JPH06177017A - Ｘ線マスクの製造方法 - Google Patents
Ｘ線マスクの製造方法Info
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- JPH06177017A JPH06177017A JP32333992A JP32333992A JPH06177017A JP H06177017 A JPH06177017 A JP H06177017A JP 32333992 A JP32333992 A JP 32333992A JP 32333992 A JP32333992 A JP 32333992A JP H06177017 A JPH06177017 A JP H06177017A
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- ray mask
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、Ｘ線マスク基板１と補強枠１０を
直接接合するに際し、直接接合する箇所の接合力の低下
を未然に防ぎ、補強枠の接合に関して歩留まりの良好な
Ｘ線マスクの製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 本発明では、直接接合に先立ち、Ｘ線マスク
表面を酸素プラズマ処理するようにしている。
直接接合するに際し、直接接合する箇所の接合力の低下
を未然に防ぎ、補強枠の接合に関して歩留まりの良好な
Ｘ線マスクの製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 本発明では、直接接合に先立ち、Ｘ線マスク
表面を酸素プラズマ処理するようにしている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線露光用マスク（以
下Ｘ線マスク）の製造方法に係り、特に支持基板への補
強枠の接合に関する。
下Ｘ線マスク）の製造方法に係り、特に支持基板への補
強枠の接合に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の高密度化および
高集積化への要求が高まるにつれて、これを構成するＬ
ＳＩ素子の回路パターンはますます微細化していく傾向
にある。 現在、サブハーフミクロンと呼ばれる極微細
なパターンを形成するには高解像度の露光転写技術が不
可欠となっている。量産ラインでは紫外線を露光媒体と
するフォトリソグラフィ技術が主流であるが、解像力の
限界に近づきつつあり、このフォトリソグラフィ技術に
代わるものとして、原理的に解像力が飛躍的に向上する
Ｘ線リソグラフィ技術の研究開発が急速な進展をみせて
いる。
高集積化への要求が高まるにつれて、これを構成するＬ
ＳＩ素子の回路パターンはますます微細化していく傾向
にある。 現在、サブハーフミクロンと呼ばれる極微細
なパターンを形成するには高解像度の露光転写技術が不
可欠となっている。量産ラインでは紫外線を露光媒体と
するフォトリソグラフィ技術が主流であるが、解像力の
限界に近づきつつあり、このフォトリソグラフィ技術に
代わるものとして、原理的に解像力が飛躍的に向上する
Ｘ線リソグラフィ技術の研究開発が急速な進展をみせて
いる。
【０００３】Ｘ線リソグラフィでは、光を用いた露光方
法とは異なり所定のパターンを縮小させて転写するよう
な技術は現在のところない。このため、Ｘ線露光では、
所定のパターンの形成されたＸ線露光用マスクと試料と
を１０μｍオーダーの間隔で平行に保持し、このＸ線マ
スクを通してＸ線を照射することにより露光対象物表面
に転写パターンを形成する１：１転写方式が採用されて
いる。
法とは異なり所定のパターンを縮小させて転写するよう
な技術は現在のところない。このため、Ｘ線露光では、
所定のパターンの形成されたＸ線露光用マスクと試料と
を１０μｍオーダーの間隔で平行に保持し、このＸ線マ
スクを通してＸ線を照射することにより露光対象物表面
に転写パターンを形成する１：１転写方式が採用されて
いる。
【０００４】この等倍転写方式では、Ｘ線マスクのパタ
ーンの寸法精度、位置精度がそのままデバイス精度にな
るため、Ｘ線マスクのパタ―ンにはデバイスの最小線幅
の１０分の１程度の寸法精度、位置精度が要求される。
このために、Ｘ線リソグラフィの実現のためには、高い
Ｘ線吸収体パターン位置精度を達成することのできるＸ
線マスクの開発が最も重要な鍵となっている。
ーンの寸法精度、位置精度がそのままデバイス精度にな
るため、Ｘ線マスクのパタ―ンにはデバイスの最小線幅
の１０分の１程度の寸法精度、位置精度が要求される。
このために、Ｘ線リソグラフィの実現のためには、高い
Ｘ線吸収体パターン位置精度を達成することのできるＸ
線マスクの開発が最も重要な鍵となっている。
【０００５】Ｘ線マスクは一般的には次のような構造を
有している。すなわち、リング状のマスク支持体上にＸ
線に対する吸収率の特に小さいＸ線透過性材料からなる
薄膜を形成し、このＸ線透過性薄膜上にＸ線に対する吸
収率の大きい材料からなるマスクパターン（Ｘ線吸収体
パターン）を形成した構造となっている。ここでマスク
支持体は、Ｘ線透過性薄膜が極めて薄く機械的強度が弱
いのを補強すべく、このＸ線透過性薄膜を周縁で支持す
るのに用いられている。
有している。すなわち、リング状のマスク支持体上にＸ
線に対する吸収率の特に小さいＸ線透過性材料からなる
薄膜を形成し、このＸ線透過性薄膜上にＸ線に対する吸
収率の大きい材料からなるマスクパターン（Ｘ線吸収体
パターン）を形成した構造となっている。ここでマスク
支持体は、Ｘ線透過性薄膜が極めて薄く機械的強度が弱
いのを補強すべく、このＸ線透過性薄膜を周縁で支持す
るのに用いられている。
【０００６】ところで、このＸ線マスクは、従来、図４
(a) 乃至図４(k) に示すような方法で製造されている。
(a) 乃至図４(k) に示すような方法で製造されている。
【０００７】まず、高周波加熱方式のＬＰＣＶＤ装置を
用い、ＬＰＣＶＤ法により、図４(a) に示すようにＳｉ
基板１上に、シリコン原料としてシラン（ＳｉＨ4 ）、
炭素原料としてアセチレン（Ｃ2 Ｈ2 ）、キャリアガス
として水素（Ｈ2 ）ガス、添加ガスとして塩化水素（Ｈ
Ｃｌ）を供給しつつ、基板温度１１００℃で、ＳｉＣ膜
２を１μｍ堆積する。Ｘ線透過膜はＸ線を透過しかつア
ライメント光（可視光）に対する透過性に優れ、引っ張
り応力を有する自立支持膜であることが要求される。そ
の材料として、ＳｉＣの他にＢＮ，Ｓｉ，ＳｉＮ，ダイ
ヤモンドなどが報告されている。
用い、ＬＰＣＶＤ法により、図４(a) に示すようにＳｉ
基板１上に、シリコン原料としてシラン（ＳｉＨ4 ）、
炭素原料としてアセチレン（Ｃ2 Ｈ2 ）、キャリアガス
として水素（Ｈ2 ）ガス、添加ガスとして塩化水素（Ｈ
Ｃｌ）を供給しつつ、基板温度１１００℃で、ＳｉＣ膜
２を１μｍ堆積する。Ｘ線透過膜はＸ線を透過しかつア
ライメント光（可視光）に対する透過性に優れ、引っ張
り応力を有する自立支持膜であることが要求される。そ
の材料として、ＳｉＣの他にＢＮ，Ｓｉ，ＳｉＮ，ダイ
ヤモンドなどが報告されている。
【０００８】そして図４(b) に示すごとく、スパッタリ
ング法によりアライメント光の反射防止膜としてアルミ
ナ膜３を厚さ９８nmに形成する。
ング法によりアライメント光の反射防止膜としてアルミ
ナ膜３を厚さ９８nmに形成する。
【０００９】さらに図４(c) に示すごとく、スパッタリ
ング法によりＣ膜４を０．１μｍ堆積させた後、通常の
フォトリソグラフィ技術によりＣ膜の中央部に３０mmφ
の開口部と補強枠の接合領域にあたる部分を有するレジ
ストパターン５を形成する。そして図４(d) に示すよう
に、弗素系のガスを用いた反応性イオンエッチングによ
りレジスト５をマスクとしてＣ膜４を除去し、Ｓｉ基板
１の表面を露出させ、３０mmφの開口部６と補強枠を張
り合わせるための接合面７を形成する。
ング法によりＣ膜４を０．１μｍ堆積させた後、通常の
フォトリソグラフィ技術によりＣ膜の中央部に３０mmφ
の開口部と補強枠の接合領域にあたる部分を有するレジ
ストパターン５を形成する。そして図４(d) に示すよう
に、弗素系のガスを用いた反応性イオンエッチングによ
りレジスト５をマスクとしてＣ膜４を除去し、Ｓｉ基板
１の表面を露出させ、３０mmφの開口部６と補強枠を張
り合わせるための接合面７を形成する。
【００１０】次に図４(e) に示すように、スパッタリン
グ装置により、アルミナ膜３上にＸ線吸収体パターンと
なる膜厚０．５μｍのＷ膜８を成膜する。Ｘ線吸収体に
は露光波長におけるＸ線吸収係数が大きいこと、微細加
工が容易であることが要求される。また、Ｘ線吸収体が
１μｍのＸ線透過膜という極薄膜上に存在するために、
Ｘ線吸収体の内部応力は、１×１０7 Ｎ／ｍ2 程度の低
応力であることが不可欠である。すなわちＸ線吸収体の
応力が大きいとＸ線透過薄膜が変形し、その結果Ｘ線吸
収体パターンの位置歪が発生してしまうのである。そこ
で応力制御が可能なスパッタリング法により内部応力を
制御して堆積される。このようなＸ線吸収体材料として
は現在のところＷの他にＡｕ，Ｔａ，ＷＮx などが報告
されている。そしてＷ膜８上にエッチングマスクとなる
アルミナ膜９を５０nmの厚さに堆積する。
グ装置により、アルミナ膜３上にＸ線吸収体パターンと
なる膜厚０．５μｍのＷ膜８を成膜する。Ｘ線吸収体に
は露光波長におけるＸ線吸収係数が大きいこと、微細加
工が容易であることが要求される。また、Ｘ線吸収体が
１μｍのＸ線透過膜という極薄膜上に存在するために、
Ｘ線吸収体の内部応力は、１×１０7 Ｎ／ｍ2 程度の低
応力であることが不可欠である。すなわちＸ線吸収体の
応力が大きいとＸ線透過薄膜が変形し、その結果Ｘ線吸
収体パターンの位置歪が発生してしまうのである。そこ
で応力制御が可能なスパッタリング法により内部応力を
制御して堆積される。このようなＸ線吸収体材料として
は現在のところＷの他にＡｕ，Ｔａ，ＷＮx などが報告
されている。そしてＷ膜８上にエッチングマスクとなる
アルミナ膜９を５０nmの厚さに堆積する。
【００１１】そして、図４(f) に示すように，表面研磨
した石英ガラスからなる補強枠１０とマスク基板である
Ｓｉ基板１の接合面７を直接接合により室温で接合す
る。さらに直接接合した後に、２００℃１時間の熱処理
を施すことにより接合強度を高める。
した石英ガラスからなる補強枠１０とマスク基板である
Ｓｉ基板１の接合面７を直接接合により室温で接合す
る。さらに直接接合した後に、２００℃１時間の熱処理
を施すことにより接合強度を高める。
【００１２】そして図４(g) に示すように、アルミナ膜
９上に電子ビームレジスト１１を塗布し、電子ビーム描
画装置によりパターン描画を行い、レジストパターン１
１を形成する。
９上に電子ビームレジスト１１を塗布し、電子ビーム描
画装置によりパターン描画を行い、レジストパターン１
１を形成する。
【００１３】次いで、図４(h) に示すように、ＢＣｌ3
を用いたプラズマエッチングにより、レジストパターン
１１をマスクとしてアルミナ膜９をパターニングする。
を用いたプラズマエッチングにより、レジストパターン
１１をマスクとしてアルミナ膜９をパターニングする。
【００１４】そして図４(i) に示すように、エッチング
ガスとしてＳＦ6 ＋ＣＨＦ3 を用いてアルミナパターン
９をマスクとしてＷ膜を異方性エッチングする。
ガスとしてＳＦ6 ＋ＣＨＦ3 を用いてアルミナパターン
９をマスクとしてＷ膜を異方性エッチングする。
【００１５】さらに図４(j) に示すように、９５℃に加
熱した濃度３０％の水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液を用
いた液相エッチングにより、Ｃ膜４をマスクとしてシリ
コン基板１を開口部６より液相でエッチングし、３０mm
径の開口部を形成する。ここでエッチング面と反対側の
面は９５℃に加熱したエチレングリコールモノエチルエ
ーテルアセテートにより保護した。
熱した濃度３０％の水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液を用
いた液相エッチングにより、Ｃ膜４をマスクとしてシリ
コン基板１を開口部６より液相でエッチングし、３０mm
径の開口部を形成する。ここでエッチング面と反対側の
面は９５℃に加熱したエチレングリコールモノエチルエ
ーテルアセテートにより保護した。
【００１６】次に図４(k) に示すごとく、反射防止膜と
してのアルミナ膜１２をスパッタリング法により、Ｘ線
透過膜のＸ線吸収体パターンのある面とは反対側の面に
厚さ９８nmに形成する。
してのアルミナ膜１２をスパッタリング法により、Ｘ線
透過膜のＸ線吸収体パターンのある面とは反対側の面に
厚さ９８nmに形成する。
【００１７】このようにしてＸ線マスクが形成される
が、数多くのＸ線マスクを形成しているとＸ線マスク基
板と補強枠の接合力に優劣が生じ、中にはまったく補強
枠の接合のされないＸ線マスクができた。この原因を追
及するため接合面７のＸＰＳによる組成分析および化学
結合分析を行った。この結果、接合面７形成時にＣ膜４
を弗素系のガスを用いた反応性イオンエッチングにより
除去しているために、エッチング後のＳｉ表面は弗素で
ターミネートされた状態となっており、この弗素のター
ミネート数が多い表面ほど接合力の低下が著しいことが
判明した。このように反応性イオンエッチング処理後の
表面に弗素が残留していることが接合を阻害している原
因であることがわかった。
が、数多くのＸ線マスクを形成しているとＸ線マスク基
板と補強枠の接合力に優劣が生じ、中にはまったく補強
枠の接合のされないＸ線マスクができた。この原因を追
及するため接合面７のＸＰＳによる組成分析および化学
結合分析を行った。この結果、接合面７形成時にＣ膜４
を弗素系のガスを用いた反応性イオンエッチングにより
除去しているために、エッチング後のＳｉ表面は弗素で
ターミネートされた状態となっており、この弗素のター
ミネート数が多い表面ほど接合力の低下が著しいことが
判明した。このように反応性イオンエッチング処理後の
表面に弗素が残留していることが接合を阻害している原
因であることがわかった。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】このように、弗素系の
反応性イオンエッチングによりＸ線マスク基板裏面にせ
い膜された物質あるいはバックエッチング用マスク材を
除去し、Ｓｉ表面を露出させて形成した接合表面は弗素
でターミネートされた状態にある。
反応性イオンエッチングによりＸ線マスク基板裏面にせ
い膜された物質あるいはバックエッチング用マスク材を
除去し、Ｓｉ表面を露出させて形成した接合表面は弗素
でターミネートされた状態にある。
【００１９】この状態が、Ｘ線マスク基板と補強枠を直
接接合する場合、接合面の接合力低下をまねき接着不良
の原因となっていた。
接接合する場合、接合面の接合力低下をまねき接着不良
の原因となっていた。
【００２０】本発明は、前記実情に鑑みてなされたもの
で、Ｘ線マスク基板と補強枠を直接接合するに際し、直
接接合する箇所の接合力の低下を未然に防ぎ、補強枠の
接合に関して歩留まりの良好なＸ線マスクの製造方法を
提供することを目的とする。
で、Ｘ線マスク基板と補強枠を直接接合するに際し、直
接接合する箇所の接合力の低下を未然に防ぎ、補強枠の
接合に関して歩留まりの良好なＸ線マスクの製造方法を
提供することを目的とする。
【００２１】
【課題を解決するための手段】そこで本発明では、直接
接合に先立ち、Ｘ線マスク表面を酸素プラズマ処理する
ようにしている。
接合に先立ち、Ｘ線マスク表面を酸素プラズマ処理する
ようにしている。
【００２２】
【作用】上記構成によれば、弗素でターミネートされた
状態にあるＳｉ表面の弗素を酸素プラズマによって除去
して清浄化し、さらに表面の性質を親水性へと変化さ
せ、直接接合に適した状態を形成することにより、接合
力低下を防ぎ、良好な接合状態を得るようにすることが
できる。
状態にあるＳｉ表面の弗素を酸素プラズマによって除去
して清浄化し、さらに表面の性質を親水性へと変化さ
せ、直接接合に適した状態を形成することにより、接合
力低下を防ぎ、良好な接合状態を得るようにすることが
できる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
つつ詳細に説明する。
つつ詳細に説明する。
【００２４】実施例１ 次に、このエッチング装置を用いたＸ線マスクの製造方
法について説明する。製造に際してはまず、高周波加熱
方式のＬＰＣＶＤ装置を用い、グラファイト表面にＳｉ
Ｃをコ―ティングしたサセプタ上に、両面研磨を行った
厚さ６００μm 、面方位（１００）の３インチＳｉ基板
１を設置し、減圧ＣＶＤ法を用いて、シリコン原料とし
てシラン（ＳｉＨ4 ：３％濃度水素希釈）６７sccm、炭
素原料としてアセチレン（Ｃ2 Ｈ2 ：１０％濃度の水素
希釈）９sccm、、キャリアガスとして水素（Ｈ2 ）ガス
５００sccm、添加ガスとして塩化水素（ＨＣｌ）３sccm
を供給しつつ、基板温度１１００℃、圧力１ｋＰａに
て、４５分間成膜を行うことにより、Ｓｉ基板１上にＳ
ｉＣ膜２を１μｍ堆積する（図１(a) ）。
法について説明する。製造に際してはまず、高周波加熱
方式のＬＰＣＶＤ装置を用い、グラファイト表面にＳｉ
Ｃをコ―ティングしたサセプタ上に、両面研磨を行った
厚さ６００μm 、面方位（１００）の３インチＳｉ基板
１を設置し、減圧ＣＶＤ法を用いて、シリコン原料とし
てシラン（ＳｉＨ4 ：３％濃度水素希釈）６７sccm、炭
素原料としてアセチレン（Ｃ2 Ｈ2 ：１０％濃度の水素
希釈）９sccm、、キャリアガスとして水素（Ｈ2 ）ガス
５００sccm、添加ガスとして塩化水素（ＨＣｌ）３sccm
を供給しつつ、基板温度１１００℃、圧力１ｋＰａに
て、４５分間成膜を行うことにより、Ｓｉ基板１上にＳ
ｉＣ膜２を１μｍ堆積する（図１(a) ）。
【００２５】そして図１(b) に示すごとく、マグネトロ
ンスパッタリング法によりアライメント光の反射防止膜
としてアルミナ膜３を厚さ９８nmに形成する。スパッタ
リング条件は印加電圧を１ｋＷ，Ａｒ圧力を３mTorr と
した。
ンスパッタリング法によりアライメント光の反射防止膜
としてアルミナ膜３を厚さ９８nmに形成する。スパッタ
リング条件は印加電圧を１ｋＷ，Ａｒ圧力を３mTorr と
した。
【００２６】さらに図１(c) に示すごとく、マグネトロ
ンスパッタリング法によりＳｉ基板１の裏面にＣ膜４を
０．１μｍ堆積させた後、通常のフォトリソグラフィ技
術によりＣ膜の中央部に３０mmφの開口部と補強枠の接
合領域にあたる部分を有するレジストパターン５を形成
する。
ンスパッタリング法によりＳｉ基板１の裏面にＣ膜４を
０．１μｍ堆積させた後、通常のフォトリソグラフィ技
術によりＣ膜の中央部に３０mmφの開口部と補強枠の接
合領域にあたる部分を有するレジストパターン５を形成
する。
【００２７】そして図１(d) に示すように、ＣＦ4 ガス
を用いた反応性イオンエッチングによりレジスト５をマ
スクとしてＣ膜４を除去し、Ｓｉ基板１の表面を露出さ
せ、３０mmφの開口部６と補強枠を張り合わせるための
接合面７を形成する。ここで印加電力は１００Ｗとして
自己バイアス電圧が１０００Ｖ以下になる条件でエッチ
ングすることにより、露出するＳｉ表面にダメージが入
らないようにした。さらに続いて、酸素プラズマを用い
たドライエッチング法により、露出したＳｉ基板１の開
口部６と補強枠を張り合わせるための接合面７の表面を
エッチング処理した。ここでは印加電力を５０Ｗとして
酸素プラズマ処理後の表面にダメージを与えないように
した。
を用いた反応性イオンエッチングによりレジスト５をマ
スクとしてＣ膜４を除去し、Ｓｉ基板１の表面を露出さ
せ、３０mmφの開口部６と補強枠を張り合わせるための
接合面７を形成する。ここで印加電力は１００Ｗとして
自己バイアス電圧が１０００Ｖ以下になる条件でエッチ
ングすることにより、露出するＳｉ表面にダメージが入
らないようにした。さらに続いて、酸素プラズマを用い
たドライエッチング法により、露出したＳｉ基板１の開
口部６と補強枠を張り合わせるための接合面７の表面を
エッチング処理した。ここでは印加電力を５０Ｗとして
酸素プラズマ処理後の表面にダメージを与えないように
した。
【００２８】次に図１(e) に示すように、マグネトロン
スパッタリング装置により、アルミナ膜３上にＸ線吸収
体パターンとなるＷ膜８を０．５μｍ堆積させた。
スパッタリング装置により、アルミナ膜３上にＸ線吸収
体パターンとなるＷ膜８を０．５μｍ堆積させた。
【００２９】そしてＷ膜８上にエッチングマスクとなる
アルミナ膜９を５０nmの厚さに堆積する。印加電力は
１．７ｋＷ／cm2 とし、ガス圧力を、密度の大きいＷ膜
を形成できる低圧力側で、応力がゼロとなる３mTorr と
した。形成したＷ膜８の応力はＳｉ基板１の反りから測
定した結果、２×１０7 Ｎ／ m2 であった。そしてこの
Ｗ膜８にＡｒイオンをエネルギー１８０ｋｅＶ、２×１
０15ions／cm2 のドーズ量で注入し、Ｗ膜８の応力をゼ
ロとなるようにした。
アルミナ膜９を５０nmの厚さに堆積する。印加電力は
１．７ｋＷ／cm2 とし、ガス圧力を、密度の大きいＷ膜
を形成できる低圧力側で、応力がゼロとなる３mTorr と
した。形成したＷ膜８の応力はＳｉ基板１の反りから測
定した結果、２×１０7 Ｎ／ m2 であった。そしてこの
Ｗ膜８にＡｒイオンをエネルギー１８０ｋｅＶ、２×１
０15ions／cm2 のドーズ量で注入し、Ｗ膜８の応力をゼ
ロとなるようにした。
【００３０】次に、Ｗ膜８上にエッチングマスクとなる
アルミナ膜９をマグネトロンスパッタリング装置により
厚さ５０nmに形成する。
アルミナ膜９をマグネトロンスパッタリング装置により
厚さ５０nmに形成する。
【００３１】そして、図１(f) に示すように，表面研磨
した石英ガラスからなる補強枠１０とマスク基板である
Ｓｉ基板１の接合面７を直接接合により室温で接合した
後に、２００℃、１時間の熱処理を施すことにより接合
強度を高める。
した石英ガラスからなる補強枠１０とマスク基板である
Ｓｉ基板１の接合面７を直接接合により室温で接合した
後に、２００℃、１時間の熱処理を施すことにより接合
強度を高める。
【００３２】そして図１(g) に示すように、アルミナ膜
９上に電子ビームレジスト（ＳＡＬ６０１）１１を塗布
し、電子ビーム描画装置によりパターン描画を行い、レ
ジストパターン１１を形成する。照射量は１３μＣ／cm
2 とした。
９上に電子ビームレジスト（ＳＡＬ６０１）１１を塗布
し、電子ビーム描画装置によりパターン描画を行い、レ
ジストパターン１１を形成する。照射量は１３μＣ／cm
2 とした。
【００３３】次いで、図１(h) に示すように、ＢＣｌ3
を用いたプラズマエッチングにより、レジストパターン
１１をマスクとしてアルミナ膜９をパターニングする。
を用いたプラズマエッチングにより、レジストパターン
１１をマスクとしてアルミナ膜９をパターニングする。
【００３４】そして図１(i) に示すように、酸素プラズ
マによりレジストを除去した後、エッチングガスとして
ＳＦ6 ＋ＣＨＦ3 を用いてアルミナパターン９をマスク
としてＷ膜を異方性エッチングする。
マによりレジストを除去した後、エッチングガスとして
ＳＦ6 ＋ＣＨＦ3 を用いてアルミナパターン９をマスク
としてＷ膜を異方性エッチングする。
【００３５】さらに図１(j) に示すように、９５℃に加
熱した濃度３０％の水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液を用
いた液相エッチングにより、Ｃ膜４をマスクとしてシリ
コン基板１を開口部６より液相でエッチングし、３０mm
径の開口部を形成する。ここでエッチング面と反対側の
面は９５℃に加熱したエチレングリコールモノエチルエ
ーテルアセテートにより保護した。これにより３０mmφ
の開口部を形成した。次に図１(k) に示すごとく、反射
防止膜としてのアルミナ膜１２をスパッタリング法によ
り、Ｘ線透過膜のＸ線吸収体パターンのある面とは反対
側の面に厚さ９８nmに形成する。
熱した濃度３０％の水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液を用
いた液相エッチングにより、Ｃ膜４をマスクとしてシリ
コン基板１を開口部６より液相でエッチングし、３０mm
径の開口部を形成する。ここでエッチング面と反対側の
面は９５℃に加熱したエチレングリコールモノエチルエ
ーテルアセテートにより保護した。これにより３０mmφ
の開口部を形成した。次に図１(k) に示すごとく、反射
防止膜としてのアルミナ膜１２をスパッタリング法によ
り、Ｘ線透過膜のＸ線吸収体パターンのある面とは反対
側の面に厚さ９８nmに形成する。
【００３６】この工程により形成したＸ線マスクでは、
Ｘ線マスク基板と補強枠の接合力低下を生じたり、未接
着となったりすることはなく、接合力が大幅に向上す
る。
Ｘ線マスク基板と補強枠の接合力低下を生じたり、未接
着となったりすることはなく、接合力が大幅に向上す
る。
【００３７】これはＸ線マスク基板の補強枠の接合面を
酸素プラズマで処理し、ターミネートされた弗素を除去
し清浄かつ親水性の表面とすることにより、直接接合の
接合力の低下がなくなり接合力の再現性が向上する。
酸素プラズマで処理し、ターミネートされた弗素を除去
し清浄かつ親水性の表面とすることにより、直接接合の
接合力の低下がなくなり接合力の再現性が向上する。
【００３８】ここで酸素プラズマによりＸ線マスク基板
を処理する際、処理前と処理後の状態をＸＰＳで測定し
た結果を図２(a) および(b) に示す。この結果処理前で
は表面に弗素がターミネートした状態にあり、また処理
後では弗素のピーク強度が著しく低下していることか
ら、弗素が除去されて清浄な表面状態にあることがわか
る。
を処理する際、処理前と処理後の状態をＸＰＳで測定し
た結果を図２(a) および(b) に示す。この結果処理前で
は表面に弗素がターミネートした状態にあり、また処理
後では弗素のピーク強度が著しく低下していることか
ら、弗素が除去されて清浄な表面状態にあることがわか
る。
【００３９】また、弗素の表面占有率（組成比）を変化
させ接合力との関係を測定した。その結果を図３に示
す。この図から、弗素の表面占有率（組成比）が少ない
ほど接合力は向上しており、酸素プラズマ処理は接合力
向上に対して非常に大きな効果があることがわかる。
させ接合力との関係を測定した。その結果を図３に示
す。この図から、弗素の表面占有率（組成比）が少ない
ほど接合力は向上しており、酸素プラズマ処理は接合力
向上に対して非常に大きな効果があることがわかる。
【００４０】なお本発明は実施例に限定されるものでは
なく、例えばＥＢレジストもＳＡＬ６０１に限定される
ものではなく、ノボラック系レジストのＣＭＳなどでも
よい。Ｘ線吸収体もＷに限るものではなく、Ｔａ，Ａｕ
およびその窒化物や炭化物を用いることもできる。また
前記実施例では、Ｘ線マスクすなわちＸ線透過性薄膜と
してＳｉＣ膜を用いたが、ＳｉＮx ，ＢＮ，ボロンド―
プしたＳｉなども用いることができ、さらに成膜方法に
ついても減圧ＣＶＤ法に限定されることなく、常圧ＣＶ
Ｄ法、プラズマＣＶＤ法、ＥＣＲ−ＣＶＤ法、光励起Ｃ
ＶＤ法等他の成膜方法にも適用可能である。
なく、例えばＥＢレジストもＳＡＬ６０１に限定される
ものではなく、ノボラック系レジストのＣＭＳなどでも
よい。Ｘ線吸収体もＷに限るものではなく、Ｔａ，Ａｕ
およびその窒化物や炭化物を用いることもできる。また
前記実施例では、Ｘ線マスクすなわちＸ線透過性薄膜と
してＳｉＣ膜を用いたが、ＳｉＮx ，ＢＮ，ボロンド―
プしたＳｉなども用いることができ、さらに成膜方法に
ついても減圧ＣＶＤ法に限定されることなく、常圧ＣＶ
Ｄ法、プラズマＣＶＤ法、ＥＣＲ−ＣＶＤ法、光励起Ｃ
ＶＤ法等他の成膜方法にも適用可能である。
【００４１】またＳｉ基板のエッチングマスクとしても
Ｃに限定されるものではなく、ＳｉＣ，ＳｉＮx ，Ｓｉ
ＣＮx を用いることもできる。さらにＳｉ基板のエッチ
ング液としてもＫＯＨに限定されることなく、ＥＤＰ
（エチレンジアミンパイロカテロール），弗酸と硝酸の
混合液など他の溶液にも適用可能である。
Ｃに限定されるものではなく、ＳｉＣ，ＳｉＮx ，Ｓｉ
ＣＮx を用いることもできる。さらにＳｉ基板のエッチ
ング液としてもＫＯＨに限定されることなく、ＥＤＰ
（エチレンジアミンパイロカテロール），弗酸と硝酸の
混合液など他の溶液にも適用可能である。
【００４２】その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲
で、種々変形して実施することができる。
で、種々変形して実施することができる。
【００４３】
【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、直接接合法を用いたＸ線マスク基板と補強枠との接
合工程において、Ｘ線マスク基板の接合面に対して酸素
プラズマ処理を行うようにしているため、ターミネート
した弗素を除去し清浄かつ親水性の表面とすることによ
り、直接接合の接合力低下を防ぐ事が可能となり、補強
枠の接合に関してＸ線マスク形成の歩留まりを向上する
ことができる。
ば、直接接合法を用いたＸ線マスク基板と補強枠との接
合工程において、Ｘ線マスク基板の接合面に対して酸素
プラズマ処理を行うようにしているため、ターミネート
した弗素を除去し清浄かつ親水性の表面とすることによ
り、直接接合の接合力低下を防ぐ事が可能となり、補強
枠の接合に関してＸ線マスク形成の歩留まりを向上する
ことができる。
【図１】本発明実施例のＸ線マスクの製造工程を示す図
【図２】酸素プラズマによりＸ線マスク基板を処理する
際の処理前と処理後の状態をＸＰＳで測定した結果を示
す図
際の処理前と処理後の状態をＸＰＳで測定した結果を示
す図
【図３】接合力と弗素の表面占有率との関係を示す図。
【図４】従来例のＸ線マスクの製造工程を示す図。
１ Ｓｉ基板 ２ ＳｉＣ膜 ３ アルミナ膜 ４ Ｃ膜 ５ レジスト ６ 開口部 ７ 接合面 ８ Ｗ膜 ９ アルミナ膜 １０ 補強枠 １１ レジスト １２ アルミナ膜
Claims (1)
- 【請求項１】 マスク支持体表面にＸ線透過性薄膜を形
成するＸ線透過性薄膜形成工程と、 前記Ｘ線透過性薄膜上にＸ線吸収体薄膜パターンを形成
するＸ線吸収体薄膜パターン形成工程と前記マスク支持
体を選択的に除去するバックエッチング工程とを含むＸ
線マスクの製造方法において前記バックエッチング工程
前または後に、補強枠を直接接合により前記マスク支持
体に接合せしめる接合工程に先立ち、バックエッチング
用マスク材料を化学的除去法により除去し、接合面を露
出させた後に、前記接合面に対して酸素プラズマ処理を
行うようにしたことを特徴とするＸ線マスクの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32333992A JPH06177017A (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32333992A JPH06177017A (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06177017A true JPH06177017A (ja) | 1994-06-24 |
Family
ID=18153701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32333992A Pending JPH06177017A (ja) | 1992-12-02 | 1992-12-02 | Ｘ線マスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06177017A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014051054A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 機能性デバイス及び機能性デバイスの製造方法 |
-
1992
- 1992-12-02 JP JP32333992A patent/JPH06177017A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2014051054A1 (ja) * | 2012-09-28 | 2014-04-03 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 機能性デバイス及び機能性デバイスの製造方法 |
| CN104661742A (zh) * | 2012-09-28 | 2015-05-27 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 功能性设备以及功能性设备的制造方法 |
| US10207264B2 (en) | 2012-09-28 | 2019-02-19 | Japan Science And Technology Agency | Functional device and method of manufacturing the same |
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