JP3350235B2 - Ｘ線マスクの製造方法及びそれにより得られたｘ線マスク - Google Patents
Ｘ線マスクの製造方法及びそれにより得られたｘ線マスクInfo
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、Ｘ線リソグラフィー
用のＸ線マスクの製造方法及びそれにより得られたＸ線
マスクに係り、ダイヤモンド薄膜を用いたＸ線マスクの
製造方法及びそれにより得られたＸ線マスクに関するも
のである。
用のＸ線マスクの製造方法及びそれにより得られたＸ線
マスクに係り、ダイヤモンド薄膜を用いたＸ線マスクの
製造方法及びそれにより得られたＸ線マスクに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】図７は例えば特開平５−２１７８６２号
公報に示された従来のＸ線マスクを示す断面図であり、
図において、１は中央部が除去された２ｍｍ程度の厚み
のシリコン（Ｓｉ）基板、２はＳｉ基板１上に成膜され
炭化ケイ素（ＳｉＣ）等のＸ線透過率のよい軽元素セラ
ミックスからなる２μｍ程度の厚みのメンブレン薄膜
（自立膜）、３は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の可
視光の透過率のよい材料から構成され荷電粒子による帯
電を防止する下地膜、４は中央部に半導体集積回路のパ
ターン５が形成され１〜２％のチタン（Ｔｉ）を含むタ
ングステン（Ｗ）合金（Ｗ−Ｔｉ合金）からなるＸ線吸
収体、６はクロム（Ｃｒ）金属膜からなるエッチングマ
スクである。
公報に示された従来のＸ線マスクを示す断面図であり、
図において、１は中央部が除去された２ｍｍ程度の厚み
のシリコン（Ｓｉ）基板、２はＳｉ基板１上に成膜され
炭化ケイ素（ＳｉＣ）等のＸ線透過率のよい軽元素セラ
ミックスからなる２μｍ程度の厚みのメンブレン薄膜
（自立膜）、３は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の可
視光の透過率のよい材料から構成され荷電粒子による帯
電を防止する下地膜、４は中央部に半導体集積回路のパ
ターン５が形成され１〜２％のチタン（Ｔｉ）を含むタ
ングステン（Ｗ）合金（Ｗ−Ｔｉ合金）からなるＸ線吸
収体、６はクロム（Ｃｒ）金属膜からなるエッチングマ
スクである。
【０００３】次に、前記Ｘ線マスクの製造方法について
図８に基づき説明する。まず、Ｓｉ基板１の上面にＳｉ
Ｃ膜１１を形成し（同図（ａ））、次いでＳｉ基板１の
中央部を弗硝酸等のエッチング溶液を用いて下方から溶
解除去し、ＳｉＣのメンブレン薄膜２を形成する（同図
（ｂ））。次いでスパッタ法またはスピンコート法（回
転塗布法）等を用いてメンブレン薄膜２上にＩＴＯの下
地膜３、Ｗ−Ｔｉ合金のＸ線吸収体４、エッチングマス
ク６となるＣｒ膜１２及びレジスト膜１３を順次形成す
る（同図（ｃ））。次いでレジスト膜１３上に図示しな
い電子ビーム（ＥＢ）を走査させて該レジスト膜１３に
半導体集積回路のパターン１４を形成し（同図
（ｄ））、Ｃｌ2 ／Ｏ2 の混合ガスを用いパターン１４
をエッチングマスクとしてＣｒ膜１２をエッチングする
（同図（ｅ））。次いでＳＦ6 ／ＣＨＦ3混合ガスを用
い、低温ヘリウム（Ｈｅ）によりＳｉ基板１を底部より
−５０℃程度まで冷却した状態でＸ線吸収体４に低温エ
ッチングを行い、半導体集積回路のパターン５を形成し
た後、レジスト膜１３を除去する（同図（ｆ））。
図８に基づき説明する。まず、Ｓｉ基板１の上面にＳｉ
Ｃ膜１１を形成し（同図（ａ））、次いでＳｉ基板１の
中央部を弗硝酸等のエッチング溶液を用いて下方から溶
解除去し、ＳｉＣのメンブレン薄膜２を形成する（同図
（ｂ））。次いでスパッタ法またはスピンコート法（回
転塗布法）等を用いてメンブレン薄膜２上にＩＴＯの下
地膜３、Ｗ−Ｔｉ合金のＸ線吸収体４、エッチングマス
ク６となるＣｒ膜１２及びレジスト膜１３を順次形成す
る（同図（ｃ））。次いでレジスト膜１３上に図示しな
い電子ビーム（ＥＢ）を走査させて該レジスト膜１３に
半導体集積回路のパターン１４を形成し（同図
（ｄ））、Ｃｌ2 ／Ｏ2 の混合ガスを用いパターン１４
をエッチングマスクとしてＣｒ膜１２をエッチングする
（同図（ｅ））。次いでＳＦ6 ／ＣＨＦ3混合ガスを用
い、低温ヘリウム（Ｈｅ）によりＳｉ基板１を底部より
−５０℃程度まで冷却した状態でＸ線吸収体４に低温エ
ッチングを行い、半導体集積回路のパターン５を形成し
た後、レジスト膜１３を除去する（同図（ｆ））。
【０００４】下地膜３のＩＴＯはＷ−Ｔｉ合金とのエッ
チング選択性が大きく、エッチング時間を長くしても安
定であるからエッチングストッパとして良好であり、Ｗ
−Ｔｉ合金のＸ線吸収体４に深さ一定かつエッチング面
が垂直なパターン５を形成することができる。
チング選択性が大きく、エッチング時間を長くしても安
定であるからエッチングストッパとして良好であり、Ｗ
−Ｔｉ合金のＸ線吸収体４に深さ一定かつエッチング面
が垂直なパターン５を形成することができる。
【０００５】前記Ｘ線マスクを露光材（レジスト）を塗
布したＳｉウエハ面に対して１０〜５０μｍの間隔を保
持したまま平行に配置し、シンクロトロン（Synchro-tr
on radiation；ＳＲ）放射光源から放出されるＸ線を照
射することにより、マスク上の微細加工用パターンであ
るパターン５をＳｉウエハ上に転写することができる。
このＸ線マスクを用いたＸ線露光法は、Ｘ線の直進性が
優れているため、従来の電子ビーム露光，紫外線露光等
と比べて高精度の微細パターンの形成が可能である。
布したＳｉウエハ面に対して１０〜５０μｍの間隔を保
持したまま平行に配置し、シンクロトロン（Synchro-tr
on radiation；ＳＲ）放射光源から放出されるＸ線を照
射することにより、マスク上の微細加工用パターンであ
るパターン５をＳｉウエハ上に転写することができる。
このＸ線マスクを用いたＸ線露光法は、Ｘ線の直進性が
優れているため、従来の電子ビーム露光，紫外線露光等
と比べて高精度の微細パターンの形成が可能である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のＸ線マスク及び
その製造方法は以上のように構成されているので、クォ
ータミクロンレベルの微細なパターン５の位置精度を高
めるためには、メンブレン薄膜２のヤング率を大きく
し、Ｘ線吸収体４の応力を小さくする必要があり、さら
にパターン５の寸法精度を高めるためには、Ｘ線吸収体
４の結晶粒径を極端に小さくするか、または非晶質（ア
モルファス）とする必要がある。そこで、ダイヤモンド
膜が高ヤング率を有することから該ダイヤモンド膜をメ
ンブレン薄膜として用いる試みがなされ様々な提案がな
されている。
その製造方法は以上のように構成されているので、クォ
ータミクロンレベルの微細なパターン５の位置精度を高
めるためには、メンブレン薄膜２のヤング率を大きく
し、Ｘ線吸収体４の応力を小さくする必要があり、さら
にパターン５の寸法精度を高めるためには、Ｘ線吸収体
４の結晶粒径を極端に小さくするか、または非晶質（ア
モルファス）とする必要がある。そこで、ダイヤモンド
膜が高ヤング率を有することから該ダイヤモンド膜をメ
ンブレン薄膜として用いる試みがなされ様々な提案がな
されている。
【０００７】しかしながら、ダイヤモンド膜は従来のＳ
ｉＣ膜と比べて結晶粒径が大きくなり易く、成膜後の表
面の凹凸が大きくなるため膜の平滑性が低下するという
問題点があった。この場合、ダイヤモンド膜上またはそ
の上のＩＴＯ膜上に形成されたＸ線吸収体は結晶化され
易くなるため、安定した非晶質構造をとることが難しい
という問題点がある。また、メンブレン薄膜２には適正
な応力が要求されるが、通常のダイヤモンド膜の応力は
かなり大きく、例えば上記の製造工程でメンブレン薄膜
２としてダイヤモンド膜を用いるとＳｉ基板１の中央部
を溶解除去した際に該ダイヤモンド膜の応力のためにＳ
ｉ基板１が大きく反ったり歪んだりし、極端な場合には
破損してしまう等の問題点があった。
ｉＣ膜と比べて結晶粒径が大きくなり易く、成膜後の表
面の凹凸が大きくなるため膜の平滑性が低下するという
問題点があった。この場合、ダイヤモンド膜上またはそ
の上のＩＴＯ膜上に形成されたＸ線吸収体は結晶化され
易くなるため、安定した非晶質構造をとることが難しい
という問題点がある。また、メンブレン薄膜２には適正
な応力が要求されるが、通常のダイヤモンド膜の応力は
かなり大きく、例えば上記の製造工程でメンブレン薄膜
２としてダイヤモンド膜を用いるとＳｉ基板１の中央部
を溶解除去した際に該ダイヤモンド膜の応力のためにＳ
ｉ基板１が大きく反ったり歪んだりし、極端な場合には
破損してしまう等の問題点があった。
【０００８】そこで、表面の凹凸を小さくする改善策と
して、（ａ）下地膜３にＳＯＧ（Spin on Glass ）を塗
布し平滑性を向上させる、（ｂ）プラズマ処理により下
地膜３の表面を非晶質化する、（ｃ）Ｘ線吸収体４の形
成時にスパッタ圧力を低くしてＷ−Ｔｉ合金を非晶質化
し易くする、等が考えられるが、（ａ）ではＳＯＧのＸ
線に対する耐性が弱いので劣化し易く、しかも膜が剥が
れ易い等の問題点があり、また（ｂ）では凹凸を小さく
する効果が小さく、（ｃ）ではＷ−Ｔｉ合金の応力が大
きくなりすぎるなどの問題点があった。
して、（ａ）下地膜３にＳＯＧ（Spin on Glass ）を塗
布し平滑性を向上させる、（ｂ）プラズマ処理により下
地膜３の表面を非晶質化する、（ｃ）Ｘ線吸収体４の形
成時にスパッタ圧力を低くしてＷ−Ｔｉ合金を非晶質化
し易くする、等が考えられるが、（ａ）ではＳＯＧのＸ
線に対する耐性が弱いので劣化し易く、しかも膜が剥が
れ易い等の問題点があり、また（ｂ）では凹凸を小さく
する効果が小さく、（ｃ）ではＷ−Ｔｉ合金の応力が大
きくなりすぎるなどの問題点があった。
【０００９】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、請求項１ないし３の発明は、緻
密で平滑性のよいＸ線吸収体を有するＸ線マスクの製造
方法を提供することを目的とする。
ためになされたもので、請求項１ないし３の発明は、緻
密で平滑性のよいＸ線吸収体を有するＸ線マスクの製造
方法を提供することを目的とする。
【００１０】請求項４の発明は、Ｘ線露光時に隣接する
チップ間のかぶりを防止することができるＸ線マスクの
製造方法を提供することを目的とする。
チップ間のかぶりを防止することができるＸ線マスクの
製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】請求項５の発明は、パターンの位置精度を
向上させることができるＸ線マスクの製造方法を提供す
ることを目的とする。
向上させることができるＸ線マスクの製造方法を提供す
ることを目的とする。
【００１２】請求項６の発明は、平滑性をさらに向上さ
せるＸ線マスクの製造方法を提供することを目的とす
る。
せるＸ線マスクの製造方法を提供することを目的とす
る。
【００１３】請求項７の発明は、ダイヤモンド膜の応力
を制御することにより、反りや歪みを防止することがで
きるＸ線マスクの製造方法を提供することを目的とす
る。
を制御することにより、反りや歪みを防止することがで
きるＸ線マスクの製造方法を提供することを目的とす
る。
【００１４】請求項８の発明は、緻密で平滑性のよいＸ
線吸収体を有することにより、パターンの寸法精度を向
上させることができるＸ線マスクを得ることを目的とす
る。
線吸収体を有することにより、パターンの寸法精度を向
上させることができるＸ線マスクを得ることを目的とす
る。
【００１５】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係るＸ
線マスクの製造方法は、薄厚の基板の平滑な面に非晶質
または微結晶のいずれかの構造からなるＸ線吸収体を形
成する吸収体形成工程と、該Ｘ線吸収体上にダイヤモン
ド膜を成膜するダイヤモンド成膜工程と、前記基板を前
記Ｘ線吸収体より除去する基板除去工程と、前記Ｘ線吸
収体に所定のパターンを形成するパターン形成工程とを
備えたものである。
線マスクの製造方法は、薄厚の基板の平滑な面に非晶質
または微結晶のいずれかの構造からなるＸ線吸収体を形
成する吸収体形成工程と、該Ｘ線吸収体上にダイヤモン
ド膜を成膜するダイヤモンド成膜工程と、前記基板を前
記Ｘ線吸収体より除去する基板除去工程と、前記Ｘ線吸
収体に所定のパターンを形成するパターン形成工程とを
備えたものである。
【００１６】請求項２の発明に係るＸ線マスクの製造方
法は、前記吸収体形成工程の後に、前記Ｘ線吸収体上に
光の反射防止膜となる薄膜を形成する薄膜形成工程を備
えたものである。
法は、前記吸収体形成工程の後に、前記Ｘ線吸収体上に
光の反射防止膜となる薄膜を形成する薄膜形成工程を備
えたものである。
【００１７】請求項３の発明に係るＸ線マスクの製造方
法は、前記ダイヤモンド成膜工程の後に、該ダイヤモン
ド膜の周縁部にＸ線マスクの補強部材を設ける補強工程
を備えたものである。
法は、前記ダイヤモンド成膜工程の後に、該ダイヤモン
ド膜の周縁部にＸ線マスクの補強部材を設ける補強工程
を備えたものである。
【００１８】請求項４の発明に係るＸ線マスクの製造方
法は、前記基板除去工程を、前記基板の周囲部分を除く
部分を除去する工程としたものである。
法は、前記基板除去工程を、前記基板の周囲部分を除く
部分を除去する工程としたものである。
【００１９】請求項５の発明に係るＸ線マスクの製造方
法は、前記基板除去工程を、前記基板の周囲部分を除く
部分を除去するとともに該周囲部分に電子ビーム描画用
位置検出マークを形成する工程としたものである。
法は、前記基板除去工程を、前記基板の周囲部分を除く
部分を除去するとともに該周囲部分に電子ビーム描画用
位置検出マークを形成する工程としたものである。
【００２０】請求項６の発明に係るＸ線マスクの製造方
法は、前記ダイヤモンド成膜工程を、炭素化合物を含む
原料ガスと共に粒径が数〜数十ｎｍ以下のダイヤモンド
微結晶を供給し、前記原料ガスを分解しつつ該ダイヤモ
ンド微結晶を含むダイヤモンド膜を成膜する工程とした
ものである。
法は、前記ダイヤモンド成膜工程を、炭素化合物を含む
原料ガスと共に粒径が数〜数十ｎｍ以下のダイヤモンド
微結晶を供給し、前記原料ガスを分解しつつ該ダイヤモ
ンド微結晶を含むダイヤモンド膜を成膜する工程とした
ものである。
【００２１】請求項７の発明に係るＸ線マスクの製造方
法は、前記ダイヤモンド成膜工程を、原料ガス中の炭素
化合物の濃度及び該原料ガスの分解条件を変化させて膜
の応力を調整し、異なる応力を持つ膜の組合せにより、
成膜するダイヤモンド膜の応力を制御する工程としたも
のである。
法は、前記ダイヤモンド成膜工程を、原料ガス中の炭素
化合物の濃度及び該原料ガスの分解条件を変化させて膜
の応力を調整し、異なる応力を持つ膜の組合せにより、
成膜するダイヤモンド膜の応力を制御する工程としたも
のである。
【００２２】請求項８の発明に係るＸ線マスクは、請求
項１ないし７のいずれか１項記載のＸ線マスクの製造方
法により作成したものである。
項１ないし７のいずれか１項記載のＸ線マスクの製造方
法により作成したものである。
【００２３】
【作用】請求項１の発明におけるＸ線マスクの製造方法
は、前記吸収体形成工程と、ダイヤモンド成膜工程とを
行った後に、前記基板を除去する基板除去工程を行うこ
とにより、表面の凹凸が小さく平滑性に優れた非晶質ま
たは微結晶の緻密な構造のＸ線吸収体を作成することが
可能になり、したがってパターンの寸法精度の高いＸ線
マスクを作成することが可能になる。
は、前記吸収体形成工程と、ダイヤモンド成膜工程とを
行った後に、前記基板を除去する基板除去工程を行うこ
とにより、表面の凹凸が小さく平滑性に優れた非晶質ま
たは微結晶の緻密な構造のＸ線吸収体を作成することが
可能になり、したがってパターンの寸法精度の高いＸ線
マスクを作成することが可能になる。
【００２４】請求項２の発明におけるＸ線マスクの製造
方法は、前記吸収体形成工程の後に、前記Ｘ線吸収体上
にＩＴＯ等の光透過が高く且つ光反射防止機能を持つ下
地膜を備えたことにより、転写時のアライメントを高精
度に行なうことができる。
方法は、前記吸収体形成工程の後に、前記Ｘ線吸収体上
にＩＴＯ等の光透過が高く且つ光反射防止機能を持つ下
地膜を備えたことにより、転写時のアライメントを高精
度に行なうことができる。
【００２５】請求項３の発明におけるＸ線マスクの製造
方法は、前記ダイヤモンド成膜工程の後に、該ダイヤモ
ンド膜の周縁部に補強部材を設ける補強工程を備えたこ
とにより、Ｘ線マスクの機械的強度が向上する。
方法は、前記ダイヤモンド成膜工程の後に、該ダイヤモ
ンド膜の周縁部に補強部材を設ける補強工程を備えたこ
とにより、Ｘ線マスクの機械的強度が向上する。
【００２６】請求項４の発明におけるＸ線マスクの製造
方法は、前記基板除去工程を前記基板の周囲部分を除く
部分を除去する工程としたことにより、Ｘ線露光を行う
際に周囲から侵入するＸ線を前記周囲部分で遮断し、隣
合うチップ間のかぶりを防止するＸ線マスクを作成する
ことが可能になる。
方法は、前記基板除去工程を前記基板の周囲部分を除く
部分を除去する工程としたことにより、Ｘ線露光を行う
際に周囲から侵入するＸ線を前記周囲部分で遮断し、隣
合うチップ間のかぶりを防止するＸ線マスクを作成する
ことが可能になる。
【００２７】請求項５の発明におけるＸ線マスクの製造
方法は、前記基板除去工程を、前記基板の周囲部分を除
く部分を除去するとともに該周囲部分に電子ビーム描画
用位置検出マークを形成する工程としたことにより、Ｘ
線露光を行う際に周囲から侵入するＸ線を前記周囲部分
で遮断し、隣合うチップ間のかぶりを防止するととも
に、パターン描画時のパターン位置精度を向上させるＸ
線マスクを作成することが可能になる。
方法は、前記基板除去工程を、前記基板の周囲部分を除
く部分を除去するとともに該周囲部分に電子ビーム描画
用位置検出マークを形成する工程としたことにより、Ｘ
線露光を行う際に周囲から侵入するＸ線を前記周囲部分
で遮断し、隣合うチップ間のかぶりを防止するととも
に、パターン描画時のパターン位置精度を向上させるＸ
線マスクを作成することが可能になる。
【００２８】請求項６の発明におけるＸ線マスクの製造
方法は、炭素化合物を含む原料ガスと共に、粒径が数〜
数十ｎｍ以下のダイヤモンド微結晶を供給し、前記原料
ガスを分解しつつ該ダイヤモンド微結晶を含むダイヤモ
ンド膜を成膜することにより、前記ダイヤモンド微結晶
は膜表面で二次核となり、粒径のそろったダイヤモンド
微結晶が成長し、緻密な多結晶構造のダイヤモンド膜を
形成する。これにより粒径の小さいダイヤモンド微結晶
からなる表面の凹凸の小さいダイヤモンド膜を成膜する
ことが可能になる。
方法は、炭素化合物を含む原料ガスと共に、粒径が数〜
数十ｎｍ以下のダイヤモンド微結晶を供給し、前記原料
ガスを分解しつつ該ダイヤモンド微結晶を含むダイヤモ
ンド膜を成膜することにより、前記ダイヤモンド微結晶
は膜表面で二次核となり、粒径のそろったダイヤモンド
微結晶が成長し、緻密な多結晶構造のダイヤモンド膜を
形成する。これにより粒径の小さいダイヤモンド微結晶
からなる表面の凹凸の小さいダイヤモンド膜を成膜する
ことが可能になる。
【００２９】請求項７の発明におけるＸ線マスクの製造
方法は、原料ガス中の炭素化合物の濃度及び該原料ガス
の分解条件を変化させて膜の応力を調整し、異なる応力
を持つ膜の組合せにより、成膜するダイヤモンド膜の応
力を制御することにより、該ダイヤモンド膜の応力を適
正な応力範囲に収める。
方法は、原料ガス中の炭素化合物の濃度及び該原料ガス
の分解条件を変化させて膜の応力を調整し、異なる応力
を持つ膜の組合せにより、成膜するダイヤモンド膜の応
力を制御することにより、該ダイヤモンド膜の応力を適
正な応力範囲に収める。
【００３０】請求項８の発明におけるＸ線マスクは、請
求項１ないし７のいずれか１項のＸ線マスクの製造方法
で作成することにより、Ｘ線吸収体の平滑性が向上し、
したがってパターンの寸法精度が高まる。さらに、各製
造方法により生じる特徴を備えたＸ線マスクを提供する
ことが可能になる。
求項１ないし７のいずれか１項のＸ線マスクの製造方法
で作成することにより、Ｘ線吸収体の平滑性が向上し、
したがってパターンの寸法精度が高まる。さらに、各製
造方法により生じる特徴を備えたＸ線マスクを提供する
ことが可能になる。
【００３１】
実施例１．以下、この発明の一実施例を図に基づいて説
明する。前記図７と同一部分には同一符号を付して重複
説明を省略した図１において、２１は中央部に半導体集
積回路のパターン５が形成された非晶質のＷ−Ｔｉ合金
からなるＸ線吸収体、２２はダイヤモンド膜、２３は厚
みが２ｍｍ程度の補強用リング（補強部材）である。
明する。前記図７と同一部分には同一符号を付して重複
説明を省略した図１において、２１は中央部に半導体集
積回路のパターン５が形成された非晶質のＷ−Ｔｉ合金
からなるＸ線吸収体、２２はダイヤモンド膜、２３は厚
みが２ｍｍ程度の補強用リング（補強部材）である。
【００３２】次に、前記Ｘ線マスクの製造方法について
図２に基づき説明する。まず、表面が平滑な厚みが１０
０〜３００μｍ程度の薄厚のＳｉ基板３１上にスパッタ
法によりＷ−Ｔｉ合金のＸ線吸収体２１を成膜する（吸
収体形成工程 同図（ａ））。Ｓｉ基板３１は表面が平
滑であるので非晶質のＷ−Ｔｉ合金膜を容易に形成する
ことができる。次いで、真空中または窒素雰囲気中にお
いて８００℃程度で高温アニールを行い、Ｘ線吸収体２
１の応力を計測して１０ＭＰａ以下の応力にする。該応
力計測を精度良く行うためにはＳｉ基板３１が薄厚であ
ることが重要となる。
図２に基づき説明する。まず、表面が平滑な厚みが１０
０〜３００μｍ程度の薄厚のＳｉ基板３１上にスパッタ
法によりＷ−Ｔｉ合金のＸ線吸収体２１を成膜する（吸
収体形成工程 同図（ａ））。Ｓｉ基板３１は表面が平
滑であるので非晶質のＷ−Ｔｉ合金膜を容易に形成する
ことができる。次いで、真空中または窒素雰囲気中にお
いて８００℃程度で高温アニールを行い、Ｘ線吸収体２
１の応力を計測して１０ＭＰａ以下の応力にする。該応
力計測を精度良く行うためにはＳｉ基板３１が薄厚であ
ることが重要となる。
【００３３】次いで、蒸着法，スパッタ法，スピンコー
ト法等によりＸ線吸収体２１上にＩＴＯ等の下地膜３を
成膜し、再度アニールを行い安定な結晶とする（薄膜形
成工程 同図（ｂ））。次いで、熱フィラメントやマイ
クロ波放電等を用いて下地膜３上にダイヤモンド膜２２
を成膜する（ダイヤモンド成膜工程 同図（ｃ））。該
ダイヤモンド膜２２の表面を研磨またはレーザ照射する
ことにより表面の凹凸をさらに改善することができる。
ト法等によりＸ線吸収体２１上にＩＴＯ等の下地膜３を
成膜し、再度アニールを行い安定な結晶とする（薄膜形
成工程 同図（ｂ））。次いで、熱フィラメントやマイ
クロ波放電等を用いて下地膜３上にダイヤモンド膜２２
を成膜する（ダイヤモンド成膜工程 同図（ｃ））。該
ダイヤモンド膜２２の表面を研磨またはレーザ照射する
ことにより表面の凹凸をさらに改善することができる。
【００３４】次いで、ダイヤモンド膜２２の周縁部に補
強用リング２３を接着する（補強工程 同図（ｄ））。
この場合、補強用リング２３を接着する部分は研磨せず
に凹凸が大きいまま残した方が接着強度が大きくなる。
次いで、弗硝酸等を用いてＳｉ基板３１を溶解除去し、
露出したＸ線吸収体２１上にエッチングマスク６となる
Ｃｒ膜をスパッタ法により成膜し、Ｃｒ膜上にレジスト
膜１３を形成すると（同図（ｅ））、従来のＸ線マスク
（図８（ｃ））と類似の構造となる。レジスト膜１３に
パターン１４を形成する工程以降（図８（ｄ）以降）は
従来のＸ線マスクの製造方法と全く同様である。
強用リング２３を接着する（補強工程 同図（ｄ））。
この場合、補強用リング２３を接着する部分は研磨せず
に凹凸が大きいまま残した方が接着強度が大きくなる。
次いで、弗硝酸等を用いてＳｉ基板３１を溶解除去し、
露出したＸ線吸収体２１上にエッチングマスク６となる
Ｃｒ膜をスパッタ法により成膜し、Ｃｒ膜上にレジスト
膜１３を形成すると（同図（ｅ））、従来のＸ線マスク
（図８（ｃ））と類似の構造となる。レジスト膜１３に
パターン１４を形成する工程以降（図８（ｄ）以降）は
従来のＸ線マスクの製造方法と全く同様である。
【００３５】以上説明したように、この一実施例のＸ線
マスクの製造方法によれば、Ｓｉ基板３１上にＸ線吸収
体２１、下地膜３及びダイヤモンド膜２２を順次形成
し、その後Ｓｉ基板３１を除去したので、緻密なＸ線吸
収体２１を作成することができ、表面の平滑性が向上
し、パターンの寸法精度の高いＸ線マスクを製造するこ
とができる。
マスクの製造方法によれば、Ｓｉ基板３１上にＸ線吸収
体２１、下地膜３及びダイヤモンド膜２２を順次形成
し、その後Ｓｉ基板３１を除去したので、緻密なＸ線吸
収体２１を作成することができ、表面の平滑性が向上
し、パターンの寸法精度の高いＸ線マスクを製造するこ
とができる。
【００３６】なお、Ｘ線吸収体２１を微結晶の多結晶構
造としても同様の効果が得られる。また、上記実施例で
は、下地膜３としてＩＴＯからなる反射防止膜を用いた
が、ＩＴＯに限定されることなく、例えばＳＯＧ，Ｃｒ
Ｏ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の材料を用いても良く、またＣｒ等
のエッチングストッパ材料を用いても良い。また、場合
によってはＸ線吸収体上に直接ダイヤモンド膜を形成し
てもよい。また、Ｘ線吸収体２１としてＷ−Ｔｉ合金を
用いたが、純粋のＷや窒化物、またはタンタル（Ｔａ）
やその混合物等を用いても同様の効果を得ることができ
る。
造としても同様の効果が得られる。また、上記実施例で
は、下地膜３としてＩＴＯからなる反射防止膜を用いた
が、ＩＴＯに限定されることなく、例えばＳＯＧ，Ｃｒ
Ｏ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 等の材料を用いても良く、またＣｒ等
のエッチングストッパ材料を用いても良い。また、場合
によってはＸ線吸収体上に直接ダイヤモンド膜を形成し
てもよい。また、Ｘ線吸収体２１としてＷ−Ｔｉ合金を
用いたが、純粋のＷや窒化物、またはタンタル（Ｔａ）
やその混合物等を用いても同様の効果を得ることができ
る。
【００３７】実施例２．図３はこの発明の実施例２のＸ
線マスクを示す断面図であり、実施例１のＸ線マスクの
ようにＳｉ基板３１を全部除去するかわりに、パターン
５を形成すべき部分に窓４１を形成したものである。こ
のＸ線マスクでは、周囲から侵入するＸ線はＳｉ基板３
１で遮断されるので、Ｘ線露光を行う際に隣合うチップ
間のかぶりを防止することができる。さらに、Ｓｉ基板
３１上に電子ビーム描画用位置検出マーク４２が形成さ
れている。
線マスクを示す断面図であり、実施例１のＸ線マスクの
ようにＳｉ基板３１を全部除去するかわりに、パターン
５を形成すべき部分に窓４１を形成したものである。こ
のＸ線マスクでは、周囲から侵入するＸ線はＳｉ基板３
１で遮断されるので、Ｘ線露光を行う際に隣合うチップ
間のかぶりを防止することができる。さらに、Ｓｉ基板
３１上に電子ビーム描画用位置検出マーク４２が形成さ
れている。
【００３８】次に、このＸ線マスクの製造方法について
図４に基づき説明する。補強用リング２３を接着するま
では実施例１と全く同様である。Ｓｉ基板３１上にスピ
ンコート法によりレジスト膜１３を塗布し（同図
（ａ））、光転写を用いて寸法及び位置精度の高い窓４
１及び電子ビーム描画用位置検出マーク４２を形成する
（同図（ｂ））。次いで、エッチングマスク６となるＣ
ｒ膜を順次形成し、従来と同様の方法によりＸ線吸収体
２１にパターン５を形成する（同図（ｃ））。
図４に基づき説明する。補強用リング２３を接着するま
では実施例１と全く同様である。Ｓｉ基板３１上にスピ
ンコート法によりレジスト膜１３を塗布し（同図
（ａ））、光転写を用いて寸法及び位置精度の高い窓４
１及び電子ビーム描画用位置検出マーク４２を形成する
（同図（ｂ））。次いで、エッチングマスク６となるＣ
ｒ膜を順次形成し、従来と同様の方法によりＸ線吸収体
２１にパターン５を形成する（同図（ｃ））。
【００３９】このＸ線マスクには、Ｓｉ基板３１上に電
子ビーム描画用位置検出マーク４２が形成されているの
で、回路パターンを電子ビームで描画する際に電子ビー
ム描画用位置検出マーク４２を読み取り、パターン位置
を補正しながら描画することができるので、パターンの
位置精度を向上させることができる。
子ビーム描画用位置検出マーク４２が形成されているの
で、回路パターンを電子ビームで描画する際に電子ビー
ム描画用位置検出マーク４２を読み取り、パターン位置
を補正しながら描画することができるので、パターンの
位置精度を向上させることができる。
【００４０】実施例３．図５は、この発明の実施例３の
Ｘ線マスクの製造方法に用いられるダイヤモンド成膜装
置を示す概略構成図であり、図において、５１は成膜用
基板、５２は回転自在の基板ホルダー、５３はメタン
（ＣＨ4 ）と水素（Ｈ2 ）の混合ガスからなる原料ガス
を供給する供給管、５４は供給管５３の途中に設けられ
粒径が数ｎｍのダイヤモンド微結晶を原料ガスに混入す
るための微結晶供給器、５５はＷ等からなる熱フィラメ
ントである。
Ｘ線マスクの製造方法に用いられるダイヤモンド成膜装
置を示す概略構成図であり、図において、５１は成膜用
基板、５２は回転自在の基板ホルダー、５３はメタン
（ＣＨ4 ）と水素（Ｈ2 ）の混合ガスからなる原料ガス
を供給する供給管、５４は供給管５３の途中に設けられ
粒径が数ｎｍのダイヤモンド微結晶を原料ガスに混入す
るための微結晶供給器、５５はＷ等からなる熱フィラメ
ントである。
【００４１】次に、このダイヤモンド成膜装置を用いて
ダイヤモンド膜を成膜する方法について説明する。熱フ
ィラメント５５を所定の温度、例えば２０００℃に加熱
すると、その放射熱により成膜用基板５１が加熱され、
その基板温度は８００〜９００℃になる。この状態でダ
イヤモンド微結晶を含む原料ガスを供給すると、熱フィ
ラメント５５の表面及びその近傍の高温領域で原料ガス
が分解され、成膜用基板５１上にダイヤモンド微結晶が
堆積し、機械的強度が大きく表面の凹凸の小さなダイヤ
モンド膜を得ることができる。
ダイヤモンド膜を成膜する方法について説明する。熱フ
ィラメント５５を所定の温度、例えば２０００℃に加熱
すると、その放射熱により成膜用基板５１が加熱され、
その基板温度は８００〜９００℃になる。この状態でダ
イヤモンド微結晶を含む原料ガスを供給すると、熱フィ
ラメント５５の表面及びその近傍の高温領域で原料ガス
が分解され、成膜用基板５１上にダイヤモンド微結晶が
堆積し、機械的強度が大きく表面の凹凸の小さなダイヤ
モンド膜を得ることができる。
【００４２】従来のダイヤモンド合成法では、図６
（ａ）に示すようにダイヤモンド微結晶５７が粒成長す
るためにその粒径が膜厚の増加とともに大きくなり表面
の凹凸が大きくなるが、この実施例の合成法では図６
（ｂ）に示すように、供給されるダイヤモンド微結晶が
膜表面で二次核となり、粒径のそろったダイヤモンド微
結晶５８が成長し緻密なダイヤモンド膜を形成すること
ができる。
（ａ）に示すようにダイヤモンド微結晶５７が粒成長す
るためにその粒径が膜厚の増加とともに大きくなり表面
の凹凸が大きくなるが、この実施例の合成法では図６
（ｂ）に示すように、供給されるダイヤモンド微結晶が
膜表面で二次核となり、粒径のそろったダイヤモンド微
結晶５８が成長し緻密なダイヤモンド膜を形成すること
ができる。
【００４３】上記実施例の成膜用基板５１は、下地膜３
及びＸ線吸収体２１が形成されたＳｉ基板３１以外であ
ってもよい。例えばＳｉ基板とすると、該Ｓｉ基板上に
直接ダイヤモンド膜を形成することができる。また、原
料ガスの成分としては、上記ＣＨ4 以外にＣ2 Ｈ2 等の
炭化水素，ＣＨ3 ＯＨ等のアルコール類，ＣＯ，ＣＯ2
等の酸化物，ＣＦ4 等の弗化物や塩化物等を用いること
もできる。また、原料ガスを分解する手段としては、上
記の熱フィラメント５５以外に、マイクロ波やアーク等
の放電，アセチレン炎のような高温ガス等を用いること
もできる。
及びＸ線吸収体２１が形成されたＳｉ基板３１以外であ
ってもよい。例えばＳｉ基板とすると、該Ｓｉ基板上に
直接ダイヤモンド膜を形成することができる。また、原
料ガスの成分としては、上記ＣＨ4 以外にＣ2 Ｈ2 等の
炭化水素，ＣＨ3 ＯＨ等のアルコール類，ＣＯ，ＣＯ2
等の酸化物，ＣＦ4 等の弗化物や塩化物等を用いること
もできる。また、原料ガスを分解する手段としては、上
記の熱フィラメント５５以外に、マイクロ波やアーク等
の放電，アセチレン炎のような高温ガス等を用いること
もできる。
【００４４】Ｘ線マスクに用いるダイヤモンド膜は応力
であることが要求されているが、その応力が適正な範囲
にないと、Ｓｉ基板が応力により変形したり、また破損
してしまう場合がある。このため、反応時に原料のメタ
ンと水素の比を変化させることにより応力を調整するこ
とができる。すなわち、ＣＨ4 濃度を高くするとダイヤ
モンドは微結晶となり、応力は大きくなる。一方、ＣＨ
4 濃度を低くすると、二次核の生成が抑制され、ダイヤ
モンド微結晶は粒成長して応力は低下する。成膜初期は
ＣＨ4 濃度を高くして結晶を微細化させ、その後ＣＨ4
濃度を低くして、ある程度粒成長させることにより応力
の調整を行い、適正な範囲に収めることができる。各濃
度で成膜する時間（＝膜厚）の割合は、総合応力が適正
な範囲になるよう設定すればよい。
であることが要求されているが、その応力が適正な範囲
にないと、Ｓｉ基板が応力により変形したり、また破損
してしまう場合がある。このため、反応時に原料のメタ
ンと水素の比を変化させることにより応力を調整するこ
とができる。すなわち、ＣＨ4 濃度を高くするとダイヤ
モンドは微結晶となり、応力は大きくなる。一方、ＣＨ
4 濃度を低くすると、二次核の生成が抑制され、ダイヤ
モンド微結晶は粒成長して応力は低下する。成膜初期は
ＣＨ4 濃度を高くして結晶を微細化させ、その後ＣＨ4
濃度を低くして、ある程度粒成長させることにより応力
の調整を行い、適正な範囲に収めることができる。各濃
度で成膜する時間（＝膜厚）の割合は、総合応力が適正
な範囲になるよう設定すればよい。
【００４５】また、マイクロ波プラズマを用いる場合
は、プラズマ強度を大きくすると応力は大きくなり、プ
ラズマ強度を小さくすると応力は小さくなる。このため
ダイヤモンド膜の応力を適正な応力範囲に収めるために
は、当初はプラズマ強度を大きくし、次にプラズマ強度
を小さくする等、プラズマ強度を適宜調整すればよい。
は、プラズマ強度を大きくすると応力は大きくなり、プ
ラズマ強度を小さくすると応力は小さくなる。このため
ダイヤモンド膜の応力を適正な応力範囲に収めるために
は、当初はプラズマ強度を大きくし、次にプラズマ強度
を小さくする等、プラズマ強度を適宜調整すればよい。
【００４６】
【発明の効果】以上のように、請求項１の発明によれ
ば、薄厚の基板の平滑な面に非晶質または微結晶のいず
れかからなるＸ線吸収体を形成する吸収体形成工程と、
該Ｘ線吸収体上にダイヤモンド膜を成膜するダイヤモン
ド成膜工程と、前記基板を除去する基板除去工程とを備
え、パターン形成工程で前記Ｘ線吸収体に所定のパター
ンを形成するように構成したので、表面の凹凸が小さく
平滑性に優れた非晶質または微結晶の緻密な構造のＸ線
吸収体を作成することができ、パターンの寸法精度の高
いＸ線マスクを作成することができる効果がある。
ば、薄厚の基板の平滑な面に非晶質または微結晶のいず
れかからなるＸ線吸収体を形成する吸収体形成工程と、
該Ｘ線吸収体上にダイヤモンド膜を成膜するダイヤモン
ド成膜工程と、前記基板を除去する基板除去工程とを備
え、パターン形成工程で前記Ｘ線吸収体に所定のパター
ンを形成するように構成したので、表面の凹凸が小さく
平滑性に優れた非晶質または微結晶の緻密な構造のＸ線
吸収体を作成することができ、パターンの寸法精度の高
いＸ線マスクを作成することができる効果がある。
【００４７】請求項２の発明によれば、前記前記吸収体
形成工程の後に、前記Ｘ線吸収体上にＩＴＯ等の光透過
率が高く且つ反射防止機能を持つ下地膜を設けるように
構成したので、転写時のアライメントを高精度に行なう
ことができる効果がある。
形成工程の後に、前記Ｘ線吸収体上にＩＴＯ等の光透過
率が高く且つ反射防止機能を持つ下地膜を設けるように
構成したので、転写時のアライメントを高精度に行なう
ことができる効果がある。
【００４８】請求項３の発明によれば、前記ダイヤモン
ド成膜工程の後に、補強工程で該ダイヤモンド膜の周縁
部に補強部材を設けるように構成したので、Ｘ線マスク
の機械的強度を向上させることができる効果がある。
ド成膜工程の後に、補強工程で該ダイヤモンド膜の周縁
部に補強部材を設けるように構成したので、Ｘ線マスク
の機械的強度を向上させることができる効果がある。
【００４９】請求項４の発明によれば、前記基板除去工
程で、前記基板の周囲部分を除く部分を除去するように
構成したので、Ｘ線露光時に隣合うチップ間のかぶりを
防止できるＸ線マスクを作成することができる効果があ
る。
程で、前記基板の周囲部分を除く部分を除去するように
構成したので、Ｘ線露光時に隣合うチップ間のかぶりを
防止できるＸ線マスクを作成することができる効果があ
る。
【００５０】請求項５の発明によれば、前記基板除去工
程で、前記基板の周囲部分を除く部分を除去するととも
に該周囲部分に電子ビーム描画用位置検出マークを形成
するように構成したので、Ｘ線露光時に隣合うチップ間
のかぶりを防止することができ、パターン描画時のパタ
ーン位置精度を向上させることができるＸ線マスクを作
成することができる効果がある。
程で、前記基板の周囲部分を除く部分を除去するととも
に該周囲部分に電子ビーム描画用位置検出マークを形成
するように構成したので、Ｘ線露光時に隣合うチップ間
のかぶりを防止することができ、パターン描画時のパタ
ーン位置精度を向上させることができるＸ線マスクを作
成することができる効果がある。
【００５１】請求項６の発明によれば、前記ダイヤモン
ド成膜工程で、炭素化合物を含む原料ガスと共に粒径が
数〜数十ｎｍ以下のダイヤモンド微結晶を供給し、前記
原料ガスを分解しつつ該ダイヤモンド微結晶を含むダイ
ヤモンド膜を成膜するように構成したので、該ダイヤモ
ンド微結晶が二次核となり、粒径がそろったダイヤモン
ド微結晶からなる表面の凹凸の小さい緻密なダイヤモン
ド膜を形成することができる効果がある。
ド成膜工程で、炭素化合物を含む原料ガスと共に粒径が
数〜数十ｎｍ以下のダイヤモンド微結晶を供給し、前記
原料ガスを分解しつつ該ダイヤモンド微結晶を含むダイ
ヤモンド膜を成膜するように構成したので、該ダイヤモ
ンド微結晶が二次核となり、粒径がそろったダイヤモン
ド微結晶からなる表面の凹凸の小さい緻密なダイヤモン
ド膜を形成することができる効果がある。
【００５２】請求項７の発明によれば、原料ガス中の炭
素化合物の濃度及び該原料ガスの分解条件を変化させて
膜の応力を調整し、異なる応力を持つ膜の組合せによ
り、成膜するダイヤモンド膜の応力を制御するように構
成したので、該ダイヤモンド膜の応力を適正な応力範囲
に収めることができる効果がある。
素化合物の濃度及び該原料ガスの分解条件を変化させて
膜の応力を調整し、異なる応力を持つ膜の組合せによ
り、成膜するダイヤモンド膜の応力を制御するように構
成したので、該ダイヤモンド膜の応力を適正な応力範囲
に収めることができる効果がある。
【００５３】請求項８の発明によれば、請求項１ないし
７のいずれか１項記載のＸ線マスクの製造方法により作
成したので、平滑性に優れたＸ線吸収体を有するように
構成したので、パターンの寸法精度の高いＸ線マスクを
提供することができる。さらに各製造方法により生じる
特有の特徴を備えたＸ線マスクを提供することができる
効果がある。
７のいずれか１項記載のＸ線マスクの製造方法により作
成したので、平滑性に優れたＸ線吸収体を有するように
構成したので、パターンの寸法精度の高いＸ線マスクを
提供することができる。さらに各製造方法により生じる
特有の特徴を備えたＸ線マスクを提供することができる
効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施例１によるＸ線マスクを示す
断面図である。
断面図である。
【図２】 この発明の実施例１によるＸ線マスクの製造
方法を示す過程図である。
方法を示す過程図である。
【図３】 この発明の実施例２によるＸ線マスクを示す
断面図である。
断面図である。
【図４】 この発明の実施例２によるＸ線マスクの製造
方法を示す過程図である。
方法を示す過程図である。
【図５】 この発明の実施例３によるＸ線マスクの製造
方法に用いられるダイヤモンド成膜装置を示す概略構成
図である。
方法に用いられるダイヤモンド成膜装置を示す概略構成
図である。
【図６】 ダイヤモンド膜の成膜状態を示す模式図であ
る。
る。
【図７】 従来のＸ線マスクを示す断面図である。
【図８】 従来のＸ線マスクの製造方法を示す過程図で
ある。
ある。
３ 下地膜、２１ Ｘ線吸収体、２２ ダイヤモンド
膜、２３ 補強用リング（補強部材）、３１ Ｓｉ基板
（基板）、４２ 電子ビーム描画用位置検出マーク、５
８ ダイヤモンド微結晶。
膜、２３ 補強用リング（補強部材）、３１ Ｓｉ基板
（基板）、４２ 電子ビーム描画用位置検出マーク、５
８ ダイヤモンド微結晶。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松井 安次 尼崎市塚口本町八丁目１番１号 三菱電 機株式会社 半導体基礎研究所内 (72)発明者 丸本 健二 尼崎市塚口本町八丁目１番１号 三菱電 機株式会社 半導体基礎研究所内 (72)発明者 矢部 秀毅 尼崎市塚口本町八丁目１番１号 三菱電 機株式会社 半導体基礎研究所内 (56)参考文献 特開 平２−51216（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G03F 1/00 - 1/16 H01L 21/027
Claims (8)
- 【請求項１】 薄厚の基板の平滑な面に非晶質または微
結晶のいずれかからなるＸ線吸収体を形成する吸収体形
成工程と、該Ｘ線吸収体上にダイヤモンド膜を成膜する
ダイヤモンド成膜工程と、前記基板を除去する基板除去
工程と、前記Ｘ線吸収体に所定のパターンを形成するパ
ターン形成工程とを備えたことを特徴とするＸ線マスク
の製造方法。 - 【請求項２】 前記吸収体形成工程の後に、前記Ｘ線吸
収体上に光の反射防止を行なう下地膜を形成する薄膜形
成工程を備えたことを特徴とする請求項１記載のＸ線マ
スクの製造方法。 - 【請求項３】 前記ダイヤモンド成膜工程の後に、該ダ
イヤモンド膜の周縁部に補強部材を設ける補強工程を備
えたことを特徴とする請求項１または２のいずれか１項
記載のＸ線マスクの製造方法。 - 【請求項４】 前記基板除去工程を、前記基板の周囲部
分を除く部分を除去する工程としたことを特徴とする請
求項１記載のＸ線マスクの製造方法。 - 【請求項５】 前記基板除去工程を、前記基板の周囲部
分を除く部分を除去するとともに該周囲部分に電子ビー
ム描画用位置検出マークを形成する工程としたことを特
徴とする請求項１記載のＸ線マスクの製造方法。 - 【請求項６】 前記ダイヤモンド成膜工程は、炭素化合
物を含む原料ガスと共に粒径が数〜数十ｎｍ以下のダイ
ヤモンド微結晶を供給し、前記原料ガスを分解しつつ該
ダイヤモンド微結晶を含むダイヤモンド膜を成膜するこ
とを特徴とする請求項１記載のＸ線マスクの製造方法。 - 【請求項７】 前記ダイヤモンド成膜工程は、原料ガス
中の炭素化合物の濃度及び該原料ガスの分解条件を変化
させて膜の応力を調整し、異なる応力を持つ膜の組合せ
により、成膜するダイヤモンド膜の応力を制御すること
を特徴とする請求項１記載のＸ線マスクの製造方法。 - 【請求項８】 請求項１ないし７のいずれか１項記載の
Ｘ線マスクの製造方法により作成したことを特徴とする
Ｘ線マスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18967794A JP3350235B2 (ja) | 1994-08-11 | 1994-08-11 | Ｘ線マスクの製造方法及びそれにより得られたｘ線マスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18967794A JP3350235B2 (ja) | 1994-08-11 | 1994-08-11 | Ｘ線マスクの製造方法及びそれにより得られたｘ線マスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0854726A JPH0854726A (ja) | 1996-02-27 |
| JP3350235B2 true JP3350235B2 (ja) | 2002-11-25 |
Family
ID=16245337
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18967794A Expired - Fee Related JP3350235B2 (ja) | 1994-08-11 | 1994-08-11 | Ｘ線マスクの製造方法及びそれにより得られたｘ線マスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3350235B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7100872B2 (en) | 2004-04-15 | 2006-09-05 | The Boeing Company | Lavatory fast pack system and method |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004179410A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Toppan Printing Co Ltd | ステンシルマスク及び露光方法 |
| JP2004179411A (ja) * | 2002-11-27 | 2004-06-24 | Toppan Printing Co Ltd | メンブレンマスク及び露光方法 |
-
1994
- 1994-08-11 JP JP18967794A patent/JP3350235B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7100872B2 (en) | 2004-04-15 | 2006-09-05 | The Boeing Company | Lavatory fast pack system and method |
| US7549606B2 (en) | 2004-04-15 | 2009-06-23 | The Boeing Company | Lavatory fast pack system and method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0854726A (ja) | 1996-02-27 |
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|---|---|---|---|
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