JPH0794395A

JPH0794395A - Ｘ線マスク及びその製造方法

Info

Publication number: JPH0794395A
Application number: JP23705093A
Authority: JP
Inventors: Soichiro Mitsui; 壮一郎三井; Iwao Tokawa; 巌東川
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1993-09-24
Filing date: 1993-09-24
Publication date: 1995-04-07

Abstract

(57)【要約】【目的】Ｘ線吸収体パターン形成後にパターンを所望
のパターン配置位置に移動して配置することにより、位
置精度の高いＸ線マスクの製造方法およびＸ線マスクを
提供することにある。【構成】形成されたＸ線吸収体パターンをパターンが
搭載している所望領域のＸ線透過性支持薄膜の膜厚、あ
るいは（および）膜応力を増減する加工を施し、Ｘ線マ
スク面内に作用している力の分布を変えることにより、
Ｘ線吸収体パターンを所望のパターン配置位置に移動し
て再配置することにより位置精度の高いＸ線マスクを得
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はＸ線マスク及びその製造
方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、Ｘ線マスクは、図１１（ａ）に
示すように、補強枠１０１とＳｉ基板枠１０２により保
持され且つＸ線に対する吸収率が特に小さいＸ線透過性
の材料からなるＸ線透過性薄膜１０３と、このＸ線透過
性薄膜１０３上に設けられ且つＸ線に対する吸収率が大
きい材料からなるマスクパターン（Ｘ線吸収体パター
ン）１０４とこのＸ線透過性薄膜１０３の全体を支持し
ているＸ線透過性支持基板１０６とを有した構造となっ
ている。尚、Ｓｉ基板枠１０２は、Ｘ線透過性薄膜とＸ
線透過性支持基板１０６の厚さが極めて薄く機械的に弱
いため、Ｘ線吸収体パターン１０４に歪みを極力生じさ
せないために設けられている。

【０００３】このＸ線マスクの製造方法は、Ｓｉ基板上
にＸ線透過性薄膜（メンブレン膜）１０３とＸ線吸収パ
ターン１０４を形成し、Ｓｉ基板の一部をＳｉ基板枠１
０２として周囲のみを残し、少なくとも露光領域の無部
分をエッツチバックして除去し、Ｓｉ基板枠１０２を更
に補強枠１０１で強化し、Ｘ線吸収体パターン１０４に
極力歪みを生じないようにする。

【０００４】このようにして得られる従来のＸ線マスク
の面内パターン位置精度をニコン社製測長機「光波３
Ｉ」を用いて、所望パターンに対する形成したパターン
の変位（面内パターン歪み；ＩＰＤ：Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ
Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ）を測定することにより評価し
た。その結果、図１１（ｂ）に示すように、発生したＩ
ＰＤは平均０．０１１μｍ、３σ０．０４３μｍ、最大
値０．０４９μｍであった。また変位はほぼ一方向に生
じていた。例えば、０．１５μｍルールのデバイスをＸ
線リソグラフィで実現するために要求される重ね合わせ
精度をデザインルールの１／３として０．０５μｍと考
え、その誤差要因のうち、マスクで許容される値を０．
０３μｍと想定した場合、上記のパターン精度は要求値
に達していない。

【０００５】このように、要求されるパターン精度が得
られない理由として、例えば、図１２に示すように内部
応力（引張り応力）が均一なＸ線透過性支持薄膜１０３
において、図１２に示すように、膜厚分布がある場合Ｉ
ＰＤは膜厚の厚い方へ変位する。また、図１３に示すよ
うに、膜厚が均一な場合には、ＩＰＤは応力分布にした
がって内部応力の大きい方へ変位する。さらに、図１４
に示すように、膜厚分布と応力分布が共存する場合に
は、膜厚と応力の積（膜内部に作用している力）の大き
い方へパターン１０４は変位する。尚、図１２〜図１４
の内各（ａ）図は膜厚や応力の分布を示す断面図、各
（ｂ）図は変位状態を示す図で、（ｃ）で示す各図は、
それぞれ膜厚分布、応力分布および膜厚と応力の積の分
布と、変位との関係を示す図である。

【０００６】従来Ｘ線マスクのパターン成形精度を向上
する方法は、パターン形成前のＸ線透過膜成膜工程にお
けるＸ線透過膜の膜厚、応力の均一化、およびＸ線吸収
体パターン成膜工程におけるＸ線吸収体パターンの低応
力化により達成しようとするものが主であった。しかし
ながら、これらの方法では未だに成膜の再現性が乏し
く、パターン精度を要求値に到達させるには問題が残っ
ている。また、マスクの形成後にパターン精度を向上す
る方法には、パターン直下のＸ線透過膜にイオンを注入
し、このイオンのＸ線透過膜の結晶内に入り込み格子間
隔を広げる作用を利用して膜応力を変化させ、Ｘ線透過
膜の面外歪みによってＸ線吸収体パターンによるＸ線透
過膜の変形や歪みを抑止するものが提案されている（特
開平４−１９６２１１）。また最近マスクのパターン精
度を向上する方法としてＸ線露光領域周辺部のマスク基
板裏面に高伸張フィルムを堆積させて、凹状のマスク歪
みを低減して平坦にするものが提案されている（特開平
５−９０１３７）。この場合には平面度の劣化に伴い生
じるパターン歪みは低減できる。しかし、これらの従来
技術においては、著しく均一な支持膜の作成と無変形枠
の形成、および低応力吸収体の作成が要求され技術的困
難さが伴っている。また膜厚、応力等の面内均一性に関
する要求も厳しい。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従来技術を用いて作製
するＸ線マスクは、要求されるパターンに対するパター
ン精度を達成するために、Ｘ線マスクを構成する薄膜に
対し膜応力、膜厚などの物性として著しく達成困難な値
および均一性を要求しており、従来技術においては大面
積で高精度のマスクを提供することが困難であった。

【０００８】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
で、その目的とするところはＸ線吸収体パターン形成後
にこのパターンを所望のパターンに修正することによ
り、パターン精度の高いＸ線マスクを製造する方法およ
びＸ線マスクを提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、枠体に配設さ
れたＸ線透過性支持基板と、このＸ線透過性支持基板に
面設されたＸ線透過性支持薄膜と、このＸ線透過性支持
薄膜側の面にＸ線吸収体で形成したＸ線吸収体パターン
とを具備し、上記Ｘ線透過性支持基板側の面の所望の位
置にＸ線吸収体パターンのパターン歪みを修正するため
の切除部或いは応力付加体或いはイオンが注入されてい
るイオン注入部を設けたＸ線マスクである。

【００１０】また、本発明は、少なくともＸ線吸収体に
より形成されたＸ線吸収体パターンがＸ線透過性支持薄
膜上に保持された構造を有するＸ線マスクの製造方法に
おいて、上記Ｘ線吸収体のパターンを形成後、所望領域
の上記支持薄膜の膜厚を増減する加工、もしくは所望領
域の前記支持薄膜の膜応力を増減する加工のうち少なく
とも何れか一方の加工を施して、上記Ｘ線マスク面内に
作用している力の分布を変えることにより上記Ｘ線パタ
ーンのパターン歪みを修正するＸ線マスクの製造方法で
ある。

【００１１】

【作用】本発明のＸ線マスクは、Ｘ線吸収体パターン及
びＸ線透過性薄膜を支持するＸ線透過性支持基板の板厚
若しくはその支持基板内の応力を増減させることによ
り、Ｘ線マスク内に作用している応力分布を変え、Ｘ線
吸収体パターンに歪みがあるときには、その歪みの変位
量を所望のパターンに修正することにより、パターン精
度の高いＸ線マスクを得ることができる。

【００１２】

【実施例】以下、本発明の実施例について詳細に説明す
る。まず、本発明のＸ線マスクの基本構成について、図
１を用いて説明する。図１（ａ）に示すＸ線マスクは、
本発明のＸ線マスクを作製する前の状態を示している。
このＸ線マスクは、枠体１に載置されているＸ線透過支
持基板２と、このＸ線透過性支持基板２に面設されたＸ
線透過性支持薄膜３と、このＸ線透過性支持薄膜３側の
面にＸ線吸収体で形成したＸ線吸収体パターン４とを具
備して構成されている。このＸ線マスクに形成されるＸ
線吸収体パターン４は、その製造工程等により、所望の
パターン４０１とは変位した位置に歪みパターン４０２
が生じてしまっている状態を示している。

【００１３】図１（ａ）に示すＸ線マスクは、本発明の
Ｘ線マスクを示し、上記Ｘ線透過性支持基板２側の面の
所望の位置にＸ線吸収体パターン４のパターン歪みを修
正するための切除部２０１が設けられている。この切除
部２０１を設けることにより、歪みパターン４０２を所
望の位置に修正した修正パターン４０３とすることがで
きるのである。この時の所望パターンから修正パターン
への動きを「移動修正」もしくは「パターン配置位置の
移動」と称して説明する。

【００１４】即ち、移動修正すべきパターン４０２を所
望のパターン配置位置４０１に移動するには、移動させ
る方向にあるＸ線透過性支持薄膜２，３の膜厚に対し
て、移動修正すべきパターン４０２の搭載領域近傍のＸ
線透過性支持薄膜２，３の膜厚を所定量薄く形成するこ
とにより、Ｘ線マスク面内に作用している力の分布を変
化させて、これにより発生するＩＰＤによりパターンを
所望のパターン配置位置に移動することが可能となる。
また同様に移動させる方向にあるＸ線透過性支持薄膜の
膜厚を移動修正すべきパターンの搭載領域近傍のＸ線透
過性支持薄膜の膜厚に対して厚く形成することにより、
Ｘ線マスク面内に作用している力の分布を変化させて、
これにより発生するＩＰＤによりパターンを所望のパタ
ーン配置位置に移動することが可能となる次に、図２
（ｂ）に示すように移動修正すべきパターン４０４を所
望のパターン配置位置４０５に移動するには、移動させ
る方向にあるＸ線透過性支持薄膜応力に対して移動修正
すべきパターンの搭載領域近傍のＸ線透過性支持薄膜応
力２０２を所定量小さくなるように形成することによ
り、Ｘ線マスク面内に作用している力の分布を変化させ
て、これにより発生するＩＰＤによりパターンを所望の
パターン配置位置に移動することが可能となる。また同
様に移動させる方向にあるＸ線透過性支持薄膜応力を移
動修正すべきパターンの搭載領域近傍のＸ線透過性支持
薄膜応力に対して大きくなるように形成することによ
り、Ｘ線マスク面内に作用している力の分布を変化させ
て、これにより発生するＩＰＤによりパターンを所望の
パターン配置位置に移動することが可能となる。

【００１５】またＸ線透過性支持薄膜の片面あるいは両
面に反射防止膜、エッチングストッパー膜、チャージア
ップ防止膜、バッファー膜などの薄膜が形成されている
場合でも、前述同様の作用により移動修正すべきパター
ンを所望のパターン配置位置に移動することが可能とな
る。

【００１６】このように図１〜２に示したパターンを移
動修正する方法は、Ｘ線マスクのように自立支持膜を有
した構造物に対しては非常に有効であるが、通常のフォ
トリソグラフィに使用されているレチクルのように、剛
体とみなせる構造物上にパターンが形成されている場合
には効力はほとんどなく、Ｘ線マスクのように自立支持
膜を有した構造物に特有な差別化された技術である。

【００１７】次に、本発明のＸ線マスクの製造方法につ
いて説明する。まず、高周波加熱方式のＬＰＣＶＤ装置
のＳｉＣコーティングしたサセプタ上に、面方位（１０
０）の両面研磨した厚さが６００μｍで、厚さ均一性が
高い（ＴＴＶ：Total Thickness Variation ≦０．３μ
ｍ）３インチＳｉ基板１を載置し、１０００℃において
塩化水素（ＨＣｌ）ガスによりＳｉ基板１の気相エッチ
ングを施すことにより、Ｓｉ基板１上に存在する自然酸
化膜および重金属類の汚染物を除去した。これによりＳ
ｉ基板表面清浄化処理が完了する。次に、図３（ａ）に
示すごとく、Ｓｉ原料としてシラン（ＳｉＨ₄ ）、Ｃ原
料としてアセチレン（Ｃ₂ Ｈ₂ ）、添加ガスとして塩化
水素（ＨＣｌ）、キャリアガスとして水素（Ｈ₂ ）の各
ガスを供給して基板温度１１００℃にて、各ガス流量、
基板温度の制御をしてＳｉＣ膜２を１μｍ堆積した。形
成したＳｉＣ膜２の応力はＳｉ基板１の反りから測定し
た結果、１×１０⁸ Ｎ／ｍ² の引張り応力であった。

【００１８】次に、図３（ｂ）に示すように、マグネト
ロンスパッリング装置によりＨｅ−Ｎｅレーザー光に対
して反射防止膜となるようアルミナ膜３を厚さ９８ｎｍ
に形成する。スパッタリング条件は、印加電力１ｋＷ、
Ａｒ圧力を３ｍＴｏｒｒとした。

【００１９】次に、図３（ｃ）に示すように、マグネト
ロンスパッリング装置により、アルミナ膜３上にＸ線吸
収体パターンとなるＷ膜４を０．５μｍ堆積させた。印
加電力は、１．７ｋＷ／ｃｍ² とし、ガス圧力を密度の
大きいＷ膜を形成できる低圧力側で、低応力が得られる
３ｍＴｏｒｒとした。形成したＷ膜４の応力はＳｉ基板
１の反りから測定した結果、２×１０⁷ Ｎ／ｍ² の引張
り応力であった。そして、このＷ膜４にＡｒイオンをエ
ネルギー１８０ｋｅＶ、２×１０¹⁵ions／ｃｍ² のドー
ズ量で注入し、Ｗ膜４の応力をゼロとなるようにした。
次に、Ｗ膜４上にエッチングマスクとなるアルミナ膜５
をマグネトロンスパッタ装置により厚さ５０ｎｍに形成
する。

【００２０】そして、図３（ｄ）に示すごとく、表面研
磨した石英ガラスからなる補強枠（外径１００ｍｍφ、
開孔径６０ｍｍφ、面精度０．１μｍ以下）６とマスク
基板であるＳｉ基板１を直接接合により室温で接合し
た。Ｓｉ基板１の領域のマスク平面度は、Ｈｅ−Ｎｅレ
ーザー干渉計により測定した結果、約０．３μｍであっ
た。

【００２１】次に、図３（ｅ）に示すごとく、アルミナ
膜５上に電子ビームレジスト（ＳＡＬ６０１、シップレ
ー社製）７を塗布し、電子ビーム描画装置によりレジス
ト７を描画して所望のパターンを形成する。照射量は１
３μＣ／ｃｍ² とした。

【００２２】次に、図３（ｆ）に示すように、プラズマ
エッチング装置により、エッチングガスＢＣｌ₃ を用い
て、レジスト７をマスクとしてアルミナ膜５をエッチン
グする。そして酸素プラズマによりレジストを除去した
後、図３（ｇ）に示すごとく、エッチングガスにＳＦ₆
＋ＣＨＦ₃ を用いてアルミナパターン５をマスクにＷ膜
４を異方性エッチングする。

【００２３】次に、図３（ｈ）に示すごとく、Ｓｉ基板
１表面のパターン面を純水スプレーにより冷却しなが
ら、開口部８より弗化水素酸の硝酸の混合溶液をスプレ
ーしてＳｉ基板１をバックエッチングして除去しＸ線露
光領域を形成した。

【００２４】次に、図３（ｉ）に示すごとく、反射防止
膜としてのアルミナ膜９をスパッタリング法により、Ｘ
線透過膜のＸ線吸収体パターンのある面と反対側の面に
厚さ９８ｎｍに形成する。

【００２５】ここまでの工程により作製したマスクにつ
いて、マスクのパターン配置位置をニコン社製「光波３
Ｉ」により測定し、設計パターン位置と形成したパター
ンとの寸法差を検査した。最大の位置の差は０．０５４
μｍであり、３σで０．０４４μｍであった。また変位
はほぼ一方向（Ｙ方向）に生じていた。

【００２６】次に、形成したパターン４の一部を所定量
移動修正して位置歪みを低減するために、パターン４の
裏面に位置するＸ線透過性支持膜（Ｘ線透過性を支持基
板２とＸ線透過性薄膜３，９からなる構造体をＸ線透過
性支持膜３０１と称す）の膜厚を図４（ａ）に示す装置
を用いてケミカルドライエッチング法（ＣＤＥ）により
エッチングガスにＣＦ₄ とＯ₂ の混合ガス３３をエッチ
ングガス発生部２０から供給し、チャンバー２１内で所
定量薄くした。エッチング量は、各パターンに必要な移
動量となるように計算により求めた値を用いた。装置は
ＸＹステージ３４を駆動するＸ−Ｙステージ駆動モータ
２２を制御することによりマスク３５を走査しながら、
各座標位置に対して時間制御してエッチングできる機能
を有している。さらに、図４（ｂ）に示すように、ノズ
ル３６によりエッチング領域のサイズを調整することが
できる。このＣＤＥにより加工したＸ線透過性支持膜３
０１のエッチング分布を図５（ｃ）に示す。このように
して、Ｘ線透過性支持膜３０１の膜厚を位置歪みを低減
するように制御して加工し、形成後のパターン４を設計
パターン配置位置に移動修正して位置精度を向上させ
た。尚、Ｘ線マスク３５は、冷却ガス２３で冷却され、
スペーサ２４を介してマスクホルダ２５で固定されてい
る。

【００２７】以上の工程により作製したマスクのパター
ン配置位置をニコン社製「光波３Ｉ」により測定し、設
計パターンデータと比較検査したところ、最大の位置変
位量０．０１８μｍ、平均変位量０．０３μｍ、３σで
０．０１４μｍが得られた。

【００２８】つぎに、本発明の他の実施例について詳細
に説明する。前述同様の工程により作製したマスクにつ
いて、図６（ａ）に示すようにマスクのパターン配置位
置をニコン社製「光波３Ｉ」により測定し、設計パター
ン位置と形成したパターンとの寸法差を検査した。最大
の位置の差は０．０６４μｍであり、３σで０．０３１
μｍであった。また変位はほぼ一方向に生じていた。

【００２９】次に、図６（ｂ）に示すように形成したパ
ターンの一部４１を所定量移動修正するために、図７
（ａ），（ｂ）に示すような装置を用いてパターン４１
の裏面に位置するＸ線透過膜４２およびアルミナ膜４３
からなるＸ線透過性支持膜４４の膜厚を弗化水素酸と硝
酸の混合溶液４５をスプレーして液相エッチングにより
時間制御しながら所定量薄くした。スプレーノズル４６
はＸＹ駆動機能を有し、Ｘ線透過性支持膜４４の所望位
置をエッチングできるようになっている。またエッチン
グの際にＸ線透過性支持膜４４の周辺部はレジスト４７
により保護してエッチングされないようにした。エッチ
ング後、レジスト４７は薬品により剥離した。このよう
にして、形成後のパターンを設計パターン配置位置に移
動修正して位置精度を向上させた。以上の工程により作
製したマスクのパターン配置位置をニコン社製「光波３
Ｉ」により測定し、設計パターン位置と比較検査したと
ころ、最大の位置変位量０．０２０μｍ、平均変位量
０．０２μｍ、３σで０．０２３μｍが得られた。ま
た、図８に示すように上述の液相エッチングをＸＹ駆動
機能を有した二重管４８を用い、Ｘ線透過性支持膜４４
の所望位置に近接して弗化水素酸と硝酸のエッチング溶
液４５と純水４９を共に供給しながら行い、同様の操作
により形成後のパターンを設計パターン配置位置に移動
修正して位置精度を向上させた。

【００３０】さらに、本発明のその他の実施例について
詳細に説明する。前述同様の工程により作製したマスク
について、図９（ａ）に示すようにマスクのパターン配
置位置をニコン社製「光波３Ｉ」により測定し、設計パ
ターン位置と形成したパターンとの寸法差を検査した。
最大の位置の差は０．０７０μｍあり、３σで０．０３
１μｍであった。また変位はほぼマスク中央方向に生じ
ていた。

【００３１】次に、図９（ｂ）に示すように形成したパ
ターンの中央部へ向かう変位を所定量外側へ移動修正し
て位置歪みを低減するために、ＸＹ駆動機能を有したア
パーチャー５１を介して、中央領域のパターン５２の裏
面に位置するＸ線透過膜５３およびアルミナ膜５４から
なるＸ線透過性支持膜５５の中央部にＡｒイオン５６を
エネルギー１８０ｋｅＶ、１×１０¹⁵ions／ｃｍ² のド
ーズ量で注入し、パターン５２を搭載している中央領域
のＸ線透過性支持膜５５の内部応力を約１０％緩和させ
た。このようにして、形成後のパターンを設計パターン
配置位置に移動修正して位置精度を向上させた。

【００３２】以上の工程により作製したマスクのパター
ン配置位置をニコン社製「光波３Ｉ」により測定し、設
計パターン位置と比較検査したところ、最大の位置変位
量０．０２３μｍ、平均変位量０．０３μｍ、３σで
０．０２１μｍが得られた。

【００３３】さらにまた、本発明のその他の実施例につ
いて詳細に説明する。前述同様の工程により作製したマ
スクについて、図１０（ａ）に示すようにマスクのパタ
ーン配置位置をニコン社製「光波３Ｉ」により測定し、
設計パターン位置と形成したパターンとの寸法差を検査
した。最大の位置の差は０．０６４μｍあり、３σ０．
０４１μｍであった。また変位はほぼ一方向に生じてい
た。

【００３４】次に、図１０（ｂ）に示すように形成した
パターンの一部６１を所定量移動修正するために、パタ
ーン６１の裏面に位置するアルミナ膜６２上にＸＹ駆動
機能を有したアパーチャー６３を介して、マグネトロン
スパッタリング装置により圧縮応力を有する第２のアル
ミナ膜６４を５０ｎｍの厚さで形成した。スパッタ粒子
６５のスパッタリング条件は、印加電力１ｋＷ、Ａｒ圧
力を３ｍＴｏｒｒとした。このようにして、形成後のパ
ターンを設計パターン配置位置に移動修正して位置精度
を向上させた。

【００３５】以上の工程により作製したマスクのパター
ン配置位置をニコン社製「光波３Ｉ」により測定し、設
計パターン位置と比較検査したところ、最大の位置変位
量０．０１５μｍ、平均変位量０．０２μｍ、３σで
０．０１８μｍが得られた。

【００３６】そしてさらに、本発明のその他の実施例に
ついて詳細に説明する。前述同様の工程により作製した
マスクについて、マスクのパターン配置位置をニコン社
製「光波３Ｉ」により測定し、設計パターン位置と形成
したパターンとの寸法差を検査したところ、Ｘ線吸収体
パターンの面積分布に大きく依存する位置変位が発生し
ていた。パターンの密な領域において、そのパターン領
域のほぼ中央部に向かう位置変位が測定された。このよ
うな位置歪みに対して、形成した吸収体パターンをマス
クにＸ線透過性支持膜上に形成したネガ型のレジストに
露光処理を施すことによりセルフアラインでレジストパ
ターンを形成し、このレジストパターンをマスクにＸ線
透過性支持膜の膜厚を図８で示した装置により所定量エ
ッチングして、パターン位置精度を向上させた。さら
に、同様の位置歪みに対して、ポジ型のレジストを用い
て露光処理によりセルフアラインでレジストパターンを
形成し、このレジストパターンをマスクに図１０（ｂ）
の装置によりＸ線透過性支持膜上に引張り応力を有する
ＳｉＮ膜を所定量成膜して、パターン位置精度を向上さ
せた。いずれの操作もＸ線吸収体パターンの面積分布に
応じてセルフアラインで、Ｘ線透過性支持膜を加工処理
しているので、形成した吸収体パターンが設計パターン
配置位置に自動的に移動修正されている。

【００３７】前述した各実施例にあるように、パターン
位置精度は著しく向上している。これはＸ線吸収体パタ
ーンを形成した後でマスクのパターン配置位置と設計パ
ターン位置との寸法差を測定し、そのパターンの変位量
に応じてマスク上での位置精度低下を低減するように、
Ｘ線透過性支持膜の膜厚と内部応力の積で表される力に
最適な分布を与えてパターンを所定量移動配置できるよ
うに、膜厚あるいは（および）応力を制御して加工した
ことによる。但し、これらの操作ではＸ線透過性支持薄
膜の一部に加工を施し特定のパターンのみを移動修正す
ることは事実上不可能であり、必ず他の部分のパターン
も移動する。そこで加工する際には、所望のパターンを
主に移動修正し、かつ他のパターンになるべく影響のな
いように処理することにより全体の位置精度を向上させ
ることが可能となっている。

【００３８】なお、本発明は上述した実施例に限定され
るものではない。実施例１〜５を複数組み合わせて使用
しても構わない。実施例ではマスクの作製において低下
したパターン位置精度を向上させたことについて記述し
てあるが、例えばＸ線露光においてＸ線照射損傷などに
よりパターン配置位置に変位が生じたマスクについて
も、本発明を使用してパターン位置精度の向上を図るこ
とが可能である。さらにその他の原因によりパターン位
置精度が低下したマスクについて本発明を適用しても構
わない。また本発明に置けるＸ線透過性支持薄膜は単層
膜のみでなく多層膜も可能で、Ｘ線透過性薄膜やその薄
膜の片面あるいは両面に反射防止膜、エッチングストッ
パー膜、チャージアップ防止膜、応力緩衝膜などの薄膜
で形成された自立支持膜であればよい。また、例えばＥ
ＢレジストもＳＡＬ６０１に限るものではなく、ＣＭ
Ｓ、ＺＥＰ−５２０などでも良い。Ｘ線吸収体もＷに限
るものではなく、Ｔａ、Ａｕ、Ｒｅおよびその窒化物や
炭化物、Ｗ／Ｔａ、Ｗ／Ｒｅなどの合金を用いることも
できる。Ｘ線透過性薄膜においても、ＳｉＣに限らず、
ＳｉＮ_X 、ＳｉＣ_X Ｎ_Y 、ＢＮ、ボロンドープしたＳｉ
あるいはＣ膜を用いることもできる。更に、Ｓｉ基板の
湿式エッチング液も弗化水素酸と硝酸の混合液に限るこ
とはなく、ＫＯＨ溶液でも良い。その他、本発明の要旨
を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができ
る。

【００３９】

【発明の効果】本発明によれば、形成されたＸ線吸収体
パターンを所望領域のＸ線透過性支持薄膜の膜厚、ある
いは（および）膜応力を増減する加工を施し、Ｘ線マス
ク面内に作用している力の分布を所定量制御して変える
ことにより、Ｘ線吸収体パターンを所望のパターン配置
位置に所定量移動して再配置することができ、パターン
位置精度の極めて高いＸ線マスクを製造することが可能
となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例を説明するＸ線マスクの断面
図。

【図２】本発明のＸ線マスクの断面図。

【図３】本発明のＸ線マスクの製造工程を示す断面工
程図。

【図４】本発明のＸ線マスクの製造装置を示す構造
図。

【図５】マスクのエッチング分布図。

【図６】本発明の他の実施例の説明図。

【図７】本発明の他の実施例の製造装置を示す構造
図。

【図８】本発明の他の実施例の製造装置を示す構造
図。

【図９】本発明の他の実施例の説明図。

【図１０】本発明の他の実施例の説明図。

【図１１】従来技術の説明図。

【図１２】従来のＸ線マスクの説明図。

【図１３】従来のＸ線マスクの説明図。

【図１４】従来のＸ線マスクの説明図。

【符号の説明】

１…Ｓｉ基板２…ＳｉＣ膜３…アルミナ膜４…Ｗ膜５…アルミナパターン６…補強枠７…レジスト８…開口部９…アルミナ膜２０１…切除部２０２…イオン注入部

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】枠体に配設されたＸ線透過性支持基板と、
このＸ線透過性支持基板に面設されたＸ線透過性支持薄
膜と、このＸ線透過性支持薄膜側の面にＸ線吸収体で形
成したＸ線吸収体パターンとを具備してなるＸ線マスク
に於いて、前記Ｘ線透過性支持基板の前記薄膜が形成さ
れた面と反対の面の所望の位置にＸ線吸収体パターンの
パターン歪みを修正するための切除部を設けたことを特
徴とするＸ線マスク。
【請求項２】枠体に配設されたＸ線透過性支持基板と、
このＸ線透過性支持基板に面設されたＸ線透過性支持薄
膜と、このＸ線透過性支持薄膜側の面にＸ線吸収体で形
成したＸ線吸収体パターンとを具備してなるＸ線マスク
に於いて、前記Ｘ線透過性支持基板の前記薄膜が形成さ
れた面と反対の面の所望の位置にＸ線吸収体パターンの
パターン歪みを修正するための応力付加体を設けたこと
を特徴とするＸ線マスク。
【請求項３】枠体に配設されたＸ線透過性支持基板と、
このＸ線透過性支持基板に面設されたＸ線透過性支持薄
膜と、このＸ線透過性支持薄膜側の面にＸ線吸収体で形
成したＸ線吸収体パターンとを具備してなるＸ線マスク
に於いて、前記Ｘ線吸収体パターンのパターン歪みを修
正するため、前記Ｘ線透過性支持基板の前記薄膜が形成
された面と反対の面の所望の位置にイオンが注入されて
いるイオン注入部を設けたことを特徴とするＸ線マス
ク。
【請求項４】少なくともＸ線吸収体により形成されたＸ
線吸収体パターンがＸ線透過性支持薄膜上に保持された
構造を有するＸ線マスクの製造方法において、前記Ｘ線
吸収体のパターンを形成後、所望領域の前記支持薄膜の
膜厚を増減する加工、もしくは所望領域の前記支持薄膜
の膜応力を増減する加工のうち少なくとも何れか一方の
加工を施して、前記Ｘ線マスク面内に作用している力の
分布を変えることにより前記Ｘ線パターンのパターン歪
みを修正することを特徴とするＸ線マスクの製造方法。