JPH0573351B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0573351B2 JPH0573351B2 JP10028788A JP10028788A JPH0573351B2 JP H0573351 B2 JPH0573351 B2 JP H0573351B2 JP 10028788 A JP10028788 A JP 10028788A JP 10028788 A JP10028788 A JP 10028788A JP H0573351 B2 JPH0573351 B2 JP H0573351B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- barrier
- region
- shot
- layer
- thin layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 55
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 30
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 16
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 3
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 3
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 244000126211 Hericium coralloides Species 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N alumanylidynearsane;gallanylidynearsane Chemical compound [As]#[Al].[As]#[Ga] FTWRSWRBSVXQPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は逆サージ耐量の大きいシヨツトキバリ
ア半導体装置に関するものである。
ア半導体装置に関するものである。
従来の技術と発明が解決しようとする課題
シヨツトキバリアダイオードは、良好な高速応
答性（高速スイツチング特性）及び低電力損失等
の利点を生かして、高周波整流回路等に広く利用
されている。しかし、シヨツトキバリアダイオー
ドは、pn接合ダイオードと比較したとき、逆サ
ージ耐量が低いという欠点がある。すなわち、降
伏電圧を越える逆サージ電圧が印加されたとき、
それに伴う逆サージ電流がシヨツトキバリアの周
縁に集中する傾向が著しいため、シヨツトキバリ
アの周縁近傍が過度に発熱して破壊に至り易い。
答性（高速スイツチング特性）及び低電力損失等
の利点を生かして、高周波整流回路等に広く利用
されている。しかし、シヨツトキバリアダイオー
ドは、pn接合ダイオードと比較したとき、逆サ
ージ耐量が低いという欠点がある。すなわち、降
伏電圧を越える逆サージ電圧が印加されたとき、
それに伴う逆サージ電流がシヨツトキバリアの周
縁に集中する傾向が著しいため、シヨツトキバリ
アの周縁近傍が過度に発熱して破壊に至り易い。
そこで本発明は、逆サージ耐量の向上したシヨ
ツトキバリア半導体装置を提供することを目的と
する。
ツトキバリア半導体装置を提供することを目的と
する。
課題を解決するための手段
本発明によれば、シヨツトキバリア半導体装置
は、半導体領域と半導体領域上に形成されたバリ
ア電極との間に整流接合としてシヨツトキバリア
が形成され、シヨツトキバリアを形成する半導体
領域の表面は粗面領域とこの粗面領域を包囲する
平滑領域とを有する。
は、半導体領域と半導体領域上に形成されたバリ
ア電極との間に整流接合としてシヨツトキバリア
が形成され、シヨツトキバリアを形成する半導体
領域の表面は粗面領域とこの粗面領域を包囲する
平滑領域とを有する。
作 用
逆サージ電圧が印加されたとき、粗面領域を構
成する半導体領域の表面に形成されたシヨツトキ
バリアには、平滑領域を構成する半導体表面に形
成されたシヨツトキバリアよりも逆サージ電流が
流れ易くなる。本来、逆サージ電流はバリア電極
の周縁に集中しやすい。しかし、本発明によれ
ば、シヨツトキバリアの周縁では半導体領域の表
面を平滑領域とすることによつて逆サージ電流の
集中が助長されないようになつており、その内側
では半導体領域の表面に粗面領域を形成すること
によつて逆ージ電流が流れ易くなつている。この
ため、逆サージ電流の分散化がはかられ、逆サー
ジ電流のバリア電極周縁への集中が緩和される。
成する半導体領域の表面に形成されたシヨツトキ
バリアには、平滑領域を構成する半導体表面に形
成されたシヨツトキバリアよりも逆サージ電流が
流れ易くなる。本来、逆サージ電流はバリア電極
の周縁に集中しやすい。しかし、本発明によれ
ば、シヨツトキバリアの周縁では半導体領域の表
面を平滑領域とすることによつて逆サージ電流の
集中が助長されないようになつており、その内側
では半導体領域の表面に粗面領域を形成すること
によつて逆ージ電流が流れ易くなつている。この
ため、逆サージ電流の分散化がはかられ、逆サー
ジ電流のバリア電極周縁への集中が緩和される。
実施例
本発明の実施例である電力用シヨツトキバリア
ダイオード及びその製造方法を第１図〜第３図に
基づいて説明する。
ダイオード及びその製造方法を第１図〜第３図に
基づいて説明する。
まず、第２図Ａに示すように、GaAs（砒化ガ
リウム）から成る半導体基板１を用意する。半導
体基板１は、厚さ約300μｍ、不純物濃度約２×
1018cm-3のn+形領域２の上に、厚さ約15μｍ、不
純物濃度約２×1015cm-3n形領域３をエピタキシ
ヤル成長させたものである。
リウム）から成る半導体基板１を用意する。半導
体基板１は、厚さ約300μｍ、不純物濃度約２×
1018cm-3のn+形領域２の上に、厚さ約15μｍ、不
純物濃度約２×1015cm-3n形領域３をエピタキシ
ヤル成長させたものである。
次に、第２図Ｂに示すように、開口４を有する
フオトレジストマスク５をｎ形領域３の表面に形
成した上で、H2SO4（硫酸）：H2O2（過酸化水
素）：H2O（水）＝１：１：３（容量比）のエツチ
ング液で開口４に露出したｎ形領域３の表面を処
理する。この結果、ｎ形領域３の表面には、微細
な凸凹が形成されて表面粗度が大きくなつた粗面
領域６ａが形成される。粗面領域６ａの周囲のｎ
型領域３の表面はエツチング液で処理されないた
め、エピタキシヤル成長によつて形成された鏡面
状の平滑領域６ｂが残存している。粗面領域６の
エツチング深さは、微かである。
フオトレジストマスク５をｎ形領域３の表面に形
成した上で、H2SO4（硫酸）：H2O2（過酸化水
素）：H2O（水）＝１：１：３（容量比）のエツチ
ング液で開口４に露出したｎ形領域３の表面を処
理する。この結果、ｎ形領域３の表面には、微細
な凸凹が形成されて表面粗度が大きくなつた粗面
領域６ａが形成される。粗面領域６ａの周囲のｎ
型領域３の表面はエツチング液で処理されないた
め、エピタキシヤル成長によつて形成された鏡面
状の平滑領域６ｂが残存している。粗面領域６の
エツチング深さは、微かである。
続いて、フオトレジストマスク５を除去した
後、Ti（チタン）薄層とAl（アルミニウム）層を
連続して真空蒸着し、所定のフオトエツチングの
工程を経て、第２図Ｃに示すように、Ti薄層７
とAl層８を形成する。Ti薄層７は、厚さ約50Å
（0.005μｍ）の極薄の膜である。Al層８の厚さは
約2μｍである。半導体基板１の裏面には、真空
蒸着によりAu（金）−Ge（ゲルマニウム）合金層
とAu層を重ねて形成し、オーミツク電極９が形
成される。
後、Ti（チタン）薄層とAl（アルミニウム）層を
連続して真空蒸着し、所定のフオトエツチングの
工程を経て、第２図Ｃに示すように、Ti薄層７
とAl層８を形成する。Ti薄層７は、厚さ約50Å
（0.005μｍ）の極薄の膜である。Al層８の厚さは
約2μｍである。半導体基板１の裏面には、真空
蒸着によりAu（金）−Ge（ゲルマニウム）合金層
とAu層を重ねて形成し、オーミツク電極９が形
成される。
その後、半導体基板１を空気中で275℃、15分
間の熱処理を行う。この結果、半導体基板１上の
Al層の周辺領域に露出したTi薄層７の一部は酸
化されて、チタン酸化物薄層１０となる。Al層
８の下部のTi層７は酸化されないので、Ti薄層
７ａとして残存する。チタン酸化物薄層１０はシ
ート抵抗約100MΩ／□で、半絶縁性といえるレ
ベルの高抵抗層である。Al層８とTi薄層７ａの
組合せ体がｎ形領域３との間に主電流通路となる
シヨツトキバリアを形成するので、この組合せ体
をバリア電極１１と呼ぶ。
間の熱処理を行う。この結果、半導体基板１上の
Al層の周辺領域に露出したTi薄層７の一部は酸
化されて、チタン酸化物薄層１０となる。Al層
８の下部のTi層７は酸化されないので、Ti薄層
７ａとして残存する。チタン酸化物薄層１０はシ
ート抵抗約100MΩ／□で、半絶縁性といえるレ
ベルの高抵抗層である。Al層８とTi薄層７ａの
組合せ体がｎ形領域３との間に主電流通路となる
シヨツトキバリアを形成するので、この組合せ体
をバリア電極１１と呼ぶ。
更に、プラズマCVD（Chemical Vapor
Deposition）又は光CVDとフオトエツチングを
組合せて、第１図に示すように、保護膜としてシ
リコン酸化膜１２を形成する。更に、真空蒸着と
フオトエツチングを組合せて、Ti薄層とAu層を
重ねた外部接続用電極１３を形成してシヨツトキ
バリアダイオードチツプを完成させる。第２図Ｄ
の状態における平面図である第３図に示すよう
に、バリア電極１１の中央部は、粗面領域６ａと
隣接しており、バリア電極１１の周辺部は、粗面
領域６ａを包囲する平滑領域６ｂに隣接してい
る。チタン酸化物薄層１０は、バリア電極１１を
隣接包囲するように環状に形成されている。
Deposition）又は光CVDとフオトエツチングを
組合せて、第１図に示すように、保護膜としてシ
リコン酸化膜１２を形成する。更に、真空蒸着と
フオトエツチングを組合せて、Ti薄層とAu層を
重ねた外部接続用電極１３を形成してシヨツトキ
バリアダイオードチツプを完成させる。第２図Ｄ
の状態における平面図である第３図に示すよう
に、バリア電極１１の中央部は、粗面領域６ａと
隣接しており、バリア電極１１の周辺部は、粗面
領域６ａを包囲する平滑領域６ｂに隣接してい
る。チタン酸化物薄層１０は、バリア電極１１を
隣接包囲するように環状に形成されている。
このように製作されたシヨツトキバリアダイオ
ードは従来に比べると逆サージ耐量が向上した。
この要因は、粗面領域６ａに隣接して形成される
シヨツトキバリアの中央部に逆サージ電流が分散
して流れることにある。従つて、逆サージ電流が
バリア電極１１の周縁に集中する現象が緩和さ
れ、逆サージ電流による熱破壊が起こり難くな
る。なお、耐圧（降伏電圧）を向上させる上で重
要な周辺耐圧（バリア電極の周辺部での耐圧）
は、バリア電極１１の周辺部に隣接するｎ形領域
３の表面に平滑領域６ｂを残存させることにより
低下しない。この例では、チタン酸化物薄層１０
がシヨツトキバリア形の高抵抗フイールドプレー
トとして、電界集中の緩和作用を強く発揮してい
るので大幅な高耐圧化が達成されている。シヨツ
トバリア形の高抵抗フイールドプレートは、バリ
ア電極を包囲しかつバリア電極と電気的に接続さ
れるとともに、半導体領域との間にシヨツトキバ
リアを形成し、かつシート抵抗10KΩ／□以上の
高抵抗薄層である。
ードは従来に比べると逆サージ耐量が向上した。
この要因は、粗面領域６ａに隣接して形成される
シヨツトキバリアの中央部に逆サージ電流が分散
して流れることにある。従つて、逆サージ電流が
バリア電極１１の周縁に集中する現象が緩和さ
れ、逆サージ電流による熱破壊が起こり難くな
る。なお、耐圧（降伏電圧）を向上させる上で重
要な周辺耐圧（バリア電極の周辺部での耐圧）
は、バリア電極１１の周辺部に隣接するｎ形領域
３の表面に平滑領域６ｂを残存させることにより
低下しない。この例では、チタン酸化物薄層１０
がシヨツトキバリア形の高抵抗フイールドプレー
トとして、電界集中の緩和作用を強く発揮してい
るので大幅な高耐圧化が達成されている。シヨツ
トバリア形の高抵抗フイールドプレートは、バリ
ア電極を包囲しかつバリア電極と電気的に接続さ
れるとともに、半導体領域との間にシヨツトキバ
リアを形成し、かつシート抵抗10KΩ／□以上の
高抵抗薄層である。
また、Ti薄層７ａを介在させたバリア電極構
造では、粗面領域６ａを含むｎ形領域３の表面に
安定した特性のシヨツトキバリアを形成できると
ともに、ｎ形領域３、Ti薄層７ａ及びAl層８間
の密着力、即ちバリア電極１１の剥離強度が向上
する。更に、チタン酸化物薄層１０による高耐圧
化構造を形成する上でも好都合である。製造方法
及び構造から見ても、粗面化のための選択エツチ
ング工程が付加されるだけであり、低コストで逆
サージ耐量を向上させることができる。
造では、粗面領域６ａを含むｎ形領域３の表面に
安定した特性のシヨツトキバリアを形成できると
ともに、ｎ形領域３、Ti薄層７ａ及びAl層８間
の密着力、即ちバリア電極１１の剥離強度が向上
する。更に、チタン酸化物薄層１０による高耐圧
化構造を形成する上でも好都合である。製造方法
及び構造から見ても、粗面化のための選択エツチ
ング工程が付加されるだけであり、低コストで逆
サージ耐量を向上させることができる。
なお、Ti薄層７ａがシヨツトキバリアの形成
にどのように関与しているかは明らかではない
が、バリア電極１１によつて形成されるシヨツト
キバリアは、Al層８とｎ形領域３との間に形成
されるシヨツトキバリアに近い特性を示す。ま
た、チタン酸化物薄層１０もｎ形領域３との間に
補助的なシヨツトキバリアを形成しているが、主
電流（順方向電流）はチタン酸化物薄層１０の抵
抗分に制限されて、この補助的なシヨツトキバリ
アにはほとんど流れない。
にどのように関与しているかは明らかではない
が、バリア電極１１によつて形成されるシヨツト
キバリアは、Al層８とｎ形領域３との間に形成
されるシヨツトキバリアに近い特性を示す。ま
た、チタン酸化物薄層１０もｎ形領域３との間に
補助的なシヨツトキバリアを形成しているが、主
電流（順方向電流）はチタン酸化物薄層１０の抵
抗分に制限されて、この補助的なシヨツトキバリ
アにはほとんど流れない。
変形例
本発明は、前記実施例に限定されることなく、
その趣旨の範囲で種々の変形応用が可能である。
その趣旨の範囲で種々の変形応用が可能である。
例えば粗面領域の形成に使用するエツチング液
は実施例のものに限られない。また、粗面領域は
シヨツトキバリアの中央部全域に形成しないで、
シヨツトキバリアの中央部に島状、メツシユ状、
ストライプ状、くし歯状、同心環状、うず巻状等
に形成してもよい。実施例において、チタン酸化
物薄層１０のシート抵抗は10KΩ／□〜5000M
Ω／□、望ましくは10MΩ／□〜1000MΩ／□に
選ぶのがよい。チタン酸化物薄層１０の代わりに
タンタル酸化物薄層等によつて、シヨツトキバリ
ア形の高抵抗フイールドプレートを形成してもよ
い。
は実施例のものに限られない。また、粗面領域は
シヨツトキバリアの中央部全域に形成しないで、
シヨツトキバリアの中央部に島状、メツシユ状、
ストライプ状、くし歯状、同心環状、うず巻状等
に形成してもよい。実施例において、チタン酸化
物薄層１０のシート抵抗は10KΩ／□〜5000M
Ω／□、望ましくは10MΩ／□〜1000MΩ／□に
選ぶのがよい。チタン酸化物薄層１０の代わりに
タンタル酸化物薄層等によつて、シヨツトキバリ
ア形の高抵抗フイールドプレートを形成してもよ
い。
また、Ti薄層７ａやCr（クロム）薄層等を介在
させたバリア電極構造がシヨツトキバリアの特性
安定化等の面で好都合であるが、これに限られる
ものではなく、表面処理又は真空蒸着法に留意す
れば、例えばAl層のみによるバリア電極とする
こともできる。半導体領域を構成する半導体とし
ては、GaAs、AlGaAs（砒化アルミニウム・ガリ
ウム）、GaP（燐化ガリウム）、InP（燐化インジウ
ム）等の−族化合物半導体、その他の化合物
半導体又はSi（シリコン）など、要求される特性
に応じて種々の選択が可能である。
させたバリア電極構造がシヨツトキバリアの特性
安定化等の面で好都合であるが、これに限られる
ものではなく、表面処理又は真空蒸着法に留意す
れば、例えばAl層のみによるバリア電極とする
こともできる。半導体領域を構成する半導体とし
ては、GaAs、AlGaAs（砒化アルミニウム・ガリ
ウム）、GaP（燐化ガリウム）、InP（燐化インジウ
ム）等の−族化合物半導体、その他の化合物
半導体又はSi（シリコン）など、要求される特性
に応じて種々の選択が可能である。
発明の効果
本発明によれば、逆サージ電流のバリア電極周
辺への集中が緩和され、逆サージ耐量の大きいシ
ヨツトキバリア半導体装置を提供することができ
る。特に、Ti、Cr等の極薄の薄層を介してAl層
等を形成したバリア電極構造の特徴を生かしつつ
逆サージ耐量を向上させることができる。
辺への集中が緩和され、逆サージ耐量の大きいシ
ヨツトキバリア半導体装置を提供することができ
る。特に、Ti、Cr等の極薄の薄層を介してAl層
等を形成したバリア電極構造の特徴を生かしつつ
逆サージ耐量を向上させることができる。
第１図は本発明による一実施例としてのシヨツ
トキバリアダイオードの断面図、第２図はこのシ
ヨツトキバリアダイオードの各製造工程でのダイ
オードチツプの断面図を示し、第２図Ａは半導体
基板の断面図、第２図Ｂはｎ形領域の表面に形成
したフオトレジストマスクの開口を通じてエツチ
ング液でｎ形領域を処理して半像体基板の表面上
に粗面領域を形成した状態を示す断面図、第２図
Ｃは第２図Ｂの半導体基板表面上に更にTi薄層
及びAl層を形成するとともに半導体基板の裏面
にオーミツク電極を形成した状態を示す断面図、
第２図ＤはTi薄層の一部を酸化してチタン酸化
物薄層を形成した状態を示す断面図、第３図は第
２図Ｄの平面図を示す。 ３……ｎ形領域（半導体領域）、６ａ……粗面
領域、６ｂ……平滑領域、１１……バリア電極。
トキバリアダイオードの断面図、第２図はこのシ
ヨツトキバリアダイオードの各製造工程でのダイ
オードチツプの断面図を示し、第２図Ａは半導体
基板の断面図、第２図Ｂはｎ形領域の表面に形成
したフオトレジストマスクの開口を通じてエツチ
ング液でｎ形領域を処理して半像体基板の表面上
に粗面領域を形成した状態を示す断面図、第２図
Ｃは第２図Ｂの半導体基板表面上に更にTi薄層
及びAl層を形成するとともに半導体基板の裏面
にオーミツク電極を形成した状態を示す断面図、
第２図ＤはTi薄層の一部を酸化してチタン酸化
物薄層を形成した状態を示す断面図、第３図は第
２図Ｄの平面図を示す。 ３……ｎ形領域（半導体領域）、６ａ……粗面
領域、６ｂ……平滑領域、１１……バリア電極。
Claims (1)
- １ 半導体領域と該半導体領域上に形成されたバ
リア電極との間に整流接合としてシヨツトキバリ
アの形成されたシヨツトキバリア半導体装置にお
いて、前記シヨツトキバリアを形成する前記半導
体領域の表面は相対的に表面粗度の大きい粗面領
域と該粗面領域を包囲する相対的に表面粗度の小
さい平滑領域とを有することを特徴とするシヨツ
トキバリア半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10028788A JPH01272154A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | ショットキバリア半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10028788A JPH01272154A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | ショットキバリア半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01272154A JPH01272154A (ja) | 1989-10-31 |
| JPH0573351B2 true JPH0573351B2 (ja) | 1993-10-14 |
Family
ID=14269972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10028788A Granted JPH01272154A (ja) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | ショットキバリア半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01272154A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6292969B2 (ja) * | 2014-05-09 | 2018-03-14 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
-
1988
- 1988-04-25 JP JP10028788A patent/JPH01272154A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01272154A (ja) | 1989-10-31 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5158909A (en) | Method of fabricating a high voltage, high speed Schottky semiconductor device | |
| US5081510A (en) | High-voltage semiconductor device having a rectifying barrier, and method of fabrication | |
| JPH0642541B2 (ja) | ショットキバリア半導体装置 | |
| JPH01253270A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0573351B2 (ja) | ||
| JPH01257370A (ja) | ショットキバリア半導体装置 | |
| JP3067034B2 (ja) | ショットキーバリア半導体装置 | |
| JPH0629557A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0618280B2 (ja) | ショットキバリア半導体装置 | |
| JPH0652787B2 (ja) | シヨツトキバリア半導体装置 | |
| JPH0618272B2 (ja) | シヨツトキバリア半導体装置 | |
| JPS61144871A (ja) | 半導体素子のベベル構造 | |
| JPH02253659A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0618269B2 (ja) | シヨツトキバリア半導体装置 | |
| JPH0618273B2 (ja) | ショットキバリア半導体装置 | |
| JPH0618277B2 (ja) | シヨツトキバリア半導体装置 | |
| JPH0618275B2 (ja) | ショットキバリア半導体装置 | |
| JPH04218969A (ja) | ショットキーバリア半導体装置 | |
| JPH0618271B2 (ja) | シヨツトキバリア半導体装置 | |
| JPH0618279B2 (ja) | シヨツトキバリア半導体装置 | |
| JPH0573350B2 (ja) | ||
| JPH0618270B2 (ja) | シヨツトキバリア半導体装置 | |
| JP2000058874A (ja) | ショットキーバリア半導体装置およびその製法 | |
| JPH01183848A (ja) | シヨツトキバリア半導体装置 | |
| JPH065735B2 (ja) | 半導体装置 |