン酸化物薄層８を形成した構造と組合せるのが望まし
い。しかし、周辺φb大の効果を得るためのみであれ
ば、Ａｌ層７の外周部の下部にTi層４を形成しただけで
もよい。Ti薄層6aの厚さは５〜２００Å、Ti薄層４の厚
さは１００〜１０００Åが望ましい。チタン酸化物薄層
８のシート抵抗は１０ＫΩ／□〜５００ＭΩ／□、更に
望ましくは１０ＫΩ／□〜１０００ＭΩ／□に選ぶのが
よい。
更に、第１のバリア電極を構成する第１の物質としてT
i、半導体領域を構成する半導体としてGaAs、ＡｌGaAs
（砒化アルミニウム・ガリウム）、GaP（燐化ガリウ
ム）、InP（燐化インジウム）等のIII−Ｖ族化合物半導
体を用いた組合せが好適であるが、これに限定されるも
のではなく、要求される特性に応じて種々の組合せが可
能である。Ti薄層４、6aの代わりにCr薄層を使用しても
よい。他の化合物半導体又はＳｉ（シリコン）を用いた
ショットキバリア半導体装置への適用も可能である。
i、半導体領域を構成する半導体としてGaAs、ＡｌGaAs
（砒化アルミニウム・ガリウム）、GaP（燐化ガリウ
ム）、InP（燐化インジウム）等のIII−Ｖ族化合物半導
体を用いた組合せが好適であるが、これに限定されるも
のではなく、要求される特性に応じて種々の組合せが可
能である。Ti薄層４、6aの代わりにCr薄層を使用しても
よい。他の化合物半導体又はＳｉ（シリコン）を用いた
ショットキバリア半導体装置への適用も可能である。
発明の効果 本発明では、前記のように酸化物薄層による電界集中緩
和効果と肉厚部の周辺バリアハイトφＢ大による高耐圧
効果によって優れた高耐圧化を実現できる。また、酸化
物薄層とバリア電極とを容易且つ確実に電気的に接続で
きるから、特性の安定した信頼性の高いショットキバリ
ア半導体装置を歩留まり良く得ることができる。
和効果と肉厚部の周辺バリアハイトφＢ大による高耐圧
効果によって優れた高耐圧化を実現できる。また、酸化
物薄層とバリア電極とを容易且つ確実に電気的に接続で
きるから、特性の安定した信頼性の高いショットキバリ
ア半導体装置を歩留まり良く得ることができる。
第１図は本発明による一実施例としてのショットキバリ
アダイオードの断面図、第２図はこのショットキバリア
ダイオードの各製造工程でのダイオードチップの断面図
を示し、第２図（Ａ）は半導体基板の断面図、第２図
（Ｂ）は半導体基板にTi薄層とオーミック電極を形成し
た状態を示す断面図、第２図（Ｃ）は第２図（Ｂ）のTi
薄層上に更にTi薄層を形成した状態を示す断面図、第２
図（Ｄ）は第２図（Ｃ）のTi薄層上にＡｌ層を形成した
状態を示す断面図、第２図（Ｅ）はTi薄層の一部を酸化
してチタン酸化物薄層を形成した状態を示す断面図、第
３図は本発明による他の実施例としてのショットキバリ
アダイオードの断面図を示す。 ３……ｎ形領域（半導体領域）、４……Ｔｉ薄層（第１
のバリア電極の肉厚部）、6a……Ti薄層（第１のバリア
電極の肉薄部）、７……Ａｌ層（第２のバリア電極）、
８……チタン酸化物薄層、
アダイオードの断面図、第２図はこのショットキバリア
ダイオードの各製造工程でのダイオードチップの断面図
を示し、第２図（Ａ）は半導体基板の断面図、第２図
（Ｂ）は半導体基板にTi薄層とオーミック電極を形成し
た状態を示す断面図、第２図（Ｃ）は第２図（Ｂ）のTi
薄層上に更にTi薄層を形成した状態を示す断面図、第２
図（Ｄ）は第２図（Ｃ）のTi薄層上にＡｌ層を形成した
状態を示す断面図、第２図（Ｅ）はTi薄層の一部を酸化
してチタン酸化物薄層を形成した状態を示す断面図、第
３図は本発明による他の実施例としてのショットキバリ
アダイオードの断面図を示す。 ３……ｎ形領域（半導体領域）、４……Ｔｉ薄層（第１
のバリア電極の肉厚部）、6a……Ti薄層（第１のバリア
電極の肉薄部）、７……Ａｌ層（第２のバリア電極）、
８……チタン酸化物薄層、
Claims (1)
- 【請求項１】半導体領域と、該半導体領域上に形成され
且つ該半導体領域との間にショットキバリアを形成する
バリア電極とを備えたショットキバリア半導体装置にお
いて、 前記バリア電極は、前記半導体領域上に隣接して形成さ
れ且つ該半導体領域との間にショットキバリアを形成で
きる第１の物質から成る第１のバリア電極と、該第１の
バリア電極上に隣接して形成され且つ前記半導体領域と
の間に前記第１の物質よりバリアハイトの小さいショッ
トキバリアを形成できる第２の物質からなる第２のバリ
ア電極とを含み、 前記第１のバリア電極は、前記第２のバリア電極の周辺
部の下部に且つ該周辺部に沿って環状に形成された肉厚
部と、前記周辺部の内側の下部に形成された肉薄部とを
有し、 前記肉厚部に起因して形成されるショットキバリアのバ
リアハイトが前記肉薄部に起因して形成されるショット
キバリアのバリアハイトより大きく、 前記肉厚部は前記肉薄部の延長部分が酸化されて形成さ
れた酸化物薄層に隣接して包囲され、前記酸化物薄層に
１０ＫΩ／□以上のシート抵抗を有し且つ前記半導体領
域に隣接して前記半導体領域との間にショットキバリア
を形成することを特徴とするショットキバリア半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63094617A JPH0618275B2 (ja) | 1988-04-19 | 1988-04-19 | ショットキバリア半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63094617A JPH0618275B2 (ja) | 1988-04-19 | 1988-04-19 | ショットキバリア半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01266759A JPH01266759A (ja) | 1989-10-24 |
| JPH0618275B2 true JPH0618275B2 (ja) | 1994-03-09 |
Family
ID=14115214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63094617A Expired - Fee Related JPH0618275B2 (ja) | 1988-04-19 | 1988-04-19 | ショットキバリア半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0618275B2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4941463A (ja) * | 1972-07-26 | 1974-04-18 | ||
| JPS52141563A (en) * | 1976-05-20 | 1977-11-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Semiconductor device |
| JPS5636159A (en) * | 1979-08-31 | 1981-04-09 | Hitachi Ltd | Schottky diode |
-
1988
- 1988-04-19 JP JP63094617A patent/JPH0618275B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01266759A (ja) | 1989-10-24 |
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Legal Events
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