JPH0616534B2 - プログラマブルロジツクアレイ - Google Patents
プログラマブルロジツクアレイInfo
- Publication number
- JPH0616534B2 JPH0616534B2 JP60197908A JP19790885A JPH0616534B2 JP H0616534 B2 JPH0616534 B2 JP H0616534B2 JP 60197908 A JP60197908 A JP 60197908A JP 19790885 A JP19790885 A JP 19790885A JP H0616534 B2 JPH0616534 B2 JP H0616534B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- row
- programmable logic
- mosfet
- pla
- logic array
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B20/00—Read-only memory [ROM] devices
Landscapes
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体集積回路に関する。
〔従来の技術〕 従来、半導体集積回路で用いられるプログラマブルロジ
ックアレイ(以下PLAと略す)の構造は第2図に示す
ようにANDマトリクス52とORマトリクス54のそ
れぞれの入力と出力(51,53,55)の方向が直交
していた。
ックアレイ(以下PLAと略す)の構造は第2図に示す
ようにANDマトリクス52とORマトリクス54のそ
れぞれの入力と出力(51,53,55)の方向が直交
していた。
上述した従来のPLAは、入力数(c),積項数(d),出力
数(e)等によって回路の規模が変わるとその形状が二次
元方向に変化する。この結果、複数のPLAをチップ上
にレイアウトする場合、すき間ができやすく、高密度化
が困難となったり、入出力の信号線や電源線の配線が複
雑になるという欠点がある。
数(e)等によって回路の規模が変わるとその形状が二次
元方向に変化する。この結果、複数のPLAをチップ上
にレイアウトする場合、すき間ができやすく、高密度化
が困難となったり、入出力の信号線や電源線の配線が複
雑になるという欠点がある。
本発明によれば、共通接続されたゲート電極を有する、
直線状に配置された複数のMMOSFETから成る第一
のMOSFET列と、負荷素子と、第一のMOSFET
列と同様の構造を有する第二のMOSFET列とを順に
縦方向に一例に並べたものを単位列とし、これを横方向
に複数列並べたことを特徴とするPLAが得られる。
直線状に配置された複数のMMOSFETから成る第一
のMOSFET列と、負荷素子と、第一のMOSFET
列と同様の構造を有する第二のMOSFET列とを順に
縦方向に一例に並べたものを単位列とし、これを横方向
に複数列並べたことを特徴とするPLAが得られる。
次に本発明について、図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例のうち単位列を示す図で(a)
は平面図、(b)は等価回路図である。図において、10
は第一のMOSFET列を示し、1と2はポリシリコン
による共通ゲート電極、3と5はコンタクト穴、4は拡
散層から成る共通ソース電極、11〜14及び15〜1
8はそれぞれMOSFETのドレイン電極を示す。20
は負荷素子を示し、6は共通ドレイン電極、21〜23
はそれぞれMOSFETのソース電極、24,25はポ
リシコンによる共通ゲート電極を示す。30は第二のM
OSFET列を示し、7と8はポリシリコンによる共通
ゲート、9は共通ソース電極、31〜33及び34〜3
5はそれぞれMOSFETのドレイン電極を示す。第1
図(a)の平面図では、集積回路の構造のうち、MOSF
ETの部分までを示し、金属による配線部分は含まれな
い。但し、拡散層と金属、及びポリシリコンと金属との
接続のためのコンタクト穴はすべての可能な場所に描い
てある。
は平面図、(b)は等価回路図である。図において、10
は第一のMOSFET列を示し、1と2はポリシリコン
による共通ゲート電極、3と5はコンタクト穴、4は拡
散層から成る共通ソース電極、11〜14及び15〜1
8はそれぞれMOSFETのドレイン電極を示す。20
は負荷素子を示し、6は共通ドレイン電極、21〜23
はそれぞれMOSFETのソース電極、24,25はポ
リシコンによる共通ゲート電極を示す。30は第二のM
OSFET列を示し、7と8はポリシリコンによる共通
ゲート、9は共通ソース電極、31〜33及び34〜3
5はそれぞれMOSFETのドレイン電極を示す。第1
図(a)の平面図では、集積回路の構造のうち、MOSF
ETの部分までを示し、金属による配線部分は含まれな
い。但し、拡散層と金属、及びポリシリコンと金属との
接続のためのコンタクト穴はすべての可能な場所に描い
てある。
ここで示した単位列を用いてPLAを構成した例を第3
図に示す。第3図は、第1図に示した単位列を3組横方
向に並べ、各素子間の配線を行なって1つのPLA回路
を構成したものである。
図に示す。第3図は、第1図に示した単位列を3組横方
向に並べ、各素子間の配線を行なって1つのPLA回路
を構成したものである。
第3図において、60はPLAのANDマトリクス部
分、61は負荷素子、62はORマトリクス部分を示
す。63は入力のポリシリコン線、64はANDマトリ
クス内で論理回路を構成するNMOSFET、65は各
NMOSFETのドレインを接続する一層目のアルミに
よる積項線、66は一層目のアルミと二層目のアルミを
接続するためのスルーホール、67は二層目のアルミに
よる積項線、68は電源端子、69はPMOSFETに
よるゲートの接地された負荷素子、70は積項線67か
らORマトリクスの入力ポリシリコン線71への接続
点、72はORマトリクス内で論理回路を構成するNM
OSFET、73は各NMOSFETのドレインを接続
する一層目のアルミによる出力線、74は二層目アルミ
による出力線75と一層目アルミとを接続するスルーホ
ールを示す。なお第3図は電気的な接続関係を示すのを
目的としたものであり、信号の経路から離れたMOSF
ETや一部のコンタクト、スルーホールは省略してあ
る。
分、61は負荷素子、62はORマトリクス部分を示
す。63は入力のポリシリコン線、64はANDマトリ
クス内で論理回路を構成するNMOSFET、65は各
NMOSFETのドレインを接続する一層目のアルミに
よる積項線、66は一層目のアルミと二層目のアルミを
接続するためのスルーホール、67は二層目のアルミに
よる積項線、68は電源端子、69はPMOSFETに
よるゲートの接地された負荷素子、70は積項線67か
らORマトリクスの入力ポリシリコン線71への接続
点、72はORマトリクス内で論理回路を構成するNM
OSFET、73は各NMOSFETのドレインを接続
する一層目のアルミによる出力線、74は二層目アルミ
による出力線75と一層目アルミとを接続するスルーホ
ールを示す。なお第3図は電気的な接続関係を示すのを
目的としたものであり、信号の経路から離れたMOSF
ETや一部のコンタクト、スルーホールは省略してあ
る。
第4図は複数のPLAの配置列を示す図であり、80は
入力線、81〜83はANDマトリクス、84は積項
線、85〜87はORマトリクス、88は出力線を示
す。図では3組のPLAを隣接して並べてあり、これら
は第1図に示した単位列を横方向に並べた上に二層のア
ルミ配線を施こすことによって実現される。
入力線、81〜83はANDマトリクス、84は積項
線、85〜87はORマトリクス、88は出力線を示
す。図では3組のPLAを隣接して並べてあり、これら
は第1図に示した単位列を横方向に並べた上に二層のア
ルミ配線を施こすことによって実現される。
以上の例ではAND及びORマトリクス部分をNMO
S,負荷素子をPMOSとした擬似CMOS回路として
説明したが、全回路をNMOSまたはPMOSだけで構
成することも可能であり、また負荷素子のゲートにクロ
ック信号を接続したダイナミック形式の回路構成とする
ことも可能である。
S,負荷素子をPMOSとした擬似CMOS回路として
説明したが、全回路をNMOSまたはPMOSだけで構
成することも可能であり、また負荷素子のゲートにクロ
ック信号を接続したダイナミック形式の回路構成とする
ことも可能である。
以上説明したように、本発明はMOSFET列を縦方向
に並べた単位列を横方向に並べてPLAを構成すること
により、高さの揃ったPLAが実現できるので、多数の
PLAを使ってLSIを設計する場合、配置が単純化さ
れて、設計期間が短縮される。またPLA間のすき間の
問題も、第4図に示すように各PLAの入力数f,i,
l、積項線数g,i,m,及び出力数h,k,nがそれ
ぞれ異なっていても、ほとんどすき間なしに並べること
ができ集積回路チップ上の占有面積を節約できる。更に
電源線やクロック線の位置も標準化されるので各PLA
間の配線も容易になる。
に並べた単位列を横方向に並べてPLAを構成すること
により、高さの揃ったPLAが実現できるので、多数の
PLAを使ってLSIを設計する場合、配置が単純化さ
れて、設計期間が短縮される。またPLA間のすき間の
問題も、第4図に示すように各PLAの入力数f,i,
l、積項線数g,i,m,及び出力数h,k,nがそれ
ぞれ異なっていても、ほとんどすき間なしに並べること
ができ集積回路チップ上の占有面積を節約できる。更に
電源線やクロック線の位置も標準化されるので各PLA
間の配線も容易になる。
また集積回路チップの開発に当っては、本発明による単
位列をあらかじめ並べたものを作っておき、回路機能に
応じて必要な部分にアルミで配線して行く、というマス
タースライス方式を用いることもでき、開発期間短縮の
効果も期待できる。
位列をあらかじめ並べたものを作っておき、回路機能に
応じて必要な部分にアルミで配線して行く、というマス
タースライス方式を用いることもでき、開発期間短縮の
効果も期待できる。
第1図は本発明の実施例の単位列を示す図で(a)は平面
図、(b)は等価回路図である。第2図は従来のPLAを
示す図、第3図は本発明の実施例のPLA回路例、第4
図の複数のPLAを並べた実施例の図である。 10……第一のMOSFET列、20……負荷素子、3
0……第二のMOSFET列、1,2,7,8,24,
25……ポリシリコンによる共通ゲート電極、4,6,
9……拡散層によるMOSFETの共通ソースまたはド
レイン電極、11〜18,21〜23,31〜36……
各MOSFETのソースまたはドレイン電極、51……
PLAの入力端子、52……ANDマトリクス、53…
…積項線、54……ORマトリクス、55……出力線、
60……ANDマトリクス、61……負荷素子、62…
…ORマトリクス。
図、(b)は等価回路図である。第2図は従来のPLAを
示す図、第3図は本発明の実施例のPLA回路例、第4
図の複数のPLAを並べた実施例の図である。 10……第一のMOSFET列、20……負荷素子、3
0……第二のMOSFET列、1,2,7,8,24,
25……ポリシリコンによる共通ゲート電極、4,6,
9……拡散層によるMOSFETの共通ソースまたはド
レイン電極、11〜18,21〜23,31〜36……
各MOSFETのソースまたはドレイン電極、51……
PLAの入力端子、52……ANDマトリクス、53…
…積項線、54……ORマトリクス、55……出力線、
60……ANDマトリクス、61……負荷素子、62…
…ORマトリクス。
Claims (2)
- 【請求項1】共通接続されたゲート電極を有する、直線
状に配置された複数のFETから成る第一のMOSFE
T列と、負荷素子と、第一のFET列と同様の構造を有
する第二のFET列とを順に縦方向に一列に並べたもの
を単位列とし、これを横方向に複数列並べたことを特徴
とするプログラマブルロジックアレイ。 - 【請求項2】FET列は2本のポリシリコン線を各々の
ゲート電極とし、ソース電極を共通接続したものである
ことを特徴とする特許請求の範囲第(1)項記載のプログ
ラマブルロジックアレイ。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60197908A JPH0616534B2 (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | プログラマブルロジツクアレイ |
US06/902,874 US4745307A (en) | 1985-09-06 | 1986-09-02 | Semiconductor integrated circuit with a programmable logic array |
DE19863630388 DE3630388A1 (de) | 1985-09-06 | 1986-09-05 | Programmierbare logische anordung |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60197908A JPH0616534B2 (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | プログラマブルロジツクアレイ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6257233A JPS6257233A (ja) | 1987-03-12 |
JPH0616534B2 true JPH0616534B2 (ja) | 1994-03-02 |
Family
ID=16382274
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60197908A Expired - Lifetime JPH0616534B2 (ja) | 1985-09-06 | 1985-09-06 | プログラマブルロジツクアレイ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0616534B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2680814B2 (ja) * | 1987-04-02 | 1997-11-19 | 日本電気株式会社 | プログラマブルロジックアレイ |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4395646A (en) * | 1980-11-03 | 1983-07-26 | International Business Machines Corp. | Logic performing cell for use in array structures |
-
1985
- 1985-09-06 JP JP60197908A patent/JPH0616534B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6257233A (ja) | 1987-03-12 |
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